ITMI980673A1

ITMI980673A1 - Materiale per formare una configurazione fine e procedimento per fabbricare un dispositivo semiconduttore impiegante il medesimo

Info

Publication number: ITMI980673A1
Application number: IT98MI000673A
Authority: IT
Inventors: Takeo Ishibashi; Ayumi Minamide; Toshiyuki Toyoshima; Keiichi Katayama
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-03-31
Filing date: 1998-03-30
Publication date: 1999-09-30
Also published as: TW372337B; CN1310295C; IT1298974B1; KR100275433B1; US6579657B1; CN1199922A; KR19980080853A; DE19814142A1

Description

DESCRIZIONE

La presente invenzione riguarda un materiale per configurazioni di fotoriserva o resisi finemente isolate in grado di ridurre le dimensioni dell'isolante ole dimensioni dei fori nella configurazione a motivo quando la configurazione a motivo di resist viene formata in un processo di fabbricazione di semiconduttori, e riguarda un procedimento per formare una configurazione finemente isolata impiegando il medesimo materiale. Inoltre, la presente invenzione riguarda un procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore impiegando la configurazione di resist finemente isolata, ed un dispositivo di o a semiconduttore fabbricato secondo tale procedimento.

Poiché i dispositivi a semiconduttori sono divenuti fortemente integrati, le interconnessioni e le larghezze dei materiali isolanti richieste nei loro procedimenti di fabbricazione sono divenuti estremamente fini. In generale, una configurazione fine è formata secondo un procedimento in cui una configurazione a motivo di fotoriserva o resisi è formata mediante una tecnica fotolitografica, e varie pellicole sottili sottostanti sono rispettivamente incise attraverso la configurazione così formata come una maschera.

Per la formazione di una configurazione fine, la tecnica fotolitografica è così estremamente importante. La tecnica fotolitografica include il rivestimento di fotoriserva, l'allineamento delle maschere, l'esposizione alla luce e lo sviluppo. Questa tecnica ha un limite sulla finezza a causa della limitazione imposta sulla lunghezza d'onda della luce di esposizione. Inoltre, il processo litografico convenzionale presenta difficoltà nel controllare la resistenza di incisione di un resist, il che rende impossibile controllare completamente il profilo superficiale, per cui la configurazione incisa è irruvidita sulle superfici delle pareti laterali mediante il controllo della resistenza di incisione.

Come è stato descritto precedentemente, impiegando la tecnica fotolitografica convenzionale comprendente esposizioni alla luce, è risultato difficile formare una configurazione di resist fine superante il limite della lunghezza d'onda.

La presente invenzione fornisce un materiale idrosolubile realizzante la formazione di una configurazione di resist finemente isolata per formare una configurazione di isolamento fine o una configurazione di fini fori. Ilmateriale idrosolubile è suscettibile di garantire la formazione di una configurazione fine superante il limite della lunghezza d'onda, e non è suscettibile di sciogliere un resist sottostante. La presente invenzione fornisce inoltre una tecnica per formare una configurazione di resist finemente isolata. La presente invenzione fornisce pure la tecnica per irruvidire la superficie di pareti laterali di una configurazione dopo l'incisione, che si è rivelata difficile da controllare mediante la tecnica litografica convenzionale.

Inoltre, la presente invenzione fornisce un procedimento per fabbricare un dispositivo a semiconduttore mediante l'impiego della tecnica per formare una configurazione di resist finemente isolata,e fornisce pure un dispositivo di o a semiconduttore fabbricato mediante tale procedimento.

Secondo un aspetto della presente invenzione, un materiale formatore di configurazioni fini comprende un tipo di resina idrosolubile, o una miscela di due o più tipi di resine idrosolubili, oppure un copolimero costituito da due o più tipi di resine idrosolubili in qualità di componente principale, e che genera o subisce reazione di reticolazione in presenza di un acido.

In un altro aspetto della presente invenzione,nel materiale formatore di configurazioni fini, detta resina idrosolubile è costituita, come un componente principale, da acido poliacrilico, polivinil acetale, polivini1pirrolidone,polivinil alcol, polietileneimmina, ossido di polietilene, copolimero di stirene-acido maleico, polivinilammina, poliallilammina, resine del gruppo contenente ossazolina, resine melamminiche idrosolubili, resine di urea idrosolubili, resine alchidiche, resine di solfonammide, oppure miscele di questi o sali di questi.

Secondo un aspetto della presente invenzione, un materiale formatore di configurazioni fini comprende uno o più tipi di agenti di reticolazione idrosolubile in qualità di componente principale, che genera reazione di reticolazione in presenza di un acido.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, nel materiale formatore di configurazioni fini, detto agente idrosolubile è costituito, come componente principale, da melarmina, da derivato di melarmina compreso alcossimetilenemelarmina, o un derivato di urea, benzoguanarmina, glicolurile o miscele di questi.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, nel materiale formatore di configurazioni fini, detto derivato di urea è costituito, in qualità di componente principale, da urea, da una alcossimetileneurea, N-alcossimetileneurea, etileneurea, acido carbossilico di etileneurea, o miscele di questi.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, un materiale formatore di configurazioni fini comprende, in qualità di componente principale, una miscela di una o più tipi di resina idrosolubile ed uno o più tipi di agenti di reticolazione idrosolubili, il che genera una reazione di reticolazione in presenza di un acido.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, nel materiale formatore di configurazioni fini, detta resina idrosolubile è scelta da polivinil acetale, alcol polivinilico, e una miscela di alcol polivinilico e polivinil acetale, e detto agente di reticolazione idrosolubile è scelto da un derivato di melammina, un derivato di urea, ed una miscela dei derivati di melammina e urea.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, in un procedimento per fabbricare un dispositivo a semiconduttore, una prima configurazione di resisi è formata da un primo resist su uno strato di base di semiconduttore. Detta prima configurazione o motivo di resist è sottoposta ad un trattamento superficiale mediante un gas acido o un trattamento termico, esposizione alla luce, o entrambe esposizione alla luce e trattamento termico. Un secondo resist, atto a generare una reazione di reticolazione in presenza di un acido, è formato su detta prima configurazione di resist. Una pellicola reticolata è formata in corrispondenza di una porzione di detto secondo resist contattante detta prima configurazione di resist attraverso un acido alimentato da detta prima configurazione di resist. Porzioni non reticolate di detto secondo resist sono rimosse per formare una seconda configurazione di resist. Quindi, detto strato di base di semiconduttore è sottoposto ad incisione attraverso la seconda configurazione di resist come una maschera.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, nel procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore, detto primo resist comprende, in qualità di componente principale, una miscela di resina novolac e di un agente fotosensibile di naftochinonediazide.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, nel procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore, detto primo resist è preferibilmente costituito da un resist chimicamente amplificato suscettibile di generare un acido.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, nel procedimento per la fabbricazione di un dispositivo di semiconduttore, detto secondo resist è composto da un materiale per la formazione di una configurazione fine come definito in una delle rivendicazioni da 1 a 9.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, nel procedimento per la fabbricazione di un dispositivo di semiconduttore, detto secondo resist include materiale per la formazione di una configurazione fine come definito nelle rivendicazioni 6 o 7, e il grado di reazione con detto primo resist è controllato controllando un rapporto di miscelazione tra detta resina idrosolubile e detto agente di reticolazione idrosolubile.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, nel procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore, detto secondo resist comprende polivini1 acetale, e il grado di reazione con detto primo resist è controllato controllando il grado di acetalizzazione di detto poiivinil acetale.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, nel procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore, un solvente per detto secondo resist è costituito da acqua o da un solvente miscelato idrosolubile.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, nel procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore, detta prima configurazione di resist e detto secondo resist formato su detta prima configurazione di resist sono trattati termicamente per formare detta pellicola reticolata in detto secondo resist in contatto con la superficie di detta prima configurazione di resist.

Secondo un altro aspetto della presente invenzione, nel procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttori, detta prima configurazione di resist è sottoposta a irradiazione con un raggio di elettroni in corrispondenza di porzioni diverse da una regione predeterminata di essa, e detto secondo resisi è formato sulla prima configurazione di resist Irradiata, e detta pellicola reticolata è formata nel secondo resist sulla regione predeterminata di detta prima configurazione di resist.

Altri e ulteriori scopi, caratteristiche e vantaggi dell'invenzione risulteranno più completamente dalla descrizione seguente.

Le figure da 1(a) a 1(c) sono viste illustranti una configurazione maschera illustrante un procedimento per formare una configurazione di resist secondo una prima forma di realizzazione della presente invenzione: le figure da 2(a) a 2(e) illustrano diagrammi di flusso di processo illustranti un procedimento per formare una configurazione di resist secondo la prima forma di realizzazione della presente invenzione;

le figure da 3(a) a 3(f) mostrano diagrammi di flusso di processo illustranti un procedimento per formare una configurazione di resist secondo la prima forma di realizzazione della presente invenzione;

la figura 4 illustra esempi di resine idrosolubili impiegati in qualità del secondo resist secondo la prima forma di realizzazione della presente invenzione;

la figura 5 illustra esempi degli agenti di reticolazione idrosolubili usati come il secondo resist secondo la prima forma di realizzazione della presente invenzione;

le figure da 6(a) a 6(f) illustrano diagrammi di flusso di processo illustranti un procedimento per formare una configurazione di resist secondo la prima forma di realizzazione della presente invenzione;

le figure da 7(a) a 7(f) illustrano diagrammi di flusso di processo illustranti un procedimento per formare una configurazione di resist secondo la prima forma di realizzazione della presente invenzione;

le figure da 8(a) a 8(e) illustrano diagrammi di flusso di processo illustranti un procedimento per formare una configurazione di resist conformemente ad una seconda forma di realizzazione della presente invenzione;

le figure da 9(a) a 9(g) illustrano diagrammi di flusso di processo illustranti un procedimento per formare una configurazione di resist secondo una terza forma di realizzazione della presente invenzione;

le figure da 10(a) a 10(c) illustrano prime configurazioni di resist degli Esempi 1, 2 e 3 secondo la presente invenzione;

le figure da 11(a) a 11(c) illustrano prime configurazioni di resisi nell'Esempio 4 della presente invenzione;

le figure da 12(a) a 12(c) illustrano prime configurazioni di resist nell'Esempio 5 della presente invenzione;

la figura 13 illustra una seconda configurazione di resist nell'Esempio 14 della presente invenzione;

la figura 14 è una tabella illustrante la relazione tra il rapporto di miscelazione di resine idrosolubili e le dimensioni della configurazione di resist dopo formazione dello strato reticolato nell'Esempio 14;

la figura 15 è una tabella illustrante la relazione tra la presenza o l'assenza di esposizione alla luce e le dimensioni della configurazione di resist dopo formazione dello strato di reticolazione dell'Esempio 15;

le figure da 16(a) a 16(c) illustrano seconde configurazioni di resist dell'Esempio 16 della presente invenzione;

la figura 17 è una tabella illustrante la relazione tra la temperatura di cottura di miscelazione e le dimensioni della configurazione di resist dopo formazione dello strato reticolato nell'Esempio 16 della presente invenzione;

la figura 18 è una tabella illustrante la relazione tra il rapporto di miscelazione di materiali idrosolubili e le dimensioni della configurazione di resist dopo formazione dello strato reticolato nell'Esempio 17 della presente invenzione;

la figura 19 è una tabella illustrante la relazione tra le quantità di materiali idrosolubili e le dimensioni della configurazione di resist dopo la formazione dello strato reticolato nell'Esempio 18 della presente invenzione;

la figura 20 è una tabella illustrante la relazione tra il rapporto di miscelazione di materiali idrosolubili o la temperatura di cottura di miscelazione e le dimensioni della configurazione di resist dopo formazione dello strato reticolato nell‘Esempio 19 della presente invenzione;

la figura 21 è una tabella illustrante la relazione tra i tipi di materiali idrosolubili e le dimensioni della configurazione di resist dopo formazione dello strato reticolato nell'Esempio 20 della presente invenzione;

la figura 22 è una tabella illustrante la relazione tra la presenza o l'assenza di irradiazione di raggi elettronici e le dimensioni della configurazione di resisi dopo formazione dello strato reticolato nell'E-sempio 21 della presente invenzione;

la figura 23 è una vista illustrante una seconda configurazione di resist nell'Esempio 22 della presente invenzione; e

le figure da 24(a) a 24(c) illustrano viste rappresentati una forma di configurazione dopo l'Incisione di una pellicola d'ossido sottostante nell'Esempio 22 della presente invenzione.

La presente invenzione sarà descritta in ulteriore dettaglio mediante forme di realizzazione ed esempi facendo riferimento ai disegni acclusi. Prima forma di realizzazione

Le figure da 1(a) a 1(c) sono viste illustranti una configurazione maschera impiegata per formare una configurazione di resist finemente isolata, a cui la presente invenzione è diretta. La figura 1(a) è una configurazione maschera 100 di fini fori, la figura 1(b) è una configurazione maschera 200 di fini spazi, e la figura 1(c) è una configurazione 300 di isole.

Le figure da 2(a) a 2(e), le figure da 3(a) a 3(f), le figure da 6(a) a 6(f), e le figure da 7(a) a 7(f), rispettivamente, illustrano diagrammi di flusso di processo rappresentanti un procedimento per formare una configurazione di resisi o fotoriserva finemente isolata secondo una prima forma di realizzazione della presente invenzione.

Facendo ora riferimento alle figure da 1(a) a 1(c) e alle figure da 2(a) a 2(e), saranno descritti un procedimento per formare una configurazione di resisi finemente isolata in un procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore impiegando il medesimo nella prima forma di realizzazione.

Dapprima, come è mostrato nella figura 2(a), un primo resist 1 è formato su un substrato di semiconduttore o wafer di semiconduttore 3 con uno spessore ad esempio di da circa 0,7 a 1,0 μπ . Il primo resist 1 ha un meccanismo per generare un acido dall1interno di esso mediante un trattamento termico appropriato.

Questo primo resist 1 può essere depositato a guisa di rivestimento a centrifugazione, ad esempio, sul substrato 3 di semiconduttore, a ciò facendo seguito pre-cottura, cioè un trattamento termico a tra 70 e 110°C per circa 1 minuto, per determinare l'evaporazione di un solvente nel primo resist 1.

Successivamente, al fine di formare una prima configurazione a motivo di resist, il primo resist 1 viene esposto alla luce attraverso una maschera avente una configurazione come quella rappresentata nelle figure 1(a), 1(b) o 1(c). La luce o il raggio-fascio di esposizione può essere costituita da un raggio g, un raggio i, luce UV profonda, raggio laser a excimeri di KrF, raggio laser a excimeri di ArF, un raggio o fascio di elettroni (EB), un raggio X o simili, avente una lunghezza d'onda corrispondente ad una lunghezza d'onda di sensibilizzazione del primo resist 1.

Il materiale per il primo resist può essere un materiale avente un meccanismo per generare un componente acido all'interno del resist mediante un trattamento termico appropriato, e può essere del tipo positivo oppure negativo.

Ad esempio, il primo resist 1 può essere un resist positivo fatto di resina novolac e un agente fotosensibile di naftochinonediazide.

Inoltre, un resist chimicamente amplificato impiegante un meccanismo generatore di acidi può pure essere impiegato in qualità del primo resist. Possono essere pure impiegati altri tipi di materiali di resist, a patto che essi utilizzino sistemi di reazione di generazione di un acido mediante applicazione di calore.

Dopo l'esposizione alla luce del primo resist 1, può essere eseguita cottura a post-esposizione o (PEB), ad esempio ad una temperatura di PEB di da 50 a 130°C, se necessario, per migliorare la risoluzione del resist 1.

Successivamente, una soluzione alcalina acquosa di da circa 0,05 a 3,0% in peso di TMAH (tetrametilammonio idrossido) è impiegata per lo sviluppo. La figura 2(b) illustra una prima configurazione di resist la formata in questo modo.

Dopo completamento dello sviluppo, può essere effettuata una cottura post-sviluppo, ad esempio ad una temperatura di cottura di da 60 a 120°C per circa 60 secondi, se necessario. Questo trattamento termico influenza una successiva reazione di miscelazione, e deve essere preferibilmente realizzato ad una temperatura appropriata corrispendente al tipo di primo resist o secondo resist.

Le fasi precedenti sono simili a quelle della formazione di una configurazione di resist conformemente ad un convenzionale processo di formazione di resist tranne per il fatto che è impiegato il primo resist 1 atto a generare un acido.

Successivamente, come è rappresentato in figura 2(c), un secondo resist 2 viene applicato a guisa di rivestimento sul substrato di semiconduttore 3. Il secondo resist è principalmente costituito da un materiale reticolabile atto a subire reticolazione in presenza di un acido, ed è sciolto 1n un solvente incapace di sciogliere il primo resist 1 o la delle figure 1(a), 1(b) o 1(c).

Il procedimento di applicazione a guisa di rivestimento del secondo resist 2 non è critico a patto che esso possa essere uniformemente applicato a guisa di rivestimento sulla prima configurazione di resist la. Il secondo resist può essere applicato a guisa di rivestimento mediante rivestimento a spruzzatura, rivestimento a centrifugazione, oppure immersione in una seconda soluzione di resist.

Dopo applicazione del secondo resist 2, il resist 2 può essere precotto, ad esempio a 85°C per circa 60 secondi, se necessario.

Successivamente, come è rappresentato in figura 2(d), la prima configurazione di resist la e il secondo resist 2 formati sul substrato di semiconduttore 1 sono trattati termicamente o cotti a miscelazione, che può in seguito essere semplicemente chiamata MB, ad esempio, ad una temperatura di cottura di da 85 a 150°C. In tal modo, l'acido è indotto a diffondere dalla prima configurazione di resisi la nel secondo resisi 2, e reazione di reticolazione si verifica in corrispondenza dell'interfaccia tra il secondo resist 2 e la prima configurazione di resist.la. La temperatura/tempo di cottura a miscelazione è, ad esempio, di da 85°C a 150°C/da 60 a 120 secondi, e condizioni ottimali possono essere impostate in dipendenza dai tipi di materiali di resist e dal necessario spessore dello strato di reazione.

Mediante la cottura a miscelazione, lo strato reticolato 4 in cui ha avuto luogo la reazione di reticolazione, è formato nel secondo resist 2 per coprire la prima configurazione di resist la con esso.

Successivamente, come è rappresentato in figura 2(e), impiegando uno sviluppatore liquido come ad esempio acqua oppure una soluzione alcalina acquosa come TMAH, le porzioni non reticolate del secondo resist 2 sono sviluppate e rimosse per formare una seconda configurazione di resist 2a. In questo modo, può essere ottenuta una configurazione di resist avente un diametro interno ridotto di una configurazione di fori, una larghezza di isolamento ridotta di una configurazione di linee, oppure un'area aumentata di una configurazione ad isole.

Come è stato descritto precedentemente, nel procedimento per formare una fine configurazione di resist mostrata con riferimento alle figure da 2(a) a 2(e), il secondo strato di resist 2 è formato sulla prima configurazione di resist la, e quindi un acido viene generato nella prima configurazione di resist la mediante un trattamento termico appropriato ed è diffuso nel secondo resist 2.

Sarà ora descritta un'altra procedura per generare un acido mediante esposizione alla luce al posto o prima del trattamento termico.

Le figure da 3(a) a 3(f) illustrano un diagramma di flusso rappresentante un procedimento per formare una configurazione di resist finemente isolata in tale procedura. Le fasi rappresentate nelle figure da 3(a) a 3(c) sono simili a quelle delle figure da 2(a) a 2(c), per cui non sarà fornita spiegazione duplicata.

Si noterà che il primo resist 1 può essere un resist chimicamente amplificato impiegante un meccanismo per generare un acido mediante esposizione a luce. Nel resist chimicamente amplificato, reazione di formazione di un catalizzatore acido si verifica mediante applicazione di luce, di un fascio o raggio di elettroni, di un raggio X o simili, ed è utilizzata la reazione di amplificazione provocata dal catalizzatore acido.

Dopo formazione del secondo resist 2 rappresentato in figura 3(c), il substrato di semiconduttore 1 è nuovamente esposto al raggio g o i di una lampada a Hg sull'intera superficie di esso come è rappresentato in particolare nella figura 3(d). In tal modo, è indotta la generazione di un acido nella prima configurazione di resist la. Conseguentemente, come è rappresentato in figura 3(e), uno strato reticolato 4 è formato lungo l'interfaccia del secondo resist 2 con la prima configurazione di resist la.

In qualità di sorgente di luce impiegata per l'esposizione, possono essere impiegate lampade a Hg, excimero di KrF, excimero di ArF e simili, in dipendenza dalla lunghezza d'onda di sensibilizzazione del primo resist 1 o la. La sorgente di luce non è critica a patto che un acido sia generato mediante esposizione alla luce, e una appropriata sorgente di luce o esposizione possa essere selezionata in dipendenza dalla lunghezza d'onda di sensibilizzazione del primo resist applicato 1.

Come è stato descritto precedentemente, nel procedimento rappresentato nelle figure da 3(a) a 3(f), luce viene esposta dopo l'applicazione a rivestimento del secondo resist 2, e un acido viene generato nella prima configurazione di resist la. Poiché luce è esposta in uno stato tale che la prima configurazione di resist la è coperta con il secondo resist 2, la quantità di acido generata nella prima configurazione di resist la può essere controllata con precisione entro un ampio intervallo controllando l'esposizione. Pertanto, lo spessore dello strato di reazione 4 può essere accuratamente controllato.

Se necessario, il substrato di semiconduttore 1 è trattato termicamente o cotto a miscelazione ad esempio a tra 60 e 130°C. Tramite il trattamento termico, l'acido dalla prima configurazione di resist la è maggiormente diffuso nel secondo resist 2, facilitando così il verificarsi della reazione di reticolazione in corrispondenza dell'interfaccia tra il secondo resist 2 e la prima configurazione di resist la. La temperatura/tempo di cottura di miscelazione è di da 60 a 130°C e 120 secondi, entro i quali sono impostate condizioni ottimali in dipendenza dai tipi di materiali di resist e dal necessario spessore dello strato di reazione.

Con la cottura a miscelazione, lo strato reticolato 4 si forma nel secondo resist 2 per coprire la prima configurazione di resist la con esso.

La fase di figura 3(f) è simile a quella di figura 2(e). In questo modo, può essere ottenuta una configurazione di resisi in cui il diametro interno dei fori o la larghezza di isolamento di una configurazione a linee sono ridotti, o l'area in una configurazione ad isole è ingrandita.

Il precedente procedimento, cioè il procedimento per generare un componente acido nella prima configurazione di resist la mediante esposizione alla luce, come è illustrato con riferimento alle figure da 3(a) a 3(f), è opportunamente applicato per il caso in cui la reattività del primo resist 1 e del secondo resist 2 è relativamente bassa, o per il caso in cui è richiesto uno strato reticolato relativamente spesso, per il caso in cui è particolarmente richiesta la reazione di reticolazione uniforme.

Successivamente, sarà illustrato il materiale per il secondo resist 2. Il secondo resist può essere costituito da una resina idrosolubile reticolarle da sola o da una miscela di queste resine. Alternativamente, può pure essere impiegato un agente di reticolazione idrosolubile da solo oppure può essere impiegata una miscela di questi agenti. Analogamente, possono essere impiegate miscele di queste resine idrosolubili e di questi agenti di reticolazione idrosolubili.

Quando in qualità del secondo resist è impiegata una miscela, la sua composizione ottimale deve essere determinata in dipendenza dal tipo del primo materiale di resist e dalle prescritte condizioni di reazione, e non è limitata a nessuna composizione specifica.

Inoltre, in qualità del secondo resist, è preferibilmente impiegato un copolimero costituito da due o più tipi di resine idrosolubili come componente principale, in grado di generare o subire una reazione di reticolazione 1n presenza di un acido.

Esempi delle resine idrosolubili impiegate in qualità del secondo resisi includono, come rappresentato in figura 4, acido poliacrilico, polivinil acefale, polivinilpirrolidone, poiivinil alcol, polietilenimmina, ossido di polietilene, copolimero di stirene-acido maleico, resina di polivinllammina, polial1ilammina, resine contenenti gruppi di ossazolina, resine melamminiche idrosolubili, resine ureiche idrosolubili, resine alchidiche, resine solfoniche ammidiche, e simili. Le resine non sono critiche se esse subiscono reazione di reticolazione in presenza di un componente acido. Alternativamente, se esse non subiscono reazione di reticolazione, allora è sufficiente che le resine siano miscibili con un agente di reticolazione idrosolubile.Queste resine possono essere efficacemente impiegate da sole oppure in combinazione.

Queste resine idrosolubili possono essere impiegate singolarmente oppure in combinazioni di due o più,e possono essere appropriatamente regolate in dipendenza dalle condizioni di reazione e dalla reattività con il primo resist sottostante 1.

Queste resine idrosolubili possono essere convertite a sali, come ad esempio idrocloruro, al fine di migliorare la solubilità in acqua.

Successivamente, gli agenti di reticolazione idrosolubili impiegati in qualità del secondo resist includono, come è rappresentato in figura 5, agenti di reticolazione del gruppo dell'urea, come urea, alcossimetilene uree, N-alcossimetilene uree, etilenurea, carbossilati di etilenurea e simili, e agenti di reticolazione del gruppo melammina, come melammina, derivati della melammina compreso alcossimetilenemelammina,e agenti amminici di reticolazione come benzoguanammina, glicolurile e simili. Perta Lnto,à il secondo resist può non essere limitato ad agenti anminici di reticolazione, e può comprendere uno qualsiasi degli agenti di reticolazione idrosolubili che genera reticolazione in presenza di acido.

Inoltre, materiali d1 resist idrosolubili impiegati per il secondo resist possono essere costituti da una miscela di queste resine e degli agenti di reticolazione. In queste miscele, le resine possono essere usate singolarmente oppure in combinazione, e gli agenti di reticolazione possono essere usati singolarmente oppure in combinazione anch'essi.

Ad esempio,è preferibilmente impiegata una miscela di polivinil acetale in qualità della resina idrosolubile, e etilene urea in qualità dell'agente di reticolazione idrosolubile. In questo caso, a causa della elevata solubilità nell'acqua, la soluzione della miscela presenta buona stabilità di immagazzinamento.

Si noterà che il materiale applicato in qualità del secondo resist non è critico, a patto che esso sia solubile in acqua o solubile in un solvente idrosolubile incapace di disciogliere la prima configurazione di resist e subente reazione d1 reticolazione in presenza di un componente acido.

Come è stato precedentemente illustrato, la reazione di reticolazione può procedere solamente mediante trattamento termico senza generazione di un acido mediante ri-esposizione della prima configurazione di resist la. In questo caso, è preferito che un materiale di elevata reattività abbia ad essere selezionato in qualità del secondo resist 2 e che abbia ad essere effettuato un trattamento termico appropriato,ad esempio, a tra 85°C e 150°C.

In qualità di esempio specifico, preferibilmente impiegata in qualità di un secondo resist è una composizione idrosolubile comprendente resina di polivinil acetale e etilenurea, oppure una composizione comprendente alcol polivinilico e etilenurea, o una miscela di questi con rapporti appropriati.

Quindi, nella presente invenzione, è importante controllare la reazione di reticolazione tra il primo resist 1 ed il secondo resist 2 e controllare pure lo spessore dello strato reticolato 4 formato sulla prima configurazione di resist la. La reazione di reticolazione deve essere ottimizzata in dipendenza dalla reattività tra il primo resist 1 ed il secondo resist 2, dalla sagoma della prima configurazione di resist la, e dallo spessore previsto dello strato reticolato 4.

Il controllo della reazione di reticolazione tra il primo resist ed il secondo resist può essere eseguito controllando condizioni di processo oppure controllando la composizione del secondo materiale di resist.

Il controllo di processo effettivo della reazione di reticolazione può essere eseguito mediante (1) il controllo di una esposizione alla prima configurazione di resist la, o (2) il controllo della temperatura di MB (cottura a miscelazione) e del tempo di trattamento. In particolare, quando sono controllati il riscaldamento ed il tempo di reticolazione (tempo di MB), lo spessore dello strato reticolato può essere controllato. Questo procedimento garantisce un controllo estremamente buono della reazione.

Dal punto di vista del controllo della composizione del materiale impiegato in qualità del secondo resisi, il controllo della reazione di reticolazione può essere eseguito mediante (3) una tecnica in cui due o più resine idrosolubili appropriate sono miscelate con un rapporto di miscelazione controllato per controllare la reattività con il primo resisi, o (4) una tecnica di miscelazione di un agente di reticolazione idrosolubile appropriato con una resina idrosolubile con un rapporto di miscelazione controllato pér controllare la reattività con il primo resist.

Tuttavia, questi controlli della reazione di reticolazione non sono univocamente determinati, ma devono essere determinati tenendo in considerazione varie condizioni tra cui (1) la reattività tra il secondo materiale di resist e il primo materiale di resist, (2) la sagoma e lo spessore della prima configurazione di resist, (3) lo spessore desiderato dello strato reticolato, (4) le condizioni di esposizione o le condizioni di MB impiegabili,e (5) le condizioni di rivestimento.

In particolare, è noto che la reattività tra il primo resist ed il secondo resist risente di una influenza della composizione del materiale del primo resist. Nella attuazione pratica della presente invenzione, la composizione del materiale del secondo resist deve preferibilmente essere ottimizzata tenendo al tempo stesso in considerazione i sunmenzionati fattori o condizioni.

Perciò, i tipi ed il rapporto di composizione del materiale idrosolubile impiegato in qualità del secondo resist non sono critici, e devono essere determinati in modo ottimale in dipendenza dai tipi di materiali e dalle condizioni di trattamento termico.

Si deve notare che plastificanti, come etilen glicole, glicerina, trietilen glicole e simili, possono essere aggiunti al secondo materiale di resist come un additivo.

Si deve pure notare che,al fine di migliorare le proprietà di formazione della pellicola,agenti tensioattivi, ad esempio agenti tensioattivi idrosolubili come Fiorade della Sumitomo 3M Limited e Nonipoie della Sanyo Chemical Industries Ltd., possono essere aggiunti al secondo materiale di resist come un additivo.

Qui di seguito saranno illustrati i solventi per l'impiego con il secondo resist.

I solventi impiegati per il secondo resist non devono sciogliere la prima configurazione di resist e devono ben sciogliere materiali idrosolubili. I solventi non sono critici a patto che siano soddisfatti requisiti precedenti.

Ad esempio, i solventi per il secondo resist possono essere solventi acquosi (acqua pura), di acqua e alcolici e come IPA, oppure solventi organici idrosolubili come N-metiIpirrolidone, e possono essere impiegati singolarmente oppure in combinazione.

I solventi miscelati con acqua non sono critici a patto che essi siano solubili in acqua. Esempi includono alcoli come etanolo, metanolo, alcol isopropilico e simili, ^-butirrolattone, acetone e simili. Il solvente è miscelato con un rapporto in un intervallo non sciogliente la prima configurazione di resist, tenendo al tempo stesso in considerazione la solubilità di un materiale per il secondo resist.

Nell'esempio precedente, è stato descritto un metodo per formare una configurazione di resist fine sull'intera superficie del substrato di semiconduttore 1. Successivamente sarà descritto un metodo per formare una configurazione di resisi fine selettivamente su una o più regioni desiderate del substrato di semiconduttore 1.

Le figure da 6(a) a 6(f) illustrano un flusso di processo del procedimento di formazione di una configurazione di resist fine. Inizialmente, le fasi delle figure da 6(a) a 6(c) sono le medesime di quelle delle figure da 3(a) a 3(c). Come è rappresentato in figura 6(c), viene formato il secondo strato di resist 2. Successivamente, come è rappresentato in figura 6(d), una parte del substrato 3 di semiconduttore viene schermata con una piastra 5 di schermatura alla luce,e la regione selezionata viene riesposta ad un raggio g o i di una lampada a Hg. In tal modo, un acido viene generato nella prima configurazione di resist la. Quindi, come è rappresentato in figura 6(e), uno strato reticolato 4 viene formato lungo l'interfaccia del secondo resist 2 contattante la prima configurazione di resist la nella porzione esposta.

Le figure da 7(a) a 7(f) sono un diagramma di flusso di processo illustrante un altro procedimento per formare selettivamente una configurazione di resist fine in una regione desiderata del substrato di semiconduttore 1. Le fasi delle figure da 7(a) a (c) sono uguali a quelle delle figure da 2(a) a 2(c). Come è rappresentato in figura 7(c), è formato il secondo strato di resist 2. Quindi, una regione specifica del substrato 3 di semiconduttore viene schermata con una piastra 6 di schermatura ai raggi di elettroni. Quindi, un raggio di elettroni viene irradiato sull'altra regione.

Successivamente, l substrato è trattato termicamente nella fase di figura 7(e). In tal modo, uno strato reticolato è formato nella regione ove non è irraggiato con il raggio a fascio di elettroni, mentre nella regione irraggiata con il raggio di elettroni non è formato alcuno strato reticolato. La fase di figura 7(f) è simile a quella di figura Z(f) e essa non ulteriormente qui illustrata.

In questo modo, lo strato reticolato 4 è formato sulla prima configurazione di resisi la nella regione selezionata del substrato 3 di semiconduttore come è rappresentato in figura 7(f), e nell'altra regione non è formato sulla prima configurazione di resist alcuno strato reticolato. Così, fini fori o fini spazi aventi dimensioni diverse possono essere formati sul medesimo substrato di semiconduttore.

In precedenza è stato descritto dettagliatamente il procedimento per formare una configurazione di resist finemente isolata sul substrato 3. La configurazione di resist finemente isolata può essere formata non solamente sul substrato di semiconduttore 3, ma anche su una pellicola isolante, come una pellicola di ossido di silicio, o su uno strato conduttore, come una pellicola di polisilicio, in dipendenza dal procedimento dì fabbricazione del dispositivo di o a semiconduttore.

La formazione di una configurazione di resist finemente isolata secondo la presente invenzione non è limitata relativamente al tipo di pellicola sottostante, ma una simile configurazione di resist può essere costituita da un qualsiasi tipo di strato sottostante o di base, o substrato suscettibile di formare una configurazione di resist su esso e può essere formata da qualsiasi richiesto strato di base o substrato. Tutti questi substrati sono generalmente qui chiamati "strato di base di semiconduttore".

Nella presente invenzione, la configurazione di resisi finemente isolata cosi formata è impiegata come una maschera, ciò facendo seguito a incisione del substrato di semiconduttore sottostante o dello strato di base di semiconduttore includente vari tipi di pellicole sottili, per formare fini spazi o fori nello strato di base di semiconduttore. Pertanto, può essere fabbricato un dispositivo di semiconduttore.

Nella presente invenzione, sono appropriatamente determinati un materiale e la sua composizione per il secondo resist, ed una temperatura di MB, e la configurazione di resist finemente isolata può essere ottenuta mediante formazione dello strato reticolato sulla prima configurazione di resist. Quindi, un substrato di semiconduttore o strato di base di semiconduttore può essere inciso impiegando tale configurazione di resist fine come maschera. Conseguentemente, le superfici laterali del substrato inciso possono essere efficacemente irruvidite.

Seconda forma di realizzazione

Le figure da 8{a) a 8(e) illustrano un flusso di processo rappresentante un procedimento per formare una configurazione di resist finemente isolata conforme ad una seconda forma di realizzazione della presente invenzione. Facendo riferimento alle figure da 1(a) a 1(c) e alle figure da 8(a) a 8(e), saranno descritti il procedimento per formare una configurazione di resist finemente isolata della seconda forma di realizzazione ed un procedimento per fabbricare un dispositivo a o di semiconduttore.

Dapprima, come è rappresentato in figura 8(a), un primo resist 11 contenente una piccola quantità di una sostanza acida in esso viene applicato a guisa di rivestimento su un substrato di semiconduttore 3. Il primo resisi 11 è precotto o termicamente trattato a tra 70 e 110°C per circa 1 minuto, a ciò facendo seguito esposizione ad un raggio g o i di una lampada a Hg attraverso una maschera avente la configurazione rappresentata in figura 1(a), 1(b) o 1(c). La figura 8(b) illustra la prima configurazione di resisi così formata 11a.

In qualità del materiale del primo resisi li, possono essere efficacemente impiegati quei material i illustrati nella prima forma di realizzazione. La descrizione dettagliata di questa non viene così fornita per evitare ripetizioni. L'acido contenuto nel primo resist 11 include preferibilmente acidi carbossilici di basso peso molecolare.

Successivamente, il substrato è trattato termicamente mediante PEB a tra 10 e 130°C, se necessario, per migliorare la risoluzione del resisi, ed è quindi sviluppato con una soluzione acquosa diluita di circa 2,0% di TMAH (tetrametilammonio idrossido).

Successivamente, il substrato può essere sottoposto a cottura di post-sviluppo, se necessario. Questo trattamento termico influenza una successiva reazione di miscelazione e deve essere impostata ad una temperatura appropriata. Il processo descritto precedentemente è simile ad un convenzionale processo di formazione di configurazione di resist tranne per il fatto che è impiegato il resist 11 contenente un acido.

Dopo che la configurazione di resist Ila è stata formata come è rappresentato in figura 8(b), un secondo resist 12 viene applicato a guisa di rivestimento sul substrato 3 di semiconduttore come è rappresentato in figura 8(c). Il secondo resist 12 è principalmente costituito da un materiale reticolabile in grado di reticolare in presenza di un acido, e che può essere sciolto in un solvente che non scioglierà il primo resisi 11.

Il materiale per il secondo resist 12 ed il solvente per esso sono uguali a quelli illustrati nella prima forma di realizzazione, e sono effettivamente impiegati in questa seconda forma d1 realizzazione. Perciò, la descrizione dettagliata di questi non viene fornita per evitare ripetizioni.

Dopo l'applicazione a guisa di rivestimento del secondo resist 12, questo viene precotto, se necessario.Questo trattamento termico influenza una successiva reazione di miscelazione e deve essere impostato ad una temperatura appropriata.

Quindi, come è rappresentato in figura 8(d), il substrato di semiconduttore 3 viene trattato termicamente, ad esempio a tra 60 e 130°C, così da far sì che una reazione di reticolazione abbia a verificarsi nelle vicinanze dell'interfaccia tra il secondo resist 12 e la prima configurazione di resist Ila mediante un acido dalla piccola quantità della sostanza acida contenuta nella prima configurazione di resist Ila. Pertanto, uno strato reticolato 14 ottenuto tramite la reazione di reticolazione è formato nel secondo resist 12 per coprire la prima configurazione di resist Ila.

Quindi, come è mostrato in figura 8(f), la porzione non reticolata del secondo resist 12 viene sviluppata con acqua o con uno sviluppatore liquido come ad esempio TMAH e rimossa dal substrato. Conformemente al precedente procedimento, può essere ottenuta una configurazione di resist in cui il diametro interno dei fori di una configurazione dei fori o la larghezza d1 Isolamento di una configurazione di linee sono ridotti,oppure l'area di una configurazione di isole è ingrandita.

Nella seconda forma di realizzazione, il primo resist 11 non deve generare acidi mediante esposizione alla luce, ma il primo resist 11 è preparato per contenere un acido in esso. L'acido è diffuso mediante applicazione di calore per la reticolazione. L'acido contenuto nel primo resist 11 deve preferibilmente essere costituito da acidi carbossilici di basso peso molecolare,ma essi non sono critici a patto di poter essere miscelati con una soluzione di resist.

La configurazione di resist finemente isolata è formata su vari tipi di substrati di semiconduttori, e può essere impiegata con una maschera per formare spazi finemente isolati di fini fori nel substrato di semiconduttori in un modo come quello descritto con riferimento alla summenzionata prima forma di realizzazione.

Terza forma di realizzazione

Le figure da 9(a) a 9(g) mostrano un diagramma di flusso di processo per illustrare un procedimento per formare una configurazione di resist finemente isolata secondo una terza forma di realizzazione della presente invenzione. Con riferimento alle figure da 1(a) a 1(c) e alle figure da 9(a) a 9(g), saranno descritti un procedimento per formare una configurazione di resist finemente isolata e un procedimento per fabbricare un dispositivo a o di semiconduttore impiegando tale configurazione.

Inizialmente, come è rappresentato in figura 9(a), un primo resist 21 viene applicato a guisa di rivestimento su un substrato di semiconduttore 3. Il primo resist 21 è pre-cotto o trattato termicamente a tra 70 e 100°C per circa 1 minuto.Quindi, il primo resist 21 viene esposto alla luce attraverso una maschera avente una configurazione come rappresentata in figura 1(a), 1(b) o 1(c). La luce di esposizione può esser costituita da un raggio g o da un raggio i di una lampada a Hg in dipendenza dalla lunghezza d'onda di sensibilizzazione del primo resist 21.

In qualità del materiale per il primo resist 21, possono essere efficacemente impiegati quelli illustrati rispetto alla prima forma di realizzazione. La spiegazione dettagliata del materiale non è qui fornita per evitare ripetizioni.

Quindi, il substrato è trattato termicamente mediante PEB, ad esempio a tra 10 e 130°C, per migliorare la risoluzione del resist, se necessario. Quindi, il primo resist 21 viene sviluppato con una diluizione acquosa diluita d1 circa 2,0% di TMAH (tetrametilammonioidrossido). La figura 9(b) illustra la prima configurazione di resist risultante 21a.

Successivamente, se necessario può essere effettuata cottura a postsviluppo. Questo trattamento termico influenza una successiva reazione di miscelazione e deve essere impostato ad una temperatura appropriata. Il precedente processo è simile ad un convenzionale processo di formazione di resist.

Dopo la formazione della configurazione di figura 9(b), il substrato di semiconduttore è sottoposto a trattamento superficiale con un gas acido come quello mostrato in figura 9(c). Il gas acido può essere costituito o da un acido organico o da un acido inorganico.

In questa fase, l'acido viene imbibito nelle vicinanze della superficie della configurazione di resist 21a per formare un sottile strato contenente l'acido, seguito da risciacquatura con acqua pura, se necessario.

Quindi, come è rappresentato in figura 9(e), un secondo resisi 22 viene applicato a guisa di rivestimento sulla prima configurazione 21 di resisi come è rappresentato in figura 9(e). Il secondo resisi 22 è principalmente costituito da un materiale reticolarle atto a reticolare in presenza di un acido, e sarà sciolto in un solvente che non scioglierà il primo resisi 21. Il materiale per il secondo resist 22 ed il solvente per esso sono uguali o simili a quelli illustrati nella prima forma di realizzazione, e sono efficacemente impiegati in tale forma di realizzazione. La descrizione dettagliata di questi non viene fornita per evitare ripetizioni.

Dopo l'appiicazione a guisa di rivestimento del secondo resist 22, il resist 22 viene precotto, se necessario. Questo trattamento termico influenza una successiva reazione di miscelazione e deve essere impostato ad una temperatura appropriata.

Quindi,come è mostrato in figura 9(f), il substrato 3 di semiconduttore viene trattato termicamente, ad esempio tra 60 e 130°C, e cotto per la reticolazione, provocando così reazione di reticolazione nelle vicinanze dell'interfaccia tra il secondo resist 22 e la prima configurazione di resist 21a mediante un acido alimentato dalla prima configurazione di resist 21a. Così, uno strato reticolato 4 è formato nel secondo resist 22 tramite la reazione di reticolazione per coprire la prima configurazione di resist 21a.

Quindi, come è rappresentato in figura 9(g), la porzione non-reticolata del secondo resist 22 è sviluppata con acqua o con uno sviluppatore liquido come per esempio TMAH, e rimossa dal substrato. Conformemente ai precedenti trattamenti, è ottenuta una configurazione di resist in cui il diametro di una configurazione di fori o la larghezza di isolamento di una configurazione di linee sono ridotti, o l'area della configurazione a isole è ingrandita.

Come risulterà evidente da quanto precede, secondo la terza forma di realizzazione, non è necessaria alcuna fase per generare un acido nel primo strato di resist mediante esposizione alla luce. Prima della formazione del secondo resist 22 sulla prima configurazione di resist 21a, la superficie viene trattata con un gas acido, che è diffuso per reticolazione in una fase di trattamento termico successiva.

La configurazione di resist finemente isolata è formata su vari tipi di substrati di semiconduttore, e può essere impiegata come maschera per formare spazi finemente isolati o fini fori nel substrato di semiconduttore in un modo come quello descritto con riferimento alle summenzionate prima o seconda forme di realizzazione.

[Esempi]

Saranno ora descritti esempi relativi alle precedenti forme di realizzazione dalla prima alla terza.Un esempio può essere correlato a una o più forme di realizzazione come è stato spiegato precedentemente, per cui gli esempi sono presentati collettivamente.

Dapprima saranno descritti Esempi da 1 a 5 relativi ad un primo materiale di resist.

Esempio 1

In qualità di primo resist, una configurazione di resist è stata formata mediante l'impiego di resist a raggi i costituito da resina novolac e da naftochinonediazide, che sono sciolti in etil lattato e propilene glicole monoetil acetato.

Più particolarmente, il resist è stato lasciato gocciolare su un wafer di Si, e applicato a rivestimento a centrifugazione, seguito da precottura in condizioni di 85°C/70 secondi per determinare evaporazione del solvente dal resist per formare un primo resist dello spessore di circa 1,0 μm .

Successivamente, il primo resist è stato esposto ad un raggio i da un dispositivo di esposizione a proiezione ridotta a raggi i attraverso maschere come è rappresentato nelle figure 1(a), 1(b) o 1(c), a ciò facendo seguito trattamento PEB in condizioni di 120°C/70 secondi. Quindi, il primo resist è stato sviluppato con uno sviluppatore alcalino (NMD3, prodotto dalla Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) per ottenere configurazioni di resist aventi le dimensioni di isolamento rappresentate nelle figure da 10(a) a 10(c).

Esempio 2

In qualità di primo resist, è stata formata una configurazione di resist da un resist a raggi i costituito da resina novolac e da naftochinonediazide sciolti in 2-eptanone.

Il resist è stato fatto gocciolare su un wafer di Si e applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione, così da formare una pellicola di resist dallo spessore di circa 0,8 μπι. Successivamente, la pellicola è stata pre-cotta in condizioni di 85°C/70 secondi per essiccare il solvente nella pellicola. Successivamente, la pellicola è stata esposta a luce da un dispositivo di esposizione a proiezione ridotta a raggi i attraverso maschere come quelle illustrate nelle figura 1(a), 1(b) e 1(c), a ciò facendo seguito trattamento PEB in condizioni di 120°C/70 secondi. Quindi, la pellicola è stata sviluppata con uno sviluppatore alcalino (NMD3 prodotto dalla Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) per ottenere configurazioni di resist aventi le dimensioni di isolamento o dell'isolante illustrate nelle figure 10(a) a 10(c).

Esempio 3

In qualità di primo resisi, è stata formata una configurazione di resisi da un resisi a raggi i costituito da resina novolac e da naftochinonediazide, che sono sciolti in un solvente miscelato di etil lattato e butil acetato.

Il resist è stato fatto gocciolare su un wafer di S1 e applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione, cosi da formare una pellicola di resist dello spessore di circa 1,0 μm. Successivamente, la pellicola è stata precotta in condizioni di 100°C/90 secondi per fare seccare il solvente nella pellicola.

Quindi, la pellicola è stata esposta a luce mediante l'impiego di un dispositivo di esposizione graduale o "stepper" della Nikkon Corporation, attraverso maschere come quelle illustrate nelle figure 1(a), 1(b) e 1(c), a ciò facendo seguito trattamento PEB in condizioni di 110°C/60 secondi. Quindi, la pellicola è stata sviluppata con uno sviluppatore alcalino (NMD3, prodotto dalla Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) per ottenere configurazioni di resisi come quelle rappresentate nelle figure da 10(a) a 10(c) . Esempio 4

In qualità di primo resist, è stata formata una configurazione di resist a partire da un resist a excimeri amplificato chimicamente della Tokyo Ohka Kogyo Co.. Ltd.

Il resist è stato fatto gocciolare su un wafer di Si, e applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione, così da formare una pellicola di resist dello spessore di circa 0,8 μm. Successivamente, la pellicola è stata precotta in condizioni di 90°C/90 secondi per far essiccare il solvente nella pellicola. Successivamente, la pellicola è stata esposta a luce mediante 1'impiego di un dispositivo di esposizione a proiezione ridotta a excimeri di KrF attraverso maschere come quelle rappresentate nelle figure 1(a), 1(b) e 1(c), a ciò facendo seguito trattamento a PEB in condizioni di 100°C/90 secondi. Quindi, la pellicola è stata sviluppata con uno sviluppatore alcalino (NMD-W, prodotto dalla Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) per ottenere configurazioni di resist come quelle illustrate nelle figure da 11(a) a 11(c).

Esempio 5

In qualità di primo resist, è stata formata una configurazione di resist da un resist chimicamente amplificato della Hishiden Chemical Ind. Co., Ltd. (Melker, J.Vac. Sci. Technol. B11 (6) 2773, 1993), costituito da t-Boc poiiidrossistirene e da un generatore di acido.

Il resist è stato fatto gocciolare su un wafer di Si e applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione, così da formare una pellicola dello spessore di circa 0,52 μm. Successivamente, la pellicola è stata precotta in condizioni di 120°C/180 secondi per far essiccare il solvente nella pellicola. Successivamente, Espacer ESP-100 della Showa Denko K.K. servente come agente antistatico è stato applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione sul resist nel medesimo modo indicato precedentemente, seguito da cottura in condizioni di 80°C/120 secondi.

Impiegando un dispositivo per disegnare EB, una immagine è stata disegnata a 17,4 μC/cm2, seguita da trattamento PEB in condizioni di 80°C/120 secondi. Quindi, la pellicola antistatica è stata rimossa con acqua pura, e quindi sviluppata con uno sviluppatore di TMAH alcalino (NMD-W, fabbricato dalla Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)

Come risultato, sono state ottenute configurazioni di resist EB con uno spazio di circa 0,2 μm come è rappresentato nelle figure da 12(a) a 12(c).

Qui di seguito saranno illustrati esempi da 6 a 13 relativi al secondo materiale di resist.

Esempio 6

In qualità di secondo materiale di resist, 400 g di acqua pura sono stati aggiunti a 100 g di una soluzione acquosa al 20% di ciascuno d1 KW3 e KW1 che erano, rispettivamente, una resina di polivinil acefale della Sekisui Chemical Co., Ltd., in un pallone da 1 litro, con successiva miscelazione sotto agitazione a temperatura ambiente per 6 ore per ottenere soluzioni acquose al 5% in peso di polivinil acefale KW3 e KW1, rispettivamente.

Esempio 7

Nel medesimo modo di·quello dell'Esempio 6, sono state ottenute soluzioni acquose al 5% in peso di resina di polivinil alcol, resina idrosolubile contenente ossazolina (Epocross WS 500, prodotta dalla Nippon Shokubai Co., Ltd.), e copolimeri di stirene-anidride maleica (SMA 1000, 1400H, prodotti dalla ARCO Chemical Co.) impiegati al posto delle resine di polivinil acetale dell'Esempio 6, rispettivamente.

Esempio 8

In qualità di secondo materiale di resist, è stata ottenuta una soluzione acquosa di circa 10% in peso di metilolmelammina miscelando 100 g di metossi metilol melammina (Cymel 370 della Mitsui Cynamide Co., Ltd.), 780 g di acqua pura e 40 g di IPA (alcol i sopropi 1 ico) in un pallone da un litro sotto agitazione a temperatura ambiente per 6 ore.

Esempio 9

In qualità di secondo materiale di resist, è stata ottenuta una soluzione acquosa di circa 10% in peso di etileneurea miscelando 100 g di (N-metossimetil ) metossi etileneurea, 100 g di (N-metossimeti 1 ) idrossieti leneurea, o 100 g di N-metossi metilurea rispettivamente con 860 g di acqua pura, e 40 g di IPA (isopropil alcol) in un pallone da un litro sotto agitazione a temperatura ambiente per 6 ore.

Esempio 10

In qualità di secondo materiale di resist, è stata ottenuta una soluzione di una miscela idrosolubile e agente idrosolubile miscelando 160 g della soluzione acquosa di polivinil acetato KW3 ottenuto nell'Esempio 6, 20 g della soluzione acquosa di metossimetilol melammina ottenuta nell'Esempio 8, e 20 g di acqua pura sotto agitazione a temperatura ambiente per 6 ore.

Esempio 11

In qualità di secondo resisi, sono state ottenute soluzioni di una resina idrosolubile e dei rispettivi agenti di reticolazione idrosolubili miscelando una miscela di 160 g della soluzione acquosa di polivinil acetale KW3 ottenuta nell'esempio 6 e ciascuno di 20 g della soluzione acquosa di (N-metoss1meti1)metossietileneurea, 20 g di {N-metossimetil)idrossietileneurea, e 20 g di N-metossimetilurea con 20 g di acqua pura sotto agitazione a temperatura ambiente per 6 ore.

Esempio 12

In qualità di secondo materiale di resist, sono state ottenute soluzioni acquose miscelando 160 g della soluzione acquosa di polivinil acetale KW3 ottenuta nell'Esempio 6 e della soluzione acquosa di metossietileneurea ottenuta nell'Esempio 9 in quantità diverse di 10 g, 20 g e 30 g,e 20 g di acqua pura sotto agitazione a temperatura ambiente per 6 ore.

Conseguentemente, sono stati ottenuti tre tipi di seconde soluzioni acquose di resisi che avevano concentrazioni dell'agente di reticolazione di metossietileneurea idrosolubile di circa 11% in peso, 20% in peso, e 27% in peso rispetto alla resina di polivinil acetale.

Esempio 13

In qualità di secondo resist, sono stati ottenuti tre tipi di soluzioni miscelate aventi rapporti di miscelazione diversi tra resina di polivinil acetale e resina di polivinil alcol miscelando una soluzione acquosa di 5% in peso di resina di polivinil alcol, tra quelle soluzioni di resine idrosolubili ottenute nell'Esempio 7, in quantità diverse di 0 g, 35,3 g e 72,2 g con 100 g di una soluzione acquosa di resina di polivinil acetale al 5% in peso ottenuta nell'Esempio 6 sotto agitazione a temperatura ambiente per 6 ore.

Successivamente, saranno descritti Esempi da 14 a 22 relativi alla formazione di configurazione di resist fini.

Esempio 14

Il secondo materiale di resist ottenuto nell'Esempio 12 è stato fatto gocciolare sul wafer di Si, sul quale era stata formata la prima configurazione di resist ottenuta nell'Esempio 3, e applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione, a ciò facendo seguito precottura, in condizioni di 85°C/70 secondi per formare una seconda pellicola di resist.

Successivamente,è stata eseguita cottura a miscelazione (MB) in condizioni di 120°C/90 secondi per far sì che la reazione di reticolazione avesse a procedere.Quindi, la seconda pellicola di resist è stata sviluppata con acqua pura per sviluppare e rimuovere uno strato non reticolato da essa, con successiva post-cottura in condizioni di 90°C/90 secondi per formare una seconda configurazione di resist come è rappresentato in figura 13. In figura 13, il diametro dei fori della seconda configurazione di resist è stato selezionato come una porzione da misurare, e dimensioni della configurazione di resist sono state misurate dopo formazione dello strato reticolato variando al tempo stesso il rapporto di miscelazione della resina idrosolubile. I risultati sono riportati nella Tabella di figura 14.

I risultati mostrano che quando il rapporto di miscelazione tra la resina di polivinil acetale e la resina di polivinil alcol viene variato, lo spessore dello strato reticolato formato sul primo resist può essere controllato.

Esempio 15

La soluzione acquosa di resina KW1 ottenuta nell'Esempio 6 servente come il secondo materiale di resist è stata fatta gocciolare sul wafer di Si ottenuto nell'Esempio 2, in cui era stata formata preliminarmente la prima configurazione di resist, e applicata a guisa di rivestimento a centrifugazione, a ciò facendo seguito precottura nelle condizioni di 85°C/70 secondi per ottenere una seconda pellicola di resist.

Successivamente, il wafer è stato esposto a luce da un dispositivo di esposizione a raggi i sull'intera superficie di esso, a ciò facendo seguito cottura a miscelazione (MB) con successiva cottura a miscelazione (MB) in condizioni di 150°C/90 secondi per far sì che la reazione di reticolazione avesse a procedere. Successivamente, acqua è stata impiegata per lo sviluppo, in seguito alla qual cosa uno strato non reticolato era sviluppato e rimosso. Quindi, post-cottura è stata eseguita nelle condizioni di 110°C/90 secondi per formare un secondo strato reticolato di resist sulla configurazione di fori dalla prima configurazione di resist come è rappresentato in figura 13. Il diametro dei fori della seconda configurazione di resist rappresentata in figura 13 era scelto come una porzione da misurare, e dimensioni della configurazione di resist dopo la formazione dello strato reticolato sono state misurate come nel caso in cui luce era applicata ad esposizione all'intera superficie e pure nel caso in cui non si aveva esposizione. I risultati sono riportati nella tabella di figura 15.

I risultati mostrano che le dimensioni della configurazione dei fori del primo resist, che erano di 0,4μπιprima della formazione dello strato reticolato risultavano di circa 0,14μίη quando luce era impressa a esposizione sull'intera superficie e che diminuivano a circa 0,11μm quando non era impressa a esposizione nessuna luce.

In questo caso, quando l'intera superficie viene esposta prima della cottura MB, la reazione di reticolazione risulta più avanzata rispetto al caso in cui non è effettuata alcuna esposizione,determinando la formazione sulla superficie del primo resist di uno strato reticolato più spesso. Esempio 16

La soluzione miscelata di resina di poiivinil acetale e etileneurea ottenuta nell'Esempio 11, servente come il secondo resist, era applicata su wafer di Si ottenuto nell'Esempio 2, in cui era formata preliminarmente la prima configurazione di resist.

II secondo materiale di resist era fatto gocciolare e applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione, con successiva pre-cottura nelle condizioni di 85°C/70 secondi per formare una seconda pellicola di resist. Successivamente, la seconda pellicola di resist è stata sottoposta a cottura a miscelazione (MB) in tre condizioni di 105°C/90 secondi, 115°C/90 secondi e 125°C/90 secondi, determinando cosi il procedere della reazione di reticolazione. Per lo sviluppo è stata impiegata acqua pura, e una porzione non reticolata per ciascuna pellicola è stata sviluppata e rimossa. Quindi, post-cottura è stata eseguita in condizioni di 90°C/90 secondi per formare un secondo strato reticolato di resist sul primo strato di resist come è rappresentato nelle figure 16(a), 16(b) o 16(c). Il diametro dei fori della seconda configurazione di resist e gli spazi delle configurazioni a linee e isole rappresentate in figura 16 sono, rispettivamente, selezionati come una porzione da misurare.Variando la temperatura di cottura di miscelazione (MB), sono state miscelate le dimensioni della configurazione di resist dopo la formazione dello strato reticolato. I risultati sono riportati nella Tabella di figura 17.

I risultati mostrano che il diametro interno della configurazione dei fori e le dimensioni degli spazi della configurazione di linee e della configurazione di isole, che erano 0,4 μπιdopo la formazione dell'Esempio Z erano, rispettivamente ridotti, come è rappresentato in figura 17, dopo la formazione degli strati reticolati. Il grado di riduzione aumenta con l'aumento della temperatura della MB. Da ciò si noterà che il controllo della temperatura della MB consente di controllare accuratamente la reazione di reticolazione.

Esempio 17

La soluzione acquosa di poiivinil acetale ottenuta nell'Esempio 6, la soluzione acquosa di una miscela di resina di poiivinil acetale e etileneurea ottenuta nell'Esempio 12, e le soluzioni acquose di miscele di resina di poiivini1 alcol e etileneurea aventi differenti concentrazioni di etileneurea sono state ciascuna applicata, come un secondo resist, sul wafer di Si ottenuto nell'Esempio 3, in cui era formata la prima configurazione di resist.

Più particolarmente, ciascun secondo materiale di resist è stato fatto gocciolare e applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione, seguito da pre-cottura nelle condizioni di 85°C/70 secondi per formare una seconda pellicola di resist.

Successivamente, la pellicola di resist è stata cotta a miscelazione (MB) in condizioni di 65°C/70 secondi 100°C/90 secondi e reticolata. Acqua pura è stata impiegata per lo sviluppo,ed uno strato non reticolato è stato sviluppato e separato, seguito da post-cottura,in condizioni di 90°C/90 secondi, formando così un secondo strato reticolato di resist sulla prima configurazione di resist come è rappresentato in figura 13. Il diametro dei fori della seconda configurazione di resist rappresentata in figura 13 è stato scelto come una porzione da misurare. Variando il rapporto di miscelazione dell'agente di reticolazione idrosolubile, sono state misurate le dimensioni della configurazione di resist dopo la formazione dello strato reticolato. I risultati sono riportati nella Tabella d1 figura 18.

Conseguentemente, il diametro interno della configurazione di fori, che era di circa 0,4 μm quando formati nell'Esempio 3, si riduceva come è rappresentato in figura 18. Il grado di riduzione aumenta con l'aumento della quantità dell'agente di reticolazione idrosolubile.

Da ciò si può osservare che il controllo nel rapporto di miscelazione dei materiali idrosolubili consente di controllare con precisione la reazione di reticolazione.

Inoltre, si noterà che, nella medesima quantità di agente di reticolazione, il grado di riduzione può essere controllato variando il tipo di resina idrosolubile.

Esempio 18

La soluzione acquosa di polivinil acetale ottenuta nell'Esempio 6, e soluzioni miscelate della soluzione acquosa di resina di polivinil acetale ottenuta nell'Esempio 11 e una soluzione acquosa di una miscela di N-metossimetil-metiletileneurea (N-metossimetil)idrossietileneurea, e N-metossimetilurea, ciascuna servente come agente di reticolazione idrosolubile, sono stati rispettivamente applicati come un secondo resisi sul wafer di Si ottenuto nell'Esempio 3 in cui era stata formata la prima configurazione di resisi.

Ciascun secondo materiale di resisi è stato lasciato cadere e applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione, con successiva pre-cottura nelle condizioni di 85°C/70 secondi per formare una seconda pellicola di resist.

Successivamente, la pellicola di resist è stata cotta a miscelazione (MB) nelle condizioni di 65°C/70 secondi 100°C/90 secondi per la reticolazione. Acqua pura è stata impiegata per lo sviluppo, e è stato sviluppato e rimosso uno strato non reticolato. Quindi, post-cottura § stata eseguita in condizioni di 90°C/90 secondi, formando cosi un secondo strato reticolato di resist sulla prima configurazione di resist come è rappresentato in figura 13. Il diametro dei fori della seconda configurazione di resist rappresentata in figura 13 era selezionato come una porzione da misurare. Variando il tipo di agente di reticolazione idrosolubile, sono state misurate le dimensioni della configurazione di resist dopo la formazione dello strato reticolato. I risultati sono riportati nella Tabella di figura 19.

Come risultato, il diametro interno della configurazione di fori, che era di circa 0,4 μm quando formata nell'Esempio 3,era ridotto come è rappresentato In figura 19. Era confermato che il grado di riduzione dipende dal tipo di agente di reticolazione idrosolubile.

Da ciò, si noterà che la variazione nei tipi dimateriali idrosolubili consente di controllare la reazione di reticolazione.

Esemplo 19

La soluzione acquosa di polivinil acefale ottenuta nell'Esempio 6, e soluzioni acquose di miscele della soluzione acquosa di resina di polivinil acefale dell'Esempio 11 e metossietilenurea servente come un agente di reticolazione idrosolubile, sono state impiegate come un secondo resist per l'applicazione sul wafer di Si ottenuto nell'Esempio 4, in cui era stata formata la prima configurazione di resist.

Ciascun secondo materiale di resist è stato fatto gocciolare e applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione, a ciò facendo seguito precottura in condizioni di 85°C/70 secondi per formare una seconda pellicola di resist.

Successivamente, la pellicola di resist è stata cotta a miscelazione (MB) ad una data temperatura per 90 secondi per la reticolazione. Acqua pura è stata impiegata per lo sviluppo, e uno strato non reticolato è stato sviluppato e rimosso. Quindi, è stata eseguita post cottura in condizioni di 90°C/90 secondi, formando cosi un secondo strato reticolato di resist sulla prima configurazione di resist come è rappresentato in figura 13. Il diametro dei fori della seconda configurazione di resist rappresentata in figura 13 è stato scelto come una porzione da misurare. Variando la quantità dell'agente di reticolazione idrosolubile e la temperatura di reazione, sono state misurate le dimensioni della configurazione di resist dopo la formazione dello strato reticolato. I risultati sono riportati nella Tabella di figura 20.

Come risultato, il diametro interno della configurazione di fori, che era di circa 0,3μπιquando formata nell'Esempio 4, era ridotto come è mostrato in figura 20, rivelando una significativa differenza dipendente dalla quantità dell'agente idrosolubile e dalla temperatura di reazione.

Oa ciò, si noterà che, impiegando il resist chimicamente amplificato atto a generare un acido mediante irraggiamento della luce, è consentito il controllo delle dimensioni della configurazione di resist in base alla reazione di reticolazione.

Esempio 20

La soluzione acquosa di polivinil acetale ottenuta nell'Esempio 6'e soluzioni acquose di miscele della soluzione acquosa di resina di polivinil acetale ottenuta nell'Esempio 11 e metossietileneurea servente come agente di reticolazione idrosolubile sono state impiegate per l'applicazione su un wafer di Si ottenuto nell'Esempio 5, in cui era stata formata la prima configurazione di resist.

Ciascun secondo materiale di resist era fatto gocciolare e applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione, con successiva pre-cottura in condizioni di 85°C/70 secondi per formare una seconda pellicola di resist.

Successivamente, la pellicola di resist è stata cotta a miscelazione (MB) in condizioni di 105°C, 115°C/90 secondi, provocando cosi reazione di reticolazione.

Acqua pura è stata impiegata per lo sviluppo, e uno strato non reticolato era sviluppato e rimosso. Successivamente,post-cottura è stata attuata in condizioni di 90°C/90 secondi, formando così un secondo strato reticolato di resisi sulla prima configurazione di resist come quella rappresentata in figura 13. Il diametro dei fori della seconda configurazione di resist rappresentata in figura 13 era scelto come una porzione da misurare. Variando la quantità dell'agente di reticolazione idrosolubile e la temperatura di reazione, erano misurate le dimensioni della configurazione di resist dopo la formazione dello strato reticolato. I risultati sono riportati nella Tabella di figura 21.

Conseguentemente, il diametro interno della configurazione di fori, che era di circa 0,2 μm quando formata nell'Esempio 5, risultava ridotto come è rappresentato in figura 21,mostrando che il grado della riduzione aveva una differenza significativa in dipendenza dalla quantità del materiale idrosolubile e dalla temperatura della M8.

Da ciò, si noterà che, impiegando il resist EB chimicamente amplificato costituito dal t-boc poliidrossistirene e da un generatore d'acido, risulta possibile il controllo delle dimensioni della configurazione di resist in base alla reazione di reticolazione.

Esempio 21

Un raggio di elettroni è stato selettivamente irraggiato sulla prima configurazione di resist ottenuta nell'Esempio 2. La dose del raggio di elettroni era di 50 μC/cm<2>.

Successivamente, una soluzione acquosa miscelata della soluzione acquosa di resina di polivinil acetale ottenuta nell'Esempio 11 e metossietileneurea servente da agente di reticolazione idrosolubile, è stata fornita come un secondo resist, ed è stata applicata a guisa di rivestimento sulla prima configurazione di resist che era stata irraggiata con il fascio o raggio di elettroni. Più particolarmente, il secondo materiale di resist era lasciato gocciolare e applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione, con successiva pre-cottura in condizioni di 85°C/70 secondi per formare una seconda pellicola di resist.

La pellicola era cotta a miscelazione (MB) in condizioni di 120°C/90 secondi, provocando così reticolazione.

Da ultimo, acqua pura è stata impiegata per lo sviluppo, e uno strato non reticolato è stato sviluppato e rimosso. Successivamente, è stata eseguita post-cottura in condizioni di 110°C/70 secondi, formando così selettivamente un secondo strato reticolato di resist sulla prima configurazione di resist come è rappresentato in figura 13. Il diametro dei fori della seconda configurazione di resist rappresentata in figura 13 è stato scelto come una porzione da misurare, e le dimensioni della configurazione di resist dopo la formazione dello strato reticolato sono state misurate rispetto alla porzione irradiata con fasci o raggi e la porzione non irradiata. I risultati sono riportati nella Tabella di figura 22.

Conseguentemente, la configurazione di resist con dimensioni dei fori di circa 0,4 μm formata nell'Esempio 2, veniva ridotta, come è rappresentato in figura 22, nella porzione non irraggiata con il fascio o raggio di elettroni. Relativamente alla porzione selettivamente irraggiata con il raggio di elettroni, non si verificava alcuna reazione di reticolazione, e non si rilevava alcuna riduzione nelle dimensioni dei fori.

Da ciò, si noterà che quando un raggio di elettroni viene selettivamente irradiato dopo formazione di una configurazione di resist, nessuna reazione ha luogo nella configurazione della porzione irradiata, per cui è possibile il controllo selettivo delle dimensioni della configurazione di resisi.

Esempio 22

La prima configurazione di resisi ottenuta nell'Esempio 2 è stata formata su un wafer di Si su cui era formata una pellicola di ossido, formando in tal modo una prima configurazione di resist come quella rappresentata in figura 23.

Successivamente, il secondo materiale di resist ottenuto nell'Esempio 12 è stato lasciato gocciolare e applicato a guisa di rivestimento a centrifugazione, a ciò facendo seguito pre-cottura nelle condizioni di 85°C/70 secondi. La pellicola era cotta a miscelazione in condizioni di 105°C/90 secondi ed uno strato non reticolato era sviluppato con acqua pura e rimosso.Successivamente, post-cottura è stata eseguita in condizioni di 90°C/90 secondi per formare un secondo strato reticolato di resist sul primo strato di resist.

La pellicola di ossido sottostante è stata quindi incisa mediante un dispositivo di incisione, e la configurazione, dopo incisione, è stata osservata.

Per confronto, il wafer formato con tale prima configurazione di resist come rappresentato in figura 23, che non era stato trattato secondo la presente invenzione, è stato analogamente inciso.

I risultati sono stati confrontati. Nel caso in cui la presente invenzione non è applicata, il risultato è come quello rappresentato in figura 24(a). Nel caso di applicazione della presente invenzione, i risultati sono come quelli mostrati in figura 24(b) e 24(c). In questi ultimi casi, la larghezza d1 isolamento della configurazione di pellicola d'ossido è ridotta,e le superfici laterali della configurazione di pellicola d'ossido sono irruvidite.

Si noterà che il grado di irruvidimento può essere controllabile in dipendenza dalla quantità dell'agente di reticolazione che viene miscelato.

Gli effetti ed i vantaggi della presente invenzione possono essere riassunti come segue.

Come è stato descritto dettagliatamente, secondo la presente invenzione, sono ottenuti i materiali ed i procedimenti per formare una configurazione di resist finemente isolata. In tal modo, è stato possibile formare una configurazione di resist superante il limite di lunghezza d'onda nella finezza di una configurazione isolante di resist o una configurazione di fori di resist.

Quindi, il diametro dei fori della configurazione di resist dei fori può essere ridotto rispetto a convenzionali controparti, e anche la larghezza di isolamento di una configurazione di resist distanziata può essere ridotta rispetto a convenzionali controparti.

Impiegando la configurazione di resist finemente isolata così ottenuta come maschera,possono essere formati spazi o fori finemente isolati su un substrato di semiconduttore o uno strato di base di semiconduttore.

Secondo tale procedimento di fabbricazione, può essere ottenuto un dispositivo di o a semiconduttore avente spazi o fori finemente isolati.

Ovviamente,molte modifiche e varianti della presente invenzione sono possibili alla luce degli insegnamenti precedenti. Si deve così comprendere che entro l'ambito delle rivendicazioni accluse, l'invenzione può essere attuata diversamente da quanto specificatamente descritto.

Claims

RIVENDICAZIONI 1. Materiale formatore di configurazioni fini comprendente un tipo di resina idrosolubile, o una miscela di due o più tipi di resina idrosolubile, oppure un copolimero costituito da due o più tipi di resine idrosolubili in qualità di componente principale, e generante reazione di reticolazione in presenza di un acido.
2. Materiale formatore di configurazioni fini secondo la rivendiczione 1, in cui detta resina idrosolubile è costituita, in qualità di componente principale, da acido poliacrilico, polivinil acefale, polivinilpir- rolidone, polivinil alcol, polietileneimmlna, ossido di polietilene,copolimero di stirene-acido maleico, poiivinilammina, poliallilammina, resine del gruppo contenente ossazolina, resine melamminiche idrosolubili, resine di urea idrosolubili, resine alchidiche, resine di solfonammide, oppure miscele di questi o sali di questi.
3. Materiale formatore di configurazioni fini comprendente uno o più tipi di agenti di reticolazione idrosolubili, in qualità di componente principale, e generante una reazione di reticolazione in presenza di un acido.
4. Materiale formatore di configurazioni fini secondo la rivendicazione 3, in cui detto agente di reticolazione idrosolubile è costituito, in qualità di componente principale, da melammina da un derivato della melarmina comprendente alcossimetilenemelammina, o da un derivato di urea, benzoguananmina, glicoluril o miscele di questi.
5. Materiale formatore di configurazioni fini secondo la rivendicazione 4, in cui detto derivato di urea è costituito, in qualità di componente principale, da urea, da una alcossimetileneurea, N-alcossimetileneurea, etileneurea, acido carbossilico di etileneurea, o miscele di questi.
6. Materiale formatore di configurazioni fini comprendente, in qualità di componente principale, una miscela di uno o più tipi di resina idrosolubile e uno o più tipi di agente di reticolazione idrosolubile, e generando reazione di reticolazione in presenza di un acido.
7. Materiale formatore di configurazioni fini secondo la rivendicazione 6, in cui detta resina idrosolubile è scelta da polivinil acetale, polivinil alcol,e una miscela di polivinil alcol e polivinil acetale, e detto agente di reticolazione idrosolubile è scelto da un derivato di melamnvina, un derivato di urea, e una miscela dei derivati di melanmina e di urea.
8. Materiale formatore di configurazioni fini secondo la rivendicazione 1,comprendente inoltre un plastificante in qualità di additivo.
9. Materiale formatore di configurazioni fini secondo la rivendicazione 1,comprendente inoltre un agente tensioattivo in qualità di additivo.
10. Procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore comprendente le fasi di: formare una prima configurazione di fotoriserva o resist da un primo resist su uno strato di semiconduttore di base; sottoporre detta prima configurazione di resisi ad un trattamento superficiale mediante un gas acido o un trattamento termico, esposizione a luce, o entrambi esposizione a luce e trattamento termico; formare, su detta prima configurazione di resisi, una seconda reazione di reticolazione generante resisi in presenza di un acido; formare una pellicola reticolata in corrispondenza di una porzione di detto secondo resisi contattante detta prima configurazione di resist tramite l'azione di un acido alimentato da detta prima configurazione di resist; rimuovere porzioni non reticolate di detto secondo resisi per formare una seconda configurazione di resist; e sottoporre detto strato semiconduttore di base a incisione attraverso la seconda configurazione di resist impiegata come maschera, in cui detto secondo resist è costituito da un materiale formatore di configurazioni fini secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 1 a 10.
11. Procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore secondo la rivendicazione 10, in cui detto primo resist comprende, in qualità di componente principale, una miscela di resina novolac e di un agente fotosensibile di naftochinonediazide.
12. Procedimento per la fabbricazione di un dispositivo di o a semiconduttore secondo la rivendicazione 10, in cui detto primo resist è costituito da un resist chimicamente amplificato atto a generare un acido.
13. Procedimento per la fabbricazione di un dispositivo di o a semiconduttore secondo la rivendicazione 10, in cui detto secondo resist è composto da un materiale per la formazione di configurazione fine come definito in una qualsiasi delle rivendicazioni da 1 a 9.
14. Procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore secondo la rivendicazione 10, in cui detto secondo resist comprende un materiale per la formazione di configurazione fine come definito nella rivendicazione 6 o 7, e in cui il grado di reazione di detto primo resist è controllato controllando il rapporto di miscelazione tra detta resina idrosolubile e detto agente di reticolazione idrosolubile.
15. Procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore secondo la rivendicazione 10, in cui detto secondo resist comprende polivinil acetale, e il grado di reazione con detto primo resist è controllato controllando il grado di acetalizzazione di detto polivinil acetale.
16. Procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore secondo la rivendicazione 10, in cui un solvente per detto secondo resist è acqua, o un solvente miscelato idrosolubile.
17. Procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore secondo la rivendicazione 10, in cui detta prima configurazione di resist e detto secondo resist formato su detta prima configurazione di resist sono termicamente trattati per formare detta pellicola reticolata in detto secondo resist in contatto con la superficie di detta prima configurazione di resist.
18. Procedimento per fabbricare un dispositivo di semiconduttore secondo la rivendicazione 10, in cui detta prima configurazione di resist è sottoposta a irraggiamento con un raggio di elettroni in corrispondenza di porzioni diverse da una regione predeterminata di essa, e detto secondo resist è formato sulla prima configurazione di resist irraggiata, e detta pellicola reticolata è formata nel secondo resist sulla regione predeterminata di detta prima configurazione di resist.
19. Dispositivo di semiconduttore fabbricato mediante il procedimento per la fabbricazione di un dispositivo di o a semiconduttore secondo la rivendicazione 10.