JP3330254B2 - ネガ型レジスト組成物 - Google Patents
ネガ型レジスト組成物Info
- Publication number
- JP3330254B2 JP3330254B2 JP09397495A JP9397495A JP3330254B2 JP 3330254 B2 JP3330254 B2 JP 3330254B2 JP 09397495 A JP09397495 A JP 09397495A JP 9397495 A JP9397495 A JP 9397495A JP 3330254 B2 JP3330254 B2 JP 3330254B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- molecular weight
- negative resist
- resist composition
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なネガ型レジスト
組成物、さらに詳しくは、マイクロブリッジの発生がな
く、高解像性のレジストパターンを与えることができる
高感度の化学増幅型ネガ型レジスト組成物に関するもの
である。
組成物、さらに詳しくは、マイクロブリッジの発生がな
く、高解像性のレジストパターンを与えることができる
高感度の化学増幅型ネガ型レジスト組成物に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子、液晶素子製造に用いられる
ホトレジストには、現像処理の際に露光領域が除去さ
れ、ポジパターンが得られるポジ型レジストと、現像処
理の際に未露光領域が除去され、ネガパターンが得られ
るネガ型レジストがあるが、このネガ型レジストの１つ
として、アルカリ可溶性樹脂、放射線の照射により酸を
発生する化合物及び架橋剤からなる化学増幅型ネガ型レ
ジストが知られている（特開昭６２−１６４０４５号公
報）。
ホトレジストには、現像処理の際に露光領域が除去さ
れ、ポジパターンが得られるポジ型レジストと、現像処
理の際に未露光領域が除去され、ネガパターンが得られ
るネガ型レジストがあるが、このネガ型レジストの１つ
として、アルカリ可溶性樹脂、放射線の照射により酸を
発生する化合物及び架橋剤からなる化学増幅型ネガ型レ
ジストが知られている（特開昭６２−１６４０４５号公
報）。
【０００３】この化学増幅型ネガ型レジストは放射線の
照射により発生した酸の触媒作用を利用し、像形成する
もので高感度であり、アルカリ現像により高解像度のレ
ジストパターンが得られるという利点があるため、微細
なパターンが必要とされる半導体素子や液晶素子の製造
用として使用されている。
照射により発生した酸の触媒作用を利用し、像形成する
もので高感度であり、アルカリ現像により高解像度のレ
ジストパターンが得られるという利点があるため、微細
なパターンが必要とされる半導体素子や液晶素子の製造
用として使用されている。
【０００４】近年、各種電子機器類の小型化、素子の集
積化に伴い、レジストについて、よりいっそうの感度及
び解像度の向上が要求される傾向にある。
積化に伴い、レジストについて、よりいっそうの感度及
び解像度の向上が要求される傾向にある。
【０００５】一方、放射線の照射により発生した酸の触
媒作用を利用した化学増幅型ポジ型レジストが知られて
いる。このポジ型レジストは、水酸基の一部がｔｅｒｔ
‐ブトキシカルボニル基などの酸により解離する溶解抑
制基で置換されたポリヒドロキシスチレン及び放射線の
照射により酸を発生する化合物から成るものである。こ
のような化学増幅型ポジ型レジストの樹脂成分として
は、分子量分布が１〜１．４の分散度の低いポリマーが
提案されている（特開平４−１９５１３８号公報、特開
平４−３５０６５７号公報、特開平４−３５０６５８号
公報）。このような分散度の低いポリマーは、ポリヒド
ロキシスチレン系樹脂を使用するポジ型又はネガ型のい
ずれの化学増幅型レジストにおいてもレジスト特性が向
上するので好ましい。
媒作用を利用した化学増幅型ポジ型レジストが知られて
いる。このポジ型レジストは、水酸基の一部がｔｅｒｔ
‐ブトキシカルボニル基などの酸により解離する溶解抑
制基で置換されたポリヒドロキシスチレン及び放射線の
照射により酸を発生する化合物から成るものである。こ
のような化学増幅型ポジ型レジストの樹脂成分として
は、分子量分布が１〜１．４の分散度の低いポリマーが
提案されている（特開平４−１９５１３８号公報、特開
平４−３５０６５７号公報、特開平４−３５０６５８号
公報）。このような分散度の低いポリマーは、ポリヒド
ロキシスチレン系樹脂を使用するポジ型又はネガ型のい
ずれの化学増幅型レジストにおいてもレジスト特性が向
上するので好ましい。
【０００６】しかしながら、このような分散度の低いポ
リマーはネガ型レジストに使用する場合、マイクロブリ
ッジすなわち現像後のレジストパターン間の橋架け現象
を起すという欠点がある。また、半導体素子や液晶素子
の製造において、高スループットを達成するには高感度
であることが望まれ、さらに、集積度を向上させるため
には高解像性であることが望まれているが、従来の化学
増幅型ネガ型レジストは、この点においても、まだ十分
満足しうるものとはいえない。
リマーはネガ型レジストに使用する場合、マイクロブリ
ッジすなわち現像後のレジストパターン間の橋架け現象
を起すという欠点がある。また、半導体素子や液晶素子
の製造において、高スループットを達成するには高感度
であることが望まれ、さらに、集積度を向上させるため
には高解像性であることが望まれているが、従来の化学
増幅型ネガ型レジストは、この点においても、まだ十分
満足しうるものとはいえない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、マイクロブリッジの発生がなく高解像性
のレジストパターンを与えることができる高感度の化学
増幅型ネガ型レジスト組成物を提供することを目的とし
てなされたものである。
事情のもとで、マイクロブリッジの発生がなく高解像性
のレジストパターンを与えることができる高感度の化学
増幅型ネガ型レジスト組成物を提供することを目的とし
てなされたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、化学増幅
型ネガ型レジスト組成物について鋭意研究を重ねた結
果、アルカリ可溶性樹脂、放射線の照射により酸を発生
する化合物及び架橋剤から成るネガ型レジスト組成物に
おいて、該アルカリ可溶性樹脂として、低分子量部分を
含まない分子量分布の狭いポリヒドロキシスチレン系樹
脂を用いると、マイクロブリッジを防止し、しかも高解
像性、高感度を得るということを見出し、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った。
型ネガ型レジスト組成物について鋭意研究を重ねた結
果、アルカリ可溶性樹脂、放射線の照射により酸を発生
する化合物及び架橋剤から成るネガ型レジスト組成物に
おいて、該アルカリ可溶性樹脂として、低分子量部分を
含まない分子量分布の狭いポリヒドロキシスチレン系樹
脂を用いると、マイクロブリッジを防止し、しかも高解
像性、高感度を得るということを見出し、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った。
【０００９】すなわち、本発明は、（Ａ）アルカリ可溶
性樹脂、（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物
及び（Ｃ）架橋剤を含有して成るネガ型レジスト組成物
において、（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂として、重
量平均分子量１，０００より小さい部分を含まない、重
量平均分子量が１，０００〜５０，０００で、かつ分子
量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１〜１．４のヒドロキシスチレ
ン単独重合体又はヒドロキシスチレンと他のスチレン類
との共重合体あるいはこれらの混合物の中から選ばれた
ポリヒドロキシスチレン系樹脂を用い、さらに（Ｃ）成
分の架橋剤として尿素樹脂とメラミン樹脂とを重量比８
０：２０ないし９９：１の割合で含む混合物を用いるこ
とを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供
するものである。
性樹脂、（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物
及び（Ｃ）架橋剤を含有して成るネガ型レジスト組成物
において、（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂として、重
量平均分子量１，０００より小さい部分を含まない、重
量平均分子量が１，０００〜５０，０００で、かつ分子
量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１〜１．４のヒドロキシスチレ
ン単独重合体又はヒドロキシスチレンと他のスチレン類
との共重合体あるいはこれらの混合物の中から選ばれた
ポリヒドロキシスチレン系樹脂を用い、さらに（Ｃ）成
分の架橋剤として尿素樹脂とメラミン樹脂とを重量比８
０：２０ないし９９：１の割合で含む混合物を用いるこ
とを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供
するものである。
【００１０】本発明組成物においては、（Ａ）成分のア
ルカリ可溶性樹脂として、重量平均分子量１，０００〜
５０，０００、好ましくは１，２００〜３０，０００を
有し、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１〜１．４のポリヒド
ロキシスチレン系樹脂を用いることが必要である。この
ポリヒドロキシスチレン系樹脂の分子量分布が１．４よ
りも大きくなるとレジスト特性が低下する。また、重量
平均分子量が１，０００よりも小さいものが存在する
と、マイクロブリッジの発生を抑制することができない
ので、重量平均分子量１，０００よりも小さい部分を含
まないことが必要である。また重量平均分子量が５０，
０００よりも大きくなると解像性が低下する。そして、
マイクロブリッジの発生を抑制し、かつ残膜率の低下及
びレジストパターン形状の劣化を防止し、かつ解像性を
良好なものにするには、ポリヒドロキシスチレン系樹脂
の好ましい重量平均分子量は１，２００〜３０，００
０、特に２，０００〜２５，０００の範囲内で選ぶのが
好ましい。
ルカリ可溶性樹脂として、重量平均分子量１，０００〜
５０，０００、好ましくは１，２００〜３０，０００を
有し、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１〜１．４のポリヒド
ロキシスチレン系樹脂を用いることが必要である。この
ポリヒドロキシスチレン系樹脂の分子量分布が１．４よ
りも大きくなるとレジスト特性が低下する。また、重量
平均分子量が１，０００よりも小さいものが存在する
と、マイクロブリッジの発生を抑制することができない
ので、重量平均分子量１，０００よりも小さい部分を含
まないことが必要である。また重量平均分子量が５０，
０００よりも大きくなると解像性が低下する。そして、
マイクロブリッジの発生を抑制し、かつ残膜率の低下及
びレジストパターン形状の劣化を防止し、かつ解像性を
良好なものにするには、ポリヒドロキシスチレン系樹脂
の好ましい重量平均分子量は１，２００〜３０，００
０、特に２，０００〜２５，０００の範囲内で選ぶのが
好ましい。
【００１１】本発明で用いるポリヒドロキシスチレン系
樹脂は、例えば、分子量が異なる成分の溶媒に対する溶
解性の差を利用する方法、又は吸着剤を充てんしたカラ
ムを使用して処理する方法などにより、市販のポリヒド
ロキシスチレン系樹脂から低分子量部分を除去すること
により調製できるが、これらの中で溶媒に対する溶解性
の差を利用する方法が、操作が簡単で、かつ効率よく低
分子量成分を除去することができるので有利である。こ
の方法は、例えば乳酸エチル、Ｎ‐メチルピロリドン、
ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、メタノ
ール、エタノールなどの極性溶媒にポリヒドロキシスチ
レン系樹脂を溶解したのち、これにペンタン、ｎ‐ヘキ
サン、ｎ‐ヘプタン、ｎ‐オクタン、２‐メチルペンタ
ンなどの脂肪族炭化水素系溶媒を加え、十分に振とう後
分層して極性溶媒層を分取し、次いでこの層から溶媒を
留去するか、あるいは水などの貧溶媒中に投じることに
より低分子量部分が除去され、所望のポリヒドロキシス
チレン系樹脂が得られる。
樹脂は、例えば、分子量が異なる成分の溶媒に対する溶
解性の差を利用する方法、又は吸着剤を充てんしたカラ
ムを使用して処理する方法などにより、市販のポリヒド
ロキシスチレン系樹脂から低分子量部分を除去すること
により調製できるが、これらの中で溶媒に対する溶解性
の差を利用する方法が、操作が簡単で、かつ効率よく低
分子量成分を除去することができるので有利である。こ
の方法は、例えば乳酸エチル、Ｎ‐メチルピロリドン、
ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、メタノ
ール、エタノールなどの極性溶媒にポリヒドロキシスチ
レン系樹脂を溶解したのち、これにペンタン、ｎ‐ヘキ
サン、ｎ‐ヘプタン、ｎ‐オクタン、２‐メチルペンタ
ンなどの脂肪族炭化水素系溶媒を加え、十分に振とう後
分層して極性溶媒層を分取し、次いでこの層から溶媒を
留去するか、あるいは水などの貧溶媒中に投じることに
より低分子量部分が除去され、所望のポリヒドロキシス
チレン系樹脂が得られる。
【００１２】なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲル
パーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によ
り測定された標準ポリスチレン換算の値であり、また分
子量分布は、ＧＰＣ法により測定された重量平均分子量
（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）比である。
パーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によ
り測定された標準ポリスチレン換算の値であり、また分
子量分布は、ＧＰＣ法により測定された重量平均分子量
（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）比である。
【００１３】この（Ａ）成分として用いられるポリヒド
ロキシスチレン系樹脂としては、ヒドロキシスチレンの
単独重合体やヒドロキシスチレンと他のスチレン類との
共重合体などが挙げられる。ここで、他のスチレン類と
しては、例えばスチレン、α‐メチルスチレン、ｐ‐メ
チルスチレン、ｏ‐メチルスチレン、ｐ‐メトキシスチ
レン、ｐ‐クロロスチレンなどが挙げられ、これらは単
独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いても
よい。
ロキシスチレン系樹脂としては、ヒドロキシスチレンの
単独重合体やヒドロキシスチレンと他のスチレン類との
共重合体などが挙げられる。ここで、他のスチレン類と
しては、例えばスチレン、α‐メチルスチレン、ｐ‐メ
チルスチレン、ｏ‐メチルスチレン、ｐ‐メトキシスチ
レン、ｐ‐クロロスチレンなどが挙げられ、これらは単
独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いても
よい。
【００１４】本発明においては、（Ａ）成分として、ヒ
ドロキシスチレン単独重合体を用いてもよいし、ヒドロ
キシスチレンと他のスチレン類との共重合体を用いても
よく、また、これらの混合物を用いてもよい。
ドロキシスチレン単独重合体を用いてもよいし、ヒドロ
キシスチレンと他のスチレン類との共重合体を用いても
よく、また、これらの混合物を用いてもよい。
【００１５】このような酸により分解するアルカリ溶解
抑制基とは、ｔｅｒｔ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐ブトキシ
カルボニル基、ｔｅｒｔ‐アミルオキシカルボニル基、
エトキシエチル基、メトキシプロピル基、テトラヒドロ
ピラニル基、テトラヒドロフラニル基、ベンジル基、ト
リメチルシリル基などがあるが、ｔｅｒｔ‐ブトキシカ
ルボニル基が酸分解性とアルカリ溶解抑止力のバランス
がよく、レジストパターン形状が良くなるので有利であ
る。なお、このような酸により分解するアルカリ溶解抑
制基のポリヒドロキシスチレンの置換率は１〜４５モル
％、好ましくは５〜１５モル％の範囲で選ばれる。置換
率がこの範囲より高くなるとアルカリに対して溶解しに
くくなり、未露光部の現像が不完全となり像形成が困難
となる。
抑制基とは、ｔｅｒｔ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐ブトキシ
カルボニル基、ｔｅｒｔ‐アミルオキシカルボニル基、
エトキシエチル基、メトキシプロピル基、テトラヒドロ
ピラニル基、テトラヒドロフラニル基、ベンジル基、ト
リメチルシリル基などがあるが、ｔｅｒｔ‐ブトキシカ
ルボニル基が酸分解性とアルカリ溶解抑止力のバランス
がよく、レジストパターン形状が良くなるので有利であ
る。なお、このような酸により分解するアルカリ溶解抑
制基のポリヒドロキシスチレンの置換率は１〜４５モル
％、好ましくは５〜１５モル％の範囲で選ばれる。置換
率がこの範囲より高くなるとアルカリに対して溶解しに
くくなり、未露光部の現像が不完全となり像形成が困難
となる。
【００１６】また、ポリヒドロキシスチレン系樹脂の水
酸基の一部を、ｐ‐アセトアミノベンゼンスルホニル
基、ベンゼンスルホニル基、ｐ‐クロロベンゼンスルホ
ニル基、ナフチルベンゼンスルホニル基、ｐ‐アセトア
ミノベンゼンカルボニル基、ベンゼンカルボニル基、ｐ
‐クロロベンゼンカルボニル基、ナフチルベンゼンカル
ボニル基などのスルホン酸エステル、カルボン酸エステ
ルに置換されたものも好適に使用することができる。な
お、このようなスルホン酸エステル、カルボン酸エステ
ルのポリヒドロキシスチレンの置換率は０．５〜５０
％、好ましくは１０〜３０重量％の範囲で選ばれる。置
換率がこの範囲より高くなるとアルカリに対して溶解し
にくくなり、未露光部の現像が不完全となり像形成が困
難となる。
酸基の一部を、ｐ‐アセトアミノベンゼンスルホニル
基、ベンゼンスルホニル基、ｐ‐クロロベンゼンスルホ
ニル基、ナフチルベンゼンスルホニル基、ｐ‐アセトア
ミノベンゼンカルボニル基、ベンゼンカルボニル基、ｐ
‐クロロベンゼンカルボニル基、ナフチルベンゼンカル
ボニル基などのスルホン酸エステル、カルボン酸エステ
ルに置換されたものも好適に使用することができる。な
お、このようなスルホン酸エステル、カルボン酸エステ
ルのポリヒドロキシスチレンの置換率は０．５〜５０
％、好ましくは１０〜３０重量％の範囲で選ばれる。置
換率がこの範囲より高くなるとアルカリに対して溶解し
にくくなり、未露光部の現像が不完全となり像形成が困
難となる。
【００１７】次に、本発明の（Ｂ）成分として用いられ
る放射線により酸を発生する化合物は、これまで化学増
幅型レジストの酸発生剤として通常用いられていたもの
の中から任意に選ぶことができる。
る放射線により酸を発生する化合物は、これまで化学増
幅型レジストの酸発生剤として通常用いられていたもの
の中から任意に選ぶことができる。
【００１８】このような化合物としては、例えばビス
（ｐ‐トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，
１‐ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（２，４‐ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン
などのビススルホニルジアゾメタン類、ｐ‐トルエンス
ルホン酸２‐ニトロベンジル、ｐ‐トルエンスルホン酸
２，６‐ジニトロベンジルなどのニトロベンジル誘導
体、ピロガロールトリメシレート、ピルガロールトリト
シレートなどのスルホン酸エステル、ジフェニルヨード
ニウムヘキサフルオロフォスフェート、（４‐メトキシ
フェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、ビス（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェ
ニルスルホニウムヘキサフルオロフォスフェート、（４
‐メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホネート、（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェ
ニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネートなどのオニウム塩、ベンゾイントシレート、α
‐メチルベンゾイントシレートなどのベンゾイントシレ
ート類、２‐（４‐メトキシフェニル）‐４，６‐ビス
（トリクロロメチル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐
（４‐メトキシナフチル）‐４，６‐ビス（トリクロロ
メチル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐［２‐（２‐
フリル）エテニル］‐４，６‐ビス（トリクロロメチ
ル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐［２‐（５‐メチ
ル‐２‐フリル）エテニル］‐４，６‐ビス（トリクロ
ロメチル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐［２‐
（３，５‐ジメトキシフェニル）エテニル］‐４，６‐
ビス（トリクロロメチル）‐１，３，５‐トリアジン、
２‐［２‐（３，４‐ジメトキシフェニル）エテニル］
‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐１，３，５‐ト
リアジン、２‐（３，４‐メチレンジオキシフェニル）
‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐１，３，５‐ト
リアジン、トリス（１，３‐ジブロモプロピル）‐１，
３，５‐トリアジン、トリス（２，３‐ジブロモプロピ
ル）‐１，３，５‐トリアジン、トリス（２，３‐ジブ
ロモプロピル）イソシアヌレートなどのハロゲン含有ト
リアジン化合物を挙げることができる。これらの化合物
は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合
わせて用いてもよい。これらの中でハロゲン含有トリア
ジン化合物中でもブロモ含有トリアジン化合物、特にト
リス（２，３‐ジブロモプロピル）イソシアヌレートが
感度が良好なので有利である。
（ｐ‐トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，
１‐ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（２，４‐ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン
などのビススルホニルジアゾメタン類、ｐ‐トルエンス
ルホン酸２‐ニトロベンジル、ｐ‐トルエンスルホン酸
２，６‐ジニトロベンジルなどのニトロベンジル誘導
体、ピロガロールトリメシレート、ピルガロールトリト
シレートなどのスルホン酸エステル、ジフェニルヨード
ニウムヘキサフルオロフォスフェート、（４‐メトキシ
フェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、ビス（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェ
ニルスルホニウムヘキサフルオロフォスフェート、（４
‐メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホネート、（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェ
ニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネートなどのオニウム塩、ベンゾイントシレート、α
‐メチルベンゾイントシレートなどのベンゾイントシレ
ート類、２‐（４‐メトキシフェニル）‐４，６‐ビス
（トリクロロメチル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐
（４‐メトキシナフチル）‐４，６‐ビス（トリクロロ
メチル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐［２‐（２‐
フリル）エテニル］‐４，６‐ビス（トリクロロメチ
ル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐［２‐（５‐メチ
ル‐２‐フリル）エテニル］‐４，６‐ビス（トリクロ
ロメチル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐［２‐
（３，５‐ジメトキシフェニル）エテニル］‐４，６‐
ビス（トリクロロメチル）‐１，３，５‐トリアジン、
２‐［２‐（３，４‐ジメトキシフェニル）エテニル］
‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐１，３，５‐ト
リアジン、２‐（３，４‐メチレンジオキシフェニル）
‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐１，３，５‐ト
リアジン、トリス（１，３‐ジブロモプロピル）‐１，
３，５‐トリアジン、トリス（２，３‐ジブロモプロピ
ル）‐１，３，５‐トリアジン、トリス（２，３‐ジブ
ロモプロピル）イソシアヌレートなどのハロゲン含有ト
リアジン化合物を挙げることができる。これらの化合物
は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合
わせて用いてもよい。これらの中でハロゲン含有トリア
ジン化合物中でもブロモ含有トリアジン化合物、特にト
リス（２，３‐ジブロモプロピル）イソシアヌレートが
感度が良好なので有利である。
【００１９】本発明組成物において、（Ｃ）成分として
用いられる架橋剤としては、例えばヒドロキシル基又は
アルコキシル基を有するアミノ樹脂、アルコキシル基を
有するベンゼン化合物、ヒドロキシル基又はアルコキシ
ル基を有するフェノール化合物などを挙げることができ
る。ここで、ヒドロキシル基又はアルコキシル基を有す
るアミノ樹脂としては、例えばメラミン樹脂、尿素樹
脂、グアナミン樹脂、グリコールウリル−ホルムアルデ
ヒド樹脂、スクシニルアミド−ホルムアルデヒド樹脂、
エチレン尿素−ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられ
る。これらのアミノ樹脂は、それぞれメラミン、尿素、
グアナミン、グリコールウリル、スクシニルアミド、エ
チレン尿素を、沸騰水中でホルマリンと反応させてメチ
ロール化し、場合によりこれにさらに低級アルコールを
反応させてアルコキシル化することにより、容易に得ら
れる。実用上は、ニカラックＭｘ−７５０、ニカラック
Ｍｗ−３０、ニカラックＭｘ−２９０（いずれも三和ケ
ミカル社製）などとして、市販品を入手することができ
る。
用いられる架橋剤としては、例えばヒドロキシル基又は
アルコキシル基を有するアミノ樹脂、アルコキシル基を
有するベンゼン化合物、ヒドロキシル基又はアルコキシ
ル基を有するフェノール化合物などを挙げることができ
る。ここで、ヒドロキシル基又はアルコキシル基を有す
るアミノ樹脂としては、例えばメラミン樹脂、尿素樹
脂、グアナミン樹脂、グリコールウリル−ホルムアルデ
ヒド樹脂、スクシニルアミド−ホルムアルデヒド樹脂、
エチレン尿素−ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられ
る。これらのアミノ樹脂は、それぞれメラミン、尿素、
グアナミン、グリコールウリル、スクシニルアミド、エ
チレン尿素を、沸騰水中でホルマリンと反応させてメチ
ロール化し、場合によりこれにさらに低級アルコールを
反応させてアルコキシル化することにより、容易に得ら
れる。実用上は、ニカラックＭｘ−７５０、ニカラック
Ｍｗ−３０、ニカラックＭｘ−２９０（いずれも三和ケ
ミカル社製）などとして、市販品を入手することができ
る。
【００２０】一方、アルコキシル基を有するベンゼン化
合物としては、例えば、１，３，５‐トリス（メトキシ
メトキシ）ベンゼン、１，２，４‐トリス（イソプロポ
キシメトキシ）ベンゼン、１，４‐ビス（ｓｅｃ‐ブト
キシメトキシ）ベンゼンなどが、ヒドロキシル基又はア
ルコキシル基を有するフェノール化合物としては、例え
ば２，６‐ジヒドロキシメチル‐ｐ‐クレゾール、２，
６‐ジヒドロキシメチル‐ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェノ
ールなどが挙げられる。
合物としては、例えば、１，３，５‐トリス（メトキシ
メトキシ）ベンゼン、１，２，４‐トリス（イソプロポ
キシメトキシ）ベンゼン、１，４‐ビス（ｓｅｃ‐ブト
キシメトキシ）ベンゼンなどが、ヒドロキシル基又はア
ルコキシル基を有するフェノール化合物としては、例え
ば２，６‐ジヒドロキシメチル‐ｐ‐クレゾール、２，
６‐ジヒドロキシメチル‐ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェノ
ールなどが挙げられる。
【００２１】これらの架橋剤は、それぞれ単独で用いて
もよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよいが、こ
れらの中で尿素樹脂とメラミン樹脂が解像度に優れるレ
ジスト組成物を与えるので好ましい。特に、尿素樹脂と
メラミン樹脂とを重量比８０：２０ないし９９：１の割
合で混合したものが、解像度の点から好適である。
もよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよいが、こ
れらの中で尿素樹脂とメラミン樹脂が解像度に優れるレ
ジスト組成物を与えるので好ましい。特に、尿素樹脂と
メラミン樹脂とを重量比８０：２０ないし９９：１の割
合で混合したものが、解像度の点から好適である。
【００２２】本発明組成物における（Ａ）成分、（Ｂ）
成分及び（Ｃ）成分の含有割合は、（Ａ）成分１００重
量部に基づき、（Ｂ）成分０．５〜２０重量部、（Ｃ）
成分３〜７０重量部の範囲内で選ばれる。これよりも
（Ｂ）成分の量が少ないと感度が低下するし、また多く
なると、均一なレジスト組成物が得られないし、現像性
も低下する。
成分及び（Ｃ）成分の含有割合は、（Ａ）成分１００重
量部に基づき、（Ｂ）成分０．５〜２０重量部、（Ｃ）
成分３〜７０重量部の範囲内で選ばれる。これよりも
（Ｂ）成分の量が少ないと感度が低下するし、また多く
なると、均一なレジスト組成物が得られないし、現像性
も低下する。
【００２３】一方、これよりも（Ｃ）成分の量が少ない
と、レジストパターンが形成されなくなるし、また多く
なると現像性が低下する。
と、レジストパターンが形成されなくなるし、また多く
なると現像性が低下する。
【００２４】本発明組成物には、本発明の目的をそこな
わない範囲で、必要に応じて相容性のある添加物、例え
ばレジスト膜の性能などを改良するための付加的樹脂、
可塑剤、安定剤、界面活性剤、現像した像をより一層可
視的にするための着色料、また、より増感効果を向上さ
せるための増感剤やハレーション防止用染料などの慣用
の添加物を含有させることができる。本発明組成物は、
前記各成分を有機溶剤に溶解して、溶液の形で用いるの
が有利である。
わない範囲で、必要に応じて相容性のある添加物、例え
ばレジスト膜の性能などを改良するための付加的樹脂、
可塑剤、安定剤、界面活性剤、現像した像をより一層可
視的にするための着色料、また、より増感効果を向上さ
せるための増感剤やハレーション防止用染料などの慣用
の添加物を含有させることができる。本発明組成物は、
前記各成分を有機溶剤に溶解して、溶液の形で用いるの
が有利である。
【００２５】このような有機溶剤としては、例えばアセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソブ
チルメチルケトン、イソアミルメチルケトン、２‐ヘプ
タノン、１，１，１‐トリメチルアセトンなどのケトン
類；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエ
チレングリコール、エチレングリコールモノアセテー
ト、プロピレングリコールモノアセテート又はジエチレ
ングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モ
ノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノイソプ
ロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニル
エーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体；ジオ
キサンのような環式エーテル類；及び酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルビ
ン酸メチル、ピルビン酸エチル、３‐エトキシプロピオ
ン酸エチルなどのエステル類を挙げることができる。こ
れらは単独でも、また２種以上を混合して用いてもよ
い。
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソブ
チルメチルケトン、イソアミルメチルケトン、２‐ヘプ
タノン、１，１，１‐トリメチルアセトンなどのケトン
類；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエ
チレングリコール、エチレングリコールモノアセテー
ト、プロピレングリコールモノアセテート又はジエチレ
ングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モ
ノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノイソプ
ロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニル
エーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体；ジオ
キサンのような環式エーテル類；及び酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルビ
ン酸メチル、ピルビン酸エチル、３‐エトキシプロピオ
ン酸エチルなどのエステル類を挙げることができる。こ
れらは単独でも、また２種以上を混合して用いてもよ
い。
【００２６】次に、このようにして調製されたネガ型レ
ジスト組成物の溶液を用いて、微細パターンを形成する
方法について説明すると、まずシリコンウエーハのよう
な基板上に、該レジスト組成物の溶液をスピンナーなど
で塗布し、乾燥して放射線感応層を設けたのち、ｇ線、
ｉ線、Ｄｅｅｐ ＵＶ、エキシマレーザー、エックス線
をマスクを介して選択的に照射するが、電子線を走査し
て照射したのち、加熱処理を施し、次いで、例えば２〜
１０重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドや
コリンなどの有機アルカリ水溶液を用いて現像すること
により放射線の非照射部分が選択的に溶解除去され、プ
ロファイル形状に優れたレジストパターンを形成するこ
とができる。
ジスト組成物の溶液を用いて、微細パターンを形成する
方法について説明すると、まずシリコンウエーハのよう
な基板上に、該レジスト組成物の溶液をスピンナーなど
で塗布し、乾燥して放射線感応層を設けたのち、ｇ線、
ｉ線、Ｄｅｅｐ ＵＶ、エキシマレーザー、エックス線
をマスクを介して選択的に照射するが、電子線を走査し
て照射したのち、加熱処理を施し、次いで、例えば２〜
１０重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドや
コリンなどの有機アルカリ水溶液を用いて現像すること
により放射線の非照射部分が選択的に溶解除去され、プ
ロファイル形状に優れたレジストパターンを形成するこ
とができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明のネガ型レジスト組成物は、化学
増幅型であって、マイクロブリッジの発生がなく、高解
像性のレジストパターンを与えることができ、かつ高い
感度を有し、特に微細加工化の進む半導体素子や液晶素
子などの製造に好適に用いられる。
増幅型であって、マイクロブリッジの発生がなく、高解
像性のレジストパターンを与えることができ、かつ高い
感度を有し、特に微細加工化の進む半導体素子や液晶素
子などの製造に好適に用いられる。
【００２８】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００２９】調製例 分子量分布１．１及び重量平均分子量２０，０００のポ
リヒドロキシスチレン［ＶＰ−２００００（日本曹達社
製）］１０．０ｇを乳酸エチル４０ｇに溶解し、これを
分液漏斗に入れ、次いでｎ‐ヘキサン１５０ｇを加えて
よく振り混ぜたのち、静置することで、ｎ‐ヘキサン層
（上層）と乳酸エチル層（下層）とに分離した。次に、
上層のｎ‐ヘキサン層を除去し、残った乳酸エチル層に
ｎ‐ヘキサン１５０ｇを加え、同様な操作を４回繰り返
して得られた乳酸エチル層を濃縮し、メタノールに溶媒
置換後、純水に滴下することによって析出した生成物を
回収した。これを純水で洗浄したのち、乾燥することに
より、重量平均分子量１，０００未満のものを含まない
ポリヒドロキシスチレンを得た。
リヒドロキシスチレン［ＶＰ−２００００（日本曹達社
製）］１０．０ｇを乳酸エチル４０ｇに溶解し、これを
分液漏斗に入れ、次いでｎ‐ヘキサン１５０ｇを加えて
よく振り混ぜたのち、静置することで、ｎ‐ヘキサン層
（上層）と乳酸エチル層（下層）とに分離した。次に、
上層のｎ‐ヘキサン層を除去し、残った乳酸エチル層に
ｎ‐ヘキサン１５０ｇを加え、同様な操作を４回繰り返
して得られた乳酸エチル層を濃縮し、メタノールに溶媒
置換後、純水に滴下することによって析出した生成物を
回収した。これを純水で洗浄したのち、乾燥することに
より、重量平均分子量１，０００未満のものを含まない
ポリヒドロキシスチレンを得た。
【００３０】実施例１ 調製例で得られたポリヒドロキシスチレン２．０ｇ、尿
素樹脂であるＭｘ−２９０（三和ケミカル社製）０．５
ｇを乳酸エチル１４ｇに溶解し、これにトリス（２，３
‐ジブロモプロピル）イソシアヌレート０．２ｇを溶解
してネガ型レジスト溶液を得た。次に、ヘキサメチルジ
シラザン雰囲気中に７分間放置することで表面処理した
６インチシリコンウエーハ上に、上記のレジスト溶液を
３，０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートし、ホットプ
レート上で１００℃にて９０秒間乾燥することにより、
膜厚０．７μｍのレジスト層を形成した。次いで、縮小
投影露光装置ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ（ニコン社製）
により、エキシマレーザーを選択的に照射したのち、１
３０℃で９０秒間加熱処理を行い、次いで、２．３８重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６
５秒間パドル現像することにより、ネガパターンを得
た。
素樹脂であるＭｘ−２９０（三和ケミカル社製）０．５
ｇを乳酸エチル１４ｇに溶解し、これにトリス（２，３
‐ジブロモプロピル）イソシアヌレート０．２ｇを溶解
してネガ型レジスト溶液を得た。次に、ヘキサメチルジ
シラザン雰囲気中に７分間放置することで表面処理した
６インチシリコンウエーハ上に、上記のレジスト溶液を
３，０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートし、ホットプ
レート上で１００℃にて９０秒間乾燥することにより、
膜厚０．７μｍのレジスト層を形成した。次いで、縮小
投影露光装置ＮＳＲ−２００５ＥＸ８Ａ（ニコン社製）
により、エキシマレーザーを選択的に照射したのち、１
３０℃で９０秒間加熱処理を行い、次いで、２．３８重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６
５秒間パドル現像することにより、ネガパターンを得
た。
【００３１】このようにして得られたレジストパターン
は、０．２８μｍのラインアンドスペースパターンが解
像され、そのレジストパターン形状は基板面から垂直に
切り立った矩形の良好なものであり、マイクロブリッジ
は観察されなかった。また、パターニングのために要す
る最小露光量（感度）は５０ｍＪ／ｃｍ2であった。
は、０．２８μｍのラインアンドスペースパターンが解
像され、そのレジストパターン形状は基板面から垂直に
切り立った矩形の良好なものであり、マイクロブリッジ
は観察されなかった。また、パターニングのために要す
る最小露光量（感度）は５０ｍＪ／ｃｍ2であった。
【００３２】実施例２ 実施例１において、調製例で得たポリヒドロキシスチレ
ンの量を２．２５ｇに、尿素樹脂の量を０．２２５ｇに
変え、かつメラミン樹脂であるＭｘ−７５０（三和ケミ
カル社製）０．００８ｇを新たに加えた以外は、実施例
１と同様にしてネガ型レジスト溶液を調製し、実施例１
と同様な処理を行いネガパターンを得た。
ンの量を２．２５ｇに、尿素樹脂の量を０．２２５ｇに
変え、かつメラミン樹脂であるＭｘ−７５０（三和ケミ
カル社製）０．００８ｇを新たに加えた以外は、実施例
１と同様にしてネガ型レジスト溶液を調製し、実施例１
と同様な処理を行いネガパターンを得た。
【００３３】このようにして得られたレジストパターン
は、０．２４μｍのラインアンドスペースパターンが解
像され、そのレジストパターン形状は基板面から垂直に
切り立った矩形の良好なものであり、マイクロブリッジ
は観察されなかった。また、パターニングのために要す
る最小露光量（感度）は３０ｍＪ／ｃｍ2であった。
は、０．２４μｍのラインアンドスペースパターンが解
像され、そのレジストパターン形状は基板面から垂直に
切り立った矩形の良好なものであり、マイクロブリッジ
は観察されなかった。また、パターニングのために要す
る最小露光量（感度）は３０ｍＪ／ｃｍ2であった。
【００３４】比較例１ 実施例１において、調製例で得たポリヒドロキシスチレ
ンの代わりに、重量平均分子量１，０００未満の部分を
２重量％含む市販のＶＰ−２００００を用いた以外は、
実施例１と同様にしてネガ型レジスト溶液を調製した。
次いで、実施例１と同様な処理を行いネガパターンを得
た。
ンの代わりに、重量平均分子量１，０００未満の部分を
２重量％含む市販のＶＰ−２００００を用いた以外は、
実施例１と同様にしてネガ型レジスト溶液を調製した。
次いで、実施例１と同様な処理を行いネガパターンを得
た。
【００３５】このようにして得られたレジストパターン
は０．２８μｍのラインアンドスペースパターンが解像
され、そのレジストパターン形状は基板面から垂直に切
り立っているものの、マイクロブリッジが観察された。
また、パターニングのために要する最小露光量（感度）
は５０ｍＪ／ｃｍ2であった。
は０．２８μｍのラインアンドスペースパターンが解像
され、そのレジストパターン形状は基板面から垂直に切
り立っているものの、マイクロブリッジが観察された。
また、パターニングのために要する最小露光量（感度）
は５０ｍＪ／ｃｍ2であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 文武 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 審査官 藤田 裕子 (56)参考文献 特開 平４−356505（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−1115（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−181277（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−65333（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−95370（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−289614（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−36187（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−92671（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−120924（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−311463（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/004 501
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）放射
線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｃ）架橋剤を
含有して成るネガ型レジスト組成物において、（Ａ）成
分のアルカリ可溶性樹脂として、重量平均分子量１，０
００より小さい部分を含まない、重量平均分子量が１，
０００〜５０，０００で、かつ分子量分布（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）が１〜１．４のヒドロキシスチレン単独重合体又は
ヒドロキシスチレンと他のスチレン類との共重合体ある
いはこれらの混合物の中から選ばれたポリヒドロキシス
チレン系樹脂を用い、さらに（Ｃ）成分の架橋剤として
尿素樹脂とメラミン樹脂とを重量比８０：２０ないし９
９：１の割合で含む混合物を用いることを特徴とする化
学増幅型ネガ型レジスト組成物。 - 【請求項２】 （Ｂ）成分の放射線の照射により酸を発
生する化合物がハロゲン含有トリアジン化合物である請
求項１記載のネガ型レジスト組成物。 - 【請求項３】 ハロゲン含有トリアジン化合物がトリス
（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレートである
請求項２記載のネガ型レジスト組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09397495A JP3330254B2 (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | ネガ型レジスト組成物 |
| US08/630,621 US5700625A (en) | 1995-04-19 | 1996-04-10 | Negative-working photoresist composition |
| KR1019960011850A KR100198722B1 (ko) | 1995-04-19 | 1996-04-19 | 네가티브형 포토레지스트 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09397495A JP3330254B2 (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | ネガ型レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08292559A JPH08292559A (ja) | 1996-11-05 |
| JP3330254B2 true JP3330254B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=14097382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09397495A Expired - Fee Related JP3330254B2 (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | ネガ型レジスト組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5700625A (ja) |
| JP (1) | JP3330254B2 (ja) |
| KR (1) | KR100198722B1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3725624B2 (ja) * | 1996-08-09 | 2005-12-14 | 富士写真フイルム株式会社 | ネガ型平版印刷用版材及び製版方法 |
| TW372337B (en) * | 1997-03-31 | 1999-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus |
| JP3052917B2 (ja) | 1997-10-24 | 2000-06-19 | 日本電気株式会社 | 化学増幅系レジスト |
| US6027853A (en) * | 1998-01-16 | 2000-02-22 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for preparing a radiation-sensitive composition |
| TW476019B (en) * | 1999-05-27 | 2002-02-11 | Winbond Electronics Corp | Method for forming crosslinking photoresist |
| JP2001056555A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト組成物及びそれを用いた感光材料 |
| US6864036B2 (en) * | 1999-08-20 | 2005-03-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Negative-working photoresist composition |
| JP3989149B2 (ja) | 1999-12-16 | 2007-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 電子線またはｘ線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物 |
| US6576394B1 (en) | 2000-06-16 | 2003-06-10 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Negative-acting chemically amplified photoresist composition |
| JP4645789B2 (ja) | 2001-06-18 | 2011-03-09 | Ｊｓｒ株式会社 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
| US7521168B2 (en) | 2002-02-13 | 2009-04-21 | Fujifilm Corporation | Resist composition for electron beam, EUV or X-ray |
| US7417092B2 (en) * | 2003-06-20 | 2008-08-26 | University Of Massachusetts Lowell | End-capped polymer chains and products thereof |
| US20050187414A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-08-25 | Rudolf Faust | Copolymers comprising branched olefin and vinyl ether units |
| US7226979B2 (en) * | 2004-02-11 | 2007-06-05 | University Of Massachusetts Lowell | Copolymers comprising olefin and protected or unprotected hydroxystyrene units |
| US7056985B2 (en) * | 2004-02-11 | 2006-06-06 | University Of Massachusetts Lowell | End-capped polymer chains and products thereof |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5204225A (en) * | 1986-01-13 | 1993-04-20 | Rohm And Haas Company | Process for producing negative images |
| US5034304A (en) * | 1986-01-13 | 1991-07-23 | Rohm And Haas Company | Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developable negative images |
| JP3031421B2 (ja) * | 1990-11-28 | 2000-04-10 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材 |
| JP2707164B2 (ja) * | 1991-05-28 | 1998-01-28 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材 |
| JPH04350657A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト材 |
| KR0159808B1 (ko) * | 1993-01-19 | 1999-02-18 | 가나가와 지히로 | 레지스트 조성물 |
| JPH07120924A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-05-12 | Fujitsu Ltd | レジスト組成物およびパターン形成方法 |
| US5541263A (en) * | 1995-03-16 | 1996-07-30 | Shipley Company, L.L.C. | Polymer having inert blocking groups |
| US5514520A (en) * | 1995-03-16 | 1996-05-07 | Shipley Company, L.L.C. | Radiation sensitive composition comprising polymer having inert blocking groups |
| US5547812A (en) * | 1995-06-05 | 1996-08-20 | International Business Machines Corporation | Composition for eliminating microbridging in chemically amplified photoresists comprising a polymer blend of a poly(hydroxystyrene) and a copolymer made of hydroxystyrene and an acrylic monomer |
-
1995
- 1995-04-19 JP JP09397495A patent/JP3330254B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-10 US US08/630,621 patent/US5700625A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-19 KR KR1019960011850A patent/KR100198722B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5700625A (en) | 1997-12-23 |
| KR100198722B1 (ko) | 1999-06-15 |
| JPH08292559A (ja) | 1996-11-05 |
| KR960038483A (ko) | 1996-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3751065B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP3380128B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP3429592B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR100292391B1 (ko) | 네거티브형 레지스트조성물 및 레지스트패턴의 형성방법 | |
| JP3330254B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
| JP3449664B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
| JPH103169A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPH02248952A (ja) | 感光性組成物 | |
| JP4480835B2 (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物 | |
| JP4073572B2 (ja) | 放射線感光材料及びパターンの形成方法 | |
| EP0985975B1 (en) | Positive-working chemical-amplification photoresist composition | |
| JPH11305442A (ja) | 化学増幅型ホトレジスト及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
| JP3803313B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP3919806B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP2006091898A (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JPH1130856A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH09222732A (ja) | ポジ型感放射線性組成物 | |
| JP2002131914A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP2000098614A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JP3539792B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP2002072481A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| KR101055215B1 (ko) | 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물 | |
| KR101026948B1 (ko) | 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물 | |
| CN116088268A (zh) | 一种树脂及含其的193nm浸没式光刻胶的应用 | |
| JPH09179301A (ja) | ポジ型感放射線性組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080719 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090719 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100719 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100719 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110719 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120719 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120719 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130719 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140719 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |