KR101026948B1 - 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물 - Google Patents
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Abstract
Description
번호 | 수지(보호율) | 광산발생제(중량부) | 첨가제(중량부) | Pka1 | 쿠엔쳐(중량부) |
실시예 1 | A-2(a:34%) | B-1(3.5) | D-1(2.1) | 1.9 | C-1(0.3) |
실시예 2 | A-1(a:23%, c:12%) | B-1(3.5) | D-1(2.1) | 1.9 | C-1(0.2) |
실시예 3 | A-1(a:23%, c:12%) | B-1(3.5) | D-2(2.1) | 3.0 | C-1(0.2) |
비교예 1 | A-2(a:34%) | B-1(3.5) | - | - | C-1(0.3) |
비교예 2 | A-1(a:23%, c:12%) | B-1(3.5) | D-3(2.1) | 3.0 | C-1(0.2) |
비교예 3 | A-1(a:23%, c:12%) | B-1(3.5) | D-4(2.1) | 4.2 | C-1(0.2) |
비교예 4 | A-2(a:34%) | B-1(3.5) | D-5(2.1) | 3.9 | C-1(0.3) |
번호 | 프로파일 | 초점심도[㎛] | 감도(mJ/cm2) |
실시예 1 | O | 0.8 | 36 |
실시예 2 | ◎ | 1.2 | 42 |
실시예 3 | ◎ | 1.2 | 46 |
비교예 1 | x | 0.5 | 42 |
비교예 2 | O | 0.5 | 44 |
비교예 3 | x | 0.6 | 38 |
비교예 4 | x | 0.6 | 38 |
Claims (7)
- 하기 화학식 1 로 표시되는 수지와 하기 화학식 2 로 표시되는 광산 발생제와 하기 화학식 3 으로 표시되는 첨가제를 함유하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.[화학식 1][식에서,R1 : H 또는 CH3,R2 : H, 탄소수 1 ~ 6의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기,R3 : 탄소수 1 ~ 10의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기,R4 : 탄소수 1 ~ 10의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기,a, b, c : 각각 독립적인 자연수로서 하기의 조건을 충족한다.0.10 ≤( a + c )/( a + b + c ) ≤0.50 또는 0.01 ≤c/( a + b + c ) ≤0.40][화학식 2](R5, R6 : 탄소수 3 ~ 8의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기)[화학식 3](식 중, R7 및 R8 은 H, 탄소수 1 ~ 6의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기, 또는 알케닐기로 서로 고리화가 될 수 있음)
- 제 1 항에 있어서 a, b, c는 0.20 ≤ ( a + c ) / ( a + b + c ) ≤0.40 또는 0.05 ≤ c / ( a + b + c ) ≤ 0.20 의 조건을 충족하는 독립적인 자연수인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 수지가 부분적으로 페놀계 히드록실기를 1-에톡시에틸기로 보호하여 형성시킨 구조를 갖고 부분적으로는 (메틸) 아크릴레이트기로 보호하여 형성시킨 구조를 갖는 중합 단위를 함유하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 첨가제는 카르복실 무수물을, 가수분해한 후의 제 1 산분해 정수(pKa)가 1.5 ~ 3.5의 단위가 되는 화합물로, R7이 수소, 메틸기, 페닐기 또는 아세트산기이거나, R7 또는 R8 이 메틸기, 에틸기 또는 페닐기이거나, R7 및 R8이 서로 고리형으로 이루어진 벤질 고리, 펜탄 고리 또는 헵탄 고리인 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, R5 및 R6 이 n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 톨루일기, 2,4,6-트리메틸페닐기 또는 벤질기인 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 광산발생제의 양은 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 대해 가용성이 되는 수지 100중량부를 기준으로 하여, 0.1 내지 20 중량부인 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 쿠엔쳐(Quencher)로서 합성된 질소함유 유기성 유기화합물을 추가로 함유하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물.
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KR1020040061572A KR101026948B1 (ko) | 2004-08-05 | 2004-08-05 | 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020040061572A KR101026948B1 (ko) | 2004-08-05 | 2004-08-05 | 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물 |
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KR20060012869A KR20060012869A (ko) | 2006-02-09 |
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KR1020040061572A KR101026948B1 (ko) | 2004-08-05 | 2004-08-05 | 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물 |
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KR (1) | KR101026948B1 (ko) |
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---|---|---|---|---|
KR101363725B1 (ko) * | 2007-04-04 | 2014-02-14 | 동우 화인켐 주식회사 | 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04211258A (ja) * | 1990-01-30 | 1992-08-03 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 化学増幅型レジスト材料 |
KR100195583B1 (ko) | 1997-04-08 | 1999-06-15 | 박찬구 | 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 |
KR20000076533A (ko) * | 1999-01-28 | 2000-12-26 | 다나까 모또아끼 | 레지스트 조성물 |
US20020012872A1 (en) | 2000-06-12 | 2002-01-31 | Eiichi Kobayashi | Radiation-sensitive resin composition |
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2004
- 2004-08-05 KR KR1020040061572A patent/KR101026948B1/ko active IP Right Grant
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---|---|---|---|---|
JPH04211258A (ja) * | 1990-01-30 | 1992-08-03 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 化学増幅型レジスト材料 |
KR100195583B1 (ko) | 1997-04-08 | 1999-06-15 | 박찬구 | 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 |
KR20000076533A (ko) * | 1999-01-28 | 2000-12-26 | 다나까 모또아끼 | 레지스트 조성물 |
US20020012872A1 (en) | 2000-06-12 | 2002-01-31 | Eiichi Kobayashi | Radiation-sensitive resin composition |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060012869A (ko) | 2006-02-09 |
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