DE69433245T2 - Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Kondensator von hoher dielektrischer Konstante - Google Patents
Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Kondensator von hoher dielektrischer Konstante Download PDFInfo
- Publication number
- DE69433245T2 DE69433245T2 DE69433245T DE69433245T DE69433245T2 DE 69433245 T2 DE69433245 T2 DE 69433245T2 DE 69433245 T DE69433245 T DE 69433245T DE 69433245 T DE69433245 T DE 69433245T DE 69433245 T2 DE69433245 T2 DE 69433245T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- capacitor
- layer
- dielectric
- semiconductor device
- insulating intermediate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 102
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 29
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 113
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWKWDCOTNGQLID-UHFFFAOYSA-N [N].[Ar] Chemical compound [N].[Ar] PWKWDCOTNGQLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B51/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B51/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors
- H10B51/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/75—Electrodes comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/958—Passivation layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
- GEBIET DER ERFINDUNG
- Die Erfindung bezieht sich auf ein Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauetement mit einer ferroelektrischen Schicht oder einer dielektrischen Schicht hoher Dielektrizitätskonstante als Kondensatordielektrikum.
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- In letzter Zeit sind im Zusammenhang mit dem Trend zu höherer Geschwindigkeit und geringerem Energieverbrauch von Halbleiterbauelementen wie Mikrocomputern und digitalen Signalprozessoren die elektronischen Geräte für den Verbraucher in ihrer Leistung immer weiter fortgeschritten, während die elektromagnetischen Störungen, die ein von diesen elektronischen Geräten erzeugtes elektromagnetisches Rauschen sind, ein ernstes Problem darstellen. Daher werden nicht nur in elektronischen Geräten, sondern auch in den darin eingesetzten Halbleiterbauelementen Massnahmen gegen elektromagnetische Störungen verlangt. Die wirksamste Massnahme gegen elektromagnetische Störungen in Halbleiterbauelementen besteht darin, einen Kondensator hoher Kapazität zwischen den Vorspannungs- und Erdleiter innerhalb des Halbleiterbauelements einzubauen, während bislang der Kondensator ausserhalb des Halbleiterbauelements angeordnet worden war.
- Ausserdem sind in der letzten Zeit nichtflüchtige Speicher mit wahlfreiem Zugriff in einfacher Bauart, die einen Kondensator enthalten, der eine ferroelektrische Schicht als Kondensatordielektrikum verwendet, sowie dynamische Speicher mit wahlfreiem Zugriff, die als Speicherkondensator einen Kondensator enthalten, der eine dielektrische Schicht hoher Dielektrizitätskonstante verwendet, entwickelt worden.
- Ein herkömmliches Halbleiterbauelement mit einem Kondensator wird nachfolgend konkret beschrieben.
-
1 ist eine geschnittene Teilansicht eines repräsentativen Halbleiterbauelements. In1 ist auf einem Siliciumsubstrat1 in einem durch einen Feldoxidbereich2 eingeschlossenen Gebiet ein integrierter Schaltkreis6 gebildet, der durch aktive Source- /Drain-Bereiche3 , ein Gate-Oxid4 und eine Gate-Elektrode5 dargestellt wird. Auf dem Siliciumsubstrat1 ist weiter eine Isolationsschicht7 ausgebildet, und in einem spezifischen Bereich auf der Isolationsschicht7 ist ein Kondensator11 ausgebildet, der aus einer unteren Elektrode8 , einem Kondensatordielektrikum9 und einer oberen Elektrode10 besteht. Ausserdem ist eine isolierende Zwischenschicht12 ausgebildet, die zumindest den Kondensator11 abdeckt. Weiter sind Zuleitungen14a , die durch e in erstes Kontaktloch13a an die aktiven Source-/Drain-Bereiche3 angeschlossen sind, eine Zuleitung14b , die durch ein zweites Kontaktloch13b an die untere Elektrode8 des Kondensators11 angeschlossen ist, sowie eine Zuleitung14c , die durch ein drittes Kontaktloch13c an die obere Elektrode10 des Kondensators11 angeschlossen ist, ausgebildet. Des Weiteren ist eine Passivierungsschicht15 ausgebildet, um die Zuleitungen14a ,14b und14c zu schützen. - Ein Herstellungsverfahren für das in
1 gezeigte herkömmliche Halbleiterbauelement mit Kondensator wird nachfolgend beschrieben, indem auf das in2 gezeigte Ablaufdiagramm des Herstellungsprozesses sowie auf1 Bezug genommen wird. Im Schritt (1 ) wird zuerst auf einem Siliciumsubstrat1 der integrierte Schaltkreis6 gebildet. Im Schritt (2 ) wird auf dem Siliciumsubstrat1 eine Isolationsschicht7 gebildet. Im Schritt (3 ) wird auf der Isolationsschicht (7 ) ein Kondensator11 gebildet. Dieser Kondensator11 wird gebildet, indem aufeinanderfolgend eine erste leitende Schicht als untere Elektrode8 , ein Kondensatordielektrikum9 und eine zweite leitende Schicht als obere Elektrode10 aufgebracht und durch Ätzen strukturiert werden. Als Kondensatordielektrikum9 wird eine ferroelektrische Schicht oder eine dielektrische Schicht mit hoher Dielektrizitätskonstante verwendet, während als die untere Elektrode8 und obere Elektrode10 eine Zweischichten-Zusammensetzung verwendet wird, die von der mit dem Kondensatordielektrikum9 in Berührung stehenden Seite her gesehen aus einer Platinschicht und darauffolgend einer Titanschicht besteht. Im Schritt (4 ) wird durch CVD eine isolierende Zwischenschicht12 aus PSG (Phosphorsilikatglas) derart gebildet, dass zumindest der Kondensator11 bedeckt ist. Im Schritt (5 ) werden ein erstes Kontaktloch13a zu den aktiven Source-/Drain-Bereichen3 des integrierten Schaltkreises6 , ein zweites Kontaktloch13b zur unteren Elektrode8 des Kondensators11 und ein drittes Kontaktloch13c zur oberen Elektrode10 des Kondensators11 gebildet. Nach Ausbildung der Zuleitungen14a ,14b und14e im Schritt (6 ) wird im Schritt (7 ) durch Plasma-CVD eine Passivierungsschicht15 gebildet, die aus einer Siliciumnitridschicht oder einer Siliciumoxynitridschicht hoher Feuchtebeständigkeit besteht. - In einem solchen herkömmlichen Halbleiterbauelement mit Kondensator wird aber als isolierende Zwischenschicht
12 eine PSG-Schicht verwendet, und obwohl der Zweck, die Beanspruchung des Kondensators11 zu mildern, erreicht wird, wird die Feuchtigkeit, die erzeugt wird, wenn die PSG-Schicht durch CVD gebildet wird, durch die PSG-Schicht absorbiert, und diese Feuchtigkeit diffundiert in die das Kondensatordielektrikum darstellende ferroelektrische Schicht, wodurch dessen elektrischer Widerstand verringert wird. Diese Erscheinung führt zu einem Anstieg des Leckstromes des Kondensators11 bzw. einem Abfall der Durchschlagfestigkeit, was einen Durchschlag des Kondensatordielektrikums9 herbeiführen kann. - In einem solchen herkömmlichen Halbleiterbauelement mit Kondensator wird weiter als eine Passivierungsschicht
15 eine durch Plasma-CVD gebildete Siliciumnitrid- oder Siliciumoxynitridschicht verwendet, und obwohl ein Eindringen von Feuchtigkeit von aussen in den Kondensator11 verhindert werden kann, wird bei der Schichtbildung mit Plasma-CVD aktiver Wasserstoff erzeugt, der in die das Kondensatordielektrikum9 bildende ferroelektrische Schicht oder dielektrische Schicht hoher Dielektrizitätskonstante eindiffundieren kann, was einen Anstieg des Leckstroms des Kondensators11 oder eine Beeinträchtigung der elektrischen Kennlinie herbeiführen kann. Allgemein beträgt die Konzentration der Wasserstoffatome in der durch Plasma-CVD gebildeten Nitridschicht bis z 1022 Atome/cm3, und durch die Hitzebehandlung nach Ausbildung der Schichten wird die Diffusion von Wasserstoff in das Kondensatordielektrikum9 noch beschleunigt, die Kennlinie des Kondensators11 verschlechtert sich weiter. - Es wird auf die Dokumente EP-A-0 513 894 und EP-A-0 495 114 verwiesen.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Der Gegenstand der vorliegenden Erfindung besteht daher darin, ein Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement vorzustellen, wie es in den beigefügten Ansprüchen dargelegt wird.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN.
-
1 ist eine teilgeschnittene Ansicht, die die Struktur der hauptsächlichen Teile eines herkömmlichen Halbleiterbauelements mit Kondensator zeigt. -
2 ist ein Ablaufdiagramm, um ein herkömmliches Herstellungsverfahren für das Halbleiterbauelement mit Kondensator zu erklären. -
3 ist eine teilgeschnittene Ansicht, die die Struktur der hauptsächlichen Teile eines Halbleiterbauelements mit Kondensator in Beispiel 1 zeigt. -
4 ist ein Ablaufdiagramm, um ein Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement mit Kondensator in Beispiel 1 zu erklären. -
5 ist ein Diagramm, das die Temperaturabhängigkeit der Feuchtigkeitsfreisetzung aus der PSG-Schicht zeigt. -
6 ist ein Diagramm, das die elektrische Zuverlässigkeit des Halbleiterbauelements mit Kondensator in Beispiel 1 zeigt. -
7 ,8 ,9 ,10 und11 sind teilgeschnittene Ansichten, die ein Herstellungsverfahren für ein erfindungsgemässes Halbleiterbauelement mit Kondensator zeigen, wobei7 diagrammartig den Zustand zeigt, wo auf einem Halbleitersubstrat, in dem ein integrierter Schaltkreis aufgebaut ist, auf einer Isolationsschicht ein Kondensator, auf dem Kondensator eine isolierende Zwischenschicht sowie Kontaktlöcher gebildet werden,8 zeigt diagrammartig den Zustand, in dem die Zuleitungen gebildet werden,9 zeigt diagrammartig den Zustand, in dem eine Passivierungsschicht gebildet wird, um die Zuleitungen zu schützen,10 zeigt diagrammartig den Zustand, in dem nach Ausbildung der Zuleitungen eine zweite Passivierungsschicht gebildet wird, die eine Öffnung hat, die der oberen Elektrode des Kondensators entspricht, und11 zeigt diagrammartig den Zustand, in dem Passivierungsschichten gebildet werden, um die Zuleitungen zu schützen. -
12 ist ein Diagramm, das das Ergebnis von Messungen des Leckstromes nach jedem Schritt für ein erfindungsgemäss hergestelltes Halbleiterbauelement mit Kondensator zeigt. -
13 ist ein Diagramm, das die elektrische Zuverlässigkeit eines erfindungsgemäss hergestellten Halbleiterbauelements mit Kondensator zeigt. - BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
- Ehe wir den Herstellungsprozess der Erfindung beschreiben, der in
7 ,8 ,9 ,10 und11 erklärt ist, beschreiben wird das in3 gezeigte Halbleiterbauelement des Beispiels 1 sowie dessen in4 gezeigtes Herstellungsverfahren. - Beispiel 1
- In einem in
3 gezeigten Halbleiterbauelement der Erfindung wird auf einem Siliciumsubstrat31 eine isolierende Oxidschicht32 gebildet, und in einem durch die isolierende Oxidschicht32 umschlossenen Gebiet wird ein integrierter Schaltkreis36 gebildet, der durch einen Transistor dargestellt wird, der aus einer Diffusionszone33 , einer Gate-Isolationsschicht34 und einer Gate-Elektrode35 besteht. - Auf dem Siliciumsubstrat
31 wird eine aus Siliciumoxid bestehende Isolationsschicht37 gebildet, und auf der Isolationsschicht37 wird ein Kondensator41 gebildet, der aus einer unteren Elektrode38 aus Platinschicht und Titanschicht, einem Kondensatordielektrikum39 aus einer ferroelektrischen Schicht oder einer dielektrischen Schicht mit hoher Dielektrizitätskonstante sowie aus einer oberen Elektrode40 aus Platinschicht und Titanschicht besteht. Zur Abdeckung dieses Kondensators41 wird eine isolierende Zwischenschicht42 gebildet, die aus PSG besteht, das einen Feuchtigkeitsgehalt von 0,5 g/cm3 oder weniger hat. In herkömmlichen Halbleiterbauelementen mit Kondensator betrug der Feuchtigkeitsgehalt der isolierenden Zwischenschicht 0,9 g/cm3 oder mehr. - Über dem integrierten Schaltkreis
36 wird ein erstes Kontaktloch43a zur Diffusionszone33 in der Isolationsschicht37 und in der isolierenden Zwischenschicht42 gebildet, und über dem Kondensator41 werden ein Kontaktloch43b zur unteren Elektrode38 und ein drittes Kontaktloch43c zur oberen Elektrode40 in der isolierenden Zwischenschicht42 gebildet. Durch das erste Kontaktloch43a wird eine mit der Diffusionszone33 verbundene Zuleitung44a gebildet, die aus einer Aluminium- oder Aluminiumlegierungsschicht besteht, während durch das zweite und dritte. Kontaktloch43b ,43c zur unteren Elektrode38 und zur oberen Elektrode40 Zuleitungen44b ,44c gebildet werden, die aus einer Aluminium- oder Aluminiumlegierungsschicht bestehen. Um diese Zuleitungen44a ,44b ,44c zu schützen, wird eine aus Siliciumnitrid oder Siliciumoxynitrid bestehende Passivierungsschicht45 gebildet. - Diesem Aufbau zufolge wird in der isolierenden Zwischenschicht
42 der Feuchtigkeitsgehalt auf einen Wert von weniger als 0,5 g/cm3 gesteuert, und bei der Erwärmung in nachfolgenden Schritten kann eine Diffusion von Feuchtigkeit in das Kondensatordielektrikum39 verhindert werden, wodurch ein Anstieg des Leckstromes und ein Abfall der Durchschlagfestigkeit des Kondensators41 verhindert werden, so dass ein Halbleiterbauelement mit einem Kondensator41 realisiert werden kann, der im Vergleich zum Stand der Technik schwerlich Störungen wegen eines dielektrischen Durchschlages herbeiführen kann. - Ein Herstellungsverfahren für das in
3 gezeigte H albleiterbauelement wird nachfolgend erklärt, wobei auf das in4 gezeigte Ablaufdiagramm des Herstellungsverfahrens sowie auf3 Bezug genommen wird. Zuerst wird im Schritt (1 ) unter anderem ein integrierter Schaltkreis36 auf einem Siliciumsubstrat31 gebildet. Im Schritt (2 ) wird auf dem Siliciumsubstrat31 eine Isolationsschicht37 ausgebildet. Im Schritt (3 ) wird auf der Isolationsschicht37 ein Kondensator41 gebildet. Dieser Kondensator41 wird durch aufeinanderfolgende Abscheidung einer ersten leitenden Schicht als unterer Elektrode38 , eines Kondensatordielektrikums39 und einer zweiten leitenden Schicht als oberer Elektrode40 sowie durch Strukturierung mittels Ätzen gebildet. Als Kondensatordielektrikum39 wird eine ferroelektrische Schicht oder eine dielektrische Schicht mit hoher Dielektrizitätskonstante verwendet, während als die untere Elektrode38 und obere Elektrode40 eine Zweischichten-Zusammensetzung verwendet wird, die von der mit dem Kondensatordielektrikum39 in Berührung stehenden Seite her gesehen aus einer Platinschicht und darauffolgend einer Titanschicht besteht. Im Schritt (4 ) wird der Kondensator41 erhitzt, um die Eigenschaften des Kondensatordielektrikums39 zu verbessern und zu stabilisieren. Im Schritt (5 ) wird durch CVD oder dergleichen eine aus PSG (Phosphorsilikatglas) bestehende isolierende Zwischenschicht42 gebildet, die zumindest den Kondensator41 bedeckt, während im Schritt (6 ) die isolierende Zwischenschicht42 in einer Stickstoffatmosphäre erhitzt wird, und die in der isolierenden Zwischenschicht42 enthaltene Feuchtigkeit wird bis auf nicht mehr als 0,5 g pro cm3 der isolierenden Zwischenschicht42 entfernt. - Im Schritt (
7 ) werden ein erstes Kontaktloch43a zur Diffusionszone33 des integrierten Schaltkreises36 sowie ein zweites und drittes Kontaktloch43b und43c zur unteren Elektrode38 und zur oberen Elektrode40 des Kondensators41 gebildet. Im Schritt (8 ) werden die Zuleitungen44a ,44b ,44c gebildet, und im Schritt (9 ) wird durch Plasma-CVD eine aus Siliciumnitrid oder Siliciumoxynitrid hoher Feuchtebeständigkeit bestehende Passivierungsschicht45 gebildet. - In dem voranstehend beschriebenen Aufbau und Herstellungsverfahren wird die PSG-Schicht als isolierende Zwischenschicht
42 durch CVD gebildet, und die Feuchtigkeit wird in einem darauffolgenden Hitzebehandlungsprozess aus der PSG-Schicht entfernt, aber das Verfahren ist darauf nicht beschränkt, und eine Siliciumoxidschicht kann zum Beispiel bei hoher Temperatur und verringertem Druck gebildet werden, während die Hitzebehandlung weggelassen werden kann. - In dem oben beschriebenen Herstellungsverfahren erfolgt die Hitzebehandlung der isolierenden Zwischenschicht
42 im Schritt (6 ) von4 unter Stickstoff, aber sie kann auch unter Inertgasen wie Helium und Argon oder im Vakuum ausgeführt werden. - Ergebnisse einer Messung der Feuchtigkeitsaufnahme der durch CVD gebildeten PSG-Schicht werden unter Bezugnahme auf
5 nachfolgend erklärt. Die Abszisse in5 stellt die Temperatur dar, während die Ordinate die Feuchtigkeitsmenge darstellt, die bei der entsprechenden Temperatur freigesetzt wird, und ihre Beziehung entspricht der Intensität der Feuchtigkeitsaufnahme. Wie in5 gezeigt, beträgt die Temperatur in einem ersten Maximum der Freisetzung der aufgenommenen Feuchtigkeit aus der PSG-Schicht 300 bis 350°C, in einem zweiten Maximum beträgt sie 450 bis 530°C. Die dem zweiten Maximum entsprechende Feuchtigkeit ist ziemlich stark an die PSG-Schicht gebunden und scheint die Zuverlässigkeit beim normalen Einsatz kaum zu beeinträchtigen. Im Gegensatz dazu dehnt sich die Flanke des ersten Maximums zu niedrigen Temperaturen hin, Wasser wird unter Bedingungen verhältnismässig nahe bei der Betriebstemperatur freigesetzt und scheint eine Verschlechterung des Kondensatordielektrikums39 herbeizuführen. - Die Erfinder haben gefunden, dass am besten gleich nach der Bildung der Schicht mit CVD auf 350°C oder höher aufgeheizt werden sollte, um das dem ersten Maximum in
4 entsprechende, adsorbierte Wasser freizusetzen. Ausserdem wird auch zur Verringerung der am Kondensator41 anliegenden Beanspruchung eine Hitzebehandlung einer Siliciumoxidschicht als isolierender Zwischenschicht42 bevorzugt, die 6 Gewichtsprozent an Phosphor oder weniger enthält. Ausserdem wird diese Hitzebehandlung bei Temperaturen ausgeführt, die nicht über denen liegen, die zu einer Verschlechterung der Kennlinie des integrierten Schaltkreises führen. Die Verschlechterung tritt allgemein bei etwa 900°C ein. Es wird bevorzugt, auf etwa 850°C oder weniger zu erhitzen. - Das Ergebnis der Bewertung der Zuverlässigkeit des in dieser Ausführungsform hergestellten Kondensators
41 wird in6 gezeigt. Bariumstrontiumtitanat wurde als das Kondensatordielektrikum39 verwendet. Die Abszisse stellt den reziproken Wert des an den Kondensator41 angelegten elektrischen Feldes dar, während die Ordinate die Zeit zeigt, bei der der Leckstrom einen bestimmten Wert erreicht. Die Gerade (a) zeigt den Leckstrom bei Anlegen einer Spannung an den mit einem herkömmlichen Verfahren hergestellten Kondensator41 , während der Feuchtigkeitsgehalt des als isolierende Zwischenschicht42 verwendeten PSG 0,93 g/cm3 betrug. Die Gerade (b) bezieht sich auf das Ergebnis für den Kondensator41 , der in der Ausführungsform hergestellt wurde, während der Feuchtigkeitsgehalt der als isolierende Zwischenschicht42 verwendeten PSG-Schicht 0,45 g/cm3 betrug. Beim Vergleich dieser Geraden erweist es sich, dass der Kondensator41 der Ausführungsform, der einen geringeren Feuchtigkeitsgehalt in der isolierenden Zwischenschicht42 hat, weitaus besser als das herkömmliche Muster ist. Übrigens kann der Feuchtigkeitsgehalt der PSG-Schicht 0,5 g/cm3 oder weniger betragen. - Nach Bildung und Erhitzen der isolierenden Zwischenschicht
42 werden die Kontaktlöcher43a ,43b ,43c gebildet, aber die Reihenfolge der Hitzebehandlung kann auch verändert werden zu Bildung der isolierenden Zwischenschicht42 , Bildung der Kontaktlöcher43a ,43b ,43c , Hitzebehandlung. In diesem Falle dienen die Kontaktlöcher43a ,43b ,43c als Lüftungslöcher, und die auf dem Kondensator41 adsorbierte Feuchtigkeit wird leicht freigesetzt. - In diesem Prozess wird die isolierende Zwischenschicht
42 einmal erhitzt, aber die Hitzebehandlung kann in mehrere Schritte unterteilt werden. Zum Beispiel kann eine erste Hitzebehandlung nach Bildung der isolierenden Zwischenschicht42 erfolgen, eine zweite nach Bildung der Kontaktlöcher43a ,43b ,43c . In diesem Falle können die Bedingungen der Hitzebehandlung zwischen der ersten und zweiten Behandlung variiert werden. - Ausführungsform der Erfindung
- Das Herstellungsverfahren der Erfindung, das jetzt unter Bezugnahme auf
7 ,8 ,9 ,10 und11 erklärt werden wird, ist das Herstellungsverfahren eines Halbleiterbauelements mit einer zum Beispiel 1 hinzugefügten zweiten isolierenden Zwischenschicht59 . - Zuerst wird, wie in
7 gezeigt, auf einem Siliciumsubstrat31 , in dem ein integrierter Schaltkreis36 aufgebaut ist, eine Isolationsschicht37 gebildet, ein Kondensator41 wird auf der Isolationsschicht37 gebildet, eine isolierende Zwischenschicht46 wie zum Beispiel eine Siliciumoxidschicht wird gebildet, um den Kondensator41 zu bedecken, und ein erstes Kontaktloch43a , ein zweites Kontaktloch43b sowie ein drittes Kontaktloch43c werden gebildet. Als untere Elektrode38 und obere Elektrode40 des Kondensators41 wird eine Platinschicht verwendet, die auf der dem Kondensator abgewandten Seite eine Titanschicht trägt. - Als Nächstes wird, wie in
8 gezeigt, nach Bildung der Zuleitungen44a ,44b und44c eine zweite isolierende Zwischenschicht59 , die aus Siliciumnitrid oder Siliciumoxynitrid besteht, durch Plasma-CVD oder dergleichen über der gesamten Fläche ausgebildet, wie in9 gezeigt. Als Nächstes wird, wie in10 gezeigt, über dem Kondensator41 in der zweiten isolierenden Zwischenschicht59 eine dem Kondensator41 entsprechende Öffnung60 gebildet. In diesem Zustand erfolgt unter Stickstoff, Argon, ihrem Gemisch oder in Vakuum eine Hitzebehandlung, um Wasserstoff oder Wasserstoffverbindungen aus dem Kondensatordielektrikum39 zu entfernen. Auf diese Hitzebehandlung folgend erfolgt eine Hitzebehandlung unter Verwendung von Sauerstoff, einem Gemisch von Sauerstoff mit Stickstoff oder Argon und dergleichen, um das Kondensatordielektrikum39 mit Sauerstoff zu versorgen. Wie in11 gezeigt, wird dann eine Passivierungsschicht55 gebildet, die aus Siliciumnitrid oder einem organischen Isolator besteht. - Einem solchen Aufbau gemäss erfolgt nach Entfernen der zweiten isolierenden Zwischenschicht
59 vom Kondensator41 eine Hitzebehandlung des Kondensators41 (d. h. eine Hitzebehandlung des Kondensatordielektrikums39 ) unter Stickstoff, Argon, deren Gemisch oder in Vakuum bei 400°C oder darunter, wodurch Wasserstoff oder Wasserstoffverbindungen, die eine Beeinträchtigung der ferroelektrischen Schicht oder der dielektrischen Schicht mit hoher Dielektrizitätskonstante verursachen, mit Leichtigkeit freigesetzt werden. Durch nachfolgende Hitzebehandlung unter Verwendung von Sauerstoff oder Sauerstoff im Gemisch mit Stickstoff Argon und dergleichen bei 400°C oder darunter können die Sauerstoffleerstellen, die stark zur elektrischen Leitfähigkeit der ferroelektrischen Schicht oder der dielektrischen Schicht mit hoher Dielektrizitätskonstante beitragen, aufgefüllt werden. - Ergebnisse von Messungen des Leckstromes und der dielektrischen Durchschlagkennlinie des Kondensatordielektrikums
39 vor und nach Bildung der Siliciumnitridschicht auf dem Kondensator41 und nach der Hitzebehandlung werden unter Bezugnahme auf12 und13 nachfolgend erklärt. -
12 zeigt das Ergebnis von Messungen des Leckstromes, die erhalten wurden, wenn eine Bariumstrontiumtitanatschicht als Kondensatordielektrikum39 verwendet wur de, worin nach Ausbildung der Siliciumnitridschicht als zweiter isolierender Zwischenschicht59 durch Plasma-CVD der Leckstrom um etwa zwei Grössenordnungen anstieg, während er nach Hitzebehandlung um etwa zwei bis drei Grössenordnungen geringer wurde und zu dem Zustand vor Bildung der Siliciumnitridschicht zurückkehrte. -
13 zeigt die Beziehung zwischen dem reziproken Wert der an den Kondensator41 angelegten elektrischen Feldstärke E (MV/cm) und der Lebensdauer, wobei die gestrichelte Gerade sich auf die Lebensdauer bezieht, die erreicht wird, wenn eine Siliciumnitridschicht als zweite isolierende Zwischenschicht59 gebildet wird, aber keine Hitzebehandlung erfolgt, während die durchgezogene Gerade sich auf die Lebensdauer bezieht, die erreicht wird, wenn eine Siliciumnitridschicht als zweite isolierende Zwischenschicht59 gebildet wird und eine Hitzebehandlung erfolgt. In beiden Fällen wurde die Siliciumnitridschicht durch Plasma-CVD gebildet. - Auf diese Weise kann durch Erhitzen nach Ausbildung der Siliciumnitrid- oder Siliciumoxynitridschicht als zweiter isolierender Zwischenschicht
59 mit dem Plasma-CVD-Verfahren die Lebensdauer bis zum elektrischen Durchschlag bei hoher Temperatur und in einem starken elektrischen Feld, die sich beim Plasma-CVD-Prozess verschlechtert hatte, auf ein genügend hohes praktisches Niveau zurückgeführt werden. - Im Herstellungsverfahren des vorliegenden Halbleiterbauelements wurde ein Beispiel erklärt, bei dem der Kondensator
41 vor und nach Bildung der Zuleitungen44a ,44b ,44c erhitzt wurde, aber ähnliche Wirkungen können durch ein anderes Verfahren erreicht werden, zum Beispiel durch Bildung des ersten, zweiten und dritten Kontaktloches43a ,43b ,43c wie in7 gezeigt, Erhitzen in Stickstoff, Argon, deren Gemisch oder in Vakuum, um Wasserstoff oder Wasserstoffverbindungen aus dem Kondensatordielektrikum39 zu entfernen, und nachfolgendes Erhitzen unter Verwendung von Sauerstoff oder Sauerstoffmischungen mit Stickstoff, Argon oder dergleichen, um dem Kondensatordielektrikum39 Sauerstoff zuzuführen. In diesem Falle wird bevorzugt, eine Schicht, die mit einem anderen Verfahren als Plasma-CVD gebildet wurde, als die zweite isolierende Zwischenschicht59 zu verwenden. In diesem Falle ist die im obigen Herstellungsverfahren erforderliche Hitzebehandlung vor und nach Bildung der Zuleitungen44a ,44b ,44e nicht nötig. - In dieser Ausführungsform wurde ein Beispiel erklärt, bei dem eine dem Kondensator
41 entsprechende Öffnung60 in der zweiten isolierenden Zwischenschicht59 gebildet wurde, aber die Öffnung60 kann auch der oberen Elektrode40 des Kondensators41 entsprechend vorgesehen werden, und es ist möglich, während der Hitzebehandlung Wasserstoff oder Wasserstoffverbindungen aus dem Kondensatordielektrikum39 freizusetzen.
Claims (2)
- Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement, mit: einem Schritt, einen Kondensator (
41 ) auf einer Isolationsschicht (37 ) eines Halbleitersubstrats, in dem ein integrierter Schaltkreis (36 ) aufgebaut ist, zu bilden, wobei der Kondensator eine aus einer leitenden Schicht bestehende untere Elektrode (38 ), ein entweder aus einer ferroelektrischen Schicht oder einer dielektrischen Schicht hoher Dielektrizitätskonstante bestehendes, auf der unteren Elektrode gebildetes Kondensatordielektrikum (39 ) und eine aus einer leitenden Schicht bestehende, auf dem Kondensatordielektrikum gebildete obere Elektrode (40 ) umfasst, einem Schritt, durch Bedecken des Kondensators eine isolierende Zwischenschicht (46 ) zu bilden, einem Schritt, durch die Isolationsschicht und die isolierende Zwischenschicht Kontaktlöcher (43a ,43b ,43c ) zum integrierten Schaltkreis, zur oberen Elektrode und zur unteren Elektrode des Kondensators zu bilden, einem Schritt, Zuleitungen (44a ,44b ,44c ) zur elektrischen Verbindung mit dem integrierten Schaltkreis und dem Kondensator durch die Kontaktlöcher hindurch zu bilden, und einem Schritt, durch Bedecken der Zuleitungen und des Halbleiterbauelements eine Passivierungsschicht (55 ) zu bilden, dadurch gekennzeichnet, dass vor der Bildung dieser Passivierungsschicht (55 ) eine zweite isolierende Zwischenschicht (59 ) gebildet wird, um die Zuleitungen und das Halbleiterbauelement zu bedecken, und nachfolgend die zweite isolierende Zwischenschicht (59 ) über der oberen Elektrode des Kondensators weggenommen wird, um eine Öffnung (60 ) zu bilden, und nach Bildung der Öffnung und vor Bildung der Passivierungsschicht der Kondensator einer Hitzebehandlung unterworfen wird, um Wasserstoff oder Wasserstoffverbindungen aus dem Kondensatordielektrikum (39 ) zu entfernen. - Herstellungsverfahren für das Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, worin der Schritt der Hitzebehandlung des Kondensators aus einem ersten Schritt des Erhitzens in Inertgas oder Vakuum und einem zweiten Schritt des Erhitzens in sauerstoffhaltigem Gas besteht.
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5194618A JP2960287B2 (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP19461893 | 1993-08-05 | ||
JP19461793 | 1993-08-05 | ||
JP5194617A JP2845727B2 (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
JP2651494 | 1994-02-24 | ||
JP6026514A JP2912816B2 (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP5555294 | 1994-03-25 | ||
JP06055552A JP3110605B2 (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69433245D1 DE69433245D1 (de) | 2003-11-20 |
DE69433245T2 true DE69433245T2 (de) | 2004-07-22 |
Family
ID=27458511
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69432643T Expired - Fee Related DE69432643T2 (de) | 1993-08-05 | 1994-08-03 | Halbleiterbauelement mit Kondensator |
DE69426208T Expired - Fee Related DE69426208T2 (de) | 1993-08-05 | 1994-08-03 | Halbleiterbauelement mit Kondensator und dessen Herstellungsverfahren |
DE69433245T Expired - Fee Related DE69433245T2 (de) | 1993-08-05 | 1994-08-03 | Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Kondensator von hoher dielektrischer Konstante |
DE69434606T Active DE69434606T8 (de) | 1993-08-05 | 1994-08-03 | Halbleiterbauelement mit Kondensator und dessen Herstellungsverfahren |
DE69433244T Expired - Fee Related DE69433244T2 (de) | 1993-08-05 | 1994-08-03 | Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Kondensator von hoher dielektrischer Konstante |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69432643T Expired - Fee Related DE69432643T2 (de) | 1993-08-05 | 1994-08-03 | Halbleiterbauelement mit Kondensator |
DE69426208T Expired - Fee Related DE69426208T2 (de) | 1993-08-05 | 1994-08-03 | Halbleiterbauelement mit Kondensator und dessen Herstellungsverfahren |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69434606T Active DE69434606T8 (de) | 1993-08-05 | 1994-08-03 | Halbleiterbauelement mit Kondensator und dessen Herstellungsverfahren |
DE69433244T Expired - Fee Related DE69433244T2 (de) | 1993-08-05 | 1994-08-03 | Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Kondensator von hoher dielektrischer Konstante |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US5624864A (de) |
EP (6) | EP0642167A3 (de) |
KR (1) | KR0157099B1 (de) |
CN (2) | CN1038210C (de) |
DE (5) | DE69432643T2 (de) |
Families Citing this family (100)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69333864T2 (de) * | 1992-06-12 | 2006-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Kondensator |
JP3045928B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2000-05-29 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH0870105A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP3246274B2 (ja) * | 1995-06-22 | 2002-01-15 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
JP3417167B2 (ja) | 1995-09-29 | 2003-06-16 | ソニー株式会社 | 半導体メモリ素子のキャパシタ構造及びその形成方法 |
US5571746A (en) * | 1995-10-19 | 1996-11-05 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. | Method of forming a back end capacitor with high unit capacitance |
US5708559A (en) * | 1995-10-27 | 1998-01-13 | International Business Machines Corporation | Precision analog metal-metal capacitor |
CN1142587C (zh) * | 1996-04-19 | 2004-03-17 | 松下电器产业株式会社 | 半导体器件 |
JP3432997B2 (ja) * | 1996-04-23 | 2003-08-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置に使用する絶縁膜 |
JPH09298289A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Fujitsu Ltd | 酸化物誘電体積層構造の製造方法及び電子回路装置 |
JP3027941B2 (ja) * | 1996-05-14 | 2000-04-04 | 日本電気株式会社 | 誘電体容量素子を用いた記憶装置及び製造方法 |
US6815762B2 (en) * | 1997-05-30 | 2004-11-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same including spacers on bit lines |
JP2954877B2 (ja) * | 1996-06-18 | 1999-09-27 | 松下電子工業株式会社 | 容量素子の製造方法 |
US6027947A (en) * | 1996-08-20 | 2000-02-22 | Ramtron International Corporation | Partially or completely encapsulated top electrode of a ferroelectric capacitor |
EP0837504A3 (de) * | 1996-08-20 | 1999-01-07 | Ramtron International Corporation | Teilweise oder ganz eingekapselte ferroelektrische Anordnung |
US5990513A (en) | 1996-10-08 | 1999-11-23 | Ramtron International Corporation | Yield enhancement technique for integrated circuit processing to reduce effects of undesired dielectric moisture retention and subsequent hydrogen out-diffusion |
TW468253B (en) | 1997-01-13 | 2001-12-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
US5750419A (en) * | 1997-02-24 | 1998-05-12 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device having a ferroelectric capacitor |
JP3257587B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2002-02-18 | 日本電気株式会社 | 誘電体膜を用いた半導体装置の製造方法 |
JP3149817B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2001-03-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
TW396454B (en) * | 1997-06-24 | 2000-07-01 | Matsushita Electrics Corporati | Semiconductor device and method for fabricating the same |
JP3484324B2 (ja) * | 1997-07-29 | 2004-01-06 | シャープ株式会社 | 半導体メモリ素子 |
JP3090198B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2000-09-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の構造およびその製造方法 |
JP3424900B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2003-07-07 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5866449A (en) * | 1997-10-27 | 1999-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of making polysilicon-via structure for four transistor, triple polysilicon layer SRAM cell including two polysilicon layer load resistor |
US5923970A (en) * | 1997-11-20 | 1999-07-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of fabricating a ferrolelectric capacitor with a graded barrier layer structure |
TW457555B (en) * | 1998-03-09 | 2001-10-01 | Siemens Ag | Surface passivation using silicon oxynitride |
US5946567A (en) * | 1998-03-20 | 1999-08-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for making metal capacitors for deep submicrometer processes for semiconductor integrated circuits |
US6229167B1 (en) * | 1998-03-24 | 2001-05-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US6225156B1 (en) * | 1998-04-17 | 2001-05-01 | Symetrix Corporation | Ferroelectric integrated circuit having low sensitivity to hydrogen exposure and method for fabricating same |
KR100292942B1 (ko) * | 1998-04-18 | 2001-07-12 | 윤종용 | 강유전체메모리장치의제조방법 |
US6093585A (en) * | 1998-05-08 | 2000-07-25 | Lsi Logic Corporation | High voltage tolerant thin film transistor |
US6060389A (en) * | 1998-05-11 | 2000-05-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor fabrication employing a conformal layer of CVD deposited TiN at the periphery of an interconnect |
US6040227A (en) * | 1998-05-29 | 2000-03-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | IPO deposited with low pressure O3 -TEOS for planarization in multi-poly memory technology |
US6232131B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-05-15 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device with ferroelectric capacitors including multiple annealing steps |
JP2000021892A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6300672B1 (en) * | 1998-07-22 | 2001-10-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Silicon oxynitride cap for fluorinated silicate glass film in intermetal dielectric semiconductor fabrication |
US6586790B2 (en) * | 1998-07-24 | 2003-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6509601B1 (en) | 1998-07-31 | 2003-01-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device having capacitor protection layer and method for manufacturing the same |
US6046490A (en) * | 1998-08-10 | 2000-04-04 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device having a capacitor dielectric element and wiring layers |
JP3114710B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2000-12-04 | 日本電気株式会社 | 強誘電体メモリ及びその製造方法 |
TW434877B (en) | 1998-12-03 | 2001-05-16 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor memory device and method for manufacturing the same |
US6300190B1 (en) * | 1998-12-09 | 2001-10-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
JP2000183296A (ja) * | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US6359328B1 (en) * | 1998-12-31 | 2002-03-19 | Intel Corporation | Methods for making interconnects and diffusion barriers in integrated circuits |
DE19904379A1 (de) * | 1999-02-03 | 2000-08-17 | Siemens Ag | Mikroelektronische Struktur |
KR100280288B1 (ko) * | 1999-02-04 | 2001-01-15 | 윤종용 | 반도체 집적회로의 커패시터 제조방법 |
US6171899B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-01-09 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating a capacitor |
US6232197B1 (en) * | 1999-04-07 | 2001-05-15 | United Microelectronics Corp, | Metal-insulator-metal capacitor |
US6255122B1 (en) | 1999-04-27 | 2001-07-03 | International Business Machines Corporation | Amorphous dielectric capacitors on silicon |
US6388285B1 (en) | 1999-06-04 | 2002-05-14 | International Business Machines Corporation | Feram cell with internal oxygen source and method of oxygen release |
JP2001057426A (ja) * | 1999-06-10 | 2001-02-27 | Fuji Electric Co Ltd | 高耐圧半導体装置およびその製造方法 |
KR100329781B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2002-03-25 | 박종섭 | 수소확산을 방지할 수 있는 강유전체 메모리 소자 제조 방법 |
JP2001015696A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Nec Corp | 水素バリヤ層及び半導体装置 |
US6225681B1 (en) * | 1999-09-07 | 2001-05-01 | Conexant Systems, Inc. | Microelectronic interconnect structures and methods for forming the same |
JP3950290B2 (ja) * | 1999-09-10 | 2007-07-25 | 三星電子株式会社 | キャパシタ保護膜を含む半導体メモリ素子及びその製造方法 |
US6251724B1 (en) * | 1999-11-01 | 2001-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to increase the clear ration of capacitor silicon nitride to improve the threshold voltage uniformity |
US6245683B1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-06-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Stress relieve pattern for damascene process |
DE10000005C1 (de) * | 2000-01-03 | 2001-09-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines ferroelektrischen Halbleiterspeichers |
JP2001284526A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-12 | Nec Yamagata Ltd | 半導体集積回路用mim容量装置 |
JP2001284347A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Sales Co Inc | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
US6483044B1 (en) * | 2000-08-23 | 2002-11-19 | Micron Technology, Inc. | Interconnecting substrates for electrical coupling of microelectronic components |
DE10041685C2 (de) | 2000-08-24 | 2002-06-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen Bauelements |
JP4025829B2 (ja) * | 2000-09-18 | 2007-12-26 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6750113B2 (en) * | 2001-01-17 | 2004-06-15 | International Business Machines Corporation | Metal-insulator-metal capacitor in copper |
DE10121657B4 (de) * | 2001-05-03 | 2010-02-11 | Qimonda Ag | Mikroelektronische Struktur mit Wasserstoffbarrierenschicht |
US7285010B2 (en) * | 2001-05-15 | 2007-10-23 | Ebara Corporation | TDI detecting device, a feed-through equipment and electron beam apparatus using these devices |
TW548860B (en) * | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP3839281B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2006-11-01 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
US20030103022A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-06-05 | Yukihiro Noguchi | Display apparatus with function for initializing luminance data of optical element |
JP2003152165A (ja) | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003186437A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003255899A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP3953330B2 (ja) | 2002-01-25 | 2007-08-08 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP3723507B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2005-12-07 | 三洋電機株式会社 | 駆動回路 |
JP2003295825A (ja) * | 2002-02-04 | 2003-10-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003308030A (ja) | 2002-02-18 | 2003-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
US6610262B1 (en) * | 2002-03-04 | 2003-08-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Depletion mode SCR for low capacitance ESD input protection |
JP2003258094A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 配線構造、その製造方法、および表示装置 |
JP2003257645A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2003332058A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-11-21 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
CN100517422C (zh) * | 2002-03-07 | 2009-07-22 | 三洋电机株式会社 | 配线结构、其制造方法、以及光学设备 |
JP3671012B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2005-07-13 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP3837344B2 (ja) * | 2002-03-11 | 2006-10-25 | 三洋電機株式会社 | 光学素子およびその製造方法 |
JP3847683B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2006-11-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20040120097A1 (en) * | 2002-12-23 | 2004-06-24 | Chambers Stephen T. | Methods of forming metal-insulator-metal capacitors |
US7019352B2 (en) * | 2003-08-07 | 2006-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Low silicon-hydrogen sin layer to inhibit hydrogen related degradation in semiconductor devices having ferroelectric components |
KR100558006B1 (ko) * | 2003-11-17 | 2006-03-06 | 삼성전자주식회사 | 니켈 샐리사이드 공정들 및 이를 사용하여 반도체소자를제조하는 방법들 |
JP2006344783A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007142109A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Tdk Corp | 電子部品 |
US7696603B2 (en) * | 2006-01-26 | 2010-04-13 | Texas Instruments Incorporated | Back end thin film capacitor having both plates of thin film resistor material at single metallization layer |
JP4823833B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2011-11-24 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 電子装置の製造方法および電子装置の制御方法 |
US7833456B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-11-16 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for compressing an encapsulant adjacent a semiconductor workpiece |
US20080223975A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Miroslav Planeta | Reversible surface winder |
US9092582B2 (en) | 2010-07-09 | 2015-07-28 | Cypress Semiconductor Corporation | Low power, low pin count interface for an RFID transponder |
US8723654B2 (en) | 2010-07-09 | 2014-05-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Interrupt generation and acknowledgment for RFID |
US9846664B2 (en) | 2010-07-09 | 2017-12-19 | Cypress Semiconductor Corporation | RFID interface and interrupt |
US8373215B2 (en) * | 2010-10-25 | 2013-02-12 | Texas Instruments Incorporated | Zero temperature coefficient capacitor |
US10367089B2 (en) | 2011-03-28 | 2019-07-30 | General Electric Company | Semiconductor device and method for reduced bias threshold instability |
DE102016117239A1 (de) * | 2016-09-14 | 2018-03-15 | USound GmbH | Verfahren und Schaltung zum Betreiben eines Piezo-Bauteils sowie einen integrierten Schaltkreis mit einer derartigen Schaltung |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE234384C (de) * | ||||
US3481781A (en) * | 1967-03-17 | 1969-12-02 | Rca Corp | Silicate glass coating of semiconductor devices |
DE2517743C3 (de) * | 1975-04-22 | 1980-03-06 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz | Passivierender Schutzüberzug für Siliziumhalbleiterbauelemente |
US4091407A (en) * | 1976-11-01 | 1978-05-23 | Rca Corporation | Combination glass/low temperature deposited Siw Nx Hy O.sub.z |
US4371587A (en) * | 1979-12-17 | 1983-02-01 | Hughes Aircraft Company | Low temperature process for depositing oxide layers by photochemical vapor deposition |
DE3013866C2 (de) * | 1980-04-10 | 1984-01-12 | Allit-Plastikwerk Kimnach & Co, 6550 Bad Kreuznach | Vorrichtung zum Deponieren einer Vielzahl gleichförmiger Waren und zum Darbieten der Waren als Einzelstücke für die Entnahme |
CA1204527A (en) * | 1982-08-13 | 1986-05-13 | Theodore F. Retajczyk, Jr. | Polymeric films for electronic circuits |
JPS59110122A (ja) | 1982-12-15 | 1984-06-26 | Nec Corp | 窒化膜を有する半導体集積回路装置 |
JPS6014462A (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ素子 |
JPS6116562A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-24 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
US4692786A (en) * | 1985-02-07 | 1987-09-08 | Lindenfelser Timothy M | Semi-conductor device with sandwich passivation coating |
US4901133A (en) * | 1986-04-02 | 1990-02-13 | Texas Instruments Incorporated | Multilayer semi-insulating film for hermetic wafer passivation and method for making same |
US4772985A (en) * | 1986-09-24 | 1988-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thick film capacitor |
JPH0752772B2 (ja) * | 1986-11-22 | 1995-06-05 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置の製法 |
US5046043A (en) * | 1987-10-08 | 1991-09-03 | National Semiconductor Corporation | Ferroelectric capacitor and memory cell including barrier and isolation layers |
US5065222A (en) * | 1987-11-11 | 1991-11-12 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor device having two-layered passivation film |
JPH01265524A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPH0210856A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH02144915A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JPH02184079A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-18 | Seiko Epson Corp | 強誘電体記憶装置の形成法 |
KR940006708B1 (ko) * | 1989-01-26 | 1994-07-25 | 세이꼬 엡슨 가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2830019B2 (ja) * | 1989-03-07 | 1998-12-02 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
EP0396221B1 (de) * | 1989-05-05 | 1995-09-27 | Ramtron International Corporation | Integrierter ferro-elektrischer Kondensator |
JPH03198338A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-29 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 気相成長膜の形成方法および半導体装置 |
US5128279A (en) * | 1990-03-05 | 1992-07-07 | Vlsi Technology, Inc. | Charge neutralization using silicon-enriched oxide layer |
JPH0482265A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0485878A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP3131982B2 (ja) * | 1990-08-21 | 2001-02-05 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、半導体メモリ及び半導体装置の製造方法 |
KR100266046B1 (ko) * | 1990-09-28 | 2000-09-15 | 야스카와 히데아키 | 반도체장치 |
TW214599B (de) * | 1990-10-15 | 1993-10-11 | Seiko Epson Corp | |
DE69213094T2 (de) * | 1991-05-08 | 1997-03-06 | Philips Electronics Nv | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Kondensator mit einem ferroelektrischen Dieletrikum und Halbleiteranordnung mit einem derartigen Kondensator |
US5139971A (en) * | 1991-06-07 | 1992-08-18 | Intel Corporation | Anneal to decrease moisture absorbance of intermetal dielectrics |
JPH05166946A (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH05190799A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-07-30 | Sharp Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
EP0557937A1 (de) * | 1992-02-25 | 1993-09-01 | Ramtron International Corporation | Ozongasverarbeitung für ferroelektrischen Speicherschaltungen |
JPH05243223A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Fujitsu Ltd | 集積回路装置の製造方法 |
JPH0685173A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-03-25 | Toshiba Corp | 半導体集積回路用キャパシタ |
US5350705A (en) * | 1992-08-25 | 1994-09-27 | National Semiconductor Corporation | Ferroelectric memory cell arrangement having a split capacitor plate structure |
US5439840A (en) * | 1993-08-02 | 1995-08-08 | Motorola, Inc. | Method of forming a nonvolatile random access memory capacitor cell having a metal-oxide dielectric |
US5622893A (en) * | 1994-08-01 | 1997-04-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming conductive noble-metal-insulator-alloy barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes |
US5576240A (en) * | 1994-12-09 | 1996-11-19 | Lucent Technologies Inc. | Method for making a metal to metal capacitor |
US5571746A (en) * | 1995-10-19 | 1996-11-05 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. | Method of forming a back end capacitor with high unit capacitance |
US5593914A (en) * | 1996-03-19 | 1997-01-14 | Radiant Technologies, Inc. | Method for constructing ferroelectric capacitor-like structures on silicon dioxide surfaces |
KR100258979B1 (ko) * | 1997-08-14 | 2000-06-15 | 윤종용 | 유전막을 수소 분위기에서 열처리하는 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
-
1994
- 1994-08-03 EP EP94112106A patent/EP0642167A3/de not_active Ceased
- 1994-08-03 EP EP96110011A patent/EP0738013B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-03 EP EP96110018A patent/EP0736905B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-03 EP EP96110012A patent/EP0738009B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-03 EP EP96110010A patent/EP0739037B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-03 EP EP96110013A patent/EP0738014B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-03 DE DE69432643T patent/DE69432643T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-03 DE DE69426208T patent/DE69426208T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-03 DE DE69433245T patent/DE69433245T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-03 DE DE69434606T patent/DE69434606T8/de active Active
- 1994-08-03 DE DE69433244T patent/DE69433244T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-04 KR KR1019940019245A patent/KR0157099B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-08-04 US US08/284,984 patent/US5624864A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-05 CN CN94109461A patent/CN1038210C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-28 US US08/844,108 patent/US5780351A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-27 CN CN97121332A patent/CN1107345C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-04 US US09/071,122 patent/US6015987A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-04 US US09/071,534 patent/US6169304B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-04 US US09/071,795 patent/US6333528B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-04 US US09/071,121 patent/US6107657A/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-06-08 US US09/589,520 patent/US6294438B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69433245T2 (de) | Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Kondensator von hoher dielektrischer Konstante | |
DE69529942T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem kapazitiven Element | |
DE19825736C2 (de) | Verfahren zum Bilden eines Kondensators einer Halbleitervorrichtung | |
DE69503532T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE10163345B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement | |
DE69319759T2 (de) | Verfahren zum schnellen Plasma-Hydrogenieren für MOSFET aus Polysilizium | |
DE4140180C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung | |
DE3038187A1 (de) | Halbleiter-speichervorrichtung | |
DE10131716B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für eine Halbleiterspeichervorrichtung durch eine zweistufige Thermalbehandlung | |
EP1113493A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines ferroelektrischen Halbleiterspeichers | |
DE19640246A1 (de) | Halbleiteranordnung mit geschützter Barriere für eine Stapelzelle | |
DE10146013A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP1128428A2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE10228528B4 (de) | Diffusionssperrfilm und dessen Herstellungsverfahren, Halbleiterspeicher und dessen Herstellungsverfahren | |
DE69420791T2 (de) | Dünnfilm-Halbleiteranordnung für Anzeigetafel mit aktiver Matrix und Verfahren zur Herstellung | |
DE10224167A1 (de) | Ein Halbleiterelement mit einer Kupferleitung mit erhöhter Widerstandsfähigkeit gegen Elektromigration und ein Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE3304255A1 (de) | Halbleitersubstrat und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung unter verwendung dieses substrats | |
DE3851271T2 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Kondensator und einer vergrabenen Passivierungsschicht. | |
DE69810422T2 (de) | Ferroelektrisches Bauelement für integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zur Herstellung | |
DE102005024944B3 (de) | Kontaktstruktur für einen Stack-DRAM-Speicherkondensator | |
DE4426121B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung | |
EP0912995B1 (de) | Halbleiterbauelement mit niedrigem kontaktwiderstand zu hochdotierten gebieten | |
DE19645434A1 (de) | Verfahren zum Bilden einer Metallverdrahtung einer Halbleitervorrichtung | |
DE10335391A1 (de) | Herstellungsverfahren für ein Flash-Speicherbauteil | |
DE19637458A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Zwischenschichtisolationsfilms einer Halbleitervorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |