DE69432643T2

DE69432643T2 - Halbleiterbauelement mit Kondensator

Info

Publication number: DE69432643T2
Application number: DE69432643T
Authority: DE
Inventors: Koji Osaka-shi Arita; Eiji Ibaraki-shi Fujii; Yasuhiro Shimamoto-cho Shimada; Yasuhiro Otsu-shi Uemoto; Atsu Oyamazaki-cho Inoue; Toru Kyoto-shi Nasu; Akihiro Suita-shi Matsuda; Yoshihisa Suita-shi Nagano; Taketoshi Takatsuki-shi Matsuura; Tatsuo Takatsuki-shi Otsuki
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-08-05
Filing date: 1994-08-03
Publication date: 2004-04-08
Anticipated expiration: 2014-08-04
Also published as: EP0738013A3; EP0738009B1; US6015987A; EP0738014A3; EP0736905A2; CN1038210C; DE69432643D1; EP0738013A2; US6294438B1; EP0642167A2; US5780351A; DE69434606T8; EP0739037A2; EP0738014A2; EP0738009A3; EP0736905B1; EP0738009A2; US5624864A; DE69433244T2; DE69434606T2

Description

ERFINDUNGSGEBIET
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einer ferroelektrischen oder stark dielelektrischen Schicht als Kondensatordielektrikumsschicht.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Entsprechend dem Trend zu einer höheren Geschwindigkeit und einer geringeren Leistungsaufnahme von Halbleiterbauelementen, wie zum Beispiel Mikrorechnern und digitalen Signalprozessoren, werden seit kurzem elektronische Gebrauchsartikel in ihrer Leistung zunehmend vervollkommnet, wobei jedoch eine elektromagnetische Störung, die in einem von diesen elektronischen Geräten ausgehenden elektromagnetischen Rauschen besteht, ein ernstes Problem verursacht. Demzufolge werden nicht nur in den elektronischen Geräten, sondern auch in den darin eingesetzten elektronischen Bauelementen Maßnahmen gegen die elektromagnetische Störung gefordert. Die effektivste Maßnahme gegen die elektromagnetische Störung im Halbleiterbauelement ist der Einbau eines Kondensators mit einer großen Kapazität zwischen der Vorspannungsleitung und der Masseleitung innerhalb des Halbleiterbauelements; bislang wurde der Kondensator außerhalb des Halbleiterbauelements angeordnet.
Darüber hinaus sind vor kurzem nichtflüchtige Speicher mit wahlfreiem Zugriff in einer einfachen Konstruktion mit Kondensator, in denen als Kondensatordielektrikumsschicht eine ferroelektrische Schicht verwendet wird, und dynamische Speicher mit wahlfreiem Zugriff mit Kondensator, in denen eine dielektrische Schicht mit einer großen Dielektrizitätskonstanten als Speicherkondensator dient, entwickelt worden.
Ein herkömmliches Halbleiterbauelement mit Kondensator wird im Folgenden ausführlich beschrieben.
1 ist eine Teilquerschnittsansicht eines repräsentativen Halbleiterbauelements. In 1 ist auf einem Siliziumsubstrat 1 in einem Bereich, der durch ein Feldoxidgebiet 2 umschlossen wird, ein integrierter Schaltkreis 6 angeordnet, der durch aktive Source/Drain- Bereiche 3, ein Gateoxid 4 und eine Gate-Elektrode 5 gegeben ist. Ferner wurde auf dem Siliziumsubstrat 1 eine Isolationsschicht 7 hergestellt, und in einem bestimmten Bereich wurde ein Kondensator 11 auf der Isolationsschicht 7 ausgebildet, der aus einer unteren Elektrode 8, einer Kondensatordielektrikumsschicht 9 und einer oberen Elektrode 10 besteht. Mindestens zum Abdecken des Kondensators 11 wurde außerdem eine Isolationszwischenschicht 12 ausgebildet. Angeordnet wurden auch Verbindungsleitungen 14a, die durch ein erstes Kontaktloch 13a mit den aktiven Source/Drain- Bereichen 3 verbunden sind, eine Verbindungsleitung 14b, die durch ein zweites Kontaktloch 13b mit der unteren Elektrode 8 des Kondensators 11 verbunden ist, und eine Verbindungsleitung 14c, die durch ein drittes Kontaktloch 13c mit der oberen Elektrode 10 des Kondensators 11 verbunden ist. Darüber hinaus ist zum Schutz der Verbindungsleitungen 14a, 14b, 14c eine Passivierungsschicht 15 vorgesehen.
Ein Herstellungsverfahren des in 1 dargestellten herkömmlichen Halbleiterbauelements mit Kondensator wird im Weiteren mit Bezug auf den in 2 dargestellten Ablaufplan des Herstellungsprozesses sowie mit Bezug auf 1 erläutert. Zunächst wird im Schritt (1) der integrierte Schaltkreis 6 auf dem Siliziumsubstrat 1 hergestellt. Im Schritt (2) wird eine Isolationsschicht 7 auf einem Siliziumsubstrat 1 hergestellt. Im Schritt (3) wird ein Kondensator 11 auf der Isolationsschicht 7 ausgebildet. Dieser Kondensator 11 entsteht durch aufeinanderfolgendes Abscheiden einer ersten leitfähigen Schicht als unterer Elektrode 8, einer Kondensatordielektikumsschicht 9 und einer zweiten leitfähigen Schicht als oberer Elektrode 10 sowie durch die entsprechende Formgebung mittels Ätzen. Als Kondensatordielektrikumsschicht 9 dient eine ferroelektrische Schicht oder eine stark dielektrische Schicht, als untere Elektrode 8 und obere Elektrode 10 wird ein Zweischichtsystem bestehend aus einer Platinschicht und einer Titanschicht verwendet, das die Kondensatordielektrikumsschicht 9 sequentiell von der Seite her kontaktiert. Im Schritt (4) wird eine Isolationszwischenschicht 12, die aus PSG (Phosphosilikatglas) besteht, mittels CVD so ausgebildet, dass zumindest der Kondensator 11 bedeckt ist. Im Schritt (5) werden ein erstes Kontaktloch 13a, das zu den aktiven Source/Drain-Gebieten 3 des integrierten Schaltkreises 6 führt, ein zweites Kontaktloch 13b, das zu der unteren Elektrode 8 des Kondensators 11 führt, und ein drittes Kontaktloch 13c, das zu der oberen Elektrode 10 des Kondensators 11 führt, hergestellt. Nach der Herstellung der Verbindungsleitungen 14a, 14b, 14c im Schritt (6) wird mittels Plasma-CVD im Schritt (7) eine Passivierungsschicht 15 ausgebildet, die aus einer Siliziumnitridschicht oder einer Siliziumoxinitridschicht mit einem hohen Feuchtewiderstand besteht.
In einem derartigen herkömmlichen Halbleiterbauelement mit Kondensator, in dem eine PSG-Schicht als Isolationszwischenschicht 12 dient, wird das Ziel einer Minderung der Beanspruchung des Kondensators 11 zwar erreicht, die bei der Herstellung der PSG-Schicht mittels CVD erzeugte Feuchtigkeit wird jedoch durch die PSG-Schicht absorbiert, und diese Feuchtigkeit diffundiert in die ferroelektrische Schicht, welche die Kondensatordielektrikumsschicht bildet, und setzt damit den elektrischen Widerstand herab. Dieses Phänomen führt zu einem Ansteigen des Kriechstroms des Kondensators 11 oder zu einer Abnahme der dielektrischen Durchschlagfestigkeit, was einen dielektrischen Durchschlag der Kondensatordielektrikumsschicht 9 hervorrufen kann. In einem solchen Halbleiterbauelement mit Kondensator wurde als eine Passivierungsschicht 15 bisher eine durch Plasma-CVD erzeugte Siliziumnitrid– oder Siliziumoxinitridschicht verwendet, und obwohl ein Eindringen von Feuchtigkeit von außen in den Kondensator 11 verhindert werden kann, wird beim Schichtherstellungsprozess mittels Plasma-CVD aktivierter Wasserstoff erzeugt, und dieser aktivierte Wasserstoff kann in die ferroelektrische oder stark dielektrische Schicht, welche die Kondensatordielektrikumsschicht 9 bildet, diffundieren, was zu einem Anstieg des Kriechstroms des Kondensators 11 oder zu einer Verschlechterung der elektrischen Charakteristik führen kann. Im Allgemeinen liegt der Gehalt an Wasserstoffatomen in der durch Plasma-CVD hergestellten Nitridschicht in einer Größenordnung von 10²² Atomen/cm³, und durch Wärmebehandlung nach der Schichtherstellung wird die Diffusion von Wasserstoff in die Kondensatordielektrikumsschicht 9 beschleunigt, und die Charakteristik des Kondensators 11 wird weiter verschlechtert.
Es kann auf EP-A-0514547 und auf EP-A-0513894 Bezug genommen werden.
DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung wird durch die Patentansprüche definiert. Es ist ein Vorzug der vorliegenden Erfindung, dass sie ein Halbleiterbauelement mit einem Kondensator hoher Zuverlässigkeit bereitstellen kann.
Im Halbleiterbauelement der vorliegenden Erfindung wird auf der auf dem Kondensator aufgebrachten Isolationszwischenschicht eine Titannitridschicht oder eine Titan-Wolfram-Schicht in einer Form ausgebildet, dass sie den Kondensator bedeckt.
In dieser Bauform haftet die Titannitrid- oder Titan-Wolfram-Schicht gut an der Isolationszwischenschicht und ist dicht, so dass das Eindringen von Wasser in den Kondensator verhindert wird und eine Qualitätsminderung des Kondensators nicht eintritt. Über diese Anordnung hinaus kann durch Ausbilden einer Siliziumnitridschicht in einem anderen Bereich als dem Kondensator ein Eindringen von Feuchtigkeit vermieden werden, ohne den Kondensator zu beanspruchen, und die anderen Bereiche können vollständig durch die Siliziumnitridschicht geschützt werden.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist eine Teilquerschnittsansicht, in der die Struktur der Hauptbestandteile eines herkömmlichen Halbleiterbauelements mit Kondensator dargestellt ist.
2 ist ein Ablaufplan zur Erläuterung eines herkömmlichen Herstellungsverfahrens eines Halbleiterbauelements mit Kondensator.
3 ist ein Teilquerschnittsansicht, in der die Struktur der Hauptbestandteile eines Halbleiterbauelements mit Kondensator nach Beispiel 1 dargestellt ist.
4 ist ein Ablaufplan zur Erläuterung eines Herstellungsverfahrens eines Halbleiterbauelements mit Kondensator in Beispiel 1.
5 ist ein Diagramm, das die Temperaturabhängigkeit des Freisetzens von Feuchte durch einer PSG-Schicht darstellt.
6 ist ein Diagramm, das die elektrische Zuverlässigkeit des Halbleiterbauelements mit Kondensator in Beispiel 1 darstellt.
7 ist eine Teilquerschnittsansicht, in der die Struktur der Hauptbestandteile eines Halbleiterbauelements mit Kondensator in Beispiel 2 dargestellt ist.
8, 9 und 10 sind Teilquerschnittsansichten, in denen ein Herstellungsverfahren eines Halbleiterbauelements mit Kondensator in Beispiel 2 dargestellt ist, wobei 8 eine schematische. Darstellung ist, das den Zustand bei der Ausbildung der Verbindungsleitungen zeigt, indem ein Kondensator auf einer Isolationsschicht eines Halbleitersubstrats mit darin ausgebildetem integrierten Schaltkreis erzeugt wird, eine Isolationszwischenschicht auf dem Kondensator hergestellt wird und die Kontaktlöcher ausgebildet werden, 9 ist eine schematische Darstellung, das den Zustand bei der Ausbildung einer Passivierungsschicht zum Schutz der Verbindungsleitungen darstellt, und 10 ist eine schematische Darstellung, das den Zustand bei der Ausbildung einer zweiten Passivierungsschicht zusätzlich auf der Passivierungsschicht von 9 darstellt.
11 ist ein Messdiagramm des Kondensatorkriechstroms bei jedem Schritt nach der Herstellung der Verbindungsleitungen des Halbleiterbauelements mit Kondensator in Beispiel 2.
12 ist eine schematische Darstellung der Beziehung zwischen der an den Kondensator angelegten Spannung und der Zeit bis zum Durchschlag bei jedem Schritt nach der Herstellung der Verbindungsleitungen des Halbleiterbauelements mit Kondensator in Beispiel 2.
13 ist eine Teilquerschnittsansicht zur Darstellung der Struktur der Hauptbestandteile in einem Halbleiterbauelement mit Kondensator in der Ausführungsform 1 der Erfindung.
14 ist eine Teilquerschnittsansicht zur Darstellung der Struktur eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement in der Ausführungsform 2 der Erfindung.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Vor der Beschreibung der zwei Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements werden wir zwei Beispiele von Halbleitern beschreiben, die in 3 und 7 dargestellt sind. Beispiel 1 In einem in 3 dargestellten Halbleiterbauelement ist eine isolierende Oxidschicht 32 auf einem Siliziumsubstrat 31 ausgebildet, und in einem Bereich, der von der isolierenden Oxidschicht 32 umfasst wird, ist ein integrierter Schaltkreis 36 ausgebildet, der durch einen Transistor verkörpert wird, welcher aus einer Diffusionszone 33, einer Gate-Isolationsschicht 34 und einer Gate-Elektrode 35 besteht.
Auf dem Siliziumsubstrat 31 ist eine aus einer Siliziumoxidschicht bestehende Isolationsschicht 37 ausgebildet, und auf der Isolationsschicht 37 ist ein Kondensator 41 ausgebildet, der eine untere Elektrode 38 aus einer Platin- und einer Titanschicht, eine aus einer ferroelektrischen oder stark dielektrischen Schicht bestehende Kondensatordielektrikumsschicht 39 und eine aus einer Platin- und einer Titanschicht zusammengesetzte obere Elektrode 40 umfasst. Zum Abdecken dieses Kondensators 41 ist eine Isolationszwischenschicht 42 ausgebildet, die aus einer PSG – Schicht mit einem Feuchtegehalt von 0,5 g pro 1 cm³ oder darunter gebildet wird. In dem herkömmlichen Halbleiterbauelement mit Kondensator lag der Feuchtegehalt der Isolationszwischenschicht bei 0,9 g pro 1 cm³ oder darüber.
Über dem integrierten Schaltkreis 36 ist in der Isolationsschicht 37 und der Isolationszwischenschicht 42 ein erstes Kontaktloch 43a angeordnet, das zu einer Diffusionszone 33 führt, und über dem Kondensator 41 sind in der Isolationszwischenschicht 42 ein zur unteren Elektrode 38 führendes Kontaktloch 43b sowie ein zur oberen Elektrode 40 führendes drittes Kontaktloch 43c angeordnet. Durch das erste Kontaktloch 43a ist eine mit der Diffusionsregion 33 verbundene Verbindungsleitung 44a, die aus einer Aluminium- oder Aluminiumlegierungsschicht gebildet wird, vorgesehen, und durch das zweite und dritte Kontaktloch 43b, 43c sind mit der unteren Elektrode 38 und der oberen Elektrode 40 verbundene Verbindungsleitungen 44b, 44c, die aus einer Aluminiumoder einer Aluminiumlegierungsschicht gebildet werden, vorgesehen. Zum Schutz dieser Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c ist. eine Passivierungsschicht 45 ausgebildet, die aus einer Siliziumnitrid- oder Siliziumoxinitridschicht besteht.
Bei einer derartigen Anordnung nach Beispiel 1 wird der Feuchtegehalt in der Isolationszwischenschicht 42 unter 0,5 g pro 1 cm³ gehalten, und bei einem Aufheizen in den nachfolgenden Schritten kann die Diffusion von Feuchte in die Kondensatordielektrikumsschicht 39 verhindert werden, wodurch ein Ansteigen des Kriechstromes und eine Abnahme der dielektrischen Durchschlagfestigkeit des Kondensators 41 vermieden werden kann, so dass ein Halbleiterbauelement mit dem Kondensator 41 realisiert werden kann, der hinsichtlich des elektrischen Durchschlages im Vergleich zum Stand der Technik kaum zu Problemen führt.
Ein Herstellungsverfahren eines solchen Halbleiterbauelements wird im Weiteren mit Bezug auf den in 4 im Zusammenhang mit 3 dargestellten Ablaufplan des Herstellungsverfahrens erläutert. Zunächst werden in einem Schritt (1) ein integrierter Schaltkreis 36 und anderes auf einem Siliziumsubstrat 31 erzeugt. Im Schritt (2) wird eine Isolationsschicht 37 auf dem Siliziumsubstrat 31 abgeschieden. Im Schritt (3) wird ein Kondensator 41 auf der Isolationsschicht 37 ausgebildet. Dieser Kondensator 41 wird durch aufeinanderfolgendes Abscheiden einer ersten leitfähigen Schicht als unterer Elektrode 38, einer Kondensatordielektrikumsschicht 39 und einer zweiten leitfähigen Schicht als oberer Elektrode 40 sowie durch die entsprechende Formgebung mittels Ätzen erzeugt. Als Kondensatordielektrikumsschicht 39 dient eine ferroelektrische oder eine stark dielektrische Schicht, als untere Elektrode 38 und als obere Elektrode 40 wird ein Zweischichtsystem bestehend aus einer Platinschicht und einer Titanschicht verwendet, das die Kondensatordielektrikumsschicht 39 sequentiell von der Seite her kontaktiert. Im Schritt (4) wird der Kondensator 41 erhitzt, um die Charakteristik der Kondensatordielektrikumsschicht 39 zu erhöhen und zu stabilisieren. Im Schritt (5) wird mittels CVD oder dergleichen eine aus einer PSG-Schicht ((Phosphorsilikatglas) bestehende Isolationszwischenschicht 42 zumindest zum Abdecken des Kondensators 41 aufgebracht, und im Schritt (6) wird die Isolationszwischenschicht 42 in einer Stickstoffatmosphäre erhitzt, und die in der Isolationszwischenschicht 42 enthaltene Feuchte wird auf einen Wert von nicht mehr als 0,5 g pro 1 cm³ der Isolationszwischenschicht 42 herabgesetzt.
Im Schritt (7) werden ein erstes Kontaktloch 43a, das zur Diffusionszone 33 des integrierten Schaltkreises 36 führt, sowie ein zweites und ein drittes Kontaktloch 43b und 43c, die zu der unteren Elektrode 38 bzw. der oberen Elektrode 40 des Kondensators 41 führen, hergestellt. Im Schritt (8) werden die Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c ausgebildet, und im Schritt (9) wird mittels Plasma-CVD eine Passivierungsschicht 45 abgeschieden, die aus einer Siliziumnitridschicht oder einer Siliziumoxinitridschicht mit einem hohen Feuchtewiderstand besteht.
In der obigen Anordnung und dem obigen Herstellungsverfahren wird die PSG -Schicht mittels CVD als Isolationszwischenschicht 42 ausgebildet, und die Feuchte wird aus der PSG-Schicht in einem nachfolgenden Wärmebehandlungsprozess beseitigt, aber es gibt in dieser Hinsicht keine Einschränkung, und z. B. kann eine Siliziumoxidschicht auch bei hoher Temperatur und verringertem Druck ausgebildet und die Wärmebehandlung weggelassen werden.
Im oben beschriebenen Herstellungsverfahren wird die Wärmebehandlung der Isolationszwischenschicht 42 bei Schritt (6) in 4 in Stickstoffgas ausgeführt, sie kann jedoch auch in einem Inertgas, wie z. B. Helium oder Argon oder im Vakuum ausgeführt werden.
Messergebnisse der Feuchteadsorption einer mittels CVD hergestellten PSG-Schicht werden im Folgenden mit Bezug auf 5 erläutert. Auf der Abszisse in 5 ist die Temperatur und auf der Ordinate die bei der entsprechenden Temperatur freigesetzte Feuchtemenge aufgetragen; das Verhältnis dieser Größen entspricht der Intensität der Feuchteadsorption. Wie in 5 dargestellt ist, liegt die erste Temperatur, bei der es zu einer maximalen Freisetzung von adsorbierter Feuchte durch die PSG-Schicht kommt, zwischen 300 und 350°C, ein zweites Maximum liegt zwischen 450 und 530°C. Die zum zweiten Maximum gehörende Feuchte ist an der PSG-Schicht mit einer ausreichenden Adsorptionsstärke adsorbiert und scheint die Zuverlässigkeit bei Normalbetrieb kaum zu beeinflussen. Im Gegensatz dazu reicht die Flanke des ersten Maximums bis zu niedrigen Temperaturen, und Wasser wird in einem Zustand relativ nahe der Betriebstemperatur freigesetzt, so dass es eine Verschlechterung der Kondensatordielektrikumsschicht 39 hervorzurufen scheint.
Eine Aufheizung auf 350°C oder mehr ist vorzuziehen, um das zum ersten Maximum in 4 gehörende adsorbierte Wasser unmittelbar nach dem Abscheiden der Schicht mittels CVD freizusetzen. Außerdem hat sich gezeigt, dass für die Isolationszwischenschicht 42 eine Wärmebehandlung der Siliziumoxidschicht mit weniger als 6 Gew.% Phosphor auch hinsichtlich einer Verringerung der Beanspruchung des Kondensators 41 vorzuziehen ist. Außerdem wird die obige Wärmebehandlung bei keiner höheren als der Temperatur ausgeführt, die eine Verschlechterung der Charakteristik des integrierten Schaltkreises zur Folge hat. Eine Verschlechterung tritt im Allgemeinen bei etwa 900°C ein. Es ist vorzuziehen, auf etwa 850°C oder weniger aufzuheizen.
Das Ergebnis einer Zuverlässigkeitsuntersuchung des in diesem Beispiel 1 hergestellten Kondensators 41 ist in 6 dargestellt. Als Kondensatordielektrikumsschicht 39 wurde Barium-Strontium-Titanat verwendet. Auf der Abszisse ist der Reziprokwert des auf den Kondensator 41 wirkenden elektrischen Feldes dargestellt, und die Ordinate stellt die Zeit dar, bei welcher der Kriechstrom einen spezifischen Wert erreicht. Die Gerade (a) zeigt den Kriechstrom beim Anlegen einer Spannung an den nach dem herkömmlichen Verfahren hergestellten Kondensator 41, und der Feuchtegehalt der als Isolationszwischenschicht 42 verwendeten PSG-Schicht war 0,93 g/cm³. Die Gerade (b) bezieht sich auf das Ergebnis für den in der Ausführungsform hergestellten Kondensator 41, und der Feuchtegehalt der als Isolationszwischenschicht 42 dienenden PSG-Schicht war 0,45 g/cm³. Durch einen Vergleich dieser Geraden ist bewiesen, dass der Kondensator 41 von Beispiel 1 mit dem geringeren Feuchtegehalt der Isolationszwischenschicht 42 dem herkömmlichen Muster weit überlegen ist. Gelegentlich kann der Feuchtegehalt in der PSG-Schicht 0,5 g/cm³ oder geringer sein.
Im Beispiel 1 werden nach dem Abscheiden und dem Erhitzen der Isolationszwischenschicht 42 die Kontaktlöcher 43a, 43b, 43c hergestellt, die Einordnung der Wärmebehandlung in den Ablauf – Abscheiden der Isolationszwischenschicht 42, Herstellen von Kontaktlöchern 43a, 43b, 43c und Wärmebehandlung – kann jedoch abgeändert werden. In einem solchen Fall dienen die Kontaktlöcher 43a, 43b, 43c als Lüftungslöcher, und die am Kondensator 41 adsorbierte Feuchte ist leicht freizusetzen.
In diesem Beispiel wird die Isolationszwischenschicht 42 einmalig erhitzt, die Wärmebehandlung kann jedoch in mehrere Schritte unterteilt werden. Zum Beispiel kann eine erste Wärmebehandlung nach dem Abscheiden der Isolationszwischenschicht 42 und eine zweite Wärmebehandlung nach der Herstellung der Kontaktlöcher 43a, 43b, 43c erfolgen. In diesem Fall können die Wärmebehandlungsbedingungen zwischen dem ersten und dem zweiten Wärmebehandlungsprozess verändert werden.
Beispiel 2
Ein in 7 dargestelltes Halbleiterbauelement ist ein modifiziertes Beispiel von dem in 3 dargestellten Beispiel 1. Der Unterschied zwischen diesem Beispiel und Beispiel 1 liegt darin, dass auf einem Kondensator 41 eine aus einer Siliziumoxidschicht bestehende Isolationszwischenschicht 46 erzeugt wird und dass eine Passivierungsschicht 47 ausgebildet wird, die aus einer Siliziumnitridschicht mit einem Wasserstoffatomgehalt von 10²¹ Atomen/cm³ oder weniger in der Schicht besteht, um die Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c aus einer Aluminium- oder Aluminiumlegierungsschicht zu schützen.
Entsprechend dem Aufbau eines solchen Beispiels 2, bei dem für die den Kondensator 41 direkt kontaktierende Isolationszwischenschicht 46 eine Siliziumoxidschicht mit einem geringen Wasserstoffgehalt und für die Passivierungsschicht 47 eine Siliziumnitridschicht mit einem Wasserstoffatomgehalt von 10²¹ Atomen/cm³ oder weniger verwendet wird, weshalb Wasserstoff die Kondensatordielektrikumsschicht 39 nicht durchdringt, kann das Eindringen von Wasser von außen in die als Passivierungsschicht 47 verwendete Siliziumnitridschicht verhindert werden, so dass ein Halbleiterbauelement mit einer hervorragenden Stabilität erreicht wird.
In diesem Beispiel ist die Passivierungsschicht 47 eine einzige Schicht aus einer Siliziumnitridschicht mit einem Wasserstoffgehalt von 10²¹ Atomen/cm³ oder weniger, die gleichen Effekte können jedoch durch Einstellen der Dicke der Passivierungsschicht 47 auf etwa 100 nm erreicht werden, wenn als Passivierungsschicht eine Schichtfolge aus einer Siliziumoxidschicht mit daran anschließender Siliziumnitrid- oder Siliziumoxinitridschicht verwendet wird.
Außerdem kann durch Ausbilden einer Siliziumoxidschicht unter der Passivierungsschicht 47 die auf den Kondensator 41 wirkende Beanspruchung verringert werden.
Ein Herstellungsverfahren dieses Halbleiterbauelements wird im Folgenden mit Bezug auf 8, 9 und 10 beschrieben. In 8 werden ein integrierter Schaltkreis 36 und anderes auf einem Siliziumsubstrat 31 erzeugt, eine Isolationsschicht 37 wird darauf hergestellt, ein Kondensator 41 wird auf der Isolationsschicht 37 ausgebildet, eine lsolationszwischenschicht 46 wird zum Abdecken des Kondensators 41 erzeugt, ein erstes Kontaktloch 43a, ein zweites sowie ein drittes Kontaktloch 43b bzw. 43c und Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c werden hergestellt, was das gleiche sein kann wie in einem herkömmlichen Herstellungsverfahren. Wie in 9 dargestellt ist, wird als nächstes durch Sputtern eine Siliziumnitridschicht hergestellt, die als eine Passivierungsschicht 47 dient.
Auf diese Weise kann bei einer Verwendung des Sputterns als Herstellungsverfahren der Passivierungsschicht 47 eine dichte Si₃N₄ – Schicht stöchiometrischer Zusammensetzung relativ leicht bei niedrigen Temperaturen von der Raumtemperatur bis zu 200°C hergestellt werden, und die aus einer Aluminiumoder Aluminiumlegierungsschicht bestehenden Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c werden nicht beschädigt. Da Target und Gas keine Wasserstoffatome enthalten, wird darüber hinaus beim Sputtern in der Schicht kein aktivierter Wasserstoff erzeugt. Die Konzentration der Wasserstoffatome in der erzeugten Siliziumnitridschicht ist sehr gering, unter 10²¹ Atome/cm³, und bei einem Erhitzen nach der Herstellung der Schicht bis zu Temperaturen unter 400°C diffundiert kaum Wasserstoff in die Kondensatordielektrikumsschicht 39, und die Kenngrößen des Kondensators 41 werden nicht verschlechtert.
Es sind mehrere Sputterverfahren bekannt. Zum Beispiel ist es beim lonenstrahlsputtern des reaktiven Sputterns mit Stickstoffionen unter Verwendung eines Siliziumtargets möglich, eine Schicht bei Raumtemperatur herzustellen. In der durch lonenstrahlsputtern erzeugten Siliziumnitridschicht ist die Wasserstoffatomkonzentration sehr gering, unter 10²¹ Atome/cm³, was übereinstimmt mit der Siliziumnitridschicht, die durch eine Hochtemperatur – CVD bei 800°C erzeugt wurde. Ähnliche Effekte werden beim HF – Sputtern unter Verwendung von Siliziumnitrid, einem Keramik – Target oder einem Siliziumnitrid – Pulvertarget oder beim HF – Planar – Magnetronsputtern erreicht.
Wie in 10 dargestellt ist, kann darüber hinaus durch Ausbilden einer zweiten, aus einer Siliziumnitridschicht bestehenden Passivierungsschicht 48 mittels Plasma – CVD auf der Passivierungsschicht 47, die mit dem in 9 dargestellten Schritt erzeugt wurde, die Dicke der gesputterten Siliziumnitridschicht klein sein, so dass die Beanspruchung des Kondensator 41 verringert werden kann.
Bei der Passivierungsschicht 47 kann, wenn eine gesputterte Siliziumnitridschicht verwendet wird, durch Herstellen einer Siliziumnitridschicht unter der Passivierungsschicht 47 die auf den Kondensator 41 wirkende Beanspruchung weiter herabgesetzt werden.
Die charakteristischen Veränderungen des Kondensators 41 bei Verwendung einer Bariumtitanatschicht als Kondensatordielektrikumsschicht 39 werden mit Bezug auf 11 und 12 beschrieben. In diesen Diagrammen zeigt die Abszisse jeden Schritt nach der Herstellung der Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c an, wobei A der Wert nach der Herstellung der Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c, B der Wert nach der Herstellung der Passivierungsschicht 47 und C der Wert nach dem Erhitzen auf 380°C für 7 Minuten in einer Mischgasatmosphäre aus Stickstoff und Wasserstoff nach Herstellung der Passivierungsschicht 47 ist. Der schwarze Kreis bezieht sich auf eine Passivierungsschicht 47, die aus einer mittels Plasma -CVD hergestellten Siliziumnitridschicht besteht, der weiße Kreis bezieht sich auf eine Passivierungsschicht 47, die aus einer mittels lonenstrahlsputtern hergestellten Siliziumnitridschicht besteht. 11 zeigt den Kriechstrom, wenn eine Spannung von 1,5 Volt an den Kondensator 41 angelegt wird, und 12 stellt die Zeit zwischen dem Anlegen einer Spannung von 1 MV/cm an die Kondensatordielektrikumsschicht 39 bei 125°C bis zum Durchbruch dar.
Natürlich liegt, wie in 11 dargestellt ist, im Fall A nach der Herstellung der Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c der Kriechstrom unverändert bei 10^–8 A/cm² unabhängig vom Herstellungsverfahren der Siliziumnitridschicht, wohingegen im Fall B nach der Herstellung der Siliziumnitridschicht auf den Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c der Kriechstrom in derjenigen Probe anwächst, in welcher die Siliziumnitridschicht durch Plasma – CVD erzeugt wurde. Dies scheint dadurch verursacht zu sein, dass viel aktivierter Wasserstoff im Plasma der Plasma – CVD vorliegt und während des Schichtentstehungsprozesses in die Kondensatordielektrikumsschicht 39 eindringt, wodurch die ferroelektrische oder stark dielektrische Schicht, welche die Kondensatordielektrikumsschicht 39 bildet, verschlechtert wird. Ferner nimmt im Fall C nach der Wärmebehandlung der Kriechstrom in derjenigen Probe weiter zu, in der eine Siliziumnitridschicht durch Plasma – CVD hergestellt wird. Im Gegensatz dazu gibt es in den durch lonenstrahlsputtern erzeugten Proben keinen Unterschied im Kriechstrom zwischen den Proben nach den Schritten A, B und C.
Übrigens wird, wie in 12 dargestellt ist, die Zeit bis zum dielektrischen Durchbruch in der Probe, in der eine Siliziumnitridschicht durch Plasma – CVD erzeugt wird, nach jedem Schritt kürzer, was dadurch verursacht sein könnte, dass die Wasserstoffatome in der Passivierungsschicht 47 in die Kondensatordielektrikumsschicht 39 eindringen und die ferroelektrische oder stark dieelektrische Schicht beeinträchtigen, aus der die Kondensatordielektrikumsschicht 39 besteht.
Im Gegensatz dazu gibt es in den durch lonenstrahlsputtern erzeugten Proben keinen Unterschied in der Zeit bis zum dielektrischen Durchbruch zwischen den Proben nach den Schritten A, B und C.
In diesem Beispiel werden die Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c durch eine einzige, aus einer Aluminium- oder einer Aluminiumlegierungsschicht bestehende Schicht gebildet, und durch Ausbilden einer Titan-Wolfram-Schicht unter diesen Schichten wird die Adhäsion verbessert, wenn eine Platinschicht als eine Elektrode des Kondensators 41 verwendet wird, so dass der Kontaktwiderstand herabgesetzt werden kann.
der Wasserstoff in der Kondensatordielektrikumsschicht 39 wird in der ersten Wärmebehandlung freigesetzt, und Sauerstoff wird bei der zweiten Wärmebehandlung hinzugefügt, wodurch die Charakteristik der Kondensatordielektrikumsschicht 39 wieder hergestellt wird.
In dieser Ausführungsform wird in der zweiten Isolationszwischenschicht 51 die zum Kondensator 41 korrespondierende Öffnung 52 hergestellt, die Öffnung 52 kann jedoch auch so vorgesehen werden, dass sie zur oberen Elektrode 40 und nicht zum gesamten Kondensator 41 korrespondiert, und der Wasserstoff in der . Kondensatordielektrikumsschicht 39 kann bei der Wärmebehandlung in ähnlicher Weise freigesetzt werden.
Ausführungsform 1 der Erfindung
Eine in 13 dargestelltes erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement ist ein modifiziertes Beispiel zu dem in 7 dargestellten Beispiel 2. Diese Ausführungsform unterscheidet sich vom Beispiel 2 darin, dass aus einer Titanschicht bestehende erste leitfähige Schichten 53a, 53b, 53c und aus einer Titannitridschicht bestehende zweite leitfähige Schichten 54a, 54b, 54c unter den Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c einschließlich des ersten Kontaktlochs 43a, des zweiten Kontaktlochs 43b sowie des dritten Kontaktlochs 43c ausgebildet werden und dass die Oberseite des Kondensators 41 bedeckt ist mit der ersten leitfähigen Schicht 53c, der zweiten leitfähigen Schicht 54c und der Verbindungsleitung 44c durch eine Isolationszwischenschicht 46, welche eine Passivierungsschicht 55 ausbildet, die aus einer die Verbindungsleitungen 44a, 44b, 44c abdeckenden Siliziumnitrid- oder Siliziumoxinitridschicht besteht.
Bei einer derartigen Anordnung gemäß Ausführungsform 1 kann dann, wenn als zweite leitfähige Schicht 54c eine für Wasserstoff undurchlässige Schicht gewählt wird, eine Einschränkung der Kondensatordielektrikumsschicht 39 durch Wasserstoffatome, Radikale oder Ionen im Plasma verhindert werden, wenn eine Siliziumnitridschicht oder eine Siliziumoxinitridschicht als Passivierungsschicht 55 mittels Plasma – CVD hergestellt wird.
Für die ersten leitfähigen Schichten 53a, 53b, 53c sind Titanschichten oder Titan-Wolfram-Schichten vorzuziehen und als zweite leitfähige Schichten 54a, 54b, 54c sind Titannitridschichten vorzuziehen. Oder es kann durch Verwendung einer Kombination von erster leitfähiger Schicht 53c und Verbindungsleitung 44c in der den Kondensator 41 oben bedeckenden Schicht sowie durch Weglassen der zweiten leitfähigen Schicht 54c eine Verschlechterung der Kondensatordielektrikumsschicht 39 beim Herstellungsprozess der Passivierungsschicht 55 im Vergleich mit dem Stand der Technik vermieden werden.
Ausführungsform 2 der Erfindung
14 ist ein modifiziertes Beispiel von Ausführungsform 1, und der integrierte Schaltkreis sowie anderes, was keinen unmittelbaren Bezug zur Ausführungsform hat, ist in der Zeichnung weggelassen. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von der Ausführungsform 1 darin, dass die Oberseite des Kondensators 41 mit einer ersten leitfähigen Schicht 56a und einer Verbindungsleitung 44c durch eine Zwischenisolationsschicht 46 bedeckt ist und dass sich die erste leitfähige Schicht 56a und die Verbindungsleitung 44c im peripheren Teil des Kondensators 41 teilweise überlappen und auch dadurch, dass eine zweite, aus einer Siliziumnitridschicht bestehende Isolationszwischenschicht 57 vorgesehen ist, die eine zur oberen Elektrode 40 des Kondensators 41 korrespondierende Öffnung 58 aufweist.
In einem solchen Aufbau wird das Eindringen von Wasser von der Oberseite des Kondensators 41 her durch die erste leitfähige Schicht 56a, die aus einer Titan-Wolfram-Schicht oder ähnlichem besteht, verhindert, während die anderen Bereiche durch die zweite Isolationszwischenschicht 57, die aus einer Siliziumnitridschicht oder dergleichen besteht, abgesperrt werden, so dass die Zuverlässigkeit mit Bezug auf Feuchtigkeits- und Wasserresistenz wirkungsvoller erhöht werden kann.

Claims

Halbleiterbauelement mit einem integrierten Schaltkreis (36) und einem auf dem integrierten Schaltkreis ausgebildeten Kondensator (41), wobei der Kondensator umfasst: eine untere Elektrode (38) bestehend aus einer leitfähigen Schicht, die auf einer Isolationsschicht des integrierten Schaltkreises ausgebildet ist, eine Kondensatordielektikumsschicht (39) bestehend aus einer auf der unteren Elektrode ausgebildeten ferroelektrischen Schicht oder einer dielektrischen Schicht mit einer großen Dielektrizitätskonstanten und eine obere Elektrode (40) bestehend aus einer auf der Kondensatordielektrikumsschicht ausgebildeten leitfähigen Schicht, und wobei die obere und die untere Elektrode des Kondensators durch Kontaktlöcher (43b, 43c) hindurch, die in einer zum Abdecken des Kondensators ausgebildeten Isolationszwischenschicht (46) vorgesehen sind, mit ersten und zweiten Verbindungsleitungen (44b, 44c) des integrierten Schalkreises verbunden sind, eine Passivierungsschicht (55) zum Abdecken der Verbindungsleitungen (44b, 44c) ausgebildet ist, und mindestens eine Titannitridschicht (54c) und / oder eine Titan-Wolfram-Schicht (53c) die obere Elektrode (40) unmittelbar elektrisch kontaktiert und unter der ersten Verbindungsleitung (44c) zur oberen Elektrode angeordnet ist, wobei die erste Verbindungsleitung (44c) und die unter der ersten Verbindungsleitung (44c) angeordnete Schicht (53c, 54c) die obere Elektrode (40) und die Kondensatordielektrikumsschicht 39 vollständig überziehen.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Siliziumnitridschicht (57), die eine Öffnung (58) in dem zur oberen Elektrode (40) des Kondensators (41) korrespondierenden Teil aufweist, unter der Passivierungsschicht (55) vorgesehen ist.