CN105283958B - GaN HEMT的共源共栅结构 - Google Patents

GaN HEMT的共源共栅结构 Download PDF

Info

Publication number
CN105283958B
CN105283958B CN201480033000.XA CN201480033000A CN105283958B CN 105283958 B CN105283958 B CN 105283958B CN 201480033000 A CN201480033000 A CN 201480033000A CN 105283958 B CN105283958 B CN 105283958B
Authority
CN
China
Prior art keywords
grid
wall
gated transistor
transistor according
active semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480033000.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105283958A (zh
Inventor
萨普撒里希·斯里拉姆
特里·奥尔康
法比安·拉杜莱斯库
斯科特·谢泼德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of CN105283958A publication Critical patent/CN105283958A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105283958B publication Critical patent/CN105283958B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
    • H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

描述了一种多级晶体管装置。这种装置的一个实施例是双栅极晶体管，其中，薄间隔层把第二级栅极和势垒层隔开并且第二级栅极通过与源极连接接地。在一个实施例中，薄间隔层和第二级栅极被放置在间隔层的一个孔中。在另一个实施例中，由间隔层将第二级栅极和势垒层隔开。该装置能够表现出改进的线性度和降低的复杂性和成本。

Description

GaN HEMT的共源共栅结构
技术领域
本发明涉及共源共栅结构，且更具体地，涉及具有在一个栅极下面的绝缘层的双栅极晶体管。
背景技术
已经发现诸如硅(Si)和砷化镓(GaAs)之类的材料在低功率的半导体器件中的广泛应用，并且在Si的情况下，具有低频率应用。然而，例如，由于其相对小的带隙(室温下，Si的带隙是1.12eV以及GaAs的带隙是1.42eV)，这些更熟悉的半导体材料可能不能很好地适用于高功率和/或高频率应用。
鉴于由Si和GaAs呈现的困难，高功率、高温度和/或高频率应用和装置中的关注度已经聚焦在宽带隙半导体材料，诸如碳化硅(室温下对于α-SiC是2.996eV)和III族氮化物(例如，室温下对于GaN是3.36eV)。这些材料通常可具有比GaAs和Si更高的电场击穿强度和更高的电子饱和速度。
特别关注高功率和/或高频应用的一种设备是高电子迁移率晶体管(HEMT)，其也被称为调制掺杂场效应晶体管(MODFET)。在HEMT装置中，二维电子气(2DEG)可形成于不同带隙能量的两个半导体材料的异质结上。较小带隙材料可具有比宽带隙材料高的电子亲和力。2DEG是未掺杂较小带隙材料中的积累层并且可包含相对高的薄层电子浓度，例如，超过1013载体/cm2。此外，在较宽带隙半导体起源的电子可能会转移到2DEG，从而由于降低的离子化杂质散射而允许相对高的电子迁移率。相对高的载流子浓度和载流子迁移的这种组合可给予HEMT相对大的跨导并且可提供优于用于高频应用的金属-半导体场效应晶体管(MESFETS)的性能。
在氮化镓/氮化铝镓(GaN/AlGaN)材料系统中制造的HEMT可由于材料特性的组合而产生大量的RF功率，诸如相对高的击穿场、比较宽的带隙、相对大的导带偏移，和/或相对高的饱和电子漂移速度。2DEG中的电子的主要部分可归因于AlGaN中的极化。
在GaN/AlGaN系统中的不同类型的HEMT已被证实。例如，美国专利号5,192,987和5,296,395描述了AlGaN/GaN HEMT的结构和制造方法。此外，美国专利号6,316,793(Sheppard等人，其共同转让给本申请)描述了一种HEMT设备，其具有半绝缘碳化硅衬底；在衬底上的AlN缓冲层；在缓冲层上的绝缘GaN层；在GaN层上的AlGaN势垒层；以及在AlGaN活性结构上的钝化层。此外，美国专利申请公开号US 2005/0170574(Sheppard等人，其也被共同转让)描述了一种HEMT设备，包括保护层和/或低损伤凹槽制造技术，该技术可减少在设备的欧姆接触的退火过程中可能发生的在晶体管的栅极区对半导体的损坏。
电子俘获和DC和RF特性之间产生的差异在这些设备的性能方面可能是一个限制因素。氮化硅(SiN)钝化已被用来减轻导致具有在10GHz超过10W/mm的功率密度的高性能设备的这个俘获问题。例如，共同转让的美国专利号6,586,781(Wu等人)，公开了用于减少在GaN基晶体管中的俘获效应的方法和结构。然而，由于存在于这些结构的高电场，电荷俘获可能仍然是一个关注的问题。
场板已经用于提高在微波频率的GaN基的HEMT的性能，并表现出在整个非场板设备的性能改进[参见S.Kamalkar和U.K.Mishra,Very High Voltage AlGaN/GaN HighElectron Mobility Transistors Using a Field Plate Deposited on a SteppedInsulator，Solid State Electronics 45，(2001年)，第1645至1662页]。许多场板方法包含了场板连接到具有沟道的漏极侧的顶部的场板的晶体管的栅极。这可导致晶体管的栅极-漏极侧的电场的降低，从而增加击穿电压以及降低高场俘获效应。然而，具有栅极-漏极场板的晶体管可表现出相对较差的可靠性能，特别是在C类(或更高类)的操作，其中栅极的源极侧的电场变得显著。其它场板方法仍然包含了将场板连接到源极。源极连接的场板提供了栅极到漏极电容的降低，从而提高了增益。
除了最小化反馈电容，一些应用的一个目标是改进线性度(即，输入和输出之间的比例的程度)。虽然GaN基的HEMT通常显示出良好线性度，但是在一些应用中，需要进一步改进(例如，高功率RF或和/或通信应用)。一种最小化反馈电容同时也提高线性度的方法包括多级布置。诸如HEMT之类的晶体管可在两极共源共栅布置中组合(使用相同或不同晶体管中的两个)。在共同转让的美国专利号7,126,426(Mishra等人，且题为“Cascode AmplifierStructure Including Wide Bandgap Field Effect Transistor With Field Plates”，其全部实体内容通过引证结合于此)中描述了一些包括初始的非场板共源极级和第二场板共栅极级的共源共栅布置。这些设备可由于因使用场板导致的反馈电容而获得具有很少不利影响的场板的益处。
多级布置也可在单双栅极晶体管内实现，诸如美国专利号5,514,992(Tanaka等人)中描述的那些。在双栅极共源共栅晶体管中，双晶体管布置的漏极-源极连接被替换为两个栅极之间的晶体管的部分。图1示出具有双栅极共源共栅布置的现有技术的HEMT 10。HEMT 10包括第一级栅极26和第二级栅极28，其都处于势垒层18上且布置在源极触点22和漏极触点24之间且处于绝缘间隔层21内。势垒层18处于层序列，包括2DEG20、缓冲层16，和衬底12。第二栅极28可用作第一栅极26的屏蔽，并因此可减小第一栅极26和漏极24之间的反馈电容、可减少电容的漏极电压依赖性，并可改进线性度。
在诸如图1中所示的现有技术的双栅极布置中，第一级和第二级具有相同的阈值电压。如果这样的布置中的第二栅极接地，则电流流动可被限制。正因为如此，第二级必须DC偏置以便避免限制设备的最大电流。一些这样的设备在美国公开号2007/0290762(Lin等人)中描述。然而，单独偏压第二级会导致增加的复杂性和成本。
发明内容
本发明提供了双栅极晶体管和/或共源共栅结构，其中，第二级栅极不需要被单独偏置。根据本发明的多栅极晶体管的一个实施例包括：多个有源半导体层，在衬底上；其中，2DEG在两个这些层的界面处。第一栅极在源极和漏极之间，并且第二栅极在第一栅极和漏极之间。间隔层将第二栅极与多个有源半导体层分离。
根据本发明的共源共栅结构的一个实施例包括具有第一栅极的第一级以及具有第二栅极的第二级。由间隔层将第二栅极与势垒层分离。
根据本发明的集成电路的一个实施例包括：晶体管，在衬底上具有多个有源半导体层，其中，2DEG在两个这些层的界面处。第一栅极在源极和漏极之间，并且第二栅极在第一栅极和漏极之间。间隔层将第二栅极与多个有源半导体层分离。
通过下面的详细描述结合附图，这些和其它本发明的进一步特征和优点对于本领域技术人员将是显而易见的，其中：
附图说明
图1是现有技术的晶体管的一个实施例的横截面图；
图2是根据本发明的晶体管的一个实施例的横截面图；
图3是图2中所示的晶体管的平面图；
图4是根据本发明的晶体管的另一实施例的横截面图；
图5是根据本发明的晶体管的另一实施例的横截面图；
图6是根据本发明的晶体管的另一实施例的横截面图；以及
图7是根据本发明的晶体管的另一实施例的横截面图。
图8是根据本发明的晶体管的另一实施例的横截面图。
图9是根据本发明的晶体管的另一实施例的横截面图。
具体实施方式
本发明提供了诸如双栅极晶体管或HEMT共源共栅结构的结构，其提供降低的复杂性和成本的较低反馈电容和改进的线性度。这些诸如GaN基的双栅极HEMT的结构，可提供高电压、大电流并具有改进的线性高的增益操作。本发明一般涉及共源共栅结构，其中，第二级栅极由相对薄的间隔层与势垒层分离，从而使第二级具有比第一级更多的负阈值电压。在一个实施例中，第二级包括其暴露有源区的间隔层中的腔室；薄间隔层沉积在有源区上方，且第二级栅极填充腔室的剩余部分。第二级栅极然后可接地，诸如通过到源极的连接，并且消除了对于分别偏压第二级栅极的需要。
应理解，当元件或层被称为“在另一元件或层上”、“连接到另一元件或层”、“耦合到另一元件或层”或“与另一元件或层接触”时，它可直接处于另一元件或层上、连接到或耦合到另一元件或层，或与另一元件或层接触，或中间元件或层可存在。相反，当元件被称为“直接处于另一元件或层上”、“直接连接到另一元件或层”、“直接耦合到另一元件或层”或“直接与另一元件或层接触”时，不存在中间元件或中间层。同样地，当第一元件或层被称为“与第二元件或层电接触”或“电耦合到第二元件或层”时，没有用于允许第一元件或层和第二元件或层之间的电流流动的电路径。电路径可包括电容器、耦合的电感器，和/或即使在导电元件之间没有直接接触也允许电流流动的其它元件。此外，术语，诸如“绝缘”例如可参考完全绝缘、半绝缘，或者其一的材料。
还应理解，虽然序号术语第一、第二、第三等在这里可用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于彼此区分元件。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，并且类似地，第二元件可被称为第一元件。
此外，相对术语，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”在本文中可用于描述如附图中所示的一个元件与另一个元件的关系。应理解，相对术语旨在涵盖除了在附图中描述的定向外的设备的不同定向。例如，如果附图中的一个中的设备被翻转，则描述为处于一个元件的“下”侧的特征将被定向在该元件的“上”侧。示例性术语“下”可因此描述下和上定向两者，这取决于设备的特定定向。同样，如果附图中的一个中的设备被翻转，则被描述为“下方”或“之下”的元件随后将被定向高于其它元件。示例性术语“下方”或“之下”可因此描述上方和下方两种方位。
本发明的描述中在这里使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并非意在限制本发明。如在本发明和所附权利要求书的描述中所使用的，单数形式旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指出外。还应理解，这里所使用的术语“和/或”是指并且涵盖一个或多个相关所列的项目的任何和所有可能的组合。应进一步理解，在本说明书中使用时，术语“包括”指定所陈述的步骤、操作、特征、元件和/或组件的存在，但不排除步骤、操作、特征、元件和/或组件，和/或它们的组合中的一个或多个的存在或添加。
在这里参考其为本发明的理想化实施例的示意图的横截面图示来描述本发明的实施例。因此，可预期由于例如制造技术和/或公差引起的与图示的形状的变化。因此，本发明的实施例不应被解释为限于在这里示出的区域的特定形状，而应该包括形状的变化(其例如由于制造而引起)。在附图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状不旨在示出设备的区域的实际形状且不旨在限制本发明的范围，除非明确声明外。
除非另有定义，否则在本发明的公开实施例中使用的所有术语，包括技术和科学术语，都具有与相关领域的普通技术人员所理解的相同的含义且不一定限于在本发明的时间已知的具体定义。因此，这些术语可包括在这样的时间之后创建的等同术语。还应理解，术语，诸如在常用词典中定义的那些，应该被解释为具有以下含义：与它们在本说明书和相关领域的背景中的含义一致并且不会以理想化或过于正式的意义解释，除非在此明确定义外。
图2示出根据本发明的HEMT 30的一个实施例，其优选III族氮化物，虽然也可使用其它材料系统。应注意，虽然为简单起见在本文使用术语HEMT，但是所公开的实施例的元件和概念可应用于许多不同类型的晶体管，包括但不限于金属半导体场效应晶体管(MESFET)和金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)。III族氮化物是指在氮和周期表的III族中的元素之间形成的那些半导体化合物，通常为铝(Al)、镓(Ga)和铟(In)。该术语还指三元和叔胺化合物，诸如AlGaN和AlInGaN。
HEMT 30可包括可由碳化硅、蓝宝石、尖晶石、ZnO、硅、氮化镓、氮化铝，或任何其它材料或能够支持III族氮化物材料的生长的材料的组合制成的衬底32。成核层34可形成于衬底32以减少HEMT 30中的衬底32和下一层之间的晶格失配，虽然该成核层不是强制性的。成核层34可以是约1000埃厚，虽然可使用其它厚度。成核层34可包括许多不同材料，合适的材料是AlzGa1-zN(0<＝z<＝1)，并且可使用诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)，或分子束外延(MBE)的已知半导体生长技术形成于衬底32上。
衬底32可由碳化硅的4H多型体的合适衬底的许多不同材料制成，虽然也可使用其它碳化硅多型体，包括3C、6H和15R多型体。碳化硅具有比蓝宝石更接近III族氮化物的晶体晶格匹配并导致更高质量的III族氮化物膜。碳化硅还具有非常高的热导率，使得碳化硅上的III族氮化物设备的总输出功率不受衬底的热耗散的限制(如可以是在蓝宝石上形成的一些设备的情况)。此外，碳化硅衬底的可用性提供了设备隔离和减少寄生电容(这使商用设备成为可能)的能力。SiC衬底可从North Carolina的Durham的Cree公司商购，且用于生产它们的方法阐述于科学文献以及在美国专利号34,861(Palmour等人)和5,200,022(Kong等人)中。
成核层34的形成可取决于用于衬底32的材料。例如，在各种衬底上形成成核层34的方法在美国专利5,290,393(Nakamura等人)和5,686,738(Moustakas等人)中教导，其每一个像在这里完全阐述那样都以引用方式并入。在美国专利5,393,993(Edmond等人)到5,523,589(Edmond等人)以及5,739,554(Edmond等人)中公开了在碳化硅衬底上形成成核层的方法，其每一个像在这里完全阐述那样都以引用方式并入。
HEMT 30还可包括缓冲层36，其可具有形成于成核层34上的高电阻。缓冲层36可包括III族-氮化物材料的掺杂或未掺杂层，其中，优选缓冲层36由III族氮化物材料，诸如AlxGayIn(1-x-y)N(0<＝x<＝1,0<＝y<＝1,x+y<＝1)制成。其它材料也可用于缓冲层36，诸如GaN，其约为0.5-20μm厚，且部分或全部的缓冲层可与Fe掺杂。
势垒层38形成于缓冲层36上，其中，缓冲层36夹持在势垒层38和成核层34之间。像缓冲层36一样，势垒层38可包括III族氮化物材料的掺杂或未掺杂层。势垒层可由一层或多层AlxGa1-xN或AlxInyGa1-x-yN制成，其中，x和y中的每个的范围为0-1，其中，示例性值是0、0.2％、0.4％、0.5％、0.6、0.8和1，且x和y可随深度变化，使得势垒层38可以是渐变层。2DEG沟道层40可在缓冲层36和势垒层38之间的异质结诱发，且缓冲层36、2DEG沟道层40和势垒层38可通常形成HEMT有源区。
示例性HEMT结构在美国专利号6,316,793(Sheppard等人)、6,586,781(Wu等人)、6,548,333(Smith等人)和美国公开专利申请号2002/0167023(Prashant等人)和2003/0020092(Parikh等人)中示出，其每一个像在这里完全阐述那样都以引用方式并入。其它基于氮化物的HEMT结构在美国专利5,192,987(Kahn等人)和5,296,395(Kahn等人)中示出，其每一个像在这里完全阐述那样都以引用方式并入。缓冲层和势垒层36、38可使用与用于生长成核层34的相同方法制造。设备之间的电气隔离可通过在活性HEMT外部实施台面蚀刻或离子来完成。
源极和漏电极42、44可形成为与势垒层38接触。当栅极在适当水平下偏置时，电流可在源极和漏极42、44之间流动通过缓冲层36和势垒层38之间的2DEG沟道层40。在以上引用的专利和出版物中详细描述了源极和漏极42、44的形成。
第一级栅极46可形成于势垒层38上，并且可至少部分由第一间隔层50的孔包围并处于其内部。第一间隔层50可以是许多不同厚度，其中，一些示例性层在100nm和2000nm之间。第二级栅极48也可形成于势垒层38上且处于第一间隔层50的孔内。
栅极46、48可具有许多不同长度(Lg1和Lg2)，其中，适当的栅极长度在10nm至1000nm范围内或约为500nm，虽然也可使用其它栅极长度。在一个实施例中，Lg1比Lg2短；在另一实施例中，栅极长度相等；在另一实施例中，Lg1比Lg2长。在所示的实施例中，栅极46、48可并排布置，这可降低寄生电容。栅极46、48可分离距离Lgg，这如先所述可允许第二栅极48屏蔽第一栅极46。距离Lgg可以是许多不同值，其中，示例性距离在10nm和2000nm之间。在一些实施例中，Lgg的范围可在600nm至1200nm之间，这可提供较容易制造，并且在一些实施例中，Lgg可以是约900nm。
如图2和图3的组合、图2实施例的俯视图中最好的所示，第一栅极46可在第一栅极47处接触。在一个优选实施例中，第二栅极48可连接到源极42，虽然其它连接(包括各种接地连接)是可能的。这种连接可以多种方式来实现。图3示出两种这样的方式，虽然其它方式也是可能的。第二栅极48可由一系列导电通孔和/或总线49a(如果这样的层存在，其穿过第三间隔层54和/或处于其上)连接到源极42。第三间隔层54可以是许多不同厚度，其中，厚度的一种合适范围内是约100nm至1000nm且另一种合适范围是约150nm至500nm，且在一些实施例中，第二间隔层54可以是300nm厚。第三间隔层54可覆盖漏极44和源极42之间的所有有源区、可覆盖第二栅极48的任一边缘和源极42之间的有源区的部分、可覆盖场板56的最远边缘和源极42之间的有源区的部分，条件是如果这样的场板存在(将在下面讨论)，或者可仅覆盖支持导电总线(例如，仅具有支持这种总线所必要的宽度的条带)所需的有源区的表面。
通孔/总线系统49a的总线可处于HEMT 30的最上表面。可使用一个或多个总线，其中，图2的实施例包括两个总线。总线覆盖的面积越大，可通过总线被引入的不希望的电容越大。总线可具有足够数量和宽度，使得电流在源极42和第二栅极48之间有效地传播，而不覆盖太多的HEMT有源区。在一个实施例中，通孔/总线系统49a的总线覆盖少于所有的HEMT有源区域。在一个实施例中，第二栅极48和源极42通过导电通路(诸如通孔/总线系统49a)连接，从而覆盖少于全部的HEMT 30的最上表面，在这种情况下是第三间隔层54。
在一个实施例中，第二栅极48可由在HEMT 30的有源区49b外运行的导电通路连接到源极42。在图2和图3的实施例中，导电通路49b处于相对栅极触点47的侧面，虽然在其它实施例中，导电通路可处于与栅极触点47相同的侧面，或可具有在HEMT 30的一侧或两侧上运行的两个或更多个导电通路。在有源区外运行的导电通路可在许多不同实施例中使用，但也可特别在其中，间隔层不覆盖第二栅极48和源极42之间的有源区的实施例(例如，不具有第三间隔层54的实施例)中使用。根据本发明的HEMT可包括图2和图3所示的实施例中的一个或两个导电通路49a、49b，或者可包括其它连接设备。
在本发明的图2的实施例中，第二间隔层52可处于第二级栅极48和势垒层38之间。第二间隔层52可包括许多不同的绝缘材料，包括但不限于电介质。第二间隔层52可包括与第一间隔层50相同或不同的材料。间隔层50、52、54的一些示例性材料包括但不限于SiN、SiO2、Si、Ge、MgOx、MgNx、ZnO、SiNx、SiOx、TiOx，及其组合或其层序列。
如先前讨论的，在现有技术的双栅极HEMT中，第二栅极必须是单独地DC偏置，这可导致过度的费用和难度。通过包括第二间隔层52，第二栅极48的阈值电压可被制为不同于第一栅极46的阈值电压，并且在一个实施例中可比第一栅极46的阈值电压更负。因为这样，第二栅极48可DC接地，诸如如上所述通过将第二栅极48连接到源极42。这可消除对第二栅极48的单独偏置的需要，并因此可消除现有技术的设备的至少一些成本和制造难度。具有诸如第二间隔层52的层的设备也可显示出比现有技术的HEMT和/或共源共栅结构改进的线性度和低电容。
第二间隔层52的厚度可被选择为使得反馈电容在宽范围的漏极电压内几乎保持恒定，而同时不限制本设备的最大电流流动。太厚的绝缘体会导致在第一极的屏蔽不足和大漏极电压依赖性，而太薄的绝缘体可限制最大电流(并因此限制RF功率)。第二间隔层52可具有许多不同厚度。在一些实施例中，厚度可基于材料的介电常数来确定。在一些实施例中，第二间隔层52的厚度的范围从至在其它实施例中，厚度范围从至在另一个实施例中，厚度是约根据本发明的实施例的第二间隔层52的一个实施例是SiN、SiO2或它们的组合的至和/或约层。根据本发明的实施例的第二间隔层52的另一实施例是TiOx的层，其具有较高介电常数。
HEMT 30可以多种不同方式制成。第一间隔层50、第二间隔层52和第三间隔层54可使用多种沉积方法(包括但不限于先前提到的那些沉积方法)沉积，优选的方法是等离子体化学气相沉积(PCVD)和原子层沉积(ALD)。在一个优选方法中，第一间隔层50被沉积在源极42和漏极44之间的整个上表面上，且诸如通过使用反应离子蚀刻(RIE)形成栅极将被沉积在其中，的孔。第一栅极46可接着在第二间隔层52的沉积在源极42和漏极44之间的HEMT 30的整个上表面上之前形成。可替代地，第二间隔层52可仅沉积在其中，形成第二栅极48的第二孔的区域中，诸如沉积第二间隔层52，使得其只覆盖势垒层38的暴露表面或仅覆盖势垒层38的暴露表面和孔的侧壁。第二栅极48然后可形成在与第二间隔层52相同的孔中。第三间隔层54然后可形成在源极42和漏极44之间的HEMT30的整个上表面上，或者可选择地沉积在如上所述的区域中。
如前面所讨论，一个或多个场板可任选地使用并且可提高设备性能。根据本发明的设备(诸如图2中所示的设备)与许多不同场板布置兼容。例如在共同转让的美国公开号2005/0253167、2005/0253168和2006/0202272(Wu等人)中讨论了一些这样的场板布置，它们都以其整体通过引用的方式完全并入本文。在图2和图3的实施例中，场板56可包括在第三间隔层54上并且可重叠第二栅极48。在其它实施例中，HEMT可包括场板的边缘和第二栅极的边缘之间的空间，或场板可覆盖整个第二栅极。这种场板布置的实例在前面提到的出版物中描述。在一个实施例中，场板可处于第二栅极48上方和/或第二栅极48和漏极44之间。这可最小化第二栅极48的边缘的电场。类似的概念已在共同转让的美国专利号2005/0051800中描述。在其它布置中，场板设置在源极42和第一栅极46之间、第一栅极46上方，和/或第一和第二栅极46、48之间。这些场板还可与第二栅极48上方和/或第二栅极48和漏极44之间的场板组合使用。
在优选实施例中，场板56可连接到源极42，虽然可预期其它布置。场板56可通过使用类似导电结构49a、49b的结构连接。例如，场板56可通过覆盖少于所有的第三间隔层54、在HEMT 30的有源区之外运行的导电通路、它们的组合，或许多其它导电结构的导电总线连接到源极42。例如在美国公开号2005/0253167中描述了适当导电结构的实例的源极连接的场板。此外，HEMT 30可包括一个以上的场板。在一个这样的布置中，多个场板中的每个都可至少部分地处于第二栅极上方或第二栅极和漏极之间。例如在美国公开号2005/0253168中描述了一些适当的多个场板结构。
虽然在图2中所示的栅极46、48被示出为矩形，但是许多不同的栅极形状也是可能的。图4示出根据本发明的HEMT 60的实施例，包括T形第一栅极66。栅极66包括外伸部分66a。外伸部分66A下面的区域可以留空、可由第一间隔层61的一部分来部分地或完全填充，或者可由其它材料或层来部分或完全填充。在图4的实施例中，该区域可由第一间隔层61的一部分完全填充。具有T形栅极66的设备60可特别适于高频操作。栅极长度在确定设备速度方面是重要的设备尺寸，且如果具有高频设备，栅极长度通常较短。较短栅极长度可导致可产生负面影响的高频率操作的高电阻。通过包括外伸部分66a，栅极66的上部分具有比下部分大的横截面。这可能导致较低的电阻和增强的栅极电导。
图5示出根据本发明的HEMT 70的实施例，包括γ形第一栅极76，而不是T形栅极66。外伸部分76a下面的区域可留空、可由第一间隔层71的一部分来填充，或者可由其它材料或层来填充。在所示的实施例中，空间部分由第一间隔层71填充。包括外伸部分76a下面的空间可减少第一栅极76和源极42之间的电容。
外伸部分66a和76a中可由与栅极66、76的其余部分相同或不同的材料制成，并且可使用许多不同的方法来制造。例如，外伸部分可使用光致抗蚀剂技术来制造，并且在一个实施例中，光致抗蚀剂层可包括在第一间隔层和形成于光致抗蚀剂层上的外伸部分(多个)上。随后除去光致抗蚀剂层可在间隔层和外伸部分(多个)之间留下空间。
虽然栅极66和76通常分别为T形和γ形，但是应理解，许多不同形状也是可能的。包括具有这些形状的栅极中的一个目标是包括提高导电性以允许更高频率操作的一部分，其中，该部分被放大来实现这个目的。放大的顶部部分具有的特定形状可能不是关键的。突出端66a、76a的长度可变化，适当的长度范围从约0.2μm到约4μm，虽然也可使用其它长度。此外，虽然图4和图5的实施例包括T形和γ形第一栅极66、76，但是本发明的其它实施例包括T形或γ形第二栅极，或包括T形或γ形第一栅极和T形或γ形第二栅极。如果第二栅极是T形或γ形，至少否则将直接出于阻隔层上的底部部分可由间隔层72(类似于图2的第二间隔层52或与其相同)覆盖。
除了图4和图5的T形和γ形栅极66、76，许多其它栅极形状也是可能的。例如，具有多边形横截面的栅极(诸如六边形、八边形和梯形栅极)是可能的。在具有一个或多个六边形栅极的HEMT的一个实施例中，第一间隔层上升到六边形的中点的水平。另一形状的栅极具有像T形或γ形栅极的一个或多个突出端，其中，下栅极部分在其上升到栅极的上部分时向内或向外渐缩。
根据本发明的HEMT的实施例也可包括一个或多个凹入栅极。图6示出根据本发明的晶体管的实施例(相同的附图标记用于指示等效元件)，类似于图2和图3的HEMT 30，但不同之处在于凹入的第一和第二栅极86、88。栅极86、88凹入势垒层81中。该凹入区域可同时形成于第一间隔层50中的孔上。在该实施例中，第二间隔层82可覆盖至少第二栅极88的底部和栅极88在势垒层81的凹部内的侧部分。第二间隔层82可以是与图2和图3的第二间隔层52相同或类似的材料和厚度。虽然栅极86、88被示为仅部分地凹入势垒层81中，但是栅极86、88中的每个都可完全凹入或不同部分可凹入势垒层81的不同深度。此外，栅极86、88并不都需要凹入，或者可不同地凹入。凹入的T形栅极和γ形栅极也是可能的，其中，栅极的下部的部分或全部(例如，从突出端(多个)的底部和下方的部分)可凹入势垒层中。
图7示出根据本发明的设备的另一实施例。HEMT 90在许多方面类似于图2和图3的HEMT 30。HEMT 90包括第一栅极46和第二栅极98。类似于HEMT 30中的第一栅极，HEMT 90中的第一栅极46形成于第一间隔层91中的孔中，使得第一栅极46与势垒层38接触。然而，在HEMT 90中，第二栅极形成于第一间隔层91的上表面，而不是形成于第一间隔层91中的孔中。第一间隔层91可由前面所讨论的任何间隔层材料形成。HEMT 90可产生比图2和图3的HEMT 30高的寄生电容Cdg，诸如例如在低漏极电压下，但可减少成本和制造难度。
图8示出根据本发明的设备的另一实施例。HEMT 100在许多方面都类似于图2和图3中所示和上面描述的HEMT 30。HEMT 100包括第一栅极46和第二栅极48。然而，绝缘层(诸如图2的第二间隔层52)可不包括在HEMT 30中。第二栅极48可替代地由第一间隔层110的薄部分110a与势垒层38分离。第一间隔层110可由与图2的第一间隔层50相同的材料制成，且不包括薄部分110a可具有与第一间隔层50相同或相似的厚度。薄部分110a可具有与图2的第二间隔层52相同或相似的厚度。HEMT 1002的一种可能制造方法包括将第一栅极46放置在势垒层38上或其中，、沉积第一间隔层110，和然后蚀刻第一间隔层110的一部分以在第二栅极48沉积在薄部分110a上之前形成薄部分110a。可替代地，第一间隔层110可沉积在第一栅极46之前，并且孔可一直被蚀刻到势垒层38上以允许第一栅极46的放置。第一间隔层110还可被部分蚀刻以形成第二孔，其中，保留薄部分110a以用于第二栅极48的放置。结构的其余部分可如上所述被制造。
图9示出根据本发明的设备的另一实施例。HEMT 120在许多方面类似于图8所示和上面描述的HEMT 100。在本实施例中，第一间隔层122可沉积在第二栅极48放置在其中，的区域中(而不是，例如，跨越从源极42到漏极44的整个横截面沉积第一间隔层122)。第二栅极48可被放置在第一间隔层122上且第一栅极46上可被放置在势垒层38上。第二间隔层124然后可沉积在第一栅极和第二栅极46、48上，其中，设备的剩余部分如上所述被制造。
虽然上述实施例示出双栅极晶体管结构，但是上述实施例的元件可适用于其它结构。例如，根据本发明的共源共栅结构的一个实施例包括如在共同转让的美国公开号2005/0051800中描述的共源共栅放大器结构，包括两个独立的单栅晶体管，具有类似于掺入两个晶体管的下游的第二间隔层52的间隔层。
也可以许多不同方式使用上述实施例及其变化。例如，共源共栅结构可用作放大器，类似于在美国专利申请号2005/0051800中描述的那些。上述实施例还可用作较大系统的一部分。例如，上述实施例可在集成电路，诸如单片微波集成电路(MMIC)中发挥作用。
上述实施例的特征许多变化是可能的。在以下共同转让的出版物中公开了具有可在本发明的实施例中使用的特征的晶体管结构，其中，每个出版物的内容以其全部通过引用的方式完全并入本文：美国专利号6,849,882(Chavarkar等人且题为“Group-IIINitride Based High Electron Mobility Transistor(HEMT)With Barrier/SpacerLayer”)；美国专利号7,230,284(Parikh等人且题为“Insulating Gate AlGaN/GaNHEMT”)；美国专利号7,501,669(Parikh等人且题为“Wide Bandgap Transistor DevicesWith Field Plates”)；美国专利号7,126,426(Mishra等人且题为“Cascode AmplifierStructures Including Wide Bandgap Field Effect Transistor With FieldPlates”)；美国专利号7,550,783(Wu等人且题为“Wide Bandgap HEMTs With SourceConnected Field Plates”)；美国专利号7,573,078(Wu等人且题为“Wide BandgapTransistors With Multiple Field Plates”)；美国专利公开号2005/0253167(Wu等人且题为“Wide Bandgap Field Effect Transistors With Source Connected FieldPlates”)；美国专利公开号2006/0202272(Wu等人且题为“Wide Bandgap TransistorsWith Gate-Source Field Plates”)；美国专利公开号2008/0128752(Wu且题为“GaN BasedHEMTs With Buried Field Plates”)；美国专利公开号2010/0276698(Moore等人且题为“Gate Electrodes For Millimeter-Wave Operation and Methods of Fabrication”)；美国专利公开号2012/0049973(Smith,Jr.等人且题为“High Power Gallium NitrideField Effect Transistor Switches”)；和美国专利公开号2012/0194276(Fisher且题为“Low Noise Amplifiers Including Group III Nitride Based High ElectronMobility Transistors”)。
应理解，上述布置可应用到HEMT外的其它晶体管，包括MESFET和金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)，这些晶体管是否是不连续的双栅极晶体管或较大结构的一部分。布置也可应用于用于通信、仪表、军事应用等的微波和毫米波功率放大器，包括但不限于单片微波集成电路(MMIC)。
虽然已经参考其某些优选的构造相当详细地描述了本发明，但是其它版本也是可能的。掩埋场板和栅极布置可在许多不同设备中使用。场板和栅极还可具有许多不同形状并且可以许多不同方式连接到源极触点。因此，本发明的精神和范围不限于上述本发明的优选版本。

Claims (14)

1.一种多栅极晶体管，包括：
位于衬底上的多个有源半导体层；
二维电子气，在两个有源半导体层的界面处；
源极和漏极，所述源极和所述漏极与所述二维电子气电接触；
第一间隔层，在所述多个有源半导体层上；
第一栅极，在所述源极和漏极之间，所述第一栅极与所述多个有源半导体层中的一个或多个电接触；
第二栅极，在所述第一栅极和所述漏极之间，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述第一间隔层的相应孔中；以及
第二间隔层，在所述第二栅极和所述多个有源半导体层之间；
所述第二间隔层的至少一部分位于所述第一间隔层上。
2.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，其中，所述第二间隔层的厚度为至
3.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，其中，所述多个有源半导体层的一部分通过所述第一间隔层的第一孔和第二孔的每一个暴露。
4.根据权利要求3所述的多栅极晶体管，其中，通过所述第二孔暴露的所述部分由所示第二间隔层覆盖。
5.根据权利要求4所述的多栅极晶体管，其中，所述第二间隔层比所述第一间隔层薄。
6.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，还包括第一场板。
7.根据权利要求6所述的多栅极晶体管，其中，所述第一场板在所述第二栅极上方和/或所述第一场板连接至所述源极。
8.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，其中，所述第二栅极和通过一个或多个导电通路连接至所述源极；
其中，所述一个或多个导电通路总体覆盖小于所述第二栅极和所述源极之间的所述多栅极晶体管的全部最顶层表面。
9.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，其中，所述第二栅极比所述第一栅极长。
10.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，其中，所述第一栅极和所述第二栅极中的至少一个包括突出部。
11.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，其中，所述第二栅极至少部分地凹入所述多个有源半导体层中的至少一个；以及
其中，所述第二间隔层将所述第二栅极的所有凹部和所述多个有源半导体层隔开。
12.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，其中，所述多栅极晶体管具有第一级和第二级；且
其中，所述第二级具有比所述第一级更负的阈值电压。
13.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，其中，所述第二间隔层成形为限定孔；
其中，所述第一栅极通过所述第二间隔层的孔接触所述多个有源半导体层；并且
其中，所述第二栅极在所述第二间隔层的顶面上。
14.一种共源共栅结构，包括：
多个有源半导体层；
第一级，包括第一栅极；和
第二级，包括第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极位于第一间隔层的相应孔中，
其中，所述第一栅极与所述多个有源半导体层中的一个或多个电接触；并且
其中，由第二间隔层将所述第二栅极与所述多个有源半导体层隔开，所述第二间隔层在所述第二栅极下方，
所述第二间隔层的至少一部分位于所述第一间隔层上。
CN201480033000.XA 2013-06-09 2014-05-12 GaN HEMT的共源共栅结构 Active CN105283958B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/913,490 2013-06-09
US13/913,490 US9679981B2 (en) 2013-06-09 2013-06-09 Cascode structures for GaN HEMTs
PCT/US2014/037728 WO2014200643A1 (en) 2013-06-09 2014-05-12 Cascode structures for gan hemts

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105283958A CN105283958A (zh) 2016-01-27
CN105283958B true CN105283958B (zh) 2018-09-21

Family

ID=50877693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480033000.XA Active CN105283958B (zh) 2013-06-09 2014-05-12 GaN HEMT的共源共栅结构

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9679981B2 (zh)
EP (2) EP3522231B1 (zh)
CN (1) CN105283958B (zh)
WO (1) WO2014200643A1 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7501669B2 (en) 2003-09-09 2009-03-10 Cree, Inc. Wide bandgap transistor devices with field plates
US9773877B2 (en) 2004-05-13 2017-09-26 Cree, Inc. Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates
US11791385B2 (en) 2005-03-11 2023-10-17 Wolfspeed, Inc. Wide bandgap transistors with gate-source field plates
EP2040299A1 (en) * 2007-09-12 2009-03-25 Forschungsverbund Berlin e.V. Electrical devices having improved transfer characteristics and method for tailoring the transfer characteristics of such an electrical device
US9755059B2 (en) 2013-06-09 2017-09-05 Cree, Inc. Cascode structures with GaN cap layers
US9679981B2 (en) 2013-06-09 2017-06-13 Cree, Inc. Cascode structures for GaN HEMTs
US9847411B2 (en) * 2013-06-09 2017-12-19 Cree, Inc. Recessed field plate transistor structures
CN105280695A (zh) * 2014-06-06 2016-01-27 台达电子工业股份有限公司 半导体装置与其的制造方法
US9911817B2 (en) * 2015-07-17 2018-03-06 Cambridge Electronics, Inc. Field-plate structures for semiconductor devices
EP3185303A1 (en) * 2015-12-22 2017-06-28 IMEC vzw A two-dimensional material semiconductor device
GB2565805B (en) 2017-08-23 2020-05-13 X Fab Semiconductor Foundries Gmbh Noff III-nitride high electron mobility transistor
TWI642183B (zh) 2017-12-25 2018-11-21 新唐科技股份有限公司 氮化物半導體元件
CN108538723A (zh) * 2018-06-26 2018-09-14 苏州汉骅半导体有限公司 基于金刚石的氮面极性氮化镓器件及其制造方法
US11239802B2 (en) 2019-10-02 2022-02-01 Wolfspeed, Inc. Radio frequency transistor amplifiers having engineered instrinsic capacitances for improved performance
FR3105580A1 (fr) * 2019-12-20 2021-06-25 Thales Transistor hemt ameliore
US11855198B2 (en) 2020-04-09 2023-12-26 Qualcomm Incorporated Multi-gate high electron mobility transistors (HEMTs) employing tuned recess depth gates for improved device linearity
US20220093740A1 (en) * 2020-09-18 2022-03-24 Qualcomm Incorporated High-power field-effect transistor (fet)
US11887945B2 (en) * 2020-09-30 2024-01-30 Wolfspeed, Inc. Semiconductor device with isolation and/or protection structures
CN112771678B (zh) * 2020-12-25 2023-05-02 英诺赛科(苏州)科技有限公司 半导体器件及其制造方法
CN112802893A (zh) * 2021-01-15 2021-05-14 西交利物浦大学 双栅极氮化镓mis-hemt器件及其制备方法
CN115188766B (zh) * 2021-04-02 2024-07-26 长鑫存储技术有限公司 与门结构及与门结构的制造方法
US11574997B1 (en) * 2021-08-02 2023-02-07 Vanguard International Semiconductor Corporation Semiconductor structure and operation circuit

Family Cites Families (194)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5187552A (en) 1979-03-28 1993-02-16 Hendrickson Thomas E Shielded field-effect transistor devices
US4290077A (en) 1979-05-30 1981-09-15 Xerox Corporation High voltage MOSFET with inter-device isolation structure
US4947232A (en) 1980-03-22 1990-08-07 Sharp Kabushiki Kaisha High voltage MOS transistor
JPS56169368A (en) 1980-05-30 1981-12-26 Sharp Corp High withstand voltage mos field effect semiconductor device
NL8103218A (nl) 1981-07-06 1983-02-01 Philips Nv Veldeffekttransistor met geisoleerde stuurelektrode.
US4551905A (en) 1982-12-09 1985-11-12 Cornell Research Foundation, Inc. Fabrication of metal lines for semiconductor devices
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US5196359A (en) 1988-06-30 1993-03-23 Texas Instruments Incorporated Method of forming heterostructure field effect transistor
JPH0335536A (ja) 1989-06-30 1991-02-15 Fujitsu Ltd 電界効果型半導体装置
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5053348A (en) 1989-12-01 1991-10-01 Hughes Aircraft Company Fabrication of self-aligned, t-gate hemt
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5290393A (en) 1991-01-31 1994-03-01 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor
EP0576566B1 (en) 1991-03-18 1999-05-26 Trustees Of Boston University A method for the preparation and doping of highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films
US5374843A (en) 1991-05-06 1994-12-20 Silinconix, Inc. Lightly-doped drain MOSFET with improved breakdown characteristics
US5192987A (en) 1991-05-17 1993-03-09 Apa Optics, Inc. High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions
JPH0521793A (ja) 1991-07-09 1993-01-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0661266A (ja) 1992-08-06 1994-03-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置とその製造方法
JPH06224225A (ja) 1993-01-27 1994-08-12 Fujitsu Ltd 電界効果半導体装置
JPH06267991A (ja) 1993-03-12 1994-09-22 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3188346B2 (ja) 1993-06-10 2001-07-16 ローム株式会社 電界効果トランジスタ
JPH0738337A (ja) 1993-07-20 1995-02-07 Hitachi Ltd 低歪カスケード回路
JPH0738108A (ja) 1993-07-21 1995-02-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> フィ―ルド電極層を有するｍｏｓ型電界効果トランジスタ
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
JP2658860B2 (ja) 1993-12-20 1997-09-30 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5543253A (en) 1994-08-08 1996-08-06 Electronics & Telecommunications Research Inst. Photomask for t-gate formation and process for fabricating the same
US5523589A (en) 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
JP3051817B2 (ja) 1995-01-31 2000-06-12 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US5569937A (en) 1995-08-28 1996-10-29 Motorola High breakdown voltage silicon carbide transistor
EP0772249B1 (en) 1995-11-06 2006-05-03 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
KR0167273B1 (ko) 1995-12-02 1998-12-15 문정환 고전압 모스전계효과트렌지스터의 구조 및 그 제조방법
US6720615B2 (en) 1996-01-22 2004-04-13 Fuji Electric Co., Ltd. Vertical-type MIS semiconductor device
TW360982B (en) 1996-01-26 1999-06-11 Matsushita Electric Works Ltd Thin film transistor of silicon-on-insulator type
JPH09232827A (ja) 1996-02-21 1997-09-05 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及び送受信切り替え型アンテナスイッチ回路
US5652179A (en) 1996-04-24 1997-07-29 Watkins-Johnson Company Method of fabricating sub-micron gate electrode by angle and direct evaporation
US5710455A (en) 1996-07-29 1998-01-20 Motorola Lateral MOSFET with modified field plates and damage areas
US5929467A (en) 1996-12-04 1999-07-27 Sony Corporation Field effect transistor with nitride compound
JP3958404B2 (ja) 1997-06-06 2007-08-15 三菱電機株式会社 横型高耐圧素子を有する半導体装置
JPH118256A (ja) 1997-06-13 1999-01-12 Oki Electric Ind Co Ltd 電界効果トランジスタの製造方法
TW334632B (en) 1997-07-24 1998-06-21 Mitsubishi Electric Corp Field effective semiconductor
JP4028897B2 (ja) 1997-07-24 2007-12-26 三菱電機株式会社 電界効果半導体装置
JP3457511B2 (ja) 1997-07-30 2003-10-20 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US5898198A (en) 1997-08-04 1999-04-27 Spectrian RF power device having voltage controlled linearity
JP3249446B2 (ja) 1997-09-18 2002-01-21 株式会社東芝 電界効果トランジスタの製造方法
US6346451B1 (en) 1997-12-24 2002-02-12 Philips Electronics North America Corporation Laterial thin-film silicon-on-insulator (SOI) device having a gate electrode and a field plate electrode
DE19800647C1 (de) 1998-01-09 1999-05-27 Siemens Ag SOI-Hochspannungsschalter
JP3127874B2 (ja) 1998-02-12 2001-01-29 日本電気株式会社 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP3233207B2 (ja) 1998-03-20 2001-11-26 日本電気株式会社 電界効果トランジスタの製造方法
JP3534624B2 (ja) 1998-05-01 2004-06-07 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6316793B1 (en) 1998-06-12 2001-11-13 Cree, Inc. Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates
JP3111985B2 (ja) 1998-06-16 2000-11-27 日本電気株式会社 電界効果型トランジスタ
JP2000082671A (ja) 1998-06-26 2000-03-21 Sony Corp 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置とその製造方法
US6042975A (en) 1998-07-08 2000-03-28 Lucent Technologies Inc. Alignment techniques for photolithography utilizing multiple photoresist layers
US6100549A (en) 1998-08-12 2000-08-08 Motorola, Inc. High breakdown voltage resurf HFET
JP3180776B2 (ja) 1998-09-22 2001-06-25 日本電気株式会社 電界効果型トランジスタ
US6621121B2 (en) 1998-10-26 2003-09-16 Silicon Semiconductor Corporation Vertical MOSFETs having trench-based gate electrodes within deeper trench-based source electrodes
JP4182376B2 (ja) 1998-12-02 2008-11-19 富士通株式会社 半導体装置
US6495409B1 (en) 1999-01-26 2002-12-17 Agere Systems Inc. MOS transistor having aluminum nitride gate structure and method of manufacturing same
JP3429700B2 (ja) 1999-03-19 2003-07-22 富士通カンタムデバイス株式会社 高電子移動度トランジスタ
JP3497406B2 (ja) 1999-03-25 2004-02-16 株式会社クボタ 水田作業機
US6127703A (en) 1999-08-31 2000-10-03 Philips Electronics North America Corporation Lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) PMOS device having a drain extension region
JP3438133B2 (ja) 1999-09-27 2003-08-18 富士通株式会社 電界効果半導体装置及びその製造方法
JP3371871B2 (ja) 1999-11-16 2003-01-27 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP2001160656A (ja) 1999-12-01 2001-06-12 Sharp Corp 窒化物系化合物半導体装置
US6639255B2 (en) 1999-12-08 2003-10-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. GaN-based HFET having a surface-leakage reducing cap layer
JP2001189324A (ja) 1999-12-28 2001-07-10 Ricoh Co Ltd 半導体装置
US6586781B2 (en) 2000-02-04 2003-07-01 Cree Lighting Company Group III nitride based FETs and HEMTs with reduced trapping and method for producing the same
US6686616B1 (en) 2000-05-10 2004-02-03 Cree, Inc. Silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors
JP4186032B2 (ja) 2000-06-29 2008-11-26 日本電気株式会社 半導体装置
JP4198339B2 (ja) 2000-07-17 2008-12-17 ユーディナデバイス株式会社 化合物半導体装置
TWI257179B (en) 2000-07-17 2006-06-21 Fujitsu Quantum Devices Ltd High-speed compound semiconductor device operable at large output power with minimum leakage current
JP3429481B2 (ja) 2000-08-01 2003-07-22 株式会社キャメル バックル
US6624488B1 (en) 2000-08-07 2003-09-23 Advanced Micro Devices, Inc. Epitaxial silicon growth and usage of epitaxial gate insulator for low power, high performance devices
JP4322414B2 (ja) 2000-09-19 2009-09-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US6690042B2 (en) 2000-09-27 2004-02-10 Sensor Electronic Technology, Inc. Metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor
JP2002118122A (ja) 2000-10-06 2002-04-19 Nec Corp ショットキゲート電界効果トランジスタ
US6891235B1 (en) 2000-11-15 2005-05-10 International Business Machines Corporation FET with T-shaped gate
TWI288435B (en) 2000-11-21 2007-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and equipment for communication system
US6548333B2 (en) 2000-12-01 2003-04-15 Cree, Inc. Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6468878B1 (en) 2001-02-27 2002-10-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. SOI LDMOS structure with improved switching characteristics
JP2002270830A (ja) 2001-03-12 2002-09-20 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
US7622322B2 (en) 2001-03-23 2009-11-24 Cornell Research Foundation, Inc. Method of forming an AlN coated heterojunction field effect transistor
GB0107408D0 (en) 2001-03-23 2001-05-16 Koninkl Philips Electronics Nv Field effect transistor structure and method of manufacture
JP4220683B2 (ja) 2001-03-27 2009-02-04 パナソニック株式会社 半導体装置
US6849882B2 (en) 2001-05-11 2005-02-01 Cree Inc. Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer
JP3744381B2 (ja) 2001-05-17 2006-02-08 日本電気株式会社 電界効果型トランジスタ
US6475857B1 (en) 2001-06-21 2002-11-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of making a scalable two transistor memory device
EP2267784B1 (en) 2001-07-24 2020-04-29 Cree, Inc. INSULATING GATE AlGaN/GaN HEMT
GB0122122D0 (en) 2001-09-13 2001-10-31 Koninkl Philips Electronics Nv Trench-gate semiconductor devices and their manufacture
JP2003100775A (ja) 2001-09-20 2003-04-04 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2003174039A (ja) 2001-09-27 2003-06-20 Murata Mfg Co Ltd ヘテロ接合電界効果トランジスタ
US6906350B2 (en) 2001-10-24 2005-06-14 Cree, Inc. Delta doped silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors having a gate disposed in a double recess structure
AU2002339582A1 (en) 2001-11-01 2003-05-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lateral soi field-effect transistor
KR100445904B1 (ko) 2001-12-12 2004-08-25 한국전자통신연구원 소스 필드 플레이트를 갖는 드레인 확장형 모스 전계 효과트랜지스터 및그 제조방법
JP2003188189A (ja) 2001-12-20 2003-07-04 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 半導体装置の製造方法
KR100438895B1 (ko) 2001-12-28 2004-07-02 한국전자통신연구원 고전자 이동도 트랜지스터 전력 소자 및 그 제조 방법
JP2003203930A (ja) 2002-01-08 2003-07-18 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd ショットキーゲート電界効果型トランジスタ
JP2003203923A (ja) 2002-01-10 2003-07-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
GB0202437D0 (en) 2002-02-02 2002-03-20 Koninkl Philips Electronics Nv Cellular mosfet devices and their manufacture
DE10206739C1 (de) 2002-02-18 2003-08-21 Infineon Technologies Ag Transistorbauelement
JP3908572B2 (ja) 2002-03-18 2007-04-25 株式会社東芝 半導体素子
JP3705431B2 (ja) 2002-03-28 2005-10-12 ユーディナデバイス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3723780B2 (ja) 2002-03-29 2005-12-07 ユーディナデバイス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6559513B1 (en) 2002-04-22 2003-05-06 M/A-Com, Inc. Field-plate MESFET
DE10304722A1 (de) 2002-05-11 2004-08-19 United Monolithic Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP1514300A1 (en) 2002-05-31 2005-03-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Trench-gate semiconductor device and method of manufacturing
US6740535B2 (en) 2002-07-29 2004-05-25 International Business Machines Corporation Enhanced T-gate structure for modulation doped field effect transistors
US6870219B2 (en) 2002-07-31 2005-03-22 Motorola, Inc. Field effect transistor and method of manufacturing same
US6884704B2 (en) 2002-08-05 2005-04-26 Hrl Laboratories, Llc Ohmic metal contact and channel protection in GaN devices using an encapsulation layer
US20040021152A1 (en) 2002-08-05 2004-02-05 Chanh Nguyen Ga/A1GaN Heterostructure Field Effect Transistor with dielectric recessed gate
US6838325B2 (en) 2002-10-24 2005-01-04 Raytheon Company Method of forming a self-aligned, selectively etched, double recess high electron mobility transistor
US8089097B2 (en) 2002-12-27 2012-01-03 Momentive Performance Materials Inc. Homoepitaxial gallium-nitride-based electronic devices and method for producing same
TWI230978B (en) 2003-01-17 2005-04-11 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor device and the manufacturing method thereof
JP4077731B2 (ja) 2003-01-27 2008-04-23 富士通株式会社 化合物半導体装置およびその製造方法
KR100573720B1 (ko) 2003-01-29 2006-04-26 가부시끼가이샤 도시바 전력 반도체소자
US6933544B2 (en) 2003-01-29 2005-08-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor device
JP3940699B2 (ja) 2003-05-16 2007-07-04 株式会社東芝 電力用半導体素子
US6939781B2 (en) * 2003-06-27 2005-09-06 Freescale Semiconductor, Inc. Method of manufacturing a semiconductor component that includes self-aligning a gate electrode to a field plate
JP2005053513A (ja) 2003-07-31 2005-03-03 Yoshino Kogyosho Co Ltd 二重容器及び二重容器の成形方法
US7501669B2 (en) 2003-09-09 2009-03-10 Cree, Inc. Wide bandgap transistor devices with field plates
TWI430341B (zh) 2003-09-09 2014-03-11 Univ California 單一或多重閘極場平板之製造
US7126426B2 (en) * 2003-09-09 2006-10-24 Cree, Inc. Cascode amplifier structures including wide bandgap field effect transistor with field plates
JP4417677B2 (ja) 2003-09-19 2010-02-17 株式会社東芝 電力用半導体装置
US7488992B2 (en) 2003-12-04 2009-02-10 Lockheed Martin Corporation Electronic device comprising enhancement mode pHEMT devices, depletion mode pHEMT devices, and power pHEMT devices on a single substrate and method of creation
US7071498B2 (en) 2003-12-17 2006-07-04 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices including an electrode-defining layer and methods of forming the same
US7045404B2 (en) 2004-01-16 2006-05-16 Cree, Inc. Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof
US7170111B2 (en) 2004-02-05 2007-01-30 Cree, Inc. Nitride heterojunction transistors having charge-transfer induced energy barriers and methods of fabricating the same
JP4041075B2 (ja) 2004-02-27 2008-01-30 株式会社東芝 半導体装置
US7550783B2 (en) 2004-05-11 2009-06-23 Cree, Inc. Wide bandgap HEMTs with source connected field plates
US7573078B2 (en) * 2004-05-11 2009-08-11 Cree, Inc. Wide bandgap transistors with multiple field plates
US9773877B2 (en) 2004-05-13 2017-09-26 Cree, Inc. Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates
JP2005340417A (ja) 2004-05-26 2005-12-08 Mitsubishi Electric Corp ヘテロ接合電界効果型半導体装置
JP2006032552A (ja) 2004-07-14 2006-02-02 Toshiba Corp 窒化物含有半導体装置
US7229903B2 (en) 2004-08-25 2007-06-12 Freescale Semiconductor, Inc. Recessed semiconductor device
DE102005039564B4 (de) 2004-09-02 2011-03-31 Fuji Electric Systems Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils
US7312481B2 (en) 2004-10-01 2007-12-25 Texas Instruments Incorporated Reliable high-voltage junction field effect transistor and method of manufacture therefor
JP2006114652A (ja) 2004-10-14 2006-04-27 Hitachi Cable Ltd 半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ
US7456443B2 (en) 2004-11-23 2008-11-25 Cree, Inc. Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region
US7161194B2 (en) * 2004-12-06 2007-01-09 Cree, Inc. High power density and/or linearity transistors
US11791385B2 (en) * 2005-03-11 2023-10-17 Wolfspeed, Inc. Wide bandgap transistors with gate-source field plates
US7465967B2 (en) 2005-03-15 2008-12-16 Cree, Inc. Group III nitride field effect transistors (FETS) capable of withstanding high temperature reverse bias test conditions
CN101238560B (zh) * 2005-06-10 2011-08-31 日本电气株式会社 场效应晶体管
WO2006132418A1 (ja) * 2005-06-10 2006-12-14 Nec Corporation 電界効果トランジスタ
US7385273B2 (en) 2005-06-10 2008-06-10 International Rectifier Corporation Power semiconductor device
US7679111B2 (en) 2005-09-16 2010-03-16 International Rectifier Corporation Termination structure for a power semiconductor device
JP2007150282A (ja) * 2005-11-02 2007-06-14 Sharp Corp 電界効果トランジスタ
US7566918B2 (en) * 2006-02-23 2009-07-28 Cree, Inc. Nitride based transistors for millimeter wave operation
JP5307973B2 (ja) 2006-02-24 2013-10-02 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 半導体装置
US7388236B2 (en) * 2006-03-29 2008-06-17 Cree, Inc. High efficiency and/or high power density wide bandgap transistors
US7629627B2 (en) 2006-04-18 2009-12-08 University Of Massachusetts Field effect transistor with independently biased gates
JP5065616B2 (ja) * 2006-04-21 2012-11-07 株式会社東芝 窒化物半導体素子
US7420417B2 (en) 2006-06-05 2008-09-02 Win Semiconductors Corp. Two-port dual-gate HEMT for discrete device application
JP5036233B2 (ja) 2006-07-06 2012-09-26 シャープ株式会社 半導体スイッチング素子および半導体回路装置
JP4304198B2 (ja) * 2006-09-15 2009-07-29 株式会社東芝 半導体装置
PL2080228T3 (pl) 2006-10-04 2021-04-19 Leonardo S.P.A. Urządzenie mocy pseudomorficznego tranzystora o wysokiej ruchliwości elektronów (phemt) z zasilaniem jednonapięciowym i sposób jego wytwarzania
US8823057B2 (en) * 2006-11-06 2014-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices
EP1921669B1 (en) 2006-11-13 2015-09-02 Cree, Inc. GaN based HEMTs with buried field plates
US7692263B2 (en) * 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
US8502323B2 (en) * 2007-08-03 2013-08-06 The Hong Kong University Of Science And Technology Reliable normally-off III-nitride active device structures, and related methods and systems
US7915643B2 (en) 2007-09-17 2011-03-29 Transphorm Inc. Enhancement mode gallium nitride power devices
US7985986B2 (en) * 2008-07-31 2011-07-26 Cree, Inc. Normally-off semiconductor devices
JP5597921B2 (ja) 2008-12-22 2014-10-01 サンケン電気株式会社 半導体装置
US8552471B2 (en) 2009-01-16 2013-10-08 Nec Corporation Semiconductor apparatus having reverse blocking characteristics and method of manufacturing the same
US7884394B2 (en) 2009-02-09 2011-02-08 Transphorm Inc. III-nitride devices and circuits
US8741715B2 (en) 2009-04-29 2014-06-03 Cree, Inc. Gate electrodes for millimeter-wave operation and methods of fabrication
JP2010278333A (ja) 2009-05-29 2010-12-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置およびその製造方法
JP5481103B2 (ja) 2009-06-11 2014-04-23 株式会社東芝 窒化物半導体素子
US20110241020A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 Triquint Semiconductor, Inc. High electron mobility transistor with recessed barrier layer
JP5548909B2 (ja) * 2010-04-23 2014-07-16 古河電気工業株式会社 窒化物系半導体装置
US8829999B2 (en) 2010-05-20 2014-09-09 Cree, Inc. Low noise amplifiers including group III nitride based high electron mobility transistors
US8421122B2 (en) 2010-05-20 2013-04-16 Cree, Inc. High power gallium nitride field effect transistor switches
JP5688556B2 (ja) 2010-05-25 2015-03-25 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電界効果トランジスタ
JP5845568B2 (ja) 2010-11-02 2016-01-20 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5550740B2 (ja) 2010-11-10 2014-07-16 三菱電機株式会社 半導体装置、および半導体装置の製造方法
US20120175679A1 (en) * 2011-01-10 2012-07-12 Fabio Alessio Marino Single structure cascode device
JP5874173B2 (ja) 2011-02-25 2016-03-02 富士通株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
JP5866773B2 (ja) * 2011-02-25 2016-02-17 富士通株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
JP5343100B2 (ja) 2011-03-17 2013-11-13 株式会社東芝 窒化物半導体装置
US9024357B2 (en) 2011-04-15 2015-05-05 Stmicroelectronics S.R.L. Method for manufacturing a HEMT transistor and corresponding HEMT transistor
US8610173B2 (en) 2011-08-01 2013-12-17 Selex Sistemi Integrati S.P.A. Enhancement/depletion PHEMT device
US8901604B2 (en) * 2011-09-06 2014-12-02 Transphorm Inc. Semiconductor devices with guard rings
JP5591776B2 (ja) * 2011-09-21 2014-09-17 株式会社東芝 窒化物半導体装置およびそれを用いた回路
JP5908692B2 (ja) 2011-09-29 2016-04-26 トランスフォーム・ジャパン株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
JP2013157407A (ja) * 2012-01-27 2013-08-15 Fujitsu Semiconductor Ltd 化合物半導体装置及びその製造方法
US8975664B2 (en) * 2012-06-27 2015-03-10 Triquint Semiconductor, Inc. Group III-nitride transistor using a regrown structure
US9024324B2 (en) 2012-09-05 2015-05-05 Freescale Semiconductor, Inc. GaN dual field plate device with single field plate metal
JP5949527B2 (ja) * 2012-12-21 2016-07-06 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法、電源装置、高周波増幅器
US8946779B2 (en) * 2013-02-26 2015-02-03 Freescale Semiconductor, Inc. MISHFET and Schottky device integration
US9425267B2 (en) 2013-03-14 2016-08-23 Freescale Semiconductor, Inc. Transistor with charge enhanced field plate structure and method
JP6220161B2 (ja) * 2013-06-03 2017-10-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US9755059B2 (en) 2013-06-09 2017-09-05 Cree, Inc. Cascode structures with GaN cap layers
US9679981B2 (en) 2013-06-09 2017-06-13 Cree, Inc. Cascode structures for GaN HEMTs

Also Published As

Publication number Publication date
US9679981B2 (en) 2017-06-13
EP3008758B1 (en) 2019-06-19
CN105283958A (zh) 2016-01-27
EP3522231B1 (en) 2023-12-27
EP3522231A1 (en) 2019-08-07
EP3008758A1 (en) 2016-04-20
WO2014200643A1 (en) 2014-12-18
US20140361341A1 (en) 2014-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105283958B (zh) GaN HEMT的共源共栅结构
US20230420526A1 (en) Wide bandgap transistors with gate-source field plates
JP6228167B2 (ja) ソース接続フィールドプレートを備えるワイドバンドギャップｈｅｍｔ
US8283699B2 (en) GaN based HEMTs with buried field plates
CN1950945B (zh) 具有多个场板的宽能带隙晶体管
TW201511261A (zh) 凹入式場板電晶體結構

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant