CN103282196B - 成形体、其制造方法、电子装置用构件以及电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明为一种成形体、其制造方法、包含该成形体的电子装置用构件、以及具备该电子装置用构件的电子装置。所述成形体为基材层、包含含羟基聚合物的底漆层以及阻气层依次层叠而成的成形体，前述阻气层由至少包含氧原子和硅原子的材料构成，其表层部中，相对于氧原子、氮原子以及硅原子的总存在量，氧原子的存在比率为60~75%、氮原子的存在比率为0~10%、硅原子的存在比率为25~35%，且该表层部的膜密度为2.4~4.0g/cm3。根据本发明，提供阻气性和透明性优异的成形体、其制造方法、包含该成形体的电子装置用构件、以及具备该电子装置用构件的电子装置。

Description

成形体、其制造方法、电子装置用构件以及电子装置
技术分野
本发明涉及成形体、其制造方法、包含该成形体的电子装置用构件、以及具备该电子装置用构件的电子装置。
背景技术
以往，塑料薄膜等高分子成形体由于价格低廉且加工性优异，因而对其赋予所期望的功能而在各种领域中使用。
例如，对于食品、药品的包装用薄膜而言，为了抑制蛋白质、油脂等的氧化、变质保持味道、新鲜度，使用了防止水蒸气、氧透过的阻气性的塑料薄膜。
另外，近年来，对于液晶显示器、电致发光(EL)显示器等显示器而言，为了实现薄型化、轻量化、柔性化等，研究了作为具有电极的基板，使用透明塑料薄膜来代替玻璃板。然而，塑料薄膜存在与玻璃板相比水蒸气、氧等容易透过，从而容易引起显示器内部的元件劣化的问题。
为了解决该问题，专利文献1中提出了在透明塑料薄膜上层叠由金属氧化物形成的透明阻气层而成的柔性显示器基板。
然而，该文献中记载的柔性显示器基板是利用蒸镀法、离子电镀法、溅射法等在透明塑料薄膜表面上层叠由金属氧化物形成的透明阻气层而成的，因此将该基板卷曲或弯折时，存在阻气层产生裂纹而导致阻气性降低这样的问题。
另外，专利文献2中公开了在薄膜的至少一面上形成聚硅氮烷膜并对该聚硅氮烷膜实施等离子体处理，从而制造阻气性薄膜的方法。然而，该方法存在不将阻气层的厚度控制为微米数量级就无法表现出充分的阻气性能的问题。例如记载了：若将阻气层的厚度制成0.1μm，则水蒸气透过率为0.50g/m2/天。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-338901号公报
专利文献2：日本特开2007-237588号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明是鉴于上述现有技术而进行的，其课题在于，提供阻气性和透明性优异的成形体、其制造方法、包含该成形体的电子装置用构件、以及具备该电子装置用构件的电子装置。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，下述成形体的阻气性和透明性优异，所述成形体为基材层、包含含羟基聚合物的底漆层以及阻气层依次层叠而成的成形体，前述阻气层由至少包含氧原子和硅原子的材料构成，其表层部中，氧原子、氮原子以及硅原子的存在比率以及膜密度为特定的值。另外发现，以及，在基材层上形成包含含羟基聚合物的底漆层，进而在其上形成作为阻气层的包含聚硅氮烷化合物的层后，向该包含聚硅氮烷化合物的层注入离子，从而能够简便且高效地制造阻气性和透明性优异的成形体，从而完成了本发明。
由此，根据本发明的第一技术方案，提供下述(1)~(8)的成形体。
(1)成形体，其为基材层、包含含羟基聚合物的底漆层以及阻气层依次层叠而成的成形体，前述阻气层由至少包含氧原子和硅原子的材料构成，其表层部中，相对于氧原子、氮原子以及硅原子的总存在量，氧原子的存在比率为60~75%、氮原子的存在比率为0~10%、硅原子的存在比率为25~35%，且该表层部的膜密度为2.4~4.0g/cm3。
(2)根据(1)所述的成形体，其中，前述阻气层是向包含聚硅氮烷化合物的层注入离子而得到的。
(3)根据(1)或(2)所述的成形体，其中，前述含羟基聚合物含有相对于全部重复单元为10mol%以上的包含羟基的重复单元。
(4)根据(2)或(3)所述的成形体，其中，前述离子是将选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙以及氪中的至少一种气体离子化而成的。
(5)根据(2)~(4)中任一项所述的成形体，其中，前述阻气层是通过等离子体离子注入向包含聚硅氮烷化合物的层注入离子而得到的层。
(6)根据(2)~(5)中任一项所述的成形体，其中，前述聚硅氮烷化合物为全氢聚硅氮烷。
(7)根据(1)~(6)中任一项所述的成形体，其中，40℃、相对湿度为90%的气氛下的水蒸气透过率低于0.10g/m2/天。
(8)根据(1)~(7)中任一项所述的成形体，其中，基于JIS K 7361-1的总光线透过率为90%以上。
根据本发明的第二技术方案，提供下述(9)~(11)的成形体的制造方法。
(9)根据(2)所述的成形体的制造方法，其具备：在表面形成有包含含羟基聚合物的底漆层的基材的、前述底漆层上形成包含聚硅氮烷化合物的层的工序；以及，向前述包含聚硅氮烷化合物的层的表面部注入离子的工序。
(10)根据(9)所述的成形体的制造方法，其具备：在表面形成有包含含羟基聚合物的底漆层的基材的、前述底漆层上形成包含聚硅氮烷化合物的层的工序；以及，向该包含聚硅氮烷化合物的层的表面部离子注入选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙以及氪中的至少一种气体的工序。
(11)根据(9)所述的成形体的制造方法，其具备：在表面形成有包含含羟基聚合物的底漆层的基材的、前述底漆层上形成包含聚硅氮烷化合物的层的工序；以及，利用等离子体离子注入法向该包含聚硅氮烷化合物的层的表面部离子注入选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙以及氪中的至少一种气体的工序。
根据本发明的第三技术方案，提供下述(12)的电子装置用构件。
(12)电子装置用构件，其包含前述(1)~(8)中任一项所述的成形体。
根据本发明的第四技术方案，提供下述(13)的电子装置。
(13)电子装置，其具备前述(12)所述的电子装置用构件。
发明的效果
本发明的成形体具有优异的阻气性能，透明性良好。因此，本发明的成形体可以适合用作太阳能电池、触摸面板、电子纸、显示器等的电子装置用构件。
根据本发明的制造方法，可以安全且简便地制造具有优异阻气性的本发明的成形体。另外，能够以低于无机薄膜成膜的成本容易地实现大面积化。
本发明的电子装置用构件具有优异的阻气性和透明性，因此可以适合用于触摸面板、电子纸、有机/无机EL的柔性显示器、太阳能电池等电子装置等。
附图说明
图1是通过向聚硅氮烷层进行离子注入来形成阻气层、从而获得本发明的成形体的工序中的、成形体的层构成截面图。
图2是本发明的成形体的层构成截面图。
图3是表示实施例1的成形体1的表面部区域(表面至深度方向50nm左右的区域)中的氧原子、氮原子以及硅原子的存在比率(%)的图。
图4是表示比较例4的成形体4r的表面部区域(表面至深度方向50nm左右的区域)中的氧原子、氮原子以及硅原子的存在比率(%)的图。
图5是表示实施例1的成形体1中的氧原子、碳原子、氮原子以及硅原子的存在比率(%)的图。
图6是表示比较例4的成形体4r中的氧原子、碳原子、氮原子以及硅原子的存在比率(%)的图。
具体实施方式
以下，将本发明分为1)成形体、2)成形体的制造法、以及3)电子装置用构件以及电子装置来详细说明。
1)成形体
本发明的成形体的特征在于，其为基材层、包含含羟基聚合物的底漆层以及阻气层依次层叠而成的成形体，前述阻气层由至少包含氧原子和硅原子的材料构成，其表层部中，相对于氧原子、氮原子以及硅原子的总存在量，氧原子的存在比率为60~75%、氮原子的存在比率为0~10%、硅原子的存在比率为25~35%，且该表层部的膜密度为2.4~4.0g/cm3。
(基材层)
本发明的成形体具有基材层。作为该基材层的原材料，只要是聚硅氮烷化合物以外的、符合成形体的目的的就没有特别限定。例如可列举出聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸系树脂、环烯烃系聚合物、芳香族系聚合物等。
这些之中，从透明性优异、具有通用性的方面出发，优选为聚酯、聚酰胺、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯或环烯烃系聚合物，更优选为聚酯或环烯烃系聚合物。
作为聚酯，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等。
作为聚酰胺，可列举出全芳香族聚酰胺、尼龙6、尼龙66、尼龙共聚物等。
作为环烯烃系聚合物，可列举出降冰片烯系聚合物、单环的环状烯烃系聚合物、环状共轭二烯系聚合物、乙烯基脂环式烃聚合物、以及它们的氢化物。作为其具体例子，可列举出APEL(三井化学株式会社制造的乙烯-环烯烃共聚物)、ARTON(JSR CORPORATION制造的降冰片烯系聚合物)、ZEONOR(Zeon Corporation制造的降冰片烯系聚合物)等。
作为基材层的厚度，没有特别限定，可以配合成形体的目的来进行决定，通常为0.5~500μm，优选为1~100μm。
(包含含羟基聚合物的底漆层)
本发明的成形体在前述基材层与后述的阻气层之间具有包含含羟基聚合物的底漆层(以下，有时简称为“底漆层”。)。
通过形成所述底漆层，可以如后述那样地、提高基材层与阻气层的密合性，且可以在向包含聚硅氮烷化合物的层注入离子而形成阻气层的情况下，防止离子通过包含聚硅氮烷化合物的层、离子注入到基材层中而导致基材层着色。
前述底漆层包含以重量比计优选为30%以上、更优选为50%以上的含羟基聚合物。
作为含羟基聚合物，只要是含有羟基的聚合物就没有特别限定，优选含有相对于重复单元总体为10mol%以上、更优选为50mol%以上的具有羟基的重复单元。羟基的含量处于该范围时，可以提高基材层与阻气层的层间密合性。
作为含羟基聚合物的具体例子，可列举出聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩醛、乙烯-乙烯醇共聚物等聚乙烯醇系聚合物；丙烯酸多元醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇等多元醇系聚合物；聚(2-羟基甲基丙烯酸乙酯)等含羟基的丙烯酸系聚合物；纤维素等纤维素系聚合物；等等。
这些之中，从更有效地防止成形体的透明性降低的观点等出发，优选为聚乙烯醇系聚合物，更优选为聚乙烯醇。另外，聚乙烯醇可以是聚醋酸乙烯酯部分皂化而成的皂化物，也可以是完全皂化而成的皂化物。聚乙烯醇的皂化度优选为80%以上。
另外，聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩醛是聚乙烯醇经缩醛化、缩酮化而成的，优选反应至羟基残留上述范围的量。
含羟基聚合物的数均分子量优选为200~1,000,000，更优选为300~800,000，进一步优选为1,000~20,000。
包含含羟基聚合物的底漆层例如可以如下形成：将含羟基聚合物溶解或分散在适当的溶剂中而成的底漆层形成用溶液涂覆在基材层上，使所得涂膜干燥，根据期望进行加热，从而形成。作为底漆层形成用溶液，可以直接使用市售品(例如，日本合成化学工业株式会社制造、Gohsenol GL-03等)。
作为将底漆层形成用溶液涂覆于基材层的方法，可以使用通常的湿式涂布方法。例如可列举出浸渍法、辊涂法、凹版涂布法、刮刀涂布法、气刀涂布法、辊刮刀涂布法、挤压涂布法、网版印刷法、喷涂法、凹版胶印法(gravure offset method)等。
作为对底漆层形成用溶液的涂膜进行干燥的方法，可以采用热风干燥、热辊干燥、红外线照射等现有公知的干燥方法。
底漆层的厚度通常为1~1000nm、优选为10~100nm。
(阻气层)
本发明的成形体在前述基材层上形成的底漆层上还具有阻气层。
该阻气层的特征为下述的(a)~(c)。
(a)由至少包含氧原子和硅原子的材料构成。
(b)表层部中，相对于氧原子、氮原子以及硅原子的总存在量，氧原子的存在比率为60~75%、优选为60~72%、更优选为63~70%，氮原子的存在比率为0~10%、优选为0.1~8%、更优选为0.1~6%，硅原子的存在比率为25~35%、优选为27~35%、更优选为29~32%。
(c)表层部的膜密度为2.4~4.0g/cm3。
前述阻气层的表层部是指阻气层的表面、以及从该表面至深度方向5nm为止的区域。另外，阻气层的表面还包含与其它层的分界面的意思，是与前述底漆层相反的面。
表层部中的氧原子、氮原子以及硅原子的存在比率按照实施例中说明的方法进行测定。
膜密度可以使用X射线反射率法(XRR)来算出。
使X射线相对于基板上的薄膜以非常小的角度入射时，会产生全反射。入射X射线的角度变为全反射临界角以上时，X射线侵入薄膜内部而在薄膜表面、界面分为透射波和反射波，反射波发生干涉。通过分析全反射临界角，可以求出膜的密度。需要说明的是，通过边改变入射角度边进行测定，分析伴随光程差变化的反射波的干涉信号，还能够求出薄膜的膜厚。
膜密度可以通过以下方法来测定。
一般来说，已知物质相对于X射线的折射率n以及折射率n的实数部分（real part）的δ满足以下的式1和式2。
[数学式1]
[数学式2]
此处，re表示电子的经典半径(2.818×10-15m)，N0表示阿伏加德罗常数，λ表示X射线的波长，ρ表示密度(g/cm3)，Zi、Mi、xi分别表示第i个原子的原子序数、原子量以及原子数比(摩尔比)，fi’表示第i个原子的原子散射因子(反常色散项)。另外，全反射临界角θC在忽视与吸收相关的β时可用式3表示。
[数学式3]
因此，根据式2以及式3的关系，密度ρ可以由式4求出。
[数学式4]
此处，θC是能够通过X射线反射率而求出的值，re、N0、λ是常数，Zi、Mi、fi’是各构成原子所固有的值。需要说明的是，关于xi：原子数比(摩尔比)，使用由XPS测定而得到的结果。
阻气层的表层部的膜密度用实施例中说明的方法进行测定，可以使用式4来获得。
本发明中，阻气层的厚度没有特别限定，通常为20nm~100μm、优选为30~500nm、更优选为40~200nm。
本发明中，即使阻气层为纳米数量级，也能够获得具有充分阻气性能的成形体。
另外，本发明的阻气层也可以是向包含聚硅氮烷化合物的层(以下，有时称为“聚硅氮烷层”。)注入离子而得到的层(以下，有时称为“离子注入层”。)。
前述离子注入层优选满足上述(a)~(c)的条件。
本发明中使用的聚硅氮烷化合物为分子内具有包含-Si-N-键的重复单元的高分子。具体而言，可列举出具有式(1)所示的重复单元的化合物。
式(1)中，n表示任意自然数。
Rx、Ry、Rz各自独立地表示氢原子、未取代或具有取代基的烷基、未取代或具有取代基的环烷基、未取代或具有取代基的烯基、未取代或具有取代基的芳基或者烷基甲硅烷基等非水解性基团。
作为前述未取代或具有取代基的烷基中的烷基，例如可列举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳原子数1~10的烷基。
作为未取代或具有取代基的环烷基中的环烷基，可列举出环丁基、环戊基、环己基、环庚基等碳原子数3~10的环烷基。
作为未取代或具有取代基的烯基中的烯基，例如可列举出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳原子数2~10的烯基。
作为前述烷基、环烷基以及烯基的取代基，可列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子；羟基；巯基；环氧基；环氧丙氧基；(甲基)丙烯酰氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等未取代或具有取代基的芳基；等等。
作为未取代或具有取代基的芳基中的芳基，例如可列举出苯基、1-萘基、2-萘基等碳原子数6~10的芳基。
作为前述芳基的取代基，可列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子；甲基、乙基等碳原子数1~6的烷基；甲氧基、乙氧基等碳原子数1~6的烷氧基；硝基；氰基；羟基；巯基；环氧基；环氧丙氧基；(甲基)丙烯酰氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等未取代或具有取代基的芳基；等等。
作为烷基甲硅烷基，可列举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、甲基二乙基甲硅烷基、二甲基甲硅烷基、二乙基甲硅烷基、甲基甲硅烷基、乙基甲硅烷基等。
这些之中，作为Rx、Ry、Rz，优选为氢原子、碳原子数1~6的烷基或苯基，特别优选为氢原子。
作为具有前述式(1)所示的重复单元的聚硅氮烷化合物，可以是Rx、Ry、Rz均为氢原子的无机聚硅氮烷或Rx、Ry、Rz中的至少一个不是氢原子的有机聚硅氮烷中的任一种。
作为无机聚硅氮烷，可列举出：
具有包含下述式(式中，a表示任意自然数)所示的重复单元的直链状结构、具有690~2000的分子量、一分子中具有3~10个SiH3基的全氢聚硅氮烷(日本特公昭63-16325号公报)；
具有式(A)所示的重复单元、具有直链状结构和支链结构的全氢聚硅氮烷，其中，
〔式中，b、c表示任意自然数、Y1表示氢原子或式(B)所示的基团〕
(式中，d表示任意自然数、＊表示键位置、Y2表示氢原子或前述(B)所示的基团。)；
具有式(C)所示的全氢聚硅氮烷结构、分子内具有直链状结构、支链结构以及环状结构的全氢聚硅氮烷等，
作为有机聚硅氮烷，可列举出：
(i)以-(Rx’SiHNH)-(Rx’表示未取代或具有取代基的烷基、未取代或具有取代基的环烷基、未取代或具有取代基的烯基、未取代或具有取代基的芳基或者烷基甲硅烷基。以下的Rx’也相同。)作为重复单元，具有主聚合度为3~5的环状结构的有机聚硅氮烷；
(ii)以-(Rx’SiHNRz’)-(Rz’表示未取代或具有取代基的烷基、未取代或具有取代基的环烷基、未取代或具有取代基的烯基、未取代或具有取代基的芳基或者烷基甲硅烷基。)作为重复单元，具有主聚合度为3~5的环状结构的有机聚硅氮烷；
(iii)以-(Rx’Ry’SiNH)-(Ry’表示未取代或具有取代基的烷基、未取代或具有取代基的环烷基、未取代或具有取代基的烯基、未取代或具有取代基的芳基或者烷基甲硅烷基。)作为重复单元，具有主聚合度为3~5的环状结构的有机聚硅氮烷；
(iv)分子内具有下述式所示的结构的聚有机(氢)硅氮烷；
(v)具有下述式所示的重复结构的聚硅氮烷等。
〔Rx’、Ry’表示与前述相同的意思， e、f表示任意自然数、Y3表示氢原子或式(E)所示的基团。〕
(式中，g表示任意自然数、＊表示键位置、Y4表示氢原子或前述(E)所示的基团。)
上述有机聚硅氮烷可以通过现有公知的方法进行制造。例如，通过使下述式(2)所示的未取代或具有取代基的卤代硅烷化合物和仲胺的反应产物与氨或伯胺反应来获得。
(式(2)中，m表示2或3，X表示卤素原子，R1表示前述的Rx、Ry、Rz、Rx’、Ry’、Rz’中的任一种取代基。)。
要使用的仲胺、氨以及伯胺可以根据目标聚硅氮烷化合物的结构进行适当选择。
另外，本发明中，作为聚硅氮烷化合物，也可以使用聚硅氮烷改性物。作为聚硅氮烷改性物，例如可列举出包含金属原子(该金属原子可交联。)的聚金属硅氮烷（polymetallosilazane）、重复单元为〔(SiH2)g(NH)h)〕以及〔(SiH2)iO〕(式中，g、h、i各自独立地为1、2或3。)所示的聚环氧硅氮烷（polysiloxazane）(日本特开昭62-195024号公报)、使聚硅氮烷与硼化合物反应而制造的聚硼硅氮烷(日本特开平2-84437号公报)、使聚硅氮烷与金属醇盐反应而制造的聚金属硅氮烷(日本特开昭63-81122号公报等)、无机硅氮烷高聚物或改性聚硅氮烷(日本特开平1-138108号公报等)、向聚硅氮烷导入有机成分而成的共聚硅氮烷(日本特开平2-175726号公报等)、向聚硅氮烷加成或添加了用于促进陶瓷化的催化剂性化合物而成的低温陶瓷化聚硅氮烷(日本特开平5-238827号公报等)；
硅醇盐加成型聚硅氮烷(日本特开平5-238827号公报)、缩水甘油加成型聚硅氮烷(日本特开平6-122852号公报)、乙酰丙酮络合物加成型聚硅氮烷(日本特开平6-306329号公报)、金属羧酸盐加成型聚硅氮烷(日本特开平6-299118号公报等)；
向上述聚硅氮烷或其改性物中添加胺类和/或酸类而成的聚硅氮烷组合物(日本特开平9-31333号公报)、向全氢聚硅氮烷的末端N原子加成甲醇等醇或六甲基二硅氮烷而得到的改性聚硅氮烷(日本特开平5-345826号公报、日本特开平4-63833号公报)等。
这些之中，作为本发明中使用的聚硅氮烷化合物，优选Rx、Ry、Rz均为氢原子的无机聚硅氮烷；Rx、Ry、Rz中的至少一个不是氢原子的有机聚硅氮烷，从获取容易性以及能够形成具有优异阻气性的注入层的观点出发，更优选为无机聚硅氮烷。
使用的聚硅氮烷化合物的数均分子量没有特别限定，优选为100~50,000。
进而，本发明中，聚硅氮烷化合物可以直接使用作为玻璃涂层材料等而市售的市售品。
聚硅氮烷层中，除了聚硅氮烷化合物之外，在不损害本发明的目的的范围内，还可以包含其它成分。作为其它成分，可列举出固化剂、其它高分子、防老剂、光稳定剂、阻燃剂等。
从能够形成具有优异阻气性的离子注入层的观点出发，聚硅氮烷层中的聚硅氮烷化合物的含量优选为50重量%以上，更优选为70重量%以上。
作为形成聚硅氮烷层的方法，没有特别限定，例如可列举出将包含聚硅氮烷化合物的至少一种、所期望的其它成分以及溶剂等的层形成用溶液涂布在前述底漆层上，将所得涂膜适度干燥而形成层的方法。
作为涂布装置，可以使用旋涂机、刮刀涂布机、凹版涂布机等公知的装置。
为了干燥所得涂膜、提高成形体的阻气性，优选将涂膜加热。加热在80~150℃下进行数十秒~数十分钟。
另外，聚硅氮烷层还可以如下形成：使二甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、六甲基二硅氮烷等的等离子体聚合性硅氮烷化合物的气体与塑料成形体接触，实施等离子体聚合处理，从而形成(日本特开平9-143289号公报)。
本发明中，要形成的聚硅氮烷层的厚度没有特别限定，通常为20nm~100μm、优选为30~500nm、更优选为40~200nm。
本发明中，即使聚硅氮烷层为纳米数量级，也能够获得具有充分阻气性能的成形体。
可以认为，在底漆层上形成聚硅氮烷层时，如图1(a)所示那样，在聚硅氮烷层30与底漆层20的分界部，形成聚硅氮烷化合物与含羟基聚合物所具有的羟基反应而得到的反应产物的层40。如图1(b)所示那样，在向聚硅氮烷层30注入离子而得到图1(c)所示那样的、形成有具有注入离子的区域60的离子注入层(阻气层)50a的成形体100a的情况下，该层40起到阻止离子通过聚硅氮烷层30而注入到基材层10的表面的作用。
即，可以认为，在聚硅氮烷层30与底漆层20的分界部，聚硅氮烷层30的聚硅氮烷化合物与底漆层20中的含羟基聚合物的羟基反应，从而形成作为前述反应产物的层40的、SiO2等之类的分子内具有-Si-O-键的化合物的层。由于该所形成的分子内具有-Si-O-键的化合物的层的存在，在向聚硅氮烷层30注入离子的工序中，向基材层10注入离子受到阻碍，基材层10不会碳化。因此，可以防止基材层10的着色，其结果，成形体的透明性不会降低。
反应产物的层40可以通过使用实施例中说明的方法测定聚硅氮烷层30与底漆层20的分界部的氧原子、氮原子以及硅原子的存在比率来确认。
本发明的成形体中，离子注入层只要是包含至少一种聚硅氮烷化合物的层且向该层中注入离子而成的层就没有特别限定。
离子的注入量可以配合要形成的成形体的使用目的(必要的阻气性、透明性等)等来适当决定。
作为要注入的离子，可列举出氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体的离子；氟碳化合物、氢、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的离子；金、银、铜、铂、镍、钯、铬、钛、钼、铌、钽、钨、铝等金属的离子；等等。
其中，从能够更简便地注入、尤其是能够得到具有优异阻气性和透明性的离子注入层的观点出发，优选选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙以及氪中的至少一种离子。
离子的注入量可以配合要形成的成形体的使用目的(必要的阻气性、透明性等)等来适当决定。
注入离子的方法没有特别限定，例如可列举出在形成聚硅氮烷层后向该聚硅氮烷层注入离子的方法。
作为注入离子的方法，可列举出照射通过电场进行了加速的离子(离子束)的方法、注入等离子体中的离子的方法等。其中，本发明中，从能够简便地获得具有阻气性的成形体的观点出发，优选后者的注入等离子体离子的方法。
等离子体离子注入例如可以如下进行：使等离子体在包含稀有气体等等离子体生成气体的气氛下产生，对聚硅氮烷层施加负的高压脉冲，从而将该等离子体中的离子(阳离子)注入到聚硅氮烷层的表面部。
通过离子注入来注入离子的区域的厚度可以根据离子的种类、施加电压、处理时间等注入条件进行控制，可以根据聚硅氮烷层的厚度、成形体的使用目的等来决定，通常为10~1000nm。
离子被注入可以通过使用X射线光电子能谱分析(XPS)对表面~10nm附近进行元素分析测定来确认。
(成形体)
本发明的成形体100b的层构成截面图示于图2。图2中，10为基材层、20为底漆层、50b为阻气层。本发明的成形体100b由于在基材层10与阻气层50b之间形成有包含含羟基聚合物的底漆层20，因此成为基材层10与阻气层50b的密合性优异、且阻气性和透明性也优异的成形体。
本发明的成形体不限定为具有图2所示的层构成，也可以进一步配置有其它层。其它层可以为1种或者同种或不同种的2层以上。作为其它层，可列举出无机化合物层、冲击吸收层、导电体层等。
无机化合物层是由一种或二种以上无机化合物形成的层。通过设置无机化合物层，可以进一步提高阻气性。
作为无机化合物，可列举出通常能够真空成膜且具有阻气性的化合物，例如无机氧化物、无机氮化物、无机碳化物、无机硫化物、它们的复合物即无机氧化氮化物、无机氧化碳化物、无机氮化碳化物、无机氧化氮化碳化物等。
无机化合物层的厚度通常为10~1000nm、优选为20~500nm、更优选为20~100nm的范围。
冲击吸收层是在对阻气层施加冲击时用于保护阻气层的层。作为形成冲击吸收层的原材料，没有特别限定，例如可列举出丙烯酸系树脂、氨基甲酸酯系树脂、有机硅系树脂、烯烃系树脂、橡胶系材料等。
另外，可以使用作为粘接剂、涂布剂、密封剂等市售的产品，特别优选丙烯酸系粘接剂、有机硅系粘接剂、橡胶系粘接剂等粘接剂。
冲击吸收层的形成方法没有特别限定，例如可列举出以下方法：与前述包含聚硅氮烷化合物的层的形成方法同样地、将包含形成前述冲击吸收层的原材料(粘接剂等)、以及根据期望的溶剂等其它成分的冲击吸收层形成溶液涂布在要层叠的层上，将所得涂膜干燥，根据需要进行加热等，从而形成的方式。
另外，也可以另行在剥离基材上形成冲击吸收层的膜，将所得膜转印到要层叠的层上从而层叠。
冲击吸收层的厚度通常为1~100μm、优选为5~50μm。
导电体层是在将本发明的成形体用作电极等的情况下、或对其赋予抗静电性能的情况下，使该成形体具有导电性的层。作为构成导电体层的材料，可列举出金属、合金、金属氧化物、导电性化合物、它们的混合物等。具体而言，可列举出掺杂有锑的氧化锡(ATO)；掺杂有氟的氧化锡(FTO)；氧化锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化锌铟(IZO)等半导电性金属氧化物；金、银、铬、镍等金属；这些金属与导电性金属氧化物的混合物；碘化铜、硫化铜等无机导电性物质；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等有机导电性材料；等等。
导电体层的形成方法没有特别限定。例如可列举出蒸镀法、溅射法、离子电镀法、热CVD法、等离子体CVD法等。
导电体层的厚度可以根据其用途等来适当选择。通常为10nm~50μm、优选为20nm~20μm。
本发明的成形体包含其它层时，只要在底漆层与阻气层相邻接的情况下，对其它层的配置位置没有特别限定。
作为本发明的成形体的形状，优选为薄膜状或片状。本发明的成形体的形状为薄膜状或片状时，厚度可以根据目标电子装置的用途来适当决定。
本发明的成形体具有优异的阻气性和透明性。
本发明的成形体具有优异的阻气性可以通过本发明的成形体的水蒸气等气体的透过率非常小来确认。例如，水蒸气透过率在40℃、相对湿度为90%的气氛下优选为低于0.10g/m2/天，更优选为0.05g/m2/天以下。需要说明的是，成形体的水蒸气等的透过率可以使用公知的气体透过率测定装置进行测定。
本发明的成形体具有优异的透明性可以通过本发明的成形体的总光线透过率、可见光透过率高来确认。
例如，基于JIS K 7361-1的总光线透过率优选为90%以上。
可见光透过率是波长550nm下的透过率，优选为90%以上。成形体的总光线透过率和可见光透过率可以使用公知的测定装置进行测定。
2)成形体的制造方法
本发明的成形体的制造方法的特征在于，其具备：在表面形成有包含含羟基聚合物的底漆层的基材的、前述底漆层上形成包含聚硅氮烷化合物的层的工序；以及，向前述包含聚硅氮烷化合物的层的表面部注入离子的工序。
作为在表面形成有包含含羟基聚合物的底漆层的基材的、前述底漆层上形成聚硅氮烷层的方法，没有特别限定，可优选例示出：通过前述的在基材层上形成底漆层的方法形成底漆层后，在所得底漆层上利用前述的形成聚硅氮烷层的方法形成聚硅氮烷层的方法。
本发明的成形体的制造方法中，优选的是，一边将在基材层上形成有包含含羟基聚合物的底漆层、进而在其上形成有聚硅氮烷层的长条状成形物沿规定方向移动，一边向前述聚硅氮烷层的表面部注入离子，从而制造成形体。
根据该制造方法，例如能够一边将长条状成形物从卷出辊（feed-out roll）卷出并使其沿规定方向移动，一边进行离子注入并用卷取辊（wind-up roll）进行卷取，因此可以连续地制造注入离子而得到的成形体。
对于长条状成形物，只要在表面部形成聚硅氮烷层且底漆层与聚硅氮烷层相邻，则也可以包含其它层。作为其它层，可列举出与上述同样的层。
从卷出、卷取以及移动的操作性的观点出发，成形物的厚度优选为1μm ~500μm，更优选为5μm ~300μm。
向聚硅氮烷层注入离子的方法没有特别限定。其中，特别优选利用等离子体离子注入法在前述层的表面部形成离子注入层的方法。
等离子体离子注入法是对暴露于等离子体中的、表面具有聚硅氮烷层的成形物施加负的高压脉冲，从而将等离子体中的离子注入到前述层的表面部来形成离子注入层的方法。
作为等离子体离子注入法，优选的是，(A)将使用外部电场而产生的等离子体中存在的离子注入到前述层的表面部的方法；或者(B)将不使用外部电场而仅由对前述层施加负的高压脉冲所产生的电场产生的等离子体中存在的离子注入到前述层的表面部的方法。
前述(A)的方法中，离子注入时的压力(等离子体离子注入时的压力)优选设为0.01~1Pa。等离子体离子注入时的压力处于这种范围时，能够简便且高效地形成均匀的离子注入层，能够高效地形成兼具透明性、阻气性的离子注入层。
前述(B)的方法不需要提高减压度，处理操作简便，还能够大幅缩短处理时间。另外，能够对前述层整体进行均匀的处理，施加负的高压脉冲时能够将等离子体中的离子以高能量连续地注入到层的表面部。进而，不需要射频(radio frequency)(高频，以下，简称为“RF”。)、微波等高频电源等特别的其它手段，仅通过对层施加负的高压脉冲，即可在层的表面部均匀地形成优质的离子注入层。
前述(A)和(B)的任一方法中，施加负的高压脉冲时，即离子注入时的脉冲宽度优选为1~15微秒。脉冲宽度处于这种范围时，能够更简便且高效地形成透明且均匀的离子注入层。
另外，使等离子体产生时施加的电压优选为-1kV~-50kV、更优选为-1kV~-30kV、特别优选为-5kV~-20kV。施加电压以大于-1kV的值进行离子注入时，离子注入量(掺杂量)不充分，无法得到所期望的性能。另一方面，以小于-50kV的值进行离子注入时，产生成形体在注入离子时带电、另外成形体着色等不良情况，因此不优选。
等离子体离子注入的离子种可列举出与上述同样的离子种。从能够更简便地进行离子注入、能够高效地制造透明且具有优异阻气性的成形体的观点出发，优选为氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪，更优选为氮、氧、氩、氦。
向聚硅氮烷层的表面部注入等离子体中的离子时，使用等离子体离子注入装置。
作为等离子体离子注入装置，具体而言，可列举出：(α)向用于对聚硅氮烷层(以下，有时称为“要注入离子的层”。)施加负的高压脉冲的馈通叠加高频电力，将要注入离子的层的周围均等地用等离子体包围，从而使等离子体中的离子诱发、注入、冲击、堆积的装置(日本特开2001-26887号公报)；(β)在腔室内设置天线、施加高频电力而使等离子体产生，在等离子体到达要注入离子的层周围后，对要注入离子的层交替地施加正/负脉冲，从而利用正的脉冲使等离子体中的电子诱发冲击加热要注入离子的层，控制脉冲常数来控制温度，同时施加负的脉冲使等离子体中的离子诱发、注入的装置(日本特开2001-156013号公报)；(γ)使用微波等高频电源等的外部电场使等离子体产生，施加高压脉冲使等离子体中的离子诱发、注入的等离子体离子注入装置；(δ)将不使用外部电场而仅由通过施加高压脉冲所产生的电场产生的等离子体中的离子进行注入的等离子体离子注入装置等。
这些之中，从处理操作简便、还能够大幅缩短处理时间、适于连续使用的方面出发，优选使用(γ)或(δ)的等离子体离子注入装置。
以下，关于使用前述(γ)和(δ)的等离子体离子注入装置的方法，可列举出国际公开WO2010/021326号公报中记载的方法。
前述(γ)和(δ)的等离子体离子注入装置中，由于高压脉冲电源还兼用作使等离子体产生的等离子体产生手段，因此不需要RF、微波等高频电源等的特别的其它手段，仅通过施加负的高压脉冲，就可以使等离子体产生，可以向聚硅氮烷层的表面部注入等离子体中的离子，连续地形成离子注入层，能够量产形成有离子注入层的成形体。
3)电子装置用构件以及电子装置
本发明的电子装置用构件的特征在于，其包含本发明的成形体。因此，本发明的电子装置用构件具有优异的阻气性，因此能够防止水蒸气等气体导致的元件劣化。另外，由于光的透过性高，因此适合用作电子纸、触摸面板、显示器、太阳能电池等的电子装置用构件等。
本发明的电子装置具备本发明的电子装置用构件。作为具体例子，可列举出触摸面板、液晶显示器、有机EL显示器、无机EL显示器、电子纸、太阳能电池等。
本发明的电子装置具备包含本发明的成形体的电子装置用构件，因此具有优异的阻气性和透明性。
实施例
以下，列举出实施例来进一步详细地说明本发明。但本发明不受以下实施例的任何限定。
所使用的X射线光电子能谱测定装置、基于X射线反射率法的膜密度测定方法、等离子体离子注入装置、水蒸气透过率测定装置和测定条件、氧透过率测定装置和测定条件、总光线透过率测定装置、可见光透过率测定装置如下所示。需要说明的是，所使用的等离子体离子注入装置是使用外部电场进行离子注入的装置。
(X射线光电子能谱测定装置)
按照如下所示的测定条件，测定阻气层的表层部中的氧原子、氮原子以及硅原子的存在比率。
测定装置：“PHI Quantera SXM”ULVAC-PHI, Incorporated制造
X射线源：AlKα
X射线光束直径：100μm
电力值：25W
电压：15kV
出射角（Take-off angle）：45°
真空度：5.0×10-8Pa
溅射条件
溅射气体：氩
施加电压：-4kV。
(基于X射线反射率法的膜密度的测定方法)
阻气层的表层部的膜密度如下算出：按照如下所示的测定条件测定X射线的反射率，求出全反射临界角θc，由其值算出。
测定装置和测定条件如下所示。
测定装置：薄膜评价用试样水平型X射线衍射装置“SmartLab”、Rigaku Corporation制造
测定条件：
X射线源；Cu-Kα1(波长：1.54059Å)
光学系统；平行光束光学系统
入射侧狭缝系统；Ge(220)2晶体、限高狭缝5mm、入射狭缝0.05mm
受光侧狭缝系统；受光狭缝 0.10mm、索勒狭缝（soller slit） 5°
检测器；闪烁计数器
管电压・管电流；45kV-200mA
扫描轴；2θ/θ
扫描模式；连续扫描
扫描范围；0.1-3.0deg.
扫描速度；1deg./分钟
取样间隔（Sampling interval）；0.002°/step
需要说明的是，原子数比(xi)使用通过X射线光电子能谱测定而得到的阻气层的表层部中的氧原子、氮原子以及硅原子的存在比率。
(等离子体离子注入装置)
RF电源：JEOL Ltd.制造、型号“RF”56000
高压脉冲电源：Kurita Seisakusho Co., Ltd.制造、“PV-3-HSHV-0835”。
(水蒸气透过率的测定)
水蒸气透过率测定装置：mocon公司制造、“PERMATRAN-W3/33”
测定条件：相对湿度为90%、40℃。
(氧透过率的测定)
氧透过率测定装置：mocon公司制造、“OX-TRAN2/21”
测定条件：相对湿度为60%、23℃。
(总光线透过率的测定)
总光线透过率测定装置：使用Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.制造的“NDH2000”，基于JIS K 7361-1测定总光线透过率。
(可见光透过率的测定)
使用紫外可见近红外分光透过率计：岛津制作所制造的“UV3600”，测定可见光透过率。
测定条件：波长550nm。
底漆层的形成使用以下材料。
・树脂A：以聚乙烯醇为主成分的“Gohsenol GL-03”(日本合成化学工业株式会社制造、包含羟基的重复单元：86.5-89.0mol%)
・树脂B：以聚乙烯醇为主成分的“Gohsenol LW-300”(日本合成化学工业株式会社制造、包含羟基的重复单元：53.0~60.0mol%)
・树脂C：乙烯/乙烯醇(27/73mol%)共聚物“Eval L-104B”(Kuraray Co., Ltd.制造、包含羟基的重复单元：73mol%)
・树脂D：将作为不包含含羟基的重复单元的、以聚氨基甲酸丙烯酸酯系UV固化型树脂化合物为主成分的树脂(Toyobo Co., Ltd.制造、商品名“Vylon UR1350”)溶解于甲基乙基酮溶剂而成的溶液(固体成分重量比8%)
・树脂E：聚乙烯醇缩醛树脂“S-LEC KS-10”(Sekisui Chemical Co., Ltd.制造、包含羟基的重复单元：25mol%)
作为聚硅氮烷层形成用组合物，使用以下组合物。
以全氢聚硅氮烷为主成分的涂布剂“Aquamika NL110-20”(Clariant Japan K.K.制造)。
(实施例1)
利用旋涂机在作为基材层的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(Toray Industries Inc.,制造、商品名“PET25T-61M”、厚度25μm、以下称为“PET膜”。)上涂布作为底漆层形成用溶液的树脂A的水溶液，以使底漆层的干燥后的厚度达到45nm，将所得涂膜在120℃下加热2分钟，形成底漆层。
其后，利用旋涂机在所得底漆层上涂布树脂E的涂布液，以使其干燥后的厚度达到45nm，将所得涂膜在120℃下加热2分钟，在PET膜上形成底漆层(厚度45nm)和聚硅氮烷层(厚度45nm)，使用等离子体离子注入装置向聚硅氮烷层的表面进行氩(Ar)的等离子体离子注入，形成阻气层，制作成形体1。
等离子体离子注入的条件如下所示。
・气体流量：100sccm
・占空比（Duty ratio）：0.5%
・重复频率：1000Hz
・施加电压：-10kV
・RF电源：频率 13.56MHz、施加电力 1000W
・腔室内压：0.2Pa
・脉冲宽度：5微秒
・处理时间(离子注入时间)：5分钟
・移动速度：0.2m/分钟。
(实施例2)
实施例1中，使用树脂B来代替树脂A，除此以外，与实施例1同样操作，得到成形体2。
(实施例3)
实施例1中，使用将树脂C溶解于甲基亚砜而成的溶液来代替树脂A的水溶液，除此以外，与实施例1同样操作，得到成形体3。
(实施例4)
实施例1中，使用将树脂E溶解于甲苯/醋酸乙酯=1:1(体积比)的混合液而成的溶液来代替树脂A的水溶液，除此以外，与实施例1同样操作，得到成形体4。
(比较例1)
不进行离子注入，除此以外，与实施例1同样操作，制作成形体。即，在PET膜上形成底漆层、进而形成聚硅氮烷层，制成成形体1r。
(比较例2)
不在底漆层上形成聚硅氮烷层，除此以外，与实施例1同样操作，制作成形体。即，向PET膜上形成的底漆层的表面进行氩的等离子体离子注入，制成成形体2r。
(比较例3)
不在PET膜上形成底漆层，除此以外，与实施例1同样操作，制作成形体。即，在PET膜上形成聚硅氮烷层，向该聚硅氮烷层的表面进行氩的等离子体离子注入，形成阻气层，制成成形体3r。
(比较例4)
实施例1中，使用将树脂D溶解于甲基乙基酮/环己烷=1:1(体积比)的混合液而成的溶液来代替树脂A的水溶液，利用旋涂机进行涂布，使其干燥后的厚度达到45nm，在120℃下加热2分钟，使用UV光照射线进行UV光照射(高压汞灯、线速度：20m/分钟、累积光量100mJ/cm2、峰强度1.466W、经过次数2次)，形成底漆层，除此以外，与实施例1同样操作，得到成形体4r。
(比较例5)
将PET膜本身制成成形体5r。
针对实施例1~3以及比较例2~4，使用X射线光电子能谱测定装置，通过X射线光电子能谱分析(XPS)对表面~10nm附近进行元素分析测定，从而确认了已进行了离子注入。
下述表1中总结记载了各实施例、比较例中使用的底漆层等形成用树脂的种类、所形成的底漆层等的厚度、聚硅氮烷层形成用组合物的种类、所形成的聚硅氮烷层的厚度、有无离子注入。
[表1]
实施例1和比较例4中得到的成形体1、4r的、基于XPS的元素分析测定所得的、阻气层的从表面至深度方向50nm左右的区域中的氧原子、氮原子以及硅原子的存在比率的分析结果分别示于图3、图4。图3、图4中，纵轴表示以氧原子、氮原子以及硅原子的存在量的总计为100时的原子的存在比率(%)，横轴表示溅射的累积时间(溅射时间、分钟)。由于溅射的条件是恒定的，因此溅射的累积时间(溅射时间)与距离阻气层表面的深度相对应。
另外，实施例1和比较例4中得到的成形体1、4r的、基于XPS的元素分析测定而得到的、氧原子、氮原子、碳原子以及硅原子的存在比率的分析结果分别示于图5、图6。图5、图6中，纵轴表示以氧原子、氮原子、碳原子以及硅原子的存在量的总计为100时的原子的存在比率(%)，横轴表示溅射的累积时间(溅射时间、分钟)。由于溅射的条件是恒定的，因此溅射的累积时间(溅射时间)与距离阻气层表面的深度相对应。
由图5和图6(或者图3和图4)的比较可知，关于从阻气层表面溅射至具有一定深度(50nm左右)所需的累积时间，与比较例4(图4、图6)相比，实施例1(图3、图5)所需时间更长。溅射的累计时间越长，越难以溅射，换言之，表示层越硬。可知，实施例1(图3、图5)中得到的成形体中，在从阻气层表面至具有一定深度(50nm左右)的区域中，存在由硅原子和氧原子形成的、难以溅射的区域(硬层)。
可以认为这是因为，作为底漆层而包含含羟基聚合物的实施例1的成形体1的阻气层与底漆层的分界部中，存在由聚硅氮烷化合物与含羟基聚合物所具有的羟基反应而得到的反应产物的层，由于该层的存在，使成形体1的溅射的累积时间变长。
另外，针对实施例1~4、以及比较例1、3、4中得到的成形体1~4、1r、3r、4r，测定了阻气层的表层部的氧原子、氮原子以及硅原子的存在比率、膜密度。另外，针对实施例1~4以及比较例1~5中得到的成形体1~4、1r~5r，测定了总光线透过率、可见光透过率、氧透过率以及水蒸气透过率。测定结果示于下述表2。
[表2]
由表2可知，具有包含含羟基聚合物的底漆层和相对于氧原子、氮原子以及硅原子的总存在量，氧原子的存在比率为60~75%、氮原子的存在比率为0~10%、硅原子的存在比率为25~35%，且膜密度为2.4~4.0g/cm3的阻气层的实施例的成形体1~4，与不具有底漆层的比较例3的成形体3r以及作为底漆层而不含含羟基聚合物的比较例4的成形体4r相比，总光线透过率和可见光透过率高、基材层也不着色，透明性优异。
另外可知，实施例的成形体1~4与比较例的成形体1r~5r相比，氧透过率、水蒸气透过率小、具有高阻气性。
附图标记说明
10・・・基材层
20・・・底漆层
30・・・聚硅氮烷层
40・・・由聚硅氮烷化合物与含羟基聚合物所具有的羟基反应而得到的反应产物的层
50a・・・离子注入层(阻气层)
50b・・・阻气层
60・・・・注入离子的区域
100a、100b・・・本发明的成形体

Claims (13)

1.成形体，其为基材层、包含含羟基聚合物的底漆层以及阻气层依次层叠而成的成形体，所述阻气层由至少包含氧原子和硅原子的材料构成，其表层部中，相对于氧原子、氮原子以及硅原子的总存在量，氧原子的存在比率为60～75％、氮原子的存在比率为0～10％、硅原子的存在比率为25～35％，且该表层部的膜密度为2.4～4.0g/cm3，其中所述含羟基聚合物选自聚乙烯醇和乙烯-乙烯醇共聚物，所述表层部是指该阻气层的表面、以及从该表面至深度方向5nm为止的区域。
2.根据权利要求1所述的成形体，其中，所述阻气层是向包含聚硅氮烷化合物的层注入离子而得到的。
3.根据权利要求1或2所述的成形体，其中，所述含羟基聚合物含有相对于全部重复单元为50mol％以上的包含羟基的重复单元。
4.根据权利要求2所述的成形体，其中，所述离子是将选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙以及氪中的至少一种气体离子化而成的。
5.根据权利要求2所述的成形体，其中，所述阻气层是通过等离子体离子注入法向包含聚硅氮烷化合物的层注入离子而得到的层。
6.根据权利要求2所述的成形体，其中，所述聚硅氮烷化合物为全氢聚硅氮烷。
7.根据权利要求1所述的成形体，其中，40℃、相对湿度为90％的气氛下的水蒸气透过率低于0.10g/m2/天。
8.根据权利要求1所述的成形体，其中，基于JIS K 7361-1的总光线透过率为90％以上。
9.根据权利要求2所述的成形体的制造方法，其具备：在包含含羟基聚合物的、且在基材表面形成的底漆层上形成包含聚硅氮烷化合物的层的工序；以及，向所述包含聚硅氮烷化合物的层的表面部注入离子的工序，其中所述含羟基聚合物选自聚乙烯醇和乙烯-乙烯醇共聚物。
10.根据权利要求9所述的成形体的制造方法，其具备：在包含含羟基聚合物的、且在基材表面形成的底漆层上形成包含聚硅氮烷化合物的层的工序；以及，向该包含聚硅氮烷化合物的层的表面部离子注入选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙以及氪中的至少一种气体的工序，其中所述含羟基聚合物选自聚乙烯醇和乙烯-乙烯醇共聚物。
11.根据权利要求9所述的成形体的制造方法，其具备：在包含含羟基聚合物的、且在基材表面形成的底漆层上形成包含聚硅氮烷化合物的层的工序；以及，利用等离子体离子注入法向该包含聚硅氮烷化合物的层的表面部离子注入选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙以及氪中的至少一种气体的工序，其中所述含羟基聚合物选自聚乙烯醇和乙烯-乙烯醇共聚物。
12.电子装置用构件，其包含权利要求1～8中任一项所述的成形体。
13.电子装置，其具备权利要求12所述的电子装置用构件。
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