WO2005083766A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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WO2005083766A1
WO2005083766A1 PCT/JP2005/002306 JP2005002306W WO2005083766A1 WO 2005083766 A1 WO2005083766 A1 WO 2005083766A1 JP 2005002306 W JP2005002306 W JP 2005002306W WO 2005083766 A1 WO2005083766 A1 WO 2005083766A1
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substrate
electrode
processing apparatus
gas
electrodes
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PCT/JP2005/002306
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Shizue Ogawa
Kazuyuki Toyoda
Motonari Takebayashi
Tadashi Kontani
Nobuo Ishimaru
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Hitachi Kokusai Electric Inc.
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that forms a film on a semiconductor wafer using a processing gas excited by plasma.
  • an electrode for generating plasma is housed in a protective tube in order to prevent a reaction with the processing gas.
  • the present inventors have found that in a substrate processing apparatus having such a structure, an electrode having a structure capable of uniformly generating plasma and being easily mounted on the apparatus is desirable.
  • a main object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus provided with an electrode capable of uniformly generating plasma and having a structure that can be easily mounted on the apparatus.
  • a processing chamber containing at least one substrate
  • the substrate processing apparatus is provided, wherein the electrode is accommodated in the protection tube in a state where at least one portion is bent, and the electrode is formed of a flexible member.
  • FIG. 1 is a schematic vertical sectional view for explaining a vertical substrate processing furnace of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a view for explaining a vertical substrate processing furnace of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. It is a schematic cross section.
  • FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a plasma generating electrode used in a vertical substrate processing furnace of the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a plasma generating electrode used in a vertical substrate processing furnace of the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic diagram for explaining a plasma generating electrode used in a vertical substrate processing furnace of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic vertical sectional view for explaining a vertical substrate processing furnace for comparison.
  • FIG. 7 is a schematic perspective view for explaining a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic longitudinal sectional view for explaining the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • a processing chamber containing at least one substrate
  • the substrate processing apparatus is provided, wherein the electrode is accommodated in the protection tube in a state where at least one portion is bent, and the electrode is formed of a flexible member.
  • the electrode is configured by weaving a linear conductive member. More preferably, the electrode is provided with a core.
  • the electrode is a member formed by weaving a linear conductive member into a hollow cylindrical shape.
  • the electrode is made of a member formed by bundling linear conductive members.
  • each of the pair of electrodes is housed in a separate protective tube so as to be insertable and removable.
  • the outer diameter force of each of the pair of electrodes is the protection of the separate body. 1-2mm smaller than the inside diameter of each tube! / ,.
  • the substrate processing apparatus is configured to execute processing of a substrate in a state in which a substrate holding member configured to stack and hold a plurality of substrates at predetermined intervals is accommodated in a processing chamber.
  • the pair of electrodes are arranged in the laminating direction of the substrate, and further, the end of the electrode is at least the substrate at least at the substrate position on the electrode end side held by the substrate holding member. It is installed over the length of the distance between the substrates in the holding member.
  • the end of the electrode is installed at a position beyond the position of the top plate of the substrate holding member.
  • a processing chamber containing at least one substrate
  • the electrode is accommodated in the protective tube in a state where at least one portion is bent, and further, the electrode is formed of a flexible member, and the substrate is processed using a substrate processing apparatus.
  • a method for manufacturing a semiconductor device including steps is provided.
  • the electrode for generating plasma is accommodated in the protective tube in a state where at least one portion is bent, and is formed of a flexible member.
  • the electrode flexible, flexibility can be provided when the electrode is inserted into the protective tube, and thermal expansion can be suppressed. Also, even when an elongated electrode is used to perform uniform discharge from the bottom to the top of the reaction chamber, it can be easily attached to and detached from the protection tube.
  • the electrode for generating plasma by weaving a linear conductive member, the degree of freedom at the time of electrode insertion can be increased, and deformation due to thermal expansion is reduced. can do.
  • the surface area can be secured and the high frequency has the property of flowing on the surface of the object, so that plasma can be generated efficiently. Particularly better effects can be obtained by processing the electrode into a cylindrical shape.
  • a flexible electrode By providing a core for the electrode that generates plasma, a flexible electrode can be used without shrinking, and more uniform plasma can be supplied to a plurality of wafers.
  • the electrode for generating plasma is made of a member formed by bundling linear conductive members.
  • An elongated electrode can be easily realized.
  • the conductive member iron, nickel, carbon, gold, or the like, or a compound containing them is preferably used.
  • nickel is more preferably used in consideration of heat resistance, metal contamination, and price.
  • high melting point metals such as tungsten and molybdenum, and carbon fibers are also preferably used.
  • an ALD Atomic Layer
  • ALD method two kinds (or more) of raw material gases used for film formation are alternately supplied to a substrate one by one under certain film formation conditions (temperature, time, etc.). This is a technique in which a film is adsorbed in units of atomic layers and a film is formed using a surface reaction.
  • the chemical reaction to be used is, for example, in the case of forming an SiN (silicon nitride) film,
  • the source gas necessary for film formation a plurality of types of reactive gases are supplied alternately one by one.
  • the film thickness is controlled by the number of reactive gas supply cycles. (For example, assuming that the deposition rate is 1AZ cycle, when forming a film of 20A, the processing is performed for 20 cycles.)
  • FIG. 1 is a schematic vertical sectional view for explaining a vertical substrate processing furnace of a substrate processing apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a vertical sectional view of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. Mold substrate processing furnace FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining.
  • a reaction tube 203 is provided inside a heater 207 as a heating means as a reaction container for processing a wafer 200 as a substrate, and a lower end opening of the reaction tube 203 is airtightly sealed by a seal cap 219 as a lid. It is airtightly closed via an O-ring (not shown) as a member.
  • a heat insulating member 208 is provided outside the reaction tube 203 and the heater 207. The heat insulating member 208 is provided so as to cover also the upper part of the reaction tube 203. At least the heater 207, the heat insulating member 208, the reaction tube 203, and the seal cap 219 form a processing furnace 202.
  • a processing chamber 201 is formed by the reaction tube 203, the seal cap 219, and a buffer chamber 237 formed in the reaction tube 203 described later.
  • a boat 217 as a substrate holding means is erected on the seal cap 219 via a boat table 218 and a rotating shaft 220, and the boat table 218 is a holder for holding the boat 217. Then, the boat 217 is inserted into the processing furnace 202.
  • a plurality of wafers 200 to be batch-processed are loaded on the boat 217 in multiple stages in the horizontal direction and in the tube axis direction in the vertical direction.
  • the heater 207 heats the wafer 200 inserted into the processing furnace 202 to a predetermined temperature.
  • a boat 217 on which a plurality of wafers 200 are mounted in multiple stages at equal intervals in the vertical direction.
  • This boat 217 is a boat elevator mechanism not shown in the figure. Allows access to the reaction tube 203.
  • a boat rotating mechanism 267 is provided as a rotating means for rotating the boat 217. By rotating the boat rotating mechanism 267, the boat 2 17 held on the boat table 218 is provided. It starts to rotate.
  • the processing furnace 202 is provided with two gas supply pipes 232a and 232b as supply pipes for supplying a plurality of kinds, here two kinds of gases.
  • the gas supply pipe 232a is reacted with the processing chamber 201 via a mass flow controller 241a which is a flow rate control means and a valve 243a which is an on-off valve, and further via a buffer chamber 237 formed in a reaction pipe 203 which will be described later.
  • Gas is supplied to the gas supply unit (see FIG. 1) from a gas supply pipe 232b through a mass flow controller 241b as a flow control means, a valve 243b as an on-off valve, a gas reservoir 247, and a valve 243c as an on-off valve.
  • the reaction gas is supplied to the processing chamber 201.
  • the processing chamber 201 is connected to a vacuum pump 246, which is an exhaust means, via a valve 243d by a gas exhaust pipe 231 that is an exhaust pipe for exhausting gas, and is evacuated.
  • the valve 243d is an open / close valve that can open and close the valve to evacuate and stop the evacuation of the processing chamber 201, and furthermore, the pressure can be adjusted by adjusting the valve opening.
  • the inner wall above the lower portion of the reaction tube 203 has a gas flowing along the loading direction of the wafer 200.
  • a buffer chamber 237 as a dispersion space is provided, and a gas supply hole 248a, which is a supply hole for supplying gas, is provided near an end of an inner wall adjacent to the wafer 200 of the buffer chamber 237. I have.
  • This gas supply hole 248a opens toward the center of the reaction tube 203.
  • the gas supply holes 248a have the same opening area over the predetermined length along the lower direction along the loading direction of the wafers 200, and are provided at the same opening pitch.
  • a gas supply pipe 232a is connected to a side wall of the reaction tube 203 opposite to the side where the gas supply hole 248a of the buffer chamber 237 is provided.
  • an electrode 269 having an elongated structure and an electrode 270 are provided in the buffer chamber 237 while being protected by an electrode protection tube 275 which is a protection tube for protecting the electrodes from the upper portion to the lower portion, respectively.
  • One of 270 and 270 is connected to a high frequency power supply 273 via a matching unit 272, and the other is connected to the ground which is a reference potential. As a result, plasma is generated in the plasma generation region 224 between the electrode 269 and the electrode 270.
  • the electrode protection tube 275 has a structure in which each of the electrode 269 and the electrode 270 can be inserted into the buffer chamber 237 while being separated from the atmosphere of the buffer chamber 237.
  • the inside of the electrode protection tube 275 has the same atmosphere as the outside air (atmosphere), the electrodes 269 and 270 inserted into the electrode protection tube 275 are oxidized by the heating of the heater 207. Therefore, the inside of the electrode protection tube 275 is filled or purged with an inert gas such as nitrogen, and an inert gas purge mechanism (shown in the drawing) for suppressing the oxygen concentration sufficiently low to prevent oxidation of the electrode 269 or the electrode 270. ) Is provided.
  • an inert gas such as nitrogen
  • the electrode protection tube 275 is configured to be bent in the middle, and the vertical force extending inside the buffer chamber 237 to the lower side than the lowermost wafer 200 and to the top of the boat top plate 216. It is composed of a part and an oblique part below it. The lower end of the oblique portion projects outside from the side wall of the reaction tube 203.
  • the lower end force of the oblique portion of the electrode protection tube 275 is inserted into the electrode protection tube 275, and the electrodes 269 and 270 are inserted. , 270 can reach the upper end of the electrode protection tube 275.
  • the electrodes 269 and 270 As an example of the electrodes 269 and 270, a structure in which a conductive member is processed into a thin plate is shown in FIG. This is an example of the electrodes 269 and 270 using one flexible conductive member. Since the electrodes 269, 270 are formed by thinning a conductive member into a thin plate, it is possible to obtain flexibility in a direction perpendicular to the main surface of the thin plate. Therefore, even in a structure in which the insertion ports of the electrodes 269 and 270 are on the side surface of the reaction tube 203, the electrodes 269 and 270 can be inserted into the electrode protection tube 275. When high-frequency power is applied to the electrodes 269 and 270, plasma 224 can be generated. However, the thin electrodes 269, 270 may be distorted in the electrode protection tube 275, and the interval between the electrodes 269, 270 may not be constant in the vertical direction, and the plasma 224 may be non-uniform.
  • FIG. 4 shows the structure of electrodes 269 and 270 obtained by bundling linearly processed conductive members. Since the electrodes 269 and 270 are formed by processing a conductive member into a linear shape, flexibility and bendability can be obtained.
  • FIG. 5 shows an example of a structure in which a conductive member curled in a linear shape is woven.
  • the electrodes 269 and 270 have a structure in which a plurality of conductive members are knitted, and a core 271 is passed through the center of the conductive members. Electrodes 269, 270 have a core 271 power when braided electrodes 269, 270. If heat is applied during generation of plasma 224, electrodes 269, 270 may become softer, clogging the mesh and shrinking downward. .
  • the softened electrodes 269 and 270 shrink due to friction with the electrode protection tube 275, and the uppermost wafer 200
  • the electrodes 269 and 270 may not reach to this point.
  • the fact that the electrodes 267 and 270 do not reach the top of the wafer 200 means that the plasma 224 is not generated or uneven in the area where the plurality of wafers 200 exist, which also affects the film formation. But It is feared that it will come out. Therefore, a structure for preventing shrinkage by inserting a central core 271 of the electrodes 269 and 270 is provided.
  • the upper end of the electrodes 269, 270 is set at a position higher than the uppermost wafer 200 by at least the holding pitch interval of the wafers 200 held by the boat 217.
  • the position is beyond the position of the boat top plate 216.
  • the elongated electrodes 269 and 270 for generating uniform plasma in the reaction tube 203 can be easily attached and detached and safely operated. Can be.
  • a nozzle 233 is provided inside the reaction tube 203, which is turned by about 120 ° from the position of the gas supply hole 248a.
  • the nozzle 233 is a supply unit that shares the buffer chamber 237 and the gas supply type when alternately supplying a plurality of types of gases to the wafer 200 one by one in film formation by the ALD method.
  • the nozzle 233 also has a gas supply hole 248c that is a supply hole for supplying gas at the same pitch at a position adjacent to the wafer, and a gas supply pipe 232b is connected at a lower portion.
  • the opening area of the gas supply hole 248c may be the same from the upstream side to the downstream side with the same opening pitch and the same opening pitch. If the pressure is high, it is better to increase the opening area or decrease the opening pitch by moving from upstream to downstream.
  • the controller 321 as control means includes a mass flow controller 241a, 241b, a valve 243a, 243b, 243c, 243d, a heater 207, a vacuum pump 246, a boat rotating mechanism 267, a boat elevating mechanism omitted in the figure, a high frequency power supply 273.
  • Connected to the matching box 272, and adjusts the flow rate of the mass flow controllers 241a and 241b opens and closes the knobs 243a, 243b, and 243c, opens and closes and adjusts the pressure of the valve 243d, adjusts the temperature of the heater 207, and starts the vacuum pump 246.
  • 'Stop adjustment of the rotation speed of the boat rotation
  • a SiN film is formed using DCS and NH gas.
  • a wafer 200 on which a film is to be formed is loaded into a boat 217 and carried into a processing furnace 202. After loading, perform the following four steps in order.
  • Step 1 consists of NH gas, which requires plasma excitation, and DC gas, which does not require plasma excitation.
  • valve 243a provided on the gas supply pipe 232a and the valve 243d provided on the gas exhaust pipe 231 are both opened, and the NH gas whose flow rate has been adjusted by the mass flow controller 241a is ejected from the gas supply pipe 232a into the buffer chamber 237.
  • a high-frequency power of 0.1 to 0.6 kW is applied between the electrode 270 and the high-frequency power supply 273 via the matching box 272 to excite NH in plasma, and exhaust gas while supplying it to the processing chamber 201 as an active species.
  • the pressure in the processing chamber 201 is adjusted to 10 lPa by properly adjusting the valve 243d.
  • the supply flow rate of NH controlled by the masochist controller 241a is 1000 lOOOOsccm.
  • the temperature of the heater 207 is set so that the temperature of the wafer is 300 to 600 ° C.
  • Wafer surface can be treated at low temperature by activating NH gas with plasma
  • the gas supply pipe 232 b Open the valve 243b on the upstream side and close the valve 243c on the downstream side to allow DCS to flow.
  • DCS is stored in the gas reservoir 247 provided between the knobs 243b and 243c.
  • the gas flowing into the processing chamber 201 is activated by plasma excitation of NH.
  • step 2 after closing the valve 243a of the gas supply pipe 232a and stopping the NH supply,
  • the upstream valve 243b is also closed, and the DCS is confined in the gas reservoir 247. Further, the processing chamber 201 is sufficiently exhausted by the vacuum pump 246 while the valve 243d of the gas exhaust pipe 231 is kept open, and residual NH is removed from the processing chamber 201.
  • step 3 when the exhaust of the processing chamber 201 is completed, the valve 243d of the gas exhaust pipe 231 is closed to stop the exhaust. Open the valve 243c on the downstream side of the gas supply pipe 232b. Thereby, the DCS stored in the gas storage 247 is supplied to the processing chamber 201 at a stretch. At this time, the valve 243d of the gas exhaust pipe 231 is closed, so that the pressure in the processing chamber 201 rises rapidly and rises to about 931 Pa (7 Torr). The time for supplying DCS was set to 2-4 seconds, and then the time of exposure to the elevated pressure atmosphere was set to 2-4 seconds, for a total of 6 seconds. The wafer temperature at this time is 300 to 600 ° C, the same as when supplying NH. DCS supply
  • Step 3 after the film is formed, the valve 243c is closed, the valve 243d is opened, and the processing chamber 201 is evacuated to remove the gas that has contributed to the remaining DCS film formation. At this time, supplying an inert gas such as N to the processing chamber 201 further contributes to the film formation of the remaining DCS.
  • Steps 1 to 4 are defined as one cycle, and this cycle is repeated a plurality of times to form a SiN film having a predetermined thickness on the wafer.
  • the gas is adsorbed on the surface of the base film.
  • the amount of gas adsorbed is proportional to the gas pressure and the gas exposure time. Therefore, in order to adsorb a desired constant amount of gas in a short time, it is necessary to increase the gas pressure in a short time.
  • the pressure of the DCS in the processing chamber 201 may be rapidly increased. The desired constant amount of gas can be adsorbed instantaneously.
  • NH gas which is a necessary step in the ALD method, is excited by plasma to supply it as active species, and to supply the active gas to the processing chamber 2.
  • Eno doesn't respond on his way to the 200.
  • the supplied DCS can be effectively reacted only on the wafer 200 surface.
  • the electrode 276 when the electrode 276 is also inserted with a lower force, the electrode 276 can be inserted only in the lower part, and plasma can be generated only below the buffer chamber 237.
  • the processing of the wafer 200 becomes uneven above and below the boat 217.
  • a cassette stage 105 is provided on the front side of the inside of the casing 101 as a holder transfer member for transferring the cassette 100 as a substrate storage container to and from an external transfer device (not shown).
  • a cassette elevator 115 as a lifting / lowering means is provided behind the 105, and a cassette transfer machine 114 as a transport means is attached to the cassette elevator 115.
  • On the rear side of the cassette elevator 115 a cassette shelf 109 as a mounting means for the cassette 100 is provided, and a spare cassette shelf 110 is provided above the cassette stage 105.
  • a clean unit 118 is provided above the spare cassette shelf 110. It is configured so that clean air flows through the inside of the housing 101.
  • a processing furnace 202 is provided above the rear part of the housing 101, and a boat 217 as a substrate holding means for holding a wafer 200 as a substrate in multiple stages in a horizontal position is provided below the processing furnace 202.
  • a boat elevator 121 is provided as elevating means for elevating and lowering the furnace 202, and a seal cap 219 as a lid is attached to the tip of an elevating member 122 attached to the boat elevator 121 to vertically support the boat 217.
  • a transfer elevator 113 as a lifting means is provided between the boat elevator 121 and the cassette shelf 109, and a wafer transfer machine 112 as a transfer means is attached to the transfer elevator 113.
  • a furnace mouth shirt 116 is provided as a shielding member having an opening / closing mechanism and closing the lower surface of the processing furnace 202!
  • the cassette 100 in which the wafers 200 are loaded is loaded into the cassette stage 105 of the external transfer device (not shown) with the wafers 200 facing upward, and rotated 90 ° by the force setting stage 105 so that the wafers 200 are in the horizontal posture. Let me do. Further, the cassette 100 is conveyed from the cassette stage 105 to the cassette shelf 109 or the spare cassette shelf 110 by the cooperation of the raising / lowering operation, the traversing operation of the cassette elevator 115, the forward / backward operation of the cassette transfer device 114, and the rotation operation.
  • the cassette shelf 109 has a transfer shelf 123 in which a cassette 100 to be transferred by the wafer transfer machine 112 is stored.
  • the cassette 100 to which the wafer 200 is to be transferred is a cassette elevator 115, a cassette transfer. It is transferred to the transfer shelf 123 by the loading machine 114.
  • the boat 217 When a predetermined number of wafers 200 are transferred to the boat 217, the boat 217 is inserted into the processing furnace 202 by the boat elevator 121, and the processing furnace 202 is hermetically closed by the seal cap 219. In the hermetically closed processing furnace 202, the wafer 200 is heated and the processing gas is supplied into the processing furnace 202 to process the wafer 200.
  • the wafer 200 is transferred from the boat 217 to the cassette 100 on the transfer shelf 123 by the reverse procedure of the above operation, and the cassette 100 is transferred by the cassette transfer machine 114.
  • External transfer device (not shown) transferred from the shelf 123 to the cassette stage 105 Is carried out of the housing 101.
  • the furnace locker 116 closes the lower surface of the processing furnace 202 when the boat 217 is in a descending state, thereby preventing outside air from being caught in the processing furnace 202.
  • the transfer operation of the cassette transfer device 114 and the like is controlled by the transfer control means 124.
  • a substrate processing apparatus including electrodes having a structure that can be easily mounted on an apparatus can be achieved by uniformly generating plasma. Provided.
  • the present invention can be particularly suitably used for a substrate processing apparatus that forms a film on a semiconductor wafer by using a processing gas excited by plasma.

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Abstract

　本発明の基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給系２３２ａ、２３２ｂと、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気系２３１、２４６と、処理ガスをプラズマ化するため、保護管２７５内に挿抜可能に収容された一対の電極２６９、２７０とを有し、電極２６９、２７０は可撓性の部材で構成され、少なくとも一箇所が屈曲した状態で保護管２７５内に収容される。

Description

明 細 書
基板処理装置
技術分野
[0001] 本発明は、基板処理装置に関し、特に、プラズマにより励起された処理ガスを利用 して半導体ウェハに成膜を行う基板処理装置に関する。
背景技術
[0002] プラズマにより励起された処理ガスを利用して半導体ウェハに成膜を行う基板処理 装置には、処理ガスとの反応を防止するために、プラズマを発生させる電極を保護管 内に収容する構造のものがある。（日本国特開 2002-280378号公報参照） 発明の開示
[0003] 本発明者らは、そのような構造の基板処理装置では、プラズマを均一に発生させる ことができると共に、装置への装着が容易な構造の電極が望ましいことを見いだした
[0004] 従って、本発明の主な目的は、プラズマを均一に発生させることができると共に、装 置への装着が容易な構造の電極を備える基板処理装置を提供することにある。
[0005] 本発明の一態様によれば、
少なくとも一つの基板を収容する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、
前記処理ガスを活性な状態とするため、保護管内に挿抜可能に収容された、少なく とも一対の電極と、を有し、
前記電極は、少なくとも一箇所が屈曲した状態で前記保護管内に収容され、更に、 前記電極は可撓性の部材で構成したことを特徴とする基板処理装置が提供される。 図面の簡単な説明
[0006] [図 1]本発明の実施例 1に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明するための 概略縦断面図である。
[図 2]本発明の実施例 1に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明するための 概略横断面図である。
[図 3]本発明の実施例 1に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉に使用するプラズ マ発生用電極を説明するための概略図である。
[図 4]本発明の実施例 1に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉に使用するプラズ マ発生用電極を説明するための概略図である。
[図 5]本発明の実施例 1に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉に使用するプラズ マ発生用電極を説明するための概略図である。
[図 6]比較ための縦型の基板処理炉を説明するための概略縦断面図である。
[図 7]本発明の実施例 1に係る基板処理装置を説明するための概略斜視図である。
[図 8]本発明の実施例 1に係る基板処理装置を説明するための概略縦断面図である 発明を実施するための好ましい形態
[0007] 本発明の好ましい実施形態によれば、
少なくとも一つの基板を収容する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、
前記処理ガスを活性な状態とするため、保護管内に挿抜可能に収容された、少なく とも一対の電極と、を有し、
前記電極は、少なくとも一箇所が屈曲した状態で前記保護管内に収容され、更に、 前記電極は可撓性の部材で構成したことを特徴とする基板処理装置が提供される。
[0008] 好ましくは、前記電極は、線状の導電部材を編み込んで構成されている。さらに好 ましくは、前記電極に芯が設けられている。
[0009] また、好ましくは、前記電極は、線状の導電部材を編み込んで構成した部材を中空 の円筒形状としたものである。
[0010] また、好ましくは、前記電極は、線状の導電部材を束ねて構成した部材からなる。
[0011] また、好ましくは、前記一対の電極のそれぞれの電極は、それぞれが別体の保護 管に挿抜可能に収容されて!、る。
[0012] また、好ましくは、前記一対の電極のそれぞれの電極の外径力 前記別体の保護 管のそれぞれの内径より 1乃至 2mm小さ!/、。
[0013] また、好ましくは、前記基板処理装置が、複数の基板を所定の間隔で積層して保持 する基板保持部材を、処理室内に収容した状態で基板の処理が実行される装置で あって、
前記一対の電極が基板の積層方向に亘つて配置され、更に、前記電極の端部が、 前記基板保持部材に保持される前記電極端部側の最端の基板位置よりも、少なくと も基板保持部材での基板同士の間隔分の長さを超えて設置されている。
この場合に、より好ましくは、前記電極の端部が、前記基板保持部材の天板の位置 を超えた位置に設置されている。
[0014] また、本発明の好ましい実施形態によれば、
少なくとも一つの基板を収容する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、
前記処理ガスを活性な状態とするため、保護管内に挿抜可能に収容された、少なく とも一対の電極と、を有し、
前記電極は、少なくとも一箇所が屈曲した状態で前記保護管内に収容され、更に、 前記電極は可撓性の部材で構成したことを特徴とする基板処理装置を使用して、基 板を処理する工程を備える半導体装置の製造方法が提供される。
[0015] 次に、本発明の好ましい実施例を説明する。
本発明の好ましい実施例においては、プラズマを発生させる電極は、少なくとも一 箇所が屈曲した状態で保護管内に収容されると共に、可撓性の部材で構成されてい る。
電極を可撓性とすることにより、保護管内に挿入時に柔軟性を持たせることができる と共に、熱膨張を抑制することができるためである。また、反応室の下から上まで均一 な放電を行うために細長形状の電極を用いる場合でも、保護管に容易に着脱するこ とがでさる。
[0016] また、プラズマを発生させる電極を、線状の導電部材を編み込んで構成すること〖こ より、電極挿入時の自由度を大きくすることができ、熱膨張による変形が少ないものと することができる。さらに、表面積を確保出来、高周波は物体の表面を流れる特性が あるので、プラズマを効率よく発生させることができるようになる。特に電極を円筒形 状に加工することで更に良 、効果が得られる。
[0017] プラズマを発生させる電極に芯を設けることにより、可撓性のある電極を縮みなく使 用でき、複数のウェハについてより均一なプラズマを供給できる。
[0018] また、プラズマを発生させる電極を、線状の導電部材を束ねて構成した部材からな るようにすることも好ましぐこのようにすることで、断面が丸形の屈曲性のある細長形 状の電極を容易に実現できるようになる。
[0019] なお、導電部材の 1例として、鉄、ニッケル、炭素、金等、またはそれらを含む化合 物が好ましく用いられる。この中で、耐熱性、金属汚染、価格を考慮すれば、ニッケ ルがより好ましく用いられる。
また、特に 500°C以上の高温雰囲気で用いる場合は、タングステン、モリブデンな どの高融点金属や炭素繊維なども好ましく用いられる。
実施例 1
[0020] 次に、図面を参照して本発明の実施例をより詳細に説明する。
[0021] 本実施例として、ウェハ等の基板へのプロセス処理例として ALD (Atomic Layer
Deposition)法を用いた成膜処理につ!、て、簡単に説明する。
[0022] ALD法は、ある成膜条件 (温度、時間等)の下で、成膜に用いる 2種類 (またはそれ 以上)の原料となるガスを 1種類ずつ交互に基板上に供給し、 1原子層単位で吸着さ せ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
[0023] 即ち、利用する化学反応は、例えば SiN (窒化珪素)膜形成の場合 ALD法では D
CS (SiH C1、ジクロルシラン）と NH (アンモニア）を用いて 300— 600°Cの低温で
2 2 3
高品質の成膜が可能である。また、成膜に必要な原料ガスは、複数種類の反応性ガ スを 1種類ずつ交互に供給する。そして、膜厚制御は、反応性ガス供給のサイクル数 で制御する。（例えば、成膜速度が 1AZサイクルとすると、 20Aの膜を形成する場 合、処理を 20サイクル行う。 )
[0024] 図 1は、本実施例に力かる基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明するための概 略縦断面図であり、図 2は本実施例に力かる基板処理装置の縦型の基板処理炉を 説明するための概略横断面図である。
[0025] 加熱手段であるヒータ 207の内側に、基板であるウェハ 200を処理する反応容器と して反応管 203が設けられ、この反応管 203の下端開口は蓋体であるシールキヤッ プ 219により気密部材である Oリング（図示せず)を介して気密に閉塞されている。反 応管 203およびヒータ 207の外側には断熱部材 208が設けられている。断熱部材 20 8は反応管 203の上方をも覆うように設けられている。少なくとも、ヒータ 207、断熱部 材 208、反応管 203、及びシールキャップ 219により処理炉 202を形成している。ま た、反応管 203、シールキャップ 219および後述する反応管 203内に形成されたバッ ファ室 237により処理室 201を形成している。シールキャップ 219にはボート台 218 および回転軸 220を介して基板保持手段であるボート 217が立設され、ボート台 218 はボート 217を保持する保持体となっている。そして、ボート 217は処理炉 202に揷 入される。ボート 217にはバッチ処理される複数のウェハ 200が水平姿勢で管軸方 向に多段に垂直方向に積載される。ヒータ 207は処理炉 202に挿入されたウェハ 20 0を所定の温度に加熱する。
[0026] 反応管 203内の中央部には複数枚のウェハ 200を多段に同一間隔で鉛直方向に 載置するボート 217が設けられており、このボート 217は図中省略のボートエレべ一 タ機構により反応管 203に出入りできるようになつている。また処理の均一性を向上 するためにボート 217を回転するための回転手段であるボート回転機構 267が設け てあり、ボート回転機構 267を回転することにより、ボート台 218に保持されたボート 2 17を回転するようになって 、る。
[0027] そして、処理炉 202へは複数種類、ここでは 2種類のガスを供給する供給管として の 2本のガス供給管 232a、 232b力設けられる。ここではガス供給管 232aからは流 量制御手段であるマスフローコントローラ 241a及び開閉弁であるバルブ 243aを介し 、更に後述する反応管 203内に形成されたバッファ室 237を介して処理室 201に反 応ガスが供給され、ガス供給管 232bからは流量制御手段であるマスフローコント口 ーラ 241b、開閉弁であるバルブ 243b、ガス溜め 247、及び開閉弁であるバルブ 24 3cを介し、ガス供給部（図示せず)を介して処理室 201に反応ガスが供給されて 、る [0028] 処理室 201は、ガスを排気する排気管であるガス排気管 231によりバルブ 243dを 介して排気手段である真空ポンプ 246に接続され、真空排気されるようになっている 。尚、このバルブ 243dは弁を開閉して処理室 201の真空排気 ·真空排気停止ができ 、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。
[0029] 処理室 201を構成している反応管 203の内壁とウェハ 200との間における円弧状 の空間には、反応管 203の下部より上部の内壁にウェハ 200の積載方向に沿って、 ガス分散空間であるバッファ室 237が設けられており、そのバッファ室 237のウェハ 2 00と隣接する内側の壁の端部近傍にはガスを供給する供給孔であるガス供給孔 24 8aが設けられている。このガス供給孔 248aは反応管 203の中心へ向けて開口して いる。このガス供給孔 248aは、ウェハ 200の積載方向に沿って下部力も上部に所定 の長さにわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられ ている。
[0030] そしてバッファ室 237のガス供給孔 248aが設けられた側と反対側の反応管 203の 側壁には、ガス供給管 232aが接続されている。
[0031] さらに、バッファ室 237に、細長い構造を有する電極 269及び電極 270が上部より 下部にわたって電極を保護する保護管である電極保護管 275にそれぞれ保護され て配設され、この電極 269又は電極 270の!、ずれか一方は整合器 272を介して高周 波電源 273に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。この結果、 電極 269及び電極 270間のプラズマ生成領域 224にプラズマが生成される。
[0032] この電極保護管 275は、電極 269及び電極 270のそれぞれをバッファ室 237の雰 囲気と隔離した状態でバッファ室 237に挿入できる構造となっている。
[0033] ここで、電極保護管 275の内部は外気 (大気）と同一雰囲気であると、電極保護管 2 75にそれぞれ挿入された電極 269及び電極 270はヒータ 207の加熱で酸化されて しまう。そこで、電極保護管 275の内部は窒素などの不活性ガスを充填あるいはパー ジし、酸素濃度を充分低く抑えて電極 269又は電極 270の酸ィ匕を防止するための不 活性ガスパージ機構 (図示せず)が設けられる。
[0034] 本実施例では、電極保護管 275を途中で屈曲した構造としており、ノ ッファ室 237 内を最下端のウェハ 200よりも下側力もボート天板 216よりも上部まで延在する垂直 部とその下の斜め部とから構成されている。斜め部の下端は反応管 203の側壁から 外部に突き出している。
[0035] 電極 269及び電極 270として、可撓性のある部材を使用することにより、電極保護 管 275内に、電極保護管 275の斜め部の下端力も電極 269、 270を挿入すると共に 、電極 269、 270を電極保護管 275の上端部まで達するようにすることができる。
[0036] 電極 269、 270の一例として、導電部材を薄板に加工した構造を図 3に示す。これ は可撓性のある導電部材を 1つ使用した電極 269、 270の一例である。この電極 269 、 270は導電部材を薄板にカ卩ェしたものなので、薄板の主面に垂直方向について屈 曲性が得られる。そのため、電極 269、 270の差込み口が反応管 203の側面にある 構造でも、電極 269、 270の電極保護管 275への差込みが可能である。またこの電 極 269、 270に高周波電力を印可すると、プラズマ 224を発生させることができる。た だ、薄板の電極 269、 270は電極保護管 275の中で歪みが生じてしまい、電極 269 、 270間の間隔が垂直方向で一定でなくなってプラズマ 224は不均一となる場合もあ る。
[0037] 次に、屈曲性のある導電部材を複数使用した電極 269、 270の例を図 4、図 5を参 照して説明する。
[0038] まず、線状に加工した導電部材を束ねた電極 269、 270の構造を図 4に示す。この 電極 269、 270は導電部材を線状に加工したものを使用しているので、可撓性、屈 曲性が得られる。
[0039] また、図 5には、線状にカ卩ェした導電部材を編み込んだ構造の例を示している。こ の電極 269、 270は複数本の導電部材を編み込み、その中心に芯 271を通した構 造になって ヽる。編み込み型電極 269、 270に芯 271力な!ヽ場合 ίま、電極 269、 27 0は、プラズマ 224発生時に熱が加わると、柔ら力べなって網目が詰まり、下方向に縮 むことがある。また、メンテナンス時に一度抜いた電極 269、 270を電極保護管 275 に再挿入する際に、柔らカゝくなつた電極 269、 270は電極保護管 275との摩擦で縮 み、最上部のウェハ 200まで電極 269、 270が到達しないことがある。最上部のゥェ ノヽ 200まで電極 267、 270が届いていないということは、複数のウェハ 200が存在す る領域でプラズマ 224が未発生な部分または不均一な部分ができ、成膜にも影響が でることが懸念される。そこで、電極 269、 270の中心〖こ芯 271をいれること〖こより、縮 みを防止する構造にして 、る。
[0040] また、上部ウェハ 200領域にプラズマ 224未発生部分ができてしまうことの他の対 策として、図 1に示すように、電極 269、 270が縮んだ場合でも最上位のウェハ 200ま でプラズマ 224が供給されるように、電極保護管 269、 270を上方向に長くして、ボー ト天井部 216よりも上にくるようにした。これにより、電極 267、 270を最上位のウェハ 2 00より高い位置まで挿入できるようになり、熱により縮みが生じた場合でも、ウェハ 20 0が存在する領域でのプラズマ 224未発生領域が生じな 、ようにできる。
[0041] なお、電極 269、 270の上部端の設置位置としては、少なくとも最上位のウェハ 20 0よりも、ボート 217に保持されるウェハ 200の保持ピッチ間隔以上、上側にする。好 ましくは、本実施例のように、ボート天板板 216の位置を超えた位置にする。
[0042] 図 4、図 5に示す場合は、電極保護管 275の内径より 1一 2mm程小さな外形になる ように電極 269、 270を作成すると、電極 269、 270を差し込むための隙間が残ると 共に、電極 269、 270が電極保護管 275との間で横方向に歪む隙間をなくすことが できるため、電極 269、 270はまつすぐな形状のままであり、プラズマをより均一に発 生させることができる。
[0043] このような電極構造とすることで、反応管 203内に均一なプラズマを生成するための 細長形状の電極 269、 270を使 、勝手良く着脱可能でまた安全に運用できるように することができる。
[0044] ガス供給孔 248aの位置より、 120° 程度回った反応管 203の内側にノズル 233が 設けられている。このノズル 233は、 ALD法による成膜においてウェハ 200へ、複数 種類のガスを 1種類ずつ交互に供給する際に、バッファ室 237とガス供給種を分担 する供給部である。
[0045] このノズル 233もバッファ室 237と同様にウェハと隣接する位置に同一ピッチでガス を供給する供給孔であるガス供給孔 248cを有し、下部ではガス供給管 232bが接続 されている。
[0046] ガス供給孔 248cの開口面積はノズル 233内と処理室 201の差圧が小さい場合に は、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差 圧が大きい場合には上流側から下流側に向力つて開口面積を大きくするか開口ピッ チを小さくすると良い。
[0047] 制御手段であるコントローラ 321は、マスフローコントローラ 241a、 241b,バルブ 2 43a、 243b, 243c, 243d,ヒータ 207、真空ポンプ 246、ボート回転機構 267、図中 省略のボート昇降機構、高周波電源 273、整合器 272に接続されており、マスフロー コントローラ 241a、 241bの流量調整、ノ レブ 243a、 243b, 243cの開閉動作、バル ブ 243dの開閉及び圧力調整動作、ヒータ 207温度調節、真空ポンプ 246の起動' 停止、ボート回転機構 267の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御、高周 波電極 273の電力供給制御、整合器 272によるインピーダンス制御が行われる。
[0048] 次に ALD法による成膜例にっ 、て、 DCS及び NHガスを用いて SiN膜を成膜す
3
る例で説明する。
[0049] まず成膜しょうとするウェハ 200をボート 217に装填し、処理炉 202に搬入する。搬 入後、次の 4つのステップを順次実行する。
[0050] [ステップ 1]
ステップ 1では、プラズマ励起の必要な NHガスと、プラズマ励起の必要のない DC
3
Sガスとを併行して流す。まずガス供給管 232aに設けたバルブ 243a、及びガス排気 管 231に設けたバルブ 243dを共に開けて、ガス供給管 232aからマスフローコント口 ーラ 241aにより流量調整された NHガスをバッファ室 237へ噴出し、電極 269及び
3
電極 270間に高周波電源 273から整合器 272を介して高周波電力を 0. 1-0. 6k W印加して NHをプラズマ励起し、活性種として処理室 201に供給しつつガス排気
3
管 231から排気する。 NHガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは
3
、バルブ 243dを適正に調整して処理室 201内圧力を 10 lOOPaとする。マスフ口 一コントローラ 241aで制御する NHの供給流量は 1000 lOOOOsccmである。 NH
3
をプラズマ励起することにより得られた活性種にウェハ 200を晒す時間は 1一 120秒
3
間である。このときのヒータ 207温度はウェハが 300— 600°Cになるよう設定してある 。 NHガスをプラズマで活性ィ匕する事によりウェハ表面を低温で処理することができ
3
る。
[0051] この NHをプラズマで励起して活性種として供給しているとき、ガス供給管 232bの 上流側のバルブ 243bを開け、下流側のバルブ 243cを閉めて、 DCSも流すようにす る。これによりノ レブ 243b、 243c間に設けたガス溜め 247に DCSを溜める。このと き、処理室 201内に流しているガスは NHをプラズマ励起することにより得られた活
3
'14種であり、 DCSは存在しない。したがって、 NHは気相反応を起こすことはなぐプ
3
ラズマにより励起され活性種となった NHはウェハ 200上の下地膜と表面反応する。
3
[0052] [ステップ 2]
ステップ 2では、ガス供給管 232aのバルブ 243aを閉めて、 NHの供給を止めた後
3
、 Nの不活性ガスで反応管 203内をパージする力 その間も引続きガス溜め 247へ
2
供給を継続する。ガス溜め 247に所定圧、所定量の DCSが溜まったら上流側のバル ブ 243bも閉めて、ガス溜め 247に DCSを閉じ込めておく。また、ガス排気管 231の バルブ 243dは開いたままにし真空ポンプ 246により、処理室 201を十分に排気し、 残留 NHを処理室 201から排除する。
3
[0053] [ステップ 3]
ステップ 3では、処理室 201の排気が終わったらガス排気管 231のバルブ 243dを 閉じて排気を止める。ガス供給管 232bの下流側のバルブ 243cを開く。これによりガ ス溜め 247に溜められた DCSが処理室 201に一気に供給される。このときガス排気 管 231のバルブ 243dが閉じられて 、るので、処理室 201内の圧力は急激に上昇し て約 931Pa (7Torr)まで昇圧される。 DCSを供給するための時間は 2— 4秒に設定 し、その後上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を 2— 4秒に設定し、合計 6秒とした。こ のときのウェハ温度は NHの供給時と同じぐ 300— 600°Cである。 DCSの供給によ
3
り、 DCSが表面反応し N— H結合の Hが Siと置換されて、ウェハ 200上に SiN膜が成 膜される。
[0054] [ステップ 4]
ステップ 3では、成膜後、バルブ 243cを閉じ、バルブ 243dを開けて処理室 201を 真空排気し、残留する DCSの成膜に寄与した後のガスを排除する。また、この時に は N等の不活性ガスを処理室 201に供給すると、更に残留する DCSの成膜に寄与
2
した後のガスを処理室 201から排除する効果が高まる。またノ レブ 243bを開いてガ ス溜め 247への DCSの供給を開始する。 [0055] 上記ステップ 1一 4を 1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウェハ 上に所定膜厚の SiN膜を成膜する。
[0056] なお、 ALD装置では、ガスは下地膜表面に吸着する。このガスの吸着量は、ガスの 圧力、及びガスの暴露時間に比例する。よって、希望する一定量のガスを、短時間で 吸着させるためには、ガスの圧力を短時間で大きくする必要がある。この点で、本実 施例では、バルブ 243dを閉めたうえで、ガス溜め 247内に溜めた DCSを瞬間的に 供給しているので、処理室 201内の DCSの圧力を急激に上げることができ、希望す る一定量のガスを瞬間的に吸着させることができる。
[0057] また、本実施例では、ガス溜め 247に DCSを溜めている間に、 ALD法で必要なス テツプである NHガスをプラズマ励起することにより活性種として供給、及び処理室 2
3
01の排気をしているので、 DCSを溜めるための特別なステップを必要としない。また 、処理室 201内を排気して NHガスを除去している力も DCSを流すので、両者はゥ
3
エノ、 200に向力う途中で反応しない。供給された DCSは、ウェハ 200表面のみで有 効〖こ反応させることができる。
[0058] 次に、図 6を参照して、比較例として、可撓性のない電極 276、 277を使用した場合 の反応管構造にっ 、て説明する。
[0059] 図 6に示すように、下側力も電極 276を挿入する場合には、下部しか電極 276を揷 入することができず、プラズマがバッファ室 237下の方にしか生成できないため、ゥェ ーハ 200の処理がボート 217の上下で不均一になってしまう。
[0060] 次に、図 7、図 8を参照して本発明が好適に適用される基板処理装置の一例である 半導体製造装置についての概略を説明する。
[0061] 筐体 101内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器とし てのカセット 100の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ 105が設けら れ、カセットステージ 105の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ 115が設け られ、カセットエレベータ 115には搬送手段としてのカセット移載機 114が取りつけら れている。又、カセットエレベータ 115の後側には、カセット 100の載置手段としての カセット棚 109が設けられると共にカセットステージ 105の上方にも予備カセット棚 11 0が設けられて 、る。予備カセット棚 110の上方にはクリーンユニット 118が設けられ クリーンエアを筐体 101の内部を流通させるように構成されて 、る。
[0062] 筐体 101の後部上方には、処理炉 202が設けられ、処理炉 202の下方には基板と してのウェハ 200を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート 217を 処理炉 202に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ 121が設けられ、ボート エレベータ 121に取りつけられた昇降部材 122の先端部には蓋体としてのシールキ ヤップ 219が取りつけられボート 217を垂直に支持している。ボートエレベータ 121と カセット棚 109との間には昇降手段としての移載エレベータ 113が設けられ、移載ェ レベータ 113には搬送手段としてのウェハ移載機 112が取りつけられている。又、ボ ートエレベータ 121の横には、開閉機構を持ち処理炉 202の下面を塞ぐ遮蔽部材と しての炉口シャツタ 116が設けられて!/、る。
[0063] ウェハ 200が装填されたカセット 100は、図示しない外部搬送装置力 カセットステ ージ 105にウェハ 200が上向き姿勢で搬入され、ウェハ 200が水平姿勢となるよう力 セットステージ 105で 90° 回転させられる。更に、カセット 100は、カセットエレベータ 115の昇降動作、横行動作及びカセット移載機 114の進退動作、回転動作の協働 によりカセットステージ 105からカセット棚 109又は予備カセット棚 110に搬送される。
[0064] カセット棚 109にはウェハ移載機 112の搬送対象となるカセット 100が収納される 移載棚 123があり、ウェハ 200が移載に供されるカセット 100はカセットエレベータ 11 5、カセット移載機 114により移載棚 123に移載される。
[0065] カセット 100が移載棚 123に移載されると、ウェハ移載機 112の進退動作、回転動 作及び移載エレベータ 113の昇降動作の協働により移載棚 123から降下状態のボ 一卜 217【こウエノヽ 200を移載する。
[0066] ボート 217に所定枚数のウェハ 200が移載されるとボートエレベータ 121によりボー ト 217が処理炉 202に挿入され、シールキャップ 219により処理炉 202が気密に閉塞 される。気密に閉塞された処理炉 202内ではウェハ 200が加熱されると共に処理ガ スが処理炉 202内に供給され、ウェハ 200に処理がなされる。
[0067] ウェハ 200への処理が完了すると、ウェハ 200は上記した作動の逆の手順により、 ボート 217から移載棚 123のカセット 100に移載され、カセット 100はカセット移載機 1 14により移載棚 123からカセットステージ 105に移載され、図示しない外部搬送装置 により筐体 101の外部に搬出される。尚、炉ロシャツタ 116は、ボート 217が降下状 態の際に処理炉 202の下面を塞ぎ、外気が処理炉 202内に巻き込まれるのを防止し ている。
[0068] カセット移載機 114等の搬送動作は、搬送制御手段 124により制御される。
[0069] 明細書、特許請求の範囲、図面および要約書を含む 2004年 2月 27日提出の日本 国特許出願 2004— 55446号の開示内容全体は、そのまま引用してここに組み込ま れる。
[0070] 種々の典型的な実施の形態を示しかつ説明してきたが、本発明はそれらの実施の 形態に限定されない。従って、本発明の範囲は、次の請求の範囲によってのみ限定 されるちのである。
産業上の利用可能性
[0071] 以上説明したように、本発明の好ましい実施形態によれば、プラズマを均一に発生 させることができると共〖こ、装置への装着が容易な構造の電極を備える基板処理装 置が提供される。
その結果、本発明は、プラズマにより励起された処理ガスを利用して半導体ウェハ に成膜を行う基板処理装置に特に好適に利用できる。

Claims

請求の範囲
[1] 少なくとも一つの基板を収容する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、
前記処理ガスを活性な状態とするため、保護管内に挿抜可能に収容された、少なく とも一対の電極と、を有し、
前記電極は、少なくとも一箇所が屈曲した状態で前記保護管内に収容され、更に、 前記電極は可撓性の部材で構成したことを特徴とする基板処理装置。
[2] 前記電極は、線状の導電部材を編み込んで構成されていることを特徴とする請求 項 1記載の基板処理装置。
[3] 前記電極は、線状の導電部材を編み込んで構成した部材を中空の円筒形状とした ものであることを特徴とする請求項 1記載の基板処理装置。
[4] 前記電極は、線状の導電部材を束ねて構成した部材力 なることを特徴とする請求 項 1記載の基板処理装置。
[5] 前記基板処理装置が、複数の基板を所定の間隔で積層して保持する基板保持部 材を、処理室内に収容した状態で基板の処理が実行される装置であって、
前記一対の電極が基板の積層方向に亘つて配置され、更に、前記電極の端部が、 前記基板保持部材に保持される前記電極端部側の最端の基板位置よりも、少なくと も基板保持部材での基板同士の間隔分の長さを超えて設置されることを特徴とする 請求項 1記載の基板処理装置。
[6] 前記一対の電極のそれぞれの電極は、それぞれが別体の保護管に挿抜可能に収 容されていることを特徴とする請求項 1記載の基板処理装置。
[7] 前記一対の電極のそれぞれの電極の外径力 前記別体の保護管のそれぞれの内 径より 1乃至 2mm小さいことを特徴とする請求項 7記載の基板処理装置。
[8] 前記電極に芯を設けたことを特徴とする請求項 2記載の基板処理装置。
[9] 前記電極の端部が、前記基板保持部材の天板の位置を超えた位置に設置されて
Vヽることを特徴とする請求項 5記載の基板処理装置。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266297A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2008300688A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
JP2009212528A (ja) * 2004-02-27 2009-09-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20090255468A1 (en) * 2006-05-01 2009-10-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate Processing Apparatus
TWI452609B (zh) * 2006-03-24 2014-09-11 Tokyo Electron Ltd 用於半導體製程之垂直電漿處理裝置及用於半導體製程之垂直電漿膜形成裝置
CN104051213A (zh) * 2007-08-31 2014-09-17 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
US8875656B2 (en) 2008-04-01 2014-11-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP2020198295A (ja) * 2019-05-28 2020-12-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2021052086A (ja) * 2019-09-25 2021-04-01 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、及び半導体の製造方法

Families Citing this family (294)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006093136A1 (ja) * 2005-03-01 2006-09-08 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
CN103173739B (zh) * 2006-07-31 2015-09-30 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、程序、存储介质和决定是否需要调节的方法
KR20090087190A (ko) * 2008-02-12 2009-08-17 삼성전자주식회사 반도체 제조설비 그를 이용한 반도체 제조방법
JP4520512B2 (ja) * 2008-02-13 2010-08-04 キヤノンアネルバ株式会社 加熱装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5805461B2 (ja) * 2010-10-29 2015-11-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5794194B2 (ja) * 2012-04-19 2015-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
TWI489517B (zh) * 2013-05-07 2015-06-21 Univ Nat Taiwan 表面處理裝置及方法
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
WO2017138087A1 (ja) 2016-02-09 2017-08-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP6999596B2 (ja) * 2019-03-25 2022-01-18 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
CN112017936B (zh) * 2019-05-28 2024-05-31 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI798760B (zh) * 2020-08-26 2023-04-11 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、基板保持具及程式
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002280378A (ja) * 2001-01-11 2002-09-27 Hitachi Kokusai Electric Inc バッチ式リモートプラズマ処理装置
JP2002324760A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 成膜装置
JP2003297818A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処埋装置
JP2004124234A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処埋装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5816078A (ja) * 1981-07-17 1983-01-29 Toshiba Corp プラズマエツチング装置
JPH02159027A (ja) * 1988-12-13 1990-06-19 Tel Sagami Ltd プラズマ処理装置
JP2714580B2 (ja) * 1988-12-27 1998-02-16 東京エレクトロン株式会社 化学的気相成長方法及び化学的気相成長装置
JPH05160042A (ja) 1991-12-09 1993-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ生成装置および半導体薄膜のプラズマ処理方法
US6490144B1 (en) * 1999-11-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Support for supporting a substrate in a process chamber
JP4602532B2 (ja) * 2000-11-10 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20030164143A1 (en) * 2002-01-10 2003-09-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Batch-type remote plasma processing apparatus
US6864418B2 (en) * 2002-12-18 2005-03-08 Nanoset, Llc Nanomagnetically shielded substrate
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
JP4354987B2 (ja) * 2004-02-27 2009-10-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002280378A (ja) * 2001-01-11 2002-09-27 Hitachi Kokusai Electric Inc バッチ式リモートプラズマ処理装置
JP2002324760A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 成膜装置
JP2003297818A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処埋装置
JP2004124234A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処埋装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009212528A (ja) * 2004-02-27 2009-09-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
TWI452609B (zh) * 2006-03-24 2014-09-11 Tokyo Electron Ltd 用於半導體製程之垂直電漿處理裝置及用於半導體製程之垂直電漿膜形成裝置
JP2007266297A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20090255468A1 (en) * 2006-05-01 2009-10-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate Processing Apparatus
US8555808B2 (en) * 2006-05-01 2013-10-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP2008300688A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
CN104051213A (zh) * 2007-08-31 2014-09-17 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
US8875656B2 (en) 2008-04-01 2014-11-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP2020198295A (ja) * 2019-05-28 2020-12-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
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