JP7130014B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
第1の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。図1は、第1の実施形態のプラズマ処理装置の断面図である。図2は、図1のプラズマ処理装置のプラズマ生成機構を説明するための断面図である。図3は、図1のプラズマ処理装置のプラズマ生成機構を説明するための斜視図である。
第2の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。第2の実施形態のプラズマ処理装置は、一対のプラズマ電極が給電位置から離れるにつれて互いに離間するように配置されている点で、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と異なる。なお、その他の点については、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と同様であるので、以下では異なる点を中心に説明する。
第3の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。第3の実施形態のプラズマ処理装置は、各プラズマ電極がプラズマ区画壁から隙間を空けて配置され、隙間の下部側に誘電体が設けられている点で、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と異なる。なお、その他の点については、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と同様であるので、以下では異なる点を中心に説明する。
第4の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。第4の実施形態のプラズマ処理装置は、各プラズマ電極がプラズマ区画壁から隙間を空けて配置され、隙間に下部側から上部側へ向けて厚さが薄くなる誘電体が設けられている点で、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と異なる。なお、その他の点については、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と同様であるので、以下では異なる点を中心に説明する。
第5の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。第5の実施形態のプラズマ処理装置は、各プラズマ電極がプラズマ区画壁から隙間を空けて配置され、隙間に下部側から上部側へ向けて比誘電率が低くなる誘電体が設けられている点で、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と異なる。なお、その他の点については、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と同様であるので、以下では異なる点を中心に説明する。
第6の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。第6の実施形態のプラズマ処理装置は、給電位置が各プラズマ電極の上下方向における中間位置である点で、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と異なる。なお、その他の点については、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と同様であるので、以下では異なる点を中心に説明する。
第1の実施形態のプラズマ処理装置100と同様の構成のプラズマ処理装置を用いて、一対のプラズマ電極33の電極間距離がプラズマ電極の面内における電界強度の分布に与える影響について、有限要素法による電磁場解析により検証した。シミュレーションでは、上端位置の電極間距離が給電位置の電極間距離より長い場合について、プラズマ電極33の長手方向(処理容器1の上下方向)における電界強度の分布を計算した。また、比較のために、上端位置の電極間距離と給電位置の電極間距離が等しい場合について、プラズマ電極33の長手方向(処理容器1の上下方向)における電界強度の分布を計算した。
30 プラズマ生成機構
32 プラズマ区画壁
33 プラズマ電極
35 高周波電源
100 プラズマ処理装置
W ウエハ
Claims (13)
- 円筒体状の処理容器と、
前記処理容器の長手方向に沿って対向配置された一対のプラズマ電極と、
前記一対のプラズマ電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
を備え、
前記プラズマ電極において、前記高周波電力が供給される給電位置から離れた位置の電極間距離が、前記給電位置の電極間距離より長い、
プラズマ処理装置。 - 前記一対のプラズマ電極は、それぞれ平板形状を有し、前記給電位置から離れた位置の厚さが前記給電位置の厚さより薄い、
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記一対のプラズマ電極は、それぞれ平板形状を有し、前記給電位置から離れるにつれて互いに離間するように配置されている、
請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記一対のプラズマ電極は、平面視で長辺と短辺とを含む矩形をなしており、
前記給電位置は、前記矩形の短辺の側部である、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記処理容器の長手方向に沿って形成された開口を覆うプラズマ区画壁を更に備え、
前記一対のプラズマ電極は、前記プラズマ区画壁の両側の壁の外面に配置されている、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記一対のプラズマ電極は、前記プラズマ区画壁を挟んで対称に配置されている、
請求項5に記載のプラズマ処理装置。 - 前記一対のプラズマ電極は、前記処理容器内に配置されている、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 円筒体状の処理容器と、
前記処理容器の長手方向に沿って対向配置された一対のプラズマ電極と、
前記一対のプラズマ電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
を備え、
前記一対のプラズマ電極の電極間であって、少なくとも前記処理容器の長手方向において給電位置から近い位置に比誘電率が1より大きい誘電体が設けられている、
プラズマ処理装置。 - 前記誘電体は、前記給電位置から離れた位置の厚さが前記給電位置の厚さより薄い、
請求項8に記載のプラズマ処理装置。 - 前記誘電体は、前記給電位置から離れた位置の比誘電率が前記給電位置の比誘電率より低い、
請求項8又は9に記載のプラズマ処理装置。 - 前記処理容器の長手方向に沿って形成された開口を覆うプラズマ区画壁を更に備え、
前記一対のプラズマ電極は、前記プラズマ区画壁の両側の壁の外面に配置されており、
前記プラズマ電極と前記プラズマ区画壁との間に前記誘電体が設けられている、
請求項8乃至10のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記処理容器は、長手方向に沿って間隔を有して複数の基板を収容する、
請求項1乃至11のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 円筒体状の処理容器と、
前記処理容器の長手方向に沿って対向配置された一対のプラズマ電極と、
前記一対のプラズマ電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
を備え、
前記一対のプラズマ電極の電極間であって、少なくとも前記処理容器の長手方向において給電位置から近い位置でのプラズマ電極間の電気長が、前記給電位置から離れた位置でのプラズマ電極間の電極長よりも短い、
プラズマ処理装置。
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- 2020-05-27 KR KR1020200063728A patent/KR102615569B1/ko active IP Right Grant
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