JP7045414B2 - 基板処理装置、プラズマ異常判定方法、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents

基板処理装置、プラズマ異常判定方法、半導体装置の製造方法及びプログラム Download PDF

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Description

本開示は、基板処理装置、プラズマ異常判定方法、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。
半導体装置製造工程の1つに、基板処理装置の処理室内に基板を搬入し、処理室内に供給した原料ガスと反応ガスなどにプラズマを用いて活性化させ、基板上に絶縁膜や半導体膜、導体膜等の各種膜を形成したり、各種膜を除去したりする基板処理が行われることがある。プラズマは、堆積する薄膜の反応を促進したり、薄膜から不純物を除去したり、あるいは成膜原料の化学反応を補助したりする為などに用いられる(例えば、特許文献1参照)。
特開2015-92637号公報
しかしながら、経年変化や予期せぬ原因によるプラズマ電極の劣化が生じると、プラズマ生成部または励起種供給口などのプラズマ生成部周辺からアーク放電等の異常放電が生じたり、プラズマのちらつきが生じたりするが、これらの異常状態への対応方法はそれぞれ異なるため、発生している異常の厳格な判定が必要となる場合があった。
本発明の目的は、プラズマの異常を判定することが可能な技術を提供することにある。
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
プラズマ化されたガスを前記処理室内に供給するガス供給口が形成されたプラズマ生成部と、
前記ガス供給口を撮像する撮像装置と、
前記撮像装置により撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマのちらつきの発生の有無を判定する制御部と、
を有する技術が提供される。
本発明によれば、プラズマの異常を判定することが可能な技術を提供することが可能となる。
本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を図1のA-A線断面図で示す図である。 本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系をブロック図で示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理工程のフローチャートである。 本発明の実施形態に係る基板処理工程におけるガス供給のタイミングを示す図である。 本発明の実施形態に係るプラズマ異常判定時における処理室内の構成を反応管の縦断面図で示す図である。 本発明の実施形態に係るプラズマ異常判定時における処理室内の構成を反応管の横断面図で示す図である。 本発明の実施形態に係るプラズマ異常判定時におけるコントローラの制御系をブロック図で示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理工程に用いるプラズマの異常判定を示すフローチャートである。 (A)は、本発明の実施形態に係るプラズマモニタを用いてガス供給口周辺を撮像した画像の一例を示す図であって、プラズマが正常な状態を示す図である。(B)は、本発明の実施形態に係るプラズマモニタを用いてガス供給口周辺を撮像した画像の一例を示す図であって、プラズマが異常な状態を示す図である。 (A)は、ガス供給口の上下方向におけるプラズマの発光強度の分布を示す図であって、撮像した画像にトリミング加工をしないで検出した例を示す図である。(B)(C)は、ガス供給口の上下方向におけるプラズマの発光強度の分布を示す図であって、撮像した画像にトリミング加工をして検出した例を示す図である。
<本発明の実施形態>
以下、本発明の一実施形態の基板処理装置について、図1から図9を参照しながら説明する。
(1)基板処理装置の構成
(加熱装置)
本発明の一実施形態の基板処理装置は、図1に示すように、処理炉202を有する。この処理炉202は基板を垂直方向多段に収容することが可能な、いわゆる縦型炉であり、加熱装置(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
(処理室)
ヒータ207の内側には、ヒータ207と同心円状に反応管203が配設されている。反応管203は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の下方には、反応管203と同心円状に、マニホールド(インレットフランジ)209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス(SUS)等の金属からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209の上端部は、反応管203の下端部に係合しており、反応管203を支持するように構成されている。マニホールド209と反応管203との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209がヒータベースに支持されることにより、反応管203は垂直に据え付けられた状態となる。主に、反応管203とマニホールド209とにより処理容器(反応容器)が構成されている。処理容器の内側である筒中空部には処理室201が形成されている。処理室201は、複数枚の基板としてのウエハ200を収容可能に構成されている。なお、処理容器は上記の構成に限らず、反応管203のみを処理容器と称する場合もある。
処理室201内には、ノズル249a,249bが、マニホールド209の側壁を貫通するように設けられている。ノズル249a,249bには、ガス供給管232a,232bが、それぞれ接続されている。このように、反応管203には2本のノズル249a,249bと、2本のガス供給管232a,232bとが設けられており、処理室201内へ複数種類のガスを供給することが可能となっている。なお、マニホールド209を設置せず、反応管203のみを処理容器とした場合、ノズル249a,249bは反応管203の側壁を貫通するように設けられていてもよい。
ガス供給管232a,232bには、ガス流の上流側から順に、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)241a,241bおよび開閉弁であるバルブ243a,243bがそれぞれ設けられている。ガス供給管232a,232bのバルブ243a,243bよりも下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管232c,232dがそれぞれ接続されている。ガス供給管232c,232dには、ガス流の上流側から順に、MFC241c,241dおよびバルブ243c,243dがそれぞれ設けられている。
ノズル249aは、図2に示すように、反応管203の内壁とウエハ200との間における空間に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、ノズル249aは、ウエハ200が配列(載置)されるウエハ配列領域(載置領域)の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。すなわち、ノズル249aは、処理室201内へ搬入された各ウエハ200の端部(周縁部)の側方にウエハ200の表面(平坦面)と垂直となる方向に設けられている。
ノズル249aの側面には、ガスを供給するガス供給孔250aが設けられている。ガス供給孔250aは、反応管203の中心を向くように開口しており、ウエハ200に向けてガスを供給することが可能となっている。ガス供給孔250aは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
ノズル249bは、ガス分散空間であるバッファ室237内に設けられている。バッファ室237は、図2に示すように、反応管203の内壁とウエハ200との間における平面視において円環状の空間に、また、反応管203の内壁の下部より上部にわたる部分に、ウエハ200の積載方向に沿って設けられている。すなわち、バッファ室237は、ウエハ配列領域の側方のウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うようにバッファ構造300によって形成されている。バッファ構造300は、石英などの絶縁物によって構成されており、バッファ構造300の円弧状に形成された壁面には、処理室201内にガスまたは後述する活性種を供給するガス供給口302,304が形成されている。
ガス供給口302,304は、図2に示すように、後述する棒状電極269,270間、棒状電極270,271間のプラズマ生成領域224a,224bに対向する位置にそれぞれ反応管203の中心を向くように開口しており、ウエハ200に向けてガスまたは後述する活性種を供給することが可能となっている。ガス供給口302,304は、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
ノズル249bは、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、ノズル249bは、バッファ構造300の内側であって、ウエハ200が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。すなわち、ノズル249bは、処理室201内へ搬入されたウエハ200の端部の側方にウエハ200の表面と垂直となる方向に設けられている。
ノズル249bの側面には、ガスを供給するガス供給孔250bが設けられている。ガス供給孔250bは、バッファ構造300の円弧状に形成された壁面に対して径方向に形成された壁面に向くように開口しており、壁面に向けてガスを供給することが可能となっている。これにより、反応ガスがバッファ室237内で分散され、棒状電極269~271に直接吹き付けることがなくなり、パーティクルの発生が抑制される。ガス供給孔250bは、ガス供給孔250aと同様に、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられている。
ガス供給管232aからは、所定元素を含む原料として、例えば、所定元素としてのシリコン(Si)を含むシラン原料ガスが、MFC241a、バルブ243a、ノズル249aを介して処理室201内へ供給される。
シラン原料ガスとしては、例えば、Siおよびハロゲン元素を含む原料ガス、すなわち、ハロシラン原料ガスを用いることができる。ハロシラン原料とは、ハロゲン基を有するシラン原料のことである。ハロゲン元素は、塩素(Cl)、フッ素(F)、臭素(Br)、ヨウ素(I)からなる群より選択される少なくとも1つを含む。
ハロシラン原料ガスとしては、例えば、SiおよびClを含む原料ガス、すなわち、クロロシラン原料ガスを用いることができる。クロロシラン原料ガスとしては、例えば、ジクロロシラン(SiH2Cl2、略称:DCS)ガスを用いることができる。
ガス供給管232bからは、上述の所定元素とは異なる元素を含むリアクタント(反応体)として、例えば、反応ガスとしての窒素(N)含有ガスが、MFC241b、バルブ243b、ノズル249bを介して処理室201内へ供給されるように構成されている。N含有ガスとしては、例えば、窒化水素系ガスを用いることができる。窒化水素系ガスは、NおよびHの2元素のみで構成される物質ともいえ、窒化ガス、すなわち、Nソースとして作用する。窒化水素系ガスとしては、例えば、アンモニア(NH3)ガスを用いることができる。
ガス供給管232c,232dからは、不活性ガスとして、例えば、窒素(N2)ガスが、それぞれMFC241c,241d、バルブ243c,243d、ガス供給管232a,232b、ノズル249a,249bを介して処理室201内へ供給される。
主に、ガス供給管232a、MFC241a、バルブ243aにより、第1のガス供給系としての原料供給系が構成される。主に、ガス供給管232b、MFC241b、バルブ243bにより、第2のガス供給系としての反応体供給系(リアクタント供給系)が構成される。主に、ガス供給管232c,232d、MFC241c,241d、バルブ243c,243dにより、不活性ガス供給系が構成される。原料供給系、反応体供給系および不活性ガス供給系を総称して単にガス供給系(ガス供給部)とも称する。
(プラズマ生成部)
バッファ室237内には、図2に示すように、導電体からなり、細長い構造を有する3本の棒状電極269,270,271が、反応管203の下部より上部にわたりウエハ200の配列方向に沿って配設されている。棒状電極269,270,271のそれぞれは、ノズル249bと平行に設けられている。棒状電極269,270,271のそれぞれは、上部より下部にわたって電極保護管275により覆われることで保護されている。棒状電極269,270,271のうち両端に配置される棒状電極269,271は、整合器272とインピーダンス測定器274を介して高周波電源273に接続されている。棒状電極270は、基準電位であるアースに接続され、接地されている。すなわち、高周波電源273に接続される棒状電極と、接地される棒状電極と、が交互に配置され、高周波電源273に接続された棒状電極269,271の間に配置された棒状電極270は、接地された棒状電極として、棒状電極269,271に対して共通して用いられている。換言すると、接地された棒状電極270は、隣り合う高周波電源273に接続された棒状電極269,271に挟まれるように配置され、棒状電極269と棒状電極270、同じく、棒状電極271と棒状電極270がそれぞれ対となるように構成されてプラズマを生成する。つまり、接地された棒状電極270は、棒状電極270に隣り合う2本の高周波電源273に接続された棒状電極269,271に対して共通して用いられている。そして、高周波電源273から棒状電極269,271に高周波(RF)電力を印加することで、棒状電極269,270間のプラズマ生成領域224a、棒状電極270,271間のプラズマ生成領域224bにプラズマが生成される。
インピーダンス測定器274は、整合器272と高周波電源273の間に設けられている。インピーダンス測定器274は、高周波の進行波と反射波を測定し、整合器272により棒状電極269,271における負荷インピーダンスや高周波の反射状態を測定する。すなわち、インピーダンス測定器274が高周波の進行波と反射波を測定し、測定した値をコントローラ121にフィードバックしてコントローラ121が高周波電源273を制御することで、プラズマ生成領域224a,224bに生成されるプラズマ生成量が制御される。
インピーダンス測定器274により測定される情報には、高周波の進行波に対する反射波の電圧比または電力比、高周波の進行波に対する反射波の位相差、若しくはこれら電圧比または電力比と位相差から算出されるレジスタンス、リアクタンス、コンダクタンス、サセプタンス、インピーダンス及びアドミタンス等の少なくとも1つが含まれている。ここで、棒状電極269とインピーダンス測定器274の間、および、棒状電極271とインピーダンス測定器274の間には、図示しないスイッチが設けられていても良い。このように棒状電極269とインピーダンス測定器274の間にスイッチを設け、棒状電極271とインピーダンス測定器274の間にスイッチを設けることで、棒状電極269,270の劣化や断線、短絡等の異常を生じさせている電極を特定することが可能となる。
主に、棒状電極269,270,271、整合器272によりプラズマ生成領域224a,224bにプラズマを生成するプラズマ生成部が構成される。電極保護管275、高周波電源273、インピーダンス測定器274をプラズマ生成部に含めて考えてもよい。プラズマ生成部は、後述するように、ガスをプラズマ励起、すなわち、プラズマ状態に励起(活性化)させるプラズマ励起部(活性化機構)として機能する。
電極保護管275は、棒状電極269,270,271のそれぞれをバッファ室237内の雰囲気と隔離した状態でバッファ室237内へ挿入できる構造となっている。電極保護管275の内部のO2濃度が外気(大気)のO2濃度と同程度であると、電極保護管275内へそれぞれ挿入された棒状電極269,270,271は、ヒータ207による熱で酸化されてしまう。このため、電極保護管275の内部にN2ガス等の不活性ガスを充填しておくか、不活性ガスパージ機構を用いて電極保護管275の内部をN2ガス等の不活性ガスでパージすることで、電極保護管275の内部のO2濃度を低減させ、棒状電極269,270,271の酸化を防止することができる。
(排気部)
反応管203には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231には、処理室201内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ245および排気バルブ(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ244を介して、真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されている。APCバルブ244は、真空ポンプ246を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室201内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ246を作動させた状態で、圧力センサ245により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室201内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管231、APCバルブ244、圧力センサ245により、排気系が構成される。真空ポンプ246を排気系に含めて考えてもよい。排気管231は、反応管203に設ける場合に限らず、ノズル249a,249bと同様にマニホールド209に設けてもよい。
マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ219は、例えばSUS等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。シールキャップ219の処理室201と反対側には、後述するボート217を回転させる回転機構267が設置されている。回転機構267の回転軸255は、シールキャップ219を貫通してボート217に接続されている。回転機構267は、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219は、反応管203の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ115によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ115は、シールキャップ219を昇降させることで、ボート217を処理室201内外に搬入および搬出することが可能なように構成されている。ボートエレベータ115は、ボート217すなわちウエハ200を、処理室201内外に搬送する搬送装置(搬送機構)として構成されている。また、マニホールド209の下方には、ボートエレベータ115によりシールキャップ219を降下させている間、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシャッタ219sが設けられている。シャッタ219sは、例えばSUS等の金属により構成され、円盤状に形成されている。シャッタ219sの上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220cが設けられている。シャッタ219sの開閉動作(昇降動作や回動動作等)は、シャッタ開閉機構115sにより制御される。
(基板支持具)
図1に示すように基板支持具としてのボート217は、1枚または複数枚、例えば25~200枚のウエハ200を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、所定の間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート217は、例えば石英やSiC等の耐熱性材料からなる。ボート217の下部には、例えば石英やSiC等の耐熱性材料からなる断熱板218が多段に支持されて断熱領域を形成している。
図2に示すように反応管203の内部には、温度検出器としての温度センサ263が設置されている。温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ207への通電具合を調整することで、処理室201内の温度を所望の温度分布とする。温度センサ263は、ノズル249a,249bと同様に反応管203の内壁に沿って設けられている。
(制御装置)
次に制御装置について図3を用いて説明する。図3に示すように、制御部(制御装置)であるコントローラ121は、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
記憶装置121cは、例えばフラッシュメモリ、HDD(Hard Disk Drive)等で構成されている。記憶装置121c内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する成膜処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する各種処理(成膜処理)における各手順をコントローラ121に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、プロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単に、レシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。RAM121bは、CPU121aによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域(ワークエリア)として構成されている。
I/Oポート121dは、上述のMFC241a~241d、バルブ243a~243d、圧力センサ245、APCバルブ244、真空ポンプ246、ヒータ207、温度センサ263、整合器272、高周波電源273、インピーダンス測定器274、回転機構267、ボートエレベータ115、シャッタ開閉機構115s等に接続されている。
CPU121aは、記憶装置121cから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置122からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置121cからレシピを読み出すように構成されている。CPU121aは、読み出したレシピの内容に沿うように、回転機構267の制御、MFC241a~241dによる各種ガスの流量調整動作、バルブ243a~243dの開閉動作、インピーダンス測定器274によるインピーダンス監視に基づく高周波電源273の調整動作、APCバルブ244の開閉動作および圧力センサ245に基づくAPCバルブ244による圧力調整動作、真空ポンプ246の起動および停止、温度センサ263に基づくヒータ207の温度調整動作、回転機構267によるボート217の正逆回転、回転角度および回転速度調節動作、ボートエレベータ115によるボート217の昇降動作等を制御するように構成されている。
コントローラ121は、外部記憶装置(例えば、ハードディスク等の磁気ディスク、CD等の光ディスク、MO等の光磁気ディスク、USBメモリ等の半導体メモリ)123に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置121cや外部記憶装置123は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置121c単体のみを含む場合、外部記憶装置123単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置123を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
(2)基板処理工程
次に、本実施形態の基板処理装置を使用して、半導体装置の製造工程の一工程として、基板処理方法であるウエハ200上に薄膜を形成する成膜工程(成膜処理)について、図4及び図5を参照しながら説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
ここでは、原料ガスとしてDCSガスを供給するステップと、反応ガスとしてプラズマ励起させたNH3ガスを供給するステップとを非同期に、すなわち同期させることなく所定回数(1回以上)行うことで、ウエハ200上に、SiおよびNを含む膜として、シリコン窒化膜(SiN膜)を形成する例について説明する。また、例えば、ウエハ200上には、予め所定の膜が形成されていてもよい。また、ウエハ200または所定の膜には予め所定のパターンが形成されていてもよい。
本明細書では、図5に示す成膜処理のプロセスフローを、便宜上、以下のように示すこともある。以下の他の実施形態の説明においても、同様の表記を用いることとする。
(DCS→NH3 *)×n ⇒ SiN
本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものを意味する場合や、ウエハとその表面に形成された所定の層や膜との積層体を意味する場合がある。本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものの表面を意味する場合や、ウエハ上に形成された所定の層等の表面を意味する場合がある。本明細書において「ウエハ上に所定の層を形成する」と記載した場合は、ウエハそのものの表面上に所定の層を直接形成することを意味する場合や、ウエハ上に形成されている層等の上に所定の層を形成することを意味する場合がある。本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
(搬入ステップ:S1)
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
(圧力・温度調整ステップ:S2)
処理室201の内部、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
(成膜ステップ:S3,S4,S5,S6)
その後、ステップS3,S4,S5,S6を順次実行することで成膜ステップを行う。
(原料ガス供給ステップ:S3,S4)
ステップS3では、処理室201内のウエハ200に対してDCSガスを供給する。
バルブ243aを開き、ガス供給管232a内へDCSガスを流す。DCSガスは、MFC241aにより流量調整され、ノズル249aを介してガス供給孔250aから処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき同時にバルブ243cを開き、ガス供給管232c内へN2ガスを流してもよい。N2ガスは、MFC241cにより流量調整され、DCSガスと一緒に処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。
また、ノズル249b内へのDCSガスの侵入を抑制するため、バルブ243dを開き、ガス供給管232d内へN2ガスを流してもよい。N2ガスは、ガス供給管232b、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。
MFC241aで制御するDCSガスの供給流量は、例えば1sccm以上、6000sccm以下、好ましくは2000sccm以上、3000sccm以下の範囲内の流量とする。MFC241c,241dで制御するN2ガスの供給流量は、それぞれ例えば100sccm以上、10000sccm以下の範囲内の流量とする。処理室201内の圧力は、例えば1Pa以上、2666Pa以下、好ましくは665Pa以上、1333Paの範囲内の圧力とする。DCSガスの供給時間は、例えば1秒以上、10秒以下、好ましくは1秒以上、3秒以下の範囲内の時間とする。
ヒータ207の温度は、ウエハ200の温度が、例えば0℃以上700℃以下、好ましくは室温(25℃)以上550℃以下、より好ましくは40℃以上500℃以下の範囲内の温度となるような温度に設定する。本実施形態のように、ウエハ200の温度を700℃以下、さらには550℃以下、さらには500℃以下とすることで、ウエハ200に加わる熱量を低減させることができ、ウエハ200が受ける熱履歴の制御を良好に行うことができる。
上述の条件下でウエハ200に対してDCSガスを供給することにより、ウエハ200(表面の下地膜)上に、Clを含むSi含有層が形成される。Clを含むSi含有層はClを含むSi層であってもよいし、DCSの吸着層であってもよいし、それらの両方を含んでいてもよい。以下、Clを含むSi含有層を、単にSi含有層とも称する。
Si含有層が形成された後、バルブ243aを閉じ、処理室201内へのDCSガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ244を開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはSi含有層の形成に寄与した後のDCSガスや反応副生成物等を処理室201内から排除する(S4)。また、バルブ243c,243dは開いたままとして、処理室201内へのN2ガスの供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用する。なお、このステップS4を省略してもよい。
原料ガスとしては、DCSガスのほか、テトラキスジメチルアミノシランガス、トリスジメチルアミノシランガス、ビスジメチルアミノシランガス、ビスジエチルアミノシランガス、ビスターシャリーブチルアミノシランガス、ジメチルアミノシランガス、ジエチルアミノシランガス、ジプロピルアミノシランガス、ジイソプロピルアミノシランガス、ブチルアミノシランガス、ヘキサメチルジシラザンガス等の各種アミノシラン原料ガスや、モノクロロシランガス、トリクロロシランガス、テトラクロロシランガス、ヘキサクロロジシランガス、オクタクロロトリシランガス等の無機系ハロシラン原料ガスや、モノシランガス、ジシランガス、トリシランガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを好適に用いることができる。
不活性ガスとしては、N2ガスの他、Arガス、Heガス、Neガス、Xeガス等の希ガスを用いることができる。
(反応ガス供給ステップ:S5,S6)
成膜処理が終了した後、処理室201内のウエハ200に対して反応ガスとしてのプラズマ励起させたNH3ガスを供給する(S5)。
このステップでは、バルブ243b~243dの開閉制御を、ステップS3におけるバルブ243a,243c,243dの開閉制御と同様の手順で行う。NH3ガスは、MFC241bにより流量調整され、ノズル249bを介してバッファ室237内へ供給される。このとき、棒状電極269,270,271間に高周波電力を供給する。バッファ室237内へ供給されたNH3ガスはプラズマ状態に励起され(プラズマ化されて活性化され)、活性種(NH3 *)として処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。
MFC241bで制御するNH3ガスの供給流量は、例えば100sccm以上、10000sccm以下、好ましくは1000sccm以上、2000sccm以下の範囲内の流量とする。棒状電極269,270,271に印加する高周波電力は、例えば50W以上、600W以下の範囲内の電力とする。処理室201内の圧力は、例えば1Pa以上、500Pa以下の範囲内の圧力とする。プラズマを用いることで、処理室201内の圧力をこのような比較的低い圧力帯としても、NH3ガスを活性化させることが可能となる。NH3ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種をウエハ200に対して供給する時間、すなわち、ガス供給時間(照射時間)は、例えば1秒以上、180秒以下、好ましくは1秒以上、60秒以下の範囲内の時間とする。その他の処理条件は、上述のS3と同様な処理条件とする。
上述の条件下でウエハ200に対してNH3ガスを供給することにより、ウエハ200上に形成されたSi含有層がプラズマ窒化される。この際、プラズマ励起されたNH3ガスのエネルギーにより、Si含有層が有するSi-Cl結合、Si-H結合が切断される。Siとの結合を切り離されたCl、Hは、Si含有層から脱離することとなる。そして、Cl等が脱離することで未結合手(ダングリングボンド)を有することとなったSi含有層中のSiが、NH3ガスに含まれるNと結合し、Si-N結合が形成されることとなる。この反応が進行することにより、Si含有層は、SiおよびNを含む層、すなわち、シリコン窒化層(SiN層)へと変化させられる(改質される)。
なお、Si含有層をSiN層へと改質させるには、NH3ガスをプラズマ励起させて供給する必要がある。NH3ガスをノンプラズマの雰囲気下で供給しても、上述の温度帯では、Si含有層を窒化させるのに必要なエネルギーが不足しており、Si含有層からClやHを充分に脱離させたり、Si含有層を充分に窒化させてSi-N結合を増加させたりすることは、困難なためである。
Si含有層をSiN層へ変化させた後、バルブ243bを閉じ、NH3ガスの供給を停止する。また、棒状電極269,270,271間への高周波電力の供給を停止する。そして、ステップS4と同様の処理手順、処理条件により、処理室201内に残留するNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する(S6)。なお、このステップS6を省略してもよい。
窒化剤、すなわち、プラズマ励起させるNH3含有ガスとしては、NH3ガスの他、ジアゼン(N22)ガス、ヒドラジン(N24)ガス、N38ガス等を用いてもよい。
不活性ガスとしては、N2ガスの他、例えば、ステップS4で例示した各種希ガスを用いることができる。
(所定回数実施:S7)
上述したS3,S4,S5,S6をこの順番に沿って非同時に、すなわち、同期させることなく行うことを1サイクルとし、このサイクルを所定回数(n回)、すなわち、1回以上行う(S7)ことにより、ウエハ200上に、所定組成および所定膜厚のSiN膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すことが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成されるSiN層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、SiN層を積層することで形成されるSiN膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すことが好ましい。
(大気圧復帰ステップ:S8)
上述の成膜処理が完了したら、ガス供給管232c,232dのそれぞれから不活性ガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガス等が処理室201内から除去される(不活性ガスパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(S8)。
(搬出ステップ:S9)
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される(S9)。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出されることとなる(ウエハディスチャージ)。
(3)プラズマ異常判定
上述した成膜処理やエッチング処理などでは、反応ガスをプラズマ化させた活性種(イオンやラジカル)を用いて、特に基板表面での化学反応を促成させて、緻密な膜の形成や除去を行っているが、繰り返し処理を行なうことにより、プラズマ電極(本実施形態では棒状電極)の劣化や周辺の環境の影響を受けて、プラズマ特性が変化し、成膜特性やエッチング特性が安定しない場合がある。
本実施形態においては、基板処理装置におけるプラズマの状態を光学的にモニタリングするために、上述した基板処理装置を使用して、上述した半導体装置の製造工程の一工程として上述の成膜処理やエッチング処理などの基板処理を所定回数実施した後に、処理室201内へウエハを保持していない空のボート217を搬入し、処理室201内に配置可能に構成される後述するプラズマモニタ10を処理室201内に設置し、上述した基板処理工程の反応ガス供給ステップS5を行って、プラズマ化したガスを供給するガス供給口302,304を撮像してプラズマの発光強度をモニタリングして記録する。そして、撮像した画像を分析して、プラズマの異常放電とちらつきとを区別して判定する。
処理室201内には、図6に示すように、反応管203の下部より上部にわたり細長い構造を有するシールキャップ219、またはシャッタ219sに取り付けおよび取り外しが可能(着脱可能)なプラズマモニタ10が挿入される。
プラズマモニタ10は、バッファ構造300の円弧状に形成された壁面に形成されたガス供給口302,304を撮像可能な位置に配設される。また、プラズマモニタ10は、バッファ室237内に設置された棒状電極269~271と略平行に配設されている。
プラズマモニタ10は、プラズマの発光強度を撮像する撮像装置としての内視鏡カメラ12と、チューブ状の保護管14で構成されている。保護管14は、例えば石英部材で構成されている。また、内視鏡カメラ12は、保護管14内を上下方向と回転方向に移動可能に構成されている。
また、内視鏡カメラ12は、ケーブルを介して反応管203の外部に設置された受像装置16、または、受像装置16を介したコントローラ121に接続されている。また、内視鏡カメラ12には、レンズ18が装着されている。また、内視鏡カメラ12の周囲は、図7に示すように、例えば金属メッシュや金属箔等のノイズ除去部材としての金属網20で覆われて保護されている。内視鏡カメラ12は、プラズマ発生源である高周波電源273からの影響を受けると、ノイズを多く受け取ってしまう。このように金属網20で内視鏡カメラ12を覆うことにより、高周波電源273から発生する電磁波を遮蔽して電気的なノイズを除去している。金属網20には、撮像位置であるレンズ18を遮らないように開口部が形成され、内視鏡カメラ12は、金属網20に周囲を覆われた状態で保護管14の内側に配置されている。なお、金属網20は、プラズマからのノイズを除去することができれば網状であることに限らず、板状や円筒状など、どのような形状であっても良い。
つまり、内視鏡カメラ12は、保護管14内で上下方向・回転方向に移動自在であって、内視鏡カメラ12のレンズ18がガス供給口302,304に対して任意の回転角度を維持した状態で、ガス供給口302,304の下部から上部にわたる全域を一定の速度で垂直方向に移動して撮像し、画像データを取得するよう構成されている。
図8は、プラズマ異常判定を行う場合のコントローラの制御系を示すブロック図である。制御手段(制御部)としてのコントローラ121は、検出手段(検出部)としての検出論理回路22と、判定手段(判定部)としての判定論理回路24とを備えている。検出論理回路22は、内視鏡カメラ12により撮像されたガス供給口302,304周辺の画像データに基づいて、プラズマの発光強度を検出する。判定論理回路24は、検出論理回路22により検出された発光強度に基づいて、プラズマの異常放電の発生の有無とちらつきの発生の有無の少なくとも一方を判定する。
具体的には、トリミング加工した画像データに基づいて、プラズマの発光強度を予め記憶装置121cまたは外部記憶装置123に記憶されている論理回路であって、RAM121bに読みだされ、CPU121aで演算される検出論理回路22によって検出し、検出された発光強度が閾値以上か否かを予め記憶装置121cまたは外部記憶装置123に記憶されている論理回路であって、RAM121bに読みだされ、CPU121aで演算される判定論理回路24によって判定する。
そして、判定論理回路24は、検出論理回路22により検出された発光強度が閾値以上である場合には、異常放電が発生していると判定する。また、判定論理回路24は、検出論理回路22により検出された発光強度が閾値より小さい場合には、検出された発光強度の最大値と最小値との間に予め設定された範囲以上あって、例えば±10%以上の差があるか否かを判定する。そして、判定論理回路24は、検出された発光強度の最大値と最小値との間に±10%以上の差があると判定された場合には、ちらつきが発生していると判定し、±10%以上の差がないと判定された場合には、正常であると判定する。そして、正常である(異常放電及びちらつきの発生がない)と判定された場合には、ウエハを保持したボート217を処理室201内に搬入し、上述した成膜処理等の基板処理工程を行う。
図9は、プラズマ異常判定を行う動作を示すフローチャートを示す図である。なお、プラズマ異常判定を行う動作は後述する動作を含め、基板処理動作と同様に主に制御部としてのコントローラ121によって制御される。
まず、図6及び図7に示すように、処理室201内に内視鏡カメラ12を内蔵したプラズマモニタ10を挿入する(ステップS10)。
そして、上述した基板処理工程の反応ガス供給ステップS5と同様の制御を行ってプラズマを生成し、プラズマモニタ10により、内視鏡カメラ12のレンズ18がガス供給口302,304に対して任意の回転角度を維持した状態で、ガス供給口302,304の下部から上部にわたる全域を一定の速度で垂直方向に移動させて撮像する。内視鏡カメラ12で取得された信号は、画像データとして受像装置16に送信されて、プラズマの発光状態を動画として保存する(ステップS11)。
そして、画像データのプラズマが強く発生している領域をトリミング加工する(ステップS12)。これにより、ノイズ成分と発光強度の信号成分の比であるS/N比(Signal-Noise ratio、信号対雑音比)が向上される。
そして、トリミング加工した画像データに基づいて、プラズマの発光強度を検出論理回路22によって検出し(ステップS13)、検出された発光強度が閾値以上か否かを判定論理回路24によって判定する(ステップS14)。
検出された発光強度が閾値以上である場合には(ステップS14においてYes)、異常放電が発生していると判定論理回路24によって判定する(ステップS15)。
そして、異常放電が発生していると判定された場合には、周波数を高周波化したり、反応管203の交換等を行う。
一方、検出された発光強度が閾値より小さい場合には(ステップS14においてNo)、検出された発光強度の最大値と最小値との間に予め設定された範囲以上あって、例えば±10%以上の差があるか否かを判定論理回路24によって判定する(ステップS16)。
そして、検出された発光強度の最大値と最小値との間に±10%以上の差があると判定された場合には(ステップS16においてYes)、ちらつきが発生していると判定論理回路24によって判定する(ステップS17)。
そして、ちらつきが発生していると判定された場合には、周波数を制御したり、棒状電極269~271の交換等を行う。
そして、検出された発光強度の最大値と最小値との間に±10%以上の差がないと判定された場合には(ステップS16においてNo)、正常であると判定論理回路24によって判定し(ステップS18)、ウエハを保持したボート217を処理室201内に搬入し、上述した成膜処理等の基板処理工程を行う。
(4)実施例
次に、実施例について詳述する。
本実施例では、上述した基板処理装置を用いて基板処理工程の反応ガス供給ステップS5において、処理室201の温度を室温、処理室201内の圧力を66Pa、高周波電源273の周波数fを13.56MHzにして、長さ0.6m、直径12mm程度の直流抵抗1Ω未満の棒状電極269,270,271を用いてNH3ガスのCCP(Capacitively Coupled Plasma)モードのプラズマを生成してバッファ室237内へ供給し、ガス供給口302,304をプラズマモニタ10を用いて撮像した。
本実施例では、プラズマモニタ10の内視鏡カメラ12の回転角をガス供給口302,304に向けて固定し、保護管14内を下部から上部に一定の速度で移動させて動画(1分あたり30フレーム)を取得した。
図10(A)及び図10(B)において、破線枠は、トリミング加工する領域を示している。つまり、本実施例では、各フレーム画像のプラズマが強く発生している領域をトリミング加工して、発光強度のS/N比を向上させて判定している。
図10(B)に示されているように、プラズマが異常な状態では、図10(A)に示されているプラズマが正常な状態と比較して、強力な発光が局所的に複数個所で発生しているのが分かる。反応管203の損耗や劣化が原因でガス供給口302,304の形状が変化し、その形状が変化したガス供給口302,304で異常放電が発生するような場合にこのような状態となる。
図11(A)は、図10(A)のプラズマが正常な状態と図10(B)のプラズマが異常の場合におけるガス供給口302,304の下部から上部におけるプラズマの発光強度の分布を示す図であって、取得した画像にトリミング加工をしないで発光強度を検出した例を示す図である。図11(B)は、トリミング加工した領域の発光強度を10フレーム毎に平均化してプロットした場合を示す図であって、図11(C)は、トリミング加工した領域の発光強度を10フレーム毎に最大値及び最小値をプロットした場合を示す図である。
つまり、図11(A)に示されているように、取得した画像にトリミング加工がされていない場合には、ノイズレベルの分布となり、プラズマの異常が発生しているか否かの判断が難しい。一方、図11(B)及び図11(C)に示されているように、取得した画像にトリミング加工がされている場合には、S/N比が向上し、プラズマに異常がある場合にプラズマの発光強度にメリハリがつく。
そして、図11(B)及び図11(C)に示されているように、プラズマの発光強度が閾値以上である場合に、このピーク位置が異常放電の発生箇所であると判定する。また、図11(C)に示すように、フレーム毎に発光強度の最大値と最小値をプロットした場合に、最大プロットと最小プロットの差が例えば±10%以上である場合はちらつきが生じていると判定する。
つまり、図11(C)に示されているように、最大値と最小値のプロット曲線に大きな差が表れている箇所は、ちらつきを伴っていることを意味している。
なお、上述したコントローラ121は、プラズマの生成やプラズマの異常判定を制御するプラズマ制御装置としても機能する。すなわち、コントローラ121は、プラズマモニタ10に内蔵された内視鏡カメラ12により撮像されたプラズマの発光強度をモニタし、コンピュータのアルゴリズム処理でも正常・異常の判定を行うことができる。
そして、正常と判定できる場合には、プラズマの発光強度が数値化されているため、活性種の生成量を表わす指数として管理し、高周波電源の電力や周波数等を調整することで、活性種の生成量、言い換えるとプラズマ特性を維持することができる。
(5)本実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
(a)本実施形態によれば、プラズマの異常を高精度に判定することが可能となる。
(b)また、本実施形態によれば、プラズマの異常放電とちらつきとを区別して判定することができ、それぞれに対応した措置をとることができる。
(c)また、本実施形態によれば、電極や、その周辺の環境が変更されても、画像データに基づいて高周波電源の電力値や周波数値を調整することで、プラズマ特性を維持し、成膜特性やエッチング特性を安定化させることが可能となる。
(d)また、本実施形態によれば、プラズマ特性を維持することにより、成膜特性やエッチング特性を安定化させ、ウエハ処理に対する生産性や安定性を向上させることが可能となる。
以上、本発明の実施形態について具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、プラズマモニタ10の配設位置(挿入位置)を図6及び図7に示したが、これに限らず、対象の全体を撮影することが可能であって、空間的に余裕がある、内視鏡カメラ12の焦点が対象に合わせられる、反応管203やボート217等の他の部材に接触しない等の条件を満たせばどこに配設してもよい。
また、上述の実施形態では、上述した成膜処理やエッチング処理を所定回数実施した後に、処理室201内へ空のボート217を搬入してプラズマの異常判定を行う構成について説明したが、本発明はこのような態様に限定されず、ウエハを保持した状態のボートを搬入した状態でプラズマの異常判定を行うようにしてもよいし、装置を立ち上げる際のセッティング時に異常判定を行うようにしてもよい。
また、上述の実施形態では、1つのバッファ構造を設けた場合について説明した。本発明はこのような態様に限定されず、2つ以上のバッファ構造を設けた場合にも適用される。2つ以上のバッファ構造において、ちらつきが発生していると判定された場合には、2台の高周波電源間でトリガー信号を同期させて改善することもできる。
また、上述の実施形態では、原料を供給した後に反応ガスを供給する例について説明した。本発明はこのような態様に限定されず、原料、反応ガスの供給順序は逆でもよい。すなわち、反応ガスを供給した後に原料を供給するようにしてもよい。供給順序を変えることにより、形成される膜の膜質や組成比を変化させることが可能となる。
また、上述の実施形態では、成膜処理を所定回数実施した後に、プラズマの異常判定を行う例について説明した。本発明はこのような態様に限定されず、エッチング処理を所定回数実施した後に、プラズマ異常判定を行うなど、他のプラズマを用いる基板処理に対しても適用される。これにより、プラズマ特性を維持し、エッチング特性を安定化させることができる。
また、成膜処理やエッチング処理に用いられるレシピは、処理内容に応じて個別に用意し、電気通信回線や外部記憶装置123を介して記憶装置121c内に格納しておくことが好ましい。そして、各種処理を開始する際、CPU121aが、記憶装置121c内に格納された複数のレシピの中から、処理内容に応じて適正なレシピを適宜選択することが好ましい。これにより、1台の基板処理装置で様々な膜種、組成比、膜質、膜厚の薄膜を汎用的に、かつ、再現性よく形成することができるようになる。また、オペレータの負担を低減でき、操作ミスを回避しつつ、各種処理を迅速に開始できるようになる。
また、上述のレシピは、新たに作成する場合に限らず、例えば、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを変更することで用意してもよい。レシピを変更する場合は、変更後のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体を介して、基板処理装置にインストールしてもよい。また、既存の基板処理装置が備える入出力装置122を操作し、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを直接変更するようにしてもよい。
また、上述の実施形態では、基板処理装置について説明したが、半導体製造装置全般に適用することができる。
10 プラズマモニタ
12 内視鏡カメラ(撮像装置)
16 受像装置
18 レンズ
200 ウエハ
201 処理室

Claims (17)

  1. 基板を処理する処理室と、
    複数枚の前記基板を垂直方向に多段に支持する基板支持具と、
    プラズマ化されたガスを前記処理室内に供給するガス供給口が形成されたプラズマ生成部と、
    前記処理室内に着脱可能であって、カメラと保護管で構成され、前記ガス供給口を撮像する撮像装置と、
    前記基板を支持していない前記基板支持具を前記処理室内に搬入し、前記撮像装置により撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマのちらつきの発生の有無を判定する制御部と、
    を有する基板処理装置。
  2. 前記制御部は、前記画像に基づいて、プラズマの発光強度を検出する検出部と、前記検出部により検出された発光強度に基づいて、プラズマのちらつきの発生の有無を判定する判定部を備える請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記判定部は、前記検出部により検出された発光強度が閾値より小さく、前記発光強度の最大値と最小値との間に予め設定された範囲以上の差がある場合に、プラズマのちらつきが発生していると判定する請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 前記ガス供給口は、前記垂直方向に複数設けられる請求項に記載の基板処理装置。
  5. 前記保護管は前記垂直方向に設けられ、前記カメラは前記保護管内を前記垂直方向に移動して前記ガス供給口を撮像する請求項に記載の基板処理装置。
  6. 前記撮像装置は前記処理室内に配置され、前記撮像装置の周囲はノイズ除去部材で覆われている請求項1に記載の基板処理装置。
  7. 前記ノイズ除去部材は金属網であって、前記カメラを覆っている請求項に記載の基板処理装置。
  8. 前記プラズマ生成部は、プラズマを生成するバッファ室を形成し、前記バッファ室内に供給されプラズマ化されたガスを前記処理室内に供給するガス供給口が形成されたバッファ構造を備える請求項1に記載の基板処理装置。
  9. 前記バッファ構造内に、プラズマを生成する複数の電極が配置される請求項に記載の基板処理装置。
  10. 前記複数の電極は、垂直方向に設けられる棒状電極である請求項に記載の基板処理装置。
  11. 基板を処理する処理室と、
    複数枚の前記基板を垂直方向に多段に支持する基板支持具と、
    プラズマを生成するバッファ室を形成し、前記バッファ室内に供給されプラズマ化されたガスを前記処理室内に供給するガス供給口が形成されたバッファ構造と、
    前記処理室内に着脱可能であって、カメラと保護管で構成され、前記ガス供給口を撮像する撮像装置と、
    前記基板を支持していない前記基板支持具を前記処理室内に搬入し、前記撮像装置により撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマの異常放電の発生の有無とちらつきの発生の有無の少なくとも一方を判定する制御部と、
    を有する基板処理装置。
  12. 前記制御部は、前記画像に基づいて、プラズマの発光強度を検出する検出部と、前記検出部により検出された発光強度に基づいて、プラズマの異常放電の発生の有無とちらつきの発生の有無を判定する判定部を備える請求項11に記載の基板処理装置。
  13. 基板を処理する処理室と、複数枚の前記基板を垂直方向に多段に支持する基板支持具と、プラズマを生成するバッファ室を形成し、前記バッファ室内に供給されプラズマ化されたガスを前記処理室内に供給するガス供給口が形成されたバッファ構造と、前記処理室内に着脱可能であって、カメラと保護管で構成され、前記ガス供給口を撮像する撮像装置と、前記基板を支持していない前記基板支持具を前記処理室内に搬入し、前記撮像装置により撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマの異常放電の発生の有無とちらつきの発生の有無の少なくとも一方を判定する制御部と、を有する基板処理装置の前記ガス供給口を介して、プラズマ化されたガスを供給し、
    前記ガス供給口を撮像し、
    撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマの異常放電の発生の有無とちらつきの発生の有無の少なくとも一方を判定する
    プラズマ異常判定方法。
  14. 基板を処理する処理室と、複数枚の前記基板を垂直方向に多段に支持する基板支持具と、プラズマ化されたガスを前記処理室内に供給するガス供給口が形成されたプラズマ生成部と、前記処理室内に着脱可能であって、カメラと保護管で構成され、前記ガス供給口を撮像する撮像装置と、前記基板を支持していない前記基板支持具を前記処理室内に搬入し、前記撮像装置により撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマのちらつきの発生を判定する制御部と、を有する基板処理装置の前記処理室内に前記ガス供給口からプラズマ化されたガスを供給する工程と、
    前記プラズマ化されたガスを前記基板に供給して前記基板を処理する工程と、
    前記基板を支持していない前記基板支持具を前記処理室内に搬入し、前記ガス供給口を撮像する工程と、
    撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマのちらつきの発生の有無を判定する工程と、
    を備えた半導体装置の製造方法。
  15. 基板を処理する処理室と、複数枚の前記基板を垂直方向に多段に支持する基板支持具と、プラズマを生成するバッファ室を形成し、前記バッファ室内に供給されプラズマ化されたガスを前記処理室内に供給するガス供給口が形成されたバッファ構造と、前記処理室内に着脱可能であって、カメラと保護管で構成され、前記ガス供給口を撮像する撮像装置と、前記基板を支持していない前記基板支持具を前記処理室内に搬入し、前記撮像装置により撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマの異常放電の発生の有無とちらつきの発生の有無の少なくとも一方を判定する制御部と、を有する基板処理装置の前記ガス供給口を介して、プラズマ化されたガスを供給する工程と、
    前記プラズマ化されたガスを前記基板に供給して前記基板を処理する工程と、
    前記基板を支持していない前記基板支持具を前記処理室内に搬入し、前記ガス供給口を撮像する工程と、
    撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマの異常放電の発生の有無とちらつきの発生の有無の少なくとも一方を判定する工程と、
    を備えた半導体装置の製造方法。
  16. 基板を処理する処理室と、複数枚の前記基板を垂直方向に多段に支持する基板支持具と、プラズマ化されたガスを前記処理室内に供給するガス供給口が形成されたプラズマ生成部と、前記処理室内に着脱可能であって、カメラと保護管で構成され、前記ガス供給口を撮像する撮像装置と、前記基板を支持していない前記基板支持具を前記処理室内に搬入し、前記撮像装置により撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマのちらつきの発生を判定する制御部と、を有する基板処理装置の前記処理室内に前記ガス供給口からプラズマ化されたガスを供給する手順と、
    前記プラズマ化されたガスを前記基板に供給して前記基板を処理する手順と、
    前記基板を支持していない前記基板支持具を前記処理室内に搬入し、前記ガス供給口を撮像する手順と、
    撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマのちらつきの発生の有無を判定する手順と、
    をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
  17. 基板を処理する処理室と、複数枚の前記基板を垂直方向に多段に支持する基板支持具と、プラズマを生成するバッファ室を形成し、前記バッファ室内に供給されプラズマ化されたガスを前記処理室内に供給するガス供給口が形成されたバッファ構造と、前記処理室内に着脱可能であって、カメラと保護管で構成され、前記ガス供給口を撮像する撮像装置と、前記基板を支持していない前記基板支持具を前記処理室内に搬入し、前記撮像装置により撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマの異常放電の発生の有無とちらつきの発生の有無の少なくとも一方を判定する制御部と、を有する基板処理装置の前記ガス供給口を介して、プラズマ化されたガスを供給する手順と、
    前記プラズマ化されたガスを前記基板に供給して前記基板を処理する手順と、
    前記基板を支持していない前記基板支持具を前記処理室内に搬入し、前記ガス供給口を撮像する手順と、
    撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマの異常放電の発生の有無とちらつきの発生の有無の少なくとも一方を判定する手順と、
    をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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