JP5978141B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態に従ったエッチング装置10の構成を示す概略図である。 エッチング装置10は、チャンバ20と、ガス導入管30と、静電チャック40と、下部電極50と、上部電極60と、ローカル光センサ70a〜70cと、全体光センサ70dと、コントローラ80とを備えている。
ステップS40〜S50において、全体光センサ70dを用いることなく、各ローカル光センサ70a〜70cのそれぞれの位置におけるプラズマPの発光強度の時間的な変化をモニタしてもよい。
図3は、第2の実施形態によるエッチング装置10を用いたエッチング方法を示すフロー図である。尚、第2の実施形態によるエッチング装置の構成は、図1に示すエッチング装置10の構成と同様でよい。
Claims (4)
- 半導体基板を処理するプラズマの或る1つまたは複数の波長の発光強度を、該半導体基板の面内の複数の位置に対応するように該半導体基板の上方から検出する複数のローカル光センサと、
前記プラズマの発光強度に応じた発光データを前記複数のローカル光センサから連続的または断続的に受け取り、複数の位置のうち第1の位置における発光データの時間的変化と第2の位置における発光データの時間的変化との差に基づいて異常放電を判断する演算処理部とを備えた半導体製造装置。 - 前記プラズマ全体の発光強度を検出する全体光センサをさらに備え、
前記演算処理部は、前記プラズマの発光強度に応じた発光データを前記全体光センサから連続的または断続的に受け取り、発光データの時間的変化に基づいて異常放電を判断することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 正常な前記プラズマの発光強度に応じた発光データの正常波形を予め記憶するメモリをさらに備え、
前記演算処理部は、前記ローカル光センサまたは前記全体光センサから得た実際のプラズマの発光強度に応じた発光データの実波形と前記正常波形との差に基づいて異常放電を判断することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体製造装置。 - 半導体基板の面内の複数の位置に対応するように該半導体基板の上方に配置された複数のローカル光センサと、前記複数のローカル光センサからデータを受け取る演算処理部とを備えた半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板を処理するプラズマの或る1つまたは複数の波長の発光強度を前記複数のローカル光センサにおいて検出し、
前記演算処理部が前記プラズマの発光強度に応じた発光データを前記複数のローカル光センサから連続的または断続的に受け取り、複数の位置のうち第1の位置における発光データの時間的変化と第2の位置における発光データの時間的変化との差に基づいて異常放電を判断することを具備した半導体装置の製造方法。
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