JP2019033165A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理システム - Google Patents

プラズマ処理装置及びプラズマ処理システム Download PDF

Info

Publication number
JP2019033165A
JP2019033165A JP2017152921A JP2017152921A JP2019033165A JP 2019033165 A JP2019033165 A JP 2019033165A JP 2017152921 A JP2017152921 A JP 2017152921A JP 2017152921 A JP2017152921 A JP 2017152921A JP 2019033165 A JP2019033165 A JP 2019033165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma processing
unit
processing
result
prediction model
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017152921A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019033165A5 (ja
JP6875224B2 (ja
Inventor
涼次 朝倉
Ryoji Asakura
涼次 朝倉
祥太 梅田
Shota Umeda
祥太 梅田
白石 大輔
Daisuke Shiraishi
大輔 白石
鹿子嶋 昭
Akira Kagoshima
昭 鹿子嶋
智己 井上
Tomomi Inoue
智己 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2017152921A priority Critical patent/JP6875224B2/ja
Priority to KR1020170180655A priority patent/KR102045241B1/ko
Priority to TW107100014A priority patent/TWI683340B/zh
Priority to US15/892,041 priority patent/US10872750B2/en
Publication of JP2019033165A publication Critical patent/JP2019033165A/ja
Priority to US16/950,179 priority patent/US12014909B2/en
Publication of JP2019033165A5 publication Critical patent/JP2019033165A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6875224B2 publication Critical patent/JP6875224B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32926Software, data control or modelling
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum
    • G01J3/443Emission spectrometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334Etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

【課題】プラズマ処理装置の状態の変化に追随して処理結果指標を高精度で予測する。【解決手段】試料をプラズマ処理するプラズマ処理部11と、プラズマ処理を制御する制御部13とを備え、制御部13は、プラズマ処理部11の状態に基づいてプラズマ処理の結果を予測する複数の予測モデルの中から一つを選択し、選択された予測モデルを用いてプラズマ処理の結果を予測する。【選択図】図1

Description

本発明は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理システムに関する。
プラズマ処理装置では、半導体ウェハ上に形成される半導体装置などの微細形状を得るために、物質を電離した状態(プラズマ状態)にし、その物質の作用(ウェハ表面における反応)によりウェハ上の物質を取り去るプラズマ処理が行われる。
ここで、半導体装置の微細形状の幅や深さなどの寸法や、プラズマ処理装置が微細形状を加工する際の加工速度(エッチレート)を処理結果指標と呼ぶ。
プラズマ処理装置では、同一のプラズマ処理条件で処理を行っても様々な外乱やプラズマ状態の経時変化により同一の処理結果指標を得ることは困難になっている。そのため、処理結果指標を安定化させるために、プラズマ処理装置には、エッチング中に計測された装置のモニタデータを用いて処理結果指標を予測し、予測した結果に基づいてプラズマ処理条件を変更する制御技術が適用されている。モニタデータには、プラズマ処理中のプラズマの発光や半導体ウェハ表面の反射光などを分光器で計測したデータ(以下、分光データと呼ぶ)が用いられる。
このような分光データを用いて処理結果指標を予測して制御する方法は、例えば、特許文献1に記載されている。特許文献1では、分光データの多数の波長の中から加工寸法の予測に適した波長を選択して予測及び制御を行っている。
特開2016−25145号公報
特許文献1では、分光データと処理結果指標との間に相関関係があることを活用し、分光データを入力とした単一の関数である予測モデルを用いて処理結果指標を予測している。
しかし、特許文献1では、単一の予測モデルを用いているため、プラズマ処理装置の状態の変化により分光データと処理結果指標の間の相関関係が変化した場合には、その変化に追随できず予測精度が低下してしまう。
本発明の目的は、プラズマ処理装置の状態の変化に追随して処理結果指標を高精度で予測することにある。
本発明の一態様のプラズマ処理装置は、試料をプラズマ処理するプラズマ処理部と、前記プラズマ処理を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記プラズマ処理部の状態に基づいて前記プラズマ処理の結果を予測する複数の予測モデルの中から一つを選択し、前記選択された予測モデルを用いて前記プラズマ処理の結果を予測することを特徴とする。
本発明の一態様のプラズマ処理システムは、試料をプラズマ処理するプラズマ処理部と、前記プラズマ処理を制御する制御部と、前記プラズマ処理部の状態を示す管理値を保持する装置状態管理部を有する処理部とを備え、前記プラズマ処理部と前記処理部とがネットワークを介して接続され、前記制御部は、前記管理値の閾値に基づいて前記プラズマ処理の結果を予測する複数の予測モデルの中から一つを選択し、前記選択された予測モデルを用いて前記プラズマ処理の結果を予測することを特徴とする。
本発明の一態様によれば、プラズマ処理装置の状態の変化に追随して処理結果指標を高精度で予測することができる。
実施例のプラズマ処理装置の概略の構成を示すブロック図である。 プラズマ処理装置の処理部の概略の構成を示すブロック図である。 制御部の予測及び制御処理を説明する構成図である。 予測モデル記憶領域の例を示す表である。 データ解析装置の解析処理を示すフロー図である。 処理履歴記憶領域の例を示すテーブルを示す図である。 評価結果記憶領域の例を示すテーブルを示す図である。 予測モデルを切換える予測及び制御処理の設定を入力する画面を示す図である。 予測モデルを切換える予測及び制御処理の結果を表示する画面の例を示す図である。 データ解析装置の解析処理の入力画面を示す図である。 データ解析装置の解析処理の出力画面を示す図である。 解析処理の解析例を示す図である。 解析処理の解析例を示す図である。 解析処理の解析例を示す図である。 解析処理の解析例を示す図である。 予測モデルの例を示す図である。 他の実施例の予測及び制御処理を説明する構成図である。 他の実施例のプラズマ処理システムの概略の構成を示すブロック図である。 分光器で計測された分光データの例を示す図である。
以下、図面を用いて、実施例について説明する。
[プラズマ処理装置]
図1を参照して、プラズマ処理装置1の構成について説明する。
図1に示すように、プラズマ処理装置1は、処理部10と解析部20と入力部30と出力部31と通信インタフェース部(通信IF部)32と処理結果取得部33を有し、これらはバス34を介して相互に接続されている。
処理部10は、プラズマ処理部11と分光器12と制御部13と装置状態管理部14と記憶部14とインタフェース部(IF部)110とを有する。プラズマ処理部11はプラズマを発生させてウェハ(試料)を加工し、分光器12はプラズマ処理が行われる間にプラズマの発光データや、ウェハ表面又はプラズマ処理部11の内壁面での反射光である分光データを取得する。分光データはIF部24を介して解析部20の有する記憶部22に格納される。
制御部13は、プラズマ処理部11での処理を制御する。制御部13は、後述の予測モデルを用いてプラズマ処理の処理結果指標を予測し、プラズマ処理条件を調整する予測及び制御処理(APC:Advanced Process Control)を行う。記憶部15の予測モデル記憶領域16には、予測モデルを特定する情報が格納される。
解析部20は、予測モデルの切換えに用いる装置状態管理項目とその判定基準を特定する処理を行う。解析部20は、データを解析する演算部21と、記憶部22、インタフェース部(IF部)210を有する。
記憶部22は、過去のプラズマ処理の結果を示す処理履歴記憶領域23と、解析処理の結果を示す解析結果記憶領域23を有する。
演算部21は、処理履歴記憶領域23を用いて装置状態管理項目とその判定基準を決定する解析処理を行う。演算部21の行う解析処理の詳細については、後述する。
入力部30は、ユーザ操作による情報入力を受け付ける例えばマウスやキーボード等である。出力部31は、ユーザに対して情報を出力するディスプレイやプリンタ等である。通信IF部32は、バス34や外部ネットワーク等を介して他の装置やシステム(既存の生産管理システム等とも接続可能である)と接続し情報送受信を行うためのインタフェースである。
バス34は、各部(10、20、30、31、32、33)を連結する。各部のIF部(110、210)は、バス34を介して情報送受信を行うためのインタフェースである。処理結果取得部33は、処理結果指標を計測する検査装置等から処理結果指標を取得するインタフェースである。なお、解析部20を解析装置として独立させて、プラズマ処理部10を有するプラズマ処理装置にIF部210を介して接続される形態としても良い。
[プラズマ処理部]
処理部10は、プラズマ処理部11と分光器12と制御部13と記憶部14とIF部110とを備えている。プラズマ処理部11は、図2に示すように、真空排気手段(図示せず)で内部を真空に排気されるチャンバ111と、電源(図示せず)により高周波電力が印加されて真空に排気されたチャンバ111の内部にプラズマを発生させる1対の電極112a及び112bと、チャンバ111の内部を外側から観察する窓115と、真空に排気されたチャンバ111の内部にウェハ(試料)114をプラズマ処理するためのプラズマ処理ガスを供給するガス供給器117とを備えている。なお、ガス供給部117は、複数の種類のガス(CF4、CHF3、Ar等)をそれぞれ供給することが可能となっている。
このような構成において、制御部13からの指示によってプラズマ処理部11は、ウェハ114をチャンバ111の内部に格納してチャンバ111の内部を排気手段で真空に排気した状態で、ガス供給器117からプラズマ処理ガスを供給し、電源により電極112a及び112bに高周波電力を印加する。これにより、電極112aと112bとの間でプラズマ処理ガスをプラズマ化させる。プラズマ化したガス113をウェハ114に化学的及び物理的に反応させることでウェハ114を加工する。
プラズマ化したガス113は、ガス供給器117から供給されたプラズマ処理ガスに含まれるエレメントやウェハ114から加工の過程で発生したエレメントを含んでおり、プラズマ化したガス113に含まれているエレメントに応じた波長の光116を発生させる。発生した光116は窓115を通して分光器12にて計測され、IF部110を介して解析部20の記憶部22の処理履歴記憶領域23に記憶される。なお、外部光源(図示せず)を用いてチャンバ111の壁面やウェハ114に光を照射し、分光器12でその反射光や透過光を計測するようにしても良い。この場合は、プラズマ処理をされたウェハ114やチャンバ111の壁面の状態に応じた分光データが得られる。
制御部13は、プラズマ処理部11への指示に加えて、分光器12で計測された分光データを入力としてプラズマ処理条件を変更する処理を行う。
装置状態管理部14は、プラズマ処理部11の状態として、クリーニングからのプラズマ処理の回数(例えば、ウェハ114の処理回数)や、プラズマ処理部11の待機時間を測定又は保持する。ここで、装置状態管理部14による装置状態管理とは、例えば、プラズマ処理部11の状態を管理することである。これらのデータの値は、予測及び制御処理に利用されるだけでなく、IF部110を介して解析部20の記憶部22の処理履歴記憶領域23に記憶される。
記憶部15は、処理結果指標の予測値を算出するための予測モデルと、予測モデルを切換えに用いる装置状態管理項目と判定基準が記憶される。これらの情報は、予測モデル記憶領域16に記憶される。
図4を参照して、予測モデル記憶領域16の例について説明する。
図4に示すように、予測モデル記憶領域16は、予測モデル切換テーブル16−1aと予測モデルテーブル16−2aで構成される。予測モデル切換テーブル16−1aには、予測モデルを切換えに用いる装置状態管理項目(装置状態管理項目欄16−1b)と判定基準(判定基準欄16−1c)と、それぞれの判定基準に合致する場合に利用される予測モデルのID(予測モデルID欄16−1d)が格納される。
予測モデルテーブル16−2aには、予測モデルのID(予測モデルID欄16−2b)と、その予測モデルに用いる分光データの波長(波長欄16−2c)と、分光データから処理結果指標を計算するための計算式(計算式欄16−2d)が格納される。計算式は、波長16−2cにおける分光データの発光強度の平均値を入力として、処理結果指標を算出する形式である。以降では、分光データの発光強度の平均値を分光モニタ値と呼ぶ。
ここで、図16に、分光器12で計測された分光データの例を示す。分光データは、各波長について計測された発光強度の値を表している。
プラズマ処理の終了後には、処理されたウェハ114はチャンバ111から取り出されて別の装置(検査装置など)に搬送され、また新たな別のウェハ114がプラズマ処理部11に格納されてプラズマ処理が行われる。処理されたウェハ114は、別の装置(検査装置など)にてプラズマ処理の結果として得られるパターンの形状の寸法などが計測される。この形状の寸法などは処理結果指標のデータとして、処理結果取得部33を介して、記憶部22の処理履歴記憶領域23に記憶される。
[予測及び制御処理(APC)]
図3を参照して、制御部14にて行われるAPCの処理の例について説明する。
ウェハ114のプラズマ処理が完了すると、APCを実行するように設定されている場合には、制御部13は予測モデル切換えの判定を行う(S101)。
S101では、装置状態管理部13から装置状態管理項目のデータを取得し、予測モデル切換テーブル16−1aの判定基準欄16−1cについて、基準を満たす行を特定し、それに対応する予測モデルID欄16−1dの情報を予測に用いる予測モデルとして特定する。
更に、制御部13は、特定した予測モデルと分光データを用いて処理結果指標を予測する(S102)。S102では、特定された予測モデルについて、予測モデルテーブル16−2aの波長欄16−2cから予測に用いる波長の情報を取得する。そして、分光データから当該波長の分光モニタ値を算出し、計算式欄16−2dで特定される計算式に代入することで処理結果指標の予測値を算出する。なお、発光強度の最大値や最小値、中央値を分光モニタ値としてもよい。また、波長はプラズマに含まれるエレメント(ArやSi)の発光波長を利用できる。また、ウェハ114やチャンバ111の壁面から反射された光の強度を用いる場合には、ウェハ114やチャンバ111の壁面の状態によって強度が異なる波長が利用できる。また複数の波長における発光強度の比を用いても良い。
次に、制御部13は記憶部14に格納されている予測モデルで指定された係数を、分光モニタ値に掛けることで、処理結果指標の予測値を算出する(S102)。
さらに、制御部13は、処理結果指標の予測値と目標値の差分に従って、プラズマ処理条件を調整する(S103)。プラズマ処理条件としては、例えばガス供給器117から供給するプラズマ処理ガスの流量(ガス流量)が調整される。また、S103においては、プラズマ処理条件の調整をするだけでなく、処理結果指標の予測値と目標値の差分が予め定めた閾値よりも大きい場合に、異常としてアラームを出力する構成としても良い。また、プラズマ処理条件を調整せずに、プラズマ処理装置の後の装置のために、処理結果指標の予測値を出力する構成としても良い。
[予測及び制御処理(APC)の画面]
前述の予測及び制御処理を行う場合には、生産工程でプラズマ処理装置1を用いて複数のウェハ114を順次プラズマ処理する前の段階で予め装置管理者によって、予測モデルの切換えに用いる装置状態管理項目や判定基準、予測モデルの計算式を入力する必要がある。
図8を参照して、装置管理者による入力画面D100の例について説明する。
装置管理者は、切換え項目欄D101で、予測モデルを切換えに用いる装置状態管理項目や判定基準を入力し、予測モデル欄D102にて分光モニタ値の算出に用いる波長や予測モデルの計算式を入力する。入力後、予測のみを行う場合はD103にて指示し、APCを行う場合は、D104にて指示をする。
図9を参照して、予測やAPCの結果を示す画面の例について説明する。
予測のみを行った場合の例が、D200である。ここでは、処理結果指標の実測値と予測値を合わせて表示している。また、予測に用いた予測モデルを該当する区間について表示している。例えば、今回のようにウェハ114の処理回数の前半と後半で、装置状態の変化に起因する処理結果指標の変化のトレンドが異なる場合には、前半と後半で異なる予測モデルを用いることで予測精度を向上できる。例えば、図9に示すように、前半で予測モデル1を用い、後半で予測モデル2を用いる。
APCを行った場合の例が、D300である。ここでは、処理結果指標の実測値と予測に用いた予測モデルを表示している。装置状態の変化に合わせて予測モデルを切換えることで、D200に示したように予測精度を向上でき、その結果D300に示したように制御結果のばらつきも低減できる。このAPCの設定は、次の解析部20の解析処理にて過去の処理履歴から作成される。
[解析部]
図1に示すように、解析部20は、演算部21と記憶部22とIF部24を有する。記憶部22は、処理履歴記憶領域23と解析結果記憶領域24とを備えている。処理履歴記憶領域23には、プラズマ処理をしたウェハごとに、プラズマ処理中に分光器12で計測された分光モニタ値と、そのときの装置状態管理項目の値と、計測装置で計測された処理結果指標の値を特定する情報が格納される。
図6は、処理履歴記憶領域23の例である処理履歴データテーブル23aを示す。本テーブルは、ウェハID欄23b、分光モニタ値欄23c、装置状態管理項目値欄23d、処理結果指標欄23e、等の各フィールドを有する。
ウェハID欄23bには、ウェハ114を特定する情報が格納される。分光モニタ値欄23cには、分光器12で計測された分光器計測データを特定する情報が格納される。分光モニタ欄23cは、図6に示すように波長ごとにフィールドが分割されており、それぞれのフィールドには各波長における発光強度をプラズマ処理時間で平均した値が格納される。また、各行がその分光データを計測したウェハのIDと対応付いている。
なお、格納される分光データは、ウェハ114を加工するためのプラズマ処理の際に得られた分光データであってもよいし、ウェハ114を加工する前にプラズマ処理部11の状態を整えるために行われるプラズマ処理の際に得られた分光データであってもよい。
また、それぞれの波長は、プラズマに含まれるエレメント(ArやSi)の発光波長が格納される。また、ウェハ114やチャンバ111の壁面から反射された光の強度を用いる場合には、ウェハ114やチャンバ111の壁面の状態によって強度が異なる波長が格納される。また、複数の波長における発光強度の比を用いても良い。
また、格納される値は発光強度のプラズマ処理時間での平均値ではなく最大値や最小値、中央値であってもよいし、プラズマ処理の中間時点での発光強度の値など、ある指定した時間における発光強度の値であってもよい。
装置状態管理項目値欄23dには、それぞれのウェハの処理を行ったときの装置状態管理部14の管理値や測定値を特定する情報が格納される。装置状態管理項目欄23cは、図6に示すように、管理項目ごとにフィールドが分割されており、それぞれ該当する管理項目の値が格納される。管理項目としては、例えばクリーニングからのプラズマ処理の回数や、前回のプラズマ処理からの待機時間などが利用される。
処理結果指標欄23eには、プラズマ処理の結果を特定する情報が格納される。例えば、プラズマ処理後にプラズマ処理装置1に接続された計測装置などを用いて、ウェハID欄23bにて特定されるウェハ114の表面形状を計測した結果(例えば、測長SEMや光学式計測装置などの計測装置で計測したウェハ114上に形成されたパターンの寸法、パターン間の寸法など)が格納される。ウェハ114ごとに表面形状の寸法情報が、処理結果取得部33を介して処理結果指標欄23eに格納される。
また、ウェハ114ごとにプラズマ処理条件が調整された場合には、プラズマ処理条件の調整量と処理結果指標の変更量の間の関数を用いてプラズマ処理条件の調整量による処理結果指標の変更量を算出し、計測された処理結果指標を処理結果指標の変更量で補正した値を、処理結果指標欄23eに格納してもよい。
図7は、解析結果記憶領域24の例である解析結果データテーブル24aを示す。本テーブルは、波長欄24b、装置状態管理項目欄24c、判定基準閾値欄24d、決定係数欄24e、ロバスト性評価欄24f、分布間距離評価欄24g、係数評価欄24h、等の各フィールドを有する。
波長欄24b、装置状態管理項目欄24c、判定基準閾値欄24dに格納される値は、予測モデルの分光モニタ値を算出する波長、予測モデルを切換える装置状態管理項目、切換えの判定基準の閾値を表している。
また、判定基準閾値欄24d、決定係数欄24e、ロバスト性評価欄24f、分布間距離評価欄24g、係数評価欄24hに格納される値は、前期の波長欄24b、装置状態管理項目欄24c、判定基準閾値欄24dの組合せの良否を特定するための情報が格納される。本データテーブルの値は、後述の解析処理の中で格納される。
[解析部20の解析処理]
実施例による解析処理は、プラズマを用いてウェハ114を加工するプラズマ処理において、処理結果指標を予測する予測モデルの切換えに用いる装置状態管理項目とその判定基準の閾値を特定する。
実施例による解析処理は、分光データの波長と装置状態管理項目とその判定基準の閾値の組合せそれぞれについて、当該波長の分光モニタ値と処理結果指標の間の相関の強さやそのロバスト性などを評価する。これにより、予測モデルの切換えに用いる装置状態管理項目とその判定基準の閾値を特定する。
以下に、実施例による解析処理の方法を、具体的に説明する。
生産工程でプラズマ処理装置1を用いて複数のウェハ114を順次プラズマ処理する前の段階として、プラズマ処理装置1を扱う装置管理者が、予測に用いる装置状態管理項目とその判定基準の閾値と予測モデルを作成するために、解析部20において解析処理を実行する。
予測モデルとその切換えの条件は、プラズマ処理の対象であるウェハ114の表面上の膜の構成などによって変化するため、プラズマ処理の立上げ時には、適宜、本解析処理を実行することが必要になる。
次に、図5を参照して、解析部20において実行される解析処理の流れについて説明する。
図10に示すような表示画面D400上で装置管理者が解析対象となる波長(D401)と装置状態管理項目(D402)を入力し、解析処理の実行を指示する(D403)と解析部20は解析処理を行う。
はじめに、入力された波長と装置状態管理項目を元に、波長と装置状態管理項目と閾値の組み合わせを作成し(S201)、それぞれの組合せについて、S203以降の処理を行う(S02)。
まず、解析対象となる処理履歴を装置状態管理項目とその閾値で2つに層別し(S203)、層別したそれぞれのデータについて、評価対象の波長における分光モニタ値と処理結果指標の相関の強さである決定係数を算出する(S204)。
更に、閾値を微変更したときの相関のロバスト性の評価(S205)と、層別データ間の距離(S206)と、層別データの回帰式の評価(S207)を、全ての組み合わせについて計算し(S208)、評価の最も良い波長と装置状態管理項目と閾値の組合せを特定する(S209)。特定した組合せで予測モデルを切換える設定と、予測モデルデータを作成し、装置管理者に表示画面D500(図11参照)で提示することで(S210)、解析処理を終了する。
次に、各ステップの詳細を説明する。
S201では、演算部21は、図10に示す表示画面400上で装置管理者によって入力された波長と装置管理項目を取得する。入力された装置管理項目については、その閾値の候補を設定する。例えば、装置管理項目の最大値と最小値の間をN分割(N=5、10など)するように閾値の候補を設定する。この閾値の候補と、波長と装置管理項目を用いて、波長と装置管理項目とその閾値の全組合せを作成する。作成した組合せを、解析結果データテーブル24a(図7参照)の波長欄24b、装置状態管理項目欄24c、判定基準閾値欄24dに格納する。解析結果データテーブル24aの各行は、それぞれの組合せを表すことになる。
S202では、演算部21は、S201で作成した全ての組合せについて、すなわち解析結果データテーブル24a(図7参照)の各行について、それらの組合せの良否を評価する。以下では計算対象となっている波長を波長Wi,装置状態管理項目を項目Hj,装置状態管理項目の閾値を閾値HjTkと記載する。
S203では、演算部21は、処理履歴データテーブル23a(図6参照)のデータを、装置状態管理項目値欄23dを基準に2つに層別(分割)する。装置状態管理項目値欄23dの項目Hjの値が閾値HjTkよりも大きいデータと、閾値HjTk以下となるデータの2つに層別する。
S204では、演算部21は、層別した処理履歴データテーブル23a(図6参照)のデータそれぞれについて、波長Wiにおける分光モニタ値と処理結果指標を取得する。このデータは、図12aに示すように、2つのグループに層別される。それぞれのグループについて相関の強さを示す決定係数を算出し、2つのグループの決定係数の平均を、この組合せの評価指標として解析結果データテーブル24aの決定係数欄24eに格納する。
S205では、演算部21は、閾値HjTkの値を微変更(例えば+−5%増減)した場合の相関のロバスト性を評価する。具体的には、微変更した閾値においても、S203、S204と同じ処理を行い、決定係数の平均値を算出する。この決定係数とS204の決定係数の差分が、予め定めた閾値よりも大きい場合には、相関のロバスト性が低いとして、解析結果データテーブル24aのロバスト性評価欄24fに×を格納する。
閾値HjTkを微変更した場合に、例えば図12bのように、層別したデータのグループが変更されると決定係数の差分が大きくなり、ロバスト性が低いと評価される。前記の差分が小さい場合は、ロバスト性が大きいとして○を格納する。
装置状態管理項目の種類によっては、外乱により予測モデル切換えのタイミングがばらつく可能性もある。その様な場合にも予測精度を悪化させないために、ロバスト性の高い組合せを特定する。
S206では、演算部21は、層別した2つのデータの距離を評価する。例えば、それぞれの重心間のユークリッド距離を算出し、それが予め定めた閾値よりも大きい場合は、距離が大きいとして、分布間距離評価欄24gに○を格納し、そうでなければ×を格納する。距離が小さい場合の例を図12cに示す。距離が大きいほど予測モデル切換えの効果が大きいために、そのような組合せを選択する。
S207では、演算部21は、層別した2つのデータにおける回帰式の係数を評価する。ここでは2つのデータについて作成した単回帰式の傾きを評価する。その傾きの差分が予め定めた閾値よりも小さい場合は、傾きが小さいとして係数欄24fに○を格納し、そうでなければ×を格納する。傾きの差が大きい例を図12dに示す。これは、分布モニタ値と処理結果指標の相関関係の変化が小さいものを選択するためのである。
S208では、演算部21は、波長と装置状態管理項目、閾値の全ての組合せについてS204からS207の処理を行う。処理が完了した場合にはS209に進む。
S209では、演算部21は、最も良い波長と装置状態管理項目、閾値の組合を特定する。具体的には、解析結果データテーブル24aのロバスト性評価24f、分布間距離評価24g、係数24hが全て満たす(○である)波長と装置状態管理項目、閾値の組合せのうち、決定係数欄24eが最も大きい組合せを特定する。
S210では、演算部21は、S209で特定した組合せを表示画面D500の切換え項目欄に表示する。また、波長と装置状態管理項目、閾値の組合せで作成される層別されたデータについて、図13に示すようにそれぞれ単回帰式(r1、r2)を作成し、その数式を予測モデル欄D502に表示する。
装置管理者は、この予測モデルを用いてAPCを行う場合はD503(図11参照)で指示をする。APCを行う場合、図11に示す画面(D501,D502)に表示された情報は、予測モデル記憶領域16に格納され、制御に利用される。
以上で解析処理の説明であるが、層別したデータを更に同様の手法で層別して、切換える予測モデルを3つ以上にすることも可能である。
このようにして、装置管理者は、容易に予測モデル切換えに用いる装置状態管理項目とその判定基準となる閾値を特定することができる。
以上説明したように、実施例のプラズマ処理装置1(解析部20)は、装置状態に応じて予測モデルを切換えることにより、処理結果指標の予測精度を向上できる。具体的には、ウェハ(試料)をプラズマ処理するプラズマ処理部11と、プラズマ処理を制御する制御部13とを備え、制御部13は、プラズマ処理部11の状態に基づいてプラズマ処理の結果を予測する複数の予測モデルの中から一つを選択し、選択された予測モデルを用いてプラズマ処理の結果を予測する。また、予測モデルを切換えるための装置状態管理項目と判定基準となる閾値も処理履歴から作成できる。これにより、APCを行うときの処理結果指標を更にばらつきを小さく制御できるようになる。
なお、実施例としては、装置管理者がモデル切換の装置状態管理項目及び閾値の特定と予測モデルの作成を指示したが、処理履歴のデータが蓄積された段階で、装置状態管理項目で項目及び閾値の特定と予測モデルの作成を行う構成としても良い。
また、図14に示すように、予測モデルの切換え判定(S101)を、処理結果取得部33から取得した処理結果指標の値にしたがって行う構成としても良い。
具体的には、図14に示す処理部10を含むプラズマ処理装置1は、プラズマ処理を行うチャンバ111内の発光を計測する分光器12と、検査装置(図示せず)からプラズマ処理の結果の指標を取得する処理結果取得部33とを有する。制御部14は、処理結果取得部33が取得したプラズマ処理の結果の指標に基づいて予測モデルを切換え、切換えた予測モデルに分光データを入力してプラズマ処理の結果を予測する。
また、予測モデルの予測誤差を逐次計算し、予測誤差の大きさにしたがって予測モデルの切換え判定(S101)を行う構成としても良い。
あるいは、図15に示すように、図1にて処理部10内に位置していた制御部13、装置状態管理部14、記憶部15をネットワークで接続されたシステム上に移動し、そこで予測及び制御をする構成としても良い。
具体的には、図15に示すプラズマ処理システムは、処理部10を含むプラズマ処理装置1と、処理部2とがネットワーク33を介して接続されている。処理部10は、ウェハ114をプラズマ処理して加工するプラズマ処理部11と、プラズマ処理部11のチャンバ111内の発光を計測する分光器12とを含む。また、処理部2は、プラズマ処理部11でのプラズマ処理を制御する制御部13と、プラズマ処理部11の状態を示す管理値を保持する装置状態管理部14とを含む。
制御部13は、プラズマ処理の結果を予測するための複数の予測モデルを有し、装置状態管理部14に保持された管理値の閾値に基づいて予測モデルを切換え、切換えた予測モデルに分光データを入力してプラズマ処理の結果を予測する。
上記実施例によれば、プラズマ処理装置の状態の変化に追随して処理結果指標を高精度で予測することができる。
1 プラズマ処理装置
10 処理部
11 プラズマ処理部
12 分光器
13 制御部
14 装置状態管理部
15 記憶部
16 予測モデル記憶領域
110 IF部
20 解析部
21 演算部
22 記憶部
23 処理履歴記憶領域
24 解析結果記憶領域
210 IF部
30 入力部
31 出力部
32 通信IF部
33 処理結果取得部
34 バス

Claims (8)

  1. 試料をプラズマ処理するプラズマ処理部と、
    前記プラズマ処理を制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記プラズマ処理部の状態に基づいて前記プラズマ処理の結果を予測する複数の予測モデルの中から一つを選択し、前記選択された予測モデルを用いて前記プラズマ処理の結果を予測することを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 前記プラズマ処理部の状態を示す管理値が保持される装置状態管理部を更に備え、
    前記制御部は、
    前記装置状態管理部に保持された前記管理値の閾値に基づいて前記予測モデルを選択することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記装置状態管理部は、
    前記管理値として前記試料のプラズマ処理回数を保持することを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記制御部は、
    前記前記プラズマ処理の結果として前記試料上に形成されたパターンの寸法を予測することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記プラズマ処理結果を予測した予測値を前記予測モデルに対応させて表示する出力部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記プラズマ処理の結果における過去の履歴と発光データにおける過去の履歴とが記憶される記憶部を更に備え、
    前記制御部は、
    前記プラズマ処理の結果における過去の履歴と前記発光データにおける過去の履歴との相関に基づいて前記管理値の閾値を求めることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
  7. 検査装置により前記プラズマ処理の結果の指標を取得する処理結果取得部を更に備え、
    前記制御部は、
    前記指標に基づいて前記予測モデルを選択することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  8. 試料をプラズマ処理するプラズマ処理部と、
    前記プラズマ処理を制御する制御部と、前記プラズマ処理部の状態を示す管理値を保持する装置状態管理部を有する処理部とを備え、
    前記プラズマ処理部と前記処理部とがネットワークを介して接続されたプラズマ処理システムにおいて、
    前記制御部は、
    前記管理値の閾値に基づいて前記プラズマ処理の結果を予測する複数の予測モデルの中から一つを選択し、
    前記選択された予測モデルを用いて前記プラズマ処理の結果を予測することを特徴とするプラズマ処理システム。
JP2017152921A 2017-08-08 2017-08-08 プラズマ処理装置及び半導体装置製造システム Active JP6875224B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017152921A JP6875224B2 (ja) 2017-08-08 2017-08-08 プラズマ処理装置及び半導体装置製造システム
KR1020170180655A KR102045241B1 (ko) 2017-08-08 2017-12-27 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 시스템
TW107100014A TWI683340B (zh) 2017-08-08 2018-01-02 電漿處理裝置及電漿處理系統
US15/892,041 US10872750B2 (en) 2017-08-08 2018-02-08 Plasma processing apparatus and plasma processing system
US16/950,179 US12014909B2 (en) 2017-08-08 2020-11-17 Plasma processing apparatus and plasma processing system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017152921A JP6875224B2 (ja) 2017-08-08 2017-08-08 プラズマ処理装置及び半導体装置製造システム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019033165A true JP2019033165A (ja) 2019-02-28
JP2019033165A5 JP2019033165A5 (ja) 2020-12-17
JP6875224B2 JP6875224B2 (ja) 2021-05-19

Family

ID=65275555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017152921A Active JP6875224B2 (ja) 2017-08-08 2017-08-08 プラズマ処理装置及び半導体装置製造システム

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10872750B2 (ja)
JP (1) JP6875224B2 (ja)
KR (1) KR102045241B1 (ja)
TW (1) TWI683340B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020170349A (ja) * 2019-04-03 2020-10-15 エヌ・ティ・ティ・コミュニケーションズ株式会社 情報処理装置、推定装置、分析装置、情報処理方法及びコンピュータープログラム
JP2021005694A (ja) * 2019-06-27 2021-01-14 東京エレクトロン株式会社 データ処理装置、データ処理方法及びプログラム
WO2023149325A1 (ja) * 2022-02-03 2023-08-10 東京エレクトロン株式会社 データ算出方法及び基板処理装置
TWI846887B (zh) 2019-06-27 2024-07-01 日商東京威力科創股份有限公司 資料處理裝置、資料處理方法及資料處理程式

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6173851B2 (ja) * 2013-09-20 2017-08-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 分析方法およびプラズマエッチング装置
JP7155681B2 (ja) * 2018-07-10 2022-10-19 ソニーグループ株式会社 情報処理装置、情報処理方法、及び、プログラム
GB2583897A (en) 2019-04-05 2020-11-18 Servomex Group Ltd Glow plasma stabilisation
US11114286B2 (en) * 2019-04-08 2021-09-07 Applied Materials, Inc. In-situ optical chamber surface and process sensor
JP2020181959A (ja) * 2019-04-26 2020-11-05 東京エレクトロン株式会社 学習方法、管理装置および管理プログラム
WO2021111511A1 (ja) * 2019-12-03 2021-06-10 株式会社日立ハイテク 探索装置、探索プログラム及びプラズマ処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231596A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造システム
JP2007250902A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の予測方法及び予測装置
JP2013105923A (ja) * 2011-11-15 2013-05-30 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2013219401A (ja) * 2013-07-29 2013-10-24 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理方法のRun−to−Run制御方法
JP2016143738A (ja) * 2015-01-30 2016-08-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに解析方法
JP2017017067A (ja) * 2015-06-26 2017-01-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびそのデータ解析装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5170367A (en) 1990-04-25 1992-12-08 The Expert System Technologies, Inc. Nondestructive determination of phase fractions of composite materials
US7138156B1 (en) 2000-09-26 2006-11-21 Myrick Michael L Filter design algorithm for multi-variate optical computing
AU2002305084A1 (en) 2001-03-23 2002-10-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares
US7505879B2 (en) * 2002-06-05 2009-03-17 Tokyo Electron Limited Method for generating multivariate analysis model expression for processing apparatus, method for executing multivariate analysis of processing apparatus, control device of processing apparatus and control system for processing apparatus
WO2004019396A1 (ja) 2002-08-13 2004-03-04 Tokyo Electron Limited プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US6830939B2 (en) 2002-08-28 2004-12-14 Verity Instruments, Inc. System and method for determining endpoint in etch processes using partial least squares discriminant analysis in the time domain of optical emission spectra
JP4448335B2 (ja) * 2004-01-08 2010-04-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US7502709B2 (en) 2006-03-28 2009-03-10 Tokyo Electron, Ltd. Dynamic metrology sampling for a dual damascene process
JP4710720B2 (ja) * 2006-06-02 2011-06-29 富士ゼロックス株式会社 故障予防診断支援システム及び故障予防診断支援方法
US7939450B2 (en) * 2007-09-21 2011-05-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for spacer-optimization (S-O)
JP5192850B2 (ja) 2008-02-27 2013-05-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ エッチング終点判定方法
JP5334787B2 (ja) 2009-10-09 2013-11-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US8877080B2 (en) 2010-10-18 2014-11-04 Tokyo Electron Limited Using vacuum ultra-violet (VUV) data in microwave sources
JP2013161913A (ja) 2012-02-03 2013-08-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9177875B2 (en) 2013-11-15 2015-11-03 Taiwan Seminconductor Manufacturing Co., Ltd. Advanced process control method for controlling width of spacer and dummy sidewall in semiconductor device
JP6220319B2 (ja) 2014-07-17 2017-10-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ データ解析方法及びプラズマエッチング方法並びにプラズマ処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231596A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造システム
JP2007250902A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の予測方法及び予測装置
JP2013105923A (ja) * 2011-11-15 2013-05-30 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2013219401A (ja) * 2013-07-29 2013-10-24 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理方法のRun−to−Run制御方法
JP2016143738A (ja) * 2015-01-30 2016-08-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに解析方法
JP2017017067A (ja) * 2015-06-26 2017-01-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびそのデータ解析装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020170349A (ja) * 2019-04-03 2020-10-15 エヌ・ティ・ティ・コミュニケーションズ株式会社 情報処理装置、推定装置、分析装置、情報処理方法及びコンピュータープログラム
JP7256669B2 (ja) 2019-04-03 2023-04-12 エヌ・ティ・ティ・コミュニケーションズ株式会社 情報処理装置、推定装置、分析装置、情報処理方法及びコンピュータープログラム
JP2021005694A (ja) * 2019-06-27 2021-01-14 東京エレクトロン株式会社 データ処理装置、データ処理方法及びプログラム
TWI846887B (zh) 2019-06-27 2024-07-01 日商東京威力科創股份有限公司 資料處理裝置、資料處理方法及資料處理程式
WO2023149325A1 (ja) * 2022-02-03 2023-08-10 東京エレクトロン株式会社 データ算出方法及び基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190051502A1 (en) 2019-02-14
KR102045241B1 (ko) 2019-11-15
TWI683340B (zh) 2020-01-21
TW201911359A (zh) 2019-03-16
JP6875224B2 (ja) 2021-05-19
US10872750B2 (en) 2020-12-22
KR20190016418A (ko) 2019-02-18
US20210074528A1 (en) 2021-03-11
US12014909B2 (en) 2024-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019033165A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理システム
US20220114484A1 (en) Production process determination device for substrate processing apparatus, substrate processing system, production process determination method for substrate processing apparatus, learning model group, generation method of learning model group, and program
TWI546638B (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法以及解析方法
US6747239B2 (en) Plasma processing apparatus and method
JP2019033165A5 (ja) プラズマ処理装置及び半導体装置製造システム
US8805567B2 (en) Method of controlling semiconductor process distribution
JP6220319B2 (ja) データ解析方法及びプラズマエッチング方法並びにプラズマ処理装置
JP6549917B2 (ja) プラズマ処理装置およびそのデータ解析装置
JP2011082441A (ja) プラズマ処理装置
JP2009049382A (ja) ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
JP6173851B2 (ja) 分析方法およびプラズマエッチング装置
KR102100210B1 (ko) 플라스마 처리 장치
JP6643202B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理データを解析する解析方法
JP5778893B2 (ja) 終点検出装置、プラズマ処理装置および終点検出方法
WO2020144823A1 (ja) エッチング終点検出装置、基板処理システム、エッチング終点検出方法及び分類器
KR102339317B1 (ko) Rf 임피던스 모델 기반 폴트 검출
US20240094056A1 (en) Optical Emission Spectroscopy for Advanced Process Characterization
US20240203712A1 (en) Plasma processing apparatus, data analysis apparatus, and semiconductor device manufacturing system

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190517

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200213

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201102

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201201

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20210126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210319

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210406

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210422

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6875224

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150