JP6220319B2 - データ解析方法及びプラズマエッチング方法並びにプラズマ処理装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 185
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 83
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 title claims description 9
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 220
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 157
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 43
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 50
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 32
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000001636 atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32926—Software, data control or modelling
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/443—Emission spectrometry
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32972—Spectral analysis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
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Description
この求められた第一の予測誤差に基づいて波長と時間区間の組合せが選択される解析部をさらに備えて構成した。
本発明では図1のエッチング装置の構成図に示すように、エッチング装置1は、エッチング部10と解析部20と入力部30と出力部31と通信インターフェース部(通信IF部)32とを有しこれらはバス33を介して相互に接続されている。
エッチング部10はプラズマ加工部11と分光器(OES)12と制御部13とIF部14とを備えている。プラズマ加工部11は、図2に示すように、図示していない真空排気手段で内部を真空に排気されるチャンバ111と、図示していない電源により高周波電力が印加されて真空に排気されたチャンバ111の内部にプラズマを発生させる1対の電極112a及び112bと、チャンバ111の内部を外側から観察する窓115と、真空に排気されたチャンバ111の内部にウェハ114をエッチング処理するためのエッチングガスを供給するガス供給器117とを備えている。
図3に分光器(OES)12にて計測されたプラズマ発光のOESデータの例として波形信号301を示す。プラズマ発光の波長帯域と強度は、エッチング処理の時間の経過とともに変化する。OESデータの波形信号301は、波長と時間の2次元の要素を持ち、各波長、各時間についてそれぞれ計測された発光強度の値を表している。各波長、各時間についてそれぞれ計測された発光強度の値は、そのOESデータが計測されたウェハのIDと共に、後述のOESデータ記憶領域24に格納される。
図4に制御部13にて行われるエッチング処理条件調整処理の例を示す。
制御部13は、エッチング処理条件の調整がオペレータより指示されると、記憶部22の制御条件データ記憶領域28に記憶されている制御データを呼び出す(S101)。なお、エッチング処理条件調整処理は、複数のウェハについて制御条件データ記憶領域28に記憶されている制御データを用いて順次処理を行うが、最初のウェハについては、予め設定された条件を用いる。
図1に示した記憶部22のエッチング処理結果データ記憶領域23には、エッチング処理を行ったウェハのIDを特定する情報と、エッチング処理結果を特定する情報が格納される。
各フィールドには、後述する解析処理にて情報が格納される。
波長1欄25cには、エッチング処理結果の予測に用いる波長の候補を特定する情報が格納される。後述の説明のために、ここで波長1欄25cの行iに格納された値をWL1と呼ぶ。
探索継続欄25iには、時間区間の探索を継続する波長の組合せを特定する情報が格納される。
発光強度標準偏差欄25jには、発光強度の時系列推移の標準偏差を特定する情報が格納される。
各フィールドには、後述する解析処理にて情報が格納される。
波長1欄26cには、エッチング処理結果の予測に用いる波長の候補を特定する情報が格納される。
波長2欄26dには、エッチング処理結果の予測に用いる波長の候補を特定する情報が格納される。
各フィールドには、後述する解析処理にて情報が格納される。
波長1欄27cには、エッチング処理結果の予測に用いる波長の候補を特定する情報が格納される。
波長2欄27dには、エッチング処理結果の予測に用いる波長の候補を特定する情報が格納される。
本実施例による解析処理の方法は、プラズマを用いて半導体ウェハをエッチング処理する半導体エッチング処理において、エッチング処理結果の予測に用いるプラズマ発光データの波長及び時間を特定する解析方法である。
生産工程でエッチング装置1を用いて複数のウェハを順次エッチング処理する前の段階として、エッチング装置1を扱う操作者や管理者が、エッチング処理結果の予測に用いる波長と時間区間の組合せを決定するために、解析部20において解析処理を実行する。
まず、図12に示すような表示画面1200上で探索対象の波長入力欄D101に探索対象の波長を入力する(S200)。次に、S200で入力された探索対象波長の組合せを作成して図7に示した初期検索結果データテーブル25aに格納する(S201)。次に、S201で作成した探索対象波長の組合せについて指定時間区間の予測誤差を算出し(S202)、プラズマの発光強度の時系列推移の標準偏差を算出する(S203)。次に、S202で算出した予測誤差とS203で算出した標準偏差を用いて波長組合せの絞込みを行い(S204)、初期探索結果を画面上に表示する(S205)。
(S201)演算部21は、S200で図12に示す表示画面1200上で探索対象の波長入力欄D101に入力された複数の検索対象波長を用いて2つの波長の組合せを複数作成し、各組合せの波長それぞれを図7に示した初期探索結果データテーブル25aの波長1欄25c及び波長2欄25dに格納する。格納する組合せは、例えば、図12の波長入力欄D101に入力された全ての波長の組合せであっても良い。また演算部21は、図7のID欄25bにも第1行から順に番号を付ける。
区間(図6の例では1から100)のうち、一様乱数を用いて2点を選択する(S207
−1−2)。選択した時間のうち値の小さいものをTS1、大きいものをTE1とおく(
S207−1−3)。演算部21は、第3の発光強度平均値として、図6のOESデー
タテーブル24aの発光強度欄24eにて、図7の波長1欄25cの当該行に格納された
波長にて特定される列で、かつ、TS1からTE1までの時間の行に格納された値の平均
値を算出する(S207−1−4)。
様乱数を用いて2点を選択する(S207−1−5)。選択した時間のうち値の小さいも
のをTS2、大きいものをTE2とおく(S207−1−6)。演算部21は、第4の
発光強度平均値として、図6のOESデータテーブル24aの発光強度欄24cにおいて
、図7の波長2欄25dの当該行に格納された波長にて特定される列で、かつ、TS2か
らTE2までの時間の行に格納された値の平均値を算出する(S207−1−7)。
の乱数探索結果データテーブル26aの予測誤差欄26gの当該行に格納し、S207−
4でその最小値を算出した時間区間を波長1時間区間欄26e、波長2時間区間欄26f
に格納する。また、S207−5で探索の対象となった波長の組合せとそのIDを、ID
欄26b、波長1欄26c、波長2欄26dに格納する。
27aに格納された値と、散布図に関するデータを画面上に出力して処理を終了する。演
算部21が操作者に提示する出力画面の一例を図16に示す。
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
Claims (9)
- プラズマを用いて試料をエッチングし、
前記プラズマの発光における波長帯域の中から波長の組合せを作成し、
前記作成された波長の組合せについて前記エッチングの時間における前記プラズマの発光強度を求めるための時間区間を設定し、
前記設定された時間区間の発光強度を用いて前記エッチングの結果を予測するための第一の予測誤差を前記作成された波長の組合せの各々について求め、
前記求められた第一の予測誤差に基づいて波長と時間区間の組合せを選択することを特徴とするデータ解析方法。 - 請求項1に記載のデータ解析方法において、
前記選択された波長の組合せに対応する時間区間をさらに探索し、
前記探索された時間区間の発光強度を用いて前記エッチングの結果を予測するための第二の予測誤差を前記選択された波長の組合せの各々について求め、
前記求められた第二の予測誤差が最小となる波長と時間区間の組合せを選択することを特徴とするデータ解析方法。 - 請求項2に記載のデータ解析方法において、
前記選択された波長と時間区間の組合せおよび前記第二の予測誤差を出力部の画面上に表示することを特徴とするデータ解析方法。 - プラズマを用いて試料をエッチングし、
前記プラズマの発光における波長帯域の中から波長の組合せを作成し、
前記作成された波長の組合せについて前記エッチングの時間における前記プラズマの発光強度を求めるための時間区間を設定し、
前記設定された時間区間の発光強度を用いて前記エッチングの結果を予測するための第一の予測誤差を前記作成された波長の組合せの各々について求め、
前記求められた第一の予測誤差に基づいて波長と時間区間の組合せを選択し、
前記選択された波長と時間区間の組合せにおけるエッチング処理結果の予測値を用いてエッチング処理条件を調整することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項4に記載のプラズマエッチング方法において、
前記選択された波長の組合せに対応する時間区間をさらに探索し、
前記探索された時間区間の発光強度を用いて前記エッチングの結果を予測するための第二の予測誤差を前記選択された波長の組合せの各々について求め、
前記求められた第二の予測誤差が最小となる波長と時間区間の組合せを選択することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項5に記載のプラズマエッチング方法において、
前記選択された波長と時間区間の組合せおよび前記第二の予測誤差を出力部の画面上に表示することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - プラズマを用いて試料がエッチングにより処理される処理室と、前記プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料が載置される試料台と、前記プラズマの発光がモニタされるプラズマ発光モニタ部とを備えるプラズマ処理装置において、
前記プラズマ発光モニタ部によりモニタされた前記プラズマの発光における波長帯域の中から波長の組合せが作成され、
前記作成された波長の組合せについて前記エッチングの時間における前記プラズマの発光強度を求めるための時間区間が設定され、
前記設定された時間区間の発光強度を用いて前記エッチングの結果を予測するための第一の予測誤差が前記作成された波長の組合せの各々について求められ、
前記求められた第一の予測誤差に基づいて波長と時間区間の組合せが選択される解析部をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項7に記載のプラズマ処理装置において、
前記解析部により、前記選択された波長の組合せに対応する時間区間がさらに探索され、
前記探索された時間区間の発光強度を用いて前記エッチングの結果を予測するための第二の予測誤差が前記選択された波長の組合せの各々について求められ、
前記求められた第二の予測誤差が最小となる波長と時間区間の組合せが選択されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項8に記載のプラズマ処理装置において、
前記選択された波長と時間区間の組合せおよび前記第二の予測誤差が出力される出力部をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014146805A JP6220319B2 (ja) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | データ解析方法及びプラズマエッチング方法並びにプラズマ処理装置 |
TW104101081A TW201604955A (zh) | 2014-07-17 | 2015-01-13 | 蝕刻裝置之資料解析方法以及蝕刻方法及其裝置 |
KR1020150018192A KR101580232B1 (ko) | 2014-07-17 | 2015-02-05 | 에칭 장치의 데이터 해석 방법 및 에칭 방법 및 그 장치 |
US14/625,855 US9324588B2 (en) | 2014-07-17 | 2015-02-19 | Data analysis method for plasma processing apparatus, plasma processing method and plasma processing apparatus |
US15/074,204 US9443704B2 (en) | 2014-07-17 | 2016-03-18 | Data analysis method for plasma processing apparatus, plasma processing method and plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014146805A JP6220319B2 (ja) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | データ解析方法及びプラズマエッチング方法並びにプラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016025145A JP2016025145A (ja) | 2016-02-08 |
JP2016025145A5 JP2016025145A5 (ja) | 2017-01-26 |
JP6220319B2 true JP6220319B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=55075175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014146805A Active JP6220319B2 (ja) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | データ解析方法及びプラズマエッチング方法並びにプラズマ処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9324588B2 (ja) |
JP (1) | JP6220319B2 (ja) |
KR (1) | KR101580232B1 (ja) |
TW (1) | TW201604955A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6173851B2 (ja) * | 2013-09-20 | 2017-08-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 分析方法およびプラズマエッチング装置 |
US9459933B1 (en) | 2015-01-30 | 2016-10-04 | Amazon Technologies, Inc. | Contention and selection of controlling work coordinator in a distributed computing environment |
JP6643202B2 (ja) | 2016-07-21 | 2020-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理データを解析する解析方法 |
JP6875224B2 (ja) | 2017-08-08 | 2021-05-19 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及び半導体装置製造システム |
JP6676020B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2020-04-08 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置状態予測方法 |
JP7058129B2 (ja) | 2018-01-17 | 2022-04-21 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
JP7429623B2 (ja) * | 2020-08-31 | 2024-02-08 | 株式会社日立製作所 | 製造条件設定自動化装置及び方法 |
US11437289B2 (en) * | 2020-09-30 | 2022-09-06 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP4128339B2 (ja) | 2001-03-05 | 2008-07-30 | 株式会社日立製作所 | 試料処理装置用プロセスモニタ及び試料の製造方法 |
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JP4547396B2 (ja) | 2007-05-07 | 2010-09-22 | 株式会社日立製作所 | 試料処理装置 |
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JP5383265B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2014-01-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング装置、分析装置、エッチング処理方法、およびエッチング処理プログラム |
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JP6173851B2 (ja) * | 2013-09-20 | 2017-08-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 分析方法およびプラズマエッチング装置 |
-
2014
- 2014-07-17 JP JP2014146805A patent/JP6220319B2/ja active Active
-
2015
- 2015-01-13 TW TW104101081A patent/TW201604955A/zh unknown
- 2015-02-05 KR KR1020150018192A patent/KR101580232B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-19 US US14/625,855 patent/US9324588B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-18 US US15/074,204 patent/US9443704B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9443704B2 (en) | 2016-09-13 |
JP2016025145A (ja) | 2016-02-08 |
US20160020123A1 (en) | 2016-01-21 |
US9324588B2 (en) | 2016-04-26 |
TW201604955A (zh) | 2016-02-01 |
US20160203957A1 (en) | 2016-07-14 |
KR101580232B1 (ko) | 2015-12-24 |
TWI562230B (ja) | 2016-12-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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