JP2016025145A5 - データ解析方法及びプラズマエッチング方法並びにプラズマ処理装置 - Google Patents
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Description
上記課題を解決するために、本発明では、データ解析方法において、プラズマを用いて試料をエッチングし、プラズマの発光における波長帯域の中から波長の組合せを作成し、この作成された波長の組合せについてエッチングの時間におけるプラズマの発光強度を求めるための時間区間を設定し、この設定された時間区間の発光強度を用いてエッチングの結果を予測するための第一の予測誤差を作成された波長の組合せの各々について求め、この求められた第一の予測誤差に基づいて波長と時間区間の組合せを選択するようにした。
また、上記課題を解決するために、本発明では、プラズマエッチング方法において、プラズマを用いて試料をエッチングし、プラズマの発光における波長帯域の中から波長の組合せを作成し、この作成された波長の組合せについてエッチングの時間におけるプラズマの発光強度を求めるための時間区間を設定し、この設定された時間区間の発光強度を用いてエッチングの結果を予測するための第一の予測誤差を作成された波長の組合せの各々について求め、この求められた第一の予測誤差に基づいて波長と時間区間の組合せを選択し、この選択された波長と時間区間の組合せにおけるエッチング処理結果の予測値を用いてエッチング処理条件を調整するようにした。
更に、上記課題を解決するために、本発明では、プラズマ処理装置を、プラズマを用いて試料がエッチングにより処理される処理室と、プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、試料が載置される試料台と、プラズマの発光がモニタされるプラズマ発光モニタ部とを備えて構成し、プラズマ発光モニタ部によりモニタされたプラズマの発光における波長帯域の中から波長の組合せが作成され、この作成された波長の組合せについてエッチングの時間におけるプラズマの発光強度を求めるための時間区間が設定され、設定された時間区間の発光強度を用いてエッチングの結果を予測するための第一の予測誤差が作成された波長の組合せの各々について求められ、
この求められた第一の予測誤差に基づいて波長と時間区間の組合せが選択される解析部をさらに備えて構成した。
この求められた第一の予測誤差に基づいて波長と時間区間の組合せが選択される解析部をさらに備えて構成した。
演算部21は、図6のOESデータテーブル24aに格納された時間欄24dの時間
区間(図6の例では1から100)のうち、一様乱数を用いて2点を選択する(S207
−1−2)。選択した時間のうち値の小さいものをTS1、大きいものをTE1とおく(
S207−1−3)。演算部21は、第3の発光強度平均値として、図6のOESデー
タテーブル24aの発光強度欄24eにて、図7の波長1欄25cの当該行に格納された
波長にて特定される列で、かつ、TS1からTE1までの時間の行に格納された値の平均
値を算出する(S207−1−4)。
区間(図6の例では1から100)のうち、一様乱数を用いて2点を選択する(S207
−1−2)。選択した時間のうち値の小さいものをTS1、大きいものをTE1とおく(
S207−1−3)。演算部21は、第3の発光強度平均値として、図6のOESデー
タテーブル24aの発光強度欄24eにて、図7の波長1欄25cの当該行に格納された
波長にて特定される列で、かつ、TS1からTE1までの時間の行に格納された値の平均
値を算出する(S207−1−4)。
また同様に演算部21は、OESデータテーブル24aに格納された時間のうち、一
様乱数を用いて2点を選択する(S207−1−5)。選択した時間のうち値の小さいも
のをTS2、大きいものをTE2とおく(S207−1−6)。演算部21は、第4の
発光強度平均値として、図6のOESデータテーブル24aの発光強度欄24cにおいて
、図7の波長2欄25dの当該行に格納された波長にて特定される列で、かつ、TS2か
らTE2までの時間の行に格納された値の平均値を算出する(S207−1−7)。
様乱数を用いて2点を選択する(S207−1−5)。選択した時間のうち値の小さいも
のをTS2、大きいものをTE2とおく(S207−1−6)。演算部21は、第4の
発光強度平均値として、図6のOESデータテーブル24aの発光強度欄24cにおいて
、図7の波長2欄25dの当該行に格納された波長にて特定される列で、かつ、TS2か
らTE2までの時間の行に格納された値の平均値を算出する(S207−1−7)。
演算部21は、R回算出した予測誤差のうち最も小さいものを、S207−3で図8
の乱数探索結果データテーブル26aの予測誤差欄26gの当該行に格納し、S207−
4でその最小値を算出した時間区間を波長1時間区間欄26e、波長2時間区間欄26f
に格納する。また、S207−5で探索の対象となった波長の組合せとそのIDを、ID
欄26b、波長1欄26c、波長2欄26dに格納する。
の乱数探索結果データテーブル26aの予測誤差欄26gの当該行に格納し、S207−
4でその最小値を算出した時間区間を波長1時間区間欄26e、波長2時間区間欄26f
に格納する。また、S207−5で探索の対象となった波長の組合せとそのIDを、ID
欄26b、波長1欄26c、波長2欄26dに格納する。
(S210)演算部21は最終探索結果として、図9の最終探索結果データテーブル
27aに格納された値と、散布図に関するデータを画面上に出力して処理を終了する。演
算部21が操作者に提示する出力画面の一例を図16に示す。
27aに格納された値と、散布図に関するデータを画面上に出力して処理を終了する。演
算部21が操作者に提示する出力画面の一例を図16に示す。
Claims (9)
- プラズマを用いて試料をエッチングし、
前記プラズマの発光における波長帯域の中から波長の組合せを作成し、
前記作成された波長の組合せについて前記エッチングの時間における前記プラズマの発光強度を求めるための時間区間を設定し、
前記設定された時間区間の発光強度を用いて前記エッチングの結果を予測するための第一の予測誤差を前記作成された波長の組合せの各々について求め、
前記求められた第一の予測誤差に基づいて波長と時間区間の組合せを選択することを特徴とするデータ解析方法。 - 請求項1に記載のデータ解析方法において、
前記選択された波長の組合せに対応する時間区間をさらに探索し、
前記探索された時間区間の発光強度を用いて前記エッチングの結果を予測するための第二の予測誤差を前記選択された波長の組合せの各々について求め、
前記求められた第二の予測誤差が最小となる波長と時間区間の組合せを選択することを特徴とするデータ解析方法。 - 請求項2に記載のデータ解析方法において、
前記選択された波長と時間区間の組合せおよび前記第二の予測誤差を出力部の画面上に表示することを特徴とするデータ解析方法。 - プラズマを用いて試料をエッチングし、
前記プラズマの発光における波長帯域の中から波長の組合せを作成し、
前記作成された波長の組合せについて前記エッチングの時間における前記プラズマの発光強度を求めるための時間区間を設定し、
前記設定された時間区間の発光強度を用いて前記エッチングの結果を予測するための第一の予測誤差を前記作成された波長の組合せの各々について求め、
前記求められた第一の予測誤差に基づいて波長と時間区間の組合せを選択し、
前記選択された波長と時間区間の組合せにおけるエッチング処理結果の予測値を用いてエッチング処理条件を調整することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項4に記載のプラズマエッチング方法において、
前記選択された波長の組合せに対応する時間区間をさらに探索し、
前記探索された時間区間の発光強度を用いて前記エッチングの結果を予測するための第二の予測誤差を前記選択された波長の組合せの各々について求め、
前記求められた第二の予測誤差が最小となる波長と時間区間の組合せを選択することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項5に記載のプラズマエッチング方法において、
前記選択された波長と時間区間の組合せおよび前記第二の予測誤差を出力部の画面上に表示することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - プラズマを用いて試料がエッチングにより処理される処理室と、前記プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料が載置される試料台と、前記プラズマの発光がモニタされるプラズマ発光モニタ部とを備えるプラズマ処理装置において、
前記プラズマ発光モニタ部によりモニタされた前記プラズマの発光における波長帯域の中から波長の組合せが作成され、
前記作成された波長の組合せについて前記エッチングの時間における前記プラズマの発光強度を求めるための時間区間が設定され、
前記設定された時間区間の発光強度を用いて前記エッチングの結果を予測するための第一の予測誤差が前記作成された波長の組合せの各々について求められ、
前記求められた第一の予測誤差に基づいて波長と時間区間の組合せが選択される解析部をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項7に記載のプラズマ処理装置において、
前記解析部により、前記選択された波長の組合せに対応する時間区間がさらに探索され、
前記探索された時間区間の発光強度を用いて前記エッチングの結果を予測するための第二の予測誤差が前記選択された波長の組合せの各々について求められ、
前記求められた第二の予測誤差が最小となる波長と時間区間の組合せが選択されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項8に記載のプラズマ処理装置において、
前記選択された波長と時間区間の組合せおよび前記第二の予測誤差が出力される出力部をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
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JP2014146805A JP6220319B2 (ja) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | データ解析方法及びプラズマエッチング方法並びにプラズマ処理装置 |
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US15/074,204 US9443704B2 (en) | 2014-07-17 | 2016-03-18 | Data analysis method for plasma processing apparatus, plasma processing method and plasma processing apparatus |
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---|---|---|---|---|
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JP4227301B2 (ja) * | 1998-02-03 | 2009-02-18 | 東京エレクトロンAt株式会社 | 半導体プラズマ処理における終点検出方法 |
JP4128339B2 (ja) | 2001-03-05 | 2008-07-30 | 株式会社日立製作所 | 試料処理装置用プロセスモニタ及び試料の製造方法 |
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JP2009064814A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP5192850B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2013-05-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング終点判定方法 |
JP5026326B2 (ja) * | 2008-04-04 | 2012-09-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング処理状態の判定方法、システム |
US8158017B2 (en) * | 2008-05-12 | 2012-04-17 | Lam Research Corporation | Detection of arcing events in wafer plasma processing through monitoring of trace gas concentrations |
JP5383265B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2014-01-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング装置、分析装置、エッチング処理方法、およびエッチング処理プログラム |
JP6002487B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 分析方法、分析装置、及びエッチング処理システム |
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2014
- 2014-07-17 JP JP2014146805A patent/JP6220319B2/ja active Active
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- 2016-03-18 US US15/074,204 patent/US9443704B2/en active Active
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