JP2017017067A5 - - Google Patents

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Claims (25)

  1. 試料がプラズマ処理される処理室と、
    プラズマの発光データを取得するプロセスモニタと、
    前記発光データを解析するデータ解析装置とを備えるプラズマ処理装置において、
    前記データ解析装置は、解析対象の前記プラズマのエレメントに対応する発光の波長毎に前記プラズマ処理の時間を分割して区切られた時間区間の各々に対して前記エレメントに対応する発光の波長の発光強度と前記試料の処理枚数との相関データを求め、前記求められた相関データを指標として前記エレメントに対応する発光の波長と前記時間区間との組み合わせを特定することを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
    前記データ解析装置は、
    前記試料の所定枚数のプラズマ処理を一単位とするロット毎に前記相関データを求めることを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 請求項に記載のプラズマ処理装置において、
    前記相関データは、前記エレメントに対応する発光の波長の発光強度と前記試料の処理枚数との相関の方向に対応するデータを含み、
    前記データ解析装置は、前記エレメントの中から前記相関の方向が一致するエレメントを特定することを特徴とするプラズマ処理装置。
  4. 請求項に記載のプラズマ処理装置において、
    前記データ解析装置は、外乱により前記発光強度が変化する時間区間を前記解析対象の時間区間から除外して前記相関データを求めることを特徴とするプラズマ処理装置。
  5. 請求項2に記載のプラズマ処理装置において、
    前記発光強度は、前記時間区間における前記発光強度の平均値であることを特徴とするプラズマ処理装置。
  6. 請求項2に記載のプラズマ処理装置において、
    前記解析対象の時間区間は、前記プラズマの発光強度が安定した状態の安定区間を分割して区切られた時間区間であることを特徴とするプラズマ処理装置。
  7. 請求項に記載のプラズマ処理装置において、
    前記特定された、前記エレメントに対応する発光の波長と前記時間区間との組み合わせに基づいたRun−to−Run制御を行う制御部をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
  8. 請求項に記載のプラズマ処理装置において、
    前記制御部は、前記発光強度の平均値が閾値を超えた場合、アラームを発することを特徴とするプラズマ処理装置。
  9. 請求項7に記載のプラズマ処理装置において、
    前記制御部は、前記特定された、前記エレメントに対応する発光の波長と前記時間区間との組み合わせにおける波長の発光強度の平均値と、予め定められた発光強度の目標値と、の差分が所定の差分以下となるようにプラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータを駆動させることを特徴とするプラズマ処理装置
  10. 試料がプラズマ処理されるプラズマ処理装置から得られたプラズマの発光データが解析される演算部とデータが入出力される入出力部とを備えるデータ解析装置において、
    前記演算部は、解析対象の前記プラズマのエレメントに対応する発光の波長毎に前記プラズマ処理の時間を分割して区切られた時間区間の各々に対して前記エレメントに対応する発光の波長の発光強度と前記試料の処理枚数との相関データを求め、前記求められた相関データを指標として前記エレメントに対応する発光の波長と前記時間区間との組み合わせを特定し、
    前記入出力部は、前記特定された、前記エレメントに対応する発光の波長と前記時間区間との組み合わせを出力することを特徴とするデータ解析装置。
  11. 請求項10に記載のデータ解析装置において、
    前記演算部は、前記試料の所定枚数のプラズマ処理を一単位とするロット毎に前記相関データを求めることを特徴とするデータ解析装置。
  12. 請求項10に記載のデータ解析装置において、
    前記相関データは、前記エレメントに対応する発光の波長の発光強度と前記試料の処理枚数との相関の方向に対応するデータを含み、
    前記演算部は、前記エレメントの中から前記相関の方向が一致するエレメントを特定することを特徴とするデータ解析装置。
  13. 請求項11に記載のデータ解析装置において、
    前記発光強度は、前記時間区間における前記発光強度の平均値であることを特徴とするデータ解析装置
  14. プラズマを用いて試料を処理するプラズマ処理方法において、
    前記プラズマのエレメントに対応する発光の波長毎に前記処理の時間を分割して区切られた時間区間の各々に対して前記エレメントに対応する発光の波長の発光強度と前記試料の処理枚数との相関データを求める工程と、
    前記求められた相関データを指標として前記エレメントに対応する発光の波長と前記時間区間との組み合わせを特定する工程と、
    前記特定された、前記エレメントに対応する発光の波長と前記時間区間との組み合わせに基づいたRun−to−Run制御を行う工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法
  15. 請求項14に記載のプラズマ処理方法において、
    前記試料の所定枚数の処理を一単位とするロット毎に前記相関データを求めることを特徴とするプラズマ処理方法
  16. 請求項14に記載のプラズマ処理方法において、
    前記相関データは、前記エレメントに対応する発光の波長の発光強度と前記試料の処理枚数との相関の方向に対応するデータを含み、
    前記エレメントの中から前記相関の方向が一致するエレメントが特定されることを特徴とするプラズマ処理方法。
  17. 請求項16に記載のプラズマ処理方法において、
    外乱により前記発光強度が変化する時間区間を前記時間区間から除外して前記相関データを求めることを特徴とするプラズマ処理方法。
  18. 請求項15に記載のプラズマ処理方法において、
    前記発光強度は、前記時間区間における前記発光強度の平均値であることを特徴とするプラズマ処理方法。
  19. 請求項15に記載のプラズマ処理方法において、
    前記時間区間は、前記プラズマの発光強度が安定した状態の安定区間を分割して区切られた時間区間であることを特徴とするプラズマ処理方法。
  20. 請求項14に記載のプラズマ処理方法において、
    前記発光強度の平均値が閾値を超えた場合、アラームを発することを特徴とするプラズマ処理方法。
  21. 請求項14に記載のプラズマ処理方法において、
    前記特定された、前記エレメントに対応する発光の波長と前記時間区間との組み合わせにおける波長の発光強度の平均値と、予め定められた発光強度の目標値と、の差分が所定の差分以下となるようにプラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータを駆動させる工程をさらに有することを特徴とするプラズマ処理方法。
  22. 試料がプラズマ処理されるプラズマ処理装置から得られたプラズマの発光データを解析するデータ解析方法において、
    解析対象の前記プラズマのエレメントに対応する発光の波長毎に前記プラズマ処理の時間を分割して区切られた時間区間の各々に対して前記エレメントに対応する発光の波長の発光強度と前記試料の処理枚数との相関データを求める工程と、
    前記求められた相関データを指標として前記エレメントに対応する発光の波長と前記時間区間との組み合わせを特定する工程とを有することを特徴とするデータ解析方法。
  23. 請求項22に記載のデータ解析方法において、
    前記相関データは、前記試料の所定枚数のプラズマ処理を一単位とするロット毎に求められることを特徴とするデータ解析方法。
  24. 請求項22に記載のデータ解析方法において、
    前記相関データは、前記エレメントに対応する発光の波長の発光強度と前記試料の処理枚数との相関の方向に対応するデータを含み、
    前記エレメントの中から前記相関の方向が一致するエレメントが特定されることを特徴とするデータ解析方法。
  25. 請求項23に記載のデータ解析方法において、
    前記発光強度は、前記時間区間における前記発光強度の平均値であることを特徴とするデータ解析方法。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6173851B2 (ja) * 2013-09-20 2017-08-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 分析方法およびプラズマエッチング装置
DE102017108496B4 (de) * 2017-04-21 2023-06-29 Windmöller & Hölscher Kg Verfahren und Vorrichtungen sowie System zum Auf- und Abwickeln eines Wickels
JP6875224B2 (ja) * 2017-08-08 2021-05-19 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置及び半導体装置製造システム
JP7058129B2 (ja) * 2018-01-17 2022-04-21 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
JP7017985B2 (ja) * 2018-06-05 2022-02-09 株式会社日立製作所 システム及び処理条件の決定方法
JP6935598B1 (ja) * 2019-12-20 2021-09-15 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびウエハ処理方法
JP7413081B2 (ja) * 2020-02-28 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP7467292B2 (ja) 2020-03-13 2024-04-15 東京エレクトロン株式会社 解析装置、解析方法及び解析プログラム

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5928532A (en) * 1996-11-11 1999-07-27 Tokyo Electron Limited Method of detecting end point of plasma processing and apparatus for the same
JP2000208478A (ja) * 1999-01-12 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 処理装置及び処理方法
JP4213871B2 (ja) * 2001-02-01 2009-01-21 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP3905466B2 (ja) * 2002-12-05 2007-04-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
WO2004102642A2 (en) * 2003-05-09 2004-11-25 Unaxis Usa Inc. Envelope follower end point detection in time division multiplexed processes
JP2007214254A (ja) 2006-02-08 2007-08-23 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置
JP5383265B2 (ja) * 2009-03-17 2014-01-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ エッチング装置、分析装置、エッチング処理方法、およびエッチング処理プログラム
JP5334787B2 (ja) 2009-10-09 2013-11-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5688227B2 (ja) * 2010-02-26 2015-03-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ エッチング装置、制御シミュレータ、及び半導体装置製造方法
JP5675195B2 (ja) * 2010-07-20 2015-02-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2013161913A (ja) 2012-02-03 2013-08-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6002487B2 (ja) * 2012-07-20 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 分析方法、分析装置、及びエッチング処理システム
JP6088867B2 (ja) * 2013-03-15 2017-03-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及び分析装置
JP5596832B2 (ja) 2013-07-29 2014-09-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法のRun−to−Run制御方法
JP6173851B2 (ja) 2013-09-20 2017-08-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 分析方法およびプラズマエッチング装置

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