JP6088867B2 - プラズマ処理装置及び分析装置 - Google Patents
プラズマ処理装置及び分析装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6088867B2 JP6088867B2 JP2013052634A JP2013052634A JP6088867B2 JP 6088867 B2 JP6088867 B2 JP 6088867B2 JP 2013052634 A JP2013052634 A JP 2013052634A JP 2013052634 A JP2013052634 A JP 2013052634A JP 6088867 B2 JP6088867 B2 JP 6088867B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- emission intensity
- column
- etching
- information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 103
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 49
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 48
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 33
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 8
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 40
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000001636 atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
- G01N21/68—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence using high frequency electric fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/443—Emission spectrometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32972—Spectral analysis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
Description
本発明では図1のエッチング装置の構成図に示すように、エッチング装置1は、エッチング部10と分析部20と入力部30と出力部31と通信IF部32とを有しこれらはバス33を介して相互に接続されている。
エッチング部10はプラズマ加工部11と分光器(OES)12と制御部13とIF部14とを備え、図2に示すようにプラズマ加工部11は、チャンバ111と電極112a及び112bと窓115とガス供給器117とを備えている。制御部13からの指示によってプラズマ加工部11は、ウェハ114をチャンバ111の内部に格納し、ガス供給器117からエッチングガスを供給し、電極112a及び112bを用いて電圧をかけることによってプラズマ化したガス113をウェハ114に衝突させることでウェハ114を加工する。ガス113は、ガス供給器117から供給されたエッチングガスに含まれるエレメントやウェハ114から加工の過程で発生したエレメントを含んでおり、ガスに含まれているエレメントに応じた波長の光116を発生させる。発生した光は窓115を通して分光器(OES)12にて計測される。
図3に分光器(OES)12にて計測されたOESデータの例を示す。OESデータは、波長と時間の2次元の要素を持ち、各波長、各時間についてそれぞれ計測された発光強度の値を表している。図4は特定の時点における各波長の発光強度、もしくは、特定の時間幅における各波長の発光強度の平均値を示す。図4に示す値、つまり、特定の時点における各波長の発光強度、もしくは、特定の時間幅における各波長の発光強度の平均値は、後述のエッチング処理結果記憶領域23に格納される。
図1に示すように、分析部20は、演算部21と記憶部22とIF部210を備え、記
憶部22は、エッチング処理結果記憶領域23と、エレメント波長対応表記憶領域24と、閾値記憶領域25と、エレメント発光状態記憶領域26と、推奨波長記憶領域27と、を備えている。
[分析部20の分析処理]
図10は、分析者による処理と、分析部20の主に演算部21による分析処理と、を示す。S101等のS1で始まる処理は分析者による処理ステップを示し、S201等のS2で始まる処理は分析部20による分析処理を示す。図10を用いて、分析処理を説明する。
分析者は、発光データとエッチング処理結果との関係を分析する場合には、まず図11に示す入力画面にて、分析対象として指定するエレメントをエレメント候補(D101)より選択し、指定するエレメントには分析対象(D102)に「○」を入力する。また、分析者は分析対象となるウェハIDを分析対象ウェハID(D103)に入力する。入力後、分析者は、分析対象波長を選択する(D104)のボタンをクリックする。これにより、分析部20による分析処理が開始される。以降では分析対象ウェハID(D103)に入力された値をWIDと呼ぶ。
演算部21は、分析対象(D102)にて「○」が入力されたエレメントに上の行から順にi=1、2、・・・、nとなるように番号をつける。以降では、「○」が入力されたエレメントのうち、上からi番目にあるものをi番目のエレメントと呼ぶ。
S201では、演算部21は、i番目のエレメントについて、エレメント発光状態テーブル26aの指定エレメント欄26dと発光強度欄26eに計算上必要な値を格納する。まず、演算部21は、エレメント発光状態テーブル26aのエレメント欄26bに格納された値を確認し、格納された値がi番目のエレメントと等しい行について、指定エレメント欄26dに「○」を格納する。
S202では、演算部21は、i番目のエレメントについて、エレメント波長対応表テーブル24aの順位欄24eと、エレメント発光状態テーブル26aの順位欄26fに計算上必要な値を格納する。
S203では、演算部21は、i番目のエレメントについて、エレメント波長対応表テーブル24aの順位欄24eに格納された値と、エレメント発光状態テーブル26aの順位欄26fに格納された値とを用いて、発光強度類似度を算出する。
・初期の順列A:「308.2」「394.4」「396」
・入替え1回目:「308.2」「396」「394.4」
(「396」と「394.4」を入替え)
・入替え2回目:「396」「308.2」「394.4」
(「396」と「308.2」を入替え)
・入替え3回目:「396」「394.4」「308.2」」
(「394.4」と「308.2」を入替え)
この入れ替えの回数を、順列Aの要素数で割り、1から引いたものを、i番目のエレメントにおける発光強度類似度と計算する。図6、図8の実施例においてエレメントAlを対象とする場合には、発光強度類似度は、1−3/3で0と計算される。
S204では、演算部21は、発光強度類似度に基づいて次に実行する処理を決定する。演算部21は、発光強度類似度が閾値テーブル25aの閾値1欄25bに格納された値以上である場合には、次にS205の処理を行う。演算部21は、発光強度類似度が閾値テーブル25aの閾値1欄25bに格納された値より小さい場合には、次にS207の処理を行う。尚、閾値欄には閾値1以外に閾値2等複数の値を準備しておき、これらの値を切り替えて使用することも可能である。
S205では、演算部21は、推奨波長テーブル27aの推奨エレメント欄27dに値を格納する。演算部21は、推奨波長テーブル27aのエレメント欄27bに格納された値がi番目のエレメントと等しい行(単数または複数)を特定し、推奨エレメント欄27dの当該行に推奨エレメントであることを示す「○」を格納する。
S206では、演算部21は、推奨波長テーブル27aの推奨波長欄27eに値を格納する。演算部21は、推奨波長テーブル27aのエレメント欄27bに格納された値がi番目のエレメントと等しい行(単数または複数)を特定し、当該行において、順位欄27fがあらかじめ設定された順位(本実施例では1位)までの行を特定し、波長欄27cのうち当該順位までのものを特定する。特定された波長を上位の波長と呼ぶ。
演算部21は、D102にて全ての指定されたエレメントについて処理を行った場合には、次のS208の処理を行う。それ以外の場合には、i=i+1としてS201の処理に戻り、次に指定されたエレメントについて発光強度類似度の算出処理などを行う。
全ての指定されたエレメントについて処理をした後に、演算部21は、推奨波長の表示をする。演算部21は、出力部31もしくは通信IF部32を通して外部の出力装置に、図13に示す表示画面を表示する。
分析者は、演算部21が図13に示す画面を表示すると、表示された波長を確認し、その後の処理を決定する。分析者は、複数のエッチング処理(ウエハ毎の処理)における発光強度の変化を分析する場合には、D205に示すボタンを押す。
D205に示すボタンが押された場合には、演算部21は、出力部31もしくは通信IF部32を通して外部の出力装置に、図14に示す画面を表示する。D206に示すボタンが押された場合には、演算部21は、出力部31もしくは通信IF部32を通して外部の出力装置に、図15に示す画面を表示する。D207に示すボタンが押された場合には、演算部21は、出力部31もしくは通信IF部32を通して外部の出力装置に、図16に示す画面を表示する。
まず図14について説明する。D301には、図13のD204に表示された情報のうち、エレメント名を示す情報が表示される。D302には、図13のD204に表示された情報のうち、エレメントの発光する波長を示す情報が表示される。D303には、図13のD204に表示された情報のうち、ピークの波長を示す情報が表示される。
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
Claims (12)
- ウェハがプラズマエッチングされる処理室と、前記プラズマエッチング中のプラズマの発光を計測する分光器と、所定のエレメントが発光する複数の波長の発光強度に関する情報を予め格納する記憶部と演算部を具備する分析部と、を備えるプラズマ処理装置において、
前記演算部は、分析対象として指定され入力されたエレメントが発光する複数の波長近傍の発光強度を前記分光器により計測されたエッチング中の発光の情報から算出し、
前記算出された発光強度の大きさにおける波長毎の順位を算出し、
前記記憶部に予め格納された波長毎の発光強度の大きさにおける順位と前記算出された順位との差を求め、
前記差が所定値より小さい場合、前記算出された発光強度に対応する波長を前記エレメントに関連する波長として抽出することを特徴とするプラズマ処理装置。 - ウェハがプラズマエッチングされる処理室と、前記プラズマエッチング中のプラズマの発光を計測する分光器と、所定のエレメントが発光する複数の波長の発光強度に関する情報を予め格納する記憶部と演算部を具備する分析部と、を備えるプラズマ処理装置において、
前記演算部は、分析対象として指定され入力されたエレメントが発光する複数の波長近傍の発光強度を前記分光器により計測されたエッチング中の発光の情報から算出し、
前記算出された発光強度の大きさにおける波長毎の順位を算出し、
発光強度の大きさに基づいて求められた波長毎の発光強度の大きさにおける前記記憶部に予め格納された順位と前記算出された順位との差を求め、
前記差が所定値より小さい場合、前記算出された発光強度に対応する波長を前記エレメントに関連する波長として抽出することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置において、
前記演算部は、前記抽出された波長およびプラズマエッチングされたウェハの検査結果または測定された形状の寸法を示す情報を出力することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3に記載のプラズマ処理装置において、
前記演算部は、複数のウェハの検査結果または測定された形状寸法を示す情報の統計処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置において、
前記演算部は、前記分光器により計測された発光を示すグラフに前記抽出された波長と前記抽出された波長に対応するエレメントを表示することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置において、
前記演算部は、前記抽出された波長と前記抽出された波長に対応するエレメントとエッチング回数に応じて測定された発光強度の情報を出力することを特徴とするプラズマ処理装置。 - ウェハがプラズマエッチングされるプラズマ処理装置から取得されたデータを分析し、所定のエレメントが発光する複数の波長の発光強度に関する情報を予め格納する記憶部と演算部を備える分析装置において、
前記演算部は、分析対象として指定され入力されたエレメントが発光する複数の波長近傍の発光強度を前記プラズマ処理装置により計測されたエッチング中の発光の情報から算出し、
前記算出された発光強度の大きさにおける波長毎の順位を算出し、
前記記憶部に予め格納された波長毎の発光強度の大きさにおける順位と前記算出された順位との差を求め、
前記差が所定値より小さい場合、前記算出された発光強度に対応する波長を前記エレメントに関連する波長として抽出することを特徴とする分析装置。 - ウェハがプラズマエッチングされるプラズマ処理装置から取得されたデータを分析し、所定のエレメントが発光する複数の波長の発光強度に関する情報を予め格納する記憶部と演算部を備える分析装置において、
前記演算部は、分析対象として指定され入力されたエレメントが発光する複数の波長近傍の発光強度を前記プラズマ処理装置により計測されたエッチング中の発光の情報から算出し、
前記算出された発光強度の大きさにおける波長毎の順位を算出し、
発光強度の大きさに基づいて求められた波長毎の発光強度の大きさにおける前記記憶部に予め格納された順位と前記算出された順位との差を求め、
前記差が所定値より小さい場合、前記算出された発光強度に対応する波長を前記エレメントに関連する波長として抽出することを特徴とする分析装置。 - 請求項7または請求項8に記載の分析装置において、
前記演算部は、前記抽出された波長およびプラズマエッチングされたウェハの検査結果または測定された形状の寸法を示す情報を出力することを特徴とする分析装置。 - 請求項9に記載の分析装置において、
前記演算部は、複数のウェハの検査結果または測定された形状寸法を示す情報の統計処理を行うことを特徴とする分析装置。 - 請求項7または請求項8に記載の分析装置において、
前記演算部は、前記プラズマ処理装置により計測された発光を示すグラフに前記抽出された波長と前記抽出された波長に対応するエレメントを表示することを特徴とする分析装置。 - 請求項7または請求項8に記載の分析装置において、
前記演算部は、前記抽出された波長と前記抽出された波長に対応するエレメントとエッチング回数に応じて測定された発光強度の情報を出力することを特徴とする分析装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013052634A JP6088867B2 (ja) | 2013-03-15 | 2013-03-15 | プラズマ処理装置及び分析装置 |
US14/023,831 US9464936B2 (en) | 2013-03-15 | 2013-09-11 | Plasma processing apparatus and analyzing apparatus |
KR20130110924A KR101495621B1 (ko) | 2013-03-15 | 2013-09-16 | 플라즈마 장치 및 분석 장치 |
TW102133692A TWI523102B (zh) | 2013-03-15 | 2013-09-17 | 電漿處理裝置及分析裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013052634A JP6088867B2 (ja) | 2013-03-15 | 2013-03-15 | プラズマ処理装置及び分析装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014179474A JP2014179474A (ja) | 2014-09-25 |
JP2014179474A5 JP2014179474A5 (ja) | 2016-01-07 |
JP6088867B2 true JP6088867B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=51522142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013052634A Active JP6088867B2 (ja) | 2013-03-15 | 2013-03-15 | プラズマ処理装置及び分析装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9464936B2 (ja) |
JP (1) | JP6088867B2 (ja) |
KR (1) | KR101495621B1 (ja) |
TW (1) | TWI523102B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230012457A (ko) | 2021-07-14 | 2023-01-26 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치, 데이터 해석 장치 및 반도체 장치 제조 시스템 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6239294B2 (ja) | 2013-07-18 | 2017-11-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法 |
JP6173851B2 (ja) * | 2013-09-20 | 2017-08-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 分析方法およびプラズマエッチング装置 |
JP6549917B2 (ja) | 2015-06-26 | 2019-07-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびそのデータ解析装置 |
EP3362780B1 (en) * | 2015-10-16 | 2019-12-04 | Inficon GmbH | Optical detection of tracer gases in a gas discharge cell having unexposed electrodes |
CN113302722B (zh) | 2019-12-23 | 2023-12-08 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理方法以及等离子处理中使用的波长选择方法 |
WO2022195662A1 (ja) * | 2021-03-15 | 2022-09-22 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4801209A (en) * | 1986-01-17 | 1989-01-31 | The Boc Group, Inc. | Process and apparatus for analyzing a gaseous mixture and a visible emission spectrum generator therefor |
US5546322A (en) * | 1994-04-12 | 1996-08-13 | International Business Machines Corporation | Method and system for analyzing plasma data |
JPH09306894A (ja) * | 1996-05-17 | 1997-11-28 | Sony Corp | 最適発光スペクトル自動検出システム |
JPH1116889A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理終点検出方法及び終点検出装置 |
JP3708031B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2005-10-19 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置および処理方法 |
US6864109B2 (en) * | 2003-07-23 | 2005-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for determining a component concentration of an integrated circuit feature |
JP4086190B2 (ja) | 2003-09-02 | 2008-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 発光スペクトルの起因物質特定支援装置及び支援方法 |
JP5383265B2 (ja) | 2009-03-17 | 2014-01-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング装置、分析装置、エッチング処理方法、およびエッチング処理プログラム |
JP5778893B2 (ja) | 2010-03-19 | 2015-09-16 | 株式会社東芝 | 終点検出装置、プラズマ処理装置および終点検出方法 |
-
2013
- 2013-03-15 JP JP2013052634A patent/JP6088867B2/ja active Active
- 2013-09-11 US US14/023,831 patent/US9464936B2/en active Active
- 2013-09-16 KR KR20130110924A patent/KR101495621B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-17 TW TW102133692A patent/TWI523102B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230012457A (ko) | 2021-07-14 | 2023-01-26 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치, 데이터 해석 장치 및 반도체 장치 제조 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9464936B2 (en) | 2016-10-11 |
KR101495621B1 (ko) | 2015-02-25 |
TW201436030A (zh) | 2014-09-16 |
JP2014179474A (ja) | 2014-09-25 |
KR20140113273A (ko) | 2014-09-24 |
US20140262029A1 (en) | 2014-09-18 |
TWI523102B (zh) | 2016-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6088867B2 (ja) | プラズマ処理装置及び分析装置 | |
JP6002487B2 (ja) | 分析方法、分析装置、及びエッチング処理システム | |
JP5383265B2 (ja) | エッチング装置、分析装置、エッチング処理方法、およびエッチング処理プログラム | |
CN105679688B (zh) | 在多模式脉冲处理中检测处理点的系统和方法 | |
WO2013031881A1 (ja) | 解析装置、解析方法、記憶媒体 | |
JP6220319B2 (ja) | データ解析方法及びプラズマエッチング方法並びにプラズマ処理装置 | |
US20220328286A1 (en) | Analysis method and semiconductor etching apparatus | |
JP6875224B2 (ja) | プラズマ処理装置及び半導体装置製造システム | |
JP6549917B2 (ja) | プラズマ処理装置およびそのデータ解析装置 | |
US20180267964A1 (en) | Causal analysis device, causal analysis method, and non-transitory computer readable storage medium | |
TW201627785A (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法以及解析方法 | |
JP2019531479A (ja) | 測定対象のサンプルの組成を正確に定量化するためのシステムおよび方法 | |
KR20200125491A (ko) | 학습 방법, 관리 장치 및 관리 프로그램 | |
JP6166120B2 (ja) | データ処理装置、測定装置、選別装置、データ処理方法およびプログラム | |
US20120298852A1 (en) | Systems and computer program products for mass spectrometry | |
US20240203712A1 (en) | Plasma processing apparatus, data analysis apparatus, and semiconductor device manufacturing system | |
US9666421B2 (en) | Mass spectrometry data display device and mass spectrometry data display program | |
US10330652B2 (en) | Automatic analysis method, automatic analysis apparatus, and program for the automatic analysis apparatus each using multivariate curve resolution | |
JP2021076499A (ja) | マススペクトル処理装置及び方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151111 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151211 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151211 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161004 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6088867 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |