JP2000208478A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 連続エッチング処理を開始する前の処理休止
時間の長さに関わらず連続エッチング処理の開始直後か
ら所定のエッチング量が得られるようにする。 【解決手段】 連続エッチング処理を行なう基板処理部
１０と基板処理部１０における連続エッチング処理を制
御するコントローラ２０とが通信手段３０を介して接続
されている。コントローラ２０は、連続エッチング処理
を開始する前の処理休止時間を測定する処理休止時間測
定手段２１と、連続エッチング処理に含まれる各エッチ
ング処理を行なったときのエッチング量が所定値になる
ように、測定された処理休止時間に基づき連続エッチン
グ処理に含まれる各エッチング処理を行なうときの処理
条件を算出する処理条件算出手段２２と、算出された処
理条件に基づき連続エッチング処理を制御する処理制御
手段２３とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、連続する複数回の
処理である連続処理を行なう処理装置及びその処理方法
に関し、特に枚葉式ドライエッチング装置及び該枚葉式
ドライエッチング装置を用いたドライエッチング方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの製造装置の１つ
であるドライエッチング装置においては、半導体基板を
１枚づつエッチング処理する枚葉式ドライエッチング装
置が主流となってきている。

【０００３】また、半導体デバイスの微細化に伴い、ド
ライエッチング装置に要求される加工精度は年々高くな
ってきている。

【０００４】枚葉式ドライエッチング装置を用いて連続
エッチング処理を行なうと、ドライエッチングプロセス
に伴って真空チャンバ内において物理的又は化学的な反
応が生じるため、連続エッチング処理の開始後から真空
チャンバ内の温度つまり被エッチング物の処理温度が次
第に上昇して、これに伴って、エッチングレート等のエ
ッチング特性が変化するという傾向がみられる。

【０００５】図７は、半導体基板等の被エッチング物に
対して連続エッチング処理を行なったときの、連続エッ
チング処理に含まれる各エッチング処理における被エッ
チング物の処理温度の変化を示す図である。図７におい
て、横軸はエッチング処理の回数を示し、縦軸は被エッ
チング物の処理温度を示している。

【０００６】図７に示すように、連続エッチング処理を
開始してから数回（数枚）エッチング処理を行なった後
に、真空チャンバ内が熱的平衡状態に達して被エッチン
グ物の処理温度が安定する。

【０００７】尚、図７において、ａは、連続エッチング
処理の開始直後の被エッチング物の処理温度と、真空チ
ャンバ内が熱的平衡状態に達した後の被エッチング物の
処理温度との間の温度差を示している。

【０００８】図８は、Ｃｌ₂ 系のエッチングガスを用い
て、Ｐ型Ｓｉ基板に対して連続エッチング処理を行なっ
たときの、連続エッチング処理に含まれる各エッチング
処理によるエッチング量の変化を示す図である。図８に
おいて、横軸はエッチング処理の回数を示し、縦軸は単
位時間当たりのエッチング量つまりエッチングレートを
示している。

【０００９】図８に示すように、連続エッチング処理に
含まれる各エッチング処理を行なったときのエッチング
量の変化の様子は、図７に示す連続エッチング処理に含
まれる各エッチング処理における被エッチング物の処理
温度の変化の様子に類似している。すなわち、連続エッ
チング処理に含まれる各エッチング処理を行なうときの
エッチング時間を一定にすると、連続エッチング処理の
開始直後のエッチング処理を行なったときのエッチング
量は相対的に小さい一方、エッチング処理を行なう毎に
エッチング量は増大して、数回のエッチング処理を行な
った後に連続エッチング処理に含まれる各エッチング処
理において所定のエッチング量が得られるようになる。

【００１０】尚、同一の枚葉式ドライエッチング装置に
おいて、実行対象となる連続エッチング処理を開始する
場合、該連続エッチング処理を開始する時刻と、該連続
エッチング処理を開始する前に行なわれた他の連続エッ
チング処理を終了した時刻との間の処理休止時間が長く
なるに従って、連続エッチング処理における図７のａに
示す温度差が拡大する。このため、連続エッチング処理
の開始直後のエッチング処理によるエッチング量が一層
小さくなるので、真空チャンバ内が熱的平衡状態に達し
て連続エッチング処理に含まれる各エッチング処理にお
いて所定のエッチング量が得られるようになるまでに行
なう必要があるエッチング処理の回数が増加する。

【００１１】以上に説明したように、枚葉式ドライエッ
チング装置を用いて連続エッチング処理を行なう場合、
連続エッチング処理の開始直後のエッチング処理におい
ては所望のエッチング特性が得られないという弊害が生
じていた。

【００１２】そこで、従来、枚葉式ドライエッチング装
置を用いて連続エッチング処理を行なう場合は、連続エ
ッチング処理の開始後、真空チャンバ内が熱的平衡状態
に達するまでの間、半導体基板上の被エッチング膜材料
又は半導体素子パターン等の本来の被エッチング物と同
様の構造を有するダミーの被エッチング物（以下、ダミ
ーと称する）に対して数回エッチング処理を行ない、そ
の後、熱的平衡状態に達した真空チャンバ内において本
来の被エッチング物に対してエッチング処理を行なうと
いう方法等が利用されてきた。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、同一の
枚葉式ドライエッチング装置を用いて連続エッチング処
理を行なう場合、ドライエッチング工程よりも前に行な
われる工程に用いられる他の処理装置のスループット又
は進行状況等の影響により、不規則な処理休止時間を挟
んで不定期に連続エッチング処理を行なうことになる。
このため、連続エッチング処理毎に、多数のダミーを準
備する必要が生じるので、ダミーに要する費用が増大す
ると共に、本来の被エッチング物とは別にダミーを枚葉
式ドライエッチング装置に装填する作業が煩雑になると
いう問題があった。

【００１４】前記に鑑み、本発明は、連続エッチング処
理を開始する前の処理休止時間の長さに関わらず連続エ
ッチング処理の開始直後から所定のエッチング量が得ら
れるようにすることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る第１の処理装置は、連続する複数回の
処理である連続処理を行なう処理装置を前提とし、実行
対象となる一の連続処理を開始する時刻と、該一の連続
処理を開始する前に行なわれた他の連続処理を終了した
時刻との間の処理休止時間を測定する処理休止時間測定
手段と、一の連続処理に含まれる各処理を行なったとき
の処理結果が所定の処理結果になるように、処理休止時
間測定手段が測定した処理休止時間に基づき、一の連続
処理に含まれる各処理を行なうときの処理条件を算出す
る処理条件算出手段と、処理条件算出手段が算出した処
理条件に基づき、一の連続処理に含まれる各処理を行な
う処理制御手段とを備えている。

【００１６】第１の処理装置によると、実行対象となる
一の連続処理に含まれる各処理を行なったときの処理結
果が所定の処理結果になるように、一の連続処理を開始
する前の処理休止時間に基づき、一の連続処理に含まれ
る各処理を行なうときの処理条件を算出して連続処理を
行なうので、連続処理を開始する前の処理休止時間の長
さに関わらず連続処理の開始直後の処理においても所定
の処理結果を得ることができる。

【００１７】本発明に係る第２の処理装置は、連続する
複数回のエッチング処理である連続エッチング処理を行
なう処理装置を前提とし、実行対象となる一の連続エッ
チング処理を開始する時刻と、該一の連続エッチング処
理を開始する前に行なわれた他の連続エッチング処理を
終了した時刻との間の処理休止時間を測定する処理休止
時間測定手段と、一の連続エッチング処理に含まれる各
エッチング処理を行なったときのエッチング量が所定値
になるように、処理休止時間測定手段が測定した処理休
止時間に基づき、一の連続エッチング処理に含まれる各
エッチング処理を行なうときの処理条件を算出する処理
条件算出手段と、処理条件算出手段が算出した処理条件
に基づき、一の連続エッチング処理に含まれる各エッチ
ング処理を行なう処理制御手段とを備えている。

【００１８】第２の処理装置によると、実行対象となる
一の連続エッチング処理に含まれる各エッチング処理を
行なったときのエッチング量が所定値になるように、一
の連続エッチング処理を開始する前の処理休止時間に基
づき、一の連続エッチング処理に含まれる各エッチング
処理を行なうときの処理条件を算出して連続エッチング
処理を行なうので、連続エッチング処理を開始する前の
処理休止時間の長さに関わらず連続エッチング処理の開
始直後のエッチング処理においても所定のエッチング量
を得ることができる。

【００１９】第２の処理装置において、処理条件は一の
連続エッチング処理に含まれる各エッチング処理を行な
うときのエッチング時間であり、処理条件算出手段は、
一の連続エッチング処理と同一の条件下において予め求
められた処理休止時間の長さとエッチングレートの大き
さとの相関データを用いて、一の連続エッチング処理に
含まれる各エッチング処理を行なうときのエッチング時
間を算出する手段を有することが好ましい。

【００２０】本発明に係る第１の処理方法は、連続する
複数回の処理である連続処理を行なう処理方法を前提と
し、実行対象となる一の連続処理を開始する時刻と、該
一の連続処理を開始する前に行なわれた他の連続処理を
終了した時刻との間の処理休止時間を測定する処理休止
時間測定工程と、一の連続処理に含まれる各処理を行な
ったときの処理結果が所定の処理結果になるように、処
理休止時間測定工程において測定された処理休止時間に
基づき、一の連続処理に含まれる各処理を行なうときの
処理条件を算出する処理条件算出工程と、処理条件算出
工程において算出された処理条件に基づき、一の連続処
理に含まれる各処理を行なう処理制御工程とを備えてい
る。

【００２１】第１の処理方法によると、実行対象となる
一の連続処理に含まれる各処理を行なったときの処理結
果が所定の処理結果になるように、一の連続処理を開始
する前の処理休止時間に基づき、一の連続処理に含まれ
る各処理を行なうときの処理条件を算出して連続処理を
行なうので、連続処理を開始する前の処理休止時間の長
さに関わらず連続処理の開始直後の処理においても所定
の処理結果を得ることができる。

【００２２】本発明に係る第２の処理方法は、連続する
複数回のエッチング処理である連続エッチング処理を行
なう処理方法を前提とし、実行対象となる一の連続エッ
チング処理を開始する時刻と、該一の連続エッチング処
理を開始する前に行なわれた他の連続エッチング処理を
終了した時刻との間の処理休止時間を測定する処理休止
時間測定工程と、一の連続エッチング処理に含まれる各
エッチング処理を行なったときのエッチング量が所定値
になるように、処理休止時間測定工程において測定され
た処理休止時間に基づき、一の連続エッチング処理に含
まれる各エッチング処理を行なうときの処理条件を算出
する処理条件算出工程と、処理条件算出工程において算
出された処理条件に基づき、一の連続エッチング処理に
含まれる各エッチング処理を行なう処理制御工程とを備
えている。

【００２３】第２の処理方法によると、実行対象となる
一の連続エッチング処理に含まれる各エッチング処理を
行なったときのエッチング量が所定値になるように、一
の連続エッチング処理を開始する前の処理休止時間に基
づき、一の連続エッチング処理に含まれる各エッチング
処理を行なうときの処理条件を算出して連続エッチング
処理を行なうので、連続エッチング処理を開始する前の
処理休止時間の長さに関わらず連続エッチング処理の開
始直後のエッチング処理においても所定のエッチング量
を得ることができる。

【００２４】第２の処理方法において、処理条件は一の
連続エッチング処理に含まれる各エッチング処理を行な
うときのエッチング時間であり、処理条件算出工程は、
一の連続エッチング処理と同一の条件下において予め求
められた処理休止時間の長さとエッチングレートの大き
さとの相関データを用いて、一の連続エッチング処理に
含まれる各エッチング処理を行なうときのエッチング時
間を算出する工程を含むことが好ましい。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
ドライエッチング装置及びドライエッチング方法につい
て、図面を参照しながら説明する。

【００２６】図１は、一実施形態に係るドライエッチン
グ装置のブロック図であり、図２は、一実施形態に係る
ドライエッチング方法のフロー図である。

【００２７】図１に示すように、一実施形態に係るドラ
イエッチング装置においては、被エッチング物に対して
連続エッチング処理を行なう基板処理部１０と、基板処
理部１０における連続エッチング処理を制御するコント
ローラ２０とが、通信手段３０を介して接続されてい
る。

【００２８】基板処理部１０は、コントローラ２０との
間で信号等の送受信を行なうと共に、コントローラ２０
からの指示に基づき連続エッチング処理を制御する中央
制御装置１１を備えている。

【００２９】コントローラ２０は、タイマーを内蔵し、
実行対象となる一の連続エッチング処理を開始する時刻
と、該一の連続エッチング処理を開始する前に行なわれ
た他の連続エッチング処理を終了した時刻との間の処理
休止時間を測定する処理休止時間測定手段２１と、一の
連続エッチング処理に含まれる各エッチング処理を行な
ったときのエッチング量が所定値になるように、処理休
止時間測定手段２１が測定した処理休止時間に基づき、
一の連続エッチング処理に含まれる各エッチング処理を
行なうときの処理条件を算出する処理条件算出手段２２
と、処理条件算出手段２２が算出した処理条件に基づ
き、基板処理部１０における連続エッチング処理を制御
する処理制御手段２３とを備えている。

【００３０】また、コントローラ２０においては、処理
休止時間測定手段２１と処理制御手段２３、及び処理条
件算出手段２２と処理制御手段２３とが配線２４を介し
て接続されており、また、処理制御手段２３は処理休止
時間測定手段２１及び処理条件算出手段２２を統括制御
していると共に、中央制御装置１１に連続エッチング処
理を制御するための指示を通信手段３０を介して送信す
る。

【００３１】尚、図１に示す一実施形態に係るドライエ
ッチング装置においては、基板処理部１０の外部にコン
トローラ２０を設けたが、これに代えて、基板処理部１
０にコントローラ２０を組み込むことにより、基板処理
部１０とコントローラ２０とを一体化させてもよい。

【００３２】以下、前記のドライエッチングを装置を用
いて行なうドライエッチング方法について、特に、連続
エッチング処理に含まれる各エッチング処理を行なった
ときのエッチング量が所定値になるように、連続エッチ
ング処理に含まれる各エッチング処理を行なうときの処
理条件、具体的にはエッチング時間を算出する場合を例
にとって、図２〜５を参照しながら説明する。尚、基板
処理部１０とコントローラ２０とは連動して動作し、ま
た、中央制御装置１１から処理制御手段２３に連続エッ
チング処理の開始信号及び終了信号が通信手段３０を介
して送信されるものとする。

【００３３】まず、処理休止時間測定手段２１は、処理
休止時間測定工程Ｓ１において、実行対象となる一の連
続エッチング処理を開始する時刻と、該一の連続エッチ
ング処理を開始する前に行なわれた他の連続エッチング
処理を終了した時刻との間の処理休止時間を測定する。

【００３４】具体的には、図３に示すように、基板処理
部１０において一の連続エッチング処理を開始する際
に、中央制御装置１１はコントローラ２０に一の連続エ
ッチング処理の開始信号を通信手段３０を介して送信し
た後、一の連続エッチング処理の開始を一時中断する。
コントローラ２０において処理制御手段２３が中央制御
装置１１から送信された一の連続エッチング処理の開始
信号を受信すると、処理休止時間測定手段２１は一の連
続エッチング処理の開始信号の受信時刻つまり処理開始
時刻ｔ₁ と、該一の連続エッチング処理の前に行なわれ
た他の連続エッチング処理の終了信号を受信した時刻で
ある処理終了時刻ｔ₀ との間の処理休止時間Ｔ（＝ｔ₁
−ｔ₀ ）を測定する。

【００３５】次に、処理条件算出手段２２は、処理条件
算出工程Ｓ２において、一の連続エッチング処理に含ま
れる各エッチング処理を行なったときのエッチング量が
所定値になるように、処理休止時間測定工程Ｓ１で測定
された処理休止時間に基づき、一の連続エッチング処理
に含まれる各エッチング処理を行なうときの処理条件つ
まりエッチング時間を算出する。

【００３６】具体的には、図４に示すように、処理休止
時間測定工程Ｓ１で測定された処理休止時間が例えば３
０分以上の場合、一の連続エッチング処理開始後の数回
のエッチング処理によるエッチングレートが、真空チャ
ンバ内が熱的平衡状態に達した後の所定のエッチングレ
ートよりも低くなるので、処理条件算出手段２２は、一
の連続エッチング処理開始後の数回のエッチング処理を
行なうときのエッチング時間が、真空チャンバ内が熱的
平衡状態に達した後の所定のエッチング時間よりも長く
なるようにする。

【００３７】このとき、一の連続エッチング処理開始後
のエッチング処理におけるエッチングレートは、エッチ
ング処理を行なう毎に所定のエッチングレートに近づく
ので、例えば一の連続エッチング処理開始後１回目のエ
ッチング処理を行なうときのエッチング時間を所定のエ
ッチング時間の１．２倍の長さに設定し、また、一の連
続エッチング処理開始後２回目のエッチング処理を行な
うときのエッチング時間を所定のエッチング時間の１．
１倍の長さに設定するというように、一の連続エッチン
グ処理開始後のエッチング処理を行なうときのエッチン
グ時間をエッチング処理回数の増加に伴って所定のエッ
チング時間に近づけるようにする。

【００３８】尚、前記のエッチング時間の算出は、実行
対象となる一の連続エッチング処理と同一の条件下にお
いて、エッチング処理の回数と被エッチング物の処理温
度との相関データ（図７参照）、エッチング処理の回数
とエッチングレートとの相関データ（図８参照）又は処
理休止時間とエッチングレートとの相関データ等を予め
求めておくことにより容易に行なうことができる。ま
た、処理条件算出手段２２が算出したエッチング時間は
処理条件算出手段２２又は処理制御手段２３に記憶され
る。

【００３９】次に、処理制御手段２３は、処理制御工程
Ｓ３において、処理条件算出工程Ｓ２で算出されたエッ
チング時間に基づき基板処理部１０における一の連続エ
ッチング処理を制御する。

【００４０】具体的には、図５に示すように、処理制御
手段２３は、処理条件算出手段２２が算出した一の連続
エッチング処理に含まれる各エッチング処理を行なうと
きのエッチング時間に基づき、中央制御装置１１に記憶
されている一の連続エッチング処理に含まれる各エッチ
ング処理を行なうときのエッチング時間の初期値を通信
手段３０を介して変更した後、中央制御装置１１に一の
連続エッチング処理の再開を通信手段３０を介して指示
する。その後、基板処理部１０において一の連続エッチ
ング処理が終了すると、中央制御装置１１は処理制御手
段２３に一の連続エッチング処理の終了信号を通信手段
３０を介して送信する。コントローラ２０において処理
制御手段２３が中央制御装置１１から送信された一の連
続エッチング処理の終了信号を受信すると、処理制御手
段２３は中央制御装置１１、及び処理条件算出手段２２
又は処理制御手段２３に記憶されている一の連続エッチ
ング処理に含まれる各エッチング処理を行なうときのエ
ッチング時間を初期化する等の、次回の連続エッチング
処理の準備を行なった後、一の連続エッチング処理を終
了する。このとき、処理制御手段２３が一の連続エッチ
ング処理の終了信号を受信した時刻は、次回の連続エッ
チング処理において処理休止時間測定手段２１が処理休
止時間の測定に用いる処理終了時刻ｔ₀ となる。

【００４１】図６は、本発明の一実施形態に係るドライ
エッチング方法を用いて、８時間の処理休止時間の後に
所定の条件下でＰ型Ｓｉ基板に対して連続エッチング処
理を行なったときの、連続エッチング処理に含まれる各
エッチング処理によるエッチング量の変化を示す図であ
る。図６において、横軸はエッチング処理の回数を示し
ており、縦軸は単位時間当たりのエッチング量つまりエ
ッチングレートを示している。

【００４２】図６に示すように、連続エッチング処理に
含まれる各エッチング処理を行なったときのエッチング
量は略一定であり、連続エッチング処理開始後の数回の
エッチング処理においても所定のエッチング量が得られ
ている。

【００４３】以上に説明したように、本実施形態による
と、実行対象となる連続エッチング処理に含まれる各エ
ッチング処理を行なったときのエッチング量が所定値に
なるように、連続エッチング処理を開始する前の処理休
止時間に基づき、連続エッチング処理に含まれる各エッ
チング処理を行なうときの処理条件つまりエッチング時
間を算出して連続エッチング処理を行なうので、連続エ
ッチング処理を開始する前の処理休止時間の長さに関わ
らず連続エッチング処理の開始直後のエッチング処理に
おいても所定のエッチング量を得ることができる。従っ
て、連続エッチング処理の開始後、真空チャンバ内が熱
的平衡状態に達するまでの間に従来行なわれていたダミ
ーに対するエッチング処理が不要になるので、製造コス
トを低減することができると共に、製造作業を簡略化す
ることができる。

【００４４】尚、本実施形態においては、エッチング処
理回数の増加に伴ってエッチングレートが高くなる連続
エッチング処理を対象としたが、これに代えて、基板材
料とエッチングガスとの反応機構の違いにより、エッチ
ング処理回数の増加に伴ってエッチングレートが低くな
る連続エッチング処理を対象とした場合にも同等の効果
が得られる。例えば、半導体装置の配線層の形成におい
て、異方性エッチングにより層間絶縁膜にコンタクトホ
ールとなる開口部を形成する際に、サイドエッチを防ぐ
ため開口部側壁に層間絶縁膜と同一の材料からなる保護
膜又はエッチングガスと同一の成分からなる保護膜を薄
く堆積しながらエッチングを行なうと、エッチング回数
の増加に伴って保護膜が堆積する場所が変化すること等
によりエッチングレートが次第に低下する。この場合、
連続エッチング処理開始後の数回のエッチング処理にお
けるエッチング時間を所定のエッチング時間よりも短く
することにより、本実施形態と同等の効果が得られる。

【００４５】また、本実施形態においては、ドライエッ
チング装置を対象としたが、これに代えて、他の処理装
置を対象とした場合にも同等の効果が得られる。例え
ば、連続処理開始直後のガス成分と、真空チャンバ内が
熱的平衡状態に達した後のガス成分との間に変動を有す
る枚葉式成膜装置を用いて連続成膜処理を行なう場合、
連続成膜処理に含まれる各成膜処理を行なったときの成
膜レート又は膜厚が所定値になるように、連続成膜処理
に含まれる各成膜処理を行なうときの処理条件を算出す
ることにより、本実施形態と同等の効果が得られる。

【００４６】

【発明の効果】第１の処理装置によると、連続処理を開
始する前の処理休止時間の長さに関わらず連続処理の開
始直後の処理においても所定の処理結果を得ることがで
きるので、製造コストを低減することができる。

【００４７】第２の処理装置によると、連続エッチング
処理を開始する前の処理休止時間の長さに関わらず連続
エッチング処理の開始直後のエッチング処理においても
所定のエッチング量を得ることができるため、連続エッ
チング処理の開始後、真空チャンバ内が熱的平衡状態に
達するまでの間に従来行なわれていたダミーに対するエ
ッチング処理が不要になるので、製造コストを低減する
ことができると共に、製造作業を簡略化することができ
る。

【００４８】第２の処理装置において、処理条件算出手
段が一の連続エッチング処理と同一の条件下において予
め求められた処理休止時間の長さとエッチングレートの
大きさとの相関データを用いて、一の連続エッチング処
理に含まれる各エッチング処理を行なうときのエッチン
グ時間を算出する手段を有すると、連続エッチング処理
の開始直後のエッチング処理においても所定のエッチン
グ量を確実に得ることができる。

【００４９】第１の処理方法によると、連続処理を開始
する前の処理休止時間の長さに関わらず連続処理の開始
直後の処理においても所定の処理結果を得ることができ
るので、製造コストを低減することができる。

【００５０】第２の処理方法によると、連続エッチング
処理を開始する前の処理休止時間の長さに関わらず連続
エッチング処理の開始直後のエッチング処理においても
所定のエッチング量を得ることができるため、連続エッ
チング処理の開始後、真空チャンバ内が熱的平衡状態に
達するまでの間に従来行なわれていたダミーに対するエ
ッチング処理が不要になるので、製造コストを低減する
ことができると共に、製造作業を簡略化することができ
る。

【００５１】第２の処理方法において、処理条件算出工
程が一の連続エッチング処理と同一の条件下において予
め求められた処理休止時間の長さとエッチングレートの
大きさとの相関データを用いて、一の連続エッチング処
理に含まれる各エッチング処理を行なうときのエッチン
グ時間を算出する工程を含むと、連続エッチング処理の
開始直後のエッチング処理においても所定のエッチング
量を確実に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るドライエッチング装
置のブロック図である。

【図２】本発明の一実施形態に係るドライエッチング方
法のフロー図である。

【図３】前記のドライエッチング方法における処理休止
時間測定工程の各処理を説明するフロー図である。

【図４】前記のドライエッチング方法における処理条件
算出工程の各処理を説明するフロー図である。

【図５】前記のドライエッチング方法における処理制御
工程の各処理を説明するフロー図である。

【図６】本発明の一実施形態に係るドライエッチング方
法を用いて連続エッチング処理を行なったときの、連続
エッチング処理に含まれる各エッチング処理のエッチン
グレートの変化を示す図である。

【図７】従来のドライエッチング方法を用いて連続エッ
チング処理を行なったときの、連続エッチング処理に含
まれる各エッチング処理における被エッチング物の処理
温度の変化を示す図である。

【図８】従来のドライエッチング方法を用いて連続エッ
チング処理を行なったときの、連続エッチング処理に含
まれる各エッチング処理のエッチングレートの変化を示
す図である。

【符号の説明】

１０ 基板処理部 １１ 中央制御装置 ２０ コントローラ ２１ 処理休止時間測定手段 ２２ 処理条件算出手段 ２３ 処理制御手段 ２４ 配線 ３０ 通信手段

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 連続する複数回の処理である連続処理を
   行なう処理装置であって、 実行対象となる一の連続処理を開始する時刻と、該一の
   連続処理を開始する前に行なわれた他の連続処理を終了
   した時刻との間の処理休止時間を測定する処理休止時間
   測定手段と、 前記一の連続処理に含まれる各処理を行なったときの処
   理結果が所定の処理結果になるように、前記処理休止時
   間測定手段が測定した処理休止時間に基づき、前記一の
   連続処理に含まれる各処理を行なうときの処理条件を算
   出する処理条件算出手段と、 前記処理条件算出手段が算出した処理条件に基づき、前
   記一の連続処理に含まれる各処理を行なう処理制御手段
   とを備えていることを特徴とする処理装置。
2. 【請求項２】 連続する複数回のエッチング処理である
   連続エッチング処理を行なう処理装置であって、 実行対象となる一の連続エッチング処理を開始する時刻
   と、該一の連続エッチング処理を開始する前に行なわれ
   た他の連続エッチング処理を終了した時刻との間の処理
   休止時間を測定する処理休止時間測定手段と、 前記一の連続エッチング処理に含まれる各エッチング処
   理を行なったときのエッチング量が所定値になるよう
   に、前記処理休止時間測定手段が測定した処理休止時間
   に基づき、前記一の連続エッチング処理に含まれる各エ
   ッチング処理を行なうときの処理条件を算出する処理条
   件算出手段と、 前記処理条件算出手段が算出した処理条件に基づき、前
   記一の連続エッチング処理に含まれる各エッチング処理
   を行なう処理制御手段とを備えていることを特徴とする
   処理装置。
3. 【請求項３】 前記処理条件は前記一の連続エッチング
   処理に含まれる各エッチング処理を行なうときのエッチ
   ング時間であり、 前記処理条件算出手段は、前記一の連続エッチング処理
   と同一の条件下において予め求められた処理休止時間の
   長さとエッチングレートの大きさとの相関データを用い
   て、前記一の連続エッチング処理に含まれる各エッチン
   グ処理を行なうときのエッチング時間を算出する手段を
   有することを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
4. 【請求項４】 連続する複数回の処理である連続処理を
   行なう処理方法であって、 実行対象となる一の連続処理を開始する時刻と、該一の
   連続処理を開始する前に行なわれた他の連続処理を終了
   した時刻との間の処理休止時間を測定する処理休止時間
   測定工程と、 前記一の連続処理に含まれる各処理を行なったときの処
   理結果が所定の処理結果になるように、前記処理休止時
   間測定工程において測定された処理休止時間に基づき、
   前記一の連続処理に含まれる各処理を行なうときの処理
   条件を算出する処理条件算出工程と、 前記処理条件算出工程において算出された処理条件に基
   づき、前記一の連続処理に含まれる各処理を行なう処理
   制御工程とを備えていることを特徴とする処理方法。
5. 【請求項５】 連続する複数回のエッチング処理である
   連続エッチング処理を行なう処理方法であって、 実行対象となる一の連続エッチング処理を開始する時刻
   と、該一の連続エッチング処理を開始する前に行なわれ
   た他の連続エッチング処理を終了した時刻との間の処理
   休止時間を測定する処理休止時間測定工程と、 前記一の連続エッチング処理に含まれる各エッチング処
   理を行なったときのエッチング量が所定値になるよう
   に、前記処理休止時間測定工程において測定された処理
   休止時間に基づき、前記一の連続エッチング処理に含ま
   れる各エッチング処理を行なうときの処理条件を算出す
   る処理条件算出工程と、 前記処理条件算出工程において算出された処理条件に基
   づき、前記一の連続エッチング処理に含まれる各エッチ
   ング処理を行なう処理制御工程とを備えていることを特
   徴とする処理方法。
6. 【請求項６】 前記処理条件は前記一の連続エッチング
   処理に含まれる各エッチング処理を行なうときのエッチ
   ング時間であり、 前記処理条件算出工程は、前記一の連続エッチング処理
   と同一の条件下において予め求められた処理休止時間の
   長さとエッチングレートの大きさとの相関データを用い
   て、前記一の連続エッチング処理に含まれる各エッチン
   グ処理を行なうときのエッチング時間を算出する工程を
   含むことを特徴とする請求項５に記載の処理方法。