TW201604955A - 蝕刻裝置之資料解析方法以及蝕刻方法及其裝置 - Google Patents

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Abstract

作成就蝕刻處理結果的預測誤差小之波長與時間區間在短時間內作特定，而可在初期實現穩定之蝕刻處理。 從予以產生電漿而就樣品作蝕刻處理時的予以產生之電漿的發光波段之中作成波長與時間區間的組合，就此所作成之各波長與時間區間之組合算出就蝕刻處理之結果作預測時的預測誤差，從此所算出之預測誤差將波長的組合作精確化，就此經精確化之波長的組合變更時間區間而進一步算出預測誤差，將此進一步算出之預測誤差為最小的波長與時間區間之組合選擇作為就蝕刻處理之結果作預測的波長與時間區間。

Description

蝕刻裝置之資料解析方法以及蝕刻方法及其裝置
本發明，係關於對於利用電漿而就半導體的晶圓作加工之蝕刻裝置的資料作解析之方法以及蝕刻方法及其裝置。
為了獲得形成於晶圓上的半導體裝置等之微細狀，作成將物質電離之狀態(電漿狀態)，進行藉該物質之作用(在晶圓表面之反應)將晶圓上的物質除去之蝕刻處理。
電漿所致的電離現象係伴隨發光現象，故於利用電漿而進行處理之蝕刻裝置，係作成搭載分光器(OES：Optical Emission Spectroscopy)，可監控電漿所發出之光。將以分光器所計測之資料在以下，係稱作OES資料。
為了將半導體裝置等之微細狀予以穩定化而於蝕刻裝置，係應用就OES資料作計測，預測微細狀的尺寸等之蝕刻處理結果，而調整蝕刻處理條件之控制技術。
為了蝕刻處理結果之穩定，係需要利用OES 資料而誤差小地預測蝕刻處理結果。
在預測蝕刻處理結果之方法方面，已知記載 於專利文獻1之方法。
於專利文獻1，係記載從包含OES資料之裝 置的監控資料，就於預測蝕刻處理結果作使用之監控資料與其時間區間作選擇，僅使用所選擇之監控資料與時間區間的值而預測蝕刻處理結果之方法、依預測結果而調整蝕刻處理條件的方法。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本發明專利第4547396號公報
然而示於專利文獻1之方法，係並未提供就蝕刻處理結果的預測誤差小之時間區間作特定的方法。OES資料之值，係因發光的波長而異，另外隨蝕刻處理中之時間的經過而變化。為此，取決於選擇之波長與時間區間之組合，預測誤差會增加。為了使蝕刻處理結果穩定，係變得需要就蝕刻處理結果的預測誤差小之波長與時間區間之組合作特定。再者波長及時間區間之組合係多至龐大的數目，故於在日常業務之中活用時，需要從龐大的組合 之中就預測誤差小之組合在短時間內作特定。
於是本發明，係以提供可就蝕刻處理結果的 預測誤差小之波長與時間區間在短時間內作特定，而實現於初期即穩定之蝕刻處理的蝕刻裝置之資料解析方法及採用其解析結果的蝕刻方法及其裝置為課題。
為了解決上述課題，在本發明，係採取於蝕 刻裝置之資料解析方法，從予以產生電漿而就樣品作蝕刻處理時的予以產生之電漿的發光波段之中作成波長與時間區間的組合，就此所作成之各波長與時間區間之組合算出就蝕刻處理之結果作預測時的預測誤差，從此所算出之預測誤差將波長的組合作精確化，就此經精確化之波長的組合變更時間區間而進一步算出預測誤差，將此進一步所算出之預測誤差為最小的波長之組合選擇作為就蝕刻處理之結果作預測的波長與時間區間。
此外，為了解決上述課題，在本發明，係作 成於蝕刻方法，對於在搬入樣品於內部之狀態下排氣成真空的處理室導入蝕刻氣體而予以產生電漿而邊就此所產生的電漿之發光作監控邊根據預先設定的蝕刻處理條件就樣品作蝕刻處理，從予以產生電漿而就樣品作蝕刻處理時的予以產生之電漿的發光波段之中作成波長的組合，就此所作成之各波長之組合算出就蝕刻處理之結果作預測時的預測誤差，從此所算出之預測誤差將波長的組合作精確化， 就此經精確化之波長的組合變更時間區間而進一步算出預測誤差，將此進一步算出之預測誤差為最小的波長與時間區間之組合選擇作為就蝕刻處理之結果作預測的波長及時間區間，利用此所選擇之波長及時間區間下的蝕刻處理結果之預測值而調整蝕刻處理條件。
再者，為了解決上述課題，在本發明，係作 成將蝕刻裝置構成為具備處理室、於此處理室之內部搬入樣品而在將處理室之內部排氣成真空的狀態下導入蝕刻氣體而予以產生電漿之電漿產生部、就藉此電漿產生部而產生的電漿之發光作監控的發光監控部、作成就電漿產生部作控制的條件之資料的演算部、就以此演算部所作成之就電漿產生部作控制的條件之資料作記憶的記憶部、及根據以電漿發光監控部作監控的電漿之發光的狀態與記憶於記憶部之控制資料而就電漿產生部作控制的控制部，演算部，係作為供於以電漿產生部就樣品作蝕刻加工用之條件，從在予以產生電漿而就樣品作蝕刻處理時予以產生之電漿的發光波段之中作成波長與時間區間的組合，就此所作成之各波長與時間區間之組合算出就蝕刻處理之結果作預測時的預測誤差，從此所算出之預測誤差將波長的組合作精確化，就此經精確化之波長的組合變更時間區間而進一步算出預測誤差，將此進一步算出之預測誤差為最小的波長與時間區間之組合選擇作為就蝕刻處理之結果作預測的波長及時間區間從而作成供於就所設定之樣品作蝕刻加工用之條件。
依本發明，即可從OES資料之中就蝕刻處理 結果的預測誤差小之波長與時間區間之組合在短時間內作特定，可實現蝕刻處理結果之穩定化。
1‧‧‧蝕刻裝置
10‧‧‧蝕刻部
11‧‧‧電漿加工部
12‧‧‧分光器(OES)
13‧‧‧控制部
14‧‧‧IF部
20‧‧‧解析部
21‧‧‧演算部
22‧‧‧記憶部
23‧‧‧蝕刻處理結果資料記憶區域
24‧‧‧OES資料記憶區域
25‧‧‧初始探索結果資料記憶區域
26‧‧‧隨機數探索結果資料記憶區域
27‧‧‧最終探索結果資料記憶區域
28‧‧‧控制條件資料記憶區域
210‧‧‧IF部
30‧‧‧輸入部
31‧‧‧輸出部
32‧‧‧通信IF部
33‧‧‧匯流排
[圖1]就本發明的一實施形態相關之蝕刻裝置的示意構成作繪示之方塊圖。
[圖2]就本發明的一實施形態相關之蝕刻裝置的蝕刻部之示意構成作繪示的方塊圖。
[圖3]就OES資料之例作說明的圖形。
[圖4]針對就蝕刻處理條件作調整的控制之例作說明的流程圖及就發光強度監控值與蝕刻處理結果之關係作繪示的散佈圖。
[圖5]就本發明的一實施形態相關之蝕刻處理結果資料的表例作繪示之表。
[圖6]就本發明的一實施形態相關之OES資料的表例作繪示之表。
[圖7]就本發明的一實施形態相關之初始探索結果資料的表例作繪示之表。
[圖8]就本發明的一實施形態相關之隨機數探索結果資料的表例作繪示之表。
[圖9]就本發明的一實施形態相關之最終探索結果資料的表例作繪示之表。
[圖10A]就本發明的一實施形態相關之演算部的解析處理流程作繪示之流程圖。
[圖10B]就本發明的一實施形態相關之演算部的解析處理流程作繪示之圖，就圖10A的流程之S202的步驟之細節作繪示的流程圖。
[圖10C]就本發明的一實施形態相關之演算部的解析處理流程作繪示之圖，就圖10B的流程之S207的步驟之細節作繪示的流程圖。
[圖10D]就本發明的一實施形態相關之演算部的解析處理流程作繪示之圖，就圖10C的流程之S207-1的步驟之細節作繪示的流程圖。
[圖11]就於本發明的一實施形態相關之預測誤差的計算所使用之發光強度監控值資料表作繪示的表。
[圖12]本發明的一實施形態相關之探索對象波長輸入部與解析執行鈕被顯示的畫面之正面圖。
[圖13A]針對就本發明的一實施形態相關之預測誤差的算出處理作說明之發光強度監控值與蝕刻處理結果之關係作繪示的散佈圖。
[圖13B]針對就本發明的一實施形態相關之預測誤差的算出處理作說明之發光強度監控值與蝕刻處理結果之關係作繪示的散佈圖。
[圖14A]就顯示本發明的一實施形態相關之發光強度 的時序推移之蝕刻處理時間與發光強度的關係作繪示之散佈圖。
[圖14B]就顯示本發明的一實施形態相關之發光強度的時序推移之蝕刻處理時間與發光強度的關係作繪示之散佈圖。
[圖15]就本發明的一實施形態相關之初始探索結果作顯示的畫面之正面圖。
[圖16]就本發明的一實施形態相關之最終探索結果作顯示的畫面之正面圖。
本發明，係於蝕刻裝置之資料解析方法，作 成取得於蝕刻處理時所得之示出複數個波長及時間下的發光強度之電漿發光資料與蝕刻處理結果，針對電漿發光資料之波長與時間區間之複數個相異組合，就各個波長與時間區間之組合而評估依發光強度的平均值之蝕刻處理結果的預測誤差，根據預測誤差而對於在蝕刻處理結果的預測作使用之電漿發光資料的波長與時間區間之組合作特定，另外將此應用於蝕刻方法及蝕刻裝置。以下，基於圖式說明本發明的實施形態。另外，於供以說明實施形態用的全圖，對於相同的構材係原則上附加相同之符號，並省略其重複的說明。
〔蝕刻裝置〕
在本發明係如圖1的蝕刻裝置之構成圖，蝕刻裝置1，係具有蝕刻部10、解析部20、輸入部30、輸出部31、及通信介面部(通信IF部)32，此等係透過匯流排33而互相連接。
蝕刻部10係具備電漿加工部11、分光器(OES)12、控制部13、及介面部(IF部)14，電漿加工部11係予以產生電漿而就晶圓作加工，分光器(OES)12係於執行蝕刻處理期間取得為電漿之發光資料的OES資料。OES資料係透過IF部14而儲存於解析部20所具有的記憶部22。控制部13係就在電漿加工部11之處理作控制。就蝕刻部10之細節於後述的圖2作說明。
解析部20，係進行就於蝕刻處理結果的預測所使用之波長與時間區間的組合作特定之處理。解析部20，係具備分析資料的演算部21、記憶部22、介面部(IF部)210。
記憶部22，係具備就每個晶圓之蝕刻處理結果作記憶的蝕刻處理結果資料記憶區域23、就於蝕刻處理中所得之分光器(OES)的計測值作記憶之OES資料記憶區域24、就演算部21所執行之探索處理的初始探索結果資料作記憶之初始探索結果資料記憶區域25、就演算部21所執行之隨機數探索的結果之資料作記憶的隨機數探索結果資料記憶區域26、就最終的探索結果之資料作記憶的最終探索結果資料記憶區域27、及就針對晶圓作 蝕刻處理時之電漿加工部11所控制的條件作記憶之控制條件資料記憶區域28。
演算部21，係利用於記憶部22的蝕刻處理結 果資料記憶區域23所記憶之蝕刻處理結果資料、及於OES資料記憶區域24所記憶之OES資料，而就按波長與時間區間之組合而以發光強度就蝕刻處理結果作預測時的預測誤差使用複數個晶圓而依序評估，進行就於蝕刻處理結果的預測所使用之波長與時間區間的組合作特定之處理。關於演算部21所執行之分析處理的細節，係後述。
輸入部30，係受理因使用者操作所致的資訊 輸入之例如鼠標或鍵盤等。輸出部31，係對於使用者輸出資訊的顯示器或印表機等。通信IF部32，係供以透過匯流排33或外部網路等而與其他裝置(亦可與就蝕刻處理結果作計測之檢查裝置等作連接)或系統(亦可與既存的生產管理系統等作連接)連接並進行資訊收發用的介面。匯流排33，係連結各部分(10、20、30、31、32)。各部分之IF部(14、210等)，係供以透過匯流排33進行資訊收發用的介面。另外，亦可作成使解析部20獨立為解析裝置，而透過IF部210連接於由蝕刻部10所成之蝕刻裝置的形態。
〔蝕刻部〕
蝕刻部10係具備電漿加工部11、分光器(OES)12、控制部13、及IF部14。電漿加工部11，係如圖2所 示，具備以未圖示之抽真空手段將內部排氣為真空之腔室111、藉未圖示之電源而施加高頻電力而使電漿產生於排氣為真空的腔室111之內部的1對之電極112a及112b、就腔室111之內部從外側作觀察的窗115、及對於排氣為真空的腔室111之內部供應供於就晶圓114作蝕刻處理用的蝕刻氣體之氣體供給器117。
於如此之構成，依來自控制部13之指示，電 漿加工部11，係在將晶圓114儲存於腔室111之內部而將腔室111之內部以未圖示之排氣手段排氣為真空的狀態下，從氣體供給器117供應蝕刻氣體，藉未圖示之電源而對於電極112a及112b施加高頻電力，從而在電極112a與112b之間將蝕刻氣體予以電漿化。使電漿化之氣體113衝撞於晶圓114從而就晶圓114作加工。
電漿化之氣體113，係包含在從氣體供應器 117所供應之蝕刻氣體所含的元素或從晶圓114在加工之過程所產生的元素，予以產生對應於在經電漿化之氣體113所含的元素之波長的光116。所產生之光116係通過窗115而以分光器(OES)12作計測，透過IF部14而記憶於解析部20之記憶部22的OES資料記憶區域24。
控制部13，係除了對於電漿加工部11之指示 以外，進行示於後述之蝕刻處理條件調整處理的如下處理：輸入以分光器(OES)12所計測之OES資料而就蝕刻處理條件作調整。
於蝕刻處理之結束後，被處理的晶圓114係 從腔室111取出而搬送至別的裝置(計測裝置等)，另外新的別的晶圓114被儲存於蝕刻部10，進行蝕刻處理。 被處理之晶圓114，係以別的裝置(計測裝置等)就作為蝕刻處理之結果所得的圖案之形狀的尺寸等作計測。此形狀的尺寸等係作為蝕刻處理結果資料，而記憶於記憶部22的蝕刻處理結果資料記憶區域23。
〔OES資料〕
於圖3作為以分光器(OES)12而計測之電漿發光的OES資料之例而繪示波形信號301。電漿發光的波段與強度，係隨著蝕刻處理之時間的經過而變化。OES資料之波形信號301，係具有波長與時間的2個著眼點之要素，表示就各波長、及各時間分別所計測之發光強度的值。就各波長、及各時間分別所計測之發光強度的值，係與計測了該OES資料之晶圓的ID一起，儲存於後述之OES資料記憶區域24。
〔蝕刻處理條件調整處理〕
於圖4就以控制部13所進行的蝕刻處理條件調整處理之例作繪示。
控制部13，係在由操作員指示蝕刻處理條件之調整時，叫出記憶於記憶部22的控制條件資料記憶區域28之控制資料(S101)。另外，蝕刻處理條件調整處理，係就複數個晶圓利用記憶於控制條件資料記憶區域28之控制 資料而依序進行處理，惟就最初之晶圓，係利用預設之條件。
接著，從OES資料算出所預定的波長與時間 區間之組合下的發光強度之平均值，或者算出將所預定的波長與時間區間之組合下的發光強度之平均值，除以別的所預定的波長與時間區間之組合下的發光強度之平均值的值(S102)。將所預定的波長與時間區間之組合下的發光強度之平均值除以別的所預定的波長與時間區間之組合下的發光強度之平均值的值，在以下係稱作發光強度監控值。另外，亦可使所預定的波長與時間區間之組合下的發光強度之平均值為發光強度監控值。
接著，控制部13，係以前述的發光強度監控 值為輸入而進行蝕刻處理結果之預測(S103)。將於S103進行之蝕刻處理結果的預測處理之例，示於A101的圖形。A101，係將蝕刻處理結果示於縱軸，將發光強度監控值示於橫軸之圖形，A102之1個1個點表示1個1個的晶圓。可得知發光強度監控值與蝕刻處理結果之間有相關。直線A103，係根據複數個點A102而作成之表示發光強度監控值與蝕刻處理結果的關係之回歸直線，以與例如複數個點A102之各點的距離之平方和成為最小的方式繪製直線A103。在S103之處理，係利用A103之回歸直線，而如圖中之點線所示根據發光強度(ei)算出蝕刻處理結果之預測值(pv)。
再者控制部13，係算出蝕刻處理結果之目標 值與蝕刻處理結果之預測值(pv)的差分(S104)，依該差分而算出蝕刻處理條件之調整值，例如算出從氣體供應器117供應之蝕刻氣體的流量(氣體流量)或蝕刻處理之執行時間(S105)。
控制部13，於蝕刻處理條件調整處理之結束後，係進行以此被調整之蝕刻處理條件而進行蝕刻處理。
〔解析部〕
於示於圖1之記憶部22的蝕刻處理結果資料記憶區域23，係儲存就進行了蝕刻處理之晶圓的ID作特定的資訊、及就蝕刻處理結果作特定之資訊。
圖5係就作為蝕刻處理結果資料記憶區域23之例的蝕刻處理結果資料表23a作繪示。本表，係具有晶圓ID欄23b、及蝕刻處理結果欄23c等之各欄位。
於晶圓ID欄23b，係儲存就晶圓114作特定之資訊。儲存於晶圓ID欄23b之值，係與於後述的OES資料表25a之晶圓ID欄25b所儲存的值賦予對應，使得就各個晶圓作蝕刻時所得之OES資料與蝕刻處理結果被賦予對應。
於蝕刻處理結果欄23c，係儲存就蝕刻處理結果作特定之資訊。例如，儲存了於蝕刻處理後利用連接於蝕刻裝置1之計測裝置等，而就在晶圓ID欄23b所特定之晶圓114的表面形狀作計測之結果(例如，以測長SEM所計測之形成於晶圓114上的圖案之尺寸、圖案間的尺寸 等)。表面形狀的尺寸資訊按晶圓透過通信IF部32被儲存於蝕刻處理結果資料記憶區域23。
圖6，係就作為OES資料記憶區域24之例的 OES資料表24a作繪示。本表，係具有晶圓ID欄24b、波長欄24c、時間欄24d、及發光強度欄24e等之各欄位。另外，本表係僅存在有計測了OES資料之晶圓的數量。
於晶圓ID欄24b，係儲存就晶圓114作特定 之資訊。儲存於晶圓ID欄24b之值，係與於前述的蝕刻處理結果資料表23a之晶圓ID欄23b所儲存的值賦予對應。
於發光強度欄24e，係儲存就波長欄24c之各 波長、及時間欄24d之各時間而分別所計測的發光強度之值。
圖7，係就作為初始探索結果資料記憶區域 25之例的初始探索結果資料表25a作繪示。本表，係具有ID欄25b、波長1欄25c、波長2欄25d、波長1時間區間欄25e、波長2時間區間欄25f、預測誤差欄25g、預測誤差順位欄25h、探索繼續欄25i、發光強度標準偏差欄25j、預測誤差順位1欄25k、及預測誤差順位2欄25l等之各欄位。
於各欄位，係在後述的解析處理中儲存資訊。
於ID欄25b，係儲存就波長的組合作特定之資訊。
於波長1欄25c，係儲存就使用於蝕刻處理結果之預測的波長之候補作特定的資訊。為了後述之說明，在此將儲存於波長1欄25c之列i的值稱作WL1。
於波長2欄25d，係儲存就使用於蝕刻處理結 果之預測的波長之候補作特定的資訊。為了後述之說明，在此將儲存於波長2欄25d之列i的值稱作WL2。
於波長1時間區間欄25e，係儲存就使用於蝕 刻處理結果之預測的時間區間之候補作特定的資訊。為了後述之說明，在此將儲存於波長1時間區間欄25e之列i的值稱作WLT1。
於波長2時間區間欄25f，係儲存就使用於蝕 刻處理結果之預測的時間區間之候補作特定的資訊。為了後述之說明，在此將儲存於波長2時間區間欄25f之列i的值稱作WLT2。
利用儲存於波長1欄25c、波長2欄25d、波 長1時間區間欄25e、及波長2時間區間欄25f之值，將對於記憶於OES資料記憶區域24之示於圖6的OES資料表24a之波長欄24c的波長WL1之時間欄24d的時間區間WLT1下的發光強度之平均值，除以波長欄24c之波長WL2的時間欄24d之時間區間WLT2下的發光強度之平均值的值定義為發光強度監控值，利用此發光強度監控值而預測蝕刻處理結果。
預測誤差欄25g，係儲存就以儲存於波長1欄 25c、波長2欄25d、波長1時間區間欄25e、波長2時間 區間欄25f之值並利用如上述所算出的發光強度監控值而預測蝕刻處理結果時的預測誤差作特定之資訊。
於預測誤差順位欄25h，係儲存就於預測誤差 欄25g所儲存的資訊之各列間的順位作表示之值。於探索繼續欄25i，係儲存就繼續時間區間之探索的波長之組合作特定的資訊。於發光強度標準偏差欄25j，係儲存就發光強度的時序推移之標準偏差作特定的資訊。
於預測誤差順位1欄25k，係儲存表示以下的 值：就在發光強度標準偏差欄25j所儲存之值未滿所預定的閾值之列的群組(標準偏差值小之群組)所算出之於預測誤差欄25g所儲存的資訊之各列間的順位。
於預測誤差順位2欄25l，係儲存表示以下的 值：就在發光強度標準偏差欄25j所儲存之值成為所預定的閾值以上之列的群組(標準偏差值大之群組)所算出之於預測誤差欄25g所儲存的資訊之各列間的順位。
圖8，係就作為隨機數探索結果資料記憶區域 26之例的隨機數探索結果資料表26a作繪示。本表，係具有ID欄26b、波長1欄26c、波長2欄26d、波長1時間區間欄26e、波長2時間區間欄26f、預測誤差欄26g、預測誤差順位欄26h、及探索繼續欄26i等之各欄位。
於各欄位，係在後述的解析處理中儲存資訊。
於ID欄26b，係儲存就與圖7之初始探索結 果資料表25a的ID欄25b共同之波長的組合作特定之資訊。於波長1欄26c，係儲存就使用於蝕刻處理結果之預 測的波長之候補作特定的資訊。於波長2欄26d，係儲存就使用於蝕刻處理結果之預測的波長之候補作特定的資訊。
於波長1時間區間欄26e，係儲存就使用於蝕 刻處理結果之預測的時間區間之候補作特定的資訊。
於波長2時間區間欄26f，係儲存就使用於蝕 刻處理結果之預測的時間區間之候補作特定的資訊。
儲存於波長1欄26c、波長2欄26d、波長1 時間區間欄26e、及波長2時間區間欄26f之值，係如同初始探索結果資料記憶區域25之說明表示預測蝕刻處理結果時之發光的波長與時間區間。
預測誤差欄26g，係儲存就以儲存於波長1欄 26c、波長2欄26d、波長1時間區間欄26e、及波長2時間區間欄26f之值並利用所算出的發光強度監控值而預測蝕刻處理結果時之預測誤差作特定之資訊。
於預測誤差順位欄26h，係儲存就於預測誤差 欄26g所儲存的資訊之各列間的順位作表示之值。
於探索繼續欄26i，係儲存就繼續時間區間之 探索的波長之組合作特定的資訊。
圖9，係就作為最終探索結果資料記憶區域 27之例的最終探索結果資料表27a作繪示。本表，係具有ID欄27b、波長1欄27c、波長2欄27d、波長1時間區間欄27e、波長2時間區間欄27f、預測誤差欄27g等之各欄位。
於各欄位，係在後述的解析處理中儲存資訊。
於ID欄27b，係儲存就與圖7之初始探索結 果資料表25a的ID欄25b共同之波長的組合作特定之資訊。於波長1欄27c，係儲存就使用於蝕刻處理結果之預測的波長之候補作特定的資訊。於波長2欄27d，係儲存就使用於蝕刻處理結果之預測的波長之候補作特定的資訊。
於波長1時間區間欄27e，係儲存就使用於蝕 刻處理結果之預測的時間區間之候補作特定的資訊。
於波長2時間區間欄27f，係儲存就使用於蝕 刻處理結果之預測的時間區間之候補作特定的資訊。
儲存於波長1欄27c、波長2欄27d、波長1 時間區間欄27e、波長2時間區間欄27f之值，係如同初始探索結果資料記憶區域25之說明表示預測蝕刻處理結果時之發光的波長與時間區間。
預測誤差欄27g，係儲存就以儲存於波長1欄 27c、波長2欄27d、波長1時間區間欄27e、波長2時間區間欄27f之值並利用所算出的發光強度監控值而預測蝕刻處理結果時之預測誤差作特定之資訊。
〔解析部20之解析處理〕
依本實施例之解析處理的方法，係於利用電漿而就半導體晶圓作蝕刻處理之半導體蝕刻處理中，就於蝕刻處理結果的預測所使用之電漿發光資料的波長及時間作特定之 解析方法。
依本實施例之解析處理的方法，係特徵在 於：具備：就使用於預測的波長之候補，分別算出利用在蝕刻處理之前半的時間區間之發光強度的平均值而就蝕刻處理結果作預測時之預測誤差、及利用蝕刻處理之後半的時間區間下之發光強度的平均值而就蝕刻處理結果作預測時的預測誤差之第1步驟；就複數個所算出的預測誤差小之波長作特定的第2步驟；就所特定的複數個波長，分別利用隨機數而設定複數個時間區間，就所設定之複數個時間區間，分別算出利用該時間區間下的發光強度之平均值而就蝕刻處理結果作預測時之預測誤差的第3步驟；就在第2之評估步驟所算出的預測誤差小之波長作特定的第4步驟；於所特定之波長，就可得之全部的時間區間，算出利用在各個時間區間下的發光強度之平均值而就蝕刻處理結果作預測時之預測誤差的第5步驟；及於所特定之波長，從可得之全部的時間區間之中就預測誤差的最小之時間區間作特定，從而就使用於蝕刻處理結果的預測之波長與時間區間之組合作特定的第6步驟。
於以下，就依本實施例之解析處理的方法， 具體作說明。
於在生產程序利用蝕刻裝置1而就複數個晶圓依序作蝕刻處理前的階段方面，操作蝕刻裝置1之操作者或管理者，為了就於蝕刻處理結果的預測所使用之波長與時間區間的組合作決定，而於解析部20執行解析處理。
適於蝕刻處理結果的預測之波長與時間區間 的組合，係隨作為蝕刻處理之對象的半導體晶圓表面上之膜的構成等而變化，故使得於蝕刻處理之開始時，係需要酌情執行本解析處理。利用依本解析處理而決定的蝕刻處理之條件，而於生產程序(量產程序)利用蝕刻裝置1而使複數個晶圓依序被蝕刻處理。
於解析部20執行解析處理時，首先將供以進 行解析處理用之條件，在示於圖12之顯示畫面1200上作輸入。操作者在顯示畫面1200上於探索對象的波長輸入欄D101輸入探索對象的波長，點擊解析執行鈕D102而指示解析執行時，解析部20係執行解析處理，輸出適於蝕刻處理結果的預測之波長與時間區間的組合。
於示於圖12的顯示畫面1200上之探索對象 的波長輸入欄D101，係儲存就評估預測誤差之波長作特定的資訊。於探索對象的波長輸入欄D101，係亦可自動輸入所預定的波長(例：201、211等等間隔而定之波長)。此外，亦可自動輸入示出於被電漿化之氣體113所含的元素之發光的波長。此外，亦可自動輸入發光強度比周邊之波長還大的波長，亦即示出電漿發光的峰值之波長。
接著，就於解析部20所執行之解析處理的流 程，利用圖10A~圖10D而說明。
首先，在如圖12所示之顯示畫面1200上於探索對象的波長輸入欄D101輸入探索對象的波長(S200)。接 著，作成在S200所輸入之探索對象波長的組合而儲存在示於圖7之初始檢索結果資料表25a(S201)。接著，就在S201所作成之探索對象波長的組合而算出指定時間區間之預測誤差(S202)，算出電漿之發光強度的時序推移之標準偏差(S203)。接著，利用在S202所算出之預測誤差與在S203所算出的標準偏差而進行波長組合之精確化(S204)，將初始探索結果顯示於畫面上(S205)。
接著，判定是否繼續探索(S206)，於不繼 續判定之情況(在S206為No之情況)下，係結束處理。另一方面，於繼續判定之情況(在S206為Yes之情況)下，係就各波長的組合，利用隨機數而探索時間區間並算出預想誤差(S207)。接著，進行利用了此所算出之預測誤差的波長組合之精確化(S208)，就此經精確化之波長組合，針對時間區間之所有的圖案而算出預測誤差(S209)，顯示最終探索結果(S210)，作結束。
接著，就各步驟之細節作說明。
(S201)演算部21，係利用在S200在示於圖12之顯示畫面1200上於探索對象的波長輸入欄D101所輸入之複數個檢索對象波長而作成複數個2個波長的組合，將各組合之波長分別儲存在示於圖7的初始探索結果資料表25a之波長1欄25c及波長2欄25d。儲存之組合，係例如，亦可為輸入於圖12之波長輸入欄D101的全部之波長的組合。另外演算部21，係亦於圖7之ID欄25b從第1列依序附加號碼。
(S202)演算部21，係就儲存於圖7的初始 探索結果資料表25a之各列的波長之組合，輸出於所指定之時間區間算出發光強度監控值時的蝕刻處理結果之預測誤差。演算部21，係從初始探索結果資料表25a之上面的列而依序執行處理。將正成為處理的對象中之列稱作該列。
在本步驟，係如於圖10B繪示其詳細之流 程，演算部21，係進行利用在蝕刻處理之前半的時間區間之發光強度而算出第1預測誤差的處理(S202-1)，利用在蝕刻處理之後半的時間區間之發光強度而算出第2預測誤差的處理(S202-2)，將第1預測誤差與第2預測誤差的最小值儲存於預測誤差欄25g之該列(S202-3)，將算出該最小值之時間區間儲存於波長1時間區間欄25e、及波長2時間區間欄25f(S202-4)。
在S202-1之第1預測誤差的算出處理，係首 先，利用在蝕刻處理之前半的時間區間之發光強度的值，而作成示於圖11之發光強度監控值資料表29a。
發光強度監控值資料表29a之晶圓ID欄29b 係儲存表示取得資料之晶圓的資訊，儲存例如在示於圖5之蝕刻處理結果表23a的晶圓ID欄23b所儲存之資訊。
於發光強度監控值欄29c，係儲存將以下所示 之第1發光強度平均值除以第2發光強度平均值之發光強度監控值(S202-5)。
第1發光強度平均值，係於圖6之OES資料 表24a的發光強度欄24e，在以在圖7之初始檢索結果資料表25a的波長1欄25c之該列所儲存的波長作特定之行，且於蝕刻處理之開始至中途之時間的列所儲存之值的平均值。蝕刻處理之開始至中途的時間之列，係例如在圖6係表示1至50的時間之列。
第2發光強度平均值，係於圖6之OES資料 表24a的發光強度欄24e，儲存了在以在圖7之初始檢索結果資料表25a的波長2欄25d之該列所儲存的波長作特定之行，且於蝕刻處理之開始至結束的時間之列所儲存的值之平均值。蝕刻處理之開始至結束的時間之列，例如在圖6係表示1至100的時間之列。
於圖11之發光強度監控值資料表29a之蝕刻 處理結果欄29d，係儲存於圖5之蝕刻處理結果資料表23a的蝕刻處理結果欄23c之值，被以賦予對應了晶圓ID之方式而儲存(S202-6)。
於上述之S202-1，演算部21，係就利用發光 強度監控值而就蝕刻處理結果作預測時之預測誤差(e)，利用以下的式(1)~式(5)而算出。此預測誤差(e)成為第1預測誤差。
於上述之式中，xi係表示儲存在圖11之發光 強度監控值資料表29a的發光強度監控值欄29c之第i行的值。yi係表示儲存在蝕刻處理結果欄29d之第i行的值。n係表示發光強度監控值資料表29a之行數。Σ記號，係表示取關於發光強度監控值資料表29a之全部的行之和。
就所算出的值之意思，利用圖13A及圖13B 作說明。示於圖13A之圖形A200及示於圖13B的圖形B200，係就儲存於發光強度監控值欄29c之值、及儲存於蝕刻處理結果欄29d之值作繪示的散佈圖。
示於圖13A的圖形A200之A201及示於圖 13B的圖形B200之B201等之各點，係表示儲存在圖11 之發光強度監控值資料表29a的發光強度監控值29c之欄的各行之值，將儲存於發光強度監控欄29c之值取為橫軸，將儲存於蝕刻處理結果欄29d之值取為縱軸而繪圖的點。
示於圖13A的圖形A200之直線A202及示於 圖13B的圖形B200之直線B202，係表示從各點之距離的平方和之平均成為最小的直線(回歸直線)。以(數式5)所算出的第1預測誤差(e)，係表示各點與直線之距離的平方和之平方根。
圖13A與圖13B，係分別取不同波長與時間 區間之組合下的發光強度監控值之散佈圖。因此，於各點方面蝕刻處理結果之值雖相等，惟發光強度監控值係不同。
就示於圖13A的圖形A200、及示於圖13B的 圖形B200，分別算出預測誤差(e)時，示於圖13A的圖形A200之預測誤差(e)這方為小。可得知示於圖13A的圖形A200這方在回歸直線之附近分布有點，於示於圖13A的發光強度監控值這方於前述的蝕刻處理結果預測值算出處理(S103)中，適於蝕刻處理結果之預測。就預測誤差(e)小之波長與時間作選擇，使得可選擇適於蝕刻處理結果預測值算出處理的波長與時間。
所算出之預測誤差(e)，係作為就該列之波 長與時間區間之組合的優劣作評估之資訊，而儲存於圖7之初始探索結果資料表25a的預測誤差欄25g之該列。
另外，即使為此處所算出的預測誤差以外之 值，只要為表示利用發光強度監控值而就蝕刻處理結果作預測的情況下之預測結果的變異性之值，亦可使用其他值。例如，亦可為發光強度監控值與蝕刻處理結果之間的相關係數、相關係數的平方等。
在S202-2之第2預測誤差的算出處理，係利 用在蝕刻處理之後半的時間區間之發光強度的值，而如同第1預測誤差的算出處理，作成示於圖11之發光強度監控值資料表29a，就利用發光強度監控值29c而就蝕刻處理結果作預測時之預測誤差(e)，利用(數式1)~(數式5)而算出。此預測誤差(e)成為第2預測誤差。
另外，於第2預測誤差的算出時，於發光強 度監控值欄29c，係採用示於以下之將第1發光強度平均值除以第2發光強度平均值的發光強度監控值。
第1發光強度平均值，係於圖6之OES資料 表24a的發光強度欄24e，在以在圖7之初始探索結果資料表25a的波長1欄25c之該列所儲存的波長作特定之行，且於蝕刻處理之中途至結束之時間的列所儲存之值的平均值。蝕刻處理之中途至結束的時間之列，例如在圖6係表示時間的欄24d之51至100的時間之列。
第2發光強度平均值，係於圖6之OES資料 表24a的發光強度欄24e，在以在波長2欄25d之該列所儲存的波長作特定之列，且於蝕刻處理之開始至結束之時 間的列所儲存之值的平均值。蝕刻處理之開始至結束的時間之列，例如在圖6係表示1至100的時間之列。
演算部21係於S202-3，就在S202-1算出之 第1預測誤差與在S202-2算出的第2預測誤差作比較，將該值為最小之者儲存於圖7之預測誤差欄25g之該列。
另於S202-4，第1預測誤差為最小之情況 下，係於圖7之波長1時間區間欄25e儲存表示蝕刻處理之開始至中途的時間區間之資訊，於波長2時間區間欄25f係儲存表示蝕刻處理之開始至結束的時間區間之資訊。
第2預測誤差為最小之情況下，係於圖7之 波長1時間區間欄25e儲存表示蝕刻處理之中途至結束的時間區間之資訊，於波長2時間區間欄25f係儲存表示蝕刻處理之開始至結束的時間區間之資訊。
電漿中所含之元素會隨著蝕刻處理之經過而 變化，故電漿發光資料係因蝕刻處理之前半與後半而變化。如此分成前半與後半之時間區間而就預測誤差作評估，使得可就適於蝕刻處理結果的預測之時間區間作特定。
另外，在本實施例係就發光強度被除之波長 將時間區間分割成前半與後半，惟就除側之波長亦可將時間區間分割成前半與後半而算出預測誤差。此外，亦可將前半之時間區間、後半之時間區間進一步詳細作分割而算出預測誤差，採用其最小值。
(S203)演算部21，係就儲存於圖7的初始 探索結果資料表25a之各列的波長之組合，算出發光強度的時序推移之標準偏差，儲存於發光強度標準偏差欄25j。演算部21，係從初始探索結果資料表25a之上面的列而依序執行處理。將正成為處理的對象之列稱作該列。
於圖6之OES資料表24a的發光強度欄 24e，就以儲存於圖7之波長1欄25c之該列的波長作特定之行的資料，利用(數式6)而算出發光強度的時序推移之標準偏差。
於上述(數式6)，zi係表示於圖6之OES 資料表24a的發光強度欄24e，以儲存於圖7之波長1欄25c之該列的波長作特定之行的資料之中，儲存於第i列之值。m係表示發光強度欄24e之列數。Σ記號，係表示取關於發光強度欄24e之全部的列之和。以(數式6)所算出之值sd係表示發光強度的時間變化之大小的值之1者。
於圖14A及圖14B繪示每個波長之發光強度 的時序推移。示於圖14A之圖形1410，係發光強度1411之時間變化小且sd之值亦小。關於如此之波長，係變更時間區間時發光強度的平均值之變化仍小，故因時間區間之變更而改善預測誤差的可能性低。
在另一方面，示於圖14B之圖形1420，係發 光強度1421之時間變化為大且sd之值亦大。關於如此之波長，係時間區間之變更會使得發光強度的平均值大幅變化，故因時間區間之變更而改善預測誤差的可能性高。因此，在接下來之S204的波長組合之精確化處理，係亦考量sd之大小而就波長的組合作精確化。
另外，在S203之處理係就儲存於圖7之波長 1欄25c的波長而算出sd之值，惟亦可就儲存於波長2欄25d之波長而算出sd之值。此外，亦可將就儲存於波長1欄25c之波長所算出的sd之值、就儲存於波長2欄25d之波長所算出的sd之和、加權平均儲存於發光強度標準偏差欄25j。
(S204)演算部21，係利用儲存於預測誤差 欄25g之值、及儲存於發光強度標準偏差欄25j之值，而就繼續時間區間之探索的波長之組合進行精確化而作決定。
演算部21，係利用儲存於圖7之預測誤差欄 25g的預測誤差之值，而從預測誤差的值為小之列依序算出順位，儲存預測誤差順位欄25h之各列。
另外演算部21，係就儲存於發光強度標準偏 差欄25j之值未滿預先設定之閾值1(例如100)的列，從預測誤差的值為小之列依序算出順位，儲存於預測誤差順位1欄25k之各列。同樣地演算部21，係就儲存於發光強度標準偏差欄25j之值成為前述閾值1以上之列，從 預測誤差的值為小之列依序算出順位，儲存於預測誤差順位2欄25l之各列。
演算部21，係就儲存於預測誤差順位欄25h 或預測誤差順位1欄25k或預測誤差順位2欄25l之順位成為所預定的閾值2(例如10)以下之列，為了繼續時間區間之探索，而於探索繼續欄25i儲存○，就除此以外之列，係於探索繼續欄25i儲存-。
藉此處理，可就當作時間區間之探索的對象 之波長組合作限定，可縮短探索所花的時間。
(S205)演算部21，係將儲存於初始探索結 果資料表25a之資訊對操作者作提示，確認探索繼續之要否。
將演算部21對於操作者作提示的輸出畫面之 一例繪示於圖15。於示於圖15之輸出畫面1500，係顯示波長與時間區間之組合一覽表D200、散佈圖顯示部D207、及探索繼續指示部D208。
於波長與時間區間之組合一覽表D200，係顯 示預測誤差順位欄D201、波長1欄D202、波長2欄D203、波長1時間區間欄D204、波長2時間區間欄D205、及預測誤差欄D206，分別儲存於圖7之初始探索結果資料表25a的預測誤差順位欄25h、波長1欄25c、波長2欄25d、波長1時間區間欄25e、波長2時間區間欄25f、預測誤差欄25g之資訊，分別從儲存於預測誤差順位欄25h之順位第1位之列以降序而顯示。
另外於散佈圖顯示部D207之欄，係顯示以預 測誤差順位第1位之波長與時間區間之組合而算出發光強度監控值時之發光強度監控值與蝕刻處理結果之散佈圖1510。
另外於探索繼續指示部D208，係顯示供於使 操作者確認探索之繼續要否用之資訊。於操作者按下D209或D210之按鈕的情況下，演算部21係進至接下來的S206之處理。
(S206)演算部21，係於操作者按下探索繼 續指示部D208之D209的Yes之按鈕的情況下，係進至接下來的S207之處理。另一方面，按下D210之No的按鈕之情況下，係將在圖15順位1之資料予以記憶於控制條件資料記憶部28而結束解析處理。
(S207)演算部21，係就於圖7之初始探索 結果資料表25a的探索繼續欄25i儲存了表示探索繼續之○的波長之組合，比S202之處理更詳細分割時間區間而進行預測誤差的評估。將正成為處理的對象之列稱作該列。就本步驟的詳細之處理的流程，利用圖10C作說明。
在本步驟，演算部21，係將利用使用隨機數 而設定之時間區間下的發光強度而算出預測誤差之處理(S207-1)進行作為所預定的次數之R次(例如1000次)(S207-2)，將所算出之預測誤差的最小值，儲存於圖8之隨機數探索結果資料表26a的預測誤差欄26g之該列(S207-3)，將算出該最小值之時間區間儲存於波長1 時間區間欄26e、及波長2時間區間欄26f(S207-4)。 此外，將成為探索之對象的波長之組合與其ID，儲存於ID欄26b、波長1欄26c、及波長2欄26d(S207-5)。
演算部21，係將算出預測誤差之處理(S207- 1)重複R次，將預測誤差以不同時間區間算出R個，就算出預測誤差之處理(S207-1)的詳細之順序，利用圖10D作說明。在預測誤差的算出處理(S207-1)，係如同S202之處理作成示於圖11的發光強度監控值資料表29a，利用(數式1)~(數式5)，而算出預測誤差的值。
於圖11之發光強度監控值資料表29a的晶圓 ID欄29b，係儲存表示取得資料之晶圓的資訊、及例如在示於圖5之蝕刻處理結果表23a的晶圓ID欄23b所儲存之資訊(S207-1-1)。
演算裝置21，係儲存於圖6之OES資料表 24a的時間欄24d之時間區間(在圖6之例係1至100)之中，利用均勻隨機數而選擇2點(S207-1-2)。使所選擇的時間之中值為小者為TS1，使大者為TE1(S207-1-3)。演算裝置21，係作為第3發光強度平均值，於圖6之OES資料表24a的發光強度欄24e，算出在以儲存於圖7之波長1欄25c之該列的波長作特定之行，且於TS1至TE1之時間的列所儲存之值的平均值(S207-1-4)。
另外同樣地演算裝置21，係儲存於OES資料 表24a的時間之中，利用均勻隨機數而選擇2點(S207- 1-5)。使所選擇的時間之中值為小者為TS2，使大者為TE2(S207-1-6)。演算裝置21，係作為第4發光強度平均值，於圖6之OES資料表24a的發光強度欄24c，算出在以儲存於圖7之波長2欄25d之該列的波長作特定之行，且於TS2至TE2之時間的列所儲存之值的平均值(S207-1-7)。
於圖11之發光強度監控值欄29c，係儲存接 下來示出之將第3發光強度平均值除以第4發光強度平均值之值(S207-1-8)。
於圖11之發光強度監控值資料表29a之蝕刻 處理結果欄29d，係儲存於圖5之蝕刻處理結果表23a的蝕刻處理結果欄23c之值，被以賦予對應了晶圓ID之方式而儲存(S207-1-9)。
再者演算部21，係就利用發光強度監控值而 就蝕刻處理結果作預測時之預測誤差(e)，利用前述的(數式1)~(數式5)作算出(S207-1-10)。此處所算出之預測誤差(e)成為在S207所求的預測誤差。
演算裝置21，係將算出R次的預測誤差之中 最小者，在S207-3儲存於圖8之隨機數探索結果資料表26a的預測誤差欄26g之該列，在S207-4將算出該最小值之時間區間儲存於波長1時間區間欄26e、及波長2時間區間欄26f。此外，在S207-5將成為探索之對象的波長之組合與其ID，儲存於ID欄26b、波長1欄26c、及波長2欄26d。
(S208)演算部21，係利用儲存於圖8之隨 機數探索結果資料表26a的預測誤差欄26g之預測誤差的值，而從預測誤差的值為小之列依序算出順位，儲存預測誤差順位欄26h之各列。再者演算部21，係就儲存於預測誤差順位欄26h之順位為最小的列作特定，為了對於該列繼續時間區間之探索而於探索繼續欄26i儲存○，就除此以外之列，係於探索繼續欄26i儲存-。另外，在本實施例係僅就1個列作特定，惟亦可作成依預測誤差小之順序就複數個列作特定而加上○而繼續探索。
藉此處理，可就當作時間區間之探索的對象 之波長組合作限定，可縮短探索所花的時間。
(S209)演算部21，係就於圖8之隨機數探 索結果資料表26a的探索繼續欄26i儲存了表示探索繼續之○的列作特定，讀入儲存於ID欄26b、波長1欄26c、及波長2欄26d之該列的資訊，儲存於圖9之最終探索結果資料表27a的ID欄27b、波長1欄27c、及波長2欄27d。
再者演算部21，係就儲存於波長1欄27c、 及波長2欄27d之波長的組合，針對可取得之全部的時間區間之組合而算出發光強度監控值，就各發光強度監控值利用(數式1)~(數式5)而算出預測誤差(e)。將所算出的預測誤差(e)之中最小者儲存於最終探索結果資料表27a之預測誤差欄27g，將算出最小值時之時間區間儲存於波長1時間區間27e與波長2時間區間欄27f。
另外，於探索繼續欄26i有複數個儲存了表示 探索繼續的○之列之情況下，係就各列之波長組合，針對可取得之全部的時間區間之組合而算出預測誤差(e)，將各波長與時間區間的組合之中預測誤差為最小的波長與時間區間之組合及ID，儲存於最終探索結果資料表27a。
(S210)演算裝置21係作為最終探索結果， 將儲存於圖9之最終探索結果資料表27a的值、及關於散佈圖之資料輸出至畫面上而結束處理。將演算部21對於操作者作提示的輸出畫面之一例繪示於圖16。
於示於圖16之輸出畫面，係顯示預測誤差順 位為第1位之波長與時間區間之組合表D300、及散佈圖顯示部D307。
於預測誤差順位為第1位之波長與時間區間 之組合表D300之預測誤差順位欄D301，係儲存示出在所探索的波長與時間區間之中預測誤差為最小的情形之1。 此外，顯示波長1欄D302、波長2欄D303、波長1時間區間欄D304、波長2時間區間欄D305、及預測誤差欄D306，於各者顯示儲存於最終探索結果資料表27a之波長1欄27c、波長2欄27d、波長1時間區間欄27e、波長2時間區間欄27f、及預測誤差欄27g之資訊。
另外於散佈圖顯示部D307，係顯示以預測誤 差順位第1位之波長與時間區間之組合而算出發光強度監控值時之發光強度監控值與蝕刻處理結果之散佈圖1610。
操作者，係藉確認示於圖16之輸出畫面，從 而可掌握蝕刻處理結果的預測誤差小之波長與時間區間之組合。
示於此圖16之儲存於最終探索結果資料表 27a而顯示於輸出畫面的內容，係記憶於圖1之記憶部22的控制條件資料記憶部區域28。於量產時，係利用記憶於此控制條件資料記憶部區域28之資料而以控制部13就電漿加工部11作控制而對晶圓114依序進行蝕刻加工。
如以上所說明，藉採用本實施形態之蝕刻裝 置1(解析部20)作執行的解析方法，使得可容易從多數個波長、時間區間的組合之中，就蝕刻處理結果的預測誤差小之波長與時間區間之組合，在短時間內作掌握。
依本實施例，即變得可在電漿發光監控條件 方面，適切就複數個測定波長及各波長每者之測定時間的條件作決定，因而可將蝕刻處理氣體維持為適切之流量，而執行高準確度之蝕刻處理。
依本實施例，即變得可在電漿發光監控條件 方面，適切就複數個測定波長及各波長每者之測定時間的條件作決定。藉此，變得可與歷來比較下誤差少而更高準確度地求出蝕刻處理結果之預測值。
其結果，變得可更高準確度地算出蝕刻處理 結果之目標值與蝕刻處理結果的預測值之差分，依該差分而就蝕刻處理條件之調整值例如從氣體供應器117供應之蝕刻氣體的流量(氣體流量)準確度佳地作控制而進行蝕 刻處理，從而可穩定形成微細之形狀的圖案。
以上，雖就本發明基於實施形態而具體說 明，惟本發明係非限定於前述實施形態者，在不脫離其要旨之範圍可作各種變更。
1‧‧‧蝕刻裝置
10‧‧‧蝕刻部
11‧‧‧電漿加工部
12‧‧‧分光器(OES)
13‧‧‧控制部
14‧‧‧IF部
20‧‧‧解析部
21‧‧‧演算部
22‧‧‧記憶部
23‧‧‧蝕刻處理結果資料記憶區域
24‧‧‧OES資料記憶區域
25‧‧‧初始探索結果資料記憶區域
26‧‧‧隨機數探索結果資料記憶區域
27‧‧‧最終探索結果資料記憶區域
28‧‧‧控制條件資料記憶區域
210‧‧‧IF部
30‧‧‧輸入部
31‧‧‧輸出部
32‧‧‧通信IF部
33‧‧‧匯流排

Claims (9)

  1. 一種蝕刻裝置之資料解析方法，特徵在於：從予以產生電漿而就樣品作蝕刻處理時的前述予以產生之電漿的發光波段之中作成波長的組合，針對該所作成之各波長之組合，設定算出就前述樣品作蝕刻處理之時間下的發光強度之平均值的時間區間，針對該所作成之各波長之組合，算出利用前述時間區間下的發光強度之平均值而就蝕刻處理之結果作預測時的預測誤差，將該所算出之預測誤差為最小的波長與時間區間之組合選擇作為就蝕刻處理之結果作預測的波長與時間區間之組合。
  2. 如申請專利範圍第1項之蝕刻裝置之資料解析方法，其中，從前述所算出之預測誤差就前述波長的組合作精確化，就藉該精確化而精確化之波長的組合對於時間區間作探索而算出第2預測誤差，將該所算出之第2預測誤差為最小的波長與時間區間之組合選擇作為就蝕刻處理結果作預測的波長及時間區間。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之蝕刻裝置之資料解析方法，其中，將選擇作為就前述蝕刻處理結果作預測之波長及時間區間的前述預測誤差為最小之波長與時間區間之組合的資訊，與前述預測誤差的資訊共同顯示於畫面上。
  4. 一種蝕刻方法， 對於在搬入樣品於內部之狀態下排氣成真空的處理室導入蝕刻氣體而予以產生電漿而邊就該所產生的電漿之發光作監控邊根據預先設定的蝕刻處理條件就前述樣品作蝕刻處理，根據就前述電漿之發光作監控所得的資料而就預先設定之蝕刻處理條件作調整，特徵在於：從予以產生電漿而就樣品作蝕刻處理時的前述予以產生之電漿的發光波段之中作成波長的組合，針對該所作成之各波長之組合，將算出就前述樣品作蝕刻處理之時間下的發光強度之平均值的時間區間對波長作設定，就該所作成之各波長的組合算出利用前述時間區間下的發光強度之平均值而就蝕刻處理之結果作預測時的預測誤差，就該所算出之預測誤差為最小的波長與時間區間之組合作特定，利用該所特定之預測誤差為最小的波長與時間區間之組合下的蝕刻處理結果之預測值而調整蝕刻處理條件。
  5. 如申請專利範圍第4項之蝕刻方法，其中，從前述所算出之預測誤差就前述波長的組合作精確化，就藉該精確化而精確化之波長的組合對於時間區間作探索而算出第2預測誤差，將前述第2預測誤差為最小的波長與時間區間之組合選擇作為就蝕刻處理結果作預測的波長及時間 區間。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之蝕刻方法，其中，將選擇作為就前述蝕刻處理之結果作預測之波長及時間區間的預測誤差為最小之波長與時間區間之組合的資訊，與前述預測誤差的資訊共同顯示於畫面上。
  7. 一種蝕刻裝置，具備：處理室；於該處理室之內部搬入樣品而在將該處理室之內部排氣成真空的狀態下導入蝕刻氣體而予以產生電漿之電漿產生部；就藉該電漿產生部而產生的電漿之發光作監控的電漿發光監控部；作成就前述電漿產生部作控制的條件之資料的演算部；就以該演算部所作成之就前述電漿產生部作控制的條件之資料作記憶的記憶部；及根據以前述電漿發光監控部所監控的電漿之發光的狀態與記憶於前述記憶部之控制資料而就前述電漿產生部作控制之控制部；特徵在於：前述演算部，係作為供於以前述電漿產生部就前述樣品作蝕刻加工用之條件，從予以產生電漿而就樣品作蝕刻處理時的前述予以產生之電漿的發光波段之中作成波長的組合，針對該所作成之波長的組合，設定算出就前述樣品作 蝕刻處理之時間下的發光強度之平均值的時間區間，就前述所作成之波長的組合之各者算出利用前述時間區間下的發光強度之平均值而就蝕刻處理之結果作預測時的預測誤差，就該所算出之預測誤差為最小的波長與時間區間之組合作特定，利用該所特定之預測誤差為最小的波長與時間區間之組合下的蝕刻處理結果之預測值而作成供於就前述樣品作蝕刻加工用的條件。
  8. 如申請專利範圍第7項之蝕刻裝置，其中，前述演算部，係從前述所算出之預測誤差就前述波長的組合作精確化，就藉前述精確化而精確化之波長的組合對於時間區間作探索而算出第2預測誤差，將前述第2預測誤差為最小的波長與時間區間之組合選擇作為就蝕刻處理結果作預測的波長及時間區間。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之蝕刻裝置，其進一步具備輸出部，該輸出部，係將以前述演算部選擇作為就前述蝕刻處理結果作預測之波長及時間區間的前述預測誤差為最小之波長與時間區間之組合的資訊，與預測誤差的資訊共同輸出。
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