TWI254989B - An apparatus for process of a substrate - Google Patents

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TWI254989B TW094105522A TW94105522A TWI254989B TW I254989 B TWI254989 B TW I254989B TW 094105522 A TW094105522 A TW 094105522A TW 94105522 A TW94105522 A TW 94105522A TW I254989 B TWI254989 B TW I254989B
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Kazuyuki Toyoda
Motonari Takebayashi
Tadashi Kontani
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Description

1254989 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於基板處理裝置，尤其是，關於利用由電漿 所激發的處理氣體而於半導體晶圓上進行成膜的基板處理 裝置。 【先前技術】 在利用由電漿所激發的處理氣體而於半導體晶圓上進 行成膜的基板處理裝置，爲防止與處理氣體的反應，具有將 • 產生電漿的電極收容於保護管內的構造（參照日本國特開 2002-280378 號公報）° 【發明內容】 本發明者等發現了最好在此種構造的基板處理裝置 中，可均勻產生電漿，同時，容易安裝於裝置上之構造的電 極。 因此，本發明之目的在於，提供一種具備可均勻產生電 漿，同時，容易安裝於裝置上之構造的電極的基板處理裝置。 ^ 根據本發明之一態樣，提供一種基板處理裝置，其特徵 爲具有收容至少一片基板的處理室；將處理氣體供應給處理 室內的氣體供給系統；排出處理室內的環境氣體的排氣系 統；及爲將處理氣體設爲活性狀態而可插拔地收容於保護管 內的至少一對電極； 上述電極係以至少一處被彎曲的狀態收容於保護管 內，更且，上述電極係由可撓性構件所構成。 【實施方式】 1254989 根據本發明之較佳實施形態，提供一種基板處理裝置’ 其特徵爲具有收容至少一片基板的處理室；將處理氣體供應 給處理室內的氣體供給系統；排出處理室內的環境氣體的排 氣系統；及爲將處理氣體設爲活性狀態而可插拔地收容於保 護管內的至少一對電極； 上述電極係以至少一處被彎曲的狀態收容於保護管 內，更且，上述電極係由可撓性構件所構成。 最好電極係利用編結線狀之導電構件所構成。又，最好 • 於電極設置芯。 又，最好電極係將利用編結線狀之導電構件所構成的構 件設爲中空的圓筒形狀。 又，最好電極係由將線狀之導電構件形成束狀構成的構 件所構成。 又，最好一對電極的各電極分別可插拔地收容於另外的 保護管內。 又，最好一對電極的各電極的外徑，係較另外的保護管 •的各內徑小1至2 m m。 另外，最好基板處理裝置係在將以指定間隔疊層多片基 板而保持的基板保持構件收容於處理室內的狀態執行基板 處理的裝置， 上述一對電極係沿基板的疊層方向所配置，更且，電極 的端部係設置爲較保持於基板保持構件的電極端部側的最 端部的基板位置，至少還要超過在基板保持構件的基板彼此 的間隔量的長度。 1254989 在該情況，最好電極的端部設置在超過基板保持構件的 頂板位置的位置。 又，根據本發明之較佳實施形態，提供一種具備處理基 板之步驟的半導體裝置的製造方法，其使用特徵爲具有：收 容至少一片基板的處理室；將處理氣體供應給處理室內的氣 體供給系統；排出處理室內的環境氣體的排氣系統；及爲將 處理氣體成爲活性狀態而可插拔地收容於保護管內的至少 一對電極；上述電極係以至少一處被彎曲的狀態收容於保護 φ 管內，更且，上述電極係由可撓性構件，所構成的基板處理 裝置。 以下，說明本發明之較佳實施例。 在本發明之較佳實施例中，產生電漿的電極係以至少一 處被彎曲的狀態收容於保護管內，同時，由可撓性構件所構 成。 藉由將電極設爲可撓性，可在插入保護管內時保持柔軟 性，同時可抑制熱膨脹。另外，爲從反應室的下方至上方進 • 行均勻放電，即使在使用細長形狀的電極的情況，仍可容易 地於保護管拆裝。 另外，利用編結線狀之導電構件來構成產生電漿的電 極，可增大電極插入時的自由度，可使熱膨脹引起的變形少 者。又，可確保表面積，且高頻具有流動於物體表面的特性， 因此可有效產生電漿。尤其是，將電極加工爲圓筒形狀，可 獲得更好的效果。 藉由在產生電漿的電極設置芯，可不致縮短具有可撓性 1254989 的電極進行使用，可對多片晶圓供給更爲均勻的電漿。 又，最好由線狀之導電構件形成束狀構成的構件來構成 產生電漿的電極，利用此種構成，可容易實現剖面圓形的具 有彎曲性的細長形狀的電極。 又，作爲導電構件的一例，最好使用鐵、鎳、碳、金等 或包含此等的化合物。其中，若考慮耐熱性、金屬污染、價 格等因素，以使用鎳爲最佳。 另外，尤其在500°C以上的高溫環境內使用的情況，以 # 使用鎢、鉬等的高熔點金屬或碳纖維等爲較佳。 (實施例1) 以下，參照圖式進一步詳細說明本發明之實施例。 本實施例係針對作爲對晶圓等的基板進行製程處理例 而使用ALD(Atomic Layer Deposition)法的成膜處理，簡單 地說明之。 ALD法係在某成膜條件（溫度、時間等）下，將用於成膜 之2種類（或此以上）的原料組成的氣體，各一種類交錯地供 ® 給基板上，以1原子層單位進行吸附，利用表面反應進行成 膜的方法。 亦即，利用之化學反應，例如，在形成SiN(氮化矽）膜 的情況之ALD法，使用DCS(SiH2Cl2)與NH3(氫），以300 至600 °C的低溫進行高品質的成膜。另外，成膜所需要的原 料氣體係各一種類交錯地供給多種類的反應性氣體。另外， 膜厚控制係由供給反應性氣體的週期數所控制。（例如，當 成膜速度爲lA/週期時，在形成20A的膜的情況，進行2〇 1254989 週期的處理） 第1圖爲說明本實施例的基板處理裝置的縱型基板處理 爐用的槪要縱剖面圖，第2圖爲說明本實施例的基板處理裝 置的縱型基板處理爐用的槪要橫剖面圖。 在加熱手段的加熱器207的內側，設有作爲處理基板的 晶圓200的反應容器的反應管203，該反應管203的下端開 口由屬蓋體的密封帽蓋2 1 9，藉由氣密構件的〇形環（未圖 示）而氣密性封閉。在反應管203及加熱器207的外側設有 # 隔熱構件208。隔熱構件208係設置爲還覆蓋反應管203的 上方。至少由加熱器207、隔熱構件208、反應管203及密 封帽蓋219形成處理爐202。另外，由反應管203、密封帽 蓋219及後述之形成於反應管203內的緩衝室237形成處理 室201。在密封帽蓋219藉由載具台218及旋轉軸220立設 有屬基板保持手段的載具2 1 7，載具台2 1 8係形成爲保持載 具217的保持體。載具217係插入處理爐202內。在載具217 內，被分批處理的多片晶圓200呈水平姿勢沿管軸方向以多 ® 段疊載於垂直方向。加熱器207係將插入處理爐202內的晶 圓200加熱爲指定溫度。 在反應管203內的中央部設有將多片晶圓2〇〇以多段且 以相同間隔載置於垂直方向的載具2 1 7，該載具2 1 7係藉由 圖中省略的載具升降機機構而可出入於反應管203。另外， 爲提高處理的均勻性，設有旋轉載具2 1 7用的屬旋轉手段的 載具旋轉機構267，藉由旋轉載具旋轉機構267，可使保持 於載具台2 1 8的載具2 1 7旋轉。 1254989 另外，設有對處理爐202供給複數種類（在此爲2種類） 的氣體的作爲供給管的2根氣體供給管232a、23 2b。在此， 從氣體供給管232a藉由屬流量控制手段的流量控制器241a 及屬開閉閥的閥243a，更藉由後述之形成於反應管203內的 緩衝室237,將反應氣體供給處理室201，從氣體供給管23 2b 藉由屬流量控制手段的流量控制器24 1 b、屬開閉閥的閥 24 3b、儲氣部247及屬開閉閥的閥243c，並藉由氣體供給部 (未圖示），將反應氣體供給處理室201。 Φ 處理室201係藉由排放氣體的排氣管的氣體排氣管231 並藉由閥243d連接於排氣手段的真空泵246,用以進行真空 排氣。又，該閥243d係利用開閉閥而可進行處理室201的 真空排氣、停止真空排氣，並利用調節閥開啓度而可進行壓 力調整的開閉閥。 在構成處理室201之反應管203內壁及晶圓200之間的 圓弧狀空間，從反應管203的下部至上部的內壁沿著晶圓 200的疊置方向，設有屬氣體分散空間之緩衝室237，在與 ® 該緩衝室237的晶圓200相鄰的內側的壁端部近旁設有供給 氣體的屬供給孔的氣體供給孔248a。該氣體供給孔248a朝 反應管203的中心方向開口。該氣體供給孔248a沿著晶圓 2 00的疊置方向從下部至上部以指定長度分別具有相同的開 口面積，且以相同開口間距而設。 在與設有緩衝室2 3 7之氣體供給孔2 4 8 a側的相反側的 反應管203的側壁，連接有氣體供給管232a。 又，在緩衝室237配設有具有細長構造的電極269及電 -10- 1254989 I 極270，分別被從上部至下部保護電極的屬保護管的電極保 護管27 5所保護，該電極269或電極270的任一端藉由整合 器27 2連接於高頻電源27 3，而另一端連接於屬基準電位的 地線。該結果在電極2 6 9及電極2 7 0間的電漿生成區域2 2 4 生成電漿。 該電極保護管275形成爲在將電極269及電極270之各 者與緩衝室237的環境隔離的狀態下可插入緩衝室237的構 造。 • 在此，電極保護管275的內部，當爲與外部空氣（大氣） 相同的環境時，分別插入電極保護管275的電極269及電極 270，因加熱器207的加熱而被氧化。在此，電極保護管275 的內部設有充塡或鈍化氮氣等的惰性氣體，抑制氧氣濃度爲 充分低，用以防止電極269及電極270用的惰性氣體鈍化機 構（未圖示）。 本實施例中係將電極保護管2 7 5設爲在途中彎曲的構 造，緩衝室237內由從較最下端的晶圓2〇0更下側延伸至較 • 載具頂部2 1 6更上部的垂直部與其下的傾斜部所構成。傾斜 部的下端係從反應管203的側壁突出於外部。 電極2 6 9及電極2 7 0係藉由使用具有可撓性的構件，而 可從電極保護管275的傾斜部下端將電極269、270插入電 極保護管275內，同時，可使電極269、270到達電極保護 管275的上端部。 作爲電極2 6 9及電極2 7 0的一例，第3圖顯示將導電構 件加工爲薄板狀的構造。這爲使用一個具有可撓性的導電構 -11- 1254989 件的電極269及電極270的一例。該電極269、270係將導 電構件加工爲薄板狀者，在薄板的主面沿垂直方向可具備彎 曲性。因此即使爲電極269、270的插入口位於反應管203 的側面的構造，仍可將電極269、270插入電極保護管275。 另外，當將高頻電力施加於該電極269、270時，可產生電 漿2 24。但是也有薄板電極269、270在電極保護管275中產 生歪斜，以使電極269、270間的間隔在垂直方向上不成爲 一定，而使得電漿224變得不均勻的情況。 ϋ 接著，參照第4、5圖說明使用多個具有可彎曲性的導 電構件的電極269、270的例子。 首先，第4圖顯示將加工爲線狀的導電構件形成束狀的 電極269、270的構造。該電極269、270係使用將導電構件 加工爲線狀者，因此具有可撓性、彎曲性。 另外，第5圖顯示織入加工爲線狀的導電構件的構造的 例子。該電極269、270係形成爲織入多根導電構件，且於 其中心穿通芯271的構造。在織入型電極269、270內不具 Φ 備芯271的情況，電極269、270當於產生電漿224時進行 加熱，則有變軟且網眼堵塞，而向下方收縮的情況。另外’ 在將維護時暫時拔出的電極269、270再度插入電極保護管 275時，有變軟的電極269、270因與電極保護管275的摩擦 而收縮，而無法使電極269、270到達最上部的晶圓200的 情況。電極269、270到達最上部的晶圓200，則意味著在存 在有多個晶圓200的區域會出現無電漿224產生的部分或不 均勻的部分，從而有影響及成膜的懸念。在此，藉由將芯27 1 1254989 放入電極269、270的中心，即可成爲防止收縮的構造。 另外，作爲在上部晶圓200區域出現無電漿224產生的 部分的其他對策，如第1圖所示，以即使在電極269、270 收縮的情況仍可將電漿224供給最上面的晶圓200的方式， 朝上部方向增長電極269、270，以使來到較載具頂部216 更上部的位置。藉此，可將電極269、270插入較最上面的 晶圓200更高的位置，以便即使在由熱產生收縮的情況，仍 不會在存在有晶圓2Ό0的區域產生無電漿224產生的區域。 • 又，電極269、270的上部端的設置位置，係在至少較 最上面的晶圓200還要高出保持於載具217的晶圓200的保 持間隔以上的上側。如本實施形態般，以設置於超過載具頂 部2 1 6位置的位置爲較佳。 第4、5圖所示情況，當以成爲較電極保護管275的內 徑小1〜2mm的外形的方式製成電極269、270時，可殘留 插入電極269、270用的間隙，同時，可在電極269、270與 電極保護管27 5之間使沿橫方向歪斜的間隙消除，因此電極 ® 269、270保持筆直的形狀，可更爲均勻地產生電漿。 利用此種電極構造，可在反應管203內使用性良好且可 拆裝及安全運用生成均勻電漿用的細長形狀的電極269、 270 ° 在從氣體供給孔248a的位置旋轉120度的反應管203 的內側設有噴嘴2 3 3。該噴嘴2 3 3係在依ALD法的成膜中， 在將多種類的氣體，各一種類交錯供給晶圓200時，作爲分 擔緩衝室237與氣體供給種子的供給部。 Ί254989 該噴嘴2 3 3也與緩衝室2 3 7相同在與晶圓鄰接之位置具 有以相同間距供給氣體的屬供給孔的氣體供給孔248c，下部 連接有氣體供給管232b。 氣體供給孔248c的開口面積，在噴嘴23 3內與處理室 20 1的差壓小的情況，從上游側至下游側以相同的開口面積 且設爲相同的開口間距即可，但在差壓大的情況，可從上游 側朝向下游側增大開口面積或減小開口間距。 屬控制手段的控制器321係連接於流量控制器241a、 φ 241b、閥 243a、243b、243c、24 3d、加熱器 207、真空泵 24 6、 載具旋轉機構267、同中省略的載具升降機構、高頻電源 273、整合器272，用以進行流量控制器241a、241b的流量 調整、閥243a、243b、243c的開閉動作、閥243d的開閉及 壓力調整動作、加熱器207的溫度調節、真空泵246的啓動、 停止、載具旋轉機構267的旋轉速度調節、載具升降機構的 升降動作控制、高頻電源273的電力供給控制、依整合器272 的阻抗控制。 ^ 以下，針對依ALD法的成膜例，以使用DCS及NH3氣 體進行SiN膜的成膜爲例作說明。 首先，將欲成膜之晶圓200裝塡於載具217，搬入處理 爐202內。搬入後順序執行以下的4個步驟。 [步驟1 ] 在步驟1中，混合流動電漿激勵所必要的NH3氣體與電 漿激勵所不需的DC S氣體。首先，同時打開設於氣體供給 管23 2a的閥24 3a及設於氣體排氣管231的閥243d，從氣體 -14- 1254989 供給管23 2a將由流量控制器241a所進行流量調整的NH3氣 體噴出於緩衝室237內，在電極269及電極270之間，從高 頻電源273藉由整合器272施加0.1〜（K6Kw的高頻電力， 電漿激發NH3，作爲活性種子邊供給處理室20 1邊從氣體排 氣管排氣。在藉由電漿激發NH3氣體而作爲活性種子流動 時，適當調整閥243d而將處理室201內壓力設爲10〜 lOOPa。由流量控制器241a所控制的NH3的供給量，係1000 〜10000 seem。對藉由電漿激發NH3而獲得的活性種子曝露 • 晶圓200的時間爲1〜120秒。此時之加熱器207的溫度係 設定爲使晶圓成爲300〜600 °C。藉由以電漿活化NH3氣體 之方法，可以低溫處理晶圓表面。 在藉由電漿激發NH3而作爲活性種子予以供給時，打開 氣體供給管2 32b上游側的閥243b，關閉下游側的閥243c， 以使DCS也流動。藉此在設於閥243b、243c間的儲氣部247 蓄積DCS。此時，流動於處理室201內的氣體係爲藉由電漿 激發NH3而獲得的活性種子，不存在DCS。因此NH3不引 ® 起氣相反應，由電漿激發而成爲活性種子的NH3與晶圓200 上的襯底膜進行表面反應。 [步驟2 ] 在步驟2中，在關閉氣體供給管2 3 2a的閥243a而停止 NH3的供給後，雖由n2的惰性氣體鈍化反應管203內，但 其間還是繼續供給儲氣部247。當在儲氣部247蓄積有指定 壓力、指定量的DCS後，還關閉上游側的閥243b，將DCS 封入儲氣部247內。另外，氣體排氣管231的閥243 d在保 1254989 持爲打開的狀態下，藉由真空泵246充分對處理室201進行 排氣，以便從處理室201內排除殘留NH3。 [步驟3] 在步驟3中，在處理室201的排氣結束後，關閉氣體排 氣管231的閥243d以停止排氣。打開氣體供給管232b下游 側的閥243c。藉此，蓄積於儲氣部247內的DCS —氣被供 給處理室201。此時，因爲關閉氣體供給管232b的閥243d， 因此處理室 201 內的壓力急遽上升而升壓至約 φ 93 lPa(7Torr)。供給DCS用的時間係設定爲2〜4秒，且將 曝露在其後上升的壓力環境中的時間設定爲2〜4秒，合計 爲6秒。此時之晶圓溫度與NH3的供給時相同，爲300〜 600 °C。藉由DCS的供給，DCS進行表面反應，將N-H耦合 的Η取代爲Si，在晶圓200上成膜SiN膜。 [步驟4] 在步驟3中，在成膜後關閉閥243c，且打開閥243d， 對處理室201進行真空排氣，排除貢獻給殘留之DSC的成 • 膜後的氣體。另外，此時當將N2等的惰性氣體供給處理室 201時，可進一步提高從處理室201排除貢獻給殘留之DSC 的成膜後的氣體的效果。另外，打開閥243b而開始將DCS 供給儲氣部2 4 7。 將上述步驟1〜4作爲一個週期，利用多次重複該週期 而於晶圓上成膜指定膜厚的SiN膜。 又，在ALD裝置中，氣體吸附於襯底膜表面。該氣體 的吸附量與氣體的壓力及氣體的曝露時間成比例。因此爲了 -16- 1254989 在短時間內吸附希望的一定量的氣體，有必要在短時間內增 大氣體壓力。在該點上，本實施例中，係在關閉閥243d的 基礎上瞬間供給蓄積於儲氣部247內的DCS，因此可急遽提 高處理室201內的DCS的壓力，可瞬間吸附希望的一定量 的氣體。 另外，本實施例中，在蓄積DCS於儲氣部247內的期 間，藉由電漿激發屬在ALD法中需要的步驟的NH3氣體作 爲活性種子予以供給，及進行處理室20 1的排氣，因此無須 # 蓄積DCS用的特別步驟。另外，將處理室201內排氣以除 去NH3氣體後流動DCS，因此兩者在朝向晶圓200的途中不 發生反應。供給之DCS可僅在晶圓200的表面有效進行反 應。 其次，參照第6圖，作爲比較例，針對使用無可撓性的 電極27 6、277的情況的反應管構造進行說明。 如第6圖所示，在從下側插入電極276的情況，只能從 下部插入電極276，電漿只生成於緩衝室237的下方，因此 ^ 晶圓200的處理在載具217的上下均成爲不均勻。 其次，參照第7、8圖，說明本發明之能良好適用之基 板處理裝置的一例的半導體製造裝置的槪要。 在框體1 〇 1內部的前面側，設有在與未圖示的外部裝置 間進行作爲基板收容容器之匣盒1 〇〇的授受的屬保持具授受 構件的匣盒台1 05，在匣盒台1 05的後側設有作爲升降手段 的匣盒升降機115，在匣盒升降機115安裝有作爲搬運手段 的匣盒移載機1 1 4。又，在匣盒升降機1 1 5的後側設有作爲 1254989 匣盒100的載置手段的匣盒櫃109，同時在匣盒台105的上 方還設有預備匣盒櫃110。在預備匣盒櫃110的上方設有無 塵單元1 1 8，且以使無塵空氣流通於框體1 〇 1內部的方式所 構成。 在框體101後部上方設有處理爐202，在處理爐202的 下方設有作爲升降手段的載具升降機121，該載具升降機121 用以使呈水平姿勢多段保持作爲基板之晶圓200的屬基板保 持手段的載具217升降於處理爐202，在安裝於載具升降機 • 121的升降構件122的前端部安裝有作爲蓋體的密封帽 219，用以垂直支持載具217。在載具升降機121與匣盒櫃 109之間設有作爲升降手段的移載升降機113，在移載升降 機1 1 3設有作爲搬送手段的晶圓移載機1 1 2。又，在載具升 降機1 2 1的旁邊設有作爲遮蔽構件的爐口閘門1 1 6，該爐口 閘門1 1 6具有開閉機構且用以堵塞處理爐202的下面。 裝塡有晶圓200的匣盒1〇〇，係由未圖示的外部搬送裝 置以使晶圓200朝向上方的姿勢搬入匣盒台105,以晶圓200 ® 成爲水平姿勢的方式在匣盒台105旋轉90度。更且，匣盒 1 00係藉由匣盒升降機1 1 5的升降動作、橫行動作及匣盒移 載機1 1 4的進退動作、旋轉動作的協動，從匣盒台1 〇 5被搬 送至匣盒櫃109或預備匣盒櫃110。 在匣盒櫃109具有收容成爲晶圓移載機112的搬送對象 的匣盒1〇〇的移載櫃123，供晶圓200移載之匣盒1〇〇係藉 由匣盒升降機115、匣盒移載機114移載於移載櫃123。 當匣盒100移載於移載櫃123時，藉由晶圓移載機1 12 -18- 1254989 的進退動作、旋轉動作及移載升降機1 1 3的升降動作的協 動，從移載櫃123將晶圓200移載至降下狀態的載具217。 當將指定片數的晶圓200移載於載具217時，藉由載具 升降機121將載具217插入處理爐202內，藉由密封帽219 氣密性封閉處理爐202。在被氣密性封閉之處理爐202內加 熱晶圓200，同時將處理氣體供給處理爐202內，用以對晶 圓200進行處理。 當完成對晶圓200的處理時，晶圓200通過上述動作的 # 反向步驟，被從載具217移載於移載櫃123的匣盒100內， 匣盒1〇〇藉由匣盒移載機114而從移載櫃123移載於匣盒台 105,並藉由未圖示的外部搬送裝置搬出至框體1〇1的外部。 又，爐口閘門1 16在載具217降下狀態時處理爐202的下面， 以防止外部空氣進入處理爐202內。 匣盒移載機1 1 4等的搬送動作係由搬送控制手段1 24所 控制。 以上圖示且說明了種種典型之實施形態，但本發明並不 ® 限於此等實施形態。因此本發明之範圍係由以下的專利申請 範圍所限定。 綜上所述，根據本發明之較佳實施形態，提供一種具備 可均勻產生電漿，同時，容易安裝於裝置上之構造的電極的 基板處理裝置。 【圖式簡單說明】 第1圖爲說明本發明之實施例1的基板處理裝置的縱型 基板處理爐用的槪要縱剖面圖。 -19- 1254989 第2圖爲說明本發明之實施例1的基板處理裝置的縱型 基板處理爐用的槪要橫剖面圖。 第3圖爲說明本發明之實施例1的基板處理裝置的縱型 基板處理爐所使用的電漿產生用電極用的槪要圖。 第4圖爲說明本發明之實施例1的基板處理裝置的縱型 基板處理爐所使用的電漿產生用電極用的槪要圖。 第5圖爲說明本發明之實施例1的基板處理裝置的縱型 基板處理爐所使用的電漿產生用電極用的槪要圖。 B 第6圖爲說明比較用的縱型基板處理爐用的槪要縱音丨』_ 圖。 第7圖爲說明本發明之實施例1的基板處理裝釐用％ _ 要立體圖。 第8圖爲說明本發明之實施例1的基板處理裝釐用@ _ 要縱剖面圖。 【元件符號說明】 100 匣 盒 101 框 體 105 匣 盒 台 109 匣 盒 櫃 1 10 預 備 匣 盒 櫃 112 晶 圓 移 載 機 113 移 載 升 降 機 114 匣 盒 移 載 機 115 匣 盒 升 降 機 -20- 1254989
116 118 12 1 122 123 124 200 201 202 203 207 208 2 16 217 2 18 2 19 220 224 23 1 232a 、 232b 233 237 241a、 241b 爐口閘門 無塵單元 載具升降機 升降構件 移載櫃 搬送控制手段 晶圓 處理室 處理爐 反應管 加熱器 隔熱構件 載具頂部 載具 載具台 密封帽蓋 旋轉軸 電漿生成區域 氣體排氣管 氣體供給管 噴嘴 緩衝室 流量控制器 243a 、 243b 、 243c 、 243d 1254989 246 真空泵 247 儲氣部 248a、248c 氣體供給孔 267 載具旋轉機構 269 、 270 電極 27 1 272 273 275 276
心 整合器 高頻電源 電極保護管 電極 321 控制器
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Claims (1)

1254989 十、申請專利範圍： 1. 一種基板處理裝置， 具有：收容至少一片基板的處理室；將處理氣體供應給 處理室內的氣體供給系統；排出處理室內的環境氣體的排 氣系統；及爲將處理氣體設爲活性狀態而可插拔地收容於 保護管內的至少一對電極，其特徵爲 上述電極係以至少一處被彎曲的狀態收容於保護管 內，更且，上述電極係由可撓性構件所構成。 # 2 .如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中電極係利用 織入線狀導電構件所構成。 3 .如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中電極係將利 用織入線狀導電構件所構成的構件形成中空的圓筒形狀 者。 4.如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中電極係由將 線狀導電構件形成束狀構成的構件所構成。 5 .如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中基板處理裝 ^ 置係在將以指定間隔疊層多片基板而保持的基板保持構 件收容於處理室內的狀態，執行基板處理的裝置， 上述一對電極係沿基板的疊層方向所配置，更且，電極的端 部，係設置爲較保持於基板保持構件的電極端部側的最端 部的基板位置，至少還要超過基板保持構件的基板彼此的 間隔量的長度。 6 ·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中一對電極的 各電極分別可插拔地收容於另外的保護管內。 -23 - 1254989 7 ·如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中一對電極的 各電極的外徑，係較另外的保護管的各內徑小1至2mm。 8.如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中於電極設置 心 0 9 ·如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中電極的端部 設置在超過基板保持構件的頂板位置的位置。
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