WO2005013352A2 - Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements mit einem kunststoffgehäuse und trägerplatte zur durchführung des verfahrens - Google Patents

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Definitions

  • the invention relates to a method for producing a semiconductor component with a plastic housing. Furthermore, the invention relates to a carrier plate.
  • the invention relates in particular to methods for producing semiconductor components with plastic housings, which have the following steps: providing a semiconductor wafer with semiconductor chips arranged in rows and columns and having active top sides and rear sides, the active top sides being provided with contact areas; - Separating the semiconductor wafer into individual semiconductor chips; - equipping a mold plate with the semiconductor chips; - Manufacture of a common carrier made of plastic housing compound on the mold plate for the semiconductor chips; - Manufacture of rewiring lines, external contact areas and separation of the common carrier into individual semiconductor components.
  • Such a method is known for example from DE 101 37 184 AI.
  • the isolated semiconductor components are fitted with their active side onto an adhesive film, which in turn is stretched over a carrier frame.
  • This arrangement is then covered with a synthetic resin. envelops what can happen, for example, in the so-called wafer molding process in the print process or in similar known processes.
  • the plastic mass is then cured.
  • the film is then removed again and the matrix of semiconductor chips, which are now embedded in the common plastic carrier, is removed from the carrier frame.
  • the “reconstituted” semiconductor wafer produced in this way then serves as the starting material for the so-called rewiring processes.
  • the above-mentioned method has the basic advantages that very inexpensive materials and very efficient process steps are used.
  • the direct embedding or the direct encapsulation of the semiconductor chips with a plastic makes this technology known from the prior art very versatile. This means that a wide variety of semiconductor chip sizes can be processed and package sizes can be produced with this technology. Large wafer-shaped panels can be produced, which enable further processing with the conventional equipment.
  • a major disadvantage of this known method is that the positional accuracy of the semiconductor chips on the encapsulated wafer is restricted by the film material. This positional accuracy of the embedded semiconductor chips is negatively influenced by various effects.
  • the carrier film has only very limited dimensional stability. Through storage, handling or processing the carrier film is deformed. Such deformations are, for example, wrinkling or relaxation. These folds and relaxations in turn cause the individual semiconductor chips to shift on the film.
  • the encapsulation process as a rule wafers, is carried out at high temperatures, i. H. under temperatures up to 180 ° C, deformations also occur there. 'The deformations that occur there are usually even stronger than the deformations of the carrier film that result from the storage, handling and processing of the carrier film.
  • the plastic film usually becomes soft in the temperature ranges above 100 ° C to 180 ° C. This softening further reduces their stability.
  • this object is achieved by a method for producing a semiconductor component with a plastic housing, in which at least one semiconductor chip is arranged, with the following steps: providing a semiconductor wafer with semiconductor chips arranged in rows and columns, which have rear sides and active top sides, the active tops are provided with contact surfaces; - Separating the semiconductor wafer into individual semiconductor chips; - Providing a carrier plate which is provided on its top with a thermosensitive adhesive; - equipping this carrier plate with the individual semiconductor chips, the individual semiconductor chips with their active sides being brought onto the upper side of the carrier plate; - Manufacture of a common carrier made of plastic housing compound on the carrier plate, the semiconductor chips being embedded in the plastic housing compound; - Removing the carrier plate by heating the thermosensitive adhesive to a predetermined defined temperature at which the thermosensitive adhesive loses its adhesive effect.
  • thermosensitive adhesive By using a carrier plate made of a dimensionally stable material in the temperature range from 20 ° C to 200 ° C a low thermal expansion quotient, which is provided on the top with a thermosensitive adhesive, the major problems of the prior art mentioned at the outset, which are associated with the use of non-dimensionally stable films, can be completely avoided.
  • thermosensitive adhesives are understood to mean an adhesive that has a strongly adhesive, i.e. "adhesive", has an effect - for example, has an adhesive effect in the temperature range between 20 ° C and 90 ° C. Such an adhesive loses its adhesive effect above 90 ° C.
  • the adhesive can therefore be applied to an object at room temperature, for example.
  • the object provided with the adhesive is then processed. After the processing has been completed, the adhesive is removed by heating it to a temperature above 90 ° C. for several minutes, so that it loses its adhesive effect and can be easily removed from the processed object.
  • the carrier plate consists of a dimensionally stable material that has a thermal expansion coefficient ⁇ 10 • 10 _6 / K at room temperature, so that a thermal mismatch with the semiconductor chips lying on it is avoided.
  • materials which additionally 'a thermal conductivity ⁇ of> 100 W / mK at room temperature, since the carrier plate is used within a process in which high temperatures and high amounts of heat occur.
  • metals and their alloys, in particular KOVAR alloys are conceivable.
  • copper, copper beryllium can also be used or other materials known from leadframe technology.
  • suitable materials are the special ceramics from semiconductor technology, in particular aluminum nitride ceramics or aluminum oxide ceramics (corundum ceramics).
  • glass and silicon have proven to be particularly suitable as the material for the carrier plate. Both materials have an almost identical coefficient of thermal expansion of the enveloping semiconductor chips, so that when using these materials, thermomechanical mismatches and the associated "war pages" are the least likely to occur.
  • the carrier plate has a laminated adhesive film on its upper side, which is provided with a thermosensitive adhesive on its side facing away from the carrier plate and is provided with a permanent adhesive on its side facing the carrier plate.
  • the carrier plate also has a laminated adhesive film on its upper side.
  • the above-mentioned sides have been interchanged, ie the thermosensitive side of the adhesive film is on the carrier plate and the permanent adhesive is on the side facing away from the carrier plate.
  • this can have the advantage that when the thermosensitive adhesive is heated, the film adheres to the reconstituted wafer. There it can be peeled off or peeled off later. If there are residues of the thermosensitive adhesive the reconstituted wafer must not or should not occur, this is advantageous.
  • Adhesive films or adhesive tapes which have a thermosensitive adhesive on one side and a permanent adhesive on the other side are available, for example, from the Nitto company under the Revalpha brand.
  • the semiconductor chips are embedded in the plastic housing compound such that the rear sides of the individual semiconductor chips are completely covered with plastic housing compound.
  • a carrier plate 8 is first provided, which consists of a dimensionally stable material with a low coefficient of thermal expansion.
  • the carrier plate 8 shown consists of silicon. It is a relatively thick silicon wafer.
  • the carrier plate 8 shown is then provided with an adhesive film.
  • the carrier plate 8 is laminated on its top 9 with a double-sided adhesive film 12.
  • the adhesive film 12 has a thermosensitive adhesive 10 on its side facing away from the carrier plate 8. On the side of the adhesive film that faces the carrier plate 8, it has a permanent adhesive.
  • the carrier plate 8 laminated with the adhesive film 12 can be seen in FIG. 1b.
  • the laminated carrier plate 8 is then fitted with semiconductor chips 3.
  • semiconductor chips 3 This is preceded by the fact that a completely processed semiconductor wafer 4 is provided which has semiconductor chips 3 arranged in rows and columns.
  • the semiconductor chips 3 have active top sides 5 and back sides 6.
  • the active top sides 5 are provided with contact surfaces 7.
  • the semiconductor wafer 4 is then separated into individual semiconductor chips 3, for example by sawing.
  • the separated semiconductor chips 3, as can be seen in FIG. 1c, are then brought with their active upper sides 5 onto the thermosensitive side of the laminated adhesive film 12, so that they adhere there.
  • the semiconductor chips 3 are encased in a plastic housing compound, so that a common carrier 11 made of plastic housing compound is formed on the carrier plate 8, in which the semiconductor chips 3 are embedded. This can be seen in FIG. 1d.
  • the individual semiconductor chips 3 can be encased in the wafer molding, in the stencil printing process, in conventional potting processes, in in-on processes and in coating processes.
  • the carrier plate 8 is separated from the common carrier 11 made of plastic housing compound.
  • the carrier plate 8 is now heated to a fixed temperature, so that the side with the thermosensitive adhesive 10 of the laminated adhesive film 12 loses its adhesive effect and the common carrier 11 made of plastic housing compound can be detached from the carrier plate 8 without any great effort.

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse, in dem zumindest ein Halbleiterchip angeordnet ist vorgestellt, das die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips, die aktive Oberseiten und Rückseiten aufweisen, wobei die aktiven Oberseiten mit Kontaktflächen versehen sind; Trennen des Halbleiterwafers in einzelne Halbleiterchips; Bereitstellen einer Trägerplatte, die auf ihrer Oberseite mit einem thermosensitiven Klebstoff versehen ist; Bestücken dieser Trägerplatte mit den einzelnen Halbleiterchips, wobei die einzelnen Halbleiterchips mit ihren aktiven Oberseiten auf die Oberseite der Trägerplatte gebracht werden; Herstellen eines gemeinsamen Trägers aus Kunststoffgehäusemasse auf der Trägerplatte, wobei die Halbleiterchips in die Kunststoffgehäusemasse eingebettet werden; Entfernen der Trägerplatte durch Erwärmen des thermosensitiven Klebstoffs auf eine vorbestimmte definierte Temperatur, bei der das thermosensitive Klebstoff seine klebende Wirkung verliert.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse und Trägerplatte zur Durchführung des Ver- fahrens
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Trägerplatte.
Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit Kunststoffgehäusen, die folgende Schritte aufweisen: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips, die aktive Oberseiten und Rückseiten aufweisen, wobei die aktiven Oberseiten mit Kontaktflächen versehen sind; - Trennen des Halbleiterwafers in einzelne Halbleiterchips; - Bestücken einer Formplatte mit den Halbleiterchips; - Herstellen eines gemeinsamen Trägers aus Kunststoffgehäu- semasse auf der Formplatte für die Halbleiterchips; - Herstellen von Umverdrahtungsleitungen, Außenkontaktflä- chen sowie Trennen des gemeinsamen Trägers in einzelne Halbleiterbauelemente .
Ein solches Verfahren ist beispielsweise aus der DE 101 37 184 AI bekannt.
Bei dem dort beschriebenen Verfahren werden die vereinzelten Halbleiterbauelemente mit ihrer aktiven Seite auf eine Klebefolie bestückt, die wiederum über einen Trägerrahmen gespannt ist. Diese Anordnung wird anschließend mit einem Kunstharz um- hüllt, was beispielsweise im so genannten Wafermoldverfahren im Printverfahren oder in ähnlichen bekannten Verfahren vonstatten gehen kann. Die Kunststoffmasse wird anschließend ausgehärtet.
Danach wird die Folie wieder abgezogen und die Matrix aus Halbleiterchips, die mittlerweile in den gemeinsamen Kunst- stoffträger eingebettet sind, wird vom Trägerrahmen entfernt.
Der so erzeugte "rekonstituierte" Halbleiterwafer dient dann als Ausgangsmaterial für die so genannten ümverdrahtungspro- zesse.
Das oben genannte Verfahren hat die prinzipiellen Vorteile, dass sehr kostengünstige Materialien und sehr effiziente Prozessschritte verwendet werden. Die direkte Einbettung bzw. die direkte Umhüllung der Halbleiterchips mit einem Kunststoff macht diese aus dem Stand der Technik bekannte Technologie sehr vielseitig. Das heißt, es können mit dieser Technologie verschiedenste Halbleiterchipgrößen verarbeitet und Gehäusegrößen hergestellt werden. Es können große waferförmige Paneele erzeugt werden, die eine Weiterverarbeitung mit den herkömmlichen Ausrüstungen ermöglichen.
Ein großer Nachteil dieses bekannten Verfahrens ist jedoch, dass durch das Folienmaterial die Positionsgenauigkeit der Halbleiterchips auf dem umhüllten Wafer eingeschränkt wird. Diese Positionsgenauigkeit der eingebetteten Halbleiterchips wird durch verschiedene Effekte negativ beeinflusst.
Zum einen ist die Trägerfolie nur sehr eingeschränkt formstabil. Durch Lagerung, durch Handhabung bzw. durch Prozessierung der Trägerfolie kommt es bei dieser zu Verformungen. Solche Verformungen sind beispielsweise Faltenbildungen bzw. Relaxationen. Durch diese Faltenbildungen und Relaxationen kommt es wiederum zu Verschiebungen der einzelnen .Halbleiterchips auf der Folie.
Da der Umhüllprozess, in der Regel Wafer olden, unter hohen Temperaturen durchgeführt wird, d. h. unter Temperaturen bis zu 180 °C, treten auch dort Verformungen auf. 'Die dort auftre- tenden Verformungen sind in der Regel sogar stärker als die durch die Lagerung, die Handhabung und die Prozessierung der Trägerfolie entstehenden Verformungen der Trägerfolie. Die Kunststofffolie wird in den Temperaturbereichen oberhalb 100 °C bis 180 °C in der Regel weich. Durch dieses Erweichen wird ihre Stabilität weiter reduziert.
Ein gleichmäßiges Laminieren der Folie auf den Trägerrahmen ist nur schwer möglich. Eine inhomogene Spannung in der Folie führt zu unkontrollierbaren Verschiebungen der Halbleiter- chips.
Bislang gibt es für die Folien keinen geeigneten Ersatz, da wiederum die folientypischen Eigenschaften der Folien beim Trennen des Chipträgers vom Basisträger benötigt werden. Ei- genschaften die hier eine besondere Rolle spielen und nahezu unersetzlich sind, sind die einer. Folie inhärente Dela inier- fähigkeit. Eine Folie lässt sich im Gegensatz zu Festträgermaterialien abziehen bzw. abschälen.
Würde man einen festen, stabileren Träger als Folienersatz ■ verwenden, so wäre das vollflächige Trennen der beiden Träger nach dem Umhüllprozess aufgrund der zu hohen Haftkraft und der großen Flächen nur sehr schwer möglich.
Es besteht demnach ein Bedürfnis, ein neues Herstellverfahren bereitzustellen und ein neues Trägermittel, das die Nachteile der eingesetzten Folien vermeidet.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffge- häuse, in dem zumindest ein Halbleiterchip angeordnet ist mit folgenden Schritten gelöst: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips, die Rückseiten und aktive Oberseiten aufweisen, wobei die aktiven Oberseiten mit Kontaktflächen versehen sind; - Trennen des Halbleiterwafers in einzelne Halbleiterchips; - Bereitstellen einer Trägerplatte, die auf ihrer Oberseite mit einem thermosensitiven Klebstoff versehen ist; - Bestücken dieser Trägerplatte mit den einzelnen Halblei- terchips, wobei die einzelnen Halbleiterchips mit ihren aktiven Seiten auf die Oberseite der Trägerplatte gebracht werden; - Herstellen eines gemeinsamen Trägers aus Kunststoffgehäusemasse auf der Trägerplatte, wobei die Halbleiterchips in die Kunststoffgehäusemasse eingebettet werden; - Entfernen der Trägerplatte durch Erwärmen des thermosensitiven Klebstoffs auf eine vorbestimmte definierte Temperatur, bei der das thermosensitive Klebstoff seine haftende Wirkung verliert.
Durch die Verwendung einer Trägerplatte, die aus einem im Temperaturbereich von 20 °C bis 200 °C formstabilen Material mit einem niedrigen thermischen Ausdehnungsquotienten besteht, welche auf ihrer Oberseite mit einem thermosensitiven Klebstoff versehen ist, lassen sich die eingangs erwähnten großen Probleme aus dem Stand der Technik, die mit der Verwendung von nichtformstabilen Folien einhergehen, vollständig vermeiden.
Unter thermosensitiven Klebstoffen wird hier und im folgenden ein Klebstoff verstanden, der in einem definierten Temperaturbereich eine stark haftende, d.h. "klebende", Wirkung aufweist - beispielsweise eine klebende Wirkung im Temperaturbereich zwischen 20 °C und 90 °C aufweist. Oberhalb 90 °C verliert ein solcher Klebstoff seine haftende Wirkung. Der Klebstoff kann demnach beispielsweise bei Raumtemperatur auf einen Gegenstand aufgebracht werden. Der mit dem Klebstoff versehene Gegenstand wird dann prozessiert. Nach Fertigstellung der Prozessierung wird der Klebstoff abgelöst, in dem er auf eine Temperatur o- berhalb 90 °C für mehrere Minuten erhitzt wird, so dass er seine klebende Wirkung verliert und problemlos von dem prozessierten Gegenstand abgelöst werden kann.
In einer typischen Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung besteht die Trägerplatte aus einem formstabilen Material, dass einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten < 10 • 10_6/K bei Raumtemperatur aufweist, so daß ein thermischer Mismatch mit den aufliegenden Halbleiterchips vermieden wird.
Bevorzugt sind Materialien, die zusätzlich ' eine Wärmeleitfähigkeit σ > 100 W/mK bei Raumtemperatur aufweisen, da die Trägerplatte innerhalb eines Verfahrens eingesetzt wird, bei dem hohe Temperaturen und hohe Wärmemengen auftreten. Denkbar sind beispielsweise Metalle und deren Legierungen, insbesondere KO- VAR-Legierungen. Es können jedoch auch Kupfer, Kupferberyllium bzw. andere aus der Leadframe-Technologie bekannte Werkstoffe genommen werden.
Eine andere Gruppe von geeigneten Materialien stellen die Spe- zialkeramiken aus der Halbleitertechnologie dar, insbesondere Aluminiumnitrid-Keramiken bzw. Aluminiumoxid-Keramiken (Korund-Keramiken) . Als besonders geeignet haben sich in ersten Versuchen Glas und Silizium als Material für die Trägerplatte erwiesen. Beide Materialien weisen einen nahezu identischen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der umhüllenden Halbleiterchips auf, so dass es bei der Verwendung dieser Materialien am wenigsten zu thermomechanischen Mismatches und den damit einhergehenden "Warpages" kommen kann.
In einer typischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist die Trägerplatte auf ihrer Oberseite eine auflaminierte Klebefolie auf, die auf ihrer der Trägerplatte abgewandten Seite mit einem thermosensitiven Klebstoff versehen ist und auf ihrer der Trägerplatte zugewandten Seite mit einem dauer- haftenden Klebstoff versehen ist.
In einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist die Trägerplatte auf ihrer Oberseite ebenfalls eine auflaminierte Klebefolie auf. In dieser Ausführungsform sind je- doch die oben genannten Seiten vertauscht, d. h. die thermosensitive Seite der Klebefolie befindet sich auf der Trägerplatte und auf der Seite, die der Trägerplatte abgewandt ist, befindet sich der dauerhaftende Klebstoff. Dies kann unter Umständen den Vorteil bringen, dass beim Erwärmen des thermosen- sitiven Klebstoffes die Folie am rekonstituierten Wafer haften bleibt. Dort kann sie später separat abgeschält bzw. abgezogen werden. Sofern Rückstände des thermosensitiven Klebers auf dem rekonstituierten Wafer nicht anfallen dürfen oder sollen, ist dies vorteilhaft.
Klebefolien bzw. Klebebänder, die auf einer Seite einen thermosensitiven Klebstoff aufweisen und auf der anderen Seite einen dauerhaftenden Klebstoff aufweisen, sind beispielsweise unter der Marke Revalpha von der Firma Nitto erhältlich. Die dort erhältlichen Klebefolien bzw. Klebebänder sind bis zu Temperaturen von 180 °C einsetzbar.
In einer typischen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, werden die Halbleiterchips derart in die Kunststoff- gehäusemasse eingebettet, dass die Rückseiten der einzelnen Halbleiterchips vollständig mit Kunststoffgehäusemasse bedeckt sind.
Es ist jedoch auch denkbar, das Verfahren so auszugestalten, dass die Rückseiten der einzelnen Halbleiterchips nicht mit Kunststoffgehäusemasse bedeckt sind. Dies birgt den Vorteil, die Halbleiterchips nach dem ersten Umhüllungsschritt mit
Kühlkörpern auf den Rückseiten zu versehen und danach das Umhüllen zu vollenden.
Typischerweise werden nach dem Ablösen der Trägerplatte durch Erwärmen des thermosensitiven Klebstoffs weitere Verfahrensschritte durchgeführt. Es werden zum einen Umverdrahtungslei- tungen auf der Oberseite des gemeinsamen Trägers erzeugt. Des Weiteren werden Außenkontaktflachen ausgebildet. Danach werden Lotbälle oder Lothöcker auf die Außenkontaktflächen aufge- bracht. Schließlich wird der gemeinsame Kunststoffträger in einzelne Halbleiterbauelemente getrennt. Die Erfindung wird nun anhand von einem Ausführungsbeispiel mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Die Figuren la bis lf zeigen seitliche Querschnittansichten von einem Verfahrensablauf zur Ausbildung eines Halbleiterbau- elements 1 mit einem Kunststoffgehäuse 2 nach der vorliegenden Erfindung.
Wie der Figur la zu entnehmen ist, wird zunächst eine Trägerplatte 8 bereitgestellt, die aus einem formstabilen Material mit einem niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten besteht. Die gezeigte Trägerplatte 8 besteht aus Silizium. Es handelt sich dabei um einen relativ dicken Siliziumwafer.
Die gezeigte Trägerplatte 8 wird dann mit einer Klebefolie versehen. Die Trägerplatte 8 wird dabei auf ihrer Oberseite 9 mit einer doppelseitigen Klebefolie 12 laminiert. Die Klebefolie 12 weist auf ihrer der Trägerplatte 8 abgewandten Seite einen thermosensitiven Klebstoff 10 auf. Auf der Seite der Klebefolie, die der Trägerplatte 8 zugewandt ist, weist sie einen dauerhaftenden Klebstoff auf. Die mit der Klebefolie 12 laminierte Trägerplatte 8 ist der Figur lb zu entnehmen.
Aus der Figur 1c ist zu entnehmen, dass anschließend die laminierte Trägerplatte 8 mit Halbleiterchips 3 bestückt wird. Dem geht voraus, dass ein fertig prozessierter Halbleiterwafer 4 bereitgestellt wird, der in Zeilen und Spalten angeordnete Halbleiterchips 3 aufweist. Die Halbleiterchips 3 weisen aktive Oberseiten 5 und Rückseiten 6 auf. Wobei die aktiven Oberseiten 5 mit Kontaktflächen 7 versehen sind.
Der Halbleiterwafer 4 wird anschließend in einzelne Halbleiterchips 3 getrennt, beispielsweise durch Sägen. Die vereinzelten Halbleiterchips 3 werden dann, wie in der Figur lc zu sehen ist, mit ihren aktiven Oberseiten 5 auf die thermosensitive Seite der auflaminierten Klebefolie 12 ge- bracht, so dass sie dort haften.
Danach werden die Halbleiterchips 3 mit einer Kunststoffgehäusemasse umhüllt, so dass ein gemeinsamer Träger 11 aus Kunst- stoffgehäusemasse auf der Trägerplatte 8 ausgebildet wird, in den die Halbleiterchips 3 eingebettet sind. Dies ist der Figur ld zu entnehmen. Das Umhüllen der einzelnen Halbleiterchips 3 kann dabei im Wafermolding, im Schablonendruckverfahren, in herkömmlichen Vergussverfahren, in In-On-Verfahren sowie in Coating-Verfahren erfolgen.
Als weiterer Schritt findet dann, was der Figur le zu entnehmen ist, das Abtrennen der Trägerplatte 8 von dem gemeinsamen Träger 11 aus Kunststoffgehäusemasse statt. Dabei wird nun die Trägerplatte 8 auf eine fest definierte Temperatur erwärmt, so dass die Seite mit dem thermosensitiven Klebstoff 10 der auflaminierten Klebefolie 12 ihre haftende Wirkung verliert und der gemeinsame Träger 11 aus Kunststoffgehäusemasse sich problemlos ohne größeren Kraftaufwand von der Trägerplatte 8 lösen lässt .
Als weitere Schritte schließen sich dann, was der Figur lf zu entnehmen ist, die Ausbildung von Umverdrahtungsmetallisierun- gen 13, von Außenkontaktflachen (nicht gezeigt) sowie das Aufbringen von Lotbällen oder Lothöckern (nicht gezeigt) statt . Letztendlich werden die einzelnen Halbleiterbauelemente 1 aus dem gemeinsamen Träger 11 getrennt.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (1) mit einem Kunststoffgehäuse (2), in dem zumindest ein Halbleiterchip (3) angeordnet ist mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (4) mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips (3) , die aktive Oberseiten (5) und Rückseiten (6) aufweisen, wobei die aktiven Oberseiten (5) mit Kontaktflächen (7) ver- sehen sind; Trennen des Halbleiterwafers (4) in einzelne Halbleiterchips (3) ; "- Bereitstellen einer Trägerplatte (8), die auf ihrer 0- berseite (9) mit einem thermosensitiven Klebstoff (10) versehen ist; Bestücken dieser Trägerplatte (8) mit den einzelnen Halbleiterchips (3), wobei die einzelnen Halbleiterchips (3) mit ihren aktiven Seiten (5) auf die Oberseite der Trägerplatte gebracht werden; - Herstellen eines gemeinsamen Trägers (11) aus Kunststoffgehäusemasse auf der Trägerplatte (8), wobei die Halbleiterchips (3) in die Kunststoffgehäusemasse eingebettet werden; Entfernen der Trägerplatte (8) durch Erwärmen des ther- osensitiven Klebstoffs (10) auf eine vorbestimmte definierte Temperatur, bei der das thermosensitive Klebstoff (10) seine klebende Wirkung verliert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterchips (3) derart in die Kunststoffgehäusemasse eingebaut werden, dass die Rückseiten (6) der ein- zelnen Halbleiterchips (3) vollständig mit Kunststoffgehäusemasse bedeckt sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 mit folgenden weiteren Schritten: Erzeugen von U verdrahtungsleitungen auf der Oberseite des gemeinsamen Trägers; Ausbilden von Außenkontaktflachen; Aufbringen von Lotbällen oder Lothöckern auf die Außen- kontaktflächen; Trennen des gemeinsamen Trägers in einzelne Halbleiterbauelemente .
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Trä- gerplatte (8) auf ihrer Oberseite (9) mit einer Klebefolie (12) laminiert ist, die auf ihrer der Trägerplatte abgewandten Seite mit einem thermosensitiven Klebstoff (10) versehen ist und auf ihrer der Trägerplatte zugewandten Seite mit einem dauerhaftenden Klebstoff versehen ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Trägerplatte auf ihrer Oberseite mit einer Klebefolie laminiert ist, wie auf ihrer der Trägerplatte abgewandten Seite mit einem dauerhaftenden Klebstoff versehen ist und auf ihrer der Trägerplatte zugewandten Seite mit einem thermosensitiven Klebstoff versehen ist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Trägerplatte (8) auf ihrer Oberseite (9) direkt mit einem thermosensitiven Klebstoff (10) versehen ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei eine metallische Trägerplatte bereitgestellt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei eine ke- ramische Trägerplatte bereitgestellt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei eine Trägerplatte aus Glas oder Silizium bereitgestellt wird.
10. Trägerplatte zur Durchführung eines Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3 bestehend aus einem im Temperaturbereich von 20 °C bis 200 °C formstabilem Material mit einem niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, welche auf ihrer Oberseite mit einem thermosensitiven Klebstoff ver- sehen ist.
11. Trägerplatte nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das formstabile Material einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten < 10 • 10~6/K bei Raumtemperatur auf- weist.
12. Trägerplatte nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass das formstabile Material eine Wärmeleitfähigkeit σ > 100 W/mK bei Raumtemperatur aufweist.
13. Trägerplatte nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte (8) auf ihrer Oberseite (9) mit einer Klebefolie (12) laminiert ist, die auf ihrer der Trägerplatte (8) abgewandten Seite mit einem thermosensitiven Klebstoff versehen ist und auf ihrer der Trägerplatte zugewandten Seite mit einem dauerhaftenden Klebstoff versehen ist.
14. Trägerplatte nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte auf ihrer Oberseite mit einer Klebefolie laminiert ist, die auf ihrer der Trä- gerplatte abgewandten Seite mit einem dauerhaftenden Klebstoff versehen ist und auf ihrer der Trägerplatte zugewandten Seite mit einem thermosensitiven Klebstoff versehen ist.
15. Trägerplatte nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte auf ihrer Oberseite direkt mit einem thermosensitiven Klebstoff versehen ist.
16. Trägerplatte nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass als formstabiles Material eine Keramik vorgesehen ist.
17. Trägerplatte nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass als formstabiles Material ein Metall oder eine Legierung vorgesehen ist.
18. Trägerplatte nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass als formstabiles Material Glas oder Silizium vorgesehen ist.
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