DE2136201C3 - Verfahren zum Anbringen metallischer Zuleitungen an einem elektrischen Festkörper-Bauelement - Google Patents
Verfahren zum Anbringen metallischer Zuleitungen an einem elektrischen Festkörper-BauelementInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Anbringen metallischer Zuleitungen an einem elektrischen
Festkörper-Bauelement, insbesondere einem integrierten Halbleiter-Bauelement, wobei die Enden
der in einem Montagerahmen aufgenommenen Leiter an einem isolierenden Substrat befestigt werden und der
Festkörper mit den Leiterenden verbunden wird.
Bei einem bekannten Verfahren (DE-OS 18 13 165) zum Herstellen von Halbleiteranordnungen, wie integrierten
Schaltungen, werden Enden von in einen Rahmen aufgenommenen Leitern an Kontaktstellen auf
einem Halbleiterkörper befestigt. Danach wird eine keramische, elektrisch isolierende Scheibe mit Hilfe
eines Klebstoffes an den Leiterenden des Halbleiterkörpers befestigt. Dadurch werden die Leiterenden und die
Kontaktstellen vor übermäßigen Zug- und Druckspannungen geschützt, die auftreten können, bevor das
Ganze umhüllt ist.
Auch vor wechselnden Temperaturbelastungen, die infolge unterschiedlicher Ausdehnungskoeffizienten
zwischen den Leitern und einem umhüllenden Material auftreten können, tritt ein Schutz an. Bei diesem
bekannten Verfahren ist die stabile keramische Scheibe beim Befestigen des Halbleiterkörpers an den Leiterenden
nicht vorhanden, so daß dann eine verletzliche Einheit entsteht, die mit großer Sorgfalt behandelt
werden muß. Das nachträgliche Anbringen der keramischen Scheibe auf den bereits mit dem Halbleiterkörper
verbundenen Leiterenden kann daher Probleme ergeben, beispielsweise infolge einer Beschädigung der
Befestigungsstellen zwischen dem Halbleiterkörper und den Leiterenden, hauptsächlich durch Verschiebung der
Leiterenden.
Es ist weiter bekannt (US-PS 34 69 953), Leiterenden gegeneinander isoliert auf einem stabilen Substrat
anzuordnen, bevor ein Halbleiterkörper mit den Leiterenden verbunden wird. Dabei wird das Substrat
mit einer glasartigen Schicht versehen, in der die Enden, die einen Teil eines Leiterrahmens bilden, befestigt
werden. Dieses Verfahren weist den Nachteil auf, daß äußerst genau verfahren werden muß, damit vermieden
wird, daß die obere Seite der Leiterenden mit Glas bedeckt wird und dadurch zur Kontaktierung mit dem
Halbleiterkörper ungeeignet sein würde.
Es ist bekannt (GB-PS 11 85 857), auf einem Substrat
eine Metallisierung anzubringen in voneinander ge-
trennten Gebieten. An diesen Gebieten werden dann Stromzuführungsleiter befestigt, beispielsweise mit
Hilfe eines Lotes, wobei eine sehr gute Befestigung erhalten wird. Es ist dabei jedoch notwendig, zunächst
die getrennten metallisierten Gebiete auf dem Substrat
"5 anzubringen, dann die Leiter gegenüber diesen Gebieten
auszurichten und sie danach zu befestigen. Insbesondere bei integrierten Schaltungen wären viele
und genau angebrachte metallisierte Gebiete notwendig, während die Ausrichtung der in einen Rahmen
aufgenommenen Leiterenden gegenüber diesen Gebieten auch äußerst genau erfolgen muß.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Verbinden gegeneinander isolierter
metallischer Leiterenden von in einen Montagerahmen aufgenommenen Leitern mit einem isolierenden Substrat
zu schaffen, welches äußerst einfach durchführbar ist und die Nachteile der bekannten Verfahren
vermeidet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß die gesamte Oberfläche des Substrats, auf der die Leiter zu befestigen sind, mit einer Metallisierung
versehen wird, daß die Leiter mechanisch sowie elektrisch leitend auf der metallisierten Oberfläche des
Substrats befestigt werden und daß danach die metallisierte Oberfläche des Substrats mit den darauf
befestigten Leitern einer die Metallisierung angreifenden Bearbeitung ausgesetzt wird, wobei die zwischen
den Leitern befindliche Metallisierung vom Substrat entfernt wird.
Es ist bei diesem Verfahren also nicht notwendig, daß zunächst die metallisierten Gebiete genau angebracht
und danach die Leiterenden gegenüber diesen Gebieten genau ausgerichtet werden. Die Leiterenden werden auf
einfache Weise in einer verhältnismäßig willkürlichen Lage auf das völlig metallisierte Substrat gebracht und
darauf durch Verlöten, Ultraschallschweißen oder durch eine Thermokompressionsverbindung darauf befestigt.
Dabei wird eine äußerst solide Verbindung erhalten. Die Isolierung der Leiterenden gegeneinander wird durch
die darauffolgende metallangreifende Bearbeitung erhalten. Dabei wird die dünne Metallschicht auf dem
Substrat mit Ausnahme des unter den Leitern befindlichen Teils völlig entfernt. Auch die Leiter
werden angegriffen, aber da die Leiterdicke um viele Male größer ist als die Dicke der Metallschicht, ist die
Menge des von den Leitern entfernten Metalls verhältnismäßig gering. Der auf diese Weise erhaltene
Träger mit Leitern ist äußerst geeignet, einen Halbleiterkörper darauf zu befestigen. Der Träger
bildet einen mechanisch stabilen und soliden Untergrund, e'er für eine derartige Befestigung sehr erwünscht
ist. Weiter wird eine bessere Wärmeabfuhr erhalten als ohne Anwendung des Substrates oder durch eine
Befestigung mit Glas oder Klebemittel. Unterschiedliehe A'isdehnungskoeffizienten zwischen den Leitern
und dem Umhüllungsmaterial der Halbleiteranordnung wie einem Epoxydharz, werden nun nicht zu einer
Belastung der Verbindungsstellen zwischen den Leiter-
enden und dem Halbleiterkörper führen.
Die Metallisierung wird vom keramischen Substrat vorzugsweise dadurch entfernt, daß die Substratoberfläche
einer Strahlbearbeitung mit Hilfe von hartem körnigem Material ausgesetzt wird. Das körnige
Material kann beispielsweise aus Aluminiumoxid- oder Siiiciumkarbidteilchen bestehen, die mit Hilfe eines
Luftstromes gegen die Oberfläche geblasen werden. Sandstrahlen ist auch möglich.
Es ist auch möglich, nach einer anderen Ausführungsform
des Verfahrens, die Oberfläche einer Ätzbehandlung auszusetzen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher
beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 eine Darstellung eines keramischen Substrates und eines Leiterrahmens,
Fig.2 eine Darstellung der Entfernung des überflüssigen
Teils der Metallisierung, nachdem der Leiterrahmen am Substrat befestigt ist,
Fig.3 eine Darstellung des fertigen Substrates mit
den darauf befestigten Leitern und einem Halbleiterkörper.
F i g. 1 zeigt eine als Substrat dienende, elektrisch isolierende Scheibe 1 aus einem keramischen Material,
das vorzugsweise eine gute Wärmeleitfähigkeit hat. Als Material für die Scheibe 1 kann beispielsweise
Aluminiumoxid oder Berylliumoxid gewählt werden. Die obere Fläche der Scheibe 1 wird völlig metallisiert.
Nur eine einzige Metallschicht ist ausreichend, es kann aber mit Vorteil eine Metallisierung in zwei aufeinanderfolgenden
Schritten angebracht werden. Zunächst kam dann eine dünne Schicht 2 aus einem gut auf der
mechanischen Scheibe 1 haftenden Material, beispielsweise aus Titan angebracht werden. Danach wird eine
lötbare Schicht 3, beispielsweise aus Nickel oder Kupfer, auf der Schicht 2 angebracht. An der Schicht 3 werden
die Leiter 4 des Leiterrahmens 5 befestigt, beispielsweise durch Verlötung. Die Schichten 2 und 3 können
beispielsweise durch Aufdampfen erhalten werden.
F i g. 2 zeigt die metallisierte Scheibe 1, auf der die Leiter 4 des Leiterrahmens 5 befestigt sind. Bei dieser
Befestigung ist eine genaue Ausrichtung überflüssig. Die Befestigung erfolgt vorzugsweise durch Hartlöten,
obschon auch ein Verfahren mit Weichlot anwendbar ist. Das Lot kann in Form einer Folie verwendet werden,
als galvanische Schicht auf der Schicht 3 oder auf den Leitern 4 angebracht werden. Nachdem die Leiter 4 des
Rahmens 5 auf der Scheibe 1 befestigt sind, wird derjenige Teil der Metallisierung, der sich nicht unter
den Leitern 4 befindet, entfernt. Dies kann beispielsweise auf einfache Weise durch eine Strahlbearbeitung
erfolgen. F i g. 2 zeigt einen Teil einer Düse 6, durch die mit Hilfe eines Luftstromes kleine Teilchen aus einem
harten Material, wie Aluminiumoxid oder Siliciumkarbid, gegen die Oberfläche der Scheibe 1 geblasen
werden. Dabei wird die aus den Schichten 2 und 3 bestehende Metallisierung und die gegebenenfalls
vornandene Lötschicht entfernt, insofern diese Schichten nicht durch die Leiter 4 bedeckt sind. Auch von den
Leitern 4 wird auf diese Weise Material entfernt. Da die Leiterdicke jedoch viel größer ist als die Dicke der
Metallschichten 2 und 3 — üblicherweise gibt es eine Leiterdicke von 70 bis 100 μΐη und eine Metallisierung
mit einer Dicke von einigen μπι — wird die geringe
Dickenabnahme der Leitern 4 keinen nachteiligen Einfluß ausüben können.
Nach der Strahlbearbeitung kann der Leiterrahmen 5 noch einem galvanischen Prozeß ausgesetzt werden,
und zwar zur Bildung des richtigen Untergrundes, um Kontaktstellen des Halbleiterkörpers 7 auf den Leitern
4 befestigen zu können.
F i g. 3 zeigt die Trägerscheibe 1 mit den daran befestigten Leitern 4, auf denen ein Halbleiterkörper 7
befestigt ist. Der Halbleiterkörper 7 enthält beispielsweise eine integrierte Schaltung. Die Kontaktstellen auf
der Schaltung können mit Lotkügelchen versehen sein, mit denen der Halbleiterkörper mit den Leitern 4
verlötet ist. Diese auf diese Weise erhaltene Einheit kann nach dem Anbringen einer kleinen Kunststoffmenge
um den Halbleiterkörper 7 ein fertiges Bauelement bilden. Auch ist es möglich, die Einheit in einen zweiten
Leiterrahmen aufzunehmen und dann mit einem Epoxydharz zu umhüllen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Verfahren zum Anbringen metallischer Zuleitungen an einem elektrischen Festkörper-Bauelement,
insbesondere einem integrierten Halbleiter-Bauelement, wobei die Enden der in einem
Montagerahmen aufgenommenen Leiter an einem isolierenden Substrat befestigt werden und der
Festkörper mit den Leitern verbunden wird, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte
Oberfläche des Substrats (1), auf der die Leiter (4) zu befestigen sind, mit einer Metallisierung (2, 3)
versehen wird, daß die Leiter mechanisch sowie elektrisch leitend auf der metallisierten Oberfläche
des Substrats befestigt werden und daß danach die metallisierte Oberfläche des Substrats mit den
darauf befestigten Leitern einer die Metallisierung angreifenden Bearbeitung ausgesetzt wird, wobei
die zwischen den Leitern befindliche Metallisierung vom Substrat entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratoberfläche einer Strahlbearbeitung
mit Hilfe eines harten körnigen Materials ausgesetzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratoberfläche einer Ätzbehandlung
ausgesetzt wird.
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