WO2004059740A1 - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents

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WO2004059740A1
WO2004059740A1 PCT/JP2003/016694 JP0316694W WO2004059740A1 WO 2004059740 A1 WO2004059740 A1 WO 2004059740A1 JP 0316694 W JP0316694 W JP 0316694W WO 2004059740 A1 WO2004059740 A1 WO 2004059740A1
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Noriyuki Fujimori
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Olympus Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a solid-state imaging device that can be miniaturized, an imaging device using the solid-state imaging device, an endoscope device or a capsule endoscope device using the solid-state imaging device or the imaging device, and the solid-state imaging device
  • the present invention relates to a device manufacturing method. Background art
  • a device shown in FIG. 11 has been known as an example of a solid-state imaging device.
  • the solid-state imaging device chip 151 to which the optical glass 152 is bonded is die-bonded to the ceramic substrate 154, and the solid-state imaging device chip
  • the electrode pad 15 3 provided on the outer periphery and the connection pad 15 5 provided on the upper surface of the edge of the ceramic substrate 15 4 are wire-bonded by bonding wires 15 6 to generate electricity.
  • the connection pad 152 and the external lead 157 electrically with wiring (not shown) in the ceramic substrate 154, the external connection is made.
  • a solid-state imaging device capable of driving a solid-state imaging device or extracting a received light signal via a lead 157 is assembled.
  • FIG. 12 is a plan view of the solid-state imaging device shown in FIG. 11, but the solid-state imaging device having such a configuration requires a large area for performing wire bonding in terms of a projected area. It occupies an area and prevents diameter reduction.
  • FIG. 13 shows a solid-state imaging device disclosed in this publication.
  • an electrode pad 164 with a bump 170 provided on the periphery of the imaging area 163 of the solid-state imaging element chip 161, and a lead 173 of the flexible substrate 166 are connected using an anisotropic conductive film 165, and a transparent cap 168 is fixed on the upper surface of the flexible substrate 166 using an adhesive resin 167.
  • a portion of the flexible substrate 166 corresponding to the imaging area 163 of the solid-state imaging element chip 161 is punched out, and the solid-state imaging element chip 161 and the cap 168 are separated.
  • a space 174 is formed therebetween, and the space 174 is sealed by the anisotropic conductive film 165 and the adhesive resin 167.
  • the conventionally proposed solid-state imaging device also has the following problems.
  • the optical sensor substrate (which is individually diced and separated into individual pieces) may be used. It was necessary to assemble the solid-state image sensor chip), the optical glass (cap), and the individual flexible boards together, and also bend the flexible board backward after assembly, making assembly very poor.
  • the optical sensor substrate solid-state image sensor chip
  • the optical glass cap
  • the light-receiving part (imaging area) of the solid-state image sensor chip is often exposed to the outside air, causing image defects due to dust adhering to the light-receiving part and drying marks such as cleaning liquid remaining on the light-receiving part. Easy, yield This has been a factor in reducing
  • the optical sensor substrate is mechanically and mechanically mounted.
  • a method of polishing physically or chemically is conceivable, but it is necessary to support and polish the light receiving portion of the optical sensor substrate (solid-state image sensor chip), and as before, dust is applied to the light receiving portion.
  • Image defects tend to occur due to adhesion and traces of drying such as cleaning liquid remaining on the light receiving section, which has been a factor that reduces the yield.
  • the present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems in the conventional solid-state imaging device, and has a high yield, excellent assemblability and workability while achieving miniaturization, and has high productivity. It is an object of the present invention to provide a certain solid-state imaging device and a manufacturing method thereof. Disclosure of the invention
  • a solid-state imaging device includes: a solid-state imaging device including a light receiving unit and an electrode pad; and an optical glass bonded to the solid-state imaging device via a bonding layer.
  • a through electrode is formed under the electrode pad to reach the back surface of the solid-state imaging device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of the solid-state imaging device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view of the solid-state imaging device according to the first embodiment.
  • FIG. 4A is a manufacturing process diagram for explaining the method for manufacturing the solid-state imaging device of the first embodiment.
  • FIG. 4B is a manufacturing process diagram for explaining the method for manufacturing the solid-state imaging device according to the first embodiment.
  • FIG. 4C is a manufacturing process diagram for explaining the method for manufacturing the solid-state imaging device of the first embodiment.
  • FIG. 4D is a manufacturing process diagram for explaining the method for manufacturing the solid-state imaging device of the first embodiment.
  • FIG. 4E is a manufacturing process diagram for explaining the method for manufacturing the solid-state imaging device of the first embodiment.
  • FIG. 4F is a manufacturing process diagram for explaining the method for manufacturing the solid-state imaging device of the first embodiment.
  • FIG. 4G is a manufacturing process diagram for explaining the method for manufacturing the solid-state imaging device of the first embodiment.
  • FIG. 5 is a sectional view showing a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part of the solid-state imaging device according to the second embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an imaging device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a perspective view showing the imaging device of the third embodiment.
  • FIG. 9 is a perspective view showing a modification of the imaging device of the third embodiment.
  • FIG. 10 is a sectional view showing a capsule endoscope apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of a conventional solid-state imaging device.
  • FIG. 12 is a plan view of the conventional solid-state imaging device shown in FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating another configuration example of a conventional solid-state imaging device.
  • FIG. 1 is a sectional view showing a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention.
  • the solid-state imaging device 101 including the light receiving section 104 and the electrode pad 105 is connected to the optical glass 1 through the bonding layer 103. Glued to 0 2.
  • the bonding layer 103 is formed on the entire bonding surface and is made of an optically transparent material.
  • an image sensor of C—M 0 S or amplification type can be applied in addition to CCD.
  • a microlens or a color filter may be formed on the surface of the solid-state imaging device.
  • the optical glass may be quartz, quartz, or quartz in addition to a general lens glass material. Coating such as multi-coating or infrared coating can be used.
  • an optically transparent epoxy-based adhesive, a low-melting glass, an ultraviolet curable resin, or the like can be used.
  • a through-electrode 107 and a back electrode 1108 that are electrically connected to the electrode pad 105 and reach the back surface of the solid-state imaging device 101 are provided.
  • a protruding electrode 109 for electrical connection with an external terminal is formed on the back surface electrode 108.
  • FIG. 2 is an enlarged view of the periphery of the through electrode 107.
  • the through electrode 1 • 7 has a configuration in which a through hole 106 is formed, an insulating film 111 is formed on the inner surface thereof, and then a metal or the like is filled.
  • an insulating film 111 is formed on the back surface of the solid-state imaging device 101 except for the through hole 106, and a back surface electrode 108 and a projecting electrode 109 are formed on the through electrode 107. It is formed in a laminated form and can be electrically connected to other devices and external terminals.
  • the through electrode 107 and the back surface electrode 108 are electrically insulated from the inner surface and the back surface of the solid-state imaging device 101 by the insulating film 111.
  • FIG. 3 is a perspective view seen from the surface of the solid-state imaging device shown in FIG. 1.
  • the through electrode 107 is located at the center of the electrode pad 105, and its outer diameter is shown. Is smaller than the dimensions of the electrode pad 105 ing.
  • the insulating film 111 a TEOS film, an NSG film, a BPSG film, an organic resin film, or the like can be used.
  • the protruding electrodes 109 there may be used solder bumps such as Au and Cu formed by wire bonding, and Au, Ag, Cu, In and solder formed by a plating method.
  • a metal ball, a resin ball having a metal plating on the surface, a conductive adhesive formed by printing, or the like may be used.
  • the solid-state imaging device according to the first embodiment is configured.
  • an optical glass wafer 113 is bonded to a solid-state imaging device wafer 112 having a plurality of solid-state imaging device chips 101 ′ formed on a silicon substrate.
  • 104 is a light receiving portion of the solid-state imaging device
  • 105 is an electrode pad, and the other is omitted.
  • the thickness of the optical glass wafer 113 is determined by an imaging optical system to be combined with the solid-state imaging device, but a thickness of several tens m to several mm is generally used.
  • an adhesion promoter is applied, and then an adhesive such as an epoxy adhesive is applied by a spin coating method.
  • an adhesive such as an epoxy adhesive is applied by a spin coating method.
  • "Cycloten” is a registered trademark of Dow Chemical Company.
  • the thickness of the adhesive (bonding layer 103) is preferably several / !!! to about 50 m depending on the application.
  • the adhesion promoter is applied on the optical glass wafer 113 here, it may be formed on a silicon substrate (solid-state image sensor wafer) on which the solid-state image sensor chip 101 is formed.
  • a silicon substrate solid-state image sensor wafer
  • the application of the adhesive is not limited to the spin-coating method, but may be a printing method.
  • the bonding layer 103 applied and formed is temporarily cured by placing the optical glass wafer 113 on a hot plate at 60 ° C. to 70 ° C. for about 5 to 10 minutes. The time and temperature at this time are determined by the thickness of the bonding layer 103.
  • the solid-state imaging device wafer 112 and the optical glass wafer 113 are placed in a vacuum atmosphere, and the bonding layer 103 formed on the optical glass wafer 113 is brought into close contact with the solid-state imaging device wafer 112. . At this time, if necessary, the solid-state imaging element wafer 112 and the optical glass wafer 113 may be aligned.
  • the solid-state imaging device wafer 112 and the optical glass wafer 113 may have substantially the same outer shape, and may be closely attached while adjusting the outer shape. This is because high-precision alignment between the solid-state imaging device 101 and the optical glass 102 is unnecessary.
  • the bonding layer 103 is fully cured by heating to about 150 ° C. to 250 ° C.
  • the heating temperature and heating time are determined by the thickness and area of the bonding layer 103, but microlenses and color filters made of an organic material are formed in the light receiving portion 104 of the solid-state imaging device wafer 112. In such a case, if the joining temperature is set low and the joining time is set long, the performance of the micro lens and the color filter will not be impaired. At this time, in order to facilitate the joining, the joining surface may be heated while applying a load.
  • the bonded wafer 114 which is a bonded body of the solid-state imaging device wafer 112 and the optical glass wafer 113, is cooled, and the bonding process is completed.
  • the solid-state imaging device wafer 112 and the optical glass wafer 113 are brought into close contact with each other while the bonding layer 103 is temporarily cured, and then fully cured, so that the bonding layer 103 is formed.
  • the solid-state image sensor follows the surface shape (irregularity) of the light-receiving part 104 or the electrode pad 105 formed on the surface of the wafer 112 so that it can be used well. And poor bonding hardly occurs.
  • polishing amount is the light receiving part of the solid-state image sensor wafer 1 1 2
  • the polishing is performed until the solid-state imaging element wafer 112 reaches 50 / im.
  • a polishing method either a mechanical polishing method or a chemical mechanical polishing method may be used, a wet etching method in which silicon is dissolved in an aqueous solution, a dry etching method using reactive ion etching, or the like. May be used. Some of them may be used in combination.
  • the polished surface only needs to have a flatness and a surface roughness that do not matter in photolithography in a through hole and a backside wiring forming step described later.
  • the solid-state imaging device wafer 112 when polishing the solid-state imaging device wafer 112, if the optical glass wafer 113 is polished after bonding, the solid-state imaging device wafer 112 can be polished in the polishing process or in a process after the polishing process. It is possible to prevent damage and to polish to a thickness of about 50 zm. In addition, since the surface of the optical glass wafer 113 is covered with the protective material 129, the surface is damaged, the optical glass wafer itself is damaged, or foreign matter is attached not only in the polishing process but also in the subsequent processes. Can be prevented. Since surface scratches and foreign matter may be reflected on the imaging optical system, a decrease in yield can be prevented.
  • a through hole 106 is formed below the electrode pad 105.
  • mask masks for through holes 106 are formed on the back surface of the solid-state imaging device wafer 112 using photolithography, and then the RIE (Reactive Ion Etching) etc.
  • a through hole 106 is formed by dry etching.
  • the solid-state image sensor was used with reference to the surface pattern of the light-receiving section 104 of the solid-state image sensor 112 or the electrode pad 105. Mass on back of wafer 1 1 2 A double-sided alignment method for forming a mask pattern is used.
  • the electrode pad 105 or an insulating film (not shown) under the electrode pad serves as an etching stop layer, and the electrode pad 1 Since there is a bonding layer 103 on the electrode 105, the electrode pad 105 is reliably prevented from being damaged without generating a pressure difference even in the etching chamber, which is almost vacuum during the etching process. it can.
  • the plasma generated during the dry etching process would flow to the light-receiving portion of the solid-state imaging device, impairing the performance of the light-receiving portion.
  • the device forming surfaces of the light receiving portion 104 and the electrode pad 105 of the solid-state imaging device wafer 112 are connected via the bonding layer 103. Since it is covered with the optical glass wafer 113, the plasma does not flow to the light receiving part 104, and the performance of the light receiving part 104 is not impaired.
  • the processing amount (etching amount) in the dry etching process is reduced, and the processing time can be shortened.
  • a TEOS film is formed on the inner surface of the through hole 106 and the back surface of the solid-state imaging device wafer 112 by a plasma CVD method. Note that, of the TEOS film formed on the inner surface of the through hole 106, the TEOS film below the electrode pad 105 is selectively removed later.
  • a through electrode 107 is formed inside the through hole 106.
  • the through-electrode 107 is printed inside the through-hole 106 by printing a nanopaste material made of gold or silver particles having a diameter of about 5 to 10 nm, and It is formed by firing at a low temperature of about 100 ° C.
  • the through electrode 107 does not necessarily need to be filled in the through hole 106.
  • a conductive metal is formed only on the surface of the through hole 106 by an electroless plating method.
  • the inside may be filled with a resin or the like as necessary.
  • a conductive metal may be inserted into the through hole to form a through electrode.
  • a back surface electrode 108 is formed corresponding to the through electrode 107.
  • a metal such as aluminum is formed on the entire back surface of the solid-state imaging device wafer 112, and then the back electrode 108 is formed by photolithography.
  • the solid-state imaging device wafer 112 has a solid-state based on the surface pattern such as the light-receiving portion 104 or the electrode pad 105 of the solid-state imaging device wafer 112.
  • a double-sided alignment method is used to form the backside mask pattern of the imaging element wafer 112.
  • aluminum was used here as the material of the backside electrode 108, copper, gold, or the like could be used.
  • the back surface electrode 108 is provided at a position corresponding to the through electrode 107, but the present invention is not limited to this, and the through electrode 107 is connected to the back of the solid-state imaging device wafer 112.
  • a back surface wiring may be formed on the surface, and a back surface electrode may be formed at an arbitrary position on the back surface wiring.
  • a protruding electrode 109 is formed on the back surface electrode 108.
  • the protruding electrodes 109 there are stud bumps such as Au and Cu formed by a wire bonding method, and Au, Ag, Cu, In, and Au formed by a plating method.
  • bumps such as solder, it is composed of a metal ball, a resin ball having a metal plating on the surface, a conductive adhesive formed by printing, or the like.
  • the back electrode 108 is formed, and the protruding electrode 109 is formed on the back electrode 108.
  • the present invention is not limited to this, and the back electrode is directly formed on the through electrode surface or the back wiring. It goes without saying that a protruding electrode may be formed.
  • Solid-state imaging device 1 10 is completed. It is needless to say that the protective material 129 may be removed not before dicing but before dicing. Alternatively, the protective material 129 may be removed in an assembly process with another imaging optical system or the like. On the other hand, the bumps may be formed after the dicing process.
  • a small-sized solid-state imaging device substrate can be processed by a simple manufacturing method, and furthermore, a solid-state imaging device that is small in the thickness direction, that is, a chip-size package.
  • a solid-state imaging device can be realized.
  • it can be easily connected to other substrates through the protruding electrodes it can be applied to various devices, for example, an endoscope device as described later.
  • the solid-state imaging device and the optical glass are assembled in the wafer state, the assemblability and workability are excellent, and there is no risk of dust and cleaning liquid adhering to the light receiving part during the process, and the solid-state imaging device has a good yield.
  • An imaging device can be realized.
  • the solid-state imaging device according to the second embodiment has the same basic structure as that of the first embodiment, except that the solid-state imaging device includes a hermetically sealed portion.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device according to this embodiment, and FIG. 6 is a partially enlarged cross-sectional view thereof.
  • the solid-state imaging device 101 including the light receiving section 104 and the electrode pad 105 is bonded to the optical glass 102 via the bonding layer 103.
  • the bonding layer 103 is selectively formed only in the peripheral portion of the solid-state imaging device 101 excluding the light receiving portion 104. That is, the solid-state imaging device includes an airtight sealing portion that hermetically seals the light receiving portion 104.
  • a microlens or a color lens made of an organic material is formed on the solid-state imaging device 101. -It is convenient when a phil evening is formed. That is, an air gap 118 is provided between the light receiving section 104 and the optical glass 102, so that the light condensing effect of the microlens can be further enhanced.
  • optical glass 102 in addition to a general lens glass material, quartz or quartz, or a material obtained by applying a coating such as a multi-coat or an infrared cut coat to them can be used.
  • bonding layer 103 an organic material such as a photosensitive epoxy resin or polyimide is used for patterning as described later.
  • the photosensitive CYCLOTENE, a trademark of Dow Chemical and registered as a trademark, or the NANOSU-8, a trademark of Microchem and registered as a trademark are preferred.
  • solid-state imaging device 101 in addition to CCD, an imaging device of C_M0S or an amplification type can be applied. Although only the light receiving section 104 and the electrode pad 105 are shown in the solid-state imaging device 101, it goes without saying that a peripheral circuit such as a drive circuit or a signal processing circuit may be formed. .
  • the other configuration is the same as that of the first embodiment.
  • the electrode pad 105 is electrically connected to the back side of the solid-state imaging device 101.
  • a penetrating electrode 107 and a back surface electrode 108 are formed, and a protruding electrode 109 for electrical connection to an external terminal is formed on the back surface electrode 108.
  • the through electrode 107 has a configuration in which a through hole 106 is formed, an insulating film 111 is formed on the inner surface thereof, and then a metal or the like is filled.
  • an insulating film 111 is formed on the back surface of the solid-state imaging device 101 except for the through hole 106, and a back surface electrode 108 and a protruding electrode 109 are formed on the through electrode 107. It can be electrically connected to external terminals.
  • the through electrode 107 and the back surface electrode 108 are formed on the inner surface and the back surface of the solid-state imaging device 101 by the insulating film 111. It is electrically insulated from the surface.
  • a TEOS film, an NSG film, a BPSG film, an organic resin film, or the like can be used.
  • the through electrode 107 is located at the center of the electrode pad 105, and its outer diameter is smaller than the dimension of the electrode pad 105.
  • the method of manufacturing the solid-state imaging device according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment except for the step of forming the bonding layer, only the step of forming the bonding layer will be briefly described.
  • a photosensitive epoxy resin that becomes the bonding layer 103 over the entire surface of the optical glass wafer is subjected to the Sincoat method by several m to 10 m. Apply with a thickness of about 0 m.
  • the light-sensitive epoxy resin is applied by spin coating.
  • the coating portion is not a general open-type spin coating device but a sealed coating portion. A closed spin coater may be used.
  • the applied photosensitive epoxy resin is temporarily cured, patterning, exposure and development are performed using a photolithography method.
  • the optical glass wafer and the solid-state imaging device wafer are aligned and bonded.
  • the bonding is performed while purging the vacuum atmosphere with an inert gas such as nitrogen, the inside of the air gap 118 is filled with the inert gas, and an exhaust lens made of an organic material or a power lens is formed. It is less susceptible to deterioration due to oxidation and other problems such as filtration, and improves reliability. Finally, heating is performed to fully cure the bonding layer (photosensitive epoxy resin layer).
  • the heating temperature and heating time are determined by the thickness and area of the bonding layer. If a microlens or color filter made of an organic material is formed on the light-receiving part of the solid-state image sensor, the bonding temperature is lowered and the bonding temperature is reduced. If the time is set longer, the performance of the micro lens and color filter will not be impaired. Also, at this time, to facilitate joining, The joint surface may be heated while applying a load. Thus, the bonding layer 103 is formed at a desired position. Here, the bonding layer 103 is formed only in the peripheral portion of the solid-state imaging device 101 excluding the light receiving portion 104.
  • the bonding layer 103 may be colored so as to block light such as black so that unnecessary light on the light receiving portion 104 of the solid-state imaging device 101 can be blocked. As a result, it is possible to prevent adverse effects due to stray light, reflection on the solid-state imaging device 101, and the like.
  • the conditions such as the temperature for forming the bonding layer 103 are the same as those in the first embodiment. Further, the other manufacturing steps are the same as in the first embodiment.
  • the solid-state imaging device having the hermetically sealed portion can easily be packaged in a chip size. Further, according to the solid-state imaging device having such a configuration, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. In addition, since the solid-state imaging device includes the hermetically sealed portion, the light condensing effect of the microlens can be further improved. An enhanced solid-state imaging device can be easily realized.
  • the present embodiment relates to an imaging device configured by combining the solid-state imaging device having the configuration described in the first or second embodiment with another device.
  • 7 and 8 show a cross-sectional view and a perspective view of the imaging device according to the present embodiment.
  • the imaging device is configured such that a solid-state imaging device 110 having the configuration described in the first or second embodiment is connected to a module substrate via a protruding electrode 109.
  • a surface electrode 1 15 is formed on the module substrate 1 14, and the protruding electrode 109 of the solid-state imaging device 110 is connected to the surface electrode 1 15, and is electrically connected to the module substrate 1 14.
  • the module substrate 114 also has through-electrodes similar to the solid-state imaging device 110. 1 16 are formed, and the penetrating electrode 1 16 is connected to a lead pin 1 17 for making an electrical connection with an external terminal.
  • the module substrate 114 is a drive circuit or a signal processing circuit of the solid-state imaging device 110.
  • the one in which the lead pins 1 17 are connected to the module substrate 1 14 is shown, but similarly to the solid-state imaging device 110, the electrodes or wiring areas and Needless to say, an electrode or the like may be formed, or a protruding electrode may be formed.
  • an imaging device may be configured by forming an optical element 119 such as a convex lens on a solid imaging device 110 to which a module substrate 114 is connected.
  • the optical element 119 has a light condensing effect corresponding to the light receiving part 104 of the solid-state imaging device 101.
  • the optical element 119 may be formed by filling a mold with an ultraviolet curing resin and irradiating ultraviolet rays, or a separately prepared convex lens may constitute a solid-state imaging device. It may be adhered to the optical glass 102 that is being used.
  • the optical element 119 not only a convex lens but also a solid-state imaging device combined with a module substrate having a drive circuit and a signal processing circuit, and further, by forming an optical element such as a lens
  • the imaging device is formed in a small size as a module, and can be easily incorporated into an endoscope device, a mobile phone, and the like.
  • the module substrate is smaller than or equal to the size of the solid-state imaging device and is attached to a medical endoscope device, the outer diameter of the endoscope insertion section can be made extremely small, and the pain of the patient can be reduced.
  • the optical element is formed on the individual solid-state imaging device.
  • a desired optical element is formed on an optical glass wafer in advance, and the solid-state imaging is performed in a wafer state.
  • the solid-state imaging device with the optical element may be formed by assembling with the element at a time and then dicing.
  • FIG. 10 shows the configuration of the capsule endoscope apparatus according to the present embodiment.
  • reference numeral 110 denotes a solid-state imaging device
  • reference numeral 120 denotes an ASIC board for driving and signal processing of the solid-state imaging device 110
  • reference numeral 121 denotes a memory substrate
  • reference numeral 122 denotes a communication module substrate
  • 1 2 3 is a battery
  • 1 19 A is an optical lens formed on a solid-state imaging device
  • 1 19 B is a convex lens
  • 1 25 is a lens frame for holding the convex lens 1 19 B
  • 1 26 is an LED for illumination
  • 1 27 is an exterior case.
  • a solid-state imaging device in which an optical lens as described in the third embodiment is formed is used for the solid-state imaging device.
  • the solid-state imaging device 110 is connected to an electrode pad 130 on the ASIC board 120 via a protruding electrode 109 formed on the back electrode 108, and the ASIC board 122 0 is connected to the mounting electrode 1 3 3 on the communication module substrate 1 2 2 via the projecting electrode 1 3 2 formed on the first back electrode 1 3 1, and the second back electrode 1 3 4 Also, it is connected to the electrode pad 136 of the memory board 121 via the projection electrode 135.
  • a back surface wiring may be formed on the back surface of the solid-state imaging device 110, and the protruding electrode on the back surface wiring may be connected to the ASIC substrate 120.
  • the ASIC substrate 120 may be provided with a through electrode and a back electrode for each electrode pad as in the solid-state imaging device 110, or may be provided with a through electrode and a back electrode if necessary.
  • the communication module substrate 122 and the memory substrate 122 may be formed by forming a rear surface wiring on the rear surface of the substrate.
  • the communication module substrate 1 2 2 is formed with a through electrode and a back wiring as required, and a power supply electrode provided on the through electrode or the back wiring.
  • Battery springs 13 8 A and 13 8 B are connected by 13 7 None 13 8 A, 13 8 B are connected to battery 12 3. Then, power is supplied to the solid-state imaging device 110, the ASIC substrate 120, the memory substrate 121, and the communication module substrate 122.
  • a lens frame 125 holding a convex lens 119B is adhered on the solid-state imaging device 110, and a white LED as an illumination light source is mounted on the lens frame 125.
  • an outer case 127 that is electrically insulative and made of an optically transparent resin or the like is entirely covered to constitute a capsule endoscope device.
  • the video signal is processed by the A SIC board 120, and while being partially stored in the memory board 121, it is further transmitted to the communication module board 122 and transmitted to an extracorporeal receiver (not shown).
  • the extracorporeal receiver can receive the video signal obtained by the force-pressed endoscope device wirelessly, and observe the inside of the body wirelessly by swallowing the force-pressed endoscope device. It is possible to do.
  • the ASIC board 120 also functions as a controller of the entire capsule endoscope apparatus, and controls white LED: LED 126 which is an illumination means for imaging, control of the communication module board 122, and It also drives the solid-state imaging device 110.
  • the electric power of the battery 123 supplied to the communication module substrate 122 is supplied to the ASIC substrate 120, the solid-state imaging device 110, and the white LED 126, which are the driving power of each.
  • the outer diameter can be made extremely small, and the pain of the patient can be reduced. Further, a forcepsell type endoscope apparatus excellent in mass productivity can be provided. As described above, according to the present invention, it is possible to easily realize a solid-state imaging device having a penetrating electrode that is small, has good controllability, has high yield, is mass-producible, and is easy to assemble. Can be.
  • a solid-state imaging device capable of easily and optimally making an electrical connection with another device or an external terminal can be realized.
  • the electrode pad is prevented from being damaged, and a through electrode with good controllability can be formed.
  • the most suitable bonding layer can be formed according to the light receiving portion or characteristics of the solid-state imaging device and the application.
  • a solid-state imaging device that can be applied to various devices can be realized.
  • a small-sized solid-state imaging device with good assemblability and excellent mass productivity can be easily manufactured.
  • various general imaging devices and endoscope devices can be easily configured using the solid-state imaging device according to the present invention.
  • various general imaging devices and endoscope devices can be easily configured using the solid-state imaging device according to the present invention.
  • a capsule endoscope device When used in a capsule endoscope device, it is extremely small and can reduce the pain of the patient, and a mass-producible endoscope device or a forcepsell type endoscope device can be realized.
  • Embodiments and the like configured by partially combining the forms and the like also belong to the present invention.

Landscapes

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Abstract

本発明の固体撮像装置は、受光部及び電極パッドを含む固体撮像素子と、該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、を有し、前記固体撮像素子の電極パッド下に該固体撮像素子の裏面にまで達する貫通電極を形成する。

Description

明 細 書 固体撮像装置及びその製造方法 技術分野
本発明は、 小型化が可能な固体撮像装置、 該固体撮像装置を用 いた撮像装置、 前記固体撮像装置又は撮像装置を用いた内視鏡装 置又はカプセル型内視鏡装置、 及び前記固体撮像装置の製造方法 に関する。 背景技術
従来、 固体撮像装置の一例としては図 1 1 に示す装置が知られ ている。 この図 1 1 に示す固体撮像装置は、 光学ガラス 1 5 2が 接着された固体撮像素子チヅ プ 1 5 1 をセラ ミ ツク基板 1 5 4に ダイボンディ ングし、 この固体撮像素子チップ 1 5 1の外周部に 設けられた電極パッ ド 1 5 3 とセラ ミ ック基板 1 5 4の縁部上面 に設けられた接続パッ ド 1 5 5 とが、 ボンディ ングワイヤ 1 5 6 によってワイヤボンディ ングされて電気的に接続され、 接続パ ヅ ド 1 5 2 と外部リー ド 1 5 7 とを、 セラ ミ ック基板 1 5 4内で図 示されていない配線で電気的に接続することによ り、 外部リー ド 1 5 7を介して固体撮像素子の駆動も しくは受光信号の取り出し を行うことが可能な固体撮像装置が組み立てられている。
一方、 医療用内視鏡等に用いられる固体撮像装置は、 内視鏡挿 入部の細径化達成のために小型化が要求されている。 図 1 2は図 1 1 に示した固体撮像装置の平面図を示しているが、 このような 構成の固体撮像装置は、 投影面積として見ると、 ワイヤボンディ ングを行うために必要な領域が大きな面積を占有し、 細径化を妨 げている。
そこで、 特開平 8— 1 4 8 6 6 6号公報では、 フレキシブル基 板を用いて小型化を達成するようにした固体撮像装置が提案され ている。この公報に開示されている固体撮像装置を図 1 3 に示す。 図 1 3 において、 固体撮像素子チップ 1 6 1の撮像領域 1 6 3の 周縁部に設けたバンプ 1 7 0付きの電極パヅ ド 1 6 4 と、 フレキ シプル基板 1 6 6 のリード 1 7 3 とが異方性導電膜 1 6 5 を用い て接続され、 フレキシブル基板 1 6 6の上面に接着樹脂 1 6 7を 用いて透明なキャップ 1 6 8が固定されている。 ここで、 フレキ シブル基板 1 6 6は、 固体撮像素子チヅ プ 1 6 1 の撮像領域 1 6 3 に対応する部分が打ち抜かれ、 固体撮像素子チップ 1 6 1 とキ ヤ ッ プ 1 6 8 との間に空間 1 7 4が形成されると共に、 この空間 1 7 4は異方性導電膜 1 6 5及び接着樹脂 1 6 7によ り密封され ている。
そして、 このように構成されている固体撮像装置によれば、 撮 像特性及び信頼性を保持しつつ、 容易に小型化が達成できるもの とされている。
しかしながら、 従来提案されている固体撮像装置にも次のよう な問題点がある。 まず、 依然と して投影面積としてみると、 フ レ キシブル基板の折り曲げ領域が一定の面積を必要とし、 細径化を 妨げることがあると共に、 個別にダイシング · 個片化された光学 センサ基板（固体撮像素子チップ） と光学ガラス （キャ ップ） と、 個々のフレキシブル基板を合わせて組み立て、 また組み立て後の フレキシブル基板を後方へ折り曲げる必要もあり、 組み立て性が 非常に悪かった。
また、組み立て作業に際しては、少なく とも光学センサ基板（固 体撮像素子チップ） 及び光学ガラス （キャップ） は、 個片化され た部品を扱う必要があり、 扱いが煩雑であると共に、 光学センサ 基板 （固体撮像素子チップ） の受光部 （撮像領域） が外気に曝さ れる機会が多く、 ゴミが受光部に付着することや、 洗浄液等の乾 燥跡が受光部に残ることに起因する画像不良が生じやすく、 歩留 ま りを低下させる要因となっていた。
更に、 近年、 先に説明した投影面積の小型化に限らず、 固体撮 像装置の厚さ方向の小型化も要求されることがあり、 そのような 場合には、 光学センサ基板を機械的、 物理的、 も しくは化学的に 研磨する方法が考えられるが、 光学センサ基板 （固体'撮像素子チ ップ） の受光部を支持して研磨する必要があり、 先と同じく ゴミ が受光部に付着することや、 洗浄液等の乾燥跡が受光部に残るこ とに起因する画像不良が生じやすく、 歩留ま り を低下させる要因 となっていた。
本発明は、 従来の固体撮像装置における上記問題点を解消する ためになされたもので、 小型化を達成しながらも高歩留ま りであ ると共に組み立て性及び作業性に優れ、 量産性のある固体撮像装 置及びその製造方法を提供することを目的とする。 発明の開示
簡略に本発明の固体撮像装置は、 受光部及び電極パッ ドを含む 固体撮像素子と、 該固体撮像素子上に接合層を介して接合された 光学ガラスと、 を有し、 前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固 体撮像素子の裏面にまで達する貫通電極を形成する。 図面の簡単な説明
図 1 ： 本発明の第 1実施形態の固体撮像装置を示した断面図であ る。
図 2：上記第 1実施形態の固体撮像装置の要部拡大断面図である。 図 3 ： 上記第 1実施形態の固体撮像装置の平面図である。
図 4 A ： 上記第 1実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する ための製造工程図である。
図 4 B ： 上記第 1実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する ための製造工程図である。 図 4 C ： 上記第 1実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する ための製造工程図である。
図 4 D ： 上記第 1実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する ための製造工程図である。
図 4 E ： 上記第 1実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する ための製造工程図である。
図 4 F ： 上記第 1実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する ための製造工程図である。
図 4 G ： 上記第 1実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する ための製造工程図である。
図 5 ： 本発明の第 2実施形態の固体撮像装置を示した断面図であ る。
図 6：上記第 2実施形態の固体撮像装置の要部拡大断面図である。 図 7 本発明の第 3実施形態の撮像装置を示す断面図である。 図 8 上記第 3実施形態の撮像装置を示した斜視図である。
図 9 上記第 3実施形態の撮像装置の変形例を示した斜視図であ る o
図 1 0 : 本発明の第 4実施形態のカプセル型内視鏡装置を示す断 面図である。
図 1 1 従来の固体撮像装置の一構成例を示す断面図である。 図 1 2 図 1 1 に示した従来の固体撮像装置の平面図である。 図 1 3 従来の固体撮像装置の他の構成例を示す断面図である。
発明を実施するための最良の形態
まず、 第 1実施形態について説明する。
図 1は、 本発明の第 1実施形態の固体撮像装置を示した断面図 である。 図 1 に示すように、 受光部 1 0 4 と電極パッ ド 1 0 5を 含む固体撮像素子 1 0 1は、 接合層 1 0 3 を介して光学ガラス 1 0 2 と接着されている。 接合層 1 0 3は接合面全面に形成され、 光学的に透明な材料で構成されている。 ここで、 固体撮像素子 1
0 1 としては、 C C Dの他、 C— M 0 Sあるいは増幅型等の撮像 素子が適用できる。 また、 固体撮像素子表面にマイクロレンズや カラ一フ ィル夕一などが形成されていてもよいことも勿論である 光学ガラスとしては、 一般的なレンズ硝材の他、 石英や水晶、 も しくはそれらにマルチコー ト、 赤外線カ ヅ トコ一 ト等のコ一テ イ ングを行ったものを用いることができる。 接合層 1 0 3 として は、 光学的に透明なエポキシ系接着剤や低融点ガラスあるいは紫 外線硬化型樹脂などを用いることができる。 また、 固体撮像素子 1 0 1 には受光部 1 0 4 と電極パ ヅ ド 1 0 5のみを示しているが 駆動回路あるいは信号処理回路などの周辺回路を形成してもよい こ とは言う までもない。
電極パ ヅ ド 1 0 5の直下には、 電極パ ヅ ド 1 0 5 と電気的に接 続され、 固体撮像素子 1 0 1の裏面にまで達する貫通電極 1 0 7 及び裏面電極 1 0 8が形成され、 更に裏面電極 1 0 8には外部端 子との電気的接続のための突起電極 1 0 9が形成されている。
貫通電極 1 0 7の周辺部の拡大図を図 2に示す。 貫通電極 1 ◦ 7は、 貫通孔 1 0 6 を形成し、 その内面に絶縁膜 1 1 1 を形成し た後、 金属などを充填して形成された構成となっている。 また、 貫通孔 1 0 6 を除く固体撮像素子 1 0 1の裏面には絶縁膜 1 1 1 が形成されると共に、 貫通電極 1 0 7には裏面電極 1 0 8及び突 起電極 1 0 9が積層形態で形成され、 他の装置や外部端子などと 電気的に接続できるようになつている。 貫通電極 1 0 7並びに裏 面電極 1 0 8は、 絶縁膜 1 1 1 により固体撮像素子 1 0 1の内面 及び裏面と電気的に絶縁されている。
図 3は、 図 1 に示した固体撮像装置の表面から見た透視図であ り、 図示のように、 貫通電極 1 0 7は電極パ ヅ ド 1 0 5の中心に 位置し、 その外径は電極パヅ ド 1 0 5の寸法に比べて小さ くなつ ている。 絶縁膜 1 1 1 としては、 T E O S膜や N S G膜、 B P S G膜、 も しくは有機樹脂膜などを用いることができる。 また、 突 起電極 1 0 9 としては、 ワイヤボン ド方 で形成された Au , Cu 等のス夕 ヅ ドバンプや、メ ヅキ方式で形成された A u , A g , C u， In , ハンダ等のバンプの他、 金属ボールや表面に金属メ ツキさ れた樹脂ボールや印刷等でパ夕ーン形成された導電性接着剤等で もよい。 以上のようにして、 第 1の実施の形態に係る固体撮像装 置が構成されている。
次に、 本実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法について説 明する。 まず、 図 4 Αに示すように、 シリコン基板上に複数の固 体撮像素子チップ 1 0 1 'を形成した固体撮像素子ウェハ 1 1 2 上に光学ガラスウェハ 1 1 3を接合する。 ここで、 1 0 4は固体 撮像素子の受光部、 1 0 5は電極パッ ドであり、 その他について は省略する。 光学ガラスウェハ 1 1 3の厚さは固体撮像装置に組 み合わせられる撮像光学系によ り決められるが、 一般的には数十 m〜数 mmのものが用いられる。
光学ガラスウェハ 1 1 3の接着工程は、 まず、 光学ガラスゥェ ノヽ 1 1 3を洗浄した後、 接着促進剤を塗布し、 その後スピンコ一 ト法によ りエポキシ系接着剤などの接着剤を塗布する。 接着剤と しては、 ダウケミカル社の登録商標である 「サイクロテン
(CYCLOTENE)」 などが好ましい。 このとき、 接着剤 （接合層 1 0 3 ) の厚さは用途に合わせて数/ !!!〜 5 0 m程度が好ましい。 なお、 ここでは接着促進剤を光学ガラスウェハ 1 1 3上に塗布し たが、固体撮像素子チヅプ 1 0 1，が形成されているシリコン基板 (固体撮像素子ウェハ） 上に形成してもよい。 また、 スピンコ一 トに際しては、一般的な開放型のスピンコー ト装置は勿論のこと、 塗布部を密閉して塗布する密閉型のスピンコー ト装置のいずれを 用いてもよい。更に、接着剤の塗布にはスピンコー ト法に限らず、 印刷法を用いてもよいことは言う までもない。 次に、 塗布形成した接合層 1 0 3 を、 6 0 °C〜 7 0 °Cのホヅ ト プレー ト上に光学ガラスウェハ 1 1 3 を 5分から 1 0分程度置い て仮硬化させる。 このときの時間、 温度は接合層 1 0 3の膜厚に よって決められる。 次に、 固体撮像素子ウェハ 1 1 2及び光学ガ ラスウェハ 1 1 3 を真空雰囲気内におき、 光学ガラスウェハ 1 1 3に形成した接合層 1 0 3 と固体撮像素子ウェハ 1 1 2 を密着さ せる。 このとき、 必要に応じて固体撮像素子ウェハ 1 1 2 と光学 ガラスウェハ 1 1 3のァライメ ン トを行ってもよい。 あるいは固 体撮像素子ウェハ 1 1 2 と光学ガラスウェハ 1 1 3の外形形状を ほぼ同じにして、外形を合わせながら密着させてもよい。これは、 固体撮像素子 1 0 1 と光学ガラス 1 0 2 との高精度の位置合わせ は不要だからである。
次に、 1 5 0 °C〜 2 5 0 °C程度に加熱して、 接合層 1 0 3を 本硬化させる。 加熱温度及び加熱時間は、 接合層 1 0 3の厚さや 面積によって決まるが、 固体撮像素子ウェハ 1 1 2の受光部 1 0 4に、 有機材料からなるマイクロレンズやカラーフィル夕が形成 されている場合には、 接合温度を低く、 接合時間を長めに設定す ると、 マイ クロレンズやカラ一フィル夕の性能が損なわれない。 また、 このとき、 接合を容易にするため、 接合面へ荷重を加えな がら加熱してもよい。
最後に、 固体撮像素子ウェハ 1 1 2 と光学ガラスウェハ 1 1 3 の接合体である貼り合わせウェハ 1 1 4を除冷して、 接合工程が 完了する。 この接合工程によれば、 接合層 1 0 3 を仮硬化のまま 固体撮像素子ウェハ 1 1 2 と光学ガラスウェハ 1 1 3 を密着し、 その後に本硬化させているため、 接合層 1 0 3を固体撮像素子ゥ ェハ 1 1 2の表面に形成されている受光部 1 0 4 も しくは電極パ ヅ ド 1 0 5等の表面形状 （凹凸） に追従して、 よく馴染ませるこ とが可能であ り、 接合不良が生じにくい。
次に、 図 4 Bに示すように、 光学ガラスウェハ 1 1 3 を有機樹 脂などからなる保護材 1 2 9で覆い、 固体.撮像素子ウェハ 1 1 2 の裏面を研磨する。 研磨量は固体撮像素子ウェハ 1 1 2の受光部
1 0 4等の素子形成深さによって決まるが、 ここでは固体撮像素 子ウェハ 1 1 2が 5 0 /i mになるまで研磨を行っている。 研磨方 法としては、 メカニカルポリ ヅシング法や、 ケミカルメカニカル ポリ ッシング法のいずれかを用いてもよいし、 水溶液中でシリコ ンを溶解するゥエツ トエッチング法や、 リアクティ ブイオンェ ヅ チング等による ドライエッチング法を用いてもよい。 また、 その うちのいくつかを併用してもよい。 また、 研磨面は後述する貫通 孔及び裏面配線形成工程におけるフォ ト リソグラフィ において問 題とならない平坦度及び表面粗さを有していればよい。
このように、 固体撮像素子ウェハ 1 1 2 を研磨する場合、 光学 ガラスウェハ 1 1 3を接合した後に研磨すれば、 研磨工程も しく は研磨工程以降の工程において、 固体撮像素子ウェハ 1 1 2の破 損を防ぐことができると共に、 5 0 z m程度の厚さまで研磨する ことが可能となる。 また、 光学ガラスウェハ 1 1 3の表面を保護 材 1 2 9 にて覆っているため、 研磨工程のみならず後の工程にお いても、 表面の損傷、 光学ガラスウェハ自体の破損あるいは異物 の付着などを防止できる。 表面の傷や異物は、 撮像光学系に映り こむ可能性があるため、 したがって歩留ま りの低下も防ぐことが できる。
次に、 図 4 C .に示すように、 電極パッ ド 1 0 5下に貫通孔 1 0 6 を形成する。 ここでは、 固体撮像素子ウェハ 1 1 2の裏面にフ ォ ト リソグラフィ法を用いて、 レジス トによる貫通孔 1 0 6のマ スクパ夕一ンを形成した後、 R I E ( React ive I on Etching) 等 による ドライエッチングによ り貫通孔 1 0 6 を形成する。 このと き、 貫通孔マスクパターンの形成にあたっては、 固体撮像素子ゥ エノヽ 1 1 2の受光部 1 0 4あるいは電極パ ヅ ド 1 0 5などの表面 パ夕一ンを基準として、 固体撮像素子ウェハ 1 1 2の裏面にマス クパターンを形成する両面ァライメ ン ト法を用いる。 ここでは、 ドライェヅチング工程においては、 電極パヅ ド 1 0 5も しくは電 極パッ ド下の絶縁膜 （図示せず） がエッチングス ト ヅプ層として の役割をはたすと共に、 電極パヅ ド 1 0 5上には接合層 1 0 3が あるため、 エッチング工程中には、 ほぼ真空となるェ ヅチングチ ヤンバー内においても、 圧力差を生じることなく、 電極パッ ド 1 0 5の破損を確実に防止できる。
また、 以前は、 固体撮像素子ウェハのみへの貫通孔を形成しよ う とすると、 ドライエッチング工程において発生するプラズマが 固体撮像素干の受光部へ回り込み、 受光部の性能を損なってしま う ことがあったが、 本実施の形態に係る製造方法では、 固体撮像 素子ウェハ 1 1 2の受光部 1 0 4及び電極パッ ド 1 0 5等の素子 形成面は、 接合層 1 0 3を介して光学ガラスウェハ 1 1 3にて覆 われているため、プラズマが受光部 1 0 4へ回り込むことはなく、 受光部 1 0 4の性能を損なう ことはない。
更に、 固体撮像素子ウェハ 1 1 2を薄く研磨してから貫通孔 1 0 6を形成すると、 ドライエッチング工程における加工量 （ェ ヅ チング量）が少なくなり、加工時間を短縮することも可能である。 貫通孔 1 0 6の形成後、 貫通孔 1 0 6の内面及び固体撮像素子 ウェハ 1 1 2の裏面に、 プラズマ CVD法により T E O S膜を形 成する。 なお、 貫通孔 1 0 6の内面に形成された T E O S膜のう ち、電極パッ ド 1 0 5下の T E O S膜は後に選択的に除去される。 次に、 図 4 Dに示すように、 貫通孔 1 0 6の内部へ貫通電極 1 0 7を形成する。 ここでは、 貫通電極 1 0 7を、 直径 5〜 1 0 n m程度の金も しくは銀粒子からなるナノペース ト材料を印刷によ つて貫通孔 1 0 6の内部へ印刷し、 1 0 0〜 2 0 0 °C程度の低温 で焼成することによって形成している。 なお、 貫通電極 1 0 7は 必ずしも貫通孔 1 0 6の内部に充填されている必要はなく、 例え ば無電解メ ツキ法によ り貫通孔 1 0 6の表面のみに導電金属を形 成し、内部には必要に応じて樹脂等を充填する構成としてもよい。 あるいは導電金属を貫通孔内部に挿入し、貫通電極と してもよい。
'次に、 図 4 Eに示すように、 貫通電極 1 0 7に対応して裏面電 極 1 0 8を形成する。 裏面電極 1 0 8の形成にあたっては、 固体 撮像素子ウェハ 1 1 2の裏面全面にアルミニウムなどの金属を成 膜した後、 フォ ト リソグラフィ法によ り裏面電極 1 0 8 を形成す る。 なお、 ここでは、 先のフォ ト リソグラフイエ程と同様に、 固 体撮像素子ウェハ 1 1 2の受光部 1 0 4 も しくは電極パッ ド 1 0 5等の表面パターンを基準と して、 固体撮像素子ウェハ 1 1 2の 裏面マスクパ夕一ンを形成する両面ァライメ ン ト法を用いている また、 ここでは裏面電極 1 0 8の材質としてアルミニウムを用い たが、 銅， 金等を用いてもよい。 一方、 本実施の形態では貫通電 極 1 0 7に対応した位置に裏面電極 1 0 8を設けたが、 これには 限定されず、 貫通電極 1 0 7から固体撮像素子ウェハ 1 1 2の裏 面に裏面配線を形成し、 裏面配線上の任意の位置に、 裏面電極を 形成してもよい。
次に、 図 4 Fに示すように、 裏面電極 1 0 8へ突起電極 1 0 9 を形成する。 ここで、 突起電極 1 0 9 としては、 ワイヤボン ド方 式で形成された A u , C u 等のスタ ッ ドバンプや、 メ ツキ方式で 形成された A u , A g , C u , I n ， ハンダ等のバンプの他、 金 属ボールや表面に金属メ ツキされた樹脂ボールや印刷等でパター ン形成された導電性接着剤等で構成する。
なお、 ここでは、 裏面電極 1 0 8を形成し、 その裏面電極 1 0 8上に突起電極 1 0 9を形成しているが、 これには限定されず、 貫通電極面あるいは裏面配線上に直接突起電極を形成してもよい ことは言う までもない。
最後に、 図 4 Gに示すように、 固体撮像素子ウェハ 1 1 2 のス クライブライ ン （図中の矢印） にてダイシングを行い、 光学ガラ スウェハ 1 1 3の表面の保護材 1 2 9 を除去して固体撮像装置 1 1 0が完成する。 なお、 保護材 1 2 9の除去はダイシング後では なく、ダイ シング前に行ってもよいことは勿論である。あるいは、 他の撮像光学系などとのアセンブリ工程にて保護材 1 2 9 を除去 してもよい。 一方、 バンプの形成にあたっては、 本ダイシングェ 程のあとで行ってもよい。
以上のような固体撮像装置の構成及び製造方法により、 簡単な 製造方法で小型、更には固体撮像素子基板を薄く加工できるため、 厚さ方向にも小型の固体撮像装置、 すなわちチップサイズパッケ ージ化した固体撮像装置を実現できる。 また、 短時間で制御性の よい貫通孔及び貫通電極の形成が可能になる。 更に、 他の基板な どと突起電極を介することにより簡単に接続できるため、 各種の 装置、 例えば後述するような内視鏡装置などへの応用が可能とな る。
一方、 ウェハ状態で固体撮像素子と光学ガラスをアセンブリす るため、 組み立て性や作業性に優れ、 工程途中でのゴミゃ洗浄液 の受光部への付着の心配もなく、 歩留ま りのよい固 撮像装置が 実現できる。
次に、 本発明の第 2実施形態について説明する。
本第 2実施の形態に係る固体撮像装置は、 その基本的な構造は 第 1実施形態と同様であり、 異なる点は気密封止部を備えた点で ある。この実施の形態に係る固体撮像装置の断面図を図 5 に示し、 その一部拡大断面図を図 6 に示す。
図 5及び図 6 に示すように、 受光部 1 0 4 と電極パッ ド 1 0 5 を含む固体撮像素子 1 0 1は、 接合層 1 0 3 を介して光学ガラス 1 0 2 と接着されている。 ここで、 接合層 1 0 3は固体撮像素子 1 0 1の受光部 1 0 4を除いた周辺部のみに選択的に形成されて いる。 すなわち、 受光部 1 0 4を気密封止する気密封止部を備え た固体撮像装置となっている。 このような構成によれば、 固体撮 像素子 1 0 1上に有機材料からなるマイクロレンズあるいはカラ —フィル夕が形成されている場合に好都合である。 すなわち、 受 光部 1 0 4 と光学ガラス 1 0 2の間にはエアギャップ 1 1 8が設 けられ、 マイクロレンズの集光効果をよ り高められる構成となつ ている。
光学ガラス 1 0 2 としては、 一般的なレンズ硝材の他、 石英や 水晶、 も しくはそれらにマルチコー ト、 赤外線カッ トコー ト等の コーティ ングを行ったものを用いることができる。 接合層 1 0 3 としては、 後述するようにパターニングを行うため、 感光性ェポ キシ樹脂あるいはポリイ ミ ドなどの有機材料などを用いる。 ここ では、 ダウケミカル社の商品であり商標登録がなされた感光性の ある 「サイクロテン （CYCLOTENE )」 、 あるいはマイクロケム社の 商品であり商標登録がなされた 「N A N O S U— 8」 などが好 ましい。 更に、 固体撮像素子 1 0 1 としては C C Dの他、 C _ M 0 Sあるいは増幅型等の撮像素子が適用できる。 また、 固体撮像 素子 1 0 1 には受光部 1 0 4 と電極パヅ ド 1 0 5のみを示してい るが、 駆動回路あるいは信号処理回路などの周辺回路を形成して もよいことは言うまでもない。
その他の構成は、 第 1 の実施の形態と同様であ り、 電極パッ ド 1 0 5の直下には、 電極パッ ド 1 0 5 と電気的に接続され、 固体 撮像素子 1 0 1 の裏面にまで達する貫通電極 1 0 7及び裏面電極 1 0 8が形成され、 更に裏面電極 1 0 8には、 外部端子との電気 的接続のための突起電極 1 0 9が形成されている。 貫通電極 1 0 7は、 貫通孔 1 0 6を形成し、 その内面に絶縁膜 1 1 1 を形成し た後、 金属などを充填して形成された構成となっている。
また、 貫通孔 1 0 6 を除く固体撮像素子 1 0 1 の裏面には絶縁 膜 1 1 1が形成されると共に、 貫通電極 1 0 7には裏面電極 1 0 8及び突起電極 1 0 9が形成され、 外部端子などと電気的に接続 できるようになつている。 ここで、 貫通電極 1 0 7並びに裏面電 極 1 0 8は絶縁膜 1 1 1 によ り固体撮像素子 1 0 1 の内面及び裏 面と電気的に絶縁されている。 この絶縁膜 1 1 1 としては、 T E O S膜や N S G膜、 B P S G膜、 も しくは有機樹脂膜などを用い ることができる。 更に、 貫通電極 1 0 7は電極パ ヅ ド 1 0 5の中 心に位置し、 その外径は電極パヅ ド 1 0 5の寸法に比べて小さ く なっている。
本第 2実施の形態に係る固体撮像装置の製造方法については、 接合層の形成工程を除いては第 1の実施の形態と同様であるため 接合層の形成工程についてのみ簡単に説明する。 まず第 1の実施 の形態と同様に、 光学ガラスウェハを洗浄後、 光学ガラスウェハ 全面に亘つて接合層 1 0 3 となる感光性エポキシ樹脂をスビンコ — ト法によ り、 数 mから 1 0 0 m程度の膜厚で塗布する。感 光性エポキシ樹脂はス ピンコー トによって塗布されるが、 第 1の 実施の形態に係る製造方法と同様に、 膜厚によっては一般的な開 放型のス ピンコート装置ではなく、 塗布部を密閉してコー トする 密閉型のス ピンコー ト装置を用いてもよい。 次に、 塗布した感光 性エポキシ樹脂を仮硬化させた後、 フ ォ ト リソグラフィ法を用い てパターニング、 露光及び現像を行う。
続いて、 光学ガラスウェハと固体撮像素子ウェハとをァライメ ン トを行って接着する。 このときに、 真空雰囲気に窒素等の不活 性ガスをパージしながら接着を行う と、 エアギヤヅ プ 1 1 8の内 部に不活性ガスが充填され、 有機材料からなるイク口レンズや力 ラ一フ ィ ル夕などの酸化等による劣化が起こ り にく く、 信頼性が 向上する。 最後に加熱して接合層 （感光性エポキシ樹脂層） を本 硬化させる。
加熱温度及び加熱時間は、 接合層の厚さや面積によって決まる が、 固体撮像素子の受光部に有機材料からなるマイクロレンズや カラーフィル夕が形成されている場合には、 接合温度を低く、 接 合時間を長めに設定すると、 マイクロレンズやカラ一フィル夕の 性能が損なわれない。 また、 このとき、 接合を容易にするため、 接合面へ荷重を加えながら加熱してもよい。 このようにして、 所 望の位置に接合層 1 0 3 を形成する。 ここでは固体撮像素子 1 0 1の受光部 1 0 4を除いた周辺部のみに接合層 1 0 3を形成して いる。
また、 接合層 1 0 3を黒色などに光を遮蔽するように着色して もよく、 このようにすれば固体撮像素子 1 0 1の受光部 1 0 4上 への不要な光を遮ることができ、 迷光や固体撮像素子 1 0 1上で の反射などによる悪影響を防ぐことが可能になる。 なお、 接合層 1 0 3の形成にあたっての温度などの条件は、 第 1の実施の形態 と同様である。 また、 その他の製造工程についても第 1 の実施の 形態と同様である。
以上の製造工程によ り、 気密封止部を備えた固体撮像装置も簡 単にチップサイズパヅケージ化が可能になる。 また、 このような 構成の固体撮像装置によれば、 第 1の実施の形態と同様の効果が 得られる他に、 気密封止部を備えているために、 マイクロレンズ の集光効果がよ り高められる固体撮像装置を、 簡単に実現するこ とが可能となる。
次に、 本発明の第 3実施形態について説明する。
本実施の形態では、 第 1あるいは第 2実施形態で説明した構成 の固体撮像装置を、 他の装置と組み合わせて構成した撮像装置に 関するものである。 本実施の形態に係る撮像装置の断面図及び斜 視図を図 7及び図 8に示す。
この実施の形態に係る撮像装置は、図 7及び図 8に示すように、 第 1あるいは第 2実施形態で説明した構成の固体撮像装置 1 1 0 を、 突起電極 1 0 9 を介してモジユール基板 1 1 4に接続する。 モジュール基板 1 1 4上には表面電極 1 1 5が形成されていて、 固体撮像装置 1 1 0の突起電極 1 0 9は、 この表面電極 1 1 5 と 接続され、 モジュール基板 1 1 4 と電気的に接続される。 またモ ジュール基板 1 1 4には、 固体撮像装置 1 1 0 と同様に貫通電極 1 1 6が形成されていて、 貫通電極 1 1 6は外部端子との電気的 接続を行う リー ドピン 1 1 7 に接続されている。 ここで、 モジュ —ル基板 1 1 4は、 固体撮像装置 1 1 0の駆動回路や信号処理回 路などである。 また、 ここでは、 モジュール基板 1 1 4にリー ド ピン 1 1 7を接続したものを示したが、 固体撮像装置 1 1 0 と同 様に、 貫通電極 1 1 6 の下部に電極あるいは配線領域及び電極等 を形成してもよいし、 更に突起電極を形成してもよいことは勿論 である。
更に、 図 9 に示すように、 モジュール基板 1 1 4を接続した固 体撮像装置 1 1 0上に凸レンズなどの光学素子 1 1 9 を形成して 撮像装置を構成してもよい。 光学素子 1 1 9は固体撮像素子 1 0 1の受光部 1 0 4 に対応して集光効果をもつものである。ここで、 光学素子 1 1 9は紫外線硬化型の樹脂を型に充填して紫外線を照 射することによ り形成してもよいし、 あるいは別途用意した凸レ ンズを、 固体撮像装置を構成している光学ガラス 1 0 2 に接着し てもよい。 また、 光学素子 1 1 9 としては凸レンズのみならず、 固体撮像装置に駆動回路及び信号処理回路などを有するモジユ ー ル基板を組み合わせ、 更にはレンズなどの光学素子を形成するこ とによ り、 撮像装置がモジュールとして小型に形成され、 内視鏡 装置、 携帯電話などに簡単に組み込んでの応用が可能となる。 例 えば、 モジュール基板を固体撮像装置と同等サイズ以下にして医 療用内視鏡装置に装着すれば、 内視鏡揷入部の外径を非常に小さ くでき、 患者の苦痛を低減できる。
なお、 本実施の形態では、 個片化された固体撮像装置上に光学 素子を形成した場合を示したが、 あらかじめ光学ガラスウェハ上 に所望の光学素子を形成しておき、 ウェハ状態で固体撮像素子と 一括でアセンブリ して、 その後ダイシングして光学素子付きの固 体撮像装置を形成してもよい。
次に、 本発明の第 4実施形態について説明する。 本実施の形態 は、 第 1及び第 2あるいは第 3実施形態で説明した固体撮像装置 あるいは撮像装置を力プセル型内視鏡に適用して構成したカプセ ル型内視鏡装置に関するものである。 本実施の形態に係るカプセ ル型内視鏡装置の構成を図 1 0に示す。
図 1 0において、 1 1 0は固体撮像装置、 1 2 0は固体撮像装 置 1 1 0の駆動並びに信号処理を行う A S I C基板、 1 2 1はメ モリ基板、 1 2 2は通信モジュール基板、 1 2 3は電池、 1 1 9 A は固体撮像装置上に形成された光学レンズ、 1 1 9 Bは凸レンズ、
1 2 5は凸レンズ 1 1 9 Bを保持するレンズ枠、 1 2 6は照明用の L E D , 1 2 7は外装ケースである。 なお、 ここでは固体撮像装 置に第 3の実施の形態で示したような光学レンズを形成した固体 撮像装置を用いる。
固体撮像装置 1 1 0は、 裏面電極 1 0 8上に形成された突起電 極 1 0 9 を介して、 A S I C基板 1 2 0上の電極パヅ ド 1 3 0 と 接続され、 A S I C基板 1 2 0は第 1 の裏面電極 1 3 1 に形成さ れた突起電極 1 3 2 を介して通信モジュール基板 1 2 2上の実装 電極 1 3 3 に接続されると共に、 第 2 の裏面電極 1 3 4及び突起 電極 1 3 5 を介してメモリ基板 1 2 1の電極パ ヅ ド 1 3 6 と接続 されている。
ここで、 固体撮像装置 1 1 0の裏面に裏面配線を形成して、 裏 面配線上の突起電極と A S I C基板 1 2 0 とを接続してもよい。 A S I C基板 1 2 0は、 固体撮像装置 1 1 0 と同様に貫通電極及 び裏面電極等を電極パッ ド毎に設けてもよいし、 あるいは貫通電 極及び裏面電極等を必要に応じた電極パッ ドに設け、 基板裏面に 裏面配線を形成して、 通信モジュール基板 1 2 2及びメモリ基板 1 2 1 と接続してもよい。
通信モジュール基板 1 2 2は、 必要に応じて貫通電極並びに裏 面配線等を形成し、 貫通電極あるいは裏面配線上設けた電源電極
1 3 7によ り、 電池バネ 1 3 8 A並びに 1 3 8 Bと接続され、 電池 ノ ^ネ 1 3 8 A, 1 3 8 Bは電池 1 2 3 と接続されている。 そして、 固体撮像装置 1 1 0 , A S I C基板 1 2 0 , メモリ基板 1 2 1及 び通信モジュール基板 1 2 2 に電源が供給されるようになつてい る。
一方、 固体撮像装置 1 1 0上には、 凸レンズ 1 1 9 Bを保持した レンズ枠 1 2 5が接着され、 レンズ枠 1 2 5 には照明光源として の白色 L E Dが実装されている。 更に、 電気的に絶縁性を有する と共に、 光学的に透明な樹脂などからなる外装ケース 1 2 7が全 体に被せられて、 カプセル型内視鏡装置を構成している。
次に、 このように構成されているカプセル型内視鏡の動作を説 明する。 まず、 撮像光学系である光学レンズ 1 1 9 A及び凸レンズ 1 1 9 Bを透過してきた光学像が、固体撮像装置 1 1 0で光電変換 され、 固体撮像装置 1 1 0の映像信号は A S I C基板 1 2 0へ伝 送される。 A S I C基板 1 2 0では映像信号が処理され、 一部メ モリ基板 1 2 1 に蓄積しながら、 更に通信モジュール基板 1 2 2 へ伝送され、 図示しない体外受信機へ送信される。 体外受信機で は、 力プセル型内視鏡装置で得られた映像信号をヮィャレスで受 信することができ、力プセル型内視鏡装置を飲み込むことによ り、 体内の様子をヮィャレスで観察することが可能となる。
ここで、 A S I C基板 1 2 0は、 カプセル型内視鏡装置全体の コン トローラとしても働き、 撮像用の照明手段である白色： L E D 1 2 6の制御や、 通信モジュール基板 1 2 2の制御並びに固体撮 像装置 1 1 0の駆動なども行う。 通信モジュール基板 1 2 2に供 給された電池 1 2 3の電力は、 A S I C基板 1 2 0及び固体撮像 装置 1 1 0並びに白色 L E D 1 2 6へ供給され、 それぞれの駆動 電力となっている。
このような構成のカプセル型内視鏡装置によれば、 外径を非常 に小さ くでき、 患者の苦痛を低減できる。 また、 量産性に優れた 力プセル型内視鏡装置を提供することができる。 以上説明したように、 本発明によれば、 小型ながらも制御性が 良く、 高歩留ま りで量産性があると共に、 組み立て性の良い貫通 電極を備えた固体撮像装置を容易に実現することができる。
さらに、 以下の効果を奏する。
他の装置あるいは外部端子と簡単に且つ最適に電気的接続をと ることが可能な固体撮像装置を実現することができる。
電極パ ヅ ドの破損を防ぎ、 制御性の良い貫通電極の形成が可能 となる。
固体撮像素子の受光部あるいは特性並びに用途に合わせた最適 な接合層を形成することができる。
固体撮像素子の受光部上への不要な光を遮ることができる。 種々の装置に応用可能な固体撮像装置を実現することができる 小型で組み立て性が良く、 量産性に優れた固体撮像装置を容易 に製造することができる。
さらに、 本発明に係る固体撮像装置を用いて様々な一般的な撮 像装置や内視鏡装置、 特にカプセル型内視鏡装置を容易に構成す ることができる。
このように、 本発明に係る固体撮像装置を用いて様々な一般的 な撮像装置や内視鏡装置、 特に力プセル型内視鏡装置を簡単に構 成することができ、 内視鏡装置あるいはカプセル型内視鏡装置に 用いれば、 非常に小型で患者の苦痛を低減できると共に、 量産性 のある内視鏡装置あるいは力プセル型内視鏡装置が実現可能とな なお、 上述した各実施の形態等を部分的等で組み合わせる等し て構成される実施の形態等も本発明に属する。 '
また、 本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、 本発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々の変形や応用が可 能であることは勿論である。 産業上の利用可能性
以上説明したように本発明によれば、 小型化を達成しながらも 高歩留ま りであると共に組み立て性及び作業性に優れ、 量産性の ある固体撮像装置及びその製造方法を提供することができる。
関連出願へのクロス リ ファレンス
本出願は、 2 0 0 2年 1 2月 2 5 日に日本国に出願された特願 2 0 0 2 - 3 7 4 3 0 1号を優先権主張の基礎として出願するも のであり、 上記の開示内容は、 本願明細書、 請求の範囲、 図面に 引用されたものとする。

Claims

請求の範囲
1 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 を備え、 "
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成することを特徴とする固体撮像装置。
2 . クレーム 1の固体撮像装置において、
前記固体撮像素子の裏面に前記貫通電極と電気的に接続される 裏面配線領域を形成する。
3 . クレーム 2の固体撮像装置において、
前記貫通電極又は前記裏面配線領域上に裏面電極を形成するこ とを特徴とする。
4 . クレーム 3の固体撮像装置において、
前記貫通電極又は前記裏面配線領域又は前記裏面電極に、 突起 電極を形成することを特徴とする。
5 . クレーム 1の固体撮像装置において、
前記貫通電極の外径は、 前記電極パッ ドよ り小さいこ とを特徴 とする。
6 . クレーム 1の固体撮像装置において、
前記接合層は、 前記固体撮像素子上に全面に亘つて形成されて いることを特徴とする。
7 . クレーム 1の固体撮像装置において、 前記接合層は、 前記固体撮像素子上に選択的に形成されている ことを特徴とする。
8 . クレーム 7の固体撮像装置において、
前記選択的に形成された接合層は、 着色などによる遮光機能を 備えていることを特徴とする。
9 . クレーム 1の固体撮像装置において、
前記光学ガラスには、 光学素子が形成されているこ とを特徴と する。
1 0 . クレーム 1 の固体撮像装置の製造方法は、
光学ガラスと固体撮像素子とをウェハ状態で接合する工程と、 接合された固体撮像素子ウェハの裏面を薄く加工する工程と、 接合された固体撮像素子ウェハに電極パッ ドに対応した貫通電 極を形成する工程とを有する。
1 1 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 を有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、
前記固体撮像素子の裏面に前記貫通電極と電気的に接続される 裏面配線領域を形成し、
前記貫通電極又は前記裏面配線領域上に裏面電極を形成し、 前記貫通電極、 前記裏面配線領域又は前記裏面電極に、 突起電 極を形成し、
前記突起電極を介して、 当該撮像装置と同等サイズ以下のモジ ユール基板を接続し こことを特徴とする撮像装置。
1 2 . 受光部及び電極パヅ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 を有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成することを特徴とする内視鏡。
1 3 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 を有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、 '
前記固体撮像素子の裏面に前記貫通電極と電気的に接続される 裏面配線領域を形成し、
前記貫通電極又は前記裏面配線領域上に裏面電極を形成し、 前記貫通電極、 前記裏面配線領域又は前記裏面電極に、 突起電 極を形成することを特徴とする内視鏡。
1 4 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 を有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、
前記接合層は、 前記固体撮像素子上に全面に亘つて形成されて いることを特徴とする内視鏡。
1 5 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、
前記接合層は、 前記固体撮像素子上に選択的に形成されている ことを特徴とする内視鏡。
1 6 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 を有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、
前記接合層は、 前記固体撮像素子上に選択的に形成され、 前記選択的に形成された接合層は、 着色などによる遮光機能を 備えていることを特徴とする内視鏡。
1 7 . 受光部及び電極パヅ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 を有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、
前記光学ガラスには、 光学素子が形成されていることを特徴と する内視鏡。
1 8 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 を有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、
前記固体撮像素子の裏面に前記貫通電極と電気的に接続される 裏面配線領域を形成し、
前記貫通電極又は前記裏面配線領域上に裏面電極を形成し、 前記貫通電極、 前記裏面配線領域又は前記裏面電極に、 突起電 極を形成し、
前記突起電極を介して、 当該撮像装置と同等サイズ以下のモジ ユール基板を接続したことを特徴とする内視鏡。
1 9 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 を有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成することを特徴とする力プセル型内視鏡
2 0 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合きれた光学ガラスと、 を有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、
前記固体撮像素子の裏面に前記貫通電極と電気的に接続される 裏面配線領域を形成し、
前記貫通電極又は前記裏面配線領域上に裏面電極を形成し、 前記貫通電極、 前記裏面配線領域又は前記裏面電極に、 突起電 極を形成することを特徴とするカプセル型内視鏡。
2 1 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 を有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、
前記接合層は、 前記固体撮像素子上に全面に亘つて形成されて いることを特徴とする力プセル型内視鏡。
2 2 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 ¾有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、
前記接合層は、 前記固体撮像素子上に選択的に形成されている ことを特徴とするカプセル型内視鏡。
2 3 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、
前記接合層は、 前記固体撮像素子上に選択的に形成され、 前記選択的に形成された接合層は、 着色などによる遮光機能を 備えていることを特徴とする力プセル型内視鏡。
2 4 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 ¾有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、
前記光学ガラスには、 光学素子が形成されていることを特徴と する力プセル型内視鏡。
2 5 . 受光部及び電極パッ ドを含む固体撮像素子と、
該固体撮像素子上に接合層を介して接合された光学ガラスと、 を有し、
前記固体撮像素子の電極パッ ド下に該固体撮像素子の裏面にま で達する貫通電極を形成し、
前記固体撮像素子の裏面に前記貫通電極と電気的に接続される 裏面配線領域を形成し、
前記貫通電極又は前記裏面配線領域上に裏面電極を形成し、 前記貫通電極、 前記裏面配線領域又は前記裏面電極に、 突起電 極を形成し、
前記突起電極を介して、 当該撮像装置と同等サイズ以下のモジ ユール基板を接続したことを特徴とする力プセル型内視鏡。
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