JP7004336B2 - 撮影アセンブリおよびそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器 - Google Patents

Description

本発明の実施形態がレンズモジュール分野に関し、特に、撮影アセンブリおよびそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器に関する。

人々の生活水準が向上し続け、アマチュアの生活がより豊富になるにつれて、写真は旅行や様々な日常生活を記録するための一般的な手段となり、撮影機能を有する電子機器（例えば、携帯電話、タブレットＰＣ、カメラなど）が人々の日常生活や仕事に多く適用され、撮影機能を備えた電子機器は今日の人々にとって不可欠なツールとなっている。

撮影機能を有する電子機器は、一般に、レンズモジュールを有するものであり、レンズモジュールの設計レベルは、撮影品質を決定する重要な要素の一つである。レンズモジュールは、通常、感光性チップを有する撮影アセンブリと、前記撮影アセンブリの上方に固定され被写体の映像を形成するためのレンズアセンブリとを含む。

そして、レンズモジュールの結像能力を高めるために、相応的に、より大きな結像面積を有する感光性チップが必要とされており、また、通常、前記レンズモジュールには抵抗、コンデンサなどの受動要素および周辺チップが配置されている。

本発明の実施形態は、撮影アセンブリおよびそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器を提供し、レンズモジュールの使用機能を向上させ、レンズモジュールの全体厚さを減少させることを課題とする。

上記課題を解決するために、本発明の実施形態は、撮影アセンブリのパッケージング方法を提供し、下記のような工程、即ち、感光性チップを提供し、前記感光性チップにフィルタを貼り付け、キャリア基板を提供し、前記キャリア基板に感光性チップと機能素子とを仮ボンディングし、前記キャリア基板にパッケージング層を形成し、前記パッケージング層は少なくとも前記感光性チップと前記機能素子の間に充填されることを有する。

それに応じ、本発明の実施形態は、撮影アセンブリを提供し、パッケージング層及び前記パッケージング層に嵌め込まれた感光装置と機能素子とを有し、前記感光装置が感光性チップと前記感光性チップに貼り付けられたフィルタを有し、少なくとも、前記パッケージング層の底面が前記感光性チップと機能素子を露出させる。

相応的に、本発明の実施形態は、一種のレンズモジュールを提供し、本発明の実施形態に記載の撮影アセンブリと、前記パッケージング層の上面に貼り付けられ且つ前記感光装置と機能素子を取り囲むホルダーを有し、前記感光性チップと機能素子とを電気的に接続するレンズアセンブリとを、有する。

相応的に、本発明の実施形態は、本発明の実施形態に記載のレンズモジュールを有する電子機器を提供する。

従来技術と比べ、本発明の実施形態の技術方案は下記のメリットがある：
本発明の実施形態は感光性チップと機能素子とをパッケージング層に集積し、機能素子を周辺メインボードに貼り付ける方案と比べ、本発明の実施形態は感光性チップと機能素子の間の距離を短縮させたので、感光性チップと機能素子の間の電気的接続する距離の短縮に寄与でき、信号伝送速度を向上させ、レンズモジュールの使用機能（例えば、撮影速度と記憶速度の向上）を向上させるとともに、前記パッケージング層により、回路基板（例えば、ＰＣＢ）を省略できる分、レンズモジュールの全体の厚さを減少させ、レンズモジュールの小型化、薄型化への要求を満たすことができる。

選択可能な方案として、リードワイヤボンディング（ｗｉｒｅ ｂｏｎｄ）プロセスにより感光性チップと機能素子のボンディングパッドとを電気的に接続して、電気的接続プロセスと現在パッケージングプロセスとの適合性を向上させるとともに、パッケージングコストを引き下げることができる。

図１は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図２は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図３は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図４は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図５は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図６は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図７は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図８は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図９は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図１０は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図１１は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図１２は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法のもう一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図１３は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法のもう一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図１４は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法のさらなる一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図１５は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法のさらなる一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図１６は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法のさらなる一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。 図１７は、本発明のレンズモジュールの一実施形態の構成見取図である。 図１８は、本発明の電子機器の一実施形態の構成見取図である。

現在、レンズモジュールの使用性能の向上が望まれる一方、レンズモジュールがレンズモジュールの小型化、薄型化への要求を満たすことは困難である。その原因は下記のように挙げられる。

従来のレンズモジュールは、主に、回路基板、感光性チップ、機能素子（例えば、周辺チップ）及びレンズアセンブリとにより組み立てられ構成されて、通常、周辺チップが周辺メインボードに貼り付けられ、感光性チップと機能素子とは離れている。また、前記回路基板が前記感光性チップ、機能素子およびレンズアセンブリを支持するとともに、前記回路基板により前記感光性チップと機能素子とレンズモジュールとの電気的接続を実現する。

しかしながら、高画素および超薄型レンズモジュールへの要求に伴って、レンズモジュールの結像要求がますます高くなり、感光性チップの面積が増大し、機能素子もそれに応じて増加し、レンズモジュールのサイズがますます大きくしまうので、レンズモジュールの小型化および薄型化への要求を満たすことは困難である。

また、感光性チップは通常レンズモジュール内のホルダーの内部に配置され、周辺チップは通常ホルダーの外部に配置されるので、前記周辺チップと感光性チップとの間にはある程度の距離があり、それによって信号伝送速度が低下する。前記周辺チップは、通常、デジタルシグナルプロセッサ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ，ＤＳＰ）チップとメモリチップとを含むので、撮影速度および記憶速度に悪影響を及ぼしやすく、それによってレンズモジュールの使用性能を低下させる。

上記課題を解決するために、本発明の実施形態は感光性チップと機能素子とをパッケージング層に集積し、機能素子を周辺メインボードに貼り付ける方案と比べ、本発明の実施形態は感光性チップと機能素子の間の距離を短縮させたので、感光性チップと機能素子の間の電気的接続する距離の短縮に寄与でき、信号伝送速度を向上させ、レンズモジュールの使用機能（例えば、撮影速度と記憶速度の向上）を向上させるとともに、前記パッケージング層により、回路基板を省略できる分、レンズモジュールの全体の厚さを減少させ、レンズモジュールの小型化、薄型化への要求を満たすことができる。

本発明の上記の目的、特徴、および利点をわかりやすくするために、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。

図１～図９は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法の一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。

図１を参照し、感光性チップ２００を提供する。

前記感光性チップ２００がイメージセンサチップである。この実施形態では、感光性チップ２００はＣＭＯＳイメージセンサ（ＣＭＯＳ ｉｍａｇｅ ｓｅｎｓｏｒ，ＣＩＳ）チップである。他の実施形態では、前記感光性チップはＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ，電荷結合素子）イメージセンサチップでもよい。

具体的には、前記感光性チップ２００は、感光領域２００Ｃと、前記感光領域２００Ｃを囲む周辺領域２００Ｅとを含む。前記感光性チップ２００の光信号受信面２０１は前記感光領域２００Ｃに位置し、前記感光性チップ２００は前記光信号受信面２０１を介して感知光放射信号を受信する。

前記感光性チップ２００は複数の画素部を含むので、感光性チップ２００は複数の半導体感光素子（図示せず）と、前記半導体感光素子に位置した複数のフィルタリングフィルム（図示せず）とを含み、フィルタリングフィルムが光信号受信面２０１で受信された光信号を選択的に吸収し通過させることに使用される。

前記感光性チップ２００は前記フィルタリングフィルムに位置したマイクロレンズ２１０をさらに含み、前記マイクロレンズ２１０は前記半導体感光素子と一対一に対応し、受信された光放射信号光は半導体感光素子に集束される。前記光信号受信面２０１が、相応的にマイクロレンズ２１０の上面に当たる。

説明する必要があるが、前記感光性チップ２００は一般的にシリコンベースのチップであり、集積回路製造技術によって製造され、他のチップまたは部品と電気的に接続するためのボンディングパッドを有する。本実施形態では、前記感光性チップ２００は周辺領域２００Ｅに形成された第１チップボンディングパッド２２０を有する。

本実施形態では、前記光信号受信面２０１と同じ側の感光性チップ２００の面が前記第１のチップボンディングパッド２２０を露出させる。他の実施形態では、前記感光性チップの前記光信号受信面とは反対側の面が、前記第１チップボンディングパッドを露出させる。

図２ないし図４を参照し、図３は図２に示される一つのフィルタの拡大図であり、前記感光性チップ２００（図４に示す）にフィルタ４００が貼り付けれ（図４に示す）、感光装置２５０が形成される（図４に示す）。

前記感光性チップ２００がフィルタ４００を向いた光信号受信面２０１（図４に示す）を有し、フィルタ４００と感光性チップ２００との貼り付けが先に実現されることにより、後のパッケージングプロセスによる光信号受信面２０１への汚染が避けられ、それに応じ、後のパッケージングプロセスによる感光性チップ２００の性能への悪影響も避けられる。また、貼り付け方式により、後続のレンズモジュールの全体厚さを顕著に減らし、レンズモジュールの小型化、薄型化への要求を満たすことができる。

レンズモジュールの正常な機能を実現するために、前記フィルタ４００は、赤外フィルタリングガラスまたは完全透明ガラスであってよい。本実施形態では、前記フィルタ４００は赤外フィルタリングガラスであり、入射光のうちの赤外線が前記感光チップ２００の性能に与える影響を排除するためにも用いられており、結像効果の向上に有利である。

具体的には、前記フィルタ４００は赤外線カットフィルタ（ｉｎｆｒａｒｅｄ ｃｕｔ ｆｉｌｔｅｒ，ＩＲＣＦ）であり、前記赤外線カットフィルタは青色ガラス赤外線カットフィルタであってもよく、あるいは、前記赤外線カットフィルタはガラス及び前記ガラスの表面上に配置されたＩＲカットコーティング（ＩＲ ｃｕｔ ｃｏａｔｉｎｇ）を含んでもよい。

本実施形態では、前記フィルタ４００は、ボンディング用面４０１を有する。前記ボンディング用面４０１が感光性チップ２００との貼り付けの面であり、即ち、前記感光性チップ２００を向くための面である。

具体的には、前記フィルタ４００が青色ガラス赤外線カットフィルタである場合に、青色ガラス赤外線カットフィルタの一表面にＡＲフィルム又は反射防止フィルムがメッキされ、前記ＡＲフィルム又は反射防止フィルムの表面に背向する面が前記ボンディング用面４０１である。前記フィルタ４００がガラス及び前記ガラスの表面上に配置されたＩＲカットコーティングを含む場合に、前記ＩＲカットコーティングに背向するガラスの表面が前記ボンディング用面４０１である。他の実施形態では、前記フィルタが完全透明ガラスである場合、前記完全透明ガラスの任意の表面が前記ボンディング用面である。

図３に示すように、前記フィルタ４００は、光透過領域４００Ｃと、前記光透過領域４００Ｃを囲むエッジ領域４００Ｅとを含む。レンズモジュールが形成された後、前記フィルタ４００の光透過領域４００Ｃは外部入射光を透過させるように構成され、感光性チップ２００の光信号受信面２０１が光信号を受信する。前記エッジ領域４００Ｅはフィルタ４００と感光性チップ２００の貼り付けを実現するために空間的位置を確保する。

図４に示めされるように、本実施形態では、前記フィルタ４００は、接着構造４１０を介して感光性チップ２００に貼り付けられ、前記接着構造４１０は前記感光性チップ２００の光信号受信面２０１を囲んでいる。

前記接着構造４１０はフィルタ４００と感光性チップ２００との物理的接続を実現するために用いられる。フィルタ４００、接着構造４１０および感光性チップ２００によりキャビティ（図示せず）が形成され、フィルタ４００と感光性チップ２００との直接接触を避けることにより、感光性チップ２００の性能に悪影響を及ぼすことを防止する。

本実施形態では、前記接着構造４１０が前記光信号受信面２０１を取り囲むので、前記光信号受信面２０１の上方のフィルタ４００が前記感光性チップ２００の感光経路に位置したので、前記感光性チップ２００の光学的性能は保証されている。

本実施形態では、前記接着構造４１０の材料はフォトリソグラフィ可能な材料であるので、フォトリソグラフィ加工により接着構造４１０が形成することができる。これは前記接着構造４１０の形態品質（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ ｑｕａｌｉｔｙ）および寸法精度を改善し、パッケージング効率と生産性を改善するのに役立つだけでなく、フォトリソグラフィ加工により前記接着構造４１０の接合強度への影響を低減することもできる。

本実施形態では、前記接着構造４１０の材料はフォトリソグラフィ可能なドライフィルム（ｄｒｙ ｆｉｌｍ）である。他の実施形態では、前記接着構造の材料はフォトリソグラフィ可能なポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、フォトリソグラフィ可能なポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）またはフォトリソグラフィ可能なベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）でもよい。

前記接着構造４１０は感光性チップ２００に形成されてもよいし、フィルタ４００に形成されてもよいことに留意されたい。本実施形態では、前記接着構造４１０を形成する際の加工上の困難さを軽減し、工程を簡略化し、前記接着構造４１０の形成工程が光信号受信面２０１に与える影響を低減するために、前記フィルタ４００に前記接合構造４１０が形成される。

よって、前記感光装置２５０を形成する工程は、下記のとおりである。

引き続き図２を参照し、第１キャリア基板３４０を提供し、前記感光性チップ４００の前記ボンディング用面４０１とは反対側の面を、前記第１キャリア基板３４０に仮ボンディングする。

前記第１のキャリア基板３４０は、前記フィルタ４００と感光性チップ２００との貼り付け工程のためにプロセスプラットフォームとして提供され、それによってプロセスの操作性を改善する。この実施形態では、前記第１のキャリア基板３４０はキャリアウェハ（ｃａｒｒｉｅｒ ｗａｆｅｒ）である。他の実施形態では、前記第１のキャリア基板は他のタイプの基板でもよい。

具体的には、第１の仮ボンディング層３４５を介してフィルタ４００を第１のキャリア基板３４０に仮ボンディングする。前記第１の仮ボンディング層３４５は後の剥離（ｄｅ－ｂｏｎｄｉｎｇ）を容易にするための剥離層として使用される。

本実施形態では、第１の仮ボンディング層３４５は発泡フィルムである。発泡フィルムは、対向した微粘着面および発泡面を含み、発泡フィルムは常温では粘着性を有し且つ発泡面が第１のキャリア基板３４０に貼り付けられ、発泡フィルムを加熱して発泡面に粘着性を失わせ、それにより剥離が達成される。

他の実施形態では、前記第１の仮ボンディング層はダイアタッチフィルム（ｄｉｅ ａｔｔａｃｈ ｆｉｌｍ，ＤＡＦ）としてもよい。

引き続き図２を参照し、前記フィルタ４００を第１キャリア基板３４０に仮ボンディングしてから、前記フィルタ４００のエッジ領域４００Ｅ（図３に示す）に環状の接着構造４１０を形成する。

具体的には、前記接着構造４１０を形成する工程は、前記フィルタ４００と第１の仮ボンディング層３４５を覆う接着材料層（図示せず）を形成し、フォトリソグラフィにより前記接着材料層をパターン化し、前記エッジ領域４００Ｅの残った接着材料層を保留し前記接着構造４１０とする。

引き続き図４を参照し、前記感光性チップ２００の光信号受信面２０１を環状の接着構造４１０に向かせ、前記感光性チップの周辺区域２００Ｅ（図１に示す）を環状の接着構造４１０に貼り付け、前記感光装置２５０を形成する。

本実施形態では、前記感光装置２５０を形成した後、前記第１チップボンディングパッド２２０が前記フィルタ４００を向く。

図５を参照して説明すると、感光装置２５０（図４に示す）が形成された後、さらに、前記感光性チップ２００の光信号受信面２０１とは反対側の面をＵＶフィルム３１０に貼り付けることと、貼り付け工程の後、第１キャリア基板３４０を除去する第１剥離（ｄｅｂｏｎｄｉｎｇ）処理を行う（図４に示す）。

前記貼り付け工程を経て、後続の仮ボンディング工程のプロセスに準備され、また、前記ＵＶフィルム３１０は第１のキャリア基板３４０が取り除かれた後に前記感光装置２５０を支持および固定するためにも使用される。また、ＵＶフィルム３１０は、紫外線の照射下で付着力が弱まり、その後、前記感光装置２５０を前記ＵＶフィルム３１０から容易に取り外すことができる。

具体的には、前記ＵＶフィルム３１０は、フィルムアプリケータによって感光性チップ２００の光信号受信面２０１とは反対側の面に密着されるとともに、大径のフレーム３１５の底部に貼り付けられている。前記フレーム３１５によってストレッチフィルムの作用が果たされ、前記感光装置２５０が別々にＵＶフィルム３１０に固定される。前記ＵＶフィルム３１０およびフレーム３１５についての詳細説明、本実施形態では省略する。

本実施形態では、第１仮ボンディング層３４５（図４に示す）は発泡フィルムであり、熱剥離プロセス（Ｐｙｒｏｌｙｓｉｓ ｂｏｎｄｉｎｇ）を使用し第１剥離処理を行う。具体的には、第１の仮ボンディング層３４５を加熱処理して前記発泡フィルムの発泡面に粘着性を失わせ、第１のキャリア基板３４０を除去して；第１のキャリア基板３４０を除去した後、前記第１仮ボンディング層３４５を外して取り除く。

図６を参照し、第２キャリア基板３２０を提供し、前記第２キャリア基板３２０に感光性チップ２００と機能素子（図示せず）を仮ボンディングする。

前記仮ボンディング工程により、後で行われる各チップと部品のパッケージング集積と電気学集積のプロセスに準備される。さらに、仮ボンディング（ｔｅｍｐｏｒａｒｙ ｂｏｎｄｉｎｇ，ＴＢ）によって、後で感光性チップ２００、機能素子および第２のキャリア基板３２０を別々に分離させることも便利になる。

そのうち、前記第２のキャリア基板３２０はさらに、後続のパッケージ層を形成するためにプロセスプラットフォームとして提供される。

この実施形態では、前記第２のキャリア基板３２０はキャリアウェハである。他の実施形態では、前記第２のキャリア基板は他のタイプの基板でもよい。

具体的には、前記感光性チップ２００と機能素子は第２仮ボンディング層３２５を介して前記第２キャリア基板３２０に仮ボンディングされる。本実施形態では、前記第２仮ボンディング層３２５は発泡フィルムである。前記第２仮ボンディング層３２５についての詳細説明は、前記第１仮ボンディング層３４５（図４に示す）についての説明を参照できるので、ここで省略する。

以下、、図面を参照し、前記仮ボンディング工程につき詳細に説明する。

図６を参照し、前記感光性チップ２００のフィルタ４００とは反対側の面を、第２キャリア基板３２０に仮ボンディングする。

具体的には、個個の感光装置２５０の位置にあるＵＶフィルム３１０（図５に示すように）を紫外線照射し、紫外線照射を受けたＵＶフィルム３１０に粘着性を失わせるようにする。イジェクタピンにより一つの感光装置２５０をジャックアップし、続いて吸着装置により前記感光装置２５０を引き上げ、逐次に前記感光装置２５０をＵＶフィルム３１０から剥離させ前記第２のキャリア基板３２０上に放置する。また、逐次に前記感光装置２５０を前記第２のキャリア基板３２０上に放置する方式は、感光装置２５０の前記第２キャリア基板３２０における位置精度の向上に有利であり、後続プロセスの通常に実施されることにも有利である。

本実施形態では、感光性チップ２００が第２のキャリア基板３２０に仮ボンディングされた後、前記感光性チップ２００の第１のチップボンディングパッド２２０は前記第２のキャリア基板３２０に背向する。

本実施形態では、前記感光装置２５０（図４に示す）が形成されてから、感光性チップ２００が第２キャリア基板３２０に仮ボンディングされることに留意されたい。他の実施形態では、感光性チップが第２キャリア基板に仮ボンディングされた後、フィルタを感光性チップに貼り付けてもよい。

この実施形態は、１つの感光装置２５０のみを示している。他の実施形態では、形成されたレンズモジュールがデュアルカメラまたはアレイモジュール製品に適用されるとき、前記感光装置の数は複数でもよい。

引き続き、図６を参照し、前記第２キャリア基板３２０に機能素子を仮ボンディングする。

前記機能素子は、撮像アセンブリにおける前記感光性チップ２００以外の特定の機能を有する部品であり、前記機能素子は周辺チップ２３０および受動部品２４０の少なくとも一方を含む。

この実施形態では、前記機能素子は、周辺チップ２３０および受動部品２４０を含む。
前記周辺チップ２３０は能動部品であり、後に感光性チップ２００との電気的接続が実現されたら、前記感光性チップ２００に、アナログ電源回路およびデジタル電源回路、電圧バッファ回路、シャッタ回路、シャッタ駆動回路などのような周辺回路を提供するために使用される。

この実施形態では、前記周辺チップ２３０は、デジタルシグナルプロセッサチップおよびメモリチップの一方または両方を含む。他の実施形態では、前記周辺チップは他の機能タイプのチップも含み得る。図示の便宜上、図６には１つの周辺チップ２３０しか示されていないが、前記周辺チップ２３０の数は１つに限定されない。

前記周辺チップ２３０は一般的にシリコンベースのチップであり、集積回路製造技術によって製造され、他のチップまたは部品と電気的に接続するためのボンディングパッドを有する。この実施形態では、前記周辺チップ２３０は第２のチップボンディングパッド２３５を含む。

この実施形態では、前記第１チップボンディングパッド２２０が第２キャリア基板３３０に背向し、後続の電気接続プロセスの困難さを減らすために、前記周辺チップ２３０が第２のキャリア基板３２０に仮ボンディングされた後、前記第２のチップボンディングパッド２３５も第２キャリア基板３２０に背向し、前記第１チップボンディングパッド２２０と第２チップボンディングパッド２３５とを同じ側に位置させるようにする。

前記周辺チップ２３０と感光性チップ２００はいずれも後で形成されたパッケージング層に集積されるので、前記パッケージング層の表面平坦度を上げ、パッケージング層を形成するプロセスの難易度を下げるように、前記周辺チップ２３０と感光性チップ２００は厚さが同じか、前記周辺チップ２３０と感光性チップ２００との間に厚さの差が小さい。また、前記感光性チップ２００の厚さにより、厚さの適合した周辺チップ２３０を形成してもよい。本実施形態では、前記周辺チップ２３０と感光性チップ２００との厚さの差はー２μｍから２μｍである。

前記受動部品２４０は、感光性チップ２００の感光動作において特定の役割を果たすために使用される。前記受動部品２４０は、抵抗器、コンデンサ、インダクタ、ダイオード、トランジスタ、ポテンショメータ、リレー、またはドライバなどの小型の電子部品を含むことができる。図示の便宜上、図６には１つの受動部品２４０しか示されていないが、前記受動部品２４０の数は１つに限定されない。

前記受動部品２４０も他のチップまたは部品と電気的に接続するためのボンディングパッドを有する。この実施形態では、前記受動部品２４０のボンディングパッドは電極２４５である。

前記分析でわかるように、第１チップボンディングパッド２２０が第２キャリア基板３２０に背向する場合に、後続の電気接続プロセスの困難さを減らすために、前記受動部品２４０が第２のキャリア基板３２０に仮ボンディングされた後、前記電極２４５も第２のキャリア基板３２０に背向する。

前記分析でわかるように、後続のパッケージング層の表面平坦度を上げ、パッケージング層を形成するプロセスの難易度を下げるように、感光性チップ２００の厚さにより、厚さの適合した受動部品２４０を形成する。本実施形態では、前記受動部品２４０と感光性チップ２００との厚さの差はー２μｍから２μｍである。

他の実施形態では、感光性チップと機能素子を第２キャリア基板に仮ボンディングしてから、感光性チップのボンディングパッドが第２キャリア基板に背向し、機能素子のボンディングパッドが第２キャリア基板を向く。または、感光性チップと機能素子のボンディングパッドはいずれも第２キャリア基板を向く。

図７を参照し、前記第２キャリア基板３２０にパッケージング層３５０を形成し、前記パッケージング層３５０は少なくとも前記感光性チップ２００と機能素子（図示せず）の間に充填される。

パッケージ層３５０は、感光性チップ２００と機能素子（例えば、周辺チップ２３０、受動素子２４０）に対して固定的な役割を果たし、感光性チップ２００と機能素子との集積パッケージを実現する。

そのうち、前記パッケージ層３５０は、レンズアセンブリ内のホルダーによって占められる空間を減らすことができ、また回路基板（例えばＰＣＢ）を節約することができ、それによって後に形成されるレンズモジュールの全体厚さを著しく減らすことができ、レンズモジュールの小型化と薄型化への要求を満たすことができる。また、機能素子を周辺メインボードに貼り付ける方案と比較して、パッケージ層３５０に感光性チップと機能素子とを集積化することにより、感光性チップ２００と各機能素子との距離を短くすることができ、それ相応に、感光性チップと各機能素子との間の電気的接続距離を短くし、それによって信号伝送速度を上げ、レンズモジュールの使用性能を向上させる（例えば、撮影速度および記憶速度を向上させる）ことに有益である。

本実施形態では、前記パッケージ層３５０は、絶縁、密封および防湿としても機能することができ、レンズモジュールの信頼性を向上させるためにも有益である。

この実施形態では、前記パッケージング層３５０の材料はエポキシ樹脂である。エポキシ樹脂は、低収縮性、優れた接着性、優れた耐食性、優れた電気的性質および低コストという利点を有しているので、電子デバイスおよび集積回路用のパッケージング材料として広く使用されている。

本実施形態では、後続の電気的接続プロセスのために、前記パッケージング層３５０が感光性チップ２００と機能素子のボンディングパッドを露出させる。具体的には、前記パッケージング層３５０は、前記第１のチップボンディングパッド２２０、第２のチップボンディングパッド２３５、および電極２４５を露出させる。

本実施形態では、後でリードワイヤボンディングプロセスにより電気的接続を実現するが、前記第１チップボンディングパッド２２０、第２チップボンディングパッド２３５及び電極２４５がいずれも第２キャリア基板３３０に背向するので、後続のリードワイヤボンディングプロセスの難易度を下げるために、前記パッケージング層３５０を形成する工程では、前記パッケージング層３５０が前記感光性チップ２００と機能素子の間に充填される。

他の実施形態では、実際の電気的接続プロセスの方式に応じ、前記パッケージング層が前記第２キャリア基板、前記機能素子及び前記感光性チップを覆うとともに、前記フィルタを露出させてもよい。

本実施形態では、前記パッケージング層３５０は射出成形（ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｍｏｌｄｉｎｇ）プロセスを使用して形成される。射出成形プロセスは、生産速度が速く、効率が高く、操作が自動化されるという特徴を持ち、射出成形プロセスを採用することにより、生産量を増加させ、プロセスコストを削減することに有益である。また、射出成形プロセスを使用し、適合した金型を作成することにより、前記パッケージング層３５０の厚さと形成区域がプロセスの要求を満たすことができるので、プロセスが簡単になる。

感光性チップ２００と機能素子の間に厚さの差があっても、適合した金型を制作することにより、前記パッケージング層３５０の表面に階段を具備させ、パッケージング層３５０が感光性チップ２００と機能素子のボンディングパッドを露出させるようにする。

本実施形態では、感光性チップ２００と機能素子の間の厚さの差が小さいので、前記パッケージング層３５０を形成するプロセスの難易度を下げることとなる。

具体的には、前記パッケージング層３５０を形成する工程は、感光性チップ２００と機能素子を前記第２のキャリア基板３２０に仮ボンディングし、感光性チップ２００とフィルタ４００との貼り付けが完了したら、前記第２キャリア基板３２０を金型内に配置し、前記金型は上型と下型とを含み、前記上型と下型とのいずれか一つに凹溝が形成され、前記第２キャリア基板３２０を前記上型と下型との間に配置し、型締め後、前記金型を前記感光性チップ２００、周辺チップ２３０、受動部品２４０及び第２キャリア基板３２０の上に押し付けるとともに、前記フィルタ４００を前記凹溝に配置し、前記上型と下型の間にキャビティを形成し、前記キャビティ内にパッケージング材料を注入してパッケージング層３５０を形成し、前記パッケージング層３５０を形成してから、離型処理して、前記パッケージング層３５０と金型とを分離させる。

射出成形の過程で、前記フィルタ４００が前記凹溝に配置されるので、前記パッケージング層３５０が前記フィルタ４００を覆うことないが、型締め後、金型が前記感光性チップ２００、周辺チップ２３０、受動部品２４０の上に押し付けられ、前記パッケージング層３５０が前記感光性チップ２００、周辺チップ２３０及び受動部品２４０の間にのみ充填され、プロセスが簡単である。

他の実施形態では、実際に応じ、前記パッケージング層は他の成形プロセスを使用し形成してもよい。例えば、ある程度の厚さを有するパッケージ層を形成した後、前記パッケージ層をエッチング処理または研削（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）処理して、一部の厚さのパッケージ層を除去することにより、残ったパッケージング層が感光性チップと機能素子のボンディングパッドを露出させるようにする。

電気回路を省略することにより、レンズモジュールの厚さを減らす効果が実現できたことに留意されたい。本実施形態では、感光性チップ２００および周辺チップ２３０を薄くする必要がなく、前記感光性チップ２００および周辺チップ２３０の機械的強度および信頼性が向上し、レンズモジュールの信頼性が向上する。他の実施形態では、前記感光性チップおよび周辺チップの厚さは、プロセス要件に従って適切に薄くすることができるが、機械的強度および信頼性が影響を受けない程度に薄くする量が少ない。

なお、本実施形態では、感光性チップ２００を第２キャリア基板３２０にボンディングした後、前記パッケージ層３５０を形成するが、パッケージに開口部を形成し感光性チップを対応した開口部に配置する技術方案と比較すると、アライメント誤差の問題を回避することができ、システム集積プロセスの複雑さを軽減することができる。

図８を参照し、前記パッケージング方法は、さらに、前記パッケージング層３５０が形成された後、第２剥離処理を行い、前記第２キャリア基板３２０を取り除く（図７に示す）ことを含む。

前記第２キャリア基板３３０が前記パッケージング層３５０の形成のためにプロセスプラットフォームとして提供されたので、前記パッケージング層３５０が形成された後、前記第２キャリア基板３３０を取り除けばよい。

この実施形態では、熱剥離プロセスにより前記第２剥離処理を行い、前記第２キャリア基板３２０および第２仮ボンディング層３２５を順次除去する（図７に示す）。前記第２剥離処理についての詳細説明は、前記第１剥離処理についての説明を参照できるので、ここで省略する。

引き続き図８を参照すると、前記第２剥離処理の後、さらに、前記パッケージング層３５０に対してダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）処理を行うことを含む。

ダイシング処理により、プロセス要件を満たすサイズの単一のカメラアセンブリ２６０が形成されて、後続のレンズアセンブリの組み立てのためのプロセスに準備される。本実施形態では、ダイシング処理はレーザー切断工程を用いて行われる。

なお、本実施形態では、第２剥離工程が先に行われ、その後にダイシング処理が行われることに留意されたい。他の実施形態では、第２剥離処理がダイシング処理の後に実行されてもよく、それに応じて、前記第２キャリア基板はさらに前記ダイシング処理のためにプロセスプラットフォームとして提供されてもよい。

図９を参照し、前記ダイシング処理の後、さらに、リードワイヤボンディングプロセスにより、感光性チップ２００と機能素子（図示せず）のボンディングパッドを電気的に接続するリードワイヤ５００を形成することを含む。

前記リードワイヤ５００は、撮影アセンブリ２６０の電気的集積を実施するために使用される。

本実施形態では、リードワイヤボンディングプロセスにより感光性チップ２００と機能素子の間の電気的接続を実現する。リードワイヤボンディングプロセスは集積回路のパッケージングプロセスでは最もよく使用される回路接続方式で、細い金属ワイヤまたは金属ストリップを、チップとリードフレームまたはパッケージ基板との接合点に順次配置し、回路接続を形成する。リードワイヤボンディングプロセスは現在のパッケージングプロセスとの適合性がよく、コストが低く、リードワイヤボンディングプロセスを採用することにより、パッケージングプロセスへの変更が少ない。

本実施形態では、前記リードワイヤ５００は、金線またはアルミ線のような金属ワイヤである。具体的には、前記リードワイヤ５００は、前記第１のチップボンディングパッド２２０、第２のチップボンディングパッド２３５、および電極２４５を電気的に接続する。

他の実施形態では、前記第２剥離処理の前に、前記リードワイヤボンディングプロセスを実施し、前記第２キャリア基板が前記リードワイヤボンディングプロセスためにプロセスプラットフォームとして提供されてもよい。

前記第１チップボンディングパッド２２０、第２チップボンディングパッド２３５及び電極２４５は前記パッケージング層３５０の同じ側に位置するとともに、前記フィルタ４００を向くので、前記パッケージング層３５０の前記フィルタ４００に近い側に前記リードワイヤボンディングプロセスを実施する。

それに応じ、レンズアセンブリを前記パッケージング層３５０に取り付けてレンズモジュールができると、前記リードワイヤ５００がレンズアセンブリのホルダーに配置され保護されることができるので、レンズモジュールの信頼性が向上し、前記レンズモジュールは電子機器に取り付けやすくなる。

引き続き図９を参照し、前記パッケージング層３５０をダイシング処理してから前記リードワイヤボンディングプロセスを実施する前に、さらに、前記パッケージング層３５０にＦＰＣ基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ、フレキスブル回路基板）５１０を貼り付けることを含む。

前記ＦＰＣ基板５１０は、回路基板が省略される場合に前記撮影アセンブリ２６０と後続のレンズアセンブリとの電気的接続、および後で形成されたレンズモジュールと他の構成要素との間の電気的接続を実現するように構成される。後にレンズモジュールが形成されてから、前記レンズモジュールはまた、前記ＦＰＣ基板５１０を介して電子機器内の他の構成要素に電気的に接続することができ、それによって電子機器の通常の撮影機能を実現する。

本実施形態では、前記ＦＰＣ基板５１０が前記フィルタ４００の一側のパッケージング層３５０に貼り付けられ、前記リードワイヤボンディングプロセスでは、前記リードワイヤ５００が前記感光性チップ２００とＦＰＣ基板５１０とを電気的に接続するように構成され、前記リードワイヤ５００により、前記感光性チップ２００と機能素子（図示せず）とＦＰＣ基板５１０との間の電気的接続を実現する。具体的には、前記リードワイヤ５００は、前記感光性チップ２００の第１チップボンディングパッド２２０とＦＰＣ基板５１０とを電気的に接続する。

なお、前記ＦＰＣ基板５１０には、前記ＦＰＣ基板５１０が他の回路部品と電気的に接続するためのコネクタ（ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ）５２０が形成されている。レンズモジュールが電子機器に適用されると、前記コネクタ５２０が前記電子機器のメインボードに電気的に接続され、それによってレンズモジュールと前記電子機器内の他の構成要素との間の情報伝達が実現される。前記レンズモジュールの画像情報が前記電子機器に送信される。具体的には、前記コネクタ５２０は金指コネクタ（Ｇｏｌｄｆｉｎｇｅｒ ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ）とすることができる。

本実施形態では、前記パッケージング層３５０に前記ＦＰＣ基板５１０を貼り付けてから前記リードワイヤボンディングプロセスを実施し、同じ電気的接続工程で前記感光性チップ２００、機能素子及びＦＰＣ基板５１０の電気的接続を実現できる。他の実施形態では、前記感光性チップと機能素子との電気的接続をしてから前記ＦＰＣ基板を貼り付けると、それに応じ、前記ＦＰＣ基板と感光性チップを電気的に接続するための、更なるリードワイヤボンディングプロセスが必要となる。

図１０～図１１は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法のもう一つの実施形態における各工程に対応する構成見取図である。

本実施形態と第１実施形態との同じ点につき、ここでは省略する。本実施形態と第１実施形態との相違点は、パッケージング層３５０ａを形成してから、前記パッケージング層３５０ａがキャリア基板３２０ａ、感光性チップ２００ａ及び機能素子（図示せず）を覆うとともに、フィルタ４００ａを露出させる。

本実施形態では、前記パッケージング層３５０ａが前記感光性チップ２００ａ及び機能素子を覆うので、感光性チップ２００ａと機能素子との間の厚さの差によるパッケージング層３５０ａの形成プロセスへの影響を軽減することができる。

具体的には、図１０を参照し、キャリア基板３２０ａに感光性チップ２００ａと機能素子（図示せず）を仮ボンディングし、前記感光性チップ２００ａと機能素子のボンディングパッドがいずれも前記キャリア基板３２０ａに背向する。

引き続き図１０を参照し、キャリア基板３２０ａ、感光性チップ２００ａ及び機能素子（図示せず）を覆うとともに、前記フィルタ４００ａの側壁も覆うパッケージング層３５０ａを形成する。

前記感光性チップ２００ａとフィルタ４００ａとの貼り付けが完了し感光装置が形成され、前記パッケージ層３５０ａが前記フィルタ４００ａの側壁を覆うようにすると、感光装置のキャビティのシール性を改善し、前記キャビティ内への水蒸気、酸化性ガスなどの侵入の確率を引き下げ、それによって前記感光性チップ２００ａの性能が保証される。

それに応じ、パッケージング層３５０ａによるフィルタ４００ａへの応力を減らすために、前記パッケージング層３５０を形成する前に、さらに、前記フィルタ４００ａの側壁に応力緩衝層４２０ａを形成することを含む。

この実施形態では、前記応力緩衝層４２０ａの材料はエポキシ系接着剤である。エポキシ系接着剤はエポキシ樹脂系接着剤（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ ａｄｈｅｓｉｖｅ）であり、エポキシ系接着剤は多種多様で、組成を変えることで弾性率の異なる材料を得ることができ、実際の状況に応じて、前記フィルタ４００ａの受けた応力を調整・制御できる。

引き続き図１０を参照すると、前記パッケージング層３５０ａの前記フィルタ４００ａに近い側に再配線（ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ，ＲＤＬ）構造３６０ａが形成され、前記感光性チップ２００ａのボンディングパッドと前記機能素子（図示せず）のボンディングパッドとを電気的に接続する。

本実施形態では、前記パッケージング層３５０ａが前記感光性チップ２００ａと機能素子とを覆い、前記再配線構造３６０ａは、前記パッケージング層３５０ａに配置されるとともに前記感光性チップ２００ａのボンディングパッドと前記機能素子（図示せず）のボンディングパッドとを電気的に接続する導電ピラー３６０ａと、前記パッケージング層３５０ａに配置されるとともに前記導電ピラー３６２ａと接続する相互接続配線３６１ａとを有する。

図１１を参照すると、前記再配線構造３６０ａが形成された後、剥離処理を行い、前記キャリア基板３２０ａを除去する（図１０に示す）。

本実施形態のパッケージング方法の詳細な説明については、前述の実施形態の対応する説明を参照することができ、ここでは省略する。

図１２～図１３は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法のもう一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。

本実施形態と第１実施形態との同じ点につき、ここでは省略する。本実施形態と第１実施形態との相違点は、再配線構造３６０ｂにより感光性チップ２００ｂと機能素子（図示せず）とを電気的に接続する点にある。

図１２を参照し、前記キャリア基板３２０ｂに感光性チップ２００ｂと機能素子とを仮ボンディングしてから、前記感光性チップ２００ｂのボンディングパッドと機能素子のボンディングパッドはいずれも前記キャリア基板３２０ｂとに背向し、キャリア基板３２０ｂにパッケージング層３５０ｂが形成されてから、前記パッケージング層３５０ｂが前記感光性チップ２００ｂと機能素子の間に充填される。

そのため、引き続き図１２を参照し、前記パッケージング層３５０ｂの前記フィルタ４００ｂに近い側に、前記再配線構造３６０ｂを形成する。

本実施形態では、前記再配線構造３６０ｂを形成する工程は、感光性チップ２００ｂのボンディングパッドと機能素子のボンディングパッドにそれぞれ導電性バンプ３６５ｂを形成することと、相互接続配線３６１を前記導電性バンプ３６５ｂにボンディングし、前記相互接続配線３６１ｂと導電性バンプ３６５ｂとにより前記再配線構造３６０ｂが構成されることとを有する。

前記導電性バンプ３６５ｂが前記感光性チップ２００ｂと機能素子の表面より突出することは、各ボンディングパッドと相互接続配線３６１ｂとの電気的接続の信頼性を向上させることに有利である。

本実施形態では、バンプ加工（ｂｕｍｐｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）により前記導電性バンプ３６５ｂが形成されてもよい。

図１３を参照すると、前記再配線構造３６０ｂが形成された後、剥離処理を行い、前記キャリア基板３２０ｂを除去する（図１２に示す）。

本実施形態のパッケージング方法の詳細な説明については、前述の実施形態の対応する説明を参照することができ、ここでは省略する。

図１４～図１６は、本発明の撮影アセンブリのパッケージング方法のさらなる一実施形態における各工程に対応する構成見取図である。

本実施形態と第２実施形態との同じ点につき、ここでは省略する。本実施形態と第２実施形態との相違点は、パッケージング層３５０ｃのフィルタ４００ｃとは反対側の一側に再配線構造３６０ｃを形成することにある。

具体的には、図１４を参照し、第１キャリア基板３２０ｃに感光性チップ２００ｃと機能素子（図示せず）を仮ボンディングし、前記感光性チップ２００ｃのボンディングパッドが前記第１キャリア基板３２０ｃに背向し、前記機能素子のボンディングパッドが第１キャリア基板３２０ｃを向く。

引き続き図１４を参照し、前記キャリア基板３２０ｃに、感光性チップ２００ｃと機能素子（図示せず）を覆うとともに、前記フィルタ４００ｃの側壁も覆うパッケージング層３５０ｃを形成する。

図１５を参照し、前記パッケージング層３５０ｃが形成されてから、剥離処理を行い、前記第１キャリア基板３２０ｃを除去して、前記第１キャリア基板３２０ｃを除去した後、前記パッケージング層３５０ｃの前記感光性チップ２００ｃとは反対側の面を、第２キャリア基板３３０ｃに仮ボンディングする。

引き続き図１５を参照し、前記パッケージング層３５０ｃの前記感光性チップ２００ｃとは反対側の面を、第２キャリア基板３３０ｃに仮ボンディングしてから、前記感光性チップ２００ｃに導電ピラー２８０ｃを形成し、前記導電ピラー２８０ｃが前記感光性チップ２００ｃのボンディングパッドに電気的に接続して、前記パッケージング層３５０の前記第２キャリア基板３３０ｃとは反対側の面に前記機能素子（図示せず）のボンディングパッドと前記導電ピラー２８０ｃとを電気的に接続する相互接続配線３６１ｃを形成して、前記相互接続配線３６１ｃと導電ピラー２８０ｃとにより再配線構造３６０ｃを構成する。

他の実施形態では、第１キャリア基板に感光性チップ２００を仮ボンディングしてから、前記感光性チップのボンディングパッドも第１キャリア基板を向くと、それに応じ、上記導電ピラーを省くこともできる。

図１６を参照すると、前記再配線構造３６０ｃが形成された後、剥離処理を行い、前記第２キャリア基板３２０ｃを除去する（図１５に示す）。

本実施形態のパッケージング方法の詳細な説明については、前述の実施形態の対応する説明を参照することができ、ここでは省略する。

それに対応して、本発明の実施形態はさらに一種の撮影アセンブリを提供する。引き続き図９を参照すると、本発明の撮影アセンブリの一実施形態の構成模式図が示されている。

前記撮影アセンブリ２６０は、パッケージング層３５０及び前記パッケージング層３５０に嵌め込まれた感光装置２５０（図４に示す）と機能素子（図示せず）とを有し、前記感光装置２５０が感光性チップ２００と前記感光性チップ２００に貼り付けられたフィルタ４００を有し、少なくとも、前記パッケージング層３５０の底面が前記感光性チップ２００と機能素子を露出させる。

前記パッケージング層３５０は、感光性チップ２００と機能素子に対して固定的な役割を果たし、感光性チップ２００と機能素子との集積パッケージを実現する。そのうち、パッケージ層３５０は、レンズアセンブリ内のホルダーによって占められる空間を減らし、また回路基板を節約することができ、それによってレンズモジュールの厚さを著しく減らすことができ、レンズモジュールの小型化と薄型化への要求を満たすことができる。

前記パッケージング層３５０の材料はパッケージング材料であり、前記パッケージ層３５０は、絶縁、密封および防湿としても機能することができ、レンズモジュールの信頼性を向上させるためにも有益である。この実施形態では、前記パッケージング層３５０の材料はエポキシ樹脂である。

この実施形態では、前記パッケージング層３５０は対向する上面および底面を含む。また、前記パッケージング層３５０の上面はレンズアセンブリを貼り付けるための面であり、対応的に、前記パッケージング層３５０の底面は前記フィルタ４００から離れた面である。

この実施形態では、撮影アセンブリ２６０のパッケージング過程において、通常、感光性チップ２００および機能素子が一つのキャリア基板に仮ボンディングされた後、前記キャリア基板上に前記パッケージ層３５０が形成される。よって、少なくとも、前記パッケージ層３５０の底面は、前記感光性チップ２００および機能素子を露出させる。

本実施形態では、前記パッケージング層３５０の上部と底面がいずれも前記感光性チップ２００と機能素子を露出させる。他の実施形態では、実際の電気的接続の方式により、前記パッケージング層の底面が前記感光性チップと機能素子を露出させ、前記パッケージング層の上面が前記感光性チップと機能素子より高く前記フィルタを露出させる。

本実施形態では、前記感光性チップ２００と機能素子はいずれもボンディングパッドを有し、前記ボンディングパッドは感光性チップ２００と機能素子との電気的接続を実現するためでありながら、感光性チップ２００と、機能素子とその他の素子との電気的接続を実現するためでもある。そのうち、電気的接続プロセスのために、前記パッケージング層３５０が感光性チップ２００と機能素子のボンディングパッドを露出させる。

この実施形態では、前記感光性チップ２００はＣＭＯＳイメージセンサチップである。他の実施形態では、前記感光性チップはＣＣＤイメージセンサチップでもよい。

図１に示されるように、本実施形態では、前記感光性チップ２００は、感光領域２００Ｃと、前記感光領域２００Ｃを囲む周辺領域２００Ｅとを含み、前記感光性チップ２００はさらに前記感光領域２００Ｃに位置する光信号受信面２０１を有する。

前記感光性チップ２００は一般的にシリコンベースのチップであり、集積回路製造技術によって製造され、前記感光性チップ２００のボンディングパッドが前記感光性チップ２００と他のチップまたは部品と電気的に接続するために使用される。本実施形態では、前記感光性チップ２００は周辺領域２００Ｅに位置した第１チップボンディングパッド２２０を有する。

本実施形態では、前記第１チップボンディングパッド２２０は前記フィルタ４００を向いて、即ち、前記第１チップボンディングパッド２２０は前記パッケージング層３５０の底面に背向する。他の実施形態では、前記第１ボンディングパッドが前記フィルタに背向してもよい。

この実施形態では１つの感光装置２５０のみを示していることに留意されたい。他の実施形態では、前記レンズモジュールがデュアルカメラまたはアレイモジュール製品に適用されるとき、感光装置の数は複数でもよい。

前記フィルタ４００が感光性チップ２００に貼り付けられ、前記フィルタ４００が前記光信号受信面２０１を向き、前記フィルタ４００がパッケージングプロセスによる前記光信号受信面２０１への汚染を防止できる分、前記感光性チップ２００性能への悪影響も避けられ、レンズモジュールの結像品質が向上される。また、貼り付け方式により、レンズモジュールの全体厚さを顕著に減らし、レンズモジュールの小型化、薄型化への要求を満たすことができる。

前記フィルタ４００は、赤外フィルタリングガラスまたは完全透明ガラスでもよい。本実施形態では、前記フィルタ４００は赤外フィルタリングガラスであり、入射光のうちの赤外線が前記感光性チップ２００の性能に与える影響を排除するためにも用いられており、結像効果の向上に有利である。

本実施形態では、前記フィルタ４００は、接着構造４１０を介して感光性チップ２００に貼り付けられ、前記接着構造４１０は前記感光性チップ２００の光信号受信面２０１を囲んでいる。前記接着構造４１０は、フィルタ４００と感光性チップ２００との物理的な接続を実現するために使用され、フィルタ４００と感光性チップ２００との直接接触を避けることにより、前記感光性チップ２００の光学的性能に悪影響を及ぼすことを防止する。

本実施形態では、前記接着構造４１０が前記光信号受信面２０１を取り囲むので、前記光信号受信面２０１の上方のフィルタ４００が前記感光性チップ２００の感光経路に位置したので、前記感光性チップ２００の光学的性能は保証されている。

前記機能素子は、撮像アセンブリにおける前記感光性チップ２００以外の特定の機能を有する部品であり、前記機能素子は周辺チップ２３０および受動部品２４０の少なくとも一方を含む。

この実施形態では、前記機能素子は、周辺チップ２３０および受動部品２４０を含む。

前記周辺チップ２３０は能動部品であり、感光性チップ２００に、アナログ電源回路およびデジタル電源回路、電圧バッファ回路、シャッタ回路、シャッタ駆動回路などのような周辺回路を提供するために使用される。

この実施形態では、前記周辺チップ２３０は、デジタルシグナルプロセッサチップおよびメモリチップの一方または両方を含む。他の実施形態では、周辺チップは他の機能タイプのチップも含み得る。

図示の便宜上、図９には１つの周辺チップ２３０しか示されていないが、前記周辺チップ２３０の数は１つに限定されない。

前記感光性チップ２３０は一般的にシリコンベースのチップであり、集積回路製造技術によって製造され、前記周辺チップ２３０のボンディングパッドが前記周辺チップ２３０と他のチップまたは部品と電気的に接続するために使用される。この実施形態では、前記周辺チップ２３０は第２のチップボンディングパッド２３５を含む。

本実施形態では、前記第２チップボンディングパッド２３５がフィルタ４００を向き、第２チップボンディングパッド２３５と第１チップボンディングパッド２２０とを同じ側に位置させることにより、前記周辺チップ２３０と感光性チップ２００との電気的接続を容易にさせる。それに応じ、前記第２チップボンディングパッド２３５は前記パッケージング層３５０の底面に背向する。

前記受動部品２４０は、感光性チップ２００の感光動作において特定の役割を果たすために使用される。前記受動部品２４０は、抵抗器、コンデンサ、インダクタ、ダイオード、トランジスタ、ポテンショメータ、リレー、またはドライバなどの小型の電子部品を含むことができる。図示の便宜上、図９には１つの受動部品２４０しか示されていないが、受動部品２４０の数は１つに限定されない。

前記受動部品２４０のボンディングパッドは、前記受動部品２４０が他のチップまたは部品と電気的に接続するために使用される。この実施形態では、前記受動部品２４０のボンディングパッドは電極２４５である。

前記分析を踏まえ、前記第１チップボンディングパッド２２０が前記フィルタ４００を向く場合に、前記電極２４５が前記フィルタ４００を向くので、前記受動部品２４０と感光性チップ２００との間の電気的接続が容易に実現される。それに応じ、前記電極２４５も前記パッケージング層３５０の底面に背向する。

そのために、本実施形態では、前記パッケージング層３５０の上面はいずれも、前記第１のチップボンディングパッド２２０、第２のチップボンディングパッド２３５、および電極２４５を露出させる。

本実施形態では、前記感光性チップ２００と機能素子のボンディングパッドがいずれもパッケージング層３５０に背向することに留意されたい。他の実施形態では、実際の電気的接続方式により、前記感光性チップのボンディングパッドが前記パッケージング層の底面に背向し、前記機能素子のボンディングパッドが前記パッケージング層の底面を向いたり、または、前記感光性チップと機能素子のボンディングパッドはいずれもパッケージング層を向いたりする。

前記パッケージング層３５０の上部と底面はいずれも前記感光性チップ２００と機能素子を露出させるので、前記パッケージング層３５０の表面平坦度を上げ、パッケージング層３５０の形成プロセス難易度を下げるために、前記機能素子と感光性チップ２００の厚さは同じか、その厚さの差が小さいことに留意されたい。また、前記感光性チップ２００の厚さにより、前記機能素子の厚さを調整してもよい。本実施形態では、前記機能素子と感光性チップ２００との厚さの差はー２μｍから２μｍである。

具体的には、前記周辺チップ２３０と感光性チップ２００との厚さの差はー２μｍから２μｍで、前記受動部品２４０と感光性チップ２００との厚さの差はー２μｍから２μｍである。

なお、電気回路基板が除去される分、撮影アセンブリ２６０の厚さが薄くなり、前記撮影アセンブリ２６０のパッケージング過程では、前記感光性チップ２００および周辺チップ２３０を薄くする必要がなくなり、従来のレンズモジュールの感光性チップと周辺チップと比べ、本実施形態では、前記感光性チップ２００と周辺チップ２３０の厚さが大きく、感光性チップ２００および周辺チップ２３０の機械的強度および信頼性が向上し、レンズモジュールの信頼性が向上する。他の実施形態では、プロセスの要求に応じ、前記感光性チップおよび周辺チップはリジュース処理を経てもよいが、機械的強度および信頼性が影響を受けない程度にリジュース量が少ない。

本実施形態では、前記撮影アセンブリ２６０がさらに、前記感光性チップ２００と機能素子のボンディングパッドを電気的に接続するリードワイヤ５００を有する。

前記リードワイヤ５００は、レンズモジュール６００の電気的集積を実施するために使用される。本実施形態では、前記リードワイヤ５００がリードワイヤボンディングプロセスにより形成され、前記リードワイヤ５００は、金線またはアルミ線のような金属ワイヤである。具体的には、前記リードワイヤ５００は、前記第１のチップボンディングパッド２２０、第２のチップボンディングパッド２３５、および電極２４５を電気的に接続する。

前記第１チップボンディングパッド２２０、第２チップボンディングパッド２３５及び電極２４５は前記パッケージング層３５０の同じ側に位置するとともに、いずれもパッケージング層３５０の底面に背向するので、前記リードワイヤ５００が前記パッケージング層３５０の上面の一側に位置することに留意されたい。

前記撮影アセンブリ２６０とレンズアセンブリとの取り付けが完了し、レンズモジュールができてから、前記リードワイヤ５００がレンズアセンブリのホルダーに配置され保護されることができるので、レンズモジュールの信頼性が向上し、前記レンズモジュールは電子機器に取り付けやすくなる。

なお、前記撮影アセンブリ２６０がさらに前記パッケージング層３５０に貼り付けられたＦＰＣ基板５１０を含むことに留意されたい。前記ＦＰＣ基板５１０は、回路基板が省略される場合に前記撮影アセンブリ２６０とレンズアセンブリとの間の電気的接続、およびレンズモジュールと他の構成要素との間の電気的接続を実現するように構成される。また、レンズモジュールも前記ＦＰＣ基板５１０を介して電子機器内の他の構成要素に電気的に接続することができ、それによって電子機器の通常の撮影機能を実現する。

そのため、前記リードワイヤ５００がさらに前記感光性チップ２００とＦＰＣ基板５１０とを電気的に接続するように構成され、前記リードワイヤ５００により、前記感光性チップ２００と機能素子とＦＰＣ基板５１０との間の電気的接続を実現する。具体的には、前記リードワイヤ５００は、前記第１チップボンディングパッド２２０とＦＰＣ基板５１０とを電気的に接続する。

本実施形態では、、ＦＰＣ基板５１０にはコネクタ５２０が設けられている。レンズモジュールが電子機器に適用されると、前記コネクタ５２０が前記電子機器のメインボードに電気的に接続され、それによってレンズモジュールと電子機器内の他の構成要素との間の情報伝達が実現される。前記レンズモジュールの画像情報が前記電子機器に送信される。具体的には、前記コネクタ５２０は金指コネクタ（Ｇｏｌｄｆｉｎｇｅｒ ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ）とすることができる。

図１１は本発明の撮影アセンブリのもう一つの実施形態の構成見取図である。

本実施形態と第１実施形態との同じ点につき、ここでは省略する。本実施形態と第１実施形態との相違点は、前記パッケージング層３５０ａの底面が前記感光性チップ２００ａと機能素子（図示せず）を露出させ、前記パッケージング層３５０ａの上面が前記感光性チップ２００ａと機能素子より高く、前記フィルタ４００ａを露出させる。

前記感光性チップ２００ａとフィルタ４００ａとの貼り付けが完了し感光装置が形成されて、本実施形態では、前記パッケージ層３５０ａが前記フィルタ４００ａの側壁を覆うようにすると、感光装置のキャビティのシール性を改善し、前記キャビティ内への水蒸気、酸化性ガスなどの侵入の確率を引き下げ、それによって感光性チップ２００ａの性能が保証される。

それに応じ、パッケージング層３５０ａによるフィルタ４００ａへの応力を減らすために、前記撮影アセンブリは、さらに、前記フィルタ４００ａの側壁に配置された応力緩衝層４２０ａとパッケージング層３５０ａを含む。

この実施形態では、前記応力緩衝層４２０ａの材料はエポキシ系接着剤である。

本実施形態では、前記パッケージング層３５０ａが感光性チップ２００ａと機能素子とを覆うので、前記再配線構造３６０ａにより、感光性チップ２００ａのボンディングパッドと機能素子（図示せず）のボンディングパッドとを電気的に接続し、前記再配線構造３６０が前記パッケージング層３５０ａの前記フィルタ４００ａに近い側に配置される。

具体的には、前記再配線構造３６０ａは、前記パッケージング層３５０ａに配置されるとともに前記感光性チップ２００ａのボンディングパッドと前記機能素子（図示せず）のボンディングパッドとを電気的に接続する導電ピラー３６２ａと、前記パッケージング層３５０ａに配置されるとともに前記導電ピラー３６２ａと接続する相互接続配線３６１ａとを有する。

本実施形態の前記撮影アセンブリの詳細な説明については、前述の実施形態の対応する説明を参照することができ、ここでは省略する。

図１３は本発明の撮影アセンブリの更なる一つの実施形態の構成見取図である。

本実施形態と前記実施形態との同じ点につき、ここでは省略する。本実施形態と第１実施形態との相違点は、前記撮影アセンブリが感光性チップ２００ｂと機能素子（図示せず）とを電気的に接続するための再配線構造３６０ｂを有する点にある。

本実施形態では、前記パッケージング層３５０ｂの上部と底面がいずれも前記感光性チップ２００ｂと機能素子を露出させ、前記感光性チップ２００ｂのボンディングパッドと機能素子のボンディングパッドはいずれも前記パッケージング層３５０ｂの底面に背向する。そのために、前記再配線構造３６０ｂが前記パッケージング層３５０ｂの上面の一側に位置する。

具体的には、前記再配線構造３６０ｂは、前記感光性チップ２００ｂのボンディングパッドと機能素子のボンディングパッドにそれぞれ配置された導電性バンプ３６５ｂと、前記導電性バンプ３６５ｂに配置された相互接続配線３６１ｂとを有し、前記相互接続配線３６１ｂと導電性バンプ３６５ｂとにより前記再配線構造３６０ｂが構成される。

導電性バンプ３６５ｂが感光性チップ２００ｂと機能素子の表面より突出することは、各ボンディングパッドと相互接続配線３６１ｂとの電気的接続の信頼性を向上させることに有利である。本実施形態では、前記導電性バンプ３６５はボールバンプである。

本実施形態の前記撮影アセンブリの詳細な説明については、前述の実施形態の対応する説明を参照することができ、ここでは省略する。

図１６は本発明の撮影アセンブリの更なる一つの実施形態の構成見取図である。

本実施形態と第２実施形態との同じ点につき、ここでは省略する。本実施形態と第２実施形態との相違点は、再配線構造３６０ｃがパッケージング層３５０ｃの底面の一側に位置することにある。

本実施形態では、前記パッケージング層３５０ｃの底面が前記感光性チップ２００ｃと機能素子（図示せず）を露出させ、前記パッケージング層３５０ｃの上面が前記感光性チップ２００ｃと機能素子より高く、フィルタ４００ｃの側壁を覆い、前記感光性チップ２００ｃのボンディングパッドが前記パッケージング層３５０ｃの底面に背向し、前記機能素子のボンディングパッドが前記パッケージング層３５０ｃの底面を向く。

それに応じ、前記再配線構造３６０ｃが、前記感光性チップ２００ｃに配置され、前記感光性チップ２００ｃのボンディングパッドに電気的に接続する導電ピラー２８０ｃと、前記パッケージング層３５０ｃ底面に配置され、前記機能素子のボンディングパッドと前記導電ピラー２８０ｃとを電気的に接続する相互接続配線３６１ｃとを有し、前記相互接続配線３６１ｃと導電ピラー２８０ｃとにより再配線構造３６０ｃを構成する。

他の実施形態では、前記感光性チップのボンディングパッドも前記パッケージング層の底面を向くと、前記再配線構造が前記導電ピラーを有しなくともよい。

本実施形態の撮影アセンブリの詳細な説明については、前述の実施形態の対応する説明を参照することができ、ここでは省略する。

それに対応して、本発明の実施形態はさらに一種のレンズモジュールを提供する。図１７を参照すると、本発明のレンズモジュールの一実施形態の構成見取図が示される。

前記レンズモジュール６００が、本発明の実施形態に記載の撮影アセンブリ（図１７の点線に囲まれる）と、前記パッケージング層（図示せず）の正面に貼り付けられ且つ前記感光装置（図示せず）と機能素子（図示せず）を取り囲むホルダー５３５を有し、前記感光性チップ（図示せず）と機能素子とを電気的に接続するレンズアセンブリ５３０とを、有する。

前記レンズアセンブリ５３０は一般に、ホルダー５３５と、前記ホルダー５３５に取り付けられたモータ（図示せず）と、前記モーターに取り付けられたレンズ群（図示せず）とを有し、前記ホルダー５３５により前記レンズアセンブリ５３０と前記撮影アセンブリの取り付けを容易に実現できるとともに、レンズ群が感光装置の感光経路上に位置するようにする。

この実施形態では、前記撮影アセンブリの厚さが薄いことに加え、前記パッケージング層によって前記レンズアセンブリ５３０の厚さも減少し、それによって前記レンズモジュール６００の全体の厚さが減少することとなる。

また、周辺チップを周辺メインボードに貼り付ける方案と比べ、前記感光装置と機能素子とはいずれも前記ホルダー５３５の内部に配置され、感光性チップと各機能素子の間の距離を短縮させる分、レンズモジュール６００の寸法を縮小させ、感光性チップと各機能素子の間の電気的接続する距離を短縮させ、信号伝送速度を向上させ、レンズモジュール６００の使用機能（例えば、撮影速度と記憶速度の向上）を向上させる。

本実施形態では、前記撮影アセンブリがさらにＦＰＣ基板を有し、前記撮影アセンブリ５３０のモーターが前記ＦＰＣ基板と電気的に接続することにより、前記撮影アセンブリと前記レンズモジュール５３０との電気的接続を実現する。

本実施形態の前記撮影アセンブリの詳細な説明については、前述の実施形態の対応する説明を参照することができ、ここでは省略することに留意されたい。

それに対応して、本発明の実施形態はさらに一種の電子機器を提供する。図１８を参照すると、本発明の電子機器の一実施形態の構成見取図が示される。

本実施形態では、前記電子機器７００が本発明の実施形態に記載の前記レンズモジュール６００を含む。

前記レンズモジュール６００の信頼性と性能が高いことに応じ、前記電子機器７００の撮影品質、撮影速度及び記憶速度が向上される。

さらに、レンズモジュール６００の全体厚さは薄いので、ユーザの使い心地をよくさせることに有利である。

具体的には、前記電子機器７００は、携帯電話、タブレットＰＣ、カメラ又はビデオカメラなどの撮影機能を有する各種装置でもよい。

以上、本発明を開示したが、本発明はこれらに限定されるものではない。当業者であれば、本発明の主旨および範囲から逸脱することない限り、あらゆる変更および修正を加えることができ、本発明に保護される範囲は、特許請求の範囲によって規定される範囲によって確定される。

Claims (23)

1. 撮像アセンブリのパッケージング方法であって、
   感光性チップを提供する工程と、
   前記感光性チップにフィルタを貼り付ける工程と、
   キャリア基板を提供し、前記キャリア基板に前記感光性チップと機能素子とを仮ボンディングする工程と、
   前記感光性チップと前記機能素子との間に充填される封止層を前記キャリア基板に形成し、前記封止層の厚みが前記感光性チップ及び前記機能素子のうち厚みの大きい方以下である工程と、
   前記キャリア基板を除去する工程と、を有し、
   各工程を有する前記撮像アセンブリのパッケージング方法によって製造された前記撮像アセンブリの前記封止層の底面において、前記感光性チップと前記機能素子を外部へ露出することを特徴とする、パッケージング方法。
2. 請求項１に記載のパッケージング方法であって、
   前記感光性チップと前記機能素子とはいずれもボンディングパッドを有し、
   前記仮ボンディング工程では、前記ボンディングパッドがいずれも前記キャリア基板の反対側に向き、
   または、前記感光性チップのボンディングパッドが前記キャリア基板の反対側に向き、前記機能素子のボンディングパッドが前記キャリア基板を向き、
   または、前記ボンディングパッドがいずれも前記キャリア基板に向かう
   ことを特徴とする、パッケージング方法。
3. 請求項１に記載のパッケージング方法であって、
   前記封止層を形成する工程では、前記封止層が前記感光性チップと前記機能素子の間に充填され、
   または、前記封止層が前記キャリア基板、前記機能素子及び前記感光性チップを覆うとともに、前記フィルタを露出させる
   ことを特徴とする、パッケージング方法。
4. 請求項１に記載のパッケージング方法であって、
   前記感光性チップと前記機能素子とはいずれもボンディングパッドを有し、
   前記封止層を形成する工程では、前記封止層が前記ボンディングパッドを露出させ、
   前記封止層を形成した後、さらに、リードワイヤボンディングプロセスにより、前記ボンディングパッドに電気的に接続されたリードワイヤを形成することを含む
   ことを特徴とする、パッケージング方法。
5. 請求項４に記載のパッケージング方法であって、
   前記仮ボンディング工程では、前記ボンディングパッドがいずれも前記キャリア基板の反対側に向き、
   前記封止層を形成する工程では、前記封止層が前記感光性チップと前記機能素子の間に充填され、
   前記封止層の前記フィルタに近い方の側に、前記リードワイヤボンディングプロセスを実施する
   ことを特徴とする、パッケージング方法。
6. 請求項１に記載のパッケージング方法であって、
   射出成形プロセスにより前記封止層を形成することを特徴とする、パッケージング方法。
7. 請求項６に記載のパッケージング方法であって、前記封止層を形成する工程が、
   前記仮ボンディング工程の後、前記キャリア基板を上型と下型とを有する金型内に置き、前記上型と前記下型のいずれか一方に凹溝が形成され、
   前記キャリア基板を前記上型と前記下型との間に置き、
   型締め後、前記金型を前記感光性チップ、前記機能素子及び前記キャリア基板にプレスするとともに、前記フィルタを前記凹溝内に置き、前記上型と前記下型の間においてキャビティを形成させ、
   前記キャビティ内に封止材を注入して前記封止層を形成し、
   前記金型を取り除くことを含む
   ことを特徴とする、パッケージング方法。
8. 請求項１に記載のパッケージング方法であって、
   前記パッケージング方法は、さらに、前記封止層を形成した後、剥離処理を行い、前記キャリア基板を取り除く工程を有することを特徴とする、パッケージング方法。
9. 請求項４に記載のパッケージング方法であって、
   前記リードワイヤボンディングプロセスの後、さらに、剥離処理を行い、前記キャリア基板を取り除く、
   または、
   前記封止層を形成した後、前記リードワイヤボンディングプロセスの前に、さらに、剥離処理を行い、前記キャリア基板を取り除くことを含む
   ことを特徴とする、パッケージング方法。
10. 請求項４に記載のパッケージング方法であって、
    前記パッケージング方法は、さらに、
    前記リードワイヤボンディングプロセスの前に、前記封止層にＦＰＣ基板を貼り付け、
    前記リードワイヤボンディングプロセスの工程では、前記リードワイヤが前記感光性チップとＦＰＣ基板とを電気的に接続することを含む、
    ことを特徴とする、パッケージング方法。
11. 請求項１に記載のパッケージング方法であって、
    前記機能素子と前記感光性チップの間の厚さの差が－２μｍから２μｍであることを特徴とする、パッケージング方法。
12. 請求項１に記載のパッケージング方法であって、
    前記感光性チップと機能素子は、仮ボンディング層により前記キャリア基板に仮ボンディングされることを特徴とする、パッケージング方法。
13. 請求項８に記載のパッケージング方法であって、
    熱剥離プロセスにより前記剥離処理を行うことを特徴とする、パッケージング方法。
14. 撮像アセンブリであって、
    封止層、及び前記封止層に嵌め込まれる感光ユニットと機能素子を備え、
    前記感光ユニットが感光性チップと前記感光性チップに貼り付けられたフィルタを有し、
    前記感光性チップと前記機能素子とが同一平面上に位置し、前記封止層の厚みが前記感光性チップ及び前記機能素子のうち厚みの大きい方以下であり、前記封止層の底面において前記感光性チップと前記機能素子を外部へ露出させることを特徴とする撮像アセンブリ。
15. 請求項１４に記載の撮像アセンブリであって、
    前記感光性チップと前記機能素子とはいずれもボンディングパッドを有し、
    前記ボンディングパッドがいずれも前記封止層の底面の反対側に向き、
    または、前記感光性チップのボンディングパッドが前記封止層の底面の反対側に向き、前記機能素子のボンディングパッドが前記封止層の底面を向き、
    または、前記ボンディングパッドがいずれも前記封止層の底面を向く
    ことを特徴とする撮像アセンブリ。
16. 請求項１４に記載の撮像アセンブリであって、
    前記封止層の上面と底面がいずれも前記感光性チップと前記機能素子を露出させ、
    または、前記封止層の底面が前記感光性チップと前記機能素子を露出させ、前記封止層の上面が前記感光性チップと前記機能素子より高く且つ前記フィルタを露出させる
    ことを特徴とする撮像アセンブリ。
17. 請求項１４に記載の撮像アセンブリであって、
    前記感光性チップと前記機能素子とはいずれもボンディングパッドを有し、
    前記封止層が前記ボンディングパッドを露出させ、
    前記撮像アセンブリがさらに、前記ボンディングパッドに電気的に接続するリードワイヤを有することを特徴とする撮像アセンブリ。
18. 請求項１７に記載の撮像アセンブリであって、
    前記ボンディングパッドがいずれも前記封止層の底面の反対側に向き、
    前記封止層の上面と底面がいずれも前記感光性チップと前記機能素子を露出させ、
    前記リードワイヤが前記封止層の上面の一方側に位置する
    ことを特徴とする撮像アセンブリ。
19. 請求項１４に記載の撮像アセンブリであって、
    前記機能素子と感光性チップの間の厚さの差が－２μｍから２μｍであることを特徴とする撮像アセンブリ。
20. 請求項１４に記載の撮像アセンブリであって、
    前記機能素子が周辺チップと受動部品のうちの少なくとも一方を含み、前記周辺チップがデジタルシグナルプロセッサチップとメモリチップのうちの一方または両方を含むことを特徴とする撮像アセンブリ。
21. 請求項１７に記載の撮像アセンブリであって、
    前記撮像アセンブリは、さらに、前記封止層に貼り付けられたＦＰＣ基板を有し、
    前記リードワイヤが前記感光性チップとＦＰＣ基板とを電気的に接続する
    ことを特徴とする撮像アセンブリ。
22. 請求項１４から２１のいずれか一項に記載の撮像アセンブリと、
    前記封止層の上面に貼り付けられ且つ前記感光ユニットと前記機能素子を取り囲むホルダーを有し、前記感光性チップ及び前記機能素子に電気的に接続するレンズアセンブリとを、
    有することを特徴とするレンズモジュール。
23. 請求項２２に記載のレンズモジュールを有する、ことを特徴とする電子機器。

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