JP2011003828A - 光半導体装置、及びそれを用いた光ピックアップ装置、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】中空領域を備えたＣＳＰの検査において、検査用プローブの荷重で半導体基板が破壊しない高信頼性で小型の光半導体装置、及びこれを用いた光ピックアップ装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】光半導体装置１００は、半導体基板１０１、ガラス１０２、接着層１０３、補強用接着層１０４、及びバンプ１０６で構成されている。半導体基板１０１とガラス１０２とは、半導体基板１０１の周辺部で接着層１０３により接着され、半導体基板１０１とガラス１０２と接着層１０３で囲まれた部分に中空領域１０５が形成さる。この中空領域１０５には、半導体基板１０１の裏面で等間隔に配置されたバンプ１０６のそれぞれと対応する位置に補強用接着層１０４が形成される。補強用接着層１０４により検査用プローブ２００の荷重に対しても耐えうる強度を半導体基板１０１に持たせる。
【選択図】図１

Description

本発明は、チップサイズパッケージを用いた光半導体装置に関し、詳しくは、検査時にバンプ部分に加わる物理的応力を緩和して応力破壊を低減する光半導体装置、及びこのような光半導体装置を用いた光ピックアップ装置、並びに電子機器に関するものである。

近年、半導体集積回路装置の高集積化、高機能化に伴って、回路の大規模化が進み、半導体チップの大型化、ひいては半導体パッケージの大型化に繋がっている。一方で、電子機器は益々小型化が進んでいるため、電子機器に対する半導体パッケージの大きさが課題となってきている。

光ピックアップ装置用の受光増幅回路は、レーザ光をＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、更にはＢＤ（Blu-ray Disc）の光ディスク媒体へ照射することによって発生する反射光を複数の受光素子で受光し、光電流を電圧に変換して出力する数チャンネルのアンプから構成されている。

また、ＣＤには赤外レーザ素子、ＤＶＤには赤色レーザ素子、ＢＤには青紫レーザ素子が光源として使用されている。近年では赤外と赤色の２つの波長のレーザ素子をモノリシックに形成したモノリシック２波長レーザ素子が普及している。このようなモノリシック２波長レーザ素子では、各々の発光位置が決められた間隔で配置され、光軸が２系統になるため、受光側もそれぞれの波長に対応する専用の受光素子及び増幅回路を同一半導体基板上に形成する必要があり、アンプのチャンネル数は増加している。さらに、ＢＤの対応も必要のため、アンプのチャンネル数は益々多くなり、半導体チップは大きくなり、これをモールドするパッケージはこれまでの大きさでは許容できなくなってきた。また特に、ＢＤ対応の場合、使用波長が化学変化を起こさせやすい４０５ｎｍ近辺の青紫光のため、パッケージ内部に使用する部材についても十分な注意が必要となってきている。

そのため近年では、パッケージサイズを小さくする構造として、特許文献１のようなチップサイズパッケージ（以下、ＣＳＰと略称する）が提案されている。図５を用いてＣＳＰの構造について説明する。

図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、光半導体装置１は、平面視が矩形の半導体基板１１を備える。半導体基板１１は、例えばシリコンを用いてなる平板であり、半導体基板１１の一面には、複数の受光素子を配置する受光領域１７が形成されている。

ここで、半導体基板１１に関し、受光領域１７が形成された一面を半導体基板１１の表面とし、受光領域１７が形成されていない他面を半導体基板１１の裏面とする。半導体基板１１は、各々が半導体基板１１の表面及び裏面を貫通する複数の貫通電極１９を備える。貫通電極１９は、互いに適当な間隔をおいて設けられるとともに、適当な間隔をおいて受光領域１７を囲むように配置されている。貫通電極１９の個数及び配置は、受光領域１７（受光素子）に対する配線の必要性に応じて設定されている。

また、光半導体装置１の上には、平面視の寸法が半導体基板１１の寸法に略等しい矩形平板状のガラス１２（光透過性部材）が形成されている。半導体基板１１及びガラス１２は、スペーサー層１４と接着層１３を介して接合されている。接着剤はレーザ光が長時間照射することによって変質し、例えば光透過率が低下するという現象が発生するため、スペーサー層１４と接着層１３からなる封止材料部は、レーザ光が封止材料に照射しないように、ガラス１２と受光領域１７との間に設けられている。

また、半導体基板１１の裏面には、貫通電極１９に各々接続されるバンプ１６が配置されており、バンプ１６の配列により受光領域１７が形成された半導体基板１１の裏面直下にもバンプ１６が配置されている。

特開２００６−２２８８３７号公報

ところで、ＣＳＰ構造の光半導体装置１の電気的特性を検査する場合、半導体基板１１の裏面に配置された全てのバンプ１６に同時に検査用プローブ（図示せず）を押し当てて、バンプ１６と検査用プローブとの電気的コンタクトを取るため、検査用プローブの荷重が各バンプ１６に加わる。このとき図５に示すように、半導体基板１１の中空領域１５を設けた領域の裏面に配置されたバンプ１６ａに検査用プローブの荷重が加わると、この荷重は半導体基板１１にも加わるが、半導体基板１１の表面側には半導体基板１１を支持する封止材料部（接着層１３，スペーサー層１４）がないため、半導体基板１１のみで検査用プローブの荷重を吸収することとなる。

その結果、半導体基板１１は検査用プローブの荷重に耐えきれず、半導体基板１１のバンプ１６ａの周辺にクラックが発生し、最悪の場合は半導体基板１１が破壊する。また、バンプ端子のように基板表面から突出した端子でなくても、プローブを使用する検査においては、プローブ荷重によって基板が破壊することは発生しうる。

一方、半導体基板１１の表面に形成された受光領域１７とガラス１２との間は、前述のとおり、光の透過率を劣化させないために封止材料部を形成していないが、受光領域１７の周辺に形成された信号処理回路部（図示せず）とガラス１２との間に封止材料部を形成した場合、封止材料部による応力により信号処理回路部の特性が変化するため、信号処理回路部上にも封止材料部を形成することは避けるべきである。したがって、封止材料部（接着層１３，スペーサー層１４）は半導体基板１１の周辺部のみに形成されるため、半導体基板１１の中心付近は検査用プローブの荷重に対しては更に弱くなる。

今後、ＣＳＰの更なる小型化を図るにはＣＳＰ構造における厚みを薄くするため、小型・薄型化と堅牢性とを実現するＣＳＰ構造が必要となる。

そこで、本発明は、前記の課題に鑑み、ＣＳＰの検査において、検査用プローブの荷重で半導体基板が破壊しない信頼性の高い光半導体装置、及びこれを用いた光ピックアップ装置、並びに電子機器を提供することを目的とする。

前記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１の光半導体装置は、第１の主面上に能動素子が形成された半導体基板と、前記第１の主面上に前記能動素子と対向するように間隔をおいて設けられた光透過性部材と、前記半導体基板上で前記能動素子と前記光透過性部材との間に形成された中空領域と、前記半導体基板の他の主面に複数の電極端子とを備えた光半導体装置であって、前記中空領域は、前記半導体基板上の周辺部に形成された封止部と、該封止部で囲まれた前記中空領域内に少なくとも１箇所以上形成された緩衝部とを備えている。

この構成によれば、半導体基板の周辺部だけでなく、中空領域においても検査用プローブの荷重を分散できる緩衝部を配置しているため、半導体基板の検査用プローブの荷重による破壊は低減できる。

また、請求項２，３に記載のように、前記半導体基板の第１の主面上における前記封止部の設置領域には、能動素子及び受動素子を形成しないこと、更に、前記半導体基板の第１の主面上における前記緩衝部の設置領域には、能動素子及び受動素子を形成しないことが好ましい。

この構成によれば、封止部及び緩衝部の応力による信号処理回路の特性変化を低減できる。

また、請求項４に記載のように、前記緩衝部は、前記中空領域内に等間隔に配置されていることが好ましい。

この構成によれば、半導体基板における検査用プローブの荷重を均等に分散させることができ、半導体基板の検査用プローブの荷重による破壊を更に低減できる。

また、請求項５に記載のように、前記緩衝部は、前記半導体基板の他の主面上に配置された少なくとも１つ以上の電極端子に対向する前記半導体基板の第１の主面上の位置に形成されていることが好ましい。

この構成によれば、検査用プローブの荷重を直接受ける半導体基板上の位置に緩衝部を配置するため、半導体基板の検査用プローブの荷重による破壊を更に低減できる。

また、請求項６に記載のように、前記半導体基板の第１の主面上における前記緩衝部の設置面積は、該緩衝部のそれぞれに対応する電極端子の前記半導体基板の他の主面に接する面積より大きいことが好ましい。

この構成によれば、マスク位置合わせずれにより緩衝部の位置がそれぞれに対応する電極端子位置と多少ずれていたとしても、緩衝部の設置領域内直下に電極端子が配置されるため、半導体基板の検査用プローブの荷重による破壊を低減できる。

また、請求項７に記載のように、前記半導体基板上に形成された能動素子のうち、少なくとも１つは入射光量に応じて光電流を出力する受光素子であって、該受光素子が形成された位置に対して前記半導体基板を介した直下には電極端子を形成しないことが好ましい。

この構造によれば、受光素子と光透過性部材との間に緩衝部を配置しないため、受光素子領域は検査用プローブの荷重を低減できないが、受光素子の直下に電極端子が配置されていなければ、検査用プローブの荷重を直接受けることはなく、半導体基板の検査用プローブの荷重による破壊を低減できる。

また、請求項８に記載のように、前記封止部は接着層からなることが好ましい。

この構成によれば、半導体基板と光透過性部材を接着層で貼り合わせることができ、空間領域へのダストの侵入も防止することができる。

また、請求項９に記載のように、前記封止部は支持体の上下に接着層を有する構成であることが好ましい。

この構成によれば、半導体基板と光透過性部材との配置間隔を一定に保つことができる。

また、請求項１０に記載のように、前記緩衝部は接着層からなることが好ましい。

この構成によれば、封止部と同一の製造工程で形成することができるため、工程の簡略化、及び低コスト化が図れる。

また、請求項１１に記載のように、前記緩衝部は支持体の上下に接着層を有する構成であることが好ましい。

この構成によれば、封止部と同一の製造工程で形成することができ、また、半導体基板と光透過性部材との配置間隔を一定に保つことができる。

また、本発明の請求項１２の光ピックアップ装置は、請求項１〜１１の何れか１項に記載の光半導体装置を備えている。

この構成によれば、前述した光半導体装置を備えていることから、光ピックアップ装置の高信頼性化、及び小型化が可能となる。

また、本発明の請求項１３の電子機器は、請求項１〜１１の何れか１項に記載の光半導体装置を備えている。

この構成によれば、前述した光半導体装置を備えていることから、電子機器の高信頼性化、及び小型化が可能となる。

本発明によれば、ＣＳＰの検査において、検査用プローブの荷重により半導体基板が破壊しない高信頼性で小型の光半導体装置、及びこれを用いた光ピックアップ装置、並びに電子機器を提供することができるという効果を奏する。

本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す断面図 本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す平面図 本発明の第２の実施形態に係る光半導体装置の構成を示す平面図 本発明の第３の実施形態に係る光ピックアップ装置の構成を示す図 従来の光半導体装置の構成を示す（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図

以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。

（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態における光半導体装置及び光半導体装置の検査時に用いる検査用プローブを示す断面図である。また、図２は本第１の実施形態の光半導体装置を示す平面図である。

図１に示すように光半導体装置１００は、半導体基板１０１、ガラス（光透過性部材）１０２、封止部として接着層１０３、緩衝部として補強用接着層１０４、及び電極端子のバンプ１０６で構成されている。

半導体基板１０１の表面（第１の主面）には受光領域１０７、信号処理回路１０８が形成されており、受光領域１０７の中に光信号を受光し、光電流を発生する複数の受光素子１０７ａが配置されている。半導体基板１０１とガラス１０２とは、半導体基板１０１の周辺部で接着層１０３により接着されており、半導体基板１０１とガラス１０２と接着層１０３で囲まれた部分は中空領域１０５が形成されている。

受光領域１０７の上に接着層１０３を接着すると、接着層１０３の光特性により光の透過率が低減するか、あるいは、波長が４０５ｎｍ近辺の青紫レーザ光を照射すると、特に接着層１０３の物性が変化し、変色や変形を起こすため、受光領域１０７の上には接着層１０３を形成することは望ましくない。

また、信号処理回路１０８の上に接着層１０３を接着すると、接着層１０３の硬化による応力で、受動素子である抵抗や容量の値がシフトし、能動素子であるトランジスタやダイオードの特性がシフトするため、信号処理回路１０８の上にも接着層１０３を形成することは望ましくない。したがって、これらの特性劣化を防止するため、受光領域１０７及び信号処理回路１０８の上には接着層１０３を接着せず、中空領域１０５としている。

また、この中空領域１０５には等間隔に配置されたバンプ１０６のそれぞれ対応する位置に補強用接着層１０４が形成されており、補強用接着層１０４の半導体基板１０１との接着面積は、バンプ１０６の半導体基板１０１との接合面積より大きい。すなわち、半導体基板１０１の裏面（他の主面）に配置されているバンプ１０６の位置が半導体基板１０１の表面の中空領域１０５の範囲内にある場合、バンプ１０６の位置と同じ位置の半導体基板１０１表面に補強用接着層１０４を形成する。

中空領域１０５を備えたＣＳＰ構造の光半導体装置１００を検査する場合、光半導体装置１００の裏面に配置されたバンプ１０６に検査用プローブ２００を押し当てて、バンプ１０６と検査用プローブ２００との電気的コンタクトを取るため、バンプ１０６には検査用プローブ２００の荷重（例えば、１プローブ当たり５０ｇ）が加わる。

図２において、中空領域１０５の中にはバンプ１０６が８個あるため、中空領域１０５における半導体基板１０１にはトータルで、５０ｇ×８個＝４００ｇの荷重が加わることとなる。この４００ｇの荷重が加わった中空領域１０５は、半導体基板１０１の周辺部に形成された接着層１０３のみで支持されていた場合、半導体基板１０１は強度不足でクラックが発生するか、最悪の場合は破壊する。検査用プローブ２００の荷重による破壊を防止するため、８個のバンプ１０６の直上に半導体基板１０１を支持するための補強用接着層１０４を形成している。

この補強用接着層１０４により、検査用プローブ２００の荷重に対しても耐えうる強度を半導体基板１０１に持たせることができる。また、マスク合わせずれによって、バンプ１０６の位置に対して補強用接着層１０４の位置がバンプ１０６の直上からずれた場合でも半導体基板１０１の強度を確保するため、補強用接着層１０４の大きさはバンプ１０６の大きさより大きく設定することが望ましい。

なお、本第１の実施形態では封止部及び緩衝部に、それぞれ接着層及び補強用接着層を使用したが、例えば絶縁体であるセラミックを支持体とし、上下に接着層を有する構造体を使用しても、同様の効果を奏することができる。また、ＣＳＰ裏面端子として、基板から突出したバンプについて説明したが、単なる平坦な端子の場合でも、プローブ検査における基板破壊防止の観点からは、同様の効果を奏することができる。

また、前述したように光の透過率が低減したり、特に波長が４０５ｎｍ近辺の青紫レーザ光を照射すると、物性が変化し変色や変形を起こしたりするため、受光領域１０７の上には、補強用接着層１０４を形成することができない。したがって、検査用プローブ２００の荷重に対する半導体基板１０１の強度を確保するためには、受光領域１０７の直下にはバンプ１０６ａを配置しないことが望ましい。

（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る光半導体装置を示す平面図である。第１の実施形態と比べ、緩衝部の配置、及びそれに伴う信号処理回路１０８の配置の点が異なる。また更に、本第２の実施形態では緩衝部として、基板上にめっきもしくは蒸着で形成した金属層を使用している。金属層の厚みは封止部に使用する接着層の厚み以下としている。緩衝部設置の目的は、前述のように検査プローブの荷重を分散させることにあるため、半導体基板に対向するガラスと接着している必要はなく、荷重によって発生する半導体基板の変形が抑制されるのであれば問題ない。

金属層である金めっき層１０９は、中空領域１０５において補助線１１０で示す対角線上で、中空領域１０５の中心から放射状に同一距離で、検査用プローブの総荷重が均等に分散される位置に４箇所形成されている。

図１に示す中空領域１０５における検査用プローブ２００の荷重に対して半導体基板１０１の強度を確保するためには、検査用プローブ２００の総荷重が均等に分散されればよいからである。

また、緩衝部を金めっき層１０９として説明したが、荷重によって発生する半導体基板の変形が抑制されるのであれば、金めっき層１０９に限定されずどのような材質のものであってもよい。例えば、セラミックやガラスであっても本発明の目的は達成される。

また、この構成であれば、バンプ１０６の数や位置によらず金めっき層１０９を配置でき、信号処理回路１０８の領域を有効に使用できるため、回路レイアウトの自由度も向上し、チップサイズの小型化、ひいてはパッケージサイズの更なる小型化も可能となる。また、緩衝部が有機材料である接着剤を含有していないため、ＢＤ用の青紫レーザ光に対するパッケージ内部の変質は抑制することができる。

なお、前述した説明では、半導体基板１０１上の封止部及び緩衝部の設置領域には、受動素子及び能動素子を配置しないとしているが、回路レイアウトの工夫で応力に対して特性がシフトしない素子や、特性がシフトしても光半導体装置１５０の全体の特性に影響を与えない素子、及びアルミニウム配線は、封止部及び緩衝部の設置領域に配置してもかまわないことは言うまでもない。

また、緩衝部（金めっき層１０９）は半導体基板１０１が検査用プローブ２００の荷重に対して破壊しない場所であれば、中空領域１０５のどの位置に何箇所配置してもかまわない。さらに、緩衝部は封止部と接触した位置、あるいは一部がオーバーラップした位置に配置してもかまわない。

（第３の実施形態）
図４は、本発明の第３の実施形態に係る光ピックアップ装置の構成を示す図である。図４に示すように、光ピックアップ装置５０は、レーザ光を用いてＤＶＤ及びＣＤの光ディスク媒体５８からの情報の読み出し、及び光ディスク媒体５８への情報の書き込みを行う装置である。

光ピックアップ装置５０は、ＣＤに使用される光源としての赤外レーザ素子５１と、ＤＶＤに使用される光源としての赤色レーザ素子５２と、３ビームグレーティング５３と、ビームスプリッタ５４ａと、ビームスプリッタ５４ｂと、コリメータレンズ５５と、ミラー５６と、対物レンズ５７ａ、５７ｂと、受光用ＩＣ５９とから構成される。

光ピックアップ装置５０では、光ディスク媒体５８がＣＤである場合において、赤外レーザ素子５１から出射されたレーザ光は、３ビームグレーティング５３により、３ビームに分割された後、ビームスプリッタ５４ａ、コリメータレンズ５５及びビームスプリッタ５４ｂを順次通って、ミラー５６で反射されて対物レンズ５７ａに入射する。

その後、対物レンズ５７ａで集光された光が光ディスク媒体５８（ＣＤ）に入射した後、反射され、反射光は対物レンズ５７ａ、ミラー５６及びビームスプリッタ５４ｂを順次通って戻ってくる。

光ディスク媒体５８からの反射光は、ビームスプリッタ５４ｂによってその方向が曲げられ、対物レンズ５７ｂを通って受光用ＩＣ５９の受光面上に照射される。受光用ＩＣ５９は、光ディスク媒体５８の情報を電気信号として出力する。

ここで、受光用ＩＣ５９は、図示しない受光部を有する受光素子、及び受光素子で発生した光電流を増幅する信号処理回路が同じシリコン基板上に形成されたＩＣであり、第１の実施形態あるいは第２の実施形態で説明した光半導体装置である。

光ディスク媒体５８からの反射光には、光ディスク媒体５８の面上のピット情報等が含まれており、受光素子で発生した光電流を演算処理することにより、光ディスク媒体５８の情報信号、フォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号等が得られる。

これらの信号は光ディスク媒体５８の情報の読み取りや光ピックアップ装置５０の位置制御等に用いられる。

したがって、第１の実施形態あるいは第２の実施形態の光半導体装置により、光ピックアップ装置の高信頼性化、及び小型化が可能となる。

また、光ピックアップ装置５０では、光ディスク媒体５８がＤＶＤである場合において、赤色レーザ素子５２から出射されたレーザ光は、ビームスプリッタ５４ａ、コリメータレンズ５５及びビームスプリッタ５４ｂを順次通って、ミラー５６で反射されて対物レンズ５７ａに入射する。

その後、対物レンズ５７ａで集光された光が光ディスク媒体５８（ＤＶＤ）に入射した後、反射され、反射光は対物レンズ５７ａ、ミラー５６及びビームスプリッタ５４ｂを順次通って戻ってくる。

光ディスク媒体５８からの反射光は、ビームスプリッタ５４ｂによってその方向が曲げられ、対物レンズ５７ｂを通って受光用ＩＣ５９の受光面上に照射される。受光用ＩＣ５９は、光ディスク媒体５８の情報を電気信号として出力する。

光ディスク媒体５８からの反射光に起因する電気信号が、光ディスク媒体５８の情報の読み取りや光ピックアップ装置５０の位置制御等に用いられる点は前記と同じであるが、光ディスク媒体５８がＣＤの場合には、レーザ光が３ビームに分割されているのに対して、光ディスク媒体５８がＤＶＤの場合には１ビームであるため、ＣＤからの反射光とＤＶＤからの反射光とは受光部上の異なった位置に照射される。

よって、受光用ＩＣ５９では、ＣＤからの情報を得るために使用される受光部と、ＤＶＤからの情報を得るために使用される受光部とが一部異なってくる。

前述の光ピックアップ装置５０において、赤外レーザ素子５１から出射されたレーザ光及び赤色レーザ素子５２から出射されたレーザ光はそれぞれ、ビームスプリッタ５４ａから光ディスク媒体５８に至る光路、及び光ディスク媒体５８から受光用ＩＣ５９に至る光路において、光軸がほぼ同じになるように調整されている。

よって、光ディスク媒体５８がＣＤ及びＤＶＤの何れであっても同じ光学素子、及び同じ受光系を使用することができ、光ピックアップ装置５０の小型化及び組立て時の調整等が容易となる。

以上のように本第３の実施形態の光ピックアップ装置によれば、第１の実施形態あるいは第２の実施形態の光半導体装置が用いられる。よって、信頼性が高く小型の光ピックアップ装置を実現することができる。

なお、前記光ピックアップ装置５０では、レーザ光、受光用ＩＣ等の構造及び各部品の配置関係等は、適宜、設計に応じて変更されてもよい。

以上、本発明の光半導体装置及びこれを用いた光ピックアップ装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。例えば、本発明の光半導体装置は光ピックアップ装置以外の様々な電子機器にも好適に用いられる。これにより、信頼性が高く小型の電子機器を実現することができる。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。

本発明は、光半導体装置及びこれを用いた光ピックアップ装置、並びに電子機器に利用でき、特に光ディスク媒体の情報読み取りを行う光半導体装置及びこれを用いた光ピックアップ装置等に利用することができる。

１，１００，１５０ 光半導体装置
１１，１０１ 半導体基板
１２，１０２ ガラス
１３，１０３ 接着層
１４，１４ａ スペーサー層
１５，１０５ 中空領域
１６，１６ａ，１０６，１０６ａ バンプ
１７，１０７ 受光領域
１９ 貫通電極
５０ 光ピックアップ装置
５１ 赤外レーザ素子
５２ 赤色レーザ素子
５３ ３ビームグレーティング
５４ａ，５４ｂ ビームスプリッタ
５５ コリメータレンズ
５６ ミラー
５７ａ，５７ｂ 対物レンズ
５８ 光ディスク媒体
５９ 受光用ＩＣ
１０４ 補強用接着層
１０７ａ 受光素子
１０８ 信号処理回路
１０９ 金めっき層
１１０ 補助線
２００ 検査用プローブ

Claims (13)

1. 第１の主面上に能動素子が形成された半導体基板と、前記第１の主面上に前記能動素子と対向するように間隔をおいて設けられた光透過性部材と、前記半導体基板上で前記能動素子と前記光透過性部材との間に形成された中空領域と、前記半導体基板の他の主面に複数の電極端子とを備えた光半導体装置であって、
   前記中空領域は、前記半導体基板上の周辺部に形成された封止部と、該封止部で囲まれた前記中空領域内に少なくとも１箇所以上形成された緩衝部とを備えていることを特徴とする光半導体装置。
2. 前記半導体基板の第１の主面上における前記封止部の設置領域には、能動素子及び受動素子を形成しないことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
3. 前記半導体基板の第１の主面上における前記緩衝部の設置領域には、能動素子及び受動素子を形成しないことを特徴とする請求項１または２記載の光半導体装置。
4. 前記緩衝部は、前記中空領域内に等間隔に配置されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の光半導体装置。
5. 前記緩衝部は、前記半導体基板の他の主面上に配置された少なくとも１つ以上の電極端子に対向する前記半導体基板の第１の主面上の位置に形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の光半導体装置。
6. 前記半導体基板の第１の主面上における前記緩衝部の設置面積は、該緩衝部のそれぞれに対応する電極端子の前記半導体基板の他の主面に接する面積より大きいことを特徴とする請求項５記載の光半導体装置。
7. 前記半導体基板上に形成された能動素子のうち、少なくとも１つは入射光量に応じて光電流を出力する受光素子であって、該受光素子が形成された位置に対して前記半導体基板を介した直下には電極端子を形成しないことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の光半導体装置。
8. 前記封止部は接着層からなることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の光半導体装置。
9. 前記封止部は支持体の上下に接着層を有する構成であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の光半導体装置。
10. 前記緩衝部は接着層からなることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の光半導体装置。
11. 前記緩衝部は支持体の上下に接着層を有する構成であることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の光半導体装置。
12. 請求項１〜１１の何れか１項に記載の光半導体装置を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
13. 請求項１〜１１の何れか１項に記載の光半導体装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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