WO2001086716A1 - Semiconductor device mounting circuit board, method of producing the same, and method of producing mounting structure using the same - Google Patents

Description

明 細 書 半導体装置実装用の回路基板とその製造方法、 これを用いた実装構造の製造方法 技術分野

本発明は、 半導体装置を実装するための回路基板とその製造方法に関する。 本 発明は、 またそのような回路基板を使用して半導体装置を実装する方法に関する。 背景技術

半導体装置を回路基板に実装する 1つの技^には、 フリップチップ実装方法が 知られており、 その 1つは、 突起電極が半導体チップの能動素子と同じ側の表面 上に形成され、 半導体装置の電極には突起電極を形成し、 それら突起電極を、 接 合層を介して、 回路基板上に配列された入出力端子電極上に接続する方式である。 この方法では、 突起電極がメツキにより金 A u又はニッケル N iなどで形成され、 接合層にはハンダゃ導電性有機接着剤が利用されている。 導電性有機接着剤は、 等方性の接着剤以外に、 異方性導電フィルムや異方性導電ペース トなどが利用さ れている。

ハンダペーストゃ等方導電性接着剤は、 実装時に接続するためにほとんど荷重 を必要しないが、 異方性の導電膜や異方性導電ペーストなどを用いる場合は、 導 電性の安定性や信頼性を確保するためには、 実装時には、 最大でピン当たり 2 0 0 g程度の荷重を必要とする。

図 1 6は、 異方性導電性樹脂膜を利用した従来のフリップチップ実装の例を示 している （文献、 塚越功 ·他： 「エレク トロニクス実装技術」 1 9 9 7年 3月号、 p . 4 6〜4 9、 （株） 技術調査会） 。 この方法では、 半導体基板の端子電極が、 回路基板の端子電極に、 異方性導電樹脂膜を介して接着される。 異方性導電性樹 脂膜は、 接着剤の主剤としてエポキシ系樹脂と、 導電粒子、 例えば、 N i金属粒 子、 A u被覆樹脂粒子などを含んでいる。 組立て時には、 回路基板と半導体装置 とを加熱して同時に荷重を加えて、 電極の間に導電性樹脂膜が挟み込まれて押圧 され、 その結果、 樹脂膜中の導電粒子間の相互接触して、 相対するそれぞれの電 極に電気的の接続が達成される。

日本の特許公開公報 8— 0 3 7 2 0 6号は、 半導体装置の実装方法を開示し、 ここでは、 図 1 7 A〜1 7 Dに示すように、 Bステージ状にある導電性粘着シ一 ト 9 1からダイス 9 2、 9 2の間でポンチ 9 3により打ち抜かれて （図 1 7 A) 、 導電性シート小片 9 4が回路基板 1上のパッド電極 2上に位置合わせして（図 7 B ) そこに接着され、 接着層として利用される。 他方の半導体チップ 5の電極パ ッド 6 1上には、 ボールバンプ 7 3が、 形成されている （図 7 C) 。 実装時には、 加熱されて、 半導体チップ 5のボールバンプ 7 3が、 回路基板 1上の導電性シー ト小片 9 4と接着されて、 回路基板の電極と導通する （図 7 D) 。

日本の特許公開公報 1 0— 1 9 9 9 3 2号は、 半導体装置の実装方法を開示し ており、 半導体チップ上の多数のパッド電極上に導電性で塑性変形可能なバンプ を形成し、 これらバンプは、 レべリングされて、 一様な高さに調整され、 半導体 チップのバンプは、 回路基板上の対応パッドに加圧して接着する。 接着に際して、 レべリングされて頭部が平坦になったバンプの面に、 接着剤を付着させて、 バン プとパッドとを接合するのである。

半導体装置は、 近年、 携帯用等の電子機器のように小型化と共に高性能化がま すます求められている。 この要求にこたえるには、 回路基板に実装配線する半導 体装置は、 入出力端子のピン数を増加させ、 隣接する端子のピッチを一層狭くす して、 電極配列領域で電極をエリア配列にすることが重要となる。 これは、 さら に、 狭ピッチ接続を達成する技術の確立を一層要求することになる。

電極のエリアアレイ配列は、 従来のハンダバンプ法によって確立されている。 ハンダバンプ技術は、 実装時に集積回路チップの能動素子へ作用する応力は比較 的少なので、 その集積回路チップの受けるダメージがない利点がある。 然しなが ら、 エリアアレイ配列で実装するには、 ハンダバンプの径が大きく、 基板などの プロセスの微細化の必要性やパッケージとしての信頼性を考えると、 電極配列は、 2 5 0 μ mピッチ前後が限界であった。

異方性導電性接着剤を利用する上記の熱圧着実装技術は、 低コスト化のために 今まで以上に実装工程における生産性をあげることが期待できるので、 タクト向 上のために、 注目されている。 然しながら、 上記の異方性導電樹脂膜の熱圧着実装方法は、 半導体チップの突 起電極と基板側の突起電極との間で、 導電樹脂膜を圧迫して導電性粒子間の接触 により導電性を発現させる。 そこで、 接続するためには、 例えば、 電極間には、 突起電極当たり 2 0 0 g以上の相当大きな実装荷重をかける必要がある。 この力 が半導体回路に損傷を与えたり、 半導体基板上の A 1配線が断線するなどの不良 を発生させていた。

また、 この方法は、 実装時に半導体チップの突起電極が回路基板の入出力端子 電極に直接接触するように基板が大きな力で押圧されたままこの状態で導電性樹 脂全体を硬化させるので、 相対する電極間に生じた応力が、 半導体基板に残留応 力を発生させ、 半導体回路特性を劣化させることになる。 特に、 実装時に突起電 極による押圧により回路基板の入出力端子電極が変形し、 基板内の電極と接続さ れているビアホール充填物が断裂して、 その結果、 回路基板での接続不良が生じ ることもあった。

さらに、 異方性導電樹脂の場合には、 異方性導電膜の中に含まれている導電粒 子や熱)!彭張係数を制御するために充填されているシリカが、 実装時の押圧の際に、 半導体チップ上の 半導体機能部のある表面側に応力を及ぼすからでもあった。 上記の日本の特許公開公報平 8— 0 3 7 2 0 6号の実装方法は、 導電性粘着シ —トから打ち抜かれた導電性シート小片を利用する点は、 多数のボールバンプか ら各接着層への接着は、 確実性に欠ける問題があった。 また、 実装の際に、 部分 的に電極付近にしか荷重がかからないので、 半導体装置のダメッジは軽減される 、 接着を確実にするために押圧力を強めると突起電極が回路基板の上のパッド 電極を加圧してパッド電極を押圧するので、 パッド電極下のビアホールを破壊す る惧れもあった。 さらに、 導電性粘着シートは、 半導体装置と回路基板との接合 力が弱いので半導体パッケージの信頼性が低レ、という問題があつた。

特許公開 1 0— 1 9 9 9 3 2号の上記の方法は、 半導体チップのバンプの端部 に接着剤を添付して、 パッドの表面に接合するので、 バンプ高さに不揃いがある と、 接着不良が生じるので、 全ての電極間接合の信頼性を高めるには、 パンフを 予めレべリングして、 一様な高さに調整する必要がある。 さらに、 カロ圧するバン プが潰れるほど変形させて、 接着を強化することは可能であるが、 上記のように、 半導体チップに損傷を与える危険性があつた。 発明の開示

本発明の目的は、 半導体装置を回路基板上に実装した実装構造が、 実装の際の 電極に応力が発生せず、 半導体装置の特性の低下のない電極間接続を可能にした 回路基板を提供することである。

本発明の目的は、 さらに、 半導体装置を回路基板に実装する際に、 電極間に残 留応力が発生しない電極間接続を可能にする接続方法と実装構造の製造方法を提 供することにある。

本発明の回路基板は、 基板の表面の入手回路用の電極上に接着した電極間接続 用の導電性樹脂接着剤層と、 これら導電性接着剤層を含んで基板表面を予め被覆 した樹脂膜とから成るものである。 これに対応して、 半導体装置のチップの電極 上には尖頭を有する突起電極が形成される。

半導体装置を回路基板上に実装する際には、 半導体装置の突起電極は、 回路基 板の電極側に押圧されて、 その突起電極のシャープな尖頭が、 回路基板上の樹月旨 膜を貫通して、 導電性接着剤層に到達する。 導電性接着剤層が、 突起電極を受止 して電気的接続を果たし、 固定すると共に、 突起電極による半導体装置側への応 力発生を緩和し、 半導体装置上の半導体回路や配線に損傷を与えない。 回路基板 の反りまたは尖頭の高さの不揃いの原因で、 一部の突起電極の先頭がパッド電極 に到達しなくても、 尖頭が導電性接着剤層に受止されて、 導電性接着剤層との導 電性により、 電極間の電気的結合を確保することができる。

本発明において、 樹脂膜は、 回路基板に対しては、 パッド電極を保護する保護 膜としても働く。 さらに、 実装構造においては、 樹脂膜は、 突起電極と導電性接 着剤層とを含む接続部位を支持して補強し、 基板表面と半導体回路表面とを接合 して一体化する作用を有し、 これにより、 実装構造の電気的機械的信頼性を確保 でき、 高生産性に適した熱圧着実装を可能になる。

本発明の実装構造は、 導電性接着剤が実装時の応力を緩和して、 従来の異方性 導電膜で問題になっていた半導体機能部の特性劣化や配線の断線などの不良を防 止することができる。 しかも導電性接着剤を用いることにより、 回路基板のパッ ド電極が変形するまでの実装荷重を必要とせず、 低荷重実装が可能となる。 また、 フレキシブルな性質をもつ導電性接着剤が接合層に入ることにより、 従来よりも 信頼性の高い実装構造を提供することができる。 さらに一般的な集積回路用実装 構造に対して高生産かつ低コストでダメージのない熱圧着実装として適用できる。 図面の簡単な説明

図 1 Aは本発明の実施形態の回路基板の模式的断面図を示す。

図 1 Bは、 本発明の実施形態の多層回路基板の模式的断面図を示す

図 2 Aは、 本発明の実施形態に係る製造過程において、 回路基板と半導体装置 との配置を示す。

図 2 Bは、 図 2 Aに示した回路基板と半導体装置とを組立てた後の半導体装置 の実装構造を示す。

図 3 A〜3 Dは、 本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法を、 模式的断 面図でもって示す。

図 4 A〜4 Dは、 本発明の別の実施形態に係る回路基板の他の製造方法の過程 を、 模式的断面図でもって示す。

図 5 A〜5 Hは、 本発明のさらに別の実施形態に係る回路基板の製造方法の過 程を、 模式的断面図で示す。

図 6 Aは、 本発明の実施形態に係る実装構造の模式的断面図を示す。

図 6 Bは、 図 6 Aの実装構造に使用する回路基板のための樹脂フィルムの模式 的断面図を示す。

図 6 Cは、 図 6 Bに示した樹脂フィルムを利用して実装構造に組立てる過程の 断面図を示す。

図 7 Aは、 本発明の実施形態に係る製造過程において、 回路基板のための樹脂 フィルムと回路基板と半導体装置との配置を示す。

図 7 Bは、 図 7 Aの回路基板と樹脂フィルムを利用して組立てた後の実装構造 を模式的断面図で示す。

図 8 Aは、 本発明の実施形態に係る製造過程において、 回路基板と半導体装 置との配置を示す。 図 8 Bは、 図 8 Aの回路基板を利用して組立てた後の実装構造を模式的断面図 で示す。

図 9 Aは、 本発明の実施形態に係る製造過程において回路基板と半導体装置 との配置を示す。 図 9 Bは、 図 9 Aの回路基板を利用して組立てた後の実装構造 を模式的断面図で示す。

図 1 0は、 本発明の実施形態に係る実装構造の模式的断面図である。

図 1 1は、 本発明の実施例において使用した実装構造の模式的断面図である。 図 1 2 Aは、 本発明の実施例における実装荷重と接続抵抗の関係を示すグラフ である。

図 1 2 Bは、 実施例における接続抵抗の温度変化を示すグラフである。

図 1 2 Cは、 本発明の実施例における加熱冷却サイクルと接続抵抗の安定性と の関係を示すグラフである。

図 1 3 A〜1 3 Eは、 回路基板にガラスエポキシ基板を使用して、 実装荷重を パラメータとして接続した実施例におけるバンプ電極と導電性接着層との接続部 の金属断面を示す金属顕微鏡写真である。

図 1 3 Fは、 ガラスセラミック基板を使用した実施例におけるバンプ電極と導 電性接着層との接続部の金属断面の顕微鏡写真を示す。

図 1 4 Aは、 本発明の実施例における接続部の全周抵抗とハンダ耐熱試験にお ける繰返し加熱サイクルとの関係を示す。

図 1 4 Bは、 本発明の実施例における接続部の試験での全周抵抗の温度依存性 を示す。

図 1 4 Cは、 本発明の実施例における接続部の温度サイクル試験における加熱 冷却繰り返し数と接続抵抗との関係を示す。

図 1 5は、 本発明の導電性接着剤と樹脂膜を併用して実装した実装構造にお ける接合部における金属断面の金属顕微鏡写真である。

図 1 6 Aは、 従来の異方性導電膜を用いて実装する際の回路基板と半導体装置 との配置を示す。

図 1 6 Bは、 図 1 6 Aに示す如く組立てた後の実装構造を模式的断面図で示す。 図 1 7 A〜1 7 Dは、 先行技術の半導体装置の実装方法を示す模式的断面図で ある ( 発明を実施するための最良の形態

本発明の回路基板は、 半導体装置を実装するための回路基板であって、 基板表 面に形成した入出力用の端子電極と、 該端子電極上に被着された導電性接着剤層 と、 該端子電極と導電性接着剤層とを覆って基板表面に形成される樹脂膜と、 か ら構成される。

このような回路基板は、 基板表面に形成した入出力用の端子電極上に導電性接 着剤を印刷により塗着して導電性接着剤層を形成すること、 次いで、 導電性接着 剤層の硬化後に、 樹脂膜を導電性接着剤層と端子電極を覆うように基板表面を被 覆すること、 によって製造される。

本発明の回路基板は、 半導体装置を回路基板上に実装して半導体装置の実装構 造を作るのに利用される。 この実装構造は、 半導体装置の突起電極が導電性接着 剤を介して回路基板の入出力端子電極に電気的に接続され、 且つ、 半導体装置は、 回路基板上に予め形成した樹脂膜により接着されて固定される。

このような実装構造の組立て時点において、 予め、 半導体装置には、 その入出 力用の電極上に尖頭を有する突起電極が形成されており、 他方の回路基板には、 基板表面に入出力用の端子電極と端子電極上に塗着した導電性接着剤層と該導電 性接着剤とを含んで基板表面を被覆した層樹脂膜とを備えている。 実装構造は、 半導体装置の上記の突起電極を、 加熱した回路基板上で溶融した樹脂膜に押圧し て、 導電性接着剤層に装入して固定すると共に、 回路基板の当該端子電極に電気 的に接続し、 さらに樹脂膜の硬化によって半導体装置を回路基板に接合すること により、 組立て製造されるのである。

本発明においては、 導電性接着剤層は、 樹脂成分中に高密度で分散する導電性 粒子を含む複合体を利用し、 実装時には、 加熱することにより、 軟ィヒして柔らか くなつている。 半導体装置の突起電極は、 尖頭を有するので、 回路基板上の端子 電極に適合する際に、 軟化している導電性接着剤層に到達すればよく、 回路基板 の電極が変形する程の押圧力を必要としない。 そこで、 低い実装荷重でも、 回路 基板と半導体装置との両者を接合することができる。 そして、 回路基板上の導電 性接着剤は、 突起電極を受止して、 その際の発生応力を自らの変形で緩和するの で、 半導体装置に残留応力を生じさせない。 これが、 半導体装置の特性劣化や配 線の断線などを有効に防ぐことになる。

さらに回路基板は、 最初から基板表面の電極上に導電性接着剤層と、 この導電 性接着剤層を含んで基板表面を全面的に覆う樹脂膜 （フイノレム） が備えられてい るので、 半導体装置を一括して熱圧着により実装することが可能になり、 コスト の低い半導体装置の実装作業が可能になる。

上記の導電性接着剤は、 樹脂成分と、 導電フィラーとしての導電粒子と、 を混 練して得た混合物が、 ペースト状に調製される。 使用時には、 回路基板上の入出 力用の端子電極 （パッド電極） の上面に薄い膜として塗着されて、 導電性接着剤 層となる。

導電性接着剤中の樹脂接着成分は、 熱可塑性ないし熱硬化性樹脂の中から選ば れる力 好ましくは、 安定性、 電気絶縁性、 特に、 高周波特性、 強度、 特に、 高 い耐熱性の付与から、 エポキシ系樹脂が利用される。 樹脂成分は、 常温で固体で あり、 実装時に適度の温度の加熱により、 適度に軟ィヒないし溶融するものが好ま しい。

導電粒子には、 貴金属の C u、 A g、 A u、 鉄族の F e、 N i、 C o、 白金族 の P t、 P dなどやその他 Z nなどの金属、 その他、 炭素 Cから形成した粒子が 利用できる。 また、 金属皮膜を表面に形成とした樹脂粒子、 例えば、 A u被覆榭 脂粒も利用できる。

他方、 樹脂膜は、 熱硬化性の樹脂から選ばれ、 実装時には基板全体を適度に加 熱することにより軟化ないし溶融できる樹脂である。 このような樹脂には、 例え ば、 熱硬化性のエポキシ樹脂、 シリコーン樹脂、 ウレタン樹脂、 ポリ塩化ビニル 樹脂、 フエノール樹脂、 アクリル樹脂、 ポリエステル、 ポリカーボネート、 ポリ ァセタールが利用でき、 特に、 エポキシ系樹脂が好ましい。

樹脂膜は、 さらに、 粘度調整用、 増量用ないしは強化剤として適当な粉末状の フィラーを含んでもよく、 フイラ一には、 例えば、 シリカ S i〇₂、 アルミナ A 1 ₂ 0₃、 窒化珪素 S i ₃ N ₄、 炭化ケィ素 S i C、 窒化アルミニウム A 1 Nなど の無機粒子が利用できる。 この場合には、 樹脂膜は絶縁性を示す。 このような導電性接着剤層は、 電極上で厚み 1 0 _β m以下、 特に、 0 . 1〜 3 μ πι程度厚みにするのが好ましい。

また、 樹脂膜は、 フイラ一として導電性粒子を含んでもよく、 導電性粒子は、 例えば、 適当な金属粒子を含む異方性導電性の樹脂膜として用いてもよい。 この 場合、 実装時に樹脂膜は、 電極間に挟まれても樹脂膜に荷重ないし加圧がない状 態で絶縁性であればよい。 電極上には別の導電性接着剤層があるので、 電極間の 電気的接続は可能になる。

図 1 Αと 1 Βには、 回路基板 1を模式的に断面で示すが、 回路基板 1の表面に は、 入出力用の端子電極 2が形成され、 この例では、 端子電極 2は、 上面平坦状 であり、 その上面に、 導電性接着剤層 3が形成されている。 回路基板 1の当該表 面には、 この例では一面に亘つて、 樹脂膜 4が被着形成され、 樹脂膜 4は、 導電 性接着剤層 3と入出力端子電極 2を覆っている。 図 1 Aは単層樹脂基板の例であ り、 図 1 Bは、 多層樹脂基板に適用した例を示す。 図 1 Bにおいては、 この例の 基板 1は、 3層の樹脂絶縁層 1 1 a、 l i b , 1 1 cとその層間に所定のパター ンの層間電極 1 3とが配置され、 上下の層間電極が、 各絶縁層 1 1 a、 l i b , 1 1 cを貫通する導体、 即ちビア導体 1 4で接続されている。 上面のビア導体 1 4が、 表面のパッド電極 2と接続し、 最下層である樹脂絶縁層 1 1 cの下面には 配線用電極 1 2が配置されている。

図 2 Aは、 上記の回路基板 1に半導体装置 5を実装する過程を示し、 図 2 Bは、 回路基板 1に半導体装置 5を接合を終わった実装構造を示している。

図 2 Aにおいて、 半導体装置 5は、 この例では、 半導体基板 5 0上に、 表面に 半導体機能部 （ （不図示） 、 例えば集積回路部） と、 この半導体機能部とに接続 された多数の入出力用の端子電極 6 (パッド電極） が形成され、 端子電極上には、 尖頭の突起電極 7 (バンプ電極） が形成されている。

この半導体装置 5を受止する回路基板 1は、 上記のように、 上記の半導体装置

5の突起電極 7に対応する位置関係をもって回路基板 1の表面上に入出力用の端 子電極 2上に導電性樹脂接着剤層 3と、 回路基板 1全面を覆う樹脂膜 4とを予め 備えている。

実装作業においては、 実装機のヒータを備えたへッド上に半導体装置が吸着さ れ且つ加熱され、 その半導体装置は、 その突起電極 7が対応する基板上の導電性 接着剤層 3に揷通するように、 回路基板に対し押圧され、 次いで、 冷却され、 こ れにより、 突起電極 7が導電性接着剤層 3に接着され、 半導体装置の半導体基板 5 0力 回路基板 1上に樹脂膜 4により接着されて、 固定される。 この場合、 回 路基板も加熱されて、 導電性接着剤 3と樹脂膜とを軟化させておくのがよい。 図 2 Bには、 半導体装置 5の回路基板 1への実装した実装構造を示すが、 回路 基板の導電性接着剤層 3は、 半導体装置 5の突起電極 7を受容した状態で、 その 接着作用により突起電極 7を接着固定している。 さらに、 基板表面を覆う樹脂膜 4は、 回路基板 1と半導体装置 5との間の隙間を充填して、 回路基板 1と半導体 装置 5とを接着させ、 両者を安定して固定する。

このような回路基板 1は、 上記のように、 基板表面に接着剤層を形成すること、 その上に、 樹脂膜 4を被覆することから成っているが、 以下のように形成される。 回路基板には、 基板表面に予め入出力用の端子電極 2 (パッド電極） 、 半導体 装置 5の入出力用の端子電極 6に正確に対応するように形成されている、 導電性 接着剤層 3の形成過程では、 基板表面に形成した入出力用の端子電極 2上に導電 性接着剤を印刷法により塗着するのが好ましい。 また、 突起電極に転写した導電 性接着剤を回路基板の入出力用端子電極に再度転写してもよい。

接着剤層成形のための印刷法として、 図 3 A〜 3 Bには、 スクリーン印刷を使 用する例を示す。 この印刷法においては、 導電性接着剤を、 液状の樹脂成分と導 体粒子 （例えば、 銀粒子） とから所要の粘度調整剤等によりペースト 3 0に調整 することを含む。 さらに、 図 3 Aに示すように、 回路基板 1上には、 スクリーン マスク 8を端子電極 2に位置合わせをし、 端子電極 2以外の部分をマスキングす るように配置して、 スキージ 8 2により、 上記のペースト 3 0をスクリーンマス ク 8上に進展させ、 端子電極 2上にのみ所要厚みに塗着し、 これにより、 図 3 B に示す如く、 端子電極 2上に導電性接着剤層 3が形成され、 次いで、 導電性接着 剤層 3を硬化させる。 導電性接着剤に溶剤型接着剤を使用する場合は、 溶剤を揮 発させれば、 硬化させることができる。

次の樹脂膜被覆過程では、 樹脂膜用に予め形成した熱硬化性の適当に接着性を 有する樹脂フィルム 4 0を利用することができ、 この場合は、 図 3 Cに示すよう に、 樹脂フィルム 4 0を加熱して軟化させ、 基板表面上に、 少なくとも導電性接 着剤と端子電極 2とを覆って、 接着させる。 接着するために、 樹脂フィルム 4 0 の表面が粘着質を持つ程度に加熱する。 これにより、 図 3 Dに示す如く、 導電性 接着剤と樹脂膜 4とを重積した回路基板 1を得ることができる。

半導体装置の突起電極 7については、 先端に突出部 7 0を有して、 上記の樹脂 膜 4と導電性接着剤層 3とを貫通できる構造が利用される。 突起電極 7は、 例え ば、 導電性のワイヤボンディング法を用いて形成された突起状の電極、 電解メッ キ法又は無電解メツキ法を用いて形成された突起電極 7が利用できる。 特に、 突 起電極 7は、 ワイヤボンディング法を用いて、 溶融金属を引きちぎって形成した バンプが利用でき、 実装時には、 突起電極の尖頭が樹脂膜 4への挿通する力が強 まり、 基板に対してより低荷重の押圧で安定した電極間接続を得ることができる。 このような突起電極には、 例えば、 A u、 S n、 A g、 P b、 B i、 Z n、 S b、 P d、 C、 P tなどを含む低融点の金属又は合金が利用される。 突起電極の尖頭 は、 尖端の寸法が大よそ一辺又は直径 2 0 / m以下の矩形状ないし円形、 長円形 にするのが好ましい。 特に、 尖頭の寸法は 1 0 / m以下とするのがよい。

回路基板の別の製造方法は、 予め別体の上記のような樹脂フィルム 4 0上に導 電性接着剤層 3を形成して樹脂膜 4を調製すること、 上記の樹脂フイルム 4 0を、 回路基板 1の入出力用の端子電極に導電性接着剤層が対向するように回路基板に 被覆して樹脂膜を接着することをふくむことができる。 樹脂フィルム 4 0上に導 電性接着剤層 3を形成するには、 熱可塑性の樹脂フィルム上に、 印刷法を用いて 導電性接着剤ペース ト 3 0を、 回路基板 1の端子電極 2の配置に対応するパター ンをもって、 塗布する方法が利用できる。

図 4 Aにおいて、 別体の樹脂フィルム 4 0上に印刷スクリーンマスク 8を用い て、 導電性接着剤ペースト 3 0をスキージ 8 2で印刷により所定厚みで塗膜形成 する。 好ましくは、 塗着した導電性接着剤を硬化する。 これにより、 樹脂フィル ム 4 0上には、 図 4 Bに図示の如く、 ノ、。ターン化した導電性接着剤層 3が形成さ れる。

導電性接着剤を表面に有する樹脂フィルム 4 0は、 図 4 Cに示すように、 導電 性接着剤層 3が回路基板の入出力用の端子電極 2に正確に対向して、 端子電極 2 を覆うように、 回路基板 1上に接着させる。 接着には樹脂フィルム 4 0に、 その 表面が粘着質を持つ程度の加熱をする。 これにより、 図 4 Dに示す如く、 導電性 接着剤層 3と樹脂膜 4とが一体ィヒした回路基板を得ることができる。

さらに、 樹脂フィルム 4 0上に導電性接着剤層 3を形成する別の方法には、 図 5 A〜5 Fに示すように、 樹脂膜 4を調製する別の方法は、 先ず樹脂フィルム 4

0上にマスキングシート 8 1を接着すること、 この接着したマスキングシート 8 1に所定のパターンで貫通する貫通孔 8 5を開けて、 マスク 8にすることを含む。 この方法では、 貫通孔 8 5は、 回路基板 1上の端子電極 2に対応する樹脂フィ ルム 4 0上の位置の上のマスキングシート 8 1に開けられ、 貫通孔 8 5は、 基板 の表面を底面として停止しており、 導電性接着剤ペースト 3 0を貫通孔に充填す る。 充填後に、 マスキングシート 8 1だけを除去する。 マスキングシート 8 1の 除去により、 貫通孔 8 5に充填されたペースト 3 0は、 回路基板上に所望のバタ ーンで導電性接着剤層 3として残る。 マスキングシート 8 1には、 樹脂フィルム 4 0上に接着される別体の樹脂シート 8 4とその上に粘着される剥離シート 8 3 との 2層から成るものが好ましい。 貫通孔は、 樹脂シート 8 4と剥離シート 8 3 とに貫通するように形成される。 このように 2層にすると、 導電性接着剤の成形 性が向上するという利点がある。 この理由は、 充填する際に、 導電性接着剤ぺー スト 3 0は、 貫通孔以外の剥離シート 8 3上にも残り、 貫通孔からはみ出した状 態で硬化させると、 樹脂シート 8 4の除去の際に貫通孔内部の導電性接着剤も剥 離して除かれる惧れがあるが、 充填後のペースト 8 3だけを柔らかい状態で直ち に剥がせれば、 貫通孔部分にのみ導電性接着剤を確実に供給充足し得て、 後に硬 化させた樹脂シート 8 4を剥がせばよい。

詳しくは、 図 5 A〜 5 Hに示す回路基板 1の製造方法は、 先ず、 図 5 Aのよう に、 樹脂フィルム 4 0の上に、 マスキングシート 8 1として、 別体の樹脂シ一ト 8 4とその上に重ねて剥離シート 8 3が接着される。 樹脂フィルム 4 0は、 樹月旨 膜 4となるものであり、 樹脂シート 8 4と剥離シート 8 3とは、 後に除去される ので、 樹脂フィルム 4 0から分離容易なものが利用される。 剥離シート 8 3は、 テフロン、 セロハン、 ポリエチレンテレフタレート、 シリコーンなど表面非粘着 性で、 剥離性を有するものが利用され、 樹脂シート 8 4は、 例えば、 酸又はアル カリに溶角早性の樹脂、 例えば、 ポリアセタール、 ポリカーボネート、 エポキシ樹 脂、 フエノール樹脂、 又はポリエステルが利用できる。

次に、 回路基板 1上に積層した樹脂シート 8 4及び剥離シート 8 3の貫通孔 8 5は、 図 5 Bに示すように、 回路基板 1に配設された端子電極 2に対応する位置 に、 正確に設定され、 貫通孔 8 5は、 レーザービームを樹脂シート 8 4及び剥離 シート 8 3上に走査して、 端子電極 2に対応する位置に照射し過熱溶融すること により開口して形成する。

貫通孔は、 上記のレーザ照射に代えて、 紫外線照射により形成することもでき る。 紫外線照射法では、 紫外線に感光性のある樹脂を用いる。 このための樹脂と しては、 紫外線硬化性のエポキシ、 またはァクリル樹脂が好ましく利用できる。 この方法は、 未硬化の剥離シート 8 3上に、 開口すべき部分を光遮断するマスキ ングして、 紫外線照射し、 樹脂は他の部分が硬化するのに対して開口すべき遮断 マスク直下は未硬化のままであるので、 未硬化部分を除去すれば、 貫通孔が形成 される。

次いで、 スキージ 8 2により、 図 5 Cと図 5 Dに示すように、 導電性接着剤の ペースト 3 0を剥離シート 8 3上に延展して、 貫通孔に充填する。 埋め込まれた 導電性接着剤のペースト 3 0は硬化される。 導電性接着剤に溶剤型樹脂を使用し ているときは、 溶剤を気化させて硬化できる。 その後に、 図 5 Eに示すように、 剥離シ一ト 8 3を剥がし、 図 5 Fの如く、 樹脂シー卜の酸溶解性樹脂を、 塩酸あ るいは硫酸などの酸処理をすることで除去する。

このようにして、 図 5 Gに示すように、 パターン化した導電性接着剤層 3を有 する樹脂フィルム 4 0を、 回路基板に接着させる。 接着の際には、 樹脂フィルム が軟化して、 その表面に粘着質を生じる程度の温度に樹脂フィルム 4 0を加熱す る方法が採用できる。 これにより、 図 5 Hの如く、 導電性接着剤が樹脂膜 4と一 体化した回路基板 1を得ることができる。 本発明の回路基板を利用した実装構造は、 半導体装置の突起電極を導電性接着 剤を介して回路基板 1の入出力端子電極 2に電気的且つ機械的に接続して、 且つ、 半導体装置を、 回路基板 1上に予め形成した樹脂)!莫 4により接着し、 半導体装置 と上記の樹脂膜 4との間が当該樹脂膜 4若しくは封止樹脂より軟質弾性的のエラ ストマ一層が介装されている。

この実装構造の製造方法において、 半導体装置 5が突起電極 7を有し、 回路基 板が、 基板表面に入出力用端子電極 2を備えると共に、 さらに、 別体の樹脂膜 4 力 その一面に、 回路基板 1の端子電極 2に対応する導電性接着剤層 3と、 他面 に半導体装置 5に対応するエラストマ一層と、 を予め備えている。

この実施形態においては、 回路基板 1は、 上記のような端子電極 2を配置した 基板本体と、 端子電極 2上の導電性接着剤層 3とその上を覆う樹脂膜 4とともに、 さらに樹脂膜 4上にエラストマ一層を配設している。 このような回路基板 1は、 エラストマ一層が、 半導体装置 5の半導体機能部と上記の回路基板上の樹脂膜 4 との間に介装されて、 上記の実装構造を構成することができる。

エラストマ一層は、 樹脂膜 4より軟質で低弾性率である合成樹脂 （但し、 弾性 的な合成ゴムを含む） の層が利用される。 これにより、 半導体装置 5の少なくと も半導体機能部が、 エラストマ一層により保護される。 硬質の樹脂膜 4を通じて 作用する応力、 或いは外部の衝撃力をエラストマ一が吸収低減するので、 半導体 機能部、 例えば、 半導体基板 5 0上の集積回路部の損傷や機能低下を防止するこ とができる。

エラストマ一層は、 エポキシ系の樹脂膜 4に対して、 シリコーン樹脂系のエラ ストマ一層が好ましく利用される。

図 6 Aは、 エラストマ一層 9を備えた実装構造の例を示すが、 この実装構造は、 半導体装置 5の入出力用の端子電極 6 (パッド電極） 上に形成した突起電極 7が 導電性接着剤を介して回路基板 1の端子電極 2上に接続固定され、 その電極 2、 7間の接続部の周りが樹脂膜 4により補強され、 半導体装置 5の半導体機能部 5 1を構成した表面には、 エポキシ系の樹脂膜との間にシリコーンゴム系のエラス トマ一層 9が設けられて、 硬質の樹脂膜を隔離している。 これにより半導体装置 5の素子に対するダメージをより小さくすることができる。 また、 導電十生接着剤 が実装時の応力を緩和でき、 素子の特性劣化や配線の断線などを防ぐことができ る。

図 6 Bは、 上記の実装構造に使用する回路基板 1に使用する樹脂フィルム 4 0 であるが、 樹脂フィルム 4 0の一方の表面に導電性接着剤層 3を所定のパターン で有し、 他方の表面にはエラストマ一層 9を固定した樹脂フィルム 4 0を示して いる。 この例では、 エラストマ一層 9は、 実装構造に組み込まれたときに、 半導 体装置 5の半導体機能部 5 1に対向するように配置されている。

図 6 Aと 6 Bは、 上記のエラストマ一層 9を取着した樹脂フィルム 4 0を利 用して、 実装構造を組立てる過程とその結果の実装構造を示すが、 組立てる際に は、 樹脂フィルム、 一方の表面の導電性接着剤層 3を回路基板 1の端子電極 2上 に対応させ、 エラストマ一層 9を有する樹脂フィルム 4 0の他方の表面は、 その エラストマ一層 9が、 半導体機能部 5 1に配置するように半導体装置 5が対応し て、 配置される。 そして、 樹脂フィルム 4 0を加熱して軟化した状態で、 回路基 板 1側に半導体装置 5を押圧し、 その端子電極 6 (パッド） 上の突起電極 7が、 樹脂フィルム 4 0を貫通して導電性接着剤層 3に到達して接続される。 さらに、 樹脂フィルム 4 0が、 半導体装置 5にエラストマ一層 9を押し当てて、 回路基板 と半導体装置 5との隙間を充填し両者を接着し、 半導体装置 5と回路基板 1とを 一体化する。

図 7 Aと 7 Bとは、 エラストマ一層 9を使用する他の組立ての例を示すが、 図 7 Aにおいて、 エラストマ一層は、 予め、 半導体装置 5上に取着ないし接着され ており、 図 7 Bにおいて、 図 6 Cに図示した方法と同様に、 回路基板 1側に半導 体装置 5を押圧することにより、 半導体装置 5の突起電極 7が、 樹脂フィルム 4 0を貫通して導電性接着剤層 3に到達して、 さらに、 樹月旨フィルム 4 0力';、 半導 体装置 5にエラストマ一層 9を押し当てて、 半導体装置 5と回路基板 1とを一体 化する。

本発明の第 3の実施形態として、 実装構造は、 回路基板と半導体装置との隙間 に、 上記の樹脂膜と共に、 液状封止樹脂が充填されてもよい。 このような回路基 板 1の製造方法は、 上記の樹脂膜に代えて封止樹脂液を、 又は、 上記樹脂液と共 にその上に塗着した封止樹脂液を使用することもできる。

さらに、 液状封止樹脂を利用して、 封止樹脂を多孔性にするのが好ましレ、。 封 止樹脂中の気泡の存在は、 空気が樹脂よりも誘電率が明らかに低いので、 半導体 装置の高周波特性をあまり低下させなレ、有利な構造とすることができる。 このよ うな封止樹脂は、 樹脂成分が反応して硬化するときに気泡を発生させるような発 泡成分を含むものが利用できる。 液状樹脂 に発生した気泡は、 硬化後には気孔 として残留して、 封止樹脂が多孔性となる。 気泡の含有量は、 例えば、 反応性希 釈剤などの量を制御することにより変えることができる。

液状樹脂の利用においては、 図 8 Aに示すように、 回路基板上の上記樹脂膜 4 上には、 さらに液状の封止樹脂が塗着ないし滴下され、 回路基板上に半導体装置 を押圧すると、 その突起電極 7が樹脂膜 4を貫通して、 端子電極 2上に導電性接 着剤層 3とに到達して接続し、 樹脂膜 4上に存在する液状封止樹脂に接して、 液 状封止樹脂が、 回路基板 1と半導体装置 5との隙間を充填し、 硬化後には両者を 接着一体化する。 図 8 Bは、 このようにして組立てられた実装構造を示す。 図 8 Bに示す実装構造は、 液状封止樹脂に発泡性榭脂を使用して、 封入樹脂中に気泡 4 4を共存させた例を示している。

図 9 Aと 9 Bに示す例は、 回路基板上の端子電極 2を、 樹脂膜を使用せずに、 液状封止樹脂のみで覆う例を示すが、 図 9 Aと 9 Bにおいて、 半導体装置 5の端 子電極 （パッド） 上の突起電極 7が、 回路基板 1の端子電極 2上の導電性接着剤 に接続され、 封止樹脂が、 半導体装置 5と回路基板 1との隙間を充填して封止し ている。

さらに、 図 1 0は、 半導体装置 5と回路基板 1との隙間を充填する封止榭脂に 気泡 4 4を残留させて多孔質とした例を示す。 このような気泡 4 4を有する実装 構造は、 半導体装置 5の高周波特性の低下を防止するものである。 液状の封止樹 脂は、 発泡成分を含有しており、 硬化時に、 発泡する。 実施例.

[実施例 1 ]

図 1 1には、 以下に示す試験に使用した半導体装置 5の実装構造の模式断面図 を示すが、 半導体装置 5の突起電極を接合層を介して回路基板の入出力端子電極 上に実装し、 封止樹脂で補強された構造である。

実施例 1として、 突起電極としてワイヤボンディング法により形成された A u バンプを、 接合層として導電性接着剤を介して回路基板の端子電極上に実装し、 エポキシ系の封止樹脂で封止した。

従来例 1には、 突起電極として N i — A uの無電解メツキバンプを使用し、 接 合層は、 ハンダ合金であり、 封止樹脂として紫外線硬化型エポキシ樹脂を用いた。 この実施例と従来例について、 Nチャンネル一 MO S トランジスタの実装構造 を作り、 トランジスターの劣化を、 しきい値電圧の変化で調べた。

試験結果は、 本実施例の Nチャンネル— MO S トランジスタは、 実装荷重がバ ンプ当たり l gで、 しきいィ直電圧の変化は 0 . 7 %以下であった。

これに対して、 従来の ハンダ法は、 実装荷重がバンプ当たり 1 O gにおいて、 Nチャンネル一 MO S トランジスタのしきい値電圧が実装後、 初期に比べて 1 0 %程度変動した。

また、 同様に、 本発明の実施例の S R AMの実装構造を作ったが、 実装荷重が バンプ当たり 1 gとバンプ当たり 2 0 gでの実装作業でも、 ビットエラーはなく ( 0 / 2 2 8 ) 、 実装後でも接続良好であった。

このことから、 比較例の ハンダ法は、 封止樹脂が硬化するときに作用する硬 化収縮応力を緩和できる要素が接合層にはないため、 半導体装置に直接応力が作 用して、 しきい値電圧が変動したと考えられる。 これに対して、 上記実施例は、 接合層である導電 接着剤が柔らかいため封止樹脂の硬化収縮応力を緩和するの で、 半導体装置の半導体基板に応力が作用せず、 良好な結果が得られた。 応力解 析を行なった結果も、 導電性接着剤層 3を用いた実装構造は、 応力がほとんど発 生していない。 従って、 応力緩和に導電性の樹脂接着剤が有効な要素であること が判る。

比較例として、 図 1 6 Aに模式的に示した従来の異方性導電膜 4 9を用いて、 半導体装置の実装試験を行なった。 ここでは、 半導体装置の突起電極はワイヤボ ンデイング法を用いて形成された A uバンプであり、 回路基板にはセラミック基 板とガラスエポキシ基板 （ガラス 維強化エポキシ基板、 以下同じ） （F R 4 ) の 2種類を利用し、 異方性導電膜には直径 5 / mの N iフィラーを含んだ厚み 7 0 / mのものを用いた。 実装試験は、 半導体装置のバンプ電極と回路基板との間 の実装荷重を、 バンプ電極 1個当たり、 1 0〜8 0 gの範囲で変えて、 行なった。 図 1 2 Aは、 実装後の 1バンプ当たりの初期接続抵抗とバンプ荷重との関係を 示している。 接続抵抗には、 半導体装置の端子電極と A uバンプと異方性導電膜 との電気抵抗が含まれている。 セラミック基板は、 バンプ当たり 8 0 gの実装荷 重がないと初期の接続が得られなかった。 上記のガラスェポキシ基板でもバンプ 当たり 4 0 g Zの初期荷重をかけないと抵抗値が安定しないことがわかる。 また図 1 2 Bは各サンプルの温度に対する抵抗値の変化を示すが、 抵抗の温度 変化は、 ガラスエポキシ基板 （F R 4 ) にっき、 実装荷重バンプ当たり 4 0 g以 上で安定していることがわかる。 しかし図 1 2 Cに示す熱衝撃試験 （液相— 5 5 〜1 2 5 °Cの熱サイクル試験） の試験結果では、 実装荷重バンプ当たり 4 0 gで は不安定で、 バンプ当たり 8 0 gで安定している。

さらに、 図 1 3 A〜1 3 Eは、 回路基板にガラスエポキシ基板 （F R 4 ) を使 用したバンプ当たりの実装荷重 5 gから 4 0 gにより接合したときの実装構造の 切断面の電極付近をミクロ観察した一連の顕微鏡写真である。 これらの写真で、 下方に回路基板に固定されたパッド電極を示し、 上方に半導体チップからのバン プ電極を示している。 これらの写真から、 バンプ電極の変形が、 実装荷重バンプ 当たり 1 5 gぐらいの荷重から生じていることがわかる。

図 1 3 Fは、 セラミック基板を使用した断面の顕微鏡写真であり、 この基板に は剛性があるから、 実装荷重バンプ当たり 8 0 gも入出力端子電極の変形は起き ていないが、 初期の接続が不安定で図 1 2 Bの温度特性では接続不良を引き起こ す。 実施例 2 .

本発明の回路基板を用いて実装試験を行なつた。 回路基板にはガラスエポキシ 基板 ( F R 4 ) を用いて、 図 2 Aと 2 Bに示した実装構造を試験した。 回路基板 の表面には、 の入出力端子電極上も含めてエポキシ樹脂膜を厚み 5 0 μ mで被着 した。

半導体装置の突起電極にはワイヤボンディング法により尖端の寸法が 2 0 / m 口の A uバンプを形成した。 半導体装置 5は、 チップ上に突起電極を上記樹脂膜 が予め接着された回路基板の入出力端子電極上に押圧して接続し、 樹脂膜膜とチ ップとの隙間に封止樹月旨により補強された構造である。 試験は、 回路基板上の電 極に対して半導体装置のバンプの押圧する荷重を変えて、 行なわれた。

得られた実装構造は、 バンプ当たりの各実装荷重に対する初期接続性及びリフ 口一後の接続性が試験され、 さらに、 ハンダ耐熱試験が 2 7 0でで 5回繰り返して 実施された。

表 1は、 その結果を示すが、 この実装構造のサンプルは、 実装時のバンプ当た り荷重 2 0 g以上の押圧により、 突起電極とパッド電極との間の全ての接続部に おいて安定して良好な電気的機械的接続性が得られた。

図 1 4 Aにハンダ耐熱試験の各過程での接合部の抵抗変化を示すが、 実装荷重 バンプ当たり 2 0 g以上の試料は、 ハンダ耐熱試験において、 2 7 0 °Cで 5サイ クルの加熱繰り返しによっても、 接合部の抵抗変化がない。

図 1 4 Bにおいて、 接合部抵抗の温度特性においても接続特性は安定しており、 良好な結果が得られている。

図 1 4 Cは、 得られた実装構造の 8つの試料 （バンプ当たり 2 0 gの実装荷重 で接合された） について加熱 （+ 1 2 5 °C) 冷却 （― 4 0 °C) 繰り返し試験 （温 度サイクル試験） を行なった試験であるが、 1 0 0 0サイクル後でも、 接合部の 全周接続抵抗は、 ほとんど変化がなく、 さらに、 8つの試料について、 実質的に 差が生じなかった。

図 1 5は、 実施例のバンプ当たり 2 0 gの実装荷重による実装構造のバンプと パッド電極との接合部の断面を示す写真を示しているが、 基板の入出力端子電極 の変形は起きていないことがわかり、 低応力実装が可能であることが判る。 以上 の試験結果から、 従来の異方性導電膜を用いた実装よりも低荷重で安定な接続が 得られることがわる。 産業上の利用の可能性

本発明の回路基板とその製造方法は、 電気産業、 特に、 半導体製造産業に提供 する基板の製造と使用に利用することができ、 また、 半導体装置の実装構造の製 造方法の発明は、 電気産業、 特に、 半導体製造産業において、 半導体実装構造の 製造と使用に広く利用することができる。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 半導体装置を実装するための回路基板であって、 基板本体の表面に形 成した入出力用端子電極と、 該端子電極上に被着された導電性接着剤層と、 該端 子電極と導電性接着剤層とを覆って基板表面に形成した樹月旨膜と、 を有する半導 体装置実装用の回路基板。

2 . 半導体装置を実装するための回路基板であって、 回路基板が、 入出力端 子電極を表面に配置した回路基板本体と、 導電性接着剤層とエラストマ一層とを 有する樹脂膜と、 から成り、

上記のエラストマ一層が、 導電性接着剤層を形成した表面と反対の面に、 半導 体装置の機能部が存在する半導体装置表面の少なくとも一部に対応する位置に予 め配置されて、 導電性接着剤層が、 上記の回路基板本体の表面の端子電極に対応 する樹脂膜表面位置に配置されている半導体装置実装用の回路基板。

3 . 半導体装置を実装するための回路基板の製造方法において、 基板本体 の表面に形成した入出力用の端子電極上に導電性接着剤を印刷により塗着して導 電性接着剤層を形成すること、 及び、

導電性接着剤層の硬化後に、 樹脂膜を導電性接着剤層と端子電極を覆うように 基板表面を被覆すること、

から成る回路基板の製造方法。

4 . 半導体装置を実装するための回路基板の製造方法において、 予め別体 の樹脂膜上に導電性接着剤層を形成して樹脂膜を調製すること、 及び

上記の樹脂膜を、 回路基板の入出力端子電極に導電性接着剤層が対向するよう に回路基板に被覆して接着すること、

から成る回路基板の製造方法。

5 . 上記の樹脂膜の調製が、 予め、 樹脂膜上に導電性接着剤ペーストを印 刷法によりパターン化して塗布することによりによりなされて、 導電性接着剤層 を形成する請求項 4に記載の回路基板の製造方法。

6 . 上記の樹脂膜の調製が、 樹脂膜上にマスキングシートを接着した後、 z—トに貫通する孔を開け、 導電性接着剤を該貫通孔に充填して後、 マスキングシートを除去することから成る請求項 4に記載の回路基板の製造方法。

7 . 上記のマスキングシートが、 樹脂膜上に接着される樹脂シートとその樹 脂シ一ト上に剥離容易に粘着される剥離シートとから成る請求項 6の記載の回路 基板の製造方法。

8 . マスキングシートに貫通孔をあける方法が、 レーザー照射による開口で ある請求項 4記載の回路基板の製造方法。

9 . マスキングシートに貫通孔を開ける方法が、 紫外線照射による開口で ある請求項 4記載の回路基板の製造方法。

1 0 . 半導体装置を回路基板上に実装して成る実装構造であって、 半導体装置の突起電極が、 回路基板に設けた入出力用の端子電極上に配置した 導電性接着剤に電気的機械的に接続され、

半導体装置と回路基板との間の隙間が樹脂膜若しくは封止樹脂により接着固定 され、

半導体装置の機能部と上記樹脂膜若しくは封止樹脂との間に当該樹脂膜又は封 止樹脂より軟質弾性的であるエラストマ一層を介装して成る半導体装置の実装構 造。

1 1 . 半導体装置を回路基板上に実装して成る実装構造の製造方法であつ て、

半導体装置が突起電極を有し、 回路基板が、 基板表面に入出力用端子電極と端 子電極上に塗着した導電性接着剤層と該導電性接着剤層を含んで基板表面を被覆 した樹脂膜とを有し、

半導体装置の突起電極を、 加熱した基板上の溶融した樹脂膜中に押圧して、 導 電性接着剤層に貫通固定させ、 基板の当該端子電極と電気的に接続し、

次いで、 樹脂膜の硬化により半導体装置と回路基板とを接合することを特徴と する半導体装置の実装構造の製造方法。

1 2 . 上記の樹脂膜に代えて封止樹脂液、 若しくは、 上記樹脂膜と共にそ の上に塗着した封止樹脂液を使用する請求項 1 1に記載の実装構造の製造方法。

1 3 . 半導体装置を回路基板上に実装して成る実装構造の製造方法であつ て、 半導体装置が突起電極を有し、 回路基板が、 基板表面に入出力用端子電極を備 え、 別体の樹脂膜が、 その一面に、 回路基板の端子電極に対応する導電性接着剤 層と、 他面に半導体装置に対応するエラストマ一層と、 を備え、

回路基板上に樹脂膜を位置合わせして、 次いで、 半導体装置の突起電極を、 加 熱した回路基板上で溶融した樹脂膜に押圧して、 導電性接着剤層に到達させ、 基 板の当該端子電極と接続し、 樹脂膜の硬化により半導体装置と回路基板とを接合 することを特徴とする半導体装置の実装構造の製造方法

1 4 . 上記の半導体装置が、 突起電極と半導体装置の 半導体機能部に対 応する表面部位に接着されたエラストマ一層とを有し、

実装構造が、 樹脂層と半導体装置との間にエラストマ一層を介在させた請求項 1 1記載の実装構造の製造方法。