JP7041075B2 - パッケージ基板及びパッケージ基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 217
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 367
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 367
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 151
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 151
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 45
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 43
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 43
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 7
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 70
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 101150025129 POP1 gene Proteins 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 fluororesin Polymers 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NC=CN1 PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 3-(2-undecylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1CCC#N SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMCPOSDMTGQNKG-UJZMCJRSSA-N aniline;hydrochloride Chemical compound Cl.N[14C]1=[14CH][14CH]=[14CH][14CH]=[14CH]1 MMCPOSDMTGQNKG-UJZMCJRSSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- DVBJBNKEBPCGSY-UHFFFAOYSA-M cetylpyridinium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+]1=CC=CC=C1 DVBJBNKEBPCGSY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229930195712 glutamate Natural products 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N hexane Substances CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N methylimidazole Natural products CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
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Description
このような構造を有するPoPとして、特許文献1には、以下の積層型半導体パッケージが開示されている。
パッケージ基板をさらに小型化する場合には、パッケージ基板の表面に配置された電極をさらに密集させることが考えられる。このように電極を密集させようとすると、半田ボールも密集させる必要がある。その一方で、短絡を防ぐため、半田ボール同士の間には一定の空間が必要になる。半田ボールの形状は略球状であり、球は、空間を充填するには不利な形状である。つまり、半田ボールを密集させようとしても、形状的制約から半田ボールを充分に密集させることはできなかった。
そこで、パッケージ基板同士を電気的に接続するための手段として、柱状の金属ピンを用いることが試みられていた。
このように、はんだペーストを用いて導電性ポストを第1基板に固定する場合、はんだペーストが溶融する際に、はんだペーストの粘度が低くなりすぎ、導電性ポストが自重等により傾いてしまうという問題や、はんだペーストが溶融する際のはんだペーストの表面張力の変化により導電性ポストが傾いてしまうという問題があった。
例えば、半田を用いて金属ピンを電極に固定する場合には、半田が溶融した際に半田の粘度が低下しすぎたり、半田の表面張力が変化することにより金属ピンが傾く場合がある。
一方、上記導電性ペーストは、熱硬化性樹脂を含むので加熱により硬化する。そのため、上記導電性ペーストを用いて金属ピンを電極に固定する場合には、半田を用いる場合と比較して金属ピンが傾きにくい。従って、本発明のパッケージ基板では、金属ピンの傾きが小さい。
金属粉が低融点金属を含むと、導電性ペーストを加熱する際に、低融点金属が軟化し、導電性ペーストの粘度が一旦低下する。その後、導電性ペーストの熱硬化性樹脂が硬化し、導電性ペーストの硬化物となる。
本発明のパッケージ基板を製造する際に、低融点金属を用いると、導電性ペーストが加熱されて粘度が一旦低下する際に、導電性ペーストが金属ピンに隙間なく接触することになる。その後、導電性ペーストは硬化するので、金属ピンが強固に固定される。
つまり、金属粉が低融点金属を含む場合、パッケージ基板では、金属ピンが電極の上に強固に固定されて立設されている。
また、金属粉が高融点金属を含むと、導電性ペーストの導電性を向上させることができる。
導電性ペーストの硬化物と金属ピンとの間に、低融点金属と金属ピンとの合金が存在しているということは、導電性ペーストの硬化物の一部と金属ピンの一部が一体化していることになる。そのため、このようなパッケージ基板では、金属ピンが電極の上に強固に固定されて立設されている。
さらに、このような合金は、耐熱性に優れるので、パッケージ基板の耐熱性も向上させることができる。
なお、本明細書において、合金とは、低融点金属元素と金属ピンを構成する元素との混合物であってもよく、これら元素同士の金属間化合物であってもよい。
低融点金属の融点が180℃を超えると、導電性ペーストを加熱した際に、導電性ペーストの粘度が一旦低下する前に熱硬化性樹脂の硬化が始まったり、導電性ペーストの粘度が低下する温度範囲が狭くなったりしやすくなる。そのため、パッケージ基板において、金属ピンが電極の上に強固に固定されにくくなる。
これら金属は、低融点金属として適した融点及び導電性を備える。
これら金属は導電性に優れる。そのため、パッケージ基板において金属ピンと電極との間の導電性を向上させることができる。
また、これら高融点金属は、低融点金属と合金を形成するため、連続した導電パスが得られる。
なお、導電性ペーストの硬化物に、金属粉として低融点金属が含まれず、高融点金属のみ含まれる場合、導電パスは、高融点金属同士の点接触及び高融点金属と金属ピンとの点接触のみになるので、金属ピンとパッケージ基板との間の接続抵抗値を低くすることは困難となる。
これら金属は導電性に優れる。そのため、パッケージ基板同士を電気的に好適に接続することができる。
このような本発明のパッケージ基板の一例について以下に具体的に説明する。しかしながら、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
図1(b)は図1(a)の上面図である。
図2(a)は、半田ボールが配置されたパッケージ基板の一例を模式的に示す概略側面図である。図2(b)は、図2(a)の上面図である。
図3(a)は、図1(a)に示すパッケージ基板を含むPoPの一例を模式的に示す概略側面図である。
図3(b)は、図2(a)に示すパッケージ基板を含むPoPの一例を模式的に示す概略側面図である。
電極30の上には、金属粉及び熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストの硬化物40を介して金属ピン50が立設されている。
電極130の上には、半田ボール160が配置されている。
なお、図1(a)及び(b)、並びに、図2(a)及び(b)において、電極30と電極130は同じ大きさであり、金属ピン50及び半田ボール160の大きさは、これらのパッケージ基板を用いてPoPを作製するために必要な大きさである。
このような理由から、金属ピン50は、半田ボール160よりも、パッケージ基板上に密集することができる。従って、パッケージ基板10を、パッケージ基板110に対し小型化することができる。
また、図3(b)に示すようにパッケージ基板110の上には別のパッケージ基板111が積層されPoP101となる。この際、パッケージ基板110の底に配置された電極131は、半田ボール160の上部に接続されることになる。
図2(a)に示すように、半田ボール160の上面は曲面状である。また、図3(b)に示すようにパッケージ基板111の底に配置された電極131の底面は平面状である。
半田ボール160と電極131とを接続する際には、半田ボール160の上面を溶融させてこれらを接続することになるが、半田ボール160が充分に電極131の底面を覆うことができるようにするため、半田ボール160は少し大きめのものが用いられる。
一方、図1(a)に示すように、金属ピン50の上面は平面状である。また、図3(a)に示すように、パッケージ基板11の底に配置された電極31の底面は平面状である。
さらに、金属ピン50の上面と、電極31の底面とは、熱硬化性樹脂の硬化物40を介して接続されている。
つまり、PoP1では、半田ボール160を用いた場合のように、半田ボール160の上面の溶融を考慮して金属ピン50を大きく設計する必要はない。
そのため、PoP1の方がPoP101より薄くすることができる。
これらの中では四角柱状又は円柱状であることが望ましい。
金属ピン50が円柱状である場合、その底面は直径が50~200μmの略円形であることが望ましく、70~150μmの略円形であることがさらに望ましい。
金属ピン50の底面が上記形状及び大きさであると、好適に金属ピン50を密集させることができる。
このように、金属ピン50を密集させることにより、パッケージ基板10及びパッケージ基板10を積層したPoP1を小さくすることができる。
金属ピン50の高さが上記範囲であると、パッケージ基板10を積層しPoP1の高さを低くすることができる。
これら金属は導電性に優れる。そのため、パッケージ基板同士を電気的に好適に接続することができる。
例えば、半田を用いて金属ピンを電極に固定する場合には、半田が溶融した際に半田の粘度が低下しすぎたり、半田の表面張力が変化することにより金属ピンが傾く場合がある。
一方、導電性ペーストは、熱硬化性樹脂を含むので加熱により硬化する。そのため、上記導電性ペーストを用いて金属ピンを電極に固定する場合には、半田を用いる場合と比較して金属ピンが傾きにくい。従って、パッケージ基板10では、金属ピン50の傾きが小さい。
より具体的な熱硬化性樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、1,6-ヘキサンジオールジグリシジルエーテル等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂等があげられる。
これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いられていてもよく、併用されていてもよい。
熱硬化性樹脂の硬化温度が、上記温度未満の場合、低融点金属が軟化する前に、熱硬化性樹脂が硬化してしまい、低融点金属と、金属ピンとが合金を形成しにくくなる。
また、熱硬化性樹脂の硬化温度は、160~180℃であることが望ましい。
金属粉は、低融点金属と、高融点金属を含めば、特に限定されないが、例えば、低融点金属粒子及び高融点金属粒子の混合物からなっていてもよく、低融点金属と高融点金属とが一体となった粒子からなっていてもよく、低融点金属粒子、高融点金属粒子及び低融点金属と高融点金属とが一体となった粒子の混合物からなっていてもよい。
パッケージ基板10を製造する際に、低融点金属を用いると、導電性ペーストが加熱されて粘度が一旦低下する際に、導電性ペーストが金属ピンに隙間なく接触することになる。その後、導電性ペーストは硬化するので、金属ピン50が強固に固定される。
つまり、金属粉が低融点金属を含むパッケージ基板では、金属ピン50が電極30の上に強固に固定されて立設されることになる。
さらに、このような合金は、耐熱性に優れるので、パッケージ基板の耐熱性も向上させることができる。
図4は、本発明のパッケージ基板における電極、導電性ペーストの硬化物及び金属ピンの関係の一例を模式的に示す拡大断面図である。
図4に示すように、パッケージ基板10では、導電性ペーストの硬化物40と金属ピン50との間に、低融点金属と金属ピン50との合金70が存在している。
つまり、導電性ペーストの一部と金属ピン50の少なくとも一部が一体化していることになる。そのため、パッケージ基板10では、金属ピン50が電極30の上に強固に固定されて立設されている。
なお、合金70には、高融点金属由来の元素が含まれていてもよい。
EDSの条件としては、走査型電子顕微鏡(日本電子(株)製、型番:JSM-7800F)に装着されているエネルギー分散型分光器(日本電子(株)製、型番:JED-2300)を使用し、加速電圧:3~15kV、3000倍で観察する条件があげられる。
低融点金属の融点が180℃を超えると、導電性ペーストを加熱した際に、導電性ペーストの粘度が一旦低下する前に熱硬化性樹脂の硬化が始まったり、導電性ペーストの粘度が低下する温度範囲が狭くなったりしやすくなる。そのため、パッケージ基板10において、金属ピン50が電極30の上に強固に固定されにくくなる。
なお、低融点金属の融点が60℃未満であると、導電性ペーストの粘度が低下する温度が低すぎるので、金属ピン50を電極30の上に固定する際に、金属ピン50が傾きやすくなる。一方、低融点金属の融点が、60℃以上であると、パッケージ基板10において金属ピン50が傾きにくくなる。
これら金属は、低融点金属として適した融点及び導電性を備える。
これら金属は導電性に優れる。そのため、パッケージ基板10において金属ピン50と電極30との間の導電性を向上させることができる。
高融点金属の重量に対する低融点金属の重量の割合が、上記範囲より大きくなると本発明のパッケージ基板を製造する場合において、導電性ペーストを硬化させる際、一旦、導電性ペーストが柔らかくなりすぎ、金属ピンが傾きやすくなる。
高融点金属の重量に対する低融点金属の重量の割合が、上記範囲より小さくなると本発明のパッケージ基板を製造する場合において、導電性ペーストを硬化させる際、低融点金属が少ないことに起因し、低融点金属と、金属ピンとの合金が形成されにくくなる。その結果、金属ピンの固定が弱くなりやすくなる。
導電性ペーストの硬化物中の金属粉の含有量が80重量%未満だとパッケージ基板の抵抗値が高くなりやすい。
導電性ペーストの硬化物中の金属粉の含有量が95重量%を超えると本発明のパッケージ基板を製造する際に、導電性ペーストの粘度が高くなって印刷性が悪くなる。その結果、導電性ペーストの硬化物の印刷状態が悪くなりやすい。
また、パッケージ基板10では、電極30の材料は、特に限定されず銅、スズ、ニッケル、アルミニウム、金、銀等であってもよい。
すなわち、本発明のパッケージ基板では、金属粉及び熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストの硬化物を介して立設された金属ピンと、半田ボールとが混在していてもよい。
本発明のパッケージ基板の製造方法の第1例は、
(1)電極が表面に配置された基材を準備する基材準備工程と、
(2)上記電極の上に、金属粉及び熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストを印刷する印刷工程と、
(3)上記導電性ペーストの上に金属ピンを配置する金属ピン配置工程と、
(4)上記導電性ペーストを加熱することにより、上記導電性ペーストを軟化させてから硬化させて上記導電性ペーストの硬化物とし、上記導電性ペーストの硬化物を介して、上記金属ピンを上記電極の上に立設する金属ピン立設工程とを含むことを特徴とする。
図6は、本発明のパッケージ基板の製造方法の工程に含まれる印刷工程を模式的に示す模式図である。
図7は、本発明のパッケージ基板の製造方法の工程に含まれる金属ピン配置工程を模式的に示す模式図である。
図8(a)及び(b)は、本発明のパッケージ基板の製造方法の工程に含まれる金属ピン立設工程を模式的に示す模式図である。
図5に示すように、まず、電極30が表面21に配置された基材20を準備する。
基材20及び電極30の望ましい材料は、上記本発明のパッケージ基板の説明において記載した通りであるので、ここでの記載は省略する。
なお、電極が表面に配置された基材は公知の方法により作製することができる。
(2-1)導電性ペーストの準備
本工程では、まず、導電性ペーストを作製する。
導電性ペーストは、金属粉と、熱硬化性樹脂とを混合することにより製造することができる。
作製する導電性ペーストにおいて、金属粉と熱硬化性樹脂との重量比は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂:金属粉=20:80~5:95であることが望ましい。
導電性ペーストに含まれる熱硬化性樹脂、低融点金属及び高融点金属の望ましい材料及び性質は、上記本発明のパッケージ基板の説明において記載した通りであるので、ここでの記載は省略する。
硬化剤としては、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、2-エチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト等が挙げられる。
フラックスとしては、塩化亜鉛、乳酸、クエン酸、オレイン酸、ステアリン酸、グルタミン酸、安息香酸、シュウ酸、グルタミン酸塩酸塩、アニリン塩酸塩、臭化セチルピリジン、尿素、ヒドロキシエチルラウリルアミン、ポリエチレングリコールラウリルアミン、オレイルプロピレンジアミン、トリエタノールアミン、グリセリン、ヒドラジン、ロジン等が挙げられる。
次に、図6に示すように、金属粉46及び熱硬化性樹脂47を含む導電性ペースト45を印刷する。
導電性ペースト45の印刷方法としては、特に限定されないが、スクリーン印刷等の公知の方法で行うことができる。
次に、図7に示すように、導電性ペースト45の上に金属ピン50を配置する。
金属ピン50は、300~400ピン/1パッケージの密度となるように配置することが望ましい。
このように、金属ピン50を密集させることにより、製造するパッケージ基板を小さくすることができる。さらに、製造したパッケージ基板を積層したPoPも小さくすることができる。
金属ピン50の望ましい形状、材料は、上記本発明のパッケージ基板の説明において記載した通りであるので、ここでの記載は省略する。
次に、図8(a)に示すように、導電性ペースト45を加熱することにより、導電性ペースト45を軟化させてから硬化させて導電性ペーストの硬化物40とする。これにより図8(b)に示すように、導電性ペーストの硬化物40を介して、金属ピン50を電極30の上に立設することができる。
この原理を、半田を用いて金属ピンを電極に固定する場合と比較して説明する。
図9(a)に示すように、金属ピン150を電極130の上に立設するために、半田161を用いる場合、まず、電極130の上に半田161を配置し、その上に金属ピン150を配置する。
次に、図9(b)に示すように、半田161を加熱して溶融させ、その後、半田161を冷却して固化させることにより金属ピン150を電極130に固定することになる。
このように、半田161を用いて金属ピン150を電極130に固定する場合、図9(b)に示すように、半田161を溶融させる際に、半田161の粘度が低下しすぎたり、半田161の表面張力が変化することにより金属ピン150が傾きやすくなる。このように金属ピン150が傾いた状態で半田161は冷却されて固化するので、金属ピン150が傾いた状態で金属ピン150は電極130に固定されやすくなる。
加熱温度が、低融点金属の融点よりも10℃高い温度未満であると、低融点金属が軟化する前に、熱硬化性樹脂47が硬化してしまい、低融点金属と、金属ピン50とが合金を形成しにくくなる。
加熱温度が、200℃を超えると、導電性ペースト45の硬化物に含まれる金属粉や、硬化した熱硬化性樹脂及び金属ピンが劣化しやすくなる。
その後、導電性ペースト45は硬化するので、金属ピン50が強固に固定される。
つまり、金属粉が低融点金属を含むので、金属ピン50を電極30に強固に固定することができる。
なお、導電性ペースト45の粘度が一旦低下する際の、粘度の極小値は、40~200Pa・sであることが望ましく、60~180Pa・sであることがより望ましい。
また、金属粉が低融点金属を含むので、導電性ペースト45が硬化する際に、低融点金属は、金属ピン50との合金を形成する。そのため、金属ピン50が電極30の上に強固に固定されると共に導電性ペーストの硬化物40の導電性を向上させることができる。
さらに、このような合金は、耐熱性に優れるので、製造されるパッケージ基板の耐熱性も向上させることができる。
昇温速度:5℃/min
測定治具:PP25
振り角γ:0.1%
周波数f:1Hz
温度 :25~200℃
本発明のパッケージ基板の製造方法の第2例は、
(1)電極が表面に配置された基材を準備する基材準備工程と、
(2)金属ピンの端部に、金属粉及び熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストを付着させる導電性ペースト付着工程と、
(3)電極の上に、導電性ペーストを接触させて金属ピンを配置する金属ピン配置工程と、
(4)導電性ペーストを加熱することにより、導電性ペーストを軟化させてから硬化させて導電性ペーストの硬化物とし、導電性ペーストの硬化物を介して、金属ピンを電極の上に立設する金属ピン立設工程とを含むことを特徴とする。
図11は、本発明のパッケージ基板の製造方法の工程に含まれる金属ピン配置工程を模式的に示す模式図である。
まず、上記「(2-1)導電性ペーストの準備」に記載したように、金属粉及び熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストを作製する。
次に、本工程では、図10に示すように、金属ピン50の端部51に、金属粉46及び熱硬化性樹脂47を含む導電性ペースト45を付着させる。
金属ピン50の端部51に導電性ペースト45を付着させる方法は、特に限定されず、例えばディップ法で付着させてもよい。
金属ピン50の望ましい形状、材料等、及び、導電性ペースト45の望ましい組成は上記の通りであるので、ここでの記載は省略する。
本工程では、図11に示すように、電極30の上に、金属ピン50の端部51に付着された導電性ペースト45を接触させて金属ピン50を配置する。
金属ピン50の望ましい密度は、上記の通りであるので、ここでの記載は省略する。
(1)基材準備工程
銅からなる電極が表面に配置されたエポキシ樹脂からなる基板を準備した。
(2-1)導電性ペーストの準備
表1に示す割合で原材料を配合し、プラネタリーミキサーを用いて500rpmで30分撹拌し、導電性ペーストを作製した。
表1中、銀コート銅粉は、平均粒子径が2μmであり、銀の融点が962℃、銅の融点が1085℃である。
表1中、銀粉は、平均粒子径が5μmであり、融点が962℃である。
表1中、Sn42%-Bi58%合金は、平均粒子径が10μmであり、融点が139℃である。
表1中、Sn80%-Bi20%合金は、平均粒子径が5μmであり、融点が139℃である。
得られた導電性ペーストを、穴径100μm、厚み60μmの開口部を複数有するメタルマスクを用いて印刷した。
次に、導電性ペーストの上に、直径150μm、高さ200μmの略円柱状の銅からなる金属ピンを配置した。
次に、導電性ペーストを、180℃で1時間加熱することにより導電性ペーストを軟化させてから硬化させて導電性ペーストの硬化物とした。
これにより導電性ペーストの硬化物を介して金属ピンを上記電極の上に立設した。
導電性ペーストの原材料を表1に示す配合に変更した以外は実施例1と同様に、実施例2及び実施例3、並びに、比較例1に係るパッケージ基板を製造した。
実施例1~3及び比較例1に係るパッケージ基板を製造する際の「(2-2)導電性ペーストの印刷」において、導電性ペーストが印刷された箇所の個数を目視によりカウントし、印刷性を評価した。
評価基準は以下の通りである。なお、転写率(%)は、導電性ペーストがメタルマスクの開口部を介して基板に転写された箇所の数/メタルマスクの開口部の全数×100で算出する。評価結果を表2に示す。
○:転写率100%
△:転写率100%未満~80%
×:転写率80%未満
製造された実施例1に係るパッケージ基板から、導電性ペーストの硬化物と金属ピンとの境界が含まれるように導電性ペーストの硬化物及び金属ピンを取り出した。
導電性ペーストの硬化物と金属ピンとの境界が切断面に表れるように、導電性ペーストの硬化物及び金属ピンを切断し、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察し、さらに切断面における錫、ビスマス、銅、銀をEDSにより元素分析しこれらの分布をマッピングした。結果を図12(a)~(e)に示す。
図12(b)は、実施例1に係るパッケージ基板の導電性ペーストの硬化物と金属ピンとの境界における錫の分布を示すマッピング画像である。
図12(c)は、実施例1に係るパッケージ基板の導電性ペーストの硬化物と金属ピンとの境界におけるビスマスの分布を示すマッピング画像である。
図12(d)は、実施例1に係るパッケージ基板の導電性ペーストの硬化物と金属ピンとの境界における銅の分布を示すマッピング画像である。
図12(e)は、実施例1に係るパッケージ基板の導電性ペーストの硬化物と金属ピンとの境界における銀の分布を示すマッピング画像である。
図12(b)~(e)において、符号46b、46c、46d及び46eで示す部分はそれぞれ、錫、ビスマス、銅及び銀が分布している部分である。
図12(b)及び(d)において、符号70で示す部分は錫と銅との合金である。
従って、実施例1のパッケージ基板では、金属ピンは、電極の上に強固に固定されていた。
製造された実施例1~3、及び、比較例1に係るパッケージ基板の金属ピンの傾きを目視により観察し評価した。
評価結果は以下の通りである。結果を表3に示す。
◎:金属ピンが傾いている割合が5%未満であった。
○:金属ピンが傾いている割合が5~10%であった。
×:金属ピンが傾いている割合が10%を超えていた。
10、110 パッケージ基板
20、120 基材
21、121 基材の表面
30、31、130、131 電極
40 導電性ペーストの硬化物
45 導電性ペースト
46 金属粉
47 熱硬化性樹脂
50、150 金属ピン
51 金属ピンの端部
70 合金
160 半田ボール
161 半田
Claims (9)
- 基材と前記基材の表面に配置された電極とを備えるパッケージ基板であって、
前記電極の上には、金属粉及び熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストの硬化物を介して金属ピンが立設されており、
前記金属粉は、低融点金属と、前記低融点金属の融点よりも高い融点を有する高融点金属とを含み、
前記電極側の前記金属ピンの端部は平坦であり、
前記熱硬化性樹脂の硬化温度は前記低融点金属の融点より10℃以上高く、
前記導電性ペーストの硬化物と、前記金属ピンとの間に、前記低融点金属と前記金属ピンとの合金が形成されていることを特徴とするパッケージ基板。 - 前記導電性ペーストの硬化物と前記金属ピンとの間には、前記低融点金属と前記金属ピンとの合金が存在している請求項1に記載のパッケージ基板。
- 前記低融点金属の融点は、180℃以下である請求項1又は2に記載のパッケージ基板。
- 前記低融点金属は、インジウム、錫、鉛及びビスマスからなる群から選択される少なくとも1種を含む請求項1~3のいずれかに記載のパッケージ基板。
- 前記高融点金属の融点は、800℃以上である請求項1~4のいずれかに記載のパッケージ基板。
- 前記高融点金属は、銅、銀、金、ニッケル、銀コート銅及び銀コート銅合金からなる群から選択される少なくとも1種を含む請求項1~5のいずれかに記載のパッケージ基板。
- 前記金属ピンは、銅、銀、金及びニッケルからなる群から選択される少なくとも1種を含む請求項1~6のいずれかに記載のパッケージ基板。
- 請求項1~7のいずれかに記載のパッケージ基板の製造方法であって、
電極が表面に配置された基材を準備する基材準備工程と、
前記電極の上に、金属粉及び熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストを印刷する印刷工程と、
前記導電性ペーストの上に金属ピンを配置する金属ピン配置工程と、
前記導電性ペーストを加熱することにより、前記導電性ペーストを軟化させてから硬化させて前記導電性ペーストの硬化物とし、前記導電性ペーストの硬化物を介して、前記金属ピンを前記電極の上に立設する金属ピン立設工程とを含み、
前記金属粉は、低融点金属と、前記低融点金属の融点よりも高い融点を有する高融点金属とを含み、
前記金属ピンの少なくとも一方の端部は平坦であり、
前記熱硬化性樹脂の硬化温度は前記低融点金属の融点より10℃以上高く、
前記金属ピン配置工程では、前記金属ピンの平坦な端部が前記導電性ペーストに接触するように、前記金属ピンを配置し、
前記金属ピン立設工程では、前記導電性ペーストの硬化物と前記金属ピンとの間に、前記低融点金属と前記金属ピンとの合金が形成されるように前記導電性ペーストを加熱することを特徴とするパッケージ基板の製造方法。 - 請求項1~7のいずれかに記載のパッケージ基板の製造方法であって、
電極が表面に配置された基材を準備する基材準備工程と、
金属ピンの端部に、金属粉及び熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストを付着させる導電性ペースト付着工程と、
前記電極の上に、前記導電性ペースト接触させて前記金属ピンを配置する金属ピン配置工程と、
前記導電性ペーストを加熱することにより、前記導電性ペーストを軟化させてから硬化させて前記導電性ペーストの硬化物とし、前記導電性ペーストの硬化物を介して、前記金属ピンを前記電極の上に立設する金属ピン立設工程とを含み、
前記金属粉は、低融点金属と、前記低融点金属の融点よりも高い融点を有する高融点金属とを含み、
前記金属ピンの少なくとも一方の端部は平坦であり、
前記熱硬化性樹脂の硬化温度は前記低融点金属の融点より10℃以上高く、
前記導電性ペースト付着工程では、前記金属ピンの平坦な端部に前記導電性ペーストを付着させ、
前記金属ピン立設工程では、前記前記導電性ペーストの硬化物と前記金属ピンとの間に、前記低融点金属と前記金属ピンとの合金が形成されるように前記導電性ペーストを加熱することを特徴とするパッケージ基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016245611 | 2016-12-19 | ||
JP2016245611 | 2016-12-19 | ||
PCT/JP2017/040697 WO2018116692A1 (ja) | 2016-12-19 | 2017-11-13 | パッケージ基板及びパッケージ基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018116692A1 JPWO2018116692A1 (ja) | 2019-10-24 |
JP7041075B2 true JP7041075B2 (ja) | 2022-03-23 |
Family
ID=62626261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018557608A Active JP7041075B2 (ja) | 2016-12-19 | 2017-11-13 | パッケージ基板及びパッケージ基板の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200091050A1 (ja) |
JP (1) | JP7041075B2 (ja) |
KR (2) | KR102439010B1 (ja) |
CN (1) | CN110036471B (ja) |
TW (1) | TWI710071B (ja) |
WO (1) | WO2018116692A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220005723A (ko) * | 2020-07-07 | 2022-01-14 | 주식회사 프로텍 | 마스크를 이용하는 구리 필러 기판 본딩 방법 |
KR20220005724A (ko) * | 2020-07-07 | 2022-01-14 | 주식회사 프로텍 | 가압식 구리 필러 기판 본딩 방법 |
WO2022138681A1 (ja) * | 2020-12-25 | 2022-06-30 | ナミックス株式会社 | 金属部材 |
CN113889293A (zh) * | 2021-09-24 | 2022-01-04 | 暄泰电子(苏州)有限公司 | 一种用于电子元件的导电膏 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1223612A4 (en) * | 2000-05-12 | 2005-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | PCB FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS, THEIR MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING OF THE FITTING PLANT FOR THE PCB |
JP2007019360A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 電子部品の実装方法 |
JP2012160693A (ja) | 2011-01-11 | 2012-08-23 | Kyocera Corp | 積層型半導体パッケージおよび積層型半導体装置 |
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JP2015167193A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | アルファーデザイン株式会社 | 金属微粉末ペーストを用いた接合方法 |
JP2016048728A (ja) | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 株式会社村田製作所 | 導電性ポスト、及び、導電性ポストを用いた積層基板の製造方法 |
-
2017
- 2017-11-13 JP JP2018557608A patent/JP7041075B2/ja active Active
- 2017-11-13 KR KR1020217034640A patent/KR102439010B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-13 CN CN201780076472.7A patent/CN110036471B/zh active Active
- 2017-11-13 WO PCT/JP2017/040697 patent/WO2018116692A1/ja active Application Filing
- 2017-11-13 US US16/464,271 patent/US20200091050A1/en not_active Abandoned
- 2017-11-13 KR KR1020197015293A patent/KR20190092404A/ko active Application Filing
- 2017-11-17 TW TW106139913A patent/TWI710071B/zh active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134653A (ja) | 2000-10-23 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP2004277444A (ja) | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Ricoh Co Ltd | 導電性接着剤 |
WO2008026517A1 (fr) | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Liant conducteur et dispositif électronique |
WO2013035655A1 (ja) | 2011-09-09 | 2013-03-14 | 株式会社村田製作所 | モジュール基板 |
WO2013118455A1 (ja) | 2012-02-08 | 2013-08-15 | パナソニック株式会社 | 抵抗形成基板とその製造方法 |
JP2014003182A (ja) | 2012-06-19 | 2014-01-09 | Fuji Electric Co Ltd | 接合方法及び接合部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2018116692A1 (ja) | 2019-10-24 |
CN110036471A (zh) | 2019-07-19 |
TWI710071B (zh) | 2020-11-11 |
US20200091050A1 (en) | 2020-03-19 |
KR20190092404A (ko) | 2019-08-07 |
KR102439010B1 (ko) | 2022-08-31 |
KR20210132237A (ko) | 2021-11-03 |
TW201826452A (zh) | 2018-07-16 |
WO2018116692A1 (ja) | 2018-06-28 |
CN110036471B (zh) | 2023-10-10 |
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