JP2008060270A - 電子装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電極44が形成された基板2と、基板上に実装され、半田バンプ46を介して電極に電気的に接続された半導体素子4と、基板と半導体素子との間に、半田バンプを埋め込むように形成された封止樹脂層68とを有し、封止樹脂層は、熱伝導率が0.1W/mK以下の発泡体より成る。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1実施形態による電子装置及びその製造方法を図1乃至図8を用いて説明する。
まず、本実施形態による電子装置を図1を用いて説明する。図1は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。
次に、本実施形態による電子装置の評価結果について説明する。
次に、本実施形態による電子装置の製造方法を図5乃至図8を用いて説明する。図5乃至図8は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
こうして、Ni層とAu層を順次積層して成る積層膜より成る電極パッド44が形成される。この後、フォトレジスト膜を剥離する(図7(c)参照)。
本発明の第2実施形態による電子装置及びその製造方法を図9乃至図12を用いて説明する。図9は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。図1乃至図8に示す第1実施形態による電子装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本実施形態による電子装置は、最上層の絶縁層(層間絶縁膜)38aが発泡体により構成されており、ソルダーレジスト膜48aが発泡体ではない材料により構成されており、かかるソルダーレジスト膜48aが半導体チップ4の実装領域間において分離されていることに主な特徴がある。
次に、本実施形態による電子装置の評価結果について説明する。
次に、本実施形態による電子装置の製造方法を図10乃至図12を用いて説明する。図10乃至図12は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
本発明の第3実施形態による電子装置及びその製造方法を図13乃至図15を用いて説明する。図13は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。図1乃至図12に示す第1又は第2実施形態による電子装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本実施形態による電子装置は、最上層の絶縁層38aとソルダーレジスト膜48と封止樹脂層68のいずれもが発泡体により構成されていることに主な特徴がある。
次に、本実施形態による電子装置の評価結果について説明する。
次に、本実施形態による電子装置の製造方法を図14及び図15を用いて説明する。図14及び図15は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
(付記1)
電極が形成された基板と、
前記基板上に実装され、半田バンプを介して前記電極に電気的に接続された半導体素子と、
前記基板と前記半導体素子との間に、前記半田バンプを埋め込むように形成された封止樹脂層とを有し、
前記封止樹脂層は、熱伝導率が0.1W/mK以下の発泡体より成る
ことを特徴とする電子装置。
(付記2)
電極が形成された基板と、
前記電極に達する開口部が形成され、半田付けが不要な領域への半田の付着を防止する保護膜と、
前記基板上に実装され、半田バンプを介して前記電極に電気的に接続された半導体素子と、
前記基板と前記半導体素子との間に、前記半田バンプを埋め込むように形成された封止樹脂層とを有し、
前記保護膜が発泡体より成る
ことを特徴とする電子装置。
(付記3)
付記2記載の電子装置において、
前記封止樹脂層が発泡体より成る
ことを特徴とする電子装置。
(付記4)
配線が形成された基板と、
前記配線を覆うように前記基板上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記配線に電気的に接続された電極と、
前記基板上に実装され、半田バンプを介して前記電極に電気的に接続された半導体素子と、
前記基板と前記半導体素子との間に、前記半田バンプを埋め込むように形成された封止樹脂層とを有し、
前記絶縁層が発泡体より成る
ことを特徴とする電子装置。
(付記5)
付記4記載の電子装置において、
前記封止樹脂層が発泡体より成る
ことを特徴とする電子装置。
(付記6)
付記4又は5記載の電子装置において、
前記電極に達する開口部が形成され、半田付けが不要な領域への半田の付着を防止する保護膜を更に有し、
前記保護膜が発泡体より成る
ことを特徴とする電子装置。
(付記7)
付記2、3又は6記載の電子装置において、
前記保護膜の熱伝導率は、0.1W/mK以下である
ことを特徴とする電子装置。
(付記8)
付記4乃至6のいずれかに記載の電子装置において、
前記絶縁層の熱伝導率は、0.1W/mK以下である
ことを特徴とする電子装置。
(付記9)
付記3又は5記載の電子装置において、
前記封止樹脂層の熱伝導率は、0.1W/mK以下である
ことを特徴とする電子装置。
(付記10)
電極が形成された基板上に、半田バンプを介して前記電極に電気的に接続される半導体素子を実装する工程と、
前記基板と前記半導体素子との間に、前記半田バンプを埋め込むように、熱伝導率が0.1W/mK以下の発泡体より成る封止樹脂層を形成する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
(付記11)
電極が形成された基板上に、前記電極に達する開口部が形成され、半田付けが不要な領域への半田の付着を防止する、発泡体より成る保護膜を形成する工程と、
前記基板上に、半田バンプを介して前記電極に電気的に接続される半導体素子を実装する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
(付記12)
付記11記載の電子装置の製造方法において、
前記半導体素子を実装する工程の後に、前記基板と前記半導体素子との間に、前記半田バンプを埋め込むように、発泡体より成る封止樹脂層を形成する工程を更に有する
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
(付記13)
配線が形成された基板上に、発泡体より成る絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記配線に電気的に接続された電極を形成する工程と、
前記基板上に、半田バンプを介して前記電極に電気的に接続される半導体素子を実装する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
(付記14)
付記13記載の電子装置の製造方法において、
前記半導体素子を実装する工程の後に、前記基板と前記半導体素子との間に、前記半田バンプを埋め込むように、発泡体より成る封止樹脂層を形成する工程を更に有する
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
(付記15)
付記13又は14記載の電子装置の製造方法において、
前記電極を形成する工程の後、前記半導体素子を実装する工程の前に、前記電極に達する開口部が形成され、半田付けが不要な領域への半田の付着を防止する、発泡体より成る保護膜を、前記絶縁層上に形成する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
(付記16)
付記10、12又は14記載の電子装置の製造方法において、
前記封止樹脂層を形成する工程は、前記基板と前記半導体素子との間に、発泡剤を含む樹脂を注入する工程と;熱処理を行い、前記発泡剤を反応させることにより、前記発泡体より成る前記封止樹脂層を形成する工程とを有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
(付記17)
付記11、12又は15記載の電子装置の製造方法において、
前記保護膜を形成する工程は、前記基板上に発泡剤を含む樹脂を塗布する工程と;熱処理を行い、前記発泡剤を反応させることにより、前記発泡体より成る前記保護膜を形成する工程とを有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
(付記18)
付記13乃至15のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程は、前記基板上に発泡剤を含む樹脂を塗布する工程と;熱処理を行い、前記発泡剤を反応させることにより、前記発泡体より成る前記絶縁層を形成する工程とを有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
(付記19)
付記16乃至18のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記発泡剤は、アルカリ金属炭酸塩、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、又は、アルカリ金属炭酸水素塩より成る
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
(付記20)
付記10乃至19のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記半導体素子を実装する工程の後に、検査を行う工程と;検査により不良と判断された前記半導体素子を他の半導体素子に交換する工程とを更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
4…半導体チップ
4a…不良チップ
10…コア材、支持基板
12…貫通孔
14…ビア
16…配線
18…配線
20…コア基板
22…絶縁層
24…コンタクトホール
26…ビア
28…配線
30…絶縁層
32…コンタクトホール
34…ビア
36…配線
38、38a…絶縁層
40…コンタクトホール
42…ビア
44…電極パッド
46…半田バンプ
48、48a…ソルダーレジスト膜
50…開口部
52…絶縁層
54…コンタクトホール
56…ビア
58…配線
60…絶縁層
62…コンタクトホール
64…ビア
65…半導体基板
66…配線
68…封止樹脂層
70…有機溶剤
72…ツールヘッド
74…吸着ヘッド
76…残渣物
78…溶剤
Claims (5)
- 電極が形成された基板と、
前記基板上に実装され、半田バンプを介して前記電極に電気的に接続された半導体素子と、
前記基板と前記半導体素子との間に、前記半田バンプを埋め込むように形成された封止樹脂層とを有し、
前記封止樹脂層は、熱伝導率が0.1W/mK以下の発泡体より成る
ことを特徴とする電子装置。 - 電極が形成された基板と、
前記電極に達する開口部が形成され、半田付けが不要な領域への半田の付着を防止する保護膜と、
前記基板上に実装され、半田バンプを介して前記電極に電気的に接続された半導体素子と、
前記基板と前記半導体素子との間に、前記半田バンプを埋め込むように形成された封止樹脂層とを有し、
前記保護膜が発泡体より成る
ことを特徴とする電子装置。 - 配線が形成された基板と、
前記配線を覆うように前記基板上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記配線に電気的に接続された電極と、
前記基板上に実装され、半田バンプを介して前記電極に電気的に接続された半導体素子と、
前記基板と前記半導体素子との間に、前記半田バンプを埋め込むように形成された封止樹脂層とを有し、
前記絶縁層が発泡体より成る
ことを特徴とする電子装置。 - 電極が形成された基板上に、半田バンプを介して前記電極に電気的に接続される半導体素子を実装する工程と、
前記基板と前記半導体素子との間に、前記半田バンプを埋め込むように、熱伝導率が0.1W/mK以下の発泡体より成る封止樹脂層を形成する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 電極が形成された基板上に、前記電極に達する開口部が形成され、半田付けが不要な領域への半田の付着を防止する、発泡体より成る保護膜を形成する工程と、
前記基板上に、半田バンプを介して前記電極に電気的に接続される半導体素子を実装する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
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