WO2001063975A1 - Dispositif organique el et procede de fabrication - Google Patents

Dispositif organique el et procede de fabrication Download PDF

Info

Publication number
WO2001063975A1
WO2001063975A1 PCT/JP2001/001428 JP0101428W WO0163975A1 WO 2001063975 A1 WO2001063975 A1 WO 2001063975A1 JP 0101428 W JP0101428 W JP 0101428W WO 0163975 A1 WO0163975 A1 WO 0163975A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
substrate
anode
cathode
light
Prior art date
Application number
PCT/JP2001/001428
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hidekazu Kobayashi
Original Assignee
Seiko Epson Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corporation filed Critical Seiko Epson Corporation
Priority to DE60140784T priority Critical patent/DE60140784D1/de
Priority to EP01906318A priority patent/EP1191823B1/en
Priority to JP2001562061A priority patent/JP4144687B2/ja
Publication of WO2001063975A1 publication Critical patent/WO2001063975A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80516Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/321Inverted OLED, i.e. having cathode between substrate and anode
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Definitions

  • the present invention relates to a structure of an organic electroluminescent device (hereinafter referred to as an organic EL in this specification) used as a display device for an information terminal device such as a computer, a mobile phone, and a television, and a method of manufacturing the same.
  • an organic electroluminescent device hereinafter referred to as an organic EL in this specification
  • the active matrix method using TFT or the like is promising for power-saving organic EL displays, but has the disadvantage that the aperture ratio, which indicates the ratio of the light-emitting area to the display area of the display, is low. As the aperture ratio decreases, the brightness per pixel must be increased to gain display brightness. Then, there is a problem that the driving voltage is increased, the power consumption is increased as a result, and the life is shortened because a load is applied to the organic EL element.
  • Fig. 2 there is an example in which the cathode is made transparent in order to emit light from the side opposite to the substrate in the configuration of the organic EL element (device) ( IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 44, NO.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and has as an object to solve the above problems. Particularly, an element configuration which does not lower the aperture ratio or light transmittance even when a switching element is used, and its manufacture. It is an object of the present invention to provide an organic EL device having low power consumption and a long life. Another object is to provide a structure for preventing a decrease in contrast due to reflection of external light without lowering the luminance.
  • an organic EL device characterized in that at least a cathode, a light emitting layer, and an anode are laminated on a substrate in this order.
  • an organic EL device having a plurality of pixels each on a substrate, wherein each of the plurality of pixels is a region partitioned by a partition wall, and in this region, a plurality of pixels are arranged from the substrate side.
  • An organic EL device is provided in which one electrode, a light-emitting layer, and a second electrode are stacked in this order, and light from the light-emitting layer is emitted to the outside from the second electrode side.
  • an organic EL device comprising laminating at least a cathode, a light emitting layer, and a transparent anode on a substrate in this order.
  • FIG. 1 is a sectional view showing the structure of the organic EL device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a structure of an organic EL device as a contrast with the first embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the structure of the organic EL device according to the third embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic EL device according to a fourth embodiment.
  • FIG. 5 is a sectional view showing the structure of the organic EL device according to the seventh embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic EL device according to the seventh embodiment.
  • FIG. 7 is a conceptual diagram showing a planar structure of an organic EL device (display device) according to Embodiment 8.
  • FIG. 8 is a sectional view showing the structure of the organic EL device according to the ninth embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the structure of the organic EL device according to Embodiment 11. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • a first feature of the present invention is that, in an organic EL device, at least a cathode, a light-emitting layer, and an anode are laminated in this order on a substrate.
  • a semiconductor substrate such as silicon, a metal substrate, or the like is used.
  • an integrated circuit can be formed on a silicon substrate, and an organic EL element (device) can be formed thereon.
  • a hole transport layer and a Z or hole injection layer are provided between the light emitting layer and the transparent anode.
  • Examples of the embodiment include, for example, the following aspects.
  • the organic EL device having the configuration of the first feature, wherein the cathode is formed of a laminate of at least a conductive material and a metal oxide or fluoride.
  • the luminous efficiency of the organic EL device can be further increased.
  • An organic EL device having the configuration of the first feature, comprising a plurality of pixels, a cathode corresponding to each pixel group being formed on the substrate, and an insulator between the pixels.
  • an auxiliary anode made of a conductive material is formed at a position corresponding to the partition wall made of the insulator at a position corresponding to the partition wall formed of the insulator. apparatus.
  • the resistance of the transparent anode which generally has high resistance, can be reduced by using the auxiliary anode, and as a result, an organic EL device that emits light uniformly over the entire surface can be realized.
  • An organic EL device having the configuration of the first feature, having a plurality of pixels, wherein a cathode corresponding to each pixel is formed on the substrate.
  • An organic EL is characterized in that a pixel spacing wall made of an insulator is formed between pixels, and at least a cathode, a light emitting layer, an anode, and an auxiliary anode are stacked in this order in a pixel. apparatus.
  • an auxiliary anode that lowers the resistance of the anode can be added later, and various materials can be used for the auxiliary anode as an effect, and an effect unique to the material can be provided.
  • a mask evaporation method, an inkjet method, a printing method, or the like can be used for the patterning of the auxiliary anode.
  • the display when the display is viewed from the light emitting side, the light-absorbing auxiliary anode can be seen between the pixels, so that external light is absorbed, the contrast is enhanced, and the display is easy to see.
  • An organic EL device having the configuration of the first feature, wherein an active matrix structure including a switching element is provided and laminated on a substrate, and overlaps at least a part of the switching element in plan view.
  • An organic EL device wherein a stacked structure of a cathode, a light emitting layer, a positive electrode, and a positive electrode is formed.
  • the area of the opening as a pixel can be designed independently of circuits related to switching elements, and as an effect, the opening ratio can be dramatically improved.
  • all the electronic circuits required for the device such as the electronic circuit of the mobile terminal, the controller for driving the display, the driver, the power supply circuit, etc., are formed on the semiconductor substrate on the silicon substrate. Since it is possible to provide transistors and the like for driving the organic EL device, it is possible to simultaneously improve the performance of the device and reduce costs.
  • An organic EL device characterized in that a protective substrate on which an absorbent layer is formed is positioned and adhered to a pixel and a pixel corresponding portion of the protective substrate via a sealing resin.
  • the light absorbing portion can be provided between the pixels separately from the auxiliary anode, the auxiliary anode and the light absorbing material can be optimized. .
  • a method for manufacturing an organic EL device comprising laminating at least a cathode, a light-emitting layer, and an anode on a substrate in this order.
  • a hole transport layer and a Z or a hole injection layer are provided on the light emitting layer, and subsequently, an anode can be formed.
  • At least an insulating pixel spacing wall is formed on a substrate, and then a reflective cathode material is deposited on the entire surface.
  • the cathode and the auxiliary anode on the partition are separated by the step of the partition, and the cathode and the auxiliary electrode are separated.
  • a method for manufacturing an organic EL device comprising: forming at least a light-emitting layer and an anode in a region partitioned by the partition in this order.
  • the patterning of the auxiliary anode is not required, and the cost can be reduced.
  • an insulating pixel spacing wall material is applied and baked on the entire surface of the substrate, and a material to be an auxiliary anode is formed on the entire surface, and then the auxiliary material is formed by photolithography.
  • the layer of the anode material is subjected to pattern etching, the layer of the pixel-interval wall material thereunder is then subjected to pattern etching, and the partition layer is fully baked. Thereafter, at least light is emitted in a region defined by the partition.
  • a method for manufacturing an organic EL device comprising laminating a layer and an anode in this order.
  • the patterning of the pixel spacing wall and the auxiliary anode can be performed simultaneously.
  • FIG. 1 shows a cross section of the organic EL device of the present embodiment.
  • the cathode 2 is formed on the substrate 1.
  • the light emitting layer 3 is formed, and then the hole injection layer 4 is formed.
  • an anode 5 is formed, and a sealing layer (not shown) is further formed.
  • the substrate 1 used here in addition to a glass substrate, a metal, a semiconductor, a plastic, or the like can be used, and an opaque substrate can also be used.
  • the cathode 2 used here aluminum, magnesium, lithium, calcium, an alloy of these metals, or a laminate of these metals (in this case, one having a low work function is arranged on the light emitting layer side) can be used.
  • a polymer material or a low molecular material can be used.
  • PPV polydioctylfluorene, polyfluorene, Alq3, DPVBi, and the like.
  • hole injection layer Z and the hole transport layer 4 used here general materials such as the strength of Bytron manufactured by Bayer, low molecular weight materials TPD, MTDATA, and copper phthalocyanine can be used.
  • IDIXO sold by Idemitsu Kosan Co., Ltd., or the like can be used.
  • IDIXO is advantageous because sufficient conductivity can be obtained even when the film is formed at room temperature.
  • thermosetting epoxy resin was used for sealing
  • ultraviolet curable resin is also used. It is also effective to use a protective substrate together.
  • light can be emitted to the side opposite to the substrate when viewed from the light emitting layer, so that an opaque material can be used for the substrate side.
  • a semiconductor substrate such as silicon, a metal substrate, or the like is used.
  • an integrated circuit can be formed on a silicon substrate, and an organic EL device (device) can be built on it.
  • the cathode is made of a laminate of at least one kind of conductive material and a metal oxide or fluoride.
  • aluminum was formed as a cathode, followed by patterning through a photolithography process and oxygen plasma treatment. As a result, a 20 ⁇ oxide layer was formed on the surface.
  • the remaining steps of Embodiment 1 are performed using this substrate with a cathode, and When the device was created, the luminous efficiency was twice (0.1 m / W) of Example 1.
  • the luminous efficiency was 0.51 m / W.
  • the light emitting layer 3 used here was a polyfluorene-based material, and was formed by spin coating.
  • spintron of Bytron manufactured by Bayer was used.
  • IDIXO was used for the anode 5.
  • the structure shown in FIG. 3 is such that a cathode group 2 corresponding to a light emitting pixel group is formed on a substrate 1, and a pixel spacing wall 6 made of an insulator is formed between the light emitting pixel groups.
  • an auxiliary anode 7 made of a conductive material is formed on the pixel spacing wall 6 in substantially the same pattern as the pixel spacing wall 6.
  • the pixel spacing wall 6 was formed and patterned with polyimide, and then tantalum was formed to a thickness of 1000 ⁇ , and the same pattern as the pixel spacing wall 6 was patterned by photolithography.
  • a 20 angstrom film of lithium fluoride is formed on the entire surface, and then three types of polyfluorene-based materials that emit red, green, and blue light as the light emitting layer 3 are dissolved in isodurene, and red, green, and blue are formed by an inkjet method.
  • a hole injection layer 4 a Bytron manufactured by Bayer was patterned into each pixel by an inkjet method.
  • ID IXO manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd. was formed by sputtering. Furthermore, sealing was performed with an epoxy-based sealing material 8 and a protective substrate 9. When a voltage was independently supplied to each pixel of the organic EL device created in this manner in red, blue and green, a uniform color image could be observed in response to the applied voltage.
  • the sealing material the materials described in Embodiment 1 can be used.
  • As a film formation method, an ink jet method, a mask evaporation method, a printing method, or the like can be used.
  • Eighteen layers or a laminated structure of ITO and A1 A layer of gold, calcium, aluminum, a layer of these layers, a co-deposited layer of Mg and silver, etc. are provided in a predetermined thickness at the position of the anode 5 to form a transparent layer.
  • the auxiliary anode 7 is used as an auxiliary layer of the cathode. .
  • a cathode group corresponding to a light-emitting pixel group is formed on the substrate, and a pixel spacing wall made of an insulator is formed between the light-emitting pixel groups.
  • a pixel spacing wall made of an insulator is formed between the light-emitting pixel groups.
  • the cathode, the light-emitting layer An example is shown in which a transparent anode and an auxiliary anode are stacked in this order.
  • FIG. 4 shows a cross-sectional structure of the organic EL device of the present embodiment.
  • the pixel spacing wall 6 was formed by polyimide film formation and patterning.
  • calcium fluoride is deposited on the entire surface in a thickness of 20 angstroms, and then three kinds of low-molecular materials that emit red, green, and blue light as the light-emitting layer 3 are applied to the red, green, and blue pixels by mask evaporation. Each was formed by patterning.
  • TPD was deposited as a hole-introducing layer 4 and then MTD ATA was deposited on the entire surface.
  • IDIXO manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd. was sputtered.
  • tantalum was vapor-deposited on a mask with a thickness of 100 ⁇ and puttering was performed. Further, sealing was performed with an epoxy-based sealing material 8 and a protective substrate 9.
  • the cathode As the cathode, luminescent material, hole injection material, anode, and auxiliary anode sealing material used here, the materials described in Embodiment 1 can be used.
  • an inkjet method, a printing method, or the like can be used as a film formation method.
  • a mask evaporation method, an inkjet method, a printing method, or the like can be used.
  • the layer at the cathode 2 is used as an anode by setting the layer at the site of the cathode 2 and the layer at the site of the anode 5 to a specific material, thickness, and the like, respectively. Also, by operating and driving the layer at the position of the anode 5 as a cathode, light can be emitted from the light emitting layer to the outside through the protective substrate. ' (Embodiment 5)
  • auxiliary anode is a conductive material having a light absorbing property.
  • chromium was used as the auxiliary electrode 7 instead of tantalum.
  • the reflectivity of chromium was 60%, the reflectivity of external light was reduced and the improvement of contrast was recognized.
  • the light-absorbing conductive material in addition to the above-described chromium, a high-molecular conductive material such as Bytron or Polyaniline manufactured by Bayer Corporation, or carbon can be used in the same manner.
  • auxiliary anode is a conductive material having light absorbency, particularly carbon.
  • carbon was used as the auxiliary electrode 7 instead of tantalum.
  • the film was formed by a mask evaporation method. As a result, the reflectance of external light from between pixels is almost eliminated, and the contrast is dramatically increased.
  • the light-absorbing conductive material besides carbon, a polymer conductive material such as Byrron or Polyaniline manufactured by Bayer, chromium, or the like can be used in the same manner.
  • an active matrix structure including a switching element is stacked on a substrate, and a cathode, a light emitting layer, and an anode are arranged so that at least the active matrix structure, particularly at least a part of the switching element, overlaps in plan view.
  • FIG. 5 shows a cross-sectional structure of the organic EL device of the present embodiment.
  • the structure shown in the figure is based on the structure shown in Fig. 3, with a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) as a switching element added to the substrate.
  • TFT thin film transistor
  • FIG. 6 shows that an anode, a cathode, and an anode are formed on a substrate in this order, and a region of a TFT element 10 as a switching element is formed below the pixel spacing wall 6 in a plan view.
  • 1 shows a cross-sectional structure of an organic EL device arranged so as to substantially overlap.
  • FIG. 5 similar to FIG. 3, above the substrate on which the TFT element 10 is formed.
  • a light-emitting pixel structure (a stacked structure of a cathode 2, a light-emitting layer 3, and an anode 5) having a configuration (an opening parting part 11 is added) was produced.
  • an organic EL device including the light emitting pixel structure shown in FIG. 6 was manufactured.
  • the organic EL device having the structure shown in FIG. 5 was driven to emit light to the anode 5 side, and the organic EL device having the structure shown in FIG. 6 was driven to emit light to the substrate 1 side.
  • the aperture ratio that can function as a light emitting layer could be improved (opening ratio 70%).
  • the area of the pixel opening can be designed independently of a switching element such as a TFT circuit, and the opening ratio can be drastically improved.
  • the layer of the cathode 2 and the layer of the anode 5 are each made of a specific material, thickness, etc. It is also possible to emit light from the light-emitting layer to the outside through the protective substrate by functioning and driving the layer of the part 2 as an anode and the layer of the part of the anode 5 as a cathode.
  • the layer at the portion of the cathode 2 and the layer at the portion of the anode 5 are each made to have a specific material, thickness, and the like.
  • the layer in the region of the cathode 2 as an anode and the layer in the region of the anode 5 as a cathode light can be emitted from the light emitting layer to the outside through the protective substrate.
  • the opening ratio can be improved as in the structure shown in FIG.
  • the present embodiment is characterized in that a semiconductor substrate on which an integrated circuit is formed is used as a substrate to be used.
  • a semiconductor substrate on which an integrated circuit is formed is used as a substrate to be used.
  • an example is shown in which an electronic circuit for a mobile phone, a controller for driving a display, a driver, and a transistor for driving an organic EL device are formed on a silicon substrate, and an organic EL device is formed in a display portion.
  • FIG. 7 shows a conceptual diagram of a silicon substrate on which the organic EL device of the present embodiment is formed.
  • ⁇ L display section 12 with such an organic EL element (pixel structure) arranged in an XY matrix is provided, and X driver 14 and ⁇ driver 13 for matrix drive of the display section are provided around it. Further, a controller 15, an electronic circuit 16, and a power supply circuit 17 are mounted and connected to a power supply and a switch. With this fairness, all the circuits can be mounted on a single silicon substrate, and externally controlled by a switch to realize a function as a mobile phone.
  • a protective substrate having a light-absorbing layer formed in a portion corresponding to between pixels is connected to the pixel on the substrate and the protective substrate via a sealing resin.
  • An example is shown in which the pixels are bonded together while being aligned with the pixel corresponding part.
  • FIG. 8 shows a cross-sectional structure of the organic EL device of the present embodiment.
  • the sealing material 8 is applied to the substrate formed up to the anode in the third embodiment, and the light absorbing layer 19 is formed so as to correspond to between pixels.
  • the protective substrate 9 is bonded and fixed while being positioned.
  • the organic EL device thus produced can exhibit sufficient display uniformity due to the effect of the auxiliary anode, and can also efficiently attenuate the reflection of external light, and perform display with good contrast. Become.
  • At least a cathode, a light emitting layer, a hole transport layer, and a or a hole injection layer, and a transparent anode are laminated in this order on an organic EL device, in particular, a device having a structure shown in FIG.
  • an organic EL device in particular, a device having a structure shown in FIG.
  • UV ozone treatment can also be used as a method for making the surface of the light emitting layer hydrophilic.
  • a highly polar solution such as a diphosphate solution is exemplified.
  • At least an insulating pixel spacing wall is formed on the substrate, and then a reflective cathode is formed on the entire surface, and at the same time, the cathode and the auxiliary anode on the partition are separated due to the step of the partition.
  • a light emitting layer and a transparent anode are laminated in this order in the pixel ⁇ ⁇ is shown.
  • FIG. 9 shows a cross-sectional structure of the organic EL device of the present embodiment.
  • the angle of the pixel spacing wall 6 is set to protrude, the patterning will be more reliable, but when forming up to the anode 5 to be formed later. Optimal because the pixel spacing wall 6 will break. Is required.
  • an insulating pixel spacing wall material is applied and baked on the entire surface of the substrate, and then a material serving as an auxiliary anode is formed on the entire surface, and photolithography is performed.
  • the auxiliary anode layer is patterned and etched, then the pixel spacing wall layer below is patterned and etched, and the pixel spacing wall layer is fully baked, and then at least the light emitting layer and the transparent anode are included in the pixel in this order.
  • the following shows an example of stacking. Specifically, an element having the structure shown in FIG. 3 was created.
  • the cathode 2 was formed on the substrate 1 by patterning.
  • a polyimide solution was applied as a material of the insulating pixel spacing wall 6 to the entire surface of the substrate and calcined.
  • tantalum to become the auxiliary anode 7 was sputtered over the entire surface to a thickness of 1000 angstroms.
  • a resist was applied and exposed.
  • the tantalum was etched.
  • the polyimide was etched.
  • the resist was peeled off, and the main baking of polyimide was performed to complete the structure of the pixel spacing wall 6 and the auxiliary anode 7.
  • the pixel spacing wall material and the auxiliary electrode material used in the present embodiment can be similarly used as long as they can be patterned in the photolithography process.
  • the structure in which the cathode, the light emitting layer, and the anode are laminated in this order from the substrate side of the organic EL device allows the aperture ratio to be increased even when an active element is used.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

明 細 書 有機 EL装置およびその製造方法 技術分野 ·
本発明は、コンピューターや携帯電話、テレビジョンなどの情報端 末機器に用いられる、表示装置としての有機エレクト口ルミネッセン ス(本明細書では有機 ELと記す)装置の構造およびその製造方法 に関する。 背景技術
近年、情報端末の携帯化が加速しており、携帯化するために必 要な省電力ディスプレイの開発が盛んになつている。その中で特に 有機 ELディスプレイは注目 されており、その開発も実用段階に入つ てきている。
省電力ディスプレイを実現するには、有機 EL素子を'薄膜トランジ スタ (TFTなどのアクティブ素子で駆動することが最も効果的とされる t なぜならば、アクティブ素子を使えば、有機 EL素子を直流電圧によ り駆動することができ、有機 EL素子に負担のかからない低電圧で、 しかも発光効率の高い領域で駆動することができる。アクティブ素子 を用いない単純マトリックス駆動では、選択期間に高い電圧を印加 して輝度を稼ぐ必要がある。このため、有機 EL素子には大変な負 担がかかり、しかも発光効率が低くなつてしまう。 当然寿命が短くな る。
省電力な有機 ELディスプレイには TFTなどを用いたァグティブマト リックス方式が有力であるが、一方でディスプレイとしての表示面積 に対する発光面積の比率を示す開 口 率が低くなるという欠点を持 つ。 開 口率が低くなると、表示輝度を稼ぐために画素あたりの輝度 を高めなければならない。すると駆動電圧が高くなり、結果的に消費 電力が高くなり、また有機 EL素子に負担がかかるため寿命が短くな る課題を有する。このような課題を解決するべく、図 2に示したように, 有機 EL素子(装置)の構成において、基板と反対側から光を出す ようにするために、陰極を透明化した例もある(IEEE TRANSAC TIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 44, NO. 8, 11 88〜 1203ページ)。 具体的には、基板 1上に陽極 5、正孔注入層 4、発光層 3、陰極 2、透明補助陰極 21の順で積層した構造とし、 透明補助陰極 2 1側から光を出射する。こうすれば T F T基板側から 光を出さなくても良くなるのだが、しかしながら、上記の構造で用いら れた陰極の光透過率が基板の半分程度であり、実質的に表示が 暗くなつてしまうという問題があった。 発明の開示
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、その課題とすると ころは、特に、スイッチング素子を用いても開 口率おょぴ光透過率を 低下させることの無い素子構成およびその製造方法を提供するとこ ろにあり、ひいては低消費電力'であり、 且つ長寿命の有機 E L装置 を提供ことにある。また同時に輝度低下させずに外光の映り込みに よるコントラスト低下を防ぐ構造を提示するところにある。
本発明によれば、基板上に少なくとも陰極、発光層、 陽極、が、 この順序で積層されていることを特徴とする有機 E L装置が提供され る。
また、本発明によれば、基板上にそれ'ぞれ複数の画素を有する 有機 E L装置であって、複数の画素の夫々は隔壁によって区画され た領域であり、該領域において、基板側から第一の電極、発光層、 及び第二の電極がこの順で積層され、発光層からの光が該第二の 電極側から外部に出射することを特徴とする有機 E L装置が提供さ れる。
また、本発明によれば、基板上に少なくとも陰極、発光層、透明 陽極を、 この順序で積層することを特徴とする有機 E L装置の製造 方法が、提供される。 図面の簡単な説明
図 1は、実施形態 1に係る有機 E L装置の構造を示す断面図で める。
図 2は、実施形態 1の対比としての有機 E L装置の構造を示す断 面図である。
図 3は、実施形態 3に係る有機 E L装置の構造を示す断面図であ る。
図 4は、実施形態 4に係る有機 E L装置の構造を示す断面図であ る。
図 5は、実施形態 7に係る有機 E L装置の構造を示す断面図であ る。 ' 図 6は、実施形態 7に関連する有機 E L装置の構造を示す断面 図である。
図 7は、実施形態 8に係る有機 E L装置(表示装置)の平面構造 を示す概念図である。
図 8は、実施形態 9に係る有機 E L装置の構造を示す断面図であ る。
図 9は、実施形態 1 1に係る有機 E L装置の構造を示す断面図で ある。 発明を実施するための形態
本発明は、 第一の特徴は、有機 E L装置において、基板上に少 なくとも陰極、発光層、 陽極が、この順序で積層されている点にあ る。
本構成に拠れば、発光層から見て基板と反対側に光を出射でき るため、基板側に不透明な材料を用いることが出来る。例えばシリコ ンなどの半導体基板、金属基板などである。このため、シリコン基板 上に集積回路を形成して、その上に有機 E L素子(装置)を作りこ むことが出来る。 尚、好ましくは、発光層と透明陽極間に正孔輸送 層及び Z又は正孔注入層を設ける。
その実施形態の例として、例えば以下の態様が挙げられる。
( 1 )上記第一の特徴の構成を有する有機 E L装置であって、前記 陰極が、少なくともー瘇類の導電性材料と、金属の酸化物または 弗化物の積層からなる有機 E L装置。
本構成に拠れば、有機 E L装置において、その発光効率を更に 高めることができる。
( 2 )上記第一の特徴の構成を有する有機 E L装置であって、複数 の画素を有し、前記基板上に各画素群に対応する陰極が形成さ れており、画素間に絶縁体からなる画素間隔壁が形成されており、 該絶縁体からなる隔壁上に対応する位置に該隔壁と同様のパター ンで、導電性材料から成る補助陽極が形成されていることを特徴と する有機 E L装置。
本構成に拠れば、補助陽極を用いて一般的に抵抗の高い透明 陽極の抵抗を下げることが出来、その結果全面均一に発光する有 機 E L装置を実現することができる。
( 3 )上記第一の特徴の構成を有する有機 E L装置であって、複数 の画素を有し、前記基板上に各画素に対応する陰極が形成され ており、画素間に絶縁体からなる画素間隔壁が形成されており、画 素においては少なくとも陰極、発光層、 陽極、補助陽極が、この順 序で積層されていることを特徴とする有機 EL装置。
本構成に拠れば、 陽極の抵抗を下げる補助陽極を後付けするこ とが出来、効果として補助陽極に様々な材料を用いることができ、そ の材料特有の効果を付与することができる。補助陽極のパターニン グにはマスク蒸着法、インクジェット法、印刷法などを用いることがで さる。
(4)上記(2)または(3)の有機 EL装置であって、前記補助陽極が 光吸収性を有する導電性材料であることを特徴とする有機 EL装 置。
本構成に拠れば、光出射側から表示を見る場合、画素間には光 吸収性の補助陽極が見えるため、外光が吸収され、コントラストが 高められ、表示が見やすくなる。
(5)上記(4)の有機 EL装置であって、前記補助陽極がカーボンま たはクロムであることを特徴とする有機 EL装置。
本構成に拠れば、画素間において.、より効果的に外光を吸収でき る。
(6)上記第一の特徴の構成を有する有機 EL装置であって、基板 上にスイッチング素子を含むアクティブマトリックス構造が設けられ積 層され、平面視において少なくとも該スイッチング素子の少なくとも 一部に重複して陰極、発光層、 陽,極の積層構造が形成されている ことを特徴とする有機 EL装置。
本構成に拠れば、画素としての開 口 部の面積を、スイッチング素 子に関連する回路とは無関係に設計でき、その効果として、 開 口 率を飛躍的に向上できる。
(7)上記第一の特徴を有する有機 EL装置であって、前記基板とし て集積回路を形成した半導体基板を用いたことを特徴とする有機 EL装置。
本構成に拠れば、シリコン基板上に携帯端末の電子回路、デイス プレイ駆動用のコントローラ、 ドライバー、電源回路など、装置に必 要とされる電子回路をすベて半導体基板上に形成し、さらに有機 E L装置駆動用のトランジスタ等までを設けることが可能となるため、装 置の高性能化およ,ぴコストダウンを同時に実現できる。
(8)上記(3)又は(4)の有機 EL装置において、前記陽極及びノ 又は前記補助陽極まで形成した後、画素間に対応する部分に光 吸収性の層を形成した保護基板を、封止樹脂を介して、画素と保 護基板の画素対応部に位置合わせし張り合わせてあることを特徴 とする有機 E L装置。
本構成に拠れば、補助陽極とは別に画素間に光吸収部を設ける ことが出来るため、補助陽極および光吸収材料を最適化することが できる。 .
( 9 )基板上に少なくとも陰極、発光層、陽極を、この順序で積層す ることを特徴とする有機 E L装置の製造方法。
この方法では、好ましくは、発光層上に、正孔輸送層及ぴ Z又は 正孔注入層を設け、続けて陽極を形成することができる。
( 1 0 )上記(9 )の有機 E L装置の製造方法であって、前記発光層を 形成した後、発光層表面に親水化処理を施すことを特徴とする。 本構成に拠れば、水溶性の正孔注入材料溶液を均一に塗布す ることが出来る。その一般的な方法としては、酸素プラズマ照射法が 用いられる。
( 1 1 )基板上に少なくとも絶縁性画素間隔壁を形成し、その後反 射性陰極材料を全面に堆積させ同時に隔壁の段差により陰極と 隔壁上の補助陽極を分離して該陰極と該補助電極を形成し、続 いて該隔壁で区画された領域に少なくとも発光層、 陽極をこの順序 で積層することを特徴とする有機 E L装置の製造方法。
本構成に拠れば、補助陽極のパターニングが必要無く、コストを低 減することできる。
( 1 2 )基板上に前記陰極を形成した後、基板全面に絶縁性画素 間隔壁材料を塗布仮焼成し、補助陽極となる材料を全面に成膜 し、続いてフォトリソグラフイエ程により、補助陽極材料の層をパター ニングエッチングし、次にその下の画素間隔壁材料の層をパター二 ングエッチングし、前記隔壁層を本焼成して、その後該隔壁で区画 された領域内には少なくとも発光層、 陽極をこの順序で積層するこ とを特徴とする有機 E L装置の製造方法。
本構成に拠れば、画素間隔壁と補助陽極のパターニングを同時 に実施することできるようになる。 '
以下、本発明の具体的な実施形態を説明する。
(実施形態 1 )
本実施形態では、基板上に少なくとも陰極、発光層、透明陽極 . 正孔輸送層そして/または正孔注入層が、この順序で積層されて いる例を示す。 図 1に本実施形態の有機 E L装置の断面を示す。 まず、基板 1に陰極 2を形成する。 次に発光層 3を形成し、さらに 正孔注入層 4を形成する。 次に陽極 5を形成し、さらに封止層 (図 示せず)を形成する。
こうして作成した有機 E L装置の電極間に電圧を印加したところ、 封止層側から光を出射した。
ここで用いる基板 1には、ガラス基板のほか、金属、半導体、プラス チックなどを用いることが出来、また不透明な基板でも用いることがで さる。
ここで用いる陰極 2には、アルミニウム、マグネシウム、リチウム、カル シゥム、およびこれら金属の合金またはこれら金属の積層 (この場合 - 発光層側に仕事関数の低いものを配置する)を用いることができる。 ここで用いる発光層 3には高分子系材料や低分子材料を用いる ことが出来る。 たとえば P P V、ポリジォクチルフルオレン、ポリフルォレ ン、 Al q 3、 D PVB iなどである。
ここで用いる正孔注入層 Z正孔輸送層 4には、バイエル社製 Byt ronのほ力、、低分子系材料 TPD、 MTDATA、銅フタロシアニンなど, 一般的なものが用いることが出来る。
ここで用いる陽極 5には、 I T Oのほか、ネサ膜、 出光興産株式会 社より発売されている I D I X Oなどを用いることが出来る。 特に I D I X Oは室温で成膜しても十分な導電性が得られるために好都合であ る。
封止には熱硬化性エポキシ樹脂を用いたが、紫外線硬化型榭 脂でも同様に用いられる。 また保護基板を併用すると効果的であ る。
本実施例の構成に拠れば、発光層から見て基板と反対側に光を 出射できるため、基板側に不透明な材料を用いることが出来る。例 えばシリコンなどの半導体基板、金属基板などである。このため、シリ コン基板上に集積回路を形成して、その上に有機 E L素子 (装置) を作りこむことができる。
(実施形態 2 )
本実施形態では、前記陰極が、少なくとも一種類の導電性材料 と、金属の酸化物または弗化物の積層からなる具体例を示す。 実 施形態 1の方法において、陰極としてアルミニウムを製膜した後にフ オトリソグラフイエ程を通してパターニングし、酸素プラズマ処理したと ころ、表面に 2 0オングストロームの酸化物層ができていた。この陰極 付き基板を用いて、実施形態 1の残りの工程を行って、有機 E L装 置を作成したところ、発光効率が実施例 1の 2倍(0. '21m/W)であ つた。
陰極表面に酸素プラズマを掛ける替わりに弗化リチウムを膜厚 20 オングストロームに蒸着したところ、発光効率は 0. 51m/Wであつ た。
ここで用いた発光層 3はポリフルオレン系材料であり、スピンコート にて製膜した。 また正孔注入層 4にはバイエル社製 Bytronをスピン ロートして用いた。 陽極 5には IDIXOを用いた。 これらの材料および 製膜条件はこれに限るものではない。
(実施形態 3)
本実施形態では、 図 3に示す構造であって、 基板 1上に発光画 素群に対応する陰極群 2が形成されており、発光画素群間に絶縁 体からなる画素間隔壁 6が形成されており、画素間隔壁 6上に導 電性材料から成る補助陽極 7が、画素間隔壁 6とほぼ同じパターン で形成されている例を示す。
具体例を次に示す。まず、陰極 2のパターユングの後、ポリイミドに よって画素間隔壁 6を形成、パターニングした後に、タンタルを 1000 オングストローム製膜し、画素間隔壁 6と同じパターンにフォトリソダラ フィによりパターユングした。次に全面に弗化リチウムを 20オングスト ローム製膜し、次に発光層 3として赤、緑、青に発光する 3種類のポ リフルオレン系材料をイソデュレンに溶かし、インクジェット法にて赤、 緑、青の画素にそれぞれパターユング製膜した。次に正孔注入層 4 としてバイエル社製 Bytronをインクジェット法にて各画素にパター二 ング製膜した。 次に陽極 5として、 出光興産株式会社製 ID IXOを スパッタ形成した。 さらにエポキシ系封止材 8および保護基板 9にて 封止した。こうして作成した有機 EL装置の各画素に、赤青緑独立 に電圧を供給したところ、電圧印加に対応して、均一なカラー画像 を観測できた。
尚、参考として、補助陽極 7の無い素子を作成してみたところ、陽 極引き出し近辺の画素だけが発光した。
ここで用いる陰極、発光材料、正孔注入材料、 陽極、補助陽極 . 封止材料には、実施形態 1に示したような材料でも用いることが出 来る。また成膜方法としてインクジェット法、マスク蒸着法、印刷法な ども用いることができる。
なお、本実施形態の同様の構造において、陰極 2の位置の層と して?1、 11:、 ]^1、? 八11の層、又は ITOと A1の積層構造等を設け て不透明層とし、 陽極 5の位置に、金、 カルシルム、 アルミニウムの 層、.これらの積層構造、 M gと銀の共蒸着層等を所定の厚みで設 けて透明層とし、この構造において陰極 2の位置の層を陽極として、 陽極 5の位置の層を陰極として駆動させ、発光層から上層へ保護 基板を通じて光が出射するような形態とすることができる。この場合、 補助陽極 7は、陰極の補助層とする。 .
(実施形態 4 )
本実施形態では、前記基板上に発光画素群に対応する陰極群 が形成されており、発光画素群間に絶縁体からなる画素間隔壁が 形成されており、画素においては少なくとも陰極、発光層、透明陽 極、補助陽極が、この順序で積層されている例を示す。
図 4に本実施形態の有機 E L装置の断面構造を示す。
陰極 2のパターニング形成の後、ポリイミドによって画素間隔壁 6を 成膜、パターニングにより形成した。次に全面に弗化カルシウムを 2 0 オングストローム製膜し、次に発光層 3として赤、緑、青に発光する 3 種類の低分子系材料を、マスク蒸着法により赤、緑、青の画素に それぞれパターニング製膜した。 次に正孔 ¾入層 4として T P D引き 続いて MTD ATAを全面に蒸着した。次に陽極 5として、 出光興産 株式会社製 I D IX Oをスパッタした。後に、タンタルを 1 0 00オングスト ロームにマスク蒸着し、パターユングした。 さらにエポキシ系封止材 8 および保護基板 9にて封止した。こうして作成した有機 E L装置の各 画素に、赤青緑独立に電圧を供給したところ、電圧印加に対応し て、均一なカラー画像を観測できた。
参考例として、補助陽極 7の無い素子を作成してみたところ、 陽 極引出し近辺の画素だけが発光した。
ここで用いる陰極、発光材料、正孔注入材料、 陽極、補助陽極 封止材料には、実施形態 1に示したような材料でも用いることが出 来る。また成膜方法としてマスク蒸着法以外にも、インクジェット法、 印刷法なども用いることが出来る。
補助陽極のパターユングにはマスク蒸着法、インクジェット法、 印 刷法などを用いることが出来る。
また、実施形態 3で説明した場合と同様に、陰極 2の部位の層と 陽極 5の部位の層を夫々、特定の材料、厚み等とすることにより、陰 極 2の部位の層を陽極として、 陽極 5の部位の層を陰極として、機 能させて駆動させることによつても、発光層から保護基板を通じて外 部へ光を出射させることが可能となる。 ' (実施形態 5 )
本実施形態では、前記補助陽極が光吸収性を有する導電性材 料である例を示す。 .
実施形態 3において補助電極 7としてタンタルの替わりにクロムを 用いた。その結果、クロムの反射率が 6 0 %であるので、外光の反射 率が減り、コントラストの向上が認められた。
光吸収性の導電材料としては上述のクロムのほかにバイエル社 製 B yt ro n やポリア二リンなどの高分子導電材料や、カーボンなども 同様に用いることができる。
(実施形態 6 )
本実施形態では、前記補助陽極が光吸収性を有する導電性材 料、特にカーボンである例を示す。
実施形態 4において補助電極 7としてタンタルの替わりにカーボン を用いた。その成膜にはマスク蒸着法を用いた。その結果、画素間 からの外光の反射率がほとんど無くなり、コントラストが飛躍的に高ま つに。
光吸収性の導電材料としてはカーボンのほかにバイエル社製 Byt r o n やポリア二リンなどの高分子導電材料や、クロムなども同様 に用いることができる。
(実施形態 7 )
本実施形態では、基板上にスイッチング素子を含むアクティブマト リックス構造が積層され、平面視において、少なくともそのアクティブ マトリックス構造、特に当該スイッチング素子の少なくとも一部が重 複するように陰極、発光層、 陽極の積層画素構造が形成されてい る例を示す。 図 5に本実施形態の有機 E L装置の断面構造を示 す。
同図の構造は図 3に示す構造をベースとして、基板上にスィッチ ング素子としての薄膜トランジスタ(以下 T F Tと記す)を付加したもの である。
画素間隔壁の下層に発光層からの光の出射領域を規定する開 口部見切り部分 1 1が設けられている。また、他の例として、 図 6に、 基板上に陽極、陰極、陽極の順で形成され、スイッチング素子とし ての T F T素子 1 0の領域が平面視において画素間隔壁 6の下方に 該隔壁に実質的に重複するように配置した有機 E L装置の断面構 造を示す。
図 5において、 T FT素子 1 0を形成した基板上方に、図 3と同様の 構成(開 口部見切り部分 11が付加)の発光画素構造(陰極 2、発 光層 3、及び陽極 5の積層構造)を作製した。 同様に、 図 6に示す 構造の発光画素構造を含む有機 EL装置を作製した。
かかる図 5に示す構造の有機 EL装置を駆動させ陽極 5側へ光 を出射させ、図 6に示した構造の有機 EL装置を駆動させ基板 1側 へ光を出射させた。 図 6に示す構造(開 口 率 30%)に比べて、 図 5 に示す構造では、光の出射側と反対側(基板側)に画素構造、特 に発光層と平面視において重複するようにスイッチング素子を設け たことで、発光層として機能させ得る開 口 率を向上させることができ た(開 口 率 70%)。 従来、表示輝度で 100Cd/m2出すために駆 動電圧 6Vであったのが、本実施形態では表示輝度 lOOCdノ m2 出すためには 5Vで済むようになった。このため寿命が 10倍になった。 本実施形態に拠れば、画素開 口部の面積を、 TFT回路等のスィ ツチング素子とは無関係に設計でき、 開 口率を飛躍的に向上でき る。 '
尚、図 5に示す構造において、実施形態 3において述べた場合と 同様(こ、 陰極 2の部位の層と、 陽極 5の部位の層を夫々、特定の 材料、厚み等とすることにより、 陰極 2の部位の層を陽極として、 陽 極 5の部位の層を陰極として、機能させて駆動させることによつても、 発光層から保護基板を通じて外部へ光を出射させる とが可能と なる。
更に、 図 6に示す構造においても、実施形態 3において述ベた場 合と同様に、陰極 2の部位の層と、陽極 5の部位の層を夫々、特定 の材料、厚み等とすることにより、 陰極 2の部位の層を陽極として、 陽極 5の部位の層を陰極として、機能させて駆動させることによって も、発光層から保護基板を通じて外部へ光を出射させることが可能 となる。この場合、 図 5に示す構造と同様に開 口率を向上させること が可能となる。
(実施形態 8)
本実施形態では、用いる基板として集積回路を形成した半導体 基板を用いたことを特徴とする。 本実施例では、シリコン基板上に 携帯電話用の電子回路、ディスプレイ駆動用のコントローラ、 ドライ バー、有機 EL装置駆動用のトランジスタまで形成して、表示部に有 機 EL装置を形成した例を示す。 図 7に本実施形態の有機 EL装 置を形成したシリコン基板の概念図を示す。
同図に示すように、シリコン基板 18上に前述の実施形態で示した ような有機 E L素子(画素構造)を XYマトリクス状に配置した有機 Ε L表示部 1 2が設けられ、その周辺に表示部のマトリクス駆動に対す る Xドライバー 1 4、 Υドライバー 1 3が設けられ、更にコントローラ 1 5、電 子回路 1 6、電源回路 1 7が搭載され、電源及びスィッチに接続され ている。かかる公正により、一枚のシリコン基板上にすべての回路を 載せ、外部からスィッチにより制御して携帯電話としての機能を実 現できる。
本実施形態では携帯電話の例を示したが、この例に限らず、省 電力小型軽量化が求められる用途には応用できる。
(実施形態 9 )
本実施形態では、前記陽 feまたは前記補助陽極まで形成した 後、画素間に対応する部分に光吸収性の層を形成した保護基板 を、封止樹脂を介して、基板上の画素と保護基板の画素対応部 に位置合わせしつつ張り合わせた例を示す。 図 8に本実施形態の 有機 E L装置の断面構造を示した。
実施形態 3で陽極まで形成した基板に封止材 8を塗って、光吸 収層 1 9を画素間に対応するように形成する。保護基板 9を位置あ わせしつつ貼り合わせ固定する。こうして作成した有機 E L装置は、 補助陽極の効果で十分な表示の均一性を示し、かつ、外光の反 射を効率的に減衰させることができ、コントラストの良好な表示を行う ことが可能となる。
(実施形態 1 0 )
本実施形態では基板上に少なくとも陰極、発光層、正孔輸送層 . そしてノまたは正孔注入層、透明陽極が、この順序で積層される有 機 E L装置、特に図 1に示す構造の素子の製造方法において、前 記発光層を形成した後、発光層表面に親水化処理を施す例を示 す。
図 1において、発光層 3としてポリフルオレン系材料を用いると、正 孔注入層 4として一般的に用いられるバイエル社製 B yt r o n (水分 散液)は、濡れ性が悪いためにうまく成膜できないことがある。そこで. 発光層 3を形成した後に、酸素プラズマを照射して Bytr o nをスピン コートしたところ、均一な膜を成膜することができた。こうして作成した 有機 E L装置は全面均一な発光を示した。
本実施形態において、発光層表面を親水化する方法として、 UV オゾン処理も用いることができる。
本実施形態で用いることの出来る正孔注入材料としては、ポリア 二リン塩溶液など、極性の高い溶液などが挙げられる。
(実施形態 1 1 )
本実施形態では、 基板上に少なくとも絶縁性画素間隔壁が形 成ざれ、その後反射性陰極が全面に成膜され、 同時に隔壁の段 差に.より陰極と隔壁上の補助陽極が分離され、その後画素內には 少なくとも発光層、透明陽極がこの順序で積層される例を示す。 図
9に本実施形態の有機 E L装置の断面構造を示す。
陰極引 出し配線 2 0をパターニングし、画素間隔壁 6を形成した後 . 陰極 2としてアルミニウムを蒸着した。この時、画素間隔壁 6の壁によ り、陰極パターニングが生じ、 同時に補助陽極 7がパターニング形成 された。
画素間隔壁 6の壁の角度をせり出すように設定すれば、パター二 ングがより確実となるが、その後形成する陽極 5までを形成する際に. 画素間隔壁 6により断線してしまうため、最適化が必要となる。
(実施形態 1 2 )
本実施形態では、基板上に陰極を形成した後、基板全面に絶 縁性画素間隔壁材料が塗布仮焼成された後、補助陽極になる材 料が全面に成膜され、フォトリソグラフイエ程により、まず補助陽極 層がパターニングエッチングされ、次にその下の画素間隔壁層がパ ターニングエッチングされ、画素間隔壁層を本焼成して、その後画 素内には少なくとも発光層、透明陽極がこの順序で積層される例を 示す。具体的には、図 3に示す構造の素子を作成した。
まず、基板 1上に陰極 2をパターニング形成した。 次に、基板全 面に絶縁性画素間隔壁 6の材料としてポリイミド溶液を塗布し仮焼 成した。 その後補助陽極 7になるタンタルを 1 0 0 0オングストロームの 膜厚に全面にスパッタした。 その後レジストを塗布し、露光した。 現 像した後にタンタルをエッチングした。その後、ポリイミドをエッチングし た。次にレジストを剥離し、ポリイミドの本焼成を行い、画素間隔壁 6 と補助陽極 7の構造を完成した。
本実施形態で用いる画素間隔壁材料や補助電極材料はフォト リソ工程でパターユングできるものであれば同様に用いることができ る。
以上詳述したように、本発明に拠れば、有機 E L装置の基板側か ら陰極、発光層、陽極の順で積層させた構造とすることにより、ァク ティブ素子を用いても開 口率および光透過率を低下させることの無 い素子構成およびその製造方法を提供できるようになった。これに より低消費電力であり、且つ長寿命の有機 E L装置を提供できるよ うになる。また同時に輝度低下させずに外光の映り込みによるコント ラスト低下を防ぐ構造を有する有機 E L装置を実現できるようにな る。

Claims

請 求 の 範 囲
(1)基板上に少なくとも陰極、発光層、 陽極が、この順序で積層さ れて有機 EL装置。
(2)前記陰極が、少なくとも一種類の導電性材料と、金属の酸化 物または弗化物の積層からなる請求の範囲第 1項記載の有機 EL 装置。
(3)複数の画素を有し、前記基板上に各画素群に対応する陰極 が形成されており、画素間に絶縁体からなる画素間隔壁が形成さ れており、該絶縁体からなる隔壁上に対応する位置に該隔壁と同 様のパターンで、導電性材料から成る補助陽極が形成されているこ とを特徴とする請求の範囲第 1項記載の有機 EL装置。
(4)複数の画素を有し、前記基板上に各画素に対応する陰極が 形成されており、画素間に絶縁体からなる画素間隔壁が形成され ており、画素においては少なくとも陰極、発光層、陽極、補助陽極 が、この順序で積層されていることを特徴とする請求の範囲第 1項 記載の有機 EL装置。
(5)前記補助陽極が光吸収性を有する導電性材料であることを特 徴とする請求の範囲第 3項又は第 4項記載の有機 EL装置。
(6)前記補助陽極がカーボンまたはクロムであることを特徴とする請 求の範囲第 5項記載の有機 EL装置。
(7)前記基板上にスイッチング素子を含むアクティブマトリックス構 造が設けられ積層され、平面視において少なくとも該スイッチング素 子の少なくとも一部に重複して陰極、発光層、 陽極の積層構造が 形成されていることを特徴とする請求の範囲第 1項記載の有機 EL
(8)前記基板として集積回路を形成した半導体基板を用いたこと を特徴とする請求の範囲第 1項記載の有機 EL装置。
(9)前記陽極及び/又は前記補助陽極まで形成した後、画素間 に対応する部分に光吸収性の層を形成した保護基板を、封止樹 脂を介して、画素と保護基板の画素対応部に位置合わせし張り合 わせてあることを特徴とする請求の範囲第 3項又は第 4項記載の有 機 EL装置。
(10)基板上に少なくとも陰極、発光層、 陽極を、この順序で積層 することを特徴とする有機 EL装置の製造方法。
(11)前記発光層を形成した後、発光層表面に親水化処理を施 すことを特徴とする請求の範囲第 10項記載の有機 EL装置の製造 方法。
( 12)基板上に少なくとも絶縁性画素間隔壁を形成し、その後反 射性陰極材料を全面に堆積させ同時に隔壁の段差により陰極と 隔壁上の補助陽極を分離して該陰極と該補助電極を形成し、続 いて該隔壁で区画された領域に少なくとも発光層、 陽極をこの順序 で積層することを特徴とする有機 EL装置の製造方法。
(13)基板上に前記陰極を形成した後、基板全面に絶縁性画素 間隔壁材料を塗布仮焼成し、補助陽極となる材料を全面に成膜 し、続いてフォトリソグラフイエ程により、補助陽極材料の層をパター ニングエッチングし、次にその下の画素間隔壁材料の層をパター二 ングエッチングし、前記隔壁層を本焼成して、その後該隔壁で区画 された領域内には少なくとも発光層、 陽極をこの順序で積層するこ とを特徴とする有機 EL装置の製造方法。
(14)基板上に複数の画素を複数有する有機 EL装置であって、複 数の画素の夫々は隔壁によって区画された領域であり、該領域に おいて、基板側から第一の電極、発光層、及ぴ第二の電極がこの 順で積層され、発光層からの光が該第二の電極側から外部に出 射することを特徴とする有機 EL装置。
(15)前記複数の画素の夫々にスイッチング素子が設けられているこ とを特徴とする請求の範囲 14項記載の有機 EL装置。
(16)前記能動素子の少なくとも一部が、平面視において、前記隔 壁に重複して設けられることを特徴とする請求の範囲第 14項記載 の有機 EL装置。
PCT/JP2001/001428 2000-02-25 2001-02-26 Dispositif organique el et procede de fabrication WO2001063975A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE60140784T DE60140784D1 (de) 2000-02-25 2001-02-26 Organische elektrolumineszente vorrichtung und verfahren zu dessen herstellung
EP01906318A EP1191823B1 (en) 2000-02-25 2001-02-26 Organic el device and method of manufacture thereof
JP2001562061A JP4144687B2 (ja) 2000-02-25 2001-02-26 有機el装置の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-50165 2000-02-25
JP2000050165 2000-02-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2001063975A1 true WO2001063975A1 (fr) 2001-08-30

Family

ID=18571984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2001/001428 WO2001063975A1 (fr) 2000-02-25 2001-02-26 Dispositif organique el et procede de fabrication

Country Status (8)

Country Link
US (3) US6869635B2 (ja)
EP (1) EP1191823B1 (ja)
JP (1) JP4144687B2 (ja)
KR (1) KR100476572B1 (ja)
CN (1) CN1242650C (ja)
DE (1) DE60140784D1 (ja)
TW (2) TWI282697B (ja)
WO (1) WO2001063975A1 (ja)

Cited By (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002289356A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2003092192A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP2003186420A (ja) * 2001-12-21 2003-07-04 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
EP1331666A2 (en) 2002-01-24 2003-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003288994A (ja) * 2002-01-24 2003-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004006327A (ja) * 2002-04-23 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004006332A (ja) * 2002-04-24 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2004031201A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2004046154A (ja) * 2002-06-03 2004-02-12 Lg Phillips Lcd Co Ltd アクティブ・マトリクス有機電界発光素子及びその製造方法
WO2004019659A1 (ja) * 2002-08-21 2004-03-04 Fujitsu Limited 有機el装置及びその製造方法
JP2004071365A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Hitachi Ltd 有機発光表示装置
JP2004087358A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Rohm Co Ltd 有機el表示装置
JP2004095551A (ja) * 2002-08-09 2004-03-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004111369A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
WO2004060021A1 (ja) * 2002-12-26 2004-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 発光装置
JP2004273420A (ja) * 2002-11-26 2004-09-30 General Electric Co <Ge> 有機電子デバイスにおける欠陥の影響を軽減する電極
JP2005032735A (ja) * 2000-09-25 2005-02-03 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子
JP2005116507A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Samsung Sdi Co Ltd 平板表示装置及びその製造方法
JP2005166662A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Samsung Electronics Co Ltd 有機発光表示板及びその製造方法
JP2005174907A (ja) * 2003-11-11 2005-06-30 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2005521206A (ja) * 2002-03-20 2005-07-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP2006059796A (ja) * 2004-07-22 2006-03-02 Sharp Corp 有機発光素子、それを備えた表示装置、及び有機発光素子の製造方法
JPWO2004055763A1 (ja) * 2002-12-13 2006-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
US7094624B2 (en) 2001-12-29 2006-08-22 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device and fabricating method thereof
JP2007080717A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2007134345A (ja) * 2006-12-28 2007-05-31 Canon Inc 有機発光素子アレイおよび有機発光素子アレイパッケージ
JP2007141844A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置とその製造方法
JP2007165214A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US7303635B2 (en) 2003-05-12 2007-12-04 Sony Corporation Deposition mask, method for manufacturing display unit using it, and display unit
JPWO2005111972A1 (ja) * 2004-05-13 2008-03-27 株式会社アルバック 表示装置、表示装置の製造方法
JP2008108530A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
JP2008523551A (ja) * 2004-12-07 2008-07-03 トムソン ライセンシング 有機発光ダイオード、及び光取り出しを促進する反射防止層を有するダイオードパネル
WO2009031288A1 (ja) * 2007-09-05 2009-03-12 Nikon Corporation 表示素子の製造方法、表示素子の製造装置、及び表示装置
JP2009139678A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器並びに成膜方法
JP2009540517A (ja) * 2006-06-10 2009-11-19 レオンハード クルツ シュティフトゥング ウント コー. カーゲー キャリア基質上に構造層を備えたコンポーネント
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2010192906A (ja) * 2010-03-03 2010-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びcpu
JP2010218805A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Fuji Xerox Co Ltd 有機電界発光素子、発光素子アレイ、露光ヘッド及び画像形成装置
JP2011503792A (ja) * 2007-11-09 2011-01-27 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド バスバーを備えた電子発光デバイス
US8021204B2 (en) 2002-04-23 2011-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2011187459A (ja) * 2011-06-29 2011-09-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP4849801B2 (ja) * 2002-12-26 2012-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
JP2012015129A (ja) * 2002-09-11 2012-01-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、表示装置および照明装置
KR20120010964A (ko) * 2010-07-26 2012-02-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 조명 장치, 및 발광 장치의 제작 방법
JP2012138378A (ja) * 2012-04-17 2012-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US8362487B2 (en) 2002-06-11 2013-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency
JP2013048108A (ja) * 2001-12-28 2013-03-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US8439718B2 (en) 2002-09-05 2013-05-14 Lg Electronics Inc. Organic el display panel for reducing resistance of electrode lines
JP2014017514A (ja) * 2002-01-25 2014-01-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2015028944A (ja) * 2004-04-28 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2015053137A (ja) * 2013-09-05 2015-03-19 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP2016525273A (ja) * 2013-09-30 2016-08-22 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子の製造方法
JP2016525784A (ja) * 2013-09-30 2016-08-25 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子
JP2016525785A (ja) * 2013-09-30 2016-08-25 エルジー・ケム・リミテッド 積層体およびその製造方法
JP2017208173A (ja) * 2016-05-16 2017-11-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2018179212A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法
JP2001237074A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス光源
US6191433B1 (en) * 2000-03-17 2001-02-20 Agilent Technologies, Inc. OLED display device and method for patterning cathodes of the device
SG125891A1 (en) * 2000-09-08 2006-10-30 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing thesame, and thin film forming apparatus
KR20010044357A (ko) * 2001-02-12 2001-06-05 유재수 유기발광소자의 보조양극 형성 방법 및 그에 의한유기발광소자
US6753654B2 (en) 2001-02-21 2004-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance
US6984546B2 (en) * 2001-03-15 2006-01-10 Delta Optoelectronics, Inc. Method for forming a thin film light emitting device
JP2002343578A (ja) * 2001-05-10 2002-11-29 Nec Corp 発光体、発光素子、および発光表示装置
CN100352080C (zh) * 2001-06-08 2007-11-28 朴炳柱 三端有机电致发光装置
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6750609B2 (en) * 2001-08-22 2004-06-15 Xerox Corporation OLEDs having light absorbing electrode
US7488986B2 (en) * 2001-10-26 2009-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6956240B2 (en) * 2001-10-30 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3705264B2 (ja) * 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
EP1343206B1 (en) 2002-03-07 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus
EP2009676B8 (en) * 2002-05-08 2012-11-21 Phoseon Technology, Inc. A semiconductor materials inspection system
US7659547B2 (en) * 2002-05-22 2010-02-09 Phoseon Technology, Inc. LED array
TW588571B (en) * 2002-05-24 2004-05-21 Sanyo Electric Co Electroluminescence display device
US7897979B2 (en) * 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4120279B2 (ja) * 2002-06-07 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器
JP4240276B2 (ja) 2002-07-05 2009-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP3729262B2 (ja) 2002-08-29 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
US7385572B2 (en) * 2002-09-09 2008-06-10 E.I Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device having improved homogeneity
US7161291B2 (en) * 2002-09-24 2007-01-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd Display element and method for producing the same
JP2004119342A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Pioneer Electronic Corp 有機el積層型有機スイッチング素子及び有機elディスプレイ
JP3997888B2 (ja) 2002-10-25 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
KR101032337B1 (ko) 2002-12-13 2011-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
JP4373086B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4401657B2 (ja) * 2003-01-10 2010-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の製造方法
JP4244697B2 (ja) * 2003-05-13 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び方法
EP1627433A1 (en) * 2003-05-19 2006-02-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent device
EP1505666B1 (en) * 2003-08-05 2018-04-04 LG Display Co., Ltd. Top-emission active matrix organic electroluminescent display device and method for fabricating the same
US7541734B2 (en) * 2003-10-03 2009-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative
EP1521316B1 (en) 2003-10-03 2016-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting element
US7524085B2 (en) * 2003-10-31 2009-04-28 Phoseon Technology, Inc. Series wiring of highly reliable light sources
JP2005158371A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネセンス素子とその製造方法、および照明装置
US8796670B2 (en) * 2003-12-26 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
EP1557891A3 (en) 2004-01-20 2006-10-04 LG Electronics Inc. Organic electroluminescent device and fabrication method thereof
TWI316826B (en) * 2004-03-25 2009-11-01 Au Optronics Corp Organic light-emitting diode and method of fabricating the same
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
US20060043372A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-02 Qiu Cindy X Light emitting devices and arrays with reduced electrode resistance
CN101027799B (zh) 2004-09-24 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 发光器件
US9281001B2 (en) * 2004-11-08 2016-03-08 Phoseon Technology, Inc. Methods and systems relating to light sources for use in industrial processes
KR100636497B1 (ko) * 2005-05-02 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치 및 그 제조방법
JP2006330469A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Fujifilm Holdings Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2007012411A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
US7642527B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-05 Phoseon Technology, Inc. Multi-attribute light effects for use in curing and other applications involving photoreactions and processing
DE102006016373A1 (de) 2006-04-05 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Großflächige OLED's mit homogener Lichtemission
KR20070110684A (ko) * 2006-05-15 2007-11-20 삼성전자주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
US8053971B2 (en) * 2006-07-31 2011-11-08 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device and method of fabricating the same
KR100811473B1 (ko) * 2006-10-17 2008-03-07 엘지전자 주식회사 전계발광패널 및 그를 포함하는 광원장치
US20080150421A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus
JP5087927B2 (ja) * 2007-01-09 2012-12-05 大日本印刷株式会社 有機発光素子、有機発光トランジスタ及び発光表示装置
JP2008170756A (ja) 2007-01-12 2008-07-24 Sony Corp 表示装置
US20080309225A1 (en) * 2007-05-18 2008-12-18 Masao Shimizu Organic electroluminescent display device
JP5208591B2 (ja) 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
US20090091254A1 (en) * 2007-10-08 2009-04-09 Lg.Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
KR100918403B1 (ko) 2008-02-12 2009-09-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR100937865B1 (ko) 2008-03-18 2010-01-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US8933625B2 (en) 2008-03-18 2015-01-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus that can function as a mirror
US7932112B2 (en) * 2008-04-14 2011-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
KR100911993B1 (ko) * 2008-06-03 2009-08-13 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
KR20100037876A (ko) * 2008-10-02 2010-04-12 삼성전자주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR101084195B1 (ko) * 2010-02-19 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5656438B2 (ja) * 2010-03-31 2015-01-21 キヤノン株式会社 新規ベンゾ[b]クリセン化合物及びこれを有する有機発光素子
US8421064B2 (en) * 2010-04-09 2013-04-16 Electronics And Telecommunications Research Institute Organic-light-emitting-diode flat-panel light-source apparatus
WO2012011511A1 (ja) * 2010-07-21 2012-01-26 住友化学株式会社 有機el素子の製造方法
JP2012099458A (ja) * 2010-10-05 2012-05-24 Seiko Epson Corp 有機el照明装置およびその製造方法
TWI419095B (zh) 2010-10-25 2013-12-11 Au Optronics Corp 顯示器
CN102122481B (zh) * 2010-11-01 2014-09-03 友达光电股份有限公司 显示器
TWI514050B (zh) * 2010-12-06 2015-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 背光膜片及其製造方法與成型設備
CN102537753B (zh) * 2010-12-09 2016-05-04 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 背光膜片及其制造方法与成型设备
CN104335679B (zh) * 2011-12-28 2016-12-14 王子控股株式会社 有机发光二极管、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置
WO2013128601A1 (ja) * 2012-02-29 2013-09-06 昭和電工株式会社 エレクトロルミネッセント素子、エレクトロルミネッセント素子の製造方法、表示装置および照明装置
CN104183749A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 倒置有机电致发光装置、显示屏及其终端
JP2016081562A (ja) 2014-10-09 2016-05-16 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
CN108369787B (zh) 2015-12-11 2021-02-09 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR102627284B1 (ko) * 2016-05-12 2024-01-22 엘지디스플레이 주식회사 캐소드 전극과 보조 캐소드 전극의 접속구조 형성 방법과 그를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치
CN107221610B (zh) * 2017-07-25 2019-03-12 南京迈智芯微光电科技有限公司 一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0854836A (ja) * 1994-08-10 1996-02-27 Nec Corp アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
JPH08124679A (ja) * 1994-10-25 1996-05-17 Ibm Japan Ltd エレクトロ・ルミネッセンス装置
JPH08213169A (ja) * 1995-02-01 1996-08-20 Fuji Electric Co Ltd 薄膜電場発光素子
JPH10335068A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 発光型表示装置
JPH118074A (ja) * 1997-06-18 1999-01-12 Seizo Miyata 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1145780A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Tdk Corp 有機el素子
JPH1174082A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Seiko Epson Corp 発光ディスプレイ
JPH1187062A (ja) * 1997-09-01 1999-03-30 Seiko Epson Corp 電界発光素子

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US527638A (en) * 1894-10-16 Printer s quoin
JPS62258040A (ja) 1986-05-02 1987-11-10 住友電気工業株式会社 コンクリ−ト構造物用棒鋼
JP3069139B2 (ja) * 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
DE69129907T2 (de) * 1990-11-30 1998-12-10 Idemitsu Kosan Co. Ltd., Tokio/Tokyo Organische elektroluminszente vorrichtung
US5276380A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
JP3463362B2 (ja) * 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JP3865406B2 (ja) * 1995-07-28 2007-01-10 住友化学株式会社 2,7−アリール−9−置換フルオレン及び9−置換フルオレンオリゴマー及びポリマー
US6091194A (en) * 1995-11-22 2000-07-18 Motorola, Inc. Active matrix display
JP3535659B2 (ja) 1996-06-11 2004-06-07 セイコープレシジョン株式会社 有機el素子の製造方法
US5776622A (en) * 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device
JPH1074583A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Sanyo Electric Co Ltd 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの 製造方法
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機el表示装置の製造方法
US5834893A (en) * 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US5965281A (en) * 1997-02-04 1999-10-12 Uniax Corporation Electrically active polymer compositions and their use in efficient, low operating voltage, polymer light-emitting diodes with air-stable cathodes
JPH10294176A (ja) * 1997-02-18 1998-11-04 Tdk Corp 有機el素子の製造方法および有機el素子
US5972419A (en) * 1997-06-13 1999-10-26 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display and method for making the same
JP3836946B2 (ja) * 1997-06-16 2006-10-25 出光興産株式会社 有機el表示装置
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP3861400B2 (ja) * 1997-09-01 2006-12-20 セイコーエプソン株式会社 電界発光素子およびその製造方法
JP3942715B2 (ja) 1998-01-06 2007-07-11 パイオニア株式会社 有機elディスプレイパネル及びその製造方法
JPH11224783A (ja) 1998-02-04 1999-08-17 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3543170B2 (ja) * 1998-02-24 2004-07-14 カシオ計算機株式会社 電界発光素子及びその製造方法
JP3900675B2 (ja) * 1998-04-23 2007-04-04 カシオ計算機株式会社 電界発光素子及びその製造方法
US6361886B2 (en) * 1998-12-09 2002-03-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved hole transport layer
EP1096568A3 (en) * 1999-10-28 2007-10-24 Sony Corporation Display apparatus and method for fabricating the same
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0854836A (ja) * 1994-08-10 1996-02-27 Nec Corp アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
JPH08124679A (ja) * 1994-10-25 1996-05-17 Ibm Japan Ltd エレクトロ・ルミネッセンス装置
JPH08213169A (ja) * 1995-02-01 1996-08-20 Fuji Electric Co Ltd 薄膜電場発光素子
JPH10335068A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 発光型表示装置
JPH118074A (ja) * 1997-06-18 1999-01-12 Seizo Miyata 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1145780A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Tdk Corp 有機el素子
JPH1174082A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Seiko Epson Corp 発光ディスプレイ
JPH1187062A (ja) * 1997-09-01 1999-03-30 Seiko Epson Corp 電界発光素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1191823A4 *

Cited By (117)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005032735A (ja) * 2000-09-25 2005-02-03 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子
JP2002289356A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2003092192A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP2003186420A (ja) * 2001-12-21 2003-07-04 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2013048108A (ja) * 2001-12-28 2013-03-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US9048203B2 (en) 2001-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
US9450030B2 (en) 2001-12-28 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix light-emitting device with overlapping electroluminescent layers
US10497755B2 (en) 2001-12-28 2019-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
US7094624B2 (en) 2001-12-29 2006-08-22 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device and fabricating method thereof
EP2509109A3 (en) * 2002-01-24 2014-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2010153397A (ja) * 2002-01-24 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
EP1331666A2 (en) 2002-01-24 2003-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9627459B2 (en) 2002-01-24 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having sealing material
US8089066B2 (en) 2002-01-24 2012-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
EP1331666A3 (en) * 2002-01-24 2009-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7692186B2 (en) 2002-01-24 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003288994A (ja) * 2002-01-24 2003-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP4627966B2 (ja) * 2002-01-24 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
JP2021144956A (ja) * 2002-01-24 2021-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8779467B2 (en) 2002-01-24 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having a terminal portion
JP2019194996A (ja) * 2002-01-24 2019-11-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100979925B1 (ko) * 2002-01-24 2010-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그 제조방법
US8937429B2 (en) 2002-01-25 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing thereof
JP2014017514A (ja) * 2002-01-25 2014-01-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2005521206A (ja) * 2002-03-20 2005-07-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP4700915B2 (ja) * 2002-03-20 2011-06-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP2004006327A (ja) * 2002-04-23 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US9978811B2 (en) 2002-04-23 2018-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US8021204B2 (en) 2002-04-23 2011-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9287330B2 (en) 2002-04-23 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US8519619B2 (en) 2002-04-23 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9000429B2 (en) 2002-04-24 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US9362534B2 (en) 2002-04-24 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US8344363B2 (en) 2002-04-24 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US8624235B2 (en) 2002-04-24 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP4683825B2 (ja) * 2002-04-24 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9165987B2 (en) 2002-04-24 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US9831459B2 (en) 2002-04-24 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display module with white light
JP2011096668A (ja) * 2002-04-24 2011-05-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び光源装置
US8785919B2 (en) 2002-04-24 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US10454059B2 (en) 2002-04-24 2019-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2004006332A (ja) * 2002-04-24 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9853098B2 (en) 2002-04-26 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US9412804B2 (en) 2002-04-26 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
US8803418B2 (en) 2002-04-26 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
US8497628B2 (en) 2002-04-26 2013-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
US8044580B2 (en) 2002-04-26 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
JP2004046154A (ja) * 2002-06-03 2004-02-12 Lg Phillips Lcd Co Ltd アクティブ・マトリクス有機電界発光素子及びその製造方法
US8362487B2 (en) 2002-06-11 2013-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency
JP2004031201A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US8540541B2 (en) 2002-06-27 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2004071365A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Hitachi Ltd 有機発光表示装置
JP2004095551A (ja) * 2002-08-09 2004-03-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
WO2004019659A1 (ja) * 2002-08-21 2004-03-04 Fujitsu Limited 有機el装置及びその製造方法
US6977464B2 (en) 2002-08-21 2005-12-20 Fujitsu Limited Organic EL device and manufacturing method for the same
JP2004087358A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Rohm Co Ltd 有機el表示装置
US9237629B2 (en) 2002-09-05 2016-01-12 Micron Technology Licensing, Llc Organic EL display panel for reducing resistance of electrode lines
US9723687B2 (en) 2002-09-05 2017-08-01 Microsoft Technology Licensing, Llc Organic EL display panel for reducing resistance of electrode lines
US8439718B2 (en) 2002-09-05 2013-05-14 Lg Electronics Inc. Organic el display panel for reducing resistance of electrode lines
JP2012015129A (ja) * 2002-09-11 2012-01-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、表示装置および照明装置
JP2004111369A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2004273420A (ja) * 2002-11-26 2004-09-30 General Electric Co <Ge> 有機電子デバイスにおける欠陥の影響を軽減する電極
JPWO2004055763A1 (ja) * 2002-12-13 2006-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
US8389997B2 (en) 2002-12-13 2013-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4549864B2 (ja) * 2002-12-13 2010-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器及び携帯情報端末
JP4849801B2 (ja) * 2002-12-26 2012-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US8785964B2 (en) 2002-12-26 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Panel light comprising a light-emitting device
US7531847B2 (en) 2002-12-26 2009-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having organic light-emitting element
WO2004060021A1 (ja) * 2002-12-26 2004-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 発光装置
US8970105B2 (en) 2003-05-12 2015-03-03 Sony Corporation Display unit and light emitting device
US7303635B2 (en) 2003-05-12 2007-12-04 Sony Corporation Deposition mask, method for manufacturing display unit using it, and display unit
US10522759B2 (en) 2003-05-12 2019-12-31 Sony Corporation Method for manufacturing a display unit
US9184225B1 (en) 2003-05-12 2015-11-10 Sony Corporation Display unit
JP2005116507A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Samsung Sdi Co Ltd 平板表示装置及びその製造方法
US7492096B2 (en) 2003-10-09 2009-02-17 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display device capable of reducing or preventing a voltage drop and method of fabricating the same
US7686666B2 (en) 2003-10-09 2010-03-30 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display device capable of reducing or preventing a voltage drop and method of fabricating the same
JP4556566B2 (ja) * 2003-11-11 2010-10-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP2005174907A (ja) * 2003-11-11 2005-06-30 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2005166662A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Samsung Electronics Co Ltd 有機発光表示板及びその製造方法
JP4613054B2 (ja) * 2003-11-28 2011-01-12 三星電子株式会社 有機発光表示板及びその製造方法
JP2015028944A (ja) * 2004-04-28 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4673304B2 (ja) * 2004-05-13 2011-04-20 株式会社アルバック 表示装置、表示装置の製造方法
JPWO2005111972A1 (ja) * 2004-05-13 2008-03-27 株式会社アルバック 表示装置、表示装置の製造方法
JP2006059796A (ja) * 2004-07-22 2006-03-02 Sharp Corp 有機発光素子、それを備えた表示装置、及び有機発光素子の製造方法
JP2008523551A (ja) * 2004-12-07 2008-07-03 トムソン ライセンシング 有機発光ダイオード、及び光取り出しを促進する反射防止層を有するダイオードパネル
KR101297185B1 (ko) * 2004-12-07 2013-08-16 톰슨 라이센싱 유기 전계 발광 다이오드 및 광 추출을 촉진하는비반사층을 가지는 다이오드 패널
JP2007080717A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US7812523B2 (en) 2005-11-15 2010-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device having an auxiliary electrode for improved common voltage and fabricating method thereof
JP2007141844A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置とその製造方法
JP4579890B2 (ja) * 2005-11-15 2010-11-10 三星電子株式会社 表示装置とその製造方法
JP2007165214A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
JP2009540517A (ja) * 2006-06-10 2009-11-19 レオンハード クルツ シュティフトゥング ウント コー. カーゲー キャリア基質上に構造層を備えたコンポーネント
US7982392B2 (en) 2006-10-25 2011-07-19 Hitachi Displays, Ltd. Organic electroluminescent display device
JP2008108530A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
JP2007134345A (ja) * 2006-12-28 2007-05-31 Canon Inc 有機発光素子アレイおよび有機発光素子アレイパッケージ
WO2009031288A1 (ja) * 2007-09-05 2009-03-12 Nikon Corporation 表示素子の製造方法、表示素子の製造装置、及び表示装置
US9310656B2 (en) 2007-09-05 2016-04-12 Nikon Corporation Method for manufacturing display element, manufacturing apparatus of display element and display device
JP5190812B2 (ja) * 2007-09-05 2013-04-24 株式会社ニコン 表示素子の製造方法、表示素子の製造装置、及び表示装置
JP2013127627A (ja) * 2007-09-05 2013-06-27 Nikon Corp 表示素子の製造方法、表示素子の製造装置、及び表示装置
US8432528B2 (en) 2007-09-05 2013-04-30 Nikon Corporation Method for manufacturing display element, manufacturing apparatus of display element and display device
JP2011503792A (ja) * 2007-11-09 2011-01-27 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド バスバーを備えた電子発光デバイス
JP2009139678A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器並びに成膜方法
JP2010218805A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Fuji Xerox Co Ltd 有機電界発光素子、発光素子アレイ、露光ヘッド及び画像形成装置
JP2010192906A (ja) * 2010-03-03 2010-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びcpu
KR101955896B1 (ko) * 2010-07-26 2019-03-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 조명 장치, 및 발광 장치의 제작 방법
KR20120010964A (ko) * 2010-07-26 2012-02-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 조명 장치, 및 발광 장치의 제작 방법
JP2011187459A (ja) * 2011-06-29 2011-09-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2012138378A (ja) * 2012-04-17 2012-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2015053137A (ja) * 2013-09-05 2015-03-19 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP2016525785A (ja) * 2013-09-30 2016-08-25 エルジー・ケム・リミテッド 積層体およびその製造方法
JP2016525784A (ja) * 2013-09-30 2016-08-25 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子
JP2016525273A (ja) * 2013-09-30 2016-08-22 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子の製造方法
JP2017208173A (ja) * 2016-05-16 2017-11-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2018179212A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法
US11309512B2 (en) 2017-03-30 2022-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Organic EL display device and method for manufacturing organic EL display device

Also Published As

Publication number Publication date
EP1191823B1 (en) 2009-12-16
EP1191823A4 (en) 2006-04-05
TWI249363B (en) 2006-02-11
US20050134171A1 (en) 2005-06-23
EP1191823A1 (en) 2002-03-27
CN1242650C (zh) 2006-02-15
KR100476572B1 (ko) 2005-03-18
TWI282697B (en) 2007-06-11
US20020033664A1 (en) 2002-03-21
US7427832B2 (en) 2008-09-23
US20080258617A1 (en) 2008-10-23
KR20020019002A (ko) 2002-03-09
DE60140784D1 (de) 2010-01-28
JP4144687B2 (ja) 2008-09-03
US7898170B2 (en) 2011-03-01
US6869635B2 (en) 2005-03-22
CN1363201A (zh) 2002-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4144687B2 (ja) 有機el装置の製造方法
KR101218844B1 (ko) 발광 소자와 그 제조 방법, 및 발광 장치
CN100431162C (zh) 发光器件及其制造方法
US7190335B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4310984B2 (ja) 有機発光表示装置
US8063553B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of manufacturing the same
US20080100209A1 (en) Organic Electroluminescent Display Device
JP5574456B2 (ja) 発光素子とその製造方法、および発光装置
US20190189713A1 (en) Organic el display panel, organic el display device, and organic el display panel manufacturing method
JP4651916B2 (ja) 発光装置の作製方法
JP2003077651A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2005327674A (ja) 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法
JP2004165067A (ja) 有機電界発光パネル
JP2004006327A (ja) 発光装置およびその作製方法
US7728515B2 (en) Light-emitting circuit board and light-emitting display device
US6791260B2 (en) Organic electroluminescent element, panel and apparatus using the same
US20040108809A1 (en) Electroluminescent device and method of manufacturing the same
JP4788677B2 (ja) 有機el装置およびその製造方法
JP4748147B2 (ja) 有機el装置
JP2010277949A (ja) 有機el表示装置及びその製造方法
JP2009205929A (ja) フルカラー有機elディスプレイパネル
JP6893020B2 (ja) 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法
JP2004265853A (ja) 表示体および表示装置、並びに電子機器
JP2004014176A (ja) 熱転写用ドナー基板とその製造方法およびそれを用いた有機el素子と表示パネル

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 01800311.7

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN JP KR

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2001 562061

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020017011572

Country of ref document: KR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2001906318

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020017011572

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2001906318

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1020017011572

Country of ref document: KR