TWI830108B - 電子裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種新穎結構的電子裝置。在電子裝置的每一個構件中設置電池，使電子裝置具有兩個電池。實現具有兩個電池並具有能夠被稱為撓性顯示器的顯示部的新穎的電子裝置，該電子裝置的顯示部具有多個可折疊部分。

Description

電子裝置

本發明的一個方式係關於一種物品、方法或者製造方法。另外，本發明係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。本發明的一個方式係關於一種半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、照明設備或電子裝置的製造方法。本發明的一個方式尤其係關於一種電子裝置及其作業系統。

注意，在本說明書中，電子裝置是指具有二次電池的所有裝置，具有二次電池的電光裝置、具有二次電池的資訊終端設備等都包括在電子裝置的範疇內。

近年來，對使用者攜帶的電子裝置或使用者穿戴的電子裝置的開發非常活躍。例如，專利文獻1中記載有薄型電子書閱讀器。

由於使用者攜帶的電子裝置或使用者穿戴的 電子裝置將電池用作電源而工作，因此需要極度抑制功耗。尤其是當電子裝置中包括CPU(Central Processing Unit：中央處理器)時，CPU在工作時耗電量大，因此CPU的處理對功耗造成的影響較大。

[專利文獻1] 日本專利申請公開昭63-15796號公報

對使用者攜帶的電子裝置，期待可長時間利用，因此可以內置大容量的電池。但是當將大容量的電池內置於電子裝置時，因為大容量的電池體積較大，所以有重量重的問題。於是，對能夠內置於攜帶的電子裝置的小型或薄型且大容量的電池進行了開發。注意，在本說明書中，“內置於”不僅包括不能拆卸交換的情況，還包括可自由地拆卸交換電池組等的情況。

另外，若將電子裝置小型化、薄型化，則電池也相應地受到限制。因此容納電路及電池等的空間變小。但是，若使電池的體積減小，則容量也變小。

另外，電池因充電或放電而發熱，有對周圍帶來熱影響的擔憂。

隨著電子裝置的小型化而在更小的空間內容納電路及電池等，如何控制功耗及發熱成為課題之一。

另外，提供一種新穎的結構的電子裝置。明確而言，提供一種具有各種外觀形狀的新穎結構的電子裝置。

注意，上述課題的記載並不妨礙其他課題的 存在。另外，本發明的一個方式並不需要解決所有上述課題。從說明書、圖式以及申請專利範圍等的記載中可明顯看出存在上述課題以外的課題，並可以從說明書、圖式以及申請專利範圍等的記載中抽出上述課題以外的課題。

對用於電子裝置的各構件設置電池，使其成為具有多個電源的電子裝置。作為具有多個電源的電子裝置，藉由只對所使用的構件選擇性地進行驅動的作業系統，可以實現低功耗化。

另外，電子裝置包括用來管理上述多個電源的電源管理電路(包括電源監控電路)。

本說明書所公開的結構是一種電子裝置，包括：中央處理單元；顯示部；觸摸輸入部；接收部；發送部；以及電源管理電路，其中，中央處理單元包括第一電池、第一接收部及第一發送部，第一接收部具有能夠對第一電池進行無線充電的功能，顯示部包括第二電池、第二接收部及第二發送部，第二接收部具有能夠對第二電池進行無線充電的功能，觸摸輸入部與第二電池電連接，並且，電源管理電路具有能夠將第一電池和第二電池中的一方的電力無線供應到另一方的電池的功能。

另外，本說明書所公開的其他結構是一種電子裝置，包括：中央處理單元；顯示部；觸摸輸入部；接收部；發送部；以及電源管理電路，其中，中央處理單元 包括第一電池、第一接收部及第一發送部，第一接收部具有能夠對第一電池進行無線充電的功能，顯示部包括第二電池、第二接收部及第二發送部，第二接收部具有能夠對第二電池進行無線充電的功能，觸摸輸入部包括第三電池、第三接收部及第三發送部，並且，電源管理電路具有能夠將第一電池、第二電池及第三電池中的任一個的電力無線供應到第一電池、第二電池及第三電池中的任一個的功能。

注意，各電池分別與電路連接以能夠進行無線充電，至少各電池具有與各無線接收部藉由各調節器電連接的結構。

調節器是電子電路的一種，是將輸出的電壓或電流控制為一直保持為固定的電路。根據電力負載的程度等，調節器被分為線性調節器及開關調節器的兩種。開關調節器也被稱為DCDC轉換器。

再者，也可以分別包括能夠將某個電池的電力供應到其他電池的發送部。另外，管理各電池的電力量的電源管理電路定期或一直提取各電池的殘量資料，並適當地進行電力調節。

例如，在行動電話或智慧手機等資訊終端中，包括一個電源(電池)的裝置在使該一個電源處於關閉狀態時所有功能都停止，但在使電源處於開啟狀態時，即使存在沒有使用的功能電路，也因處於待機狀態而消耗少量電力。當存在沒有使用的功能電路時，藉由使該沒有 使用的功能電路與電池的電連接處於關閉狀態，可以節省該部分的功耗。

作為觸摸輸入部，例如可以使用靜電電容式的觸控感測器。作為靜電電容式，有表面型靜電電容式、投影型靜電電容式等。作為投影型靜電電容式，主要可以根據驅動方法的不同分為自電容式、互電容式等。當使用互電容式時，可以進行同時多點檢測，所以是較佳的。還可以使用能夠檢測手指等檢測目標的靠近或接觸的各種感測器(例如使用光電轉換元件的光學感測器、使用壓敏元件的壓敏感測器)等。本說明書的裝置的觸摸輸入部不侷限於用手指等接觸顯示部而進行輸入操作，也包括可以以非接觸的方式用手接近顯示部而進行輸入操作的裝置。

作為觸摸輸入部，也可以使用具備使用氧化物半導體層的電晶體(也稱為OS電晶體)及電容的主動型觸控感測器。尤其是，藉由將OS電晶體用於主動型觸控感測器，能夠長期間保持節點的電位，而可以減少更新工作的次數。

適當地從電子裝置內的多個電池中選擇對應於所使用的構件的電池，藉由由進行控制的作業系統決定使用的電池而抑制沒有使用的電池的功耗，可以延長資訊終端藉由一次的充電而能夠使用的時間。

再者，也可以藉由電源管理電路進行控制以從連接於其他沒有使用的功能的電池對連接於欲使用的功能的電池供應電力。從電子裝置內的多個電池中適當地選 擇對應於所使用的構件的電池，藉由對各電池的電力量進行調節的作業系統，可以延長所使用的功能的使用可能時間。另外，藉由電源管理電路將任一電池用作備用電源，由此可以在緊急情況下使用電子裝置。例如，在行動電話等中，由於在開啟電源時使顯示部進行顯示，因此在沒有使該顯示部進行顯示的電力的情況下有時無法打電話。但是，在將電子裝置設置為包括多個電池的結構中，藉由電源管理電路確保將某個電池用作備用電源，只要在使對顯示部的電力供應處於關閉狀態時使該備用電源只能夠被用於通信功能，就可以進行通話而不需使顯示部進行顯示。

另外，當電子裝置具有曲面或複雜的形狀時，若使用一個大型電池，則對該電池的配置有限制，而且有可能因大型電池而在設計性能上大打折扣。另外，若將小型的電池分散地配置，則可以抑制爆炸等危險發生，而比大型電池的安全性高。

明確而言，本發明作為一種新穎的裝置提供一種電子裝置，其包括兩個電池及能夠被稱為撓性顯示器的顯示部，該顯示部包括多個可折疊部分。該新穎的裝置是一種電子裝置，包括：中央處理單元；顯示部；觸摸輸入部；以及電源管理電路，顯示部能夠彎曲且包括第一區域、第二區域及第三區域，第一區域與中央處理單元重疊，在顯示部被展開的狀態下，第二區域與第一電池包括互相重疊的區域，在该顯示部被展開的狀態下，第三區域與第二電池包括互相重疊的區域，在顯示部被彎曲的狀態 下，第一電池與第二電池包括互相不重疊的區域。

作為該新穎的裝置，藉由將其顯示部彎曲成S形，可以使其小型化，當在顯示部被彎曲的狀態下(也稱為被折疊的狀態)，將第一電池配置為不與第二電池重疊的結構時，可以使新穎裝置成為薄型。在該情況下，第一電池的尺寸比第二電池大。

當使用者在攜帶電子裝置中將其掉落時，若該電子裝置使用一個大型電池，則會因該電池的損壞而造成電子裝置的全部功能都無法使用。但當使用多個小型電池時，即使小型電池之一損壞，只要至少一個小型電池能夠使用，就可以使用一部分的功能。如此，作為對每個構件設置小型電池的包括多個小型電池的電子裝置，由於即使一部分損壞也能夠使用其他部分，因此能夠實現不容易損壞的電子裝置。

另外，即使小型電池之一損壞或電力量為零，也可以藉由電源管理電路用其他電池代用，來使用電子裝置。另外，即使小型電池之一的電力量為零，也可以藉由電源管理電路從連接於其他電池的發送部進行無線充電來供應電力，從而能夠實現長時間的使用。也就是說，可以實現包括能夠將各電池的電力互相供應的電源管理電路的電子裝置。

另外，電池是隨著反復充電的次數而劣化的裝置。藉由電源管理電路調節充電的次數或適當地選擇使用的電池，由此可以延長電池的使用期間。另外，電池的 劣化的程度也藉由電源管理電路進行監控，電源管理電路也可以根據該電池的劣化的程度適當地選擇使用的電池，來延長電子裝置的使用期間。

另外，設置在電子裝置內的多個小型電池中的至少一個為二次電池，較佳為使用能夠進行無線充電的二次電池。

作為二次電池，可以使用鋰聚合物電池等鋰離子二次電池、鋰離子電容器、雙電層電容器、氧化還原電容器(redox capacitor)中的任一個或多個。電子裝置包括以無線接收電力的天線及將接收的電力供應到功能電路的控制單元。

另外，電子裝置所包括的天線構成實現非接觸充電功能的模組。作為通信模組可以使用對應於如Qi或Powermat的規格的充電方式。另外，在進行充電時，也可以同時對多個電池進行充電。另外，電子裝置所包括的天線也可以構成實現近距離無線通訊功能的通信模組。

另外，當在電子裝置中安裝多個種類的感測器時，由於對每個使用的構件設置電池，因此可以選擇性地安裝或拆卸使用者欲使用的感測器。例如，對戴在手腕上的電子裝置設置能夠控制脈搏感測器、溫度感測器、位置資訊檢測感測器(GPS等)、加速度感測器及角速度感測器等的控制電路以及用來連接感測器與控制電路的連接部(連接插座)，根據使用者欲使用的功能選擇感測器，並將該感測器連接於電子裝置即可。此時，各感測器包括 小型電池及調節器，使用的功能越多連接的小型電池越多，而成為包括多個小型電池的電子裝置。

另外，當作為用於調節器的電晶體使用包括氧化物半導體層的電晶體時，因為關態電流較小，所以可以實現低功耗化。尤其是，由OS電晶體構成控制電路的調節器(DC-DC轉換器)在150℃以上的高溫下也能夠工作。因此，這種根據實施方式的DC-DC轉換器適合用於工作時溫度上升的可能性較高的電子裝置。

作為用於OS電晶體的成為通道形成區域的氧化物半導體層的氧化物半導體，較佳為至少包含銦(In)或鋅(Zn)。尤其較佳為包含In及Zn。此外，除了上述元素以外，較佳為還包含使氧堅固地結合的穩定劑(stabilizer)。作為穩定劑，包含鎵(Ga)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)和鋁(Al)中的至少一種即可。

另外，作為其他穩定劑，也可以包含鑭系元素的鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、鎦(Lu)中的一種或多種。

OS電晶體的氧化物半導體層可以由如下氧化物形成。例如可以使用氧化銦、氧化錫、氧化鋅、In-Zn類氧化物、Sn-Zn類氧化物、Al-Zn類氧化物、Zn-Mg類氧化物、Sn-Mg類氧化物、In-Mg類氧化物、In-Ga類氧化物、In-Ga-Zn類氧化物(也稱為IGZO)、In-Al-Zn類 氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、Sn-Ga-Zn類氧化物、Al-Ga-Zn類氧化物、Sn-Al-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-Zr-Zn類氧化物、In-Ti-Zn類氧化物、In-Sc-Zn類氧化物、In-Y-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Hf-Zn類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物等。

例如，可以使用其原子數比為In：Ga：Zn=1：1：1、In：Ga：Zn=3：1：2或In：Ga：Zn=2：1：3的In-Ga-Zn類氧化物或接近於上述組成的氧化物。

當構成通道形成區的氧化物半導體膜包含大量的氫時，由於氫與氧化物半導體鍵合而使氫的一部分成為施體，導致作為載子的電子產生。由此，電晶體的臨界電壓向負方向漂移。由此，較佳為藉由在形成氧化物半導體膜之後進行脫水化處理(脫氫化處理)，從氧化物半導體膜中去除氫或水分來進行高度純化以使其儘量不包含雜質。

注意，因對氧化物半導體膜的脫水化處理(脫氫化處理)，有時氧化物半導體膜中的氧減少。因 此，較佳為藉由對氧化物半導體膜添加氧來填補因對氧化物半導體膜實施脫水化處理(脫氫化處理)而增加的氧缺陷。在本說明書等中，有時將對氧化物半導體膜供應氧的情況稱為加氧化處理，或者，有時將使氧化物半導體膜的氧含量超過化學計量組成的情況稱為過氧化處理。

如上所述，藉由進行脫水化處理(脫氫化處理)以從氧化物半導體膜去除氫或水分，並進行加氧化處理以填補氧缺損，可以得到i型(本質)化的氧化物半導體膜或無限趨近於i型的實質上i型(本質)的氧化物半導體膜。注意，“實質上本質”是指：在氧化物半導體膜中，來自於施體的載子極少(近於零)，載子密度為1×10¹⁷/cm³以下，1×10¹⁶/cm³以下，1×10¹⁵/cm³以下，1×10¹⁴/cm³以下，1×10¹³/cm³以下。

如此，具備i型或實質上呈i型的氧化物半導體膜的電晶體可以實現極為優良的關態電流特性。例如，使用氧化物半導體膜的電晶體處於關閉狀態時的汲極電流在室溫(25℃左右)下可以為1×10^-18A以下，較佳為1×10^-21A以下，更佳為1×10^-24A以下，或者，在85℃下為1×10^-15A以下，較佳為1×10^-18A以下，更佳為1×10^-21A以下。注意，電晶體處於關閉狀態是指當使用n通道型的電晶體時其閘極電壓充分小於臨界電壓的狀態。明確而言，當閘極電壓比臨界電壓小1V以上、2V以上或3V以時，電晶體成為關閉狀態。

另外，形成的氧化物半導體可以具有非單 晶。氧化物半導體也可以具有CAAC。注意，將包括CAAC的氧化物半導體稱為CAAC-OS(c-axis aligned crystalline oxide semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)。CAAC-OS膜是包含呈c軸配向的多個結晶部的氧化物半導體膜之一。藉由利用穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)觀察CAAC-OS膜的明視野像及繞射圖案的複合分析影像(也稱為高解析度TEM影像)，可以確認到多個結晶部。另一方面，在高解析度TEM影像中，觀察不到結晶部與結晶部之間的明確的邊界，即晶界(grain boundary)。因此，在CAAC-OS膜中，不容易發生由晶界引起的電子移動率的下降。根據從大致平行於樣本面的方向觀察的CAAC-OS膜的剖面的高解析度TEM影像可知在結晶部中金屬原子排列為層狀。各金屬原子層具有反映著其上形成CAAC-OS膜的面(也稱為被形成面)或CAAC-OS膜的頂面的凹凸的形狀並以平行於CAAC-OS膜的被形成面或頂面的方式排列。另一方面，根據從大致垂直於樣本面的方向觀察的CAAC-OS膜的平面的高解析度TEM影像可知在結晶部中金屬原子排列為三角形狀或六角形狀。但是，在不同的結晶部之間金屬原子的排列沒有規律性。注意，在本說明書中，“平行”是指兩條直線形成的角度為-10°以上且10°以下的狀態。因此也包括-5°以上且5°以下的角度的狀態。另外，“垂直”是指在80°以上且100°以下的角度的範圍中配置兩條直線的狀態。因此也包括85°以上且95°以 下的角度的狀態。

另外，在電子裝置中對每個使用的構件設置電池，包括多個電源的電子裝置在其作業系統上也具有特徵。例如，作業系統包括第一電池、第二電池、第三電池以及管理這些電池的控制部，可以利用無線同時進行充電。另外，作業系統至少包括多個電源(二次電池等)及CPU等控制部，由控制部管理多個電源的電力。另外，電子裝置的控制部不侷限於一個，例如可以設置為與多個電源相同的個數。

另外，包括多個電源的電子裝置的作業系統包括第一電池、第二電池、第三電池及管理第一至第三電池的電源管理電路，該作業系統利用無線將第一電池的電力供應到第二電池或第三電池。電源管理電路監控各電池的電力量，可以自動或由使用者的操作適當地執行從某個電池對其他電池的無線充電來進行充電的工作。

藉由在電子裝置中對每個使用的構件設置電池，並選擇性地只對使用的構件進行驅動的作業系統可以實現低功耗化。另外，實現新穎的結構的電子裝置。注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。注意，本發明的一個方式並不需要具有所有上述效果。另外，從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載可明顯看出這些效果外的效果，而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中抽出這些效果外的效果。

1:FPC

2:FPC

4:FPC

5:FPC

10:外殼

11:外殼

12:外殼

13:鉸鏈

14:窗戶部

16:基體材料

16a:障壁膜

16b:基體材料

16c:樹脂層

17:保護基體材料

17p:保護層

19:檢測電路

20:檢測器

20U:檢測單元

21:電極

22:電極

23:絕緣層

31:薄膜

32:正極集電器

33:隔離體

34:負極集電器

35:密封層

36:引線電極

37:熱壓合區域

38:正極活性物質層

39:負極活性物質層

40:二次電池

41:黏合層

42:電解液

90:觸控面板

100:輸入裝置

110:裝置

111:CPU

112:電池

113:調節器

114:無線接收部

115:控制模組

116:顯示部

116a:側輥部

116b:側輥部

116c:側輥部

117:電池

118:調節器

119:顯示驅動電路

120:無線接收部

121:顯示模組

125:系統部

127:電源管理電路

128:無線發送部

129:無線發送部

140:電路基板

141:引線電極

142:驅動電路的一部分

143:撓性薄膜

144:撓性薄膜

150:無線發送部

152:觸控感測器

153:電池

154:調節器

156:觸摸輸入部

159:感測器驅動電路

160:折疊位置感測器

201:形成用基板

203:剝離層

205:被剝離層

207:接合層

211:接合層

221:形成用基板

223:剝離層

225:被剝離層

226:絕緣層

231:基板

233:接合層

401:電極

402:EL層

403:電極

404:接合層

404a:接合層

404b:接合層

405:絕緣層

407:接合層

420:撓性基板

422:黏合層

424:絕緣層

426:黏合層

428:撓性基板

431:遮光層

432:著色層

435:導電層

441:導電層

442:導電層

443:絕緣層

444:撓性基板

445:FPC

450:有機EL元件

453:保護層

454:電晶體

455:電晶體

457:導電層

463:絕緣層

465:絕緣層

467:絕緣層

491:發光部

493:驅動電路部

495:FPC

496:間隔物

497:連接器

500:輸入/輸出裝置

501:顯示部

502:像素

502B:子像素

502G:子像素

502R:子像素

502t:電晶體

503c:容量

503g:掃描線驅動電路

503t:電晶體

510:基體材料

510a:障壁膜

510b:基體材料

510c:樹脂層

511:佈線

519:端子

521:絕緣膜

528:分隔壁

550R:發光元件

560:密封材料

567p:防反射層

580R:發光模組

601:脈衝電壓輸出電路

602:電流檢出電路

603:電容

611:電晶體

612:電晶體

613:電晶體

621:電極

622:電極

717:電池

718:調節器

753:電池

754:調節器

812:電池

813:鉸鏈

816:顯示部

817:電池

853:電池

900:顯示裝置

901:顯示部

902:閘極驅動器

903:源極驅動器

904:數位/類比轉換電路

910:控制電路

911:檢測部

920:計數電路

950:觸控感測器

1700:曲面

1701:平面

1702:曲線

1703:曲率半徑

1704:曲率中心

1800:曲率中心

1801:薄膜

1802:曲率半徑

1803:薄膜

1804:曲率半徑

1805:層

在圖式中：

圖1A至圖1G是示出本發明的一個方式的電子裝置的展開圖，A為頂面，B為左側面，C為正面，D為右側面，E為背面，F為底面，G為剖面；

圖2A至圖2C是示出本發明的一個方式的平面圖及剖面圖；

圖3A至圖3F是示出本發明的一個方式的電子裝置的折疊時的圖；

圖4是示出本發明的一個方式的電子裝置的結構的一部分的透視圖；

圖5A至圖5C是示出本發明的一個方式的平面圖及剖面圖；

圖6是示出本發明的一個方式的電子裝置的方塊圖；

圖7A至圖7C是示出本發明的一個方式的平面圖及剖面圖；

圖8A至圖8D是示出本發明的一個方式的製程剖面圖；

圖9A至圖9D是示出本發明的一個方式的製程剖面圖；

圖10A至圖10D是示出本發明的一個方式的製程剖面圖；

圖11A1和圖11A2、圖11B及圖11C是示出本發明的一個方式的平面圖及剖面圖；

圖12A和圖12B是示出本發明的一個方式的剖面圖；

圖13A1和圖13A2、圖13B及圖13C是示出本發明的一個方式的平面圖及剖面圖；

圖14A至圖14C是說明根據實施方式的輸入/輸出裝置的結構的投影圖及透視圖；

圖15A至圖15C是說明根據實施方式的輸入/輸出裝置的結構的剖面圖；

圖16A、圖16B1及圖16B2是說明根據實施方式的檢測電路19及轉換器CONV的結構及驅動方法的圖；

圖17A至圖17C是說明面的曲率半徑的圖；

圖18A至圖18D是說明曲率中心的圖；

圖19A至圖19F是示出本發明的一個方式的透視圖、示意圖及剖面圖；

圖20A至圖20C是示出本發明的一個方式的平面圖及剖面圖；

圖21是示出本發明的一個方式的電子裝置的展開時的透視圖；

圖22是示出本發明的一個方式的電子裝置的折疊時的透視圖；

圖23是示出本發明的一個方式的電子裝置的方塊圖；

圖24A至圖24C是示出本發明的一個方式的平面圖及剖面圖；

圖25A和圖25B是示出本發明的一個方式的平面圖及剖面圖；

圖26A和圖26B是觸控感測器的方塊圖及時序圖；

圖27是觸控感測器的電路圖；

圖28A和圖28B是顯示裝置的方塊圖及時序圖；

圖29A至圖29D是說明顯示裝置及觸控感測器的工作的圖；

圖30A至圖30D是說明顯示裝置及觸控感測器的工作的圖；

圖31是觸控面板的方塊圖；

圖32A和圖32B是像素的電路圖；

圖33是說明顯示裝置的工作的時序圖。

下面，參照圖式對本發明的實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內容可以被變換為各種形式。此外，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。

實施方式1

在本實施方式中，作為便利性或可靠性優異的新穎的裝置，參照圖1A至圖6及圖17A至圖18D說明包括具有多個能夠彎曲的部分的顯示部的電子裝置的一個例子。下 面將說明構成電子裝置的各要素。注意，有時無法明確地區分上述構成要素，一個構成要素兼作其他構成要素或包含其他構成要素的一部分。

作為本實施方式的電子裝置，使用者可以適當地以手動使用兩個模式，分別為：藉由將顯示部的能夠彎曲的多個部分折疊將裝置折疊而使其小型化的模式；以及使顯示部為展開的狀態的模式。

電子裝置的展開時的圖為圖1A至圖1G。圖1A是從頂面看電子裝置時的圖，圖1B是看側面(左邊)時的圖，圖1C是當以使用者看顯示部的面為正面時看該正面時的圖，圖1D是看側面(右邊)時的圖，圖1E是看背面時的圖，圖1F是看底面時的圖。

如圖1C所示，作為顯示部116，在第一彎曲區域(也被稱為側輥部(side-rolled portion)116a)與第二彎曲區域(側輥部116b)之間夾著主螢幕。

顯示部116的主螢幕的短邊長度與長邊長度的比的值是顯示區域的短邊長度與長邊長度的比的值的0.9倍以上且1.1倍以下，例如短邊長度：長邊長度大約為9：16。

圖21示出電子裝置的一個例子的透視圖。電子裝置包括由多個鉸鏈13連接的外殼10、11、12，各外殼的間隙與顯示部的能夠彎曲的部分重疊，顯示部116沿著該部分彎曲。圖22是採用將電子裝置折疊而實現小型化的模式時的透視圖。

如圖1E所示，在顯示部中，電子裝置的側面的一部分與背面的一部分重疊，該部分成為一直彎曲的顯示區域。顯示部的彎曲區域可以以10mm以下，較佳為8mm以下，更佳為5mm以下，尤其較佳為4mm以下的曲率半徑彎曲。

另外，圖20A至圖20C示出圖2A至圖2C的變形例子，示出三個電池。在具有三個電池的電子裝置中，沿著圖1C中的虛線A-A’截斷時的剖面放大圖為圖1G。另外，如圖1G所示，各外殼內分別設置有電池112、117、153。

在上述結構中，作為包括顯示部116的顯示面板可以在曲率半徑為1mm以上，較佳為曲率半徑為30mm以上的範圍內變形。顯示面板包括兩個夾著包含顯示元件的層的薄膜，被彎曲的顯示面板的剖面結構是由兩個薄膜的兩個曲線夾著的結構。

使用圖17A至圖17C說明面的曲率半徑。在圖17A中的截斷曲面1700的平面1701中，使包括在曲面1700中的曲線1702的一部分近似圓弧，將該圓弧的半徑作為曲率半徑1703，將圓心作為曲率中心1704。圖17B示出曲面1700的俯視圖。圖17C示出沿著平面1701截斷曲面1700時的剖面圖。當沿著平面截斷曲面時，出現在剖面上的曲線的曲率半徑因平面對曲面的角度或截斷位置而不同，但是在本說明書等中，將最小的曲率半徑定義為面的曲率半徑。

當使由兩個薄膜夾著包含顯示元件的層1805的顯示面板彎曲時，距離顯示面板的曲率中心1800近的的薄膜1801的曲率半徑1802比距離曲率中心1800遠的薄膜1803的曲率半徑1804小(圖18A)。當使顯示面板彎曲並具有圓弧狀剖面時，距離曲率中心1800近的薄膜的表面被施加壓縮應力，距離曲率中心1800遠的薄膜的表面被施加拉伸應力(圖18B)。

注意，顯示面板的剖面形狀不侷限於簡單的圓弧狀，也可以為其一部分呈圓弧的形狀，例如可以為圖18C所示的形狀、波狀(圖18D)、S字形狀等。當顯示面板的曲面為具有多個曲率中心的形狀時，顯示面板可以在如下範圍內變形：在多個曲率中心的各曲率半徑中曲率半徑最小的曲面中，兩個薄膜中的距離曲率中心近的薄膜的曲率半徑為4mm以上，較佳為30mm以上的範圍。

圖2A是示出各電池的配置的示意圖。圖2A示出背面(不是顯示面)的顯示部116及各電池的配置。圖2A中以虛線示出的顯示部的可彎曲部116e位於電池112與系統部125之間。另外，圖2A中以虛線示出的顯示部的可彎曲部116d位於電池112與電池153之間。注意，雖然作為顯示部的可彎曲部以直線顯示圖2A中的虛線，但是不侷限於形成折線，只是示意性地示出曲率半徑最小的區域。

電池112與調節器113電連接，調節器113與包含CPU的系統部125電連接。調節器113也可以與 接收電路或發送電路連接。雖然在圖2A及圖2B中示出各電池的尺寸大致相同的例子，但是不侷限於此，例如使與功耗大的CPU電連接的電池112的厚度大於其他電池，從而增大大電池112的容量。

電池153與調節器154電連接，調節器154與觸摸輸入部及顯示部電連接。調節器154也可以與接收電路或發送電路連接。

圖2B示出圖2A的剖面，示出在電子裝置展開時包含CPU的系統部125及各部位的位置關係。

圖2C示出在使電子裝置彎曲時包含CPU的系統部125與各部位的位置關係。顯示部的可彎曲部116d、116e不與電池重疊，藉由將使部分彎曲可以使電子裝置小型化。

圖3A至圖3F是採用將電子裝置折疊而使其小型化的模式時的圖，圖22是其透視圖。圖3A是從頂面看電子裝置時的圖，圖3B是看側面(左邊)時的圖，圖3C是當以使用者看顯示部的面為正面時看該正面時的圖，圖3D是看側面(右邊)時的圖，圖3E是看背面時的圖，圖3F是看底面時的圖。

即使在將其折疊而使其小型化時，也如圖3C所示，在第一彎曲區域(也被稱為側輥部116a)與可彎曲的區域(側輥部116c)之間夾著主螢幕。

顯示部116的主螢幕的短邊長度與長邊長度的比值是顯示區域的短邊長度與長邊長度的比的值的0.9 倍以上且1.1倍以下，例如短邊長度：長邊長度大約為9：16。

如此，可以以能夠容納於展開狀態的顯示部的顯示區域的方式顯示第二影像，該第二影像與以能夠容納於折疊狀態的顯示部的第一區域的方式顯示的第一影像的縱橫向長度的比值大約相同。其結果是，可以提供一種便利性或可靠性優異的新穎的資訊處理裝置。

另外，圖4示出使用同一個FPC4將觸摸輸入部及顯示部電連接於一個電池117的例子。

顯示部116由兩個薄膜構成，在兩個薄膜之間包括發光元件及顯示驅動電路的一部分、觸控感測器152以及感測器驅動電路的一部分。在玻璃基板上設置剝離層，並在該剝離層上形成電晶體及發光元件之後，去除玻璃基板並黏合於第一撓性薄膜143。另外，在玻璃基板上設置剝離層，並在該剝離層上形成電晶體及觸控感測器152之後，去除玻璃基板並黏合於第二撓性薄膜144。在圖4的結構中，第二撓性薄膜144以與第一撓性薄膜143對準的方式貼合，並也用作發光元件的密封材料。

在電路基板140上，電池117的引線電極141與調節器118電連接，FPC4連接於電路基板140上的連接器。作為電池117使用疊層型的鋰離子二次電池。FPC4是具有分歧的形狀，其具有三個端部，第一個端部連接於電路基板140上的連接器，第二個端部與觸控面板的端子連接，第三個端部與顯示部的端子連接。注意，雖 然在此示出使用一個FPC的例子，也可以使用兩個以上的FPC，並使其互相連接。

FPC4上安裝有驅動電路的一部分142，驅動電路的一部分142包括感測器驅動電路的一部分及顯示部的驅動電路的一部分。也可以將觸控感測器驅動電路與顯示部的驅動電路的一部分用作觸控感測器驅動電路與顯示部的驅動電路的通用電路。另外，從連接於FPC5的端部的電路對顯示部供應影像信號等，或者也可以在FPC5的端部設置接收電路，使用無線通訊對顯示部供應影像信號。另外，對連接於FPC5的端部的電路供應觸控感測器的輸入信號，或者也可以在FPC5的端部設置發送電路，使用無線通訊對CPU等供應觸控感測器的輸入信號。

另外，如圖2A至圖2C所示，電子裝置不侷限於顯示部在兩處彎曲的情況，也可以在三處以上彎曲。圖5A、圖5B及圖5C示出在四處彎曲的電子裝置的例子。藉由還設置顯示部的可彎曲部116g、116f，可以擴大顯示部的顯示面積。另外，圖5B示出圖5A的剖面，示出電子裝置展開時的包含CPU的系統部125與各部位的位置關係。圖5C示出彎曲電子裝置時的包含CPU的系統部125與各部位的位置關係。顯示部的可彎曲部116d、116e、116f、116g不與電池重疊，藉由彎曲該部分使電子裝置小型化。在圖5A至圖5C所示的電子裝置中，當在展開時使用者用雙手握持電子裝置時，由於顯示部的兩個端部分別配置有電池，因此該配置易於握持。

圖6示出裝置110的方塊圖。圖6中的裝置110是指包括圖2A至圖2C所示的兩個電池並能夠藉由彎曲顯示部而是實現小型化的電子裝置。

根據本實施方式的裝置110包括：控制模組115；顯示模組121；以及電源管理電路127。控制模組115是控制裝置110整體並控制通信或對顯示部116的資訊顯示的控制器。

控制模組115包括：CPU111；電池112；調節器113；無線接收部114；以及無線發送部128。

另外，顯示模組121包括：顯示部116；顯示驅動電路119；電池117；調節器118；觸控感測器152；感測器驅動電路159；折疊位置感測器160；無線接收部120；以及無線發送部129。

作為裝置110，可以在顯示部116的多處使其彎曲，藉由使其彎曲而不顯示隱藏的顯示區域的影像，可以實現功耗的降低。在本說明書中，影像包括文字或記號等能夠利用視覺感知的資訊。折疊位置感測器160可以檢測顯示部被折疊的位置而供應折疊位置資訊。例如，在預先決定好折疊位置的情況下，將感測器配置到該位置上。在具有多個折疊位置的情況下，藉由將多個感測器配置為條狀、矩陣狀，可以特定折疊位置的座標。可以將折疊位置感測器160例如沿著顯示區域的外周設置。折疊位置感測器160例如可以由開關、MEMS壓力感測器或壓敏感測器等構成。

明確而言，將具有機械接觸的開關或磁性開關等設置於顯示部，以隨著折疊顯示部的動作進行開啟及關閉工作。

或者，也可以將多個感壓感測器設置在顯示部中，明確而言，可以將薄膜狀的壓電元件貼合到顯示部。藉由利用感壓感測器檢測隨著折疊動作的壓力上升，可以得知折疊位置。

作為壓電元件，例如可以使用有機壓電薄膜。明確而言，可以使用包括如下壓電薄膜的薄膜狀壓電元件：包含聚胺基酸的壓電薄膜、包含聚偏氟乙烯的壓電薄膜、包含聚酯的壓電薄膜或者包含手性高分子的壓電薄膜等。

也可以將壓電元件應用於折疊位置感測器160和壓力檢測型觸控面板的兩者。

藉由使用折疊位置感測器160，可以將一個顯示區域沿著折疊部分分成兩個區域，並且可以選擇顯示於一個顯示區域的影像。或者，可以根據顯示區域的折疊狀態而選擇並顯示一個或多個影像。為了將一個顯示區域沿著折疊部分分成兩個區域而利用，較佳為採用可以藉由顯示驅動電路119分割驅動顯示部116的顯示區域的結構。

另外，藉由使用折疊位置感測器160，可以將觸摸輸入區域沿著折疊部分分成兩個區域而利用，還可以使一個觸摸輸入區域無效化。觸摸輸入區域是指能夠由觸控感測器檢測出的區域，並與顯示區域具有大致相同的尺 寸。為了將觸摸輸入區域沿著折疊部分分成兩個區域而利用，較佳為採用可以藉由感測器驅動電路159分割驅動觸控感測器152的觸摸輸入區域的結構。

作為裝置110，可以在顯示部116的多處使其彎曲，藉由使其彎曲而不顯示隱藏的顯示區域的影像，可以實現功耗的降低，並可以使不進行顯示的區域的觸控感測器的檢測無效化來防止誤動作。

在本實施方式中，使顯示部116的相對基板(密封基板)具有觸控面板的功能。明確而言，使用將包括使用氧化物半導體層的電晶體及有機EL元件的薄膜基板與包括使用氧化物半導體層的電晶體的觸控感測器的密封基板貼合的顯示面板。在本實施方式中，因為使顯示部的一部分彎曲，所以密封基板也較佳為使用撓性材料。

另外，如圖6所示的一個例子，也可以使一個IC晶片包括感測器驅動電路159的至少一部分及顯示驅動電路119的至少一部分，由此減少安裝的構件數量。

各調節器從連接的電池生成各功能電路所需的電力或信號，並供應到各功能電路。另外，在對電池充電時，調節器也可以防止過充電等。另外，雖然在圖6中示出無線接收部及無線發送部的例子連接於一個調節器的例子，但是無線接收部用調節器及無線發送部用調節器也可以連接於不同的調節器。

在裝置110中，各電池之間可以藉由電源管理電路127互相供應電力。另外，電源管理電路127監控 電池112、117的電力量，可以自動或由使用者的操作適當地執行某個電池對其他電池的無線充電的工作。或者，電源管理電路127監控電池112、117的電力量，可以自動或由使用者的操作適當地執行多個電池中的一個電池對其他一個電池的無線充電的工作。

另外，在裝置110中，各模組可以獨立地為開啟狀態或關閉狀態。藉由只對使用的模組選擇性地進行驅動的作業系統，可以實現裝置110的低功耗化。

再者，當顯示靜態影像時，在使顯示模組121及控制模組115處於導通狀態而在顯示部116顯示靜態影像之後，即使在保持顯示靜態影像的狀態下關閉控制模組115，也因顯示模組121處於導通狀態而可以持續顯示靜態影像。注意，當顯示部116的電晶體使用關態電流低的氧化物半導體層(例如包含In、Ga及Zn的氧化物材料等)或在每個像素中包括記憶體時，即使在顯示靜態影像之後遮斷來自電池117的電力供應，也可以在一定的時間內持續顯示靜態影像。

另外，雖然在本實施方式中示出顯示模組121及控制模組115分別包括無線發送部及無線接收部的例子，但是並不侷限於此，也可以採用將各電池串聯或並聯連接的結構，在該情況下，至少包括用來非接觸地對電子裝置充電的接收電路(包含無線充電用的天線)，藉由調節器與任一個電池電連接即可。

圖23示出其一部分與圖6所示的裝置不同的 裝置110的方塊圖。圖23中的裝置110是指至少包括圖20A至圖20C所示的三個電池並能夠彎曲顯示部而實現小型化的電子裝置。

根據本實施方式的裝置110包括：控制模組115；顯示模組121；觸摸輸入部156；以及電源管理電路127。控制模組115是控制裝置110整體並控制通信或顯示部116的資訊顯示的控制器。

控制模組115包括：CPU111；電池112；調節器113；無線接收部114；以及無線發送部128。

另外，顯示模組121包括：顯示部116；顯示驅動電路119；電池117；調節器118；無線接收部120；以及無線發送部129。

另外，觸摸輸入部156包括：觸控感測器152；電池153；調節器154；無線接收部155；以及無線發送部150。

在本實施方式中，使顯示部116的相對基板(密封基板)具有觸控面板的功能。明確而言，使用將包括使用氧化物半導體層的電晶體及有機EL元件的基板與包括使用氧化物半導體層的電晶體的觸控感測器的密封基板貼合的顯示面板。在本實施方式中，因為彎曲顯示部的一部分，所以密封基板也較佳為使用撓性材料。在本實施方式中，示出作為對有機EL元件供電的FPC使用與對觸控感測器供電的FPC不同的FPC，並分別連接於不同的電池的例子。

另外，也可以在顯示部116的各像素內設置光感測器，而用作光學觸控面板。作為觸摸輸入部156，也可以使電阻膜式或靜電電容式的觸控面板與顯示部116重疊。

各調節器從連接的電池生成並供應各功能電路所需的電力或信號。另外，在對電池充電時，調節器也可以防止過充電等。另外，雖然在圖23中示出無線接收部及無線發送部的例子連接於一個調節器的例子，但是無線接收部用調節器及無線發送部用調節器也可以連接於不同的調節器。

在裝置110中，各電池之間可以藉由電源管理電路127互相供應電力。另外，電源管理電路127監控電池112、117、153的電力量，可以自動或由使用者的操作適當地執行某個電池對其他電池的無線充電來進行充電的工作。或者，電源管理電路127監控電池112、117、153的電力量，可以自動或由使用者的操作適當地執行多個電池中的一個電池對其他另一個電池的無線充電來進行充電的工作。

另外，在裝置110中，各模組可以獨立地為開啟狀態或關閉狀態。藉由只對使用的模組選擇性地進行驅動的作業系統，可以實現裝置110的低功耗化。

例如，當使用者不使用顯示功能而將顯示螢幕關閉時，遮斷對顯示部116的供電，使電池117處於關閉狀態，但使觸摸輸入部156及控制模組115處於導通狀 態。當欲再次顯示螢幕時，藉由觸控面板幕可以使顯示螢幕處於導通狀態。

再者，當顯示靜態影像時，在使顯示模組121及控制模組115處於導通狀態而在顯示部116顯示靜態影像之後，即使在保持顯示靜態影像的狀態下關閉控制模組115，也因顯示模組121處於導通狀態而可以持續顯示靜態影像。注意，當顯示部116的電晶體使用關態電流低的氧化物半導體層(例如包含In、Ga及Zn的氧化物材料等)或顯示部的每個像素包括記憶體時，即使在顯示靜態影像之後切斷來自電池117的電力供應，也可以在一定的時間內持續顯示靜態影像。

另外，雖然在本實施方式中示出顯示模組121、控制模組115及觸摸輸入部156分別包括電池的例子，但是電子裝置並不侷限於總計三個電池的情況，還可以追加功能模組及其電池而具有四個以上的電池。

另外，雖然在本實施方式中示出顯示模組121、控制模組115及觸摸輸入部156分別包括無線發送部及無線接收部的例子，但是並不侷限於此，也可以採用將各電池串聯或並聯連接的結構，在該情況下，至少包括用來非接觸地對電子裝置充電的接收電路(包含無線充電用的天線)，藉由調節器與任一個電池電連接即可。

注意，在電子裝置中，藉由作為通信功能設置通信模組，可以將電子裝置用作資訊終端裝置。另外，在電子裝置中，也可以安裝實現能夠進行通話等的近距離 無線通訊功能的通信模組。在該情況下，通信模組也可以同樣地具有包括電池的結構。另外，也可以附加其他功能，例如，可以設置感測器(包括測量如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動數、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風等。

再者，電子裝置還可以具備SIM卡插槽或用來連接USB記憶體等USB設備的連接器部等。

如上所述，在電子裝置中對每個所使用的單元(模組或功能)設置電池，並包括藉由電源管理電路127管理的多個電池。作為包括多個電池的電子裝置，藉由只對所使用的功能選擇性地進行驅動的作業系統，可以實現低功耗化。另外，電源管理電路127監控各電池的電力量，可以自動或由使用者的操作適當地執行某個電池對其他電池的無線充電來進行充電的工作。從電子裝置內的多個電池中適當地選擇對應於所使用的構件的電池，藉由對各電池的電力量進行調節的作業系統，可以延長所使用功能的使用可能時間。

另外，各電池包括實現非接觸充電功能的通信模組，可以控制為對多個電池同時充電。另外，各電池包括收發部，因為可以藉由電源管理電路調整電力量，所以各電池可以互相供應電力。

實施方式2

在本實施方式中，圖7A至圖7C示出其一部分與實施方式1不同的例子。注意，與圖2A至圖2C相同的部分使用相同的符號，並省略該同一部分的詳細說明。

在實施方式1中示出兩個電池的尺寸大致相同的例子，而圖7A示出電池的尺寸及配置與實施方式1不同的例子。顯示部116的顯示區域的尺寸大約為5.9英寸。

圖7A是示出各電池的配置的示意圖。圖7A示出背面(不是顯示面)的顯示部116及各電池的配置。圖7A中以虛線示出的顯示部的可彎曲部116d位於電池112與電池753之間。

電池112與調節器113電連接，調節器113與包含CPU的系統部125電連接。調節器113也可以與接收電路或發送電路連接。

電池753與調節器754電連接，調節器754與觸摸輸入部電連接。再者，調節器754與顯示部116的驅動電路電連接。調節器754也可以與接收電路或發送電路連接。

圖7B示出圖7A的剖面，示出在電子裝置展開時包含CPU的系統部125與各部位的位置關係。

圖7C示出在將電子裝置彎曲時包含CPU的系統部125與各部位的位置關係。在將電子裝置彎曲時，使電池112不與電池753重疊。藉由這樣使其小型化，可 以使小型化時的電子裝置的厚度比實施方式1的電子裝置的厚度薄。顯示部的可彎曲部116d、116e不與電池重疊，藉由將該部分彎曲可以使電子裝置小型化。

另外，當在電子裝置中設置三個電池時，並不侷限於三個電池的尺寸是大致相同的情況。例如，圖24A示出兩個電池的尺寸及配置不同的例子。顯示部116的顯示區域的尺寸大約為5.9英寸。

圖24A是示出各電池的配置的示意圖。圖24A示出背面(不是顯示面)的顯示部116及各電池的配置。圖24A中以虛線示出的顯示部的可彎曲部116e位於電池112與電池717之間。此外，圖24A中以虛線示出的顯示部的可彎曲部116d位於電池717與電池753之間。

電池112與調節器113電連接，調節器113與包含CPU的系統部125電連接。調節器113也可以與接收電路或發送電路連接。

電池717與調節器718電連接，調節器718與顯示部116的驅動電路電連接。調節器718也可以與接收電路或發送電路連接。

電池753與調節器754電連接，調節器754與觸摸輸入部電連接。調節器754也可以與接收電路或發送電路連接。

圖24B示出圖24A的剖面，示出在電子裝置展開時包含CPU的系統部125與各部位的位置關係。

圖24C示出在將電子裝置彎曲時包含CPU的 系統部125與各部位的位置關係。當將電子裝置彎曲時，使電池112與電池717及電池753重疊，而不使電池717與電池753重疊。藉由這樣使其小型化，可以使小型化時的電子裝置的厚度比實施方式1的電子裝置的厚度薄。顯示部的可彎曲部116d、116e不與電池重疊，藉由將該部分彎曲可以使電子裝置小型化。

本實施方式可以與其他實施方式自由地組合。

實施方式3

在實施方式1中示出使用第一撓性薄膜143及第二撓性薄膜144的顯示部，而在本實施方式中示出使用剝離法製造具有撓性的顯示面板的例子。下面示出在本實施方式中使用剝離層製造的例子。

首先，在形成用基板201上形成剝離層203，並且在剝離層203上形成被剝離層205(圖8A)。此外，在形成用基板221上形成剝離層223，並且在剝離層223上形成被剝離層225(圖8B)。

例如，當作為剝離層使用鎢膜時，藉由進行N₂O電漿處理，可以在鎢膜與被剝離層之間形成氧化鎢膜。藉由進行N₂O電漿處理形成氧化鎢膜，可以以較小的力量將被剝離層剝離。此時，當在鎢膜與氧化鎢膜的介面將彼此分離時，有時在被剝離層一側殘留氧化鎢膜。並且，有時因殘留有氧化鎢膜而對電晶體的特性造成不良的 影響。因此，在剝離層與被剝離層的分離步驟之後較佳為進行去除氧化鎢膜的步驟。

此外，在本發明的一個方式中，在基板上使用厚度為0.1nm以上且小於200nm的鎢膜。

接著，使用接合層207及框狀接合層211將形成用基板201與形成用基板221以各自的形成有被剝離層的面相對的方式貼合在一起，並固化接合層207及框狀接合層211(圖8C)。在此，在被剝離層225上設置框狀接合層211和位於框狀接合層211內側的接合層207之後，使形成用基板201與形成用基板221相對並貼合在一起。

注意，較佳為在減壓氛圍下將形成用基板201與形成用基板221貼合在一起。

另外，在圖8C中，雖然示出剝離層203與剝離層223的大小不同的情況，但也可以如圖8D所示那樣使用大小相同的剝離層。

以與剝離層203、被剝離層205、被剝離層225以及剝離層223重疊的方式配置接合層207。並且，接合層207的端部較佳為位於剝離層203和剝離層223中的至少一方(欲先剝離的層)的端部內側。由此，能夠抑制形成用基板201與形成用基板221緊緊黏合在一起，從而能夠抑制後面的剝離製程的良率下降。

接著，藉由照射雷射，形成剝離起點(圖9A和圖9B)。

可以先剝離形成用基板201和形成用基板221中的任一個。當剝離層的大小不同時，既可以先剝離形成有較大的剝離層的基板，又可以先剝離形成有較小的剝離層的基板。當僅在一方的基板上形成有半導體元件、發光元件、顯示元件等元件時，既可以先剝離形成有元件一側的基板，又可以先剝離另一方的基板。在此，示出先將形成用基板201剝離的例子。

對固化狀態的接合層207或固化狀態的框狀接合層211與被剝離層205與剝離層203相互重疊的區域照射雷射。在此，例示出接合層207處於固化狀態且框狀接合層211處於非固化狀態的情況，對固化狀態的接合層207照射雷射(參照圖9A的箭頭P3)。

藉由去除被剝離層205的一部分，可以形成剝離起點(參照圖9B中的以虛線圍繞的區域)。此時，除了被剝離層205的一部分之外，還可以剝離層203或接合層207的一部分。

較佳為從設置有要剝離的剝離層的基板一側照射雷射。當對剝離層203與剝離層223重疊的區域照射雷射時，藉由在被剝離層205和被剝離層225中僅在被剝離層205形成裂縫(crack)，可以選擇性地剝離形成用基板201及剝離層203(參照圖9B中的以虛線圍繞的區域)。

當對剝離層203與剝離層223重疊的區域照射雷射時，若在剝離層203一側的被剝離層205和剝離層 223一側的被剝離層225的兩者形成剝離起點，則有可能難以選擇性地剝離一方的形成用基板。因此，為了僅在一方的被剝離層形成裂縫，有時限制雷射的照射條件。

接著，從所形成的剝離起點使被剝離層205與形成用基板201分離(圖9C、圖9D)。由此，可以將被剝離層205從形成用基板201轉置到形成用基板221。

使用接合層233將在圖9D所示的製程中從形成用基板201分離的被剝離層205與基板231貼合在一起，並使接合層233固化(圖10A)。

接著，使用切割器等鋒利的刀具形成剝離起點(圖10B、圖10C)。

在可以使用刀具等切割沒有設置剝離層223一側的基板231的情況下，也可以在基板231、接合層233及被剝離層225中形成切口(參照圖10B的箭頭P5)。由此，可以去除被剝離層225的一部分來形成剝離起點(參照圖10C中的以虛線圍繞的區域)。

例如，當在不重疊於剝離層223的區域中使用接合層233將形成用基板221及基板231貼合在一起時，有時根據形成用基板221一側與基板231一側的緊密性程度而使後面的剝離製程中產生不被剝離的部分，這導致良率下降。因此，較佳為在固化狀態的接合層233與剝離層223重疊的區域中形成框狀的切口來以實線狀形成剝離起點。由此，能夠提高剝離製程的良率。

接著，從所形成的剝離起點使被剝離層225 與形成用基板221分離(圖10D)。由此，可以將被剝離層225從形成用基板221轉置到基板231。

另外，也可以藉由使水等液體浸透到剝離層223與被剝離層225的介面來使形成用基板221與被剝離層225分離。液體因毛細現象而滲到剝離層223與被剝離層225之間，由此可以容易地使其分離。另外，能夠抑制剝離時發生的靜電影響到被剝離層225所包括的功能元件(半導體元件因靜電而被損壞等)。注意，也可以使液體成為霧狀或蒸汽來噴射。作為液體可以使用純水或有機溶劑等，還可以使用中性、鹼性或酸性的水溶液或在其中溶化有鹽的水溶液等。

在上述的本發明的一個方式的剝離方法中，使用鋒利的刀具等形成剝離起點，使剝離層與被剝離層處於容易剝離的狀態，然後進行剝離。由此，能夠提高剝離製程的良率。

另外，在預先將分別設置有被剝離層的一對形成用基板貼合之後，進行剝離，從而可以貼合構成要製造的裝置的基板。因此，當貼合被剝離層時，可以將撓性低的形成用基板相互貼合在一起，與將撓性基板相互貼合在一起時相比，能夠提高貼合時的位置對準精度。

另外，下面將說明能夠使用上述剝離方法製造的撓性發光裝置的一個例子。

圖11A1至圖13C示出作為發光元件使用有機EL元件的撓性發光裝置的一個例子。本實施方式的撓性 發光裝置可以以任何方向彎曲，例如曲率半徑1mm以上且150mm以下。另外，可彎曲部可以是一個或兩個以上，例如，可以將發光裝置折成對折或三折。

例如，本發明的一個方式的發光裝置包括：第一撓性基板；第二撓性基板；該第一撓性基板與該第二撓性基板之間的發光元件；該第一撓性基板與該發光元件之間的第一絕緣層；以及該第二撓性基板與該發光元件之間的第一接合層，該發光元件在一對電極間包括包含發光有機化合物的層，該第一絕緣層的水蒸氣穿透率為低於1×10^-5g/m²．天。

在上述發光裝置中，在該第二撓性基板與該第一接合層之間包括第二絕緣層，該第二絕緣層的水蒸氣穿透率較佳為低於1×10^-5g/m²．天。另外，在上述發光裝置中，較佳為包括圍繞該第一接合層的框狀的第二接合層。

注意，本說明書中的發光裝置包括使用發光元件的顯示裝置。此外，發光裝置有時包括如下模組：發光元件安裝有連接器諸如各向異性導電薄膜或TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)的模組；在TCP的端部設置有印刷線路板的模組；或者藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式在發光元件上直接安裝有IC(積體電路)的模組。再者，發光裝置有時也包括照明設備等。

<結構實例1>

圖11A1示出發光裝置的平面圖，圖11B示出圖11A1的點劃線X3-Y3間的剖面圖。圖11B所示的發光裝置為採用分別塗布方式的頂部發射型發光裝置。在本實施方式中，發光裝置例如可以採用由R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)三個顏色的發光單元顯示一個顏色的結構，或者可以採用由R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)、W(白色)4個顏色的發光單元顯示一個顏色的結構。對顏色要素沒有特別的限制，也可以使用RGBW以外的顏色，例如，可以由黃色、青色、洋紅色等構成。

圖11A1所示的發光裝置包括發光部491、驅動電路部493、FPC(Flexible Printed Circuit)495。發光部491及驅動電路部493所包括的有機EL元件或電晶體由撓性基板420、撓性基板428、框狀的接合層404及接合層407密封。圖11B示出在框狀的接合層404的開口部中導電層457與連接器497連接的例子。

圖11B所示的發光裝置包括：撓性基板420；黏合層422；絕緣層424；電晶體455；絕緣層463；絕緣層465；絕緣層405；有機EL元件450(第一電極401、EL層402及第二電極403)；框狀的接合層404；接合層407；撓性基板428；以及導電層457。撓性基板428、接合層407及第二電極403使可見光透過。

在圖11B所示的發光裝置的發光部491中，在撓性基板420上隔著黏合層422及絕緣層424設置有電晶體455以及有機EL元件450。有機EL元件450包括絕 緣層465上的第一電極401、第一電極401上的EL層402及EL層402上的第二電極403。第一電極401與電晶體455的源極電極或汲極電極電連接。第一電極401較佳為反射可見光。第一電極401的端部由絕緣層405覆蓋。

驅動電路部493具有多個電晶體。圖11B示出驅動電路部493所具有的電晶體中的一個電晶體。

導電層457與將來自外部的信號(視訊信號、時脈信號、啟動信號或重設信號等)或電位傳達給驅動電路部493的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC495的例子。

為了防止製程數量的增加，導電層457較佳為使用與用於發光部或驅動電路部的電極或佈線相同的材料、相同的製程製造。在此，示出使用與構成電晶體的電極同一材料及同一製程製造導電層457的例子。

絕緣層463具有抑制雜質擴散到構成電晶體的半導體中的效果。另外，為了減小起因於電晶體的表面凹凸，作為絕緣層465較佳為選擇具有平坦化功能的絕緣層。

框狀的接合層404較佳為氣體阻隔性高於接合層407。由此，可以抑制水分或氧從外部侵入發光裝置。因此，能夠實現可靠性高的發光裝置。

在結構實例1中，有機EL元件450的發光經過接合層407從發光裝置被提取。因此，接合層407的透光性較佳為高於框狀的接合層404。另外，接合層407的 折射率較佳為高於框狀的接合層404。另外，接合層407的固化時的體積減少量較佳為小於框狀的接合層404。

結構實例1所示的的發光裝置可以使用上述剝離方法以高良率製造。在上述剝離方法中，藉由在形成用基板上作為剝離層形成絕緣層424及各電晶體，可以以高溫形成絕緣層424及電晶體。藉由使用以高溫形成的絕緣層424及電晶體，可以實現可靠性高的發光裝置。另外，作為被剝離層，也可以還形成有機EL元件450等。

<結構實例2>

圖11A2示出發光裝置的平面圖，圖11C示出圖11A2的點劃線X4-Y4間的剖面圖。圖11C所示的發光裝置為採用濾色片方式的底部發射型發光裝置。

圖11C所示的發光裝置包括：撓性基板420；黏合層422；絕緣層424；電晶體454；電晶體455；絕緣層463；著色層432；絕緣層465；導電層435；絕緣層467；絕緣層405；有機EL元件450(第一電極401、EL層402及第二電極403)；接合層407；撓性基板428；以及導電層457。撓性基板420、黏合層422、絕緣層424、絕緣層463、絕緣層465、絕緣層467及第一電極401使可見光透過。

在圖11C所示的發光裝置的發光部491中，在撓性基板420上隔著黏合層422及絕緣層424設置有開關用電晶體454、電流控制用電晶體455以及有機EL元 件450。有機EL元件450包括絕緣層467上的第一電極401、第一電極401上的EL層402及EL層402上的第二電極403。第一電極401藉由導電層435與電晶體455的源極電極或汲極電極電連接。第一電極401的端部由絕緣層405覆蓋。第二電極403較佳為反射可見光。另外，在發光裝置中，在絕緣層463上設置有與有機EL元件450重疊的著色層432。

驅動電路部493具有多個電晶體。圖11C示出驅動電路部493所具有的電晶體中的二個電晶體。

導電層457與對驅動電路部493傳達來自外部的信號或電位的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC495的例子。另外，在此，示出使用與導電層435相同的材料、相同的製程製造導電層457的例子。

絕緣層463具有抑制雜質擴散到構成電晶體的半導體中的效果。另外，為了減小起因於電晶體或佈線的表面凹凸，作為絕緣層465及絕緣層467較佳為選擇具有平坦化功能的絕緣層。

此外，如圖12A所示，也可以與撓性基板420重疊地設置觸控感測器。觸控感測器包括導電層441、導電層442、絕緣層443。另外，如圖12B所示，也可以在撓性基板420與觸控感測器之間設置撓性基板444。此外，觸控感測器也可以設置在撓性基板420與撓性基板444之間。也可以包括用於觸控感測器的 FPC445。

結構實例2所示的發光裝置可以使用上述剝離方法以高良率製造。在上述剝離方法中，藉由在形成用基板上作為被剝離層形成絕緣層424及各電晶體，可以以高溫形成絕緣層424及電晶體。藉由使用以高溫形成的絕緣層424及電晶體，可以實現可靠性高的發光裝置。另外，作為被剝離層，也可以還形成有機EL元件450等。

<結構實例3>

圖13A1示出發光裝置的平面圖，圖13B示出圖13A1的點劃線X5-Y5間的剖面圖。圖13A1所示的發光裝置為採用濾色片方式的頂部發射型發光裝置。

圖13B所示的發光裝置包括：撓性基板420；黏合層422；絕緣層424；電晶體455；絕緣層463；絕緣層465；絕緣層405；間隔物496；有機EL元件450(第一電極401、EL層402及第二電極403)；接合層407；保護層453；遮光層431；著色層432；絕緣層226；黏合層426；撓性基板428；以及導電層457。撓性基板428、黏合層426、絕緣層226、接合層407、保護層453及第二電極403使可見光透過。

在圖13B所示的發光裝置的發光部491中，在撓性基板420上隔著黏合層422及絕緣層424設置有電晶體455以及有機EL元件450。有機EL元件450包括絕緣層465上的第一電極401、第一電極401上的EL層402 及EL層402上的第二電極403。第一電極401與電晶體455的源極電極或汲極電極電連接。第一電極401的端部由絕緣層405覆蓋。第一電極401較佳為反射可見光。絕緣層405上包括間隔物496。藉由設置間隔物496，可以調整撓性基板420與撓性基板428的間隔。

另外，發光裝置包括隔著接合層407與有機EL元件450重疊的著色層432以及隔著接合層407與絕緣層405重疊的遮光層431。

驅動電路部493具有多個電晶體。圖13B示出驅動電路部493所具有的電晶體中的一個電晶體。

導電層457與對驅動電路部493傳達來自外部的信號或電位的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC495的例子。另外，在此，示出使用與構成電晶體455的電極相同的材料、相同的製程製造導電層457的例子。

在圖13B所示的發光裝置中，連接器497位於絕緣層226上。連接器497藉由設置在撓性基板428、黏合層426、絕緣層226、接合層407、絕緣層465及絕緣層463中的開口與導電層457連接。另外，連接器497與FPC495連接。FPC495與導電層457藉由連接器497電連接。當導電層457與撓性基板428重疊時，藉由在撓性基板428中形成開口(或使用具有開口部的撓性基板)，可以使導電層457、連接器497及FPC495電連接。

絕緣層424的氣體阻隔性較佳為高。由此， 能夠抑制水分或氧從撓性基板420一側侵入發光裝置。同樣地，絕緣層226的氣體阻隔性較佳為高。由此，能夠抑制水分或氧從撓性基板428一側侵入發光裝置。

結構實例3所示的發光裝置可以使用上述剝離方法以高良率製造。在上述剝離方法中，在形成用基板上作為被剝離層形成絕緣層424、各電晶體、有機EL元件450等。並且，在其他形成用基板上作為被剝離層形成絕緣層226、著色層432、遮光層431等。在將上述兩個形成用基板貼合後，藉由分離被剝離層與形成用基板並使用黏合層貼合被剝離層與撓性基板，可以製造結構實例3所示的發光裝置。

在本發明的一個方式的剝離方法中，可以在形成用基板上以高溫形成絕緣層及電晶體。藉由使用以高溫形成的絕緣層424、絕緣層226及電晶體，可以實現可靠性高的發光裝置。可以在有機EL元件450上及下配置以高溫形成的氣體阻隔性高的絕緣層(絕緣層226及絕緣層424)。由此，可以抑制水分等雜質混入有機EL元件450。

<結構實例4>

圖13A2示出發光裝置的平面圖，圖13C示出圖13A2的點劃線X6-Y6間的剖面圖。圖13A2所示的發光裝置為採用濾色片方式的頂部發射型發光裝置。

圖13C所示的發光裝置包括：撓性基板 420；黏合層422；絕緣層424；電晶體455；絕緣層463；絕緣層465；絕緣層405；有機EL元件450(第一電極401、EL層402及第二電極403)；框狀的接合層404a；框狀的接合層404b；接合層407；保護層453；遮光層431；著色層432；絕緣層226；黏合層426；撓性基板428；以及導電層457。撓性基板428、黏合層426、絕緣層226、接合層407、保護層453及第二電極403使可見光透過。

在圖13C所示的發光裝置的發光部491中，在撓性基板420上隔著黏合層422及絕緣層424設置有電晶體455及有機EL元件450。有機EL元件450包括絕緣層465上的第一電極401、第一電極401上的EL層402及EL層402上的第二電極403。第一電極401與電晶體455的源極電極或汲極電極電連接。第一電極401的端部由絕緣層405覆蓋。第一電極401較佳為反射可見光。另外，發光裝置包括隔著接合層407與有機EL元件450重疊的著色層432及隔著接合層407與絕緣層405重疊的遮光層431。

驅動電路部493具有多個電晶體。圖13C示出驅動電路部493所具有的電晶體中的一個電晶體。在本實施方式中，雖然示出驅動電路部493位於框狀的接合層404a、b內側的例子，但也可以位於接合層404a、b的一者或兩者的外側。

導電層457與對驅動電路部493傳達來自外 部的信號或電位的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC495的例子。另外，在此，示出使用與構成電晶體455的電極相同的材料、相同的製程製造導電層457的例子。絕緣層226上的連接器497與導電層457連接。另外，連接器497與FPC495連接。FPC495與導電層457藉由連接器497電連接。

藉由使導電層457位於框狀的接合層404a的外側，即便在FPC495與連接器497的連接部以及連接器497與導電層457的連接部中水分等容易侵入的情況下，也能夠抑制水分等雜質侵入有機EL元件450，所以是較佳的。

圖13C在絕緣層465不露出到發光裝置側面這一點上與圖13B不同。在作為絕緣層465的材料使用氣體阻隔性低的有機絕緣材料等時，絕緣層465較佳為不露出到發光裝置側面。並且，藉由使氣體阻隔性高的框狀的接合層位於發光裝置側面，能夠提高發光裝置的可靠性，所以是較佳的。另外，根據絕緣層465的材料等，如圖13B所示，絕緣層465可以露出到發光裝置的端部。

框狀的接合層404a或框狀的接合層404b較佳為氣體阻隔性分別高於接合層407。由此，可以抑制水或氧從發光裝置的側面侵入發光裝置。因此，可以實現可靠性高的發光裝置。

例如，將接合層407、框狀的接合層404a及框狀的接合層404b中的水蒸氣穿透率最低的層用作框狀 的接合層404a，藉由使框狀的接合層404b中包含吸附水分的乾燥劑等，可以由框狀的接合層404a抑制水分的侵入，藉由由框狀的接合層404b吸附穿過框狀的接合層404a的水分，可以抑制水分侵入接合層407，尤其可以抑制水分侵入有機EL元件450。

在結構實例4中，有機EL元件450的發光經過接合層407從發光裝置被提取。因此，接合層407的透光性較佳為高於框狀的接合層404a以及框狀的接合層404b。另外，接合層407的折射率較佳為高於框狀的接合層404a以及框狀的接合層404b。另外，接合層407的固化時的體積減少量較佳為小於框狀的接合層404a以及框狀的接合層404b。

結構實例4所示的發光裝置可以使用上述剝離方法以高良率製造。在上述剝離方法中，在形成用基板上作為被剝離層形成絕緣層424、各電晶體、有機EL元件450等。並且，在其他形成用基板上作為被剝離層形成絕緣層226、著色層432、遮光層431等。在將上述兩個形成用基板貼合後，藉由分離被剝離層與形成用基板並使用黏合層貼合被剝離層與撓性基板，可以製造結構實例4所示的發光裝置。

在上述剝離方法中，可以在形成用基板上以高溫形成絕緣層及電晶體。藉由使用以高溫形成的絕緣層424、絕緣層226及電晶體，可以實現可靠性高的發光裝置。可以在有機EL元件450上及下配置以高溫形成的氣 體阻隔性高的絕緣層(絕緣層226及絕緣層424)。由此，可以抑制水分等雜質混入有機EL元件450。

如上所述，在結構實例4中，藉由絕緣層424、絕緣層226、框狀的接合層404a、b，可以抑制水分等雜質從發光裝置的表面(顯示面)，背面(與顯示面相對的面)及側面侵入有機EL元件450。因此，可以提高發光裝置的可靠性。

雖然在此作為顯示元件示出使用有機EL元件的情況的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。

另外，在本發明的一個方式中，可以採用在像素中包括主動元件(非線性元件)的主動矩陣方式或者在像素中不包括主動元件的被動矩陣方式。

本實施方式可以與其他實施方式自由地組合。

實施方式4

在本實施方式中，參照圖14A至圖15C說明本發明的一個方式的輸入/輸出裝置的結構。

圖14A至圖14C是說明本發明的一個方式的輸入/輸出裝置的結構的投影圖。

圖14A是本發明的一個方式的輸入/輸出裝置500的投影圖，圖14B是說明輸入/輸出裝置500所具備的檢測單元20U的結構的投影圖。

圖15A至圖15C是說明本發明的一個方式的 輸入/輸出裝置500的結構的剖面圖。

圖15A是沿著圖14A至圖14C所示的本發明的一個方式的輸入/輸出裝置500的Z1-Z2的剖面圖。

也可以將輸入/輸出裝置500稱為觸控面板。

<輸入/輸出裝置的結構實例1>

在本實施方式中說明的輸入/輸出裝置500包括：具備使可見光透過的窗戶部14且配置為矩陣狀的多個檢測單元20U；與配置在行方向(圖中以箭頭R表示)上的多個檢測單元20U電連接的掃描線G1；與配置在列方向(圖中以箭頭C表示)上的多個檢測單元20U電連接的信號線DL；具備支撐檢測單元20U、掃描線G1及信號線DL的撓性第一基體材料16的撓性輸入裝置100；以及具備重疊於窗戶部14且配置為矩陣狀的多個像素502及支撐像素502的撓性第二基體材料510的顯示部501(參照圖14A至圖14C)。

檢測單元20U具備重疊於窗戶部14的檢測元件C及與檢測元件C電連接的檢測電路19(參照圖14B)。

檢測元件C具備絕緣層23及夾著絕緣層23的第一電極21與第二電極22(參照圖15A)。

檢測電路19被供應選擇信號並根據檢測元件C的電容的變化供應檢測信號DATA。

掃描線G1可以供應選擇信號，信號線DL可 以供應檢測信號DATA，檢測電路19可以以重疊於多個窗戶部14的間隙的方式配置。

另外，在本實施方式中說明的輸入/輸出裝置500在檢測單元20U與重疊於檢測單元20U的窗戶部14的像素502之間具備著色層。

在本實施方式中說明的輸入/輸出裝置500包括：具備多個包括使可見光透過的窗戶部14的檢測單元20U的撓性輸入裝置100；以及具備多個重疊於窗戶部14的像素502的撓性顯示部501，其中在窗戶部14與像素502之間包括著色層。

由此，輸入/輸出裝置可以供應基於電容的變化的檢測信號及供應該檢測信號的檢測單元的位置資訊，並可以顯示與檢測單元的位置資訊相關的影像資訊，還可以被彎曲。其結果是，可以提供便利性或可靠性優異的新穎的輸入/輸出裝置。

另外，輸入/輸出裝置500也可以具備被供應輸入裝置100所供應的信號的FPC1或/及對顯示部501供應包含影像資訊的信號的FPC2。

另外，也可以具備防止損傷的發生來保護輸入/輸出裝置500的保護層17p或/及減弱輸入/輸出裝置500所反射的外光的強度的防反射層567p。

另外，輸入/輸出裝置500包括對顯示部501的掃描線供應選擇信號的掃描線驅動電路503g；供應信號的佈線511；以及與FPC2電連接的端子519。

下面說明構成輸入/輸出裝置500的各要素。注意，有時無法明確地區分上述構成要素，一個構成要素兼作其他構成要素或包含其他構成要素的一部分。

例如，在與多個窗戶部14重疊的位置上具備著色層的輸入裝置100既是輸入裝置100又是濾色片。

另外，例如輸入裝置100與顯示部501重疊的輸入/輸出裝置500既是輸入裝置100又是顯示部501。

《整體結構》

輸入/輸出裝置500包括輸入裝置100及顯示部501(參照圖14A)。

《輸入裝置100》

輸入裝置100具備多個檢測單元20U及支撐檢測單元的撓性基體材料16。例如，在撓性基體材料16上將多個檢測單元20U配置為40行15列的矩陣狀。

《窗戶部14、著色層及遮光性的層BM》

窗戶部14使可見光透過。

在重疊於窗戶部14的位置上具備使指定的顏色的光透過的著色層。例如，具備使藍色的光透過的著色層CFB、使綠色的光透過的著色層CFG或使紅色的光透過的著色層CFR(參照圖14B)。

另外，可以具備除了藍色、綠色或/及紅色還 使白色的光透過的著色層或使黃色的光透過的著色層等使各種顏色的光透過的著色層。

可以對著色層使用金屬材料、顏料或染料等。

以圍繞窗戶部14的方式具備遮光性的層BM。遮光性的層BM與窗戶部14相比不容易使光透過。

可以將碳黑、金屬氧化物、包括多個金屬氧化物的固溶體的複合氧化物等用於遮光性的層BM。

在與遮光性的層BM重疊的位置上具備掃描線G1、信號線DL、佈線VPI、佈線RES、佈線VRES以及檢測電路19。

另外，可以具備覆蓋著色層及遮光性的層BM的透光性的保護層。

《檢測元件C》

檢測元件C包括：第一電極21；第二電極22；以及第一電極21與第二電極22之間的絕緣層23(參照圖15A)。

為了與其他區域分開，第一電極21例如形成為島狀。尤其是，為了不使輸入/輸出裝置500的使用者辨別出第一電極21，較佳為將能夠在與第一電極21相同的製程製造的層配置在接近於第一電極21的位置上。更佳的是，儘可能地減少配置在第一電極21以及接近於第一電極21的層的間隙的窗戶部14的數量。尤其是，較佳 為採用不在該間隙配置窗戶部14的結構。

以與第一電極21重疊的方式具備第二電極22，並在第一電極21與第二電極22之間具備絕緣層23。

例如，當介電常數與大氣不同的物質接近放置於大氣中的檢測元件C的第一電極21或第二電極22時，檢測元件C的電容產生變化。明確而言，當手指等接近檢測元件C時，檢測元件C的電容產生變化。由此，可以將檢測元件C用於接近檢測器。

例如，能夠變形的檢測元件C的電容隨著變形而變化。

明確而言，藉由用手指等接觸檢測元件C，第一電極21與第二電極22的間隔變窄，而檢測元件C的電容變大。由此，可以將檢測元件C用於接觸檢測器。

明確而言，藉由將檢測元件C折疊，使第一電極21與第二電極22的間隔變窄。由此，檢測元件C的電容變大。由此，可以將檢測元件C用於彎曲檢測器。

第一電極21及第二電極22包含導電材料。

例如，可以將無機導電材料、有機導電材料、金屬或導電陶瓷等用於第一電極21及第二電極22。

明確而言，可以使用選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、銀和錳中的金屬元素、以上述金屬元素為成分的合金或組合上述金屬元素的合金等來形成。

或者，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅 氧化物、氧化鋅、添加了鎵的氧化鋅等的導電氧化物。

可以使用石墨烯或石墨。包含石墨烯的膜例如可以使形成為膜狀的氧化石墨烯還原而形成。作為還原方法，可以採用進行加熱的方法或使用還原劑的方法等。

或者，可以使用導電高分子。

《檢測電路19》

檢測電路19例如包含電晶體M1至電晶體M3。另外，檢測電路19包含供應電源電位及信號的佈線。例如，包含佈線VPI、佈線CS、掃描線G1、佈線RES、佈線VRES及信號線DL等。在實施方式5中詳細說明檢測電路19的具體結構。

也可以將檢測電路19配置在不與窗戶部14重疊的區域。例如，藉由在不與窗戶部14重疊的區域配置佈線，可以容易地從檢測單元20U的一側看到存在於其他一側的物體。

例如，可以將能夠使用同一製程形成的電晶體用於電晶體M1至電晶體M3。

電晶體M1包括半導體層。例如，可以將14族的元素、化合物半導體或氧化物半導體用於半導體層。明確而言，可以使用包含矽的半導體、包含鎵砷的半導體或包含銦的氧化物半導體等。

在實施方式5中詳細說明將氧化物半導體用於半導體層的電晶體的結構。

可以將具有導電性的材料用於佈線。

例如，可以將無機導電材料、有機導電材料、金屬或導電陶瓷等用於佈線。明確而言，可以使用與能用於第一電極21及第二電極22相同的材料。

可以將鋁、金、鉑、銀、鎳、鈦、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或包含該金屬材料的合金材料用於掃描線G1、信號線DL、佈線VPI、佈線RES及佈線VRES。

也可以對形成於基體材料16的膜進行加工，而在基體材料16上形成檢測電路19。

或者，也可以將形成在其他基體材料上的檢測電路19轉置到基體材料16上。

在實施方式5中詳細說明檢測電路的製造方法。

《基體材料16》

可以將有機材料、無機材料或有機材料與無機材料的複合材料用於撓性基體材料16。

可以將具有如下厚度的材料用於基體材料16：5μm以上且2500μm以下，較佳為5μm以上且680μm以下，更佳為5μm以上且170μm以下，更佳為5μm以上且45μm以下，更佳為5μm以上且45μm以下，更佳為8μm以上且25μm以下。

另外，可以將抑制雜質透過的材料適用於基 體材料16。例如，可以使用水蒸氣穿透率為10^-5g/m²．天以下，較佳為10^-6g/m²．天以下的材料。

另外，可以將線性膨脹係數與第二基體材料510大致相等的材料用於基體材料16。例如，可以使用線性膨脹係數為1×10^-3/K以下，較佳為5×10^-5/K以下，更佳為1×10^-5/K以下的材料。

例如，可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠薄膜等有機材料用於基體材料16。

例如，可以將金屬板或厚度為10μm以上且50μm以下的薄板狀的玻璃板等無機材料用於基體材料16。

例如，可以將使用樹脂層貼合的金屬板、薄板狀的玻璃板或無機材料的膜與樹脂薄膜等而形成的複合材料用於基體材料16。

例如，基體材料16可以使用將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機材料等分散到樹脂或樹脂薄膜而得到的複合材料。

例如，可以將熱固化樹脂或紫外線固化樹脂用於樹脂層。

明確而言，可以使用聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜或樹脂板。

明確而言，可以使用無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃或水晶玻璃等。

明確而言，可以使用金屬氧化物膜、金屬氮化物膜或金屬氧氮化物膜等。例如，可以使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧化鋁膜等。

明確而言，可以使用設置有開口部的SUS或鋁等。

明確而言，可以使用丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵的樹脂等樹脂。

例如，基體材料16可以使用層疊有具有撓性的基體材料16b、防止雜質的擴散的障壁膜16a以及貼合基體材料16b與障壁膜16a的樹脂層16c的疊層體(參照圖15A)。

明確而言，障壁膜16a可以使用包含層疊有600nm的氧化氮化矽膜及厚度為200nm的氮化矽膜的疊層材料的膜。

明確而言，可以將包含依次層疊有厚度為600nm的氧氮化矽膜、厚度為200nm的氮化矽膜、厚度為200nm的氧氮化矽膜、厚度為140nm的氮氧化矽膜以及厚度為100nm的氧氮化矽膜的疊層材料的膜用於障壁膜16a。

可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜、樹脂板或疊層體等用於基體材料16b。

例如，可以將包含聚酯、聚烯烴、聚醯胺(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚醯亞胺、聚碳酸酯或者具有 丙烯酸鍵合、聚氨酯鍵合、環氧鍵合或矽氧烷鍵合的樹脂的材料用於樹脂層16c。

《保護基體材料17、保護層17p》

輸入裝置100可以具備撓性的保護基體材料17或/及保護層17p。撓性的保護基體材料17或保護層17p防止損傷的發生來保護輸入裝置100。

例如，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜、樹脂板或疊層體等用於保護基體材料17。

例如，可以將硬質塗層或陶瓷塗層用於保護層17p。明確而言，可以將包含UV硬化樹脂或氧化鋁的層形成在重疊於第二電極22的位置。

《顯示部501》

顯示部501具備配置為矩陣狀的多個像素502(參照圖14C)。

例如，像素502包括子像素502B、子像素502G及子像素502R，並且各子像素具備顯示元件及驅動顯示元件的像素電路。

像素502的子像素502B配置在與著色層CFB重疊的位置，子像素502G配置在與著色層CFG重疊的位置，子像素502R配置在與著色層CFR重疊的位置。

在本實施方式中說明將發射白色光的有機電 致發光元件適用於顯示元件的情況，但是顯示元件不侷限於此。

例如，也可以以每個子像素發射不同的發光顏色的方式，將發光顏色不同的有機電致發光元件適用於每個子像素。

此外，在顯示部中可以採用在像素中具有主動元件的主動矩陣方式或在像素中沒有主動元件的被動矩陣方式。

在主動矩陣方式中，作為主動元件(非線性元件)，不僅可以使用電晶體，而且還可以使用各種主動元件(非線性元件)。例如，也可以使用MIM(Metal Insulator Metal：金屬-絕緣體-金屬)或TFD(Thin Film Diode：薄膜二極體)等。由於這些元件的製程少，所以可以降低製造成本或提高良率。另外，由於這些元件的尺寸小，所以可以提高開口率，從而實現低功耗或高亮度化。

除了主動矩陣方式以外，也可以採用不包括主動元件(非線性元件)的被動矩陣方式。由於不使用主動元件(非線性元件)，所以製程少，從而可以降低製造成本或提高良率。另外，由於不使用主動元件(非線性元件)，所以可以提高開口率，並實現低功耗或高亮度化等。

《第二基體材料510》

可以將具有撓性的材料用於第二基體材料510。例如，第二基體材料510可以使用能夠用於基體材料16的材料。

例如，第二基體材料510可以使用層疊有具有撓性的基體材料510b、防止雜質的擴散的障壁膜510a、貼合基體材料510b與障壁膜510a的樹脂層510c的疊層體(參照圖15A)。

《密封材料560》

密封材料560貼合基體材料16與第二基體材料510。密封材料560具有大於空氣的折射率。另外，當在密封材料560一側提取光時，密封材料560具有光學黏合的功能。

像素電路及發光元件(例如發光元件550R)位於第二基體材料510與基體材料16之間。

《像素的結構》

子像素502R具備發光模組580R。

子像素502R具備發光元件550R以及包含能夠對發光元件550R供應電力的電晶體502t的像素電路。另外，發光模組580R具備發光元件550R以及光學元件(例如為著色層CFR)。

發光元件550R包括下部電極、上部電極以及下部電極與上部電極之間的包含發光有機化合物的層。

發光模組580R在提取光的方向上具有著色層CFR。著色層只要可以使具有特定波長的光透過即可，例如，可以使用選擇性地使呈現紅色、綠色或藍色等的光透過的著色層。也可以將其他子像素以重疊於沒有設置著色層的窗戶部的方式配置，使發光元件發射的光不透過著色層而射出。

另外，當密封材料560設置在提取光的一側時，密封材料560接觸於發光元件550R及著色層CFR。

著色層CFR位於與發光元件550R重疊的位置。由此，發光元件550R發射的光的一部分透過著色層CFR，而向圖15A中的箭頭方向發射到發光模組580R的外部。

遮光性的層BM以圍繞著色層(例如著色層CFR)的方式設置。

《像素電路的結構》

像素電路包括覆蓋電晶體502t的絕緣膜521。絕緣膜521可以被用作使起因於像素電路的凹凸平坦化的層。另外，可以將包含能夠抑制雜質的擴散的層的疊層膜適用於絕緣膜521。由此，可以抑制因雜質的擴散而使電晶體502t等可靠性降低的情況。

絕緣膜521上設置有下部電極，在絕緣膜521上以重疊於下部電極的端部的方式設置有分隔壁528。

以在下部電極與上部電極之間夾著包含發光 有機化合物的層的方式構成發光元件(例如發光元件550R)。像素電路對發光元件供電。

另外，在分隔壁528上包括控制基體材料16與第二基體材料510的間隔的間隔物。

《掃描線驅動電路的結構》

掃描線驅動電路503g(1)包括電晶體503t及容量503c。可以將能夠與像素電路的電晶體使用同一製程形成在同一基板上的電晶體用於驅動電路。

《轉換器CONV》

轉換器CONV可以使用能夠將檢測單元20U所供應的檢測信號DATA轉換而供應到FPC1的各種電路(參照圖14A及圖15A)。

例如，可以將電晶體M4用於轉換器CONV。

《其他結構》

顯示部501在與像素重疊的位置上具有防反射層567p。防反射層567p例如可以使用圓偏光板。

顯示部501包括能夠供應信號的佈線511，佈線511中設置有端子519。能夠供應影像信號及同步信號等信號的FPC2與端子519電連接。

另外，FPC2中也可以安裝有印刷線路板(PWB)。

顯示部501具備掃描線、信號線以及電源線等的佈線。可以將各種導電膜用於佈線。

具體地，使用選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、釔、鋯、銀和錳中的金屬元素、以上述金屬元素為成分的合金或組合上述金屬元素的合金等來形成。尤其是，較佳為包含選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬和鎢中的一個以上的元素。尤其是，銅和錳的合金適合用於利用濕蝕刻的微細加工。

具體地，可以舉出在鋁膜上層疊鈦膜的雙層結構、在氮化鈦膜上層疊鈦膜的雙層結構、在氮化鈦膜上層疊鎢膜的雙層結構、在氮化鉭膜或氮化鎢膜上層疊鎢膜的雙層結構以及依次層疊鈦膜、該鈦膜上的鋁膜和其上的鈦膜的三層結構等。

具體地，可以採用在鋁膜上層疊有選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧中的一種元素或多種元素的合金膜或氮化膜的疊層結構。

此外，也可以使用含有氧化銦、氧化錫或氧化鋅的透光導電材料。

<顯示部的變形例子>

可以將各種電晶體用於顯示部501。

圖15A及圖15B示出將底閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。

例如，可以將包含氧化物半導體或非晶矽等 的半導體層適用於圖15A所示的電晶體502t及電晶體503t。

例如，可以將包含利用雷射退火法等處理被結晶化的多晶矽的半導體層適用於圖15B所示的電晶體502t及電晶體503t。

圖15C示出將頂閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。

例如，可以將包含多晶矽或從單晶矽基板等轉置的單晶矽膜等的半導體層適用於圖15C所示的電晶體502t及電晶體503t。

注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。

實施方式5

在本實施方式中，參照圖16A、圖16B1及圖16B2說明能夠用於本發明的一個方式的輸入/輸出裝置的檢測單元的檢測電路的結構及驅動方法。

圖16A、圖16B1及圖16B2是說明本發明的一個方式的檢測電路19及轉換器CONV的結構及驅動方法的圖。

圖16A是說明本發明的一個方式的檢測電路19及轉換器CONV的結構的電路圖，圖16B1及圖16B2是說明驅動方法的時序圖。

本發明的一個方式的檢測電路19具備第一電 晶體M1，作為第一電晶體M1，其閘極與檢測元件C的第一電極21電連接，並且其第一電極例如與能夠供應接地電位的佈線VPI電連接(參照圖16A)。

另外，檢測電路19也可以具備第二電晶體M2，作為第二電晶體M2，其閘極與能夠供應選擇信號的掃描線G1電連接，其第一電極與第一電晶體M1的第二電極電連接，並且其第二電極與例如能夠供應檢測信號DATA的信號線DL電連接。

另外，檢測電路19也可以具備第三電晶體M3，作為第三電晶體M3，其閘極與能夠供應重設信號的佈線RES電連接，其第一電極與檢測元件C的第一電極21電連接，並且其第二電極與例如能夠供應接地電位的佈線VRES電連接。

檢測元件C的電容例如因物體接近第一電極21或第二電極22而產生變化，或者因第一電極21及第二電極22的間隔變化而產生變化。由此，檢測器20B能夠根據檢測元件C的電容的變化供應檢測信號DATA。

另外，檢測器20B具備可以供應能夠控制檢測元件C的第二電極的電位的控制信號的佈線CS。

注意，將電連接檢測元件C的第一電極21、第一電晶體M1的閘極及第三電晶體的第一電極的部分稱為節點A。

佈線VRES及佈線VPI例如可以供應接地電位，佈線VPO及佈線BR例如可以供應高電源電位。

另外，佈線RES可以供應重設信號，掃描線G1可以供應選擇信號，佈線CS可以供應能夠控制檢測元件的第二電極22的電位的控制信號。

另外，信號線DL可以供應檢測信號DATA，端子OUT可以供應根據檢測信號DATA轉換的信號。

注意，可以將能夠轉換檢測信號DATA而供應到端子OUT的各種電路用於轉換器CONV。例如，也可以藉由使轉換器CONV與檢測電路19電連接構成源極隨耦電路或電流鏡電路等。

明確而言，可以藉由使用包括電晶體M4的轉換器CONV構成源極隨耦電路(參照圖16A)。可以將能夠使用與第一電晶體M1至第三電晶體M3同一製程製造的電晶體用於電晶體M4。

另外，電晶體M1至電晶體M3包括半導體層。例如，可以將4族的元素、化合物半導體或氧化物半導體用於半導體層。明確而言，可以使用包含矽的半導體，包含鎵砷的半導體或包含銦的氧化物半導體等。

在實施方式5中詳細說明將氧化物半導體用於半導體層的電晶體的結構。

<檢測電路19的驅動方法>

說明檢測電路19的驅動方法。

《第一步驟》

在第一步驟中，在開啟第三電晶體之後對閘極供應使其成為關閉狀態的重設信號，使檢測元件C的第一電極的電位成為預定的電位(參照圖16B1的期間T1)。

明確而言，將重設信號供應到佈線RES。被供應重設信號的第三電晶體例如將節點A的電位設定為接地電位(參照圖16A)。

《第二步驟》

在第二步驟中，對閘極供應使第二電晶體M2處於開 啟狀態的選擇信號，並使第一電晶體的第二電極與信號線DL電連接。

明確而言，對掃描線G1供應選擇信號。藉由被供應選擇信號的第二電晶體M2將第一電晶體的第二電極電連接於信號線DL(參照圖16B1期間T2)。

《第三步驟》

在第三步驟中，將控制信號供應到檢測元件C的第二電極，將根據控制信號及檢測元件C的電容而變化的電位供應到第一電晶體M1的閘極。

明確而言，對佈線CS供應矩形的控制信號。作為其第二電極22被供應矩形的控制信號的檢測元件C，其節點A的電位根據檢測元件C的電容上升(參照圖16B1期間T2的後半部分)。

例如，當檢測元件C處於大氣中時，在介電 常數高於大氣的物質配置在檢測元件C的第二電極22附近的情況下，檢測元件C的電容變得比外觀上的電容大。

由此，與在介電常數高於大氣的物質沒有配置在檢測元件C的第二電極22附近的情況相比，矩形的控制信號所導致的節點A的電位的變化變小(參照圖16B2實線)。

《第四步驟》

在第四步驟中，將因第一電晶體M1的閘極的電位的變化而產生的信號供應到信號線DL。

例如，將起因於第一電晶體M1的閘極的電位的變化的電流變化供應到信號線DL。

轉換器CONV將流過信號線DL的電流的變化轉換成電壓的變化來供應。

《第五步驟》

在第五步驟中，對閘極供應使第二電晶體處於關閉狀態的選擇信號。

注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。

實施方式6

在本實施方式中，示出作為外包裝體使用膜製造疊層型的鋰離子二次電池的例子。疊層型的鋰離子二次電池相 當於實施方式1的圖4中的電池117。

首先，準備由撓性基材構成的片材。片材為疊層體，使用在其一個或兩個表面上設置有黏合層(也成為熱封層)的金屬膜。黏合層使用包含聚丙烯或聚乙烯等的熱熔黏合樹脂膜。在本實施方式中，片材使用在鋁箔的表面設置有尼龍樹脂，在背面設置有耐酸性聚丙烯膜與聚丙烯膜的疊層的金屬片材。藉由切割該片材準備圖19A至圖19F所示的膜31。

接著，也可以對該膜31進行壓花加工，在膜表面形成凹凸，形成可見的圖案。在此，示出在切割片材之後進行壓花加工的例子，但是對順序沒有特別的限制，也可以先進行壓花加工，再切割片材。此外，也可以在折疊片材並進行熱壓合之後進行切割。

注意，壓花加工為壓製加工之一，是將其表面設置有凹凸的壓花輥壓在膜上，在該膜表面形成對應於壓花輥的凹凸的圖案的處理。壓花輥是其表面雕刻著圖案的輥。另外，不侷限於使用壓花輥，也可以使用壓花板(embossing plate)。此外，不侷限於壓花加工，只要在膜的一部分中形成浮雕即可。

在本實施方式中，在膜31的兩個表面設置凹凸而形成圖案，對折折疊膜31，使各包括四個角中的兩個角的兩個端部重疊，然後用黏合層對三個邊進行密封。

接著，折疊膜31，而成為圖19A所示的狀態。

另外，如圖19B所示，準備構成二次電池的正極集電器32、隔離體33、負極集電器34的疊層。作為正極集電器32及負極集電器34等集電器，可以使用不鏽鋼、金、鉑、鋅、鐵、鎳、銅、鋁、鈦、鉭等金屬、這些金屬的合金等導電性高且不與鋰等載體離子合金化的材料。另外，還可以使用添加有矽、鈦、釹、鈧、鉬等提高耐熱性的元素的鋁合金。此外，也可以使用與矽起反應而形成矽化物的金屬元素。作為與矽起反應而形成矽化物的金屬元素，可以舉出鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、鈷、鎳等。作為集電器可以適當地使用箔狀、板狀(片狀)、網狀、圓柱狀、線圈狀、打孔金屬網狀、擴張金屬網狀等形狀。集電器的厚度較佳為10μm以上且30μm以下。在此，為了簡化說明，例示了外包裝體中容納一個由正極集電器32、隔離體33及負極集電器34的疊層構成的組合，但是也可以為了增大二次電池的容量而層疊多個該組合並收納在外包裝體中。在二次電池內，隔離體33可以折疊著使用也可以作為袋狀使用。

接著準備兩個圖19C所示的具有密封層35的引線電極36。引線電極36也被稱為引線端子，是用來將二次電池的正極或負極引出到外包膜的外側而設置的。

藉由超聲波銲錫等使一個引線電極與正極集電器32的突出部電連接。並藉由超聲波銲錫等使另一個引線電極與負極集電器34的突出部電連接。

另外，為了留下用來注入電解液的一邊，對 膜31的兩個邊進行熱壓合而密封。當進行熱壓合時，設置在引線電極上的密封層35也熔化，引線電極與膜31之間被固定。然後，在減壓氛圍下或在惰性氛圍下將所希望的量的電解液滴加到袋狀的膜31內。最後，對膜的未進行熱壓合而留下的邊緣進行熱壓合來密封。

藉由上述步驟，可以製造圖19D所示的二次電池40。

在所得到的二次電池40中，用作外包裝體的膜31的表面具有凹凸圖案。另外，圖19D中的虛線與端部之間的區域是熱壓合區域37，該區域的表面也具有凹凸圖案。雖然熱壓合區域37的凹凸比中央部小，但是也可以緩和使二次電池彎曲時產生的應力。藉由採用緩和因應力導致的歪曲的結構，可以防止在彎曲或變形時二次電池(例如，外包裝體等)受到損傷，因此可以確保長期可靠性。

另外，圖19E示出以圖19D中的點劃線A-B截斷的剖面的一個例子。

如圖19E所示，膜31的重疊於正極集電器32的區域的凹凸與熱壓合區域37不同。另外，如圖19E所示，使依次層疊有正極集電器32、正極活性物質層38、隔離體33、負極活性物質層39、負極集電器34的疊層夾在折疊的膜31之間，在膜31的端部使用黏合層41密封，在其他空間中設置有電解液42。

作為用於正極活性物質層38的正極活性物 質，可以舉出具有橄欖石型結晶結構、層狀岩鹽型結晶結構或者尖晶石型結晶結構的複合氧化物等。作為正極活性物質，例如使用LiFeO₂、LiCoO₂、LiNiO₂、LiMn₂O₄、V₂O₅、Cr₂O₅、MnO₂等化合物。

此外，可以使用複合材料(通式為LiMPO₄(M為Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一種以上))。作為通式LiMPO₄的典型例子，可以使用LiFePO₄、LiNiPO₄、LiCoPO₄、LiMnPO₄、LiFe_aNi_bPO₄、LiFe_aCo_bPO₄、LiFe_aMn_bPO₄、LiNi_aCo_bPO₄、LiNi_aMn_bPO₄(a+b為1以下，0<a<1，0<b<1)、LiFe_cNi_dCo_ePO₄、LiFe_cNi_dMn_ePO₄、LiNi_cCo_dMn_ePO₄(c+d+e為1以下，0<c<1，0<d<1，0<e<1)、LiFe_fNi_gCo_hMn_iPO₄(f+g+h+i為1以下，0<f<1，0<g<1，0<h<1，0<i<1)等鋰化合物。

此外，也可以使用通式為Li_(2-j)MSiO₄(M為Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一種以上，0

j

2)等的複合材料。作為通式Li_(2-j)MSiO₄的典型例子，可以舉出Li_(2-j)FeSiO₄、Li_(2-j)NiSiO₄、Li_(2-j)CoSiO₄、Li_(2-j)MnSiO₄、Li_(2-j)Fe_kNi_lSiO₄、Li_(2-j)Fe_kCo_lSiO₄、Li_(2-j)Fe_kMn_lSiO₄、Li_(2-j)Ni_kCo_lSiO₄、Li_(2-j)Ni_kMn_lSiO₄(k+l為1以下，0<k<1，0<l<1)、Li_(2-j)Fe_mNi_nCo_qSiO₄、Li_(2-j)Fe_mNi_nMn_qSiO₄、Li_(2-j)Ni_mCo_nMn_qSiO₄(m+n+q為1以下，0<m<1，0<n<1，0<q<1)、Li_(2-j)Fe_rNi_sCo_tMn_uSiO₄(r+s+t+u為1以下，0<r<1，0<s<1，0<t<1，0<u<1)等鋰化合物。

此外，作為正極活性物質，可以使用以通式A_xM₂(XO₄)₃(A=Li、Na、Mg，M=Fe、Mn、Ti、V、Nb、Al，X=S、P、Mo、W、As、Si)表示的鈉超離子導體(nasicon)型化合物。作為鈉超離子導體型化合物，可以舉出Fe₂(MnO₄)₃、Fe₂(SO₄)₃、Li₃Fe₂(PO₄)₃等。此外，作為正極活性物質，可以使用：以通式Li₂MPO₄F、Li₂MP₂O₇、Li₅MO₄(M=Fe、Mn)表示的化合物；NaFeF₃、FeF₃等鈣鈦礦氟化物；TiS₂、MoS₂等金屬硫族化合物(硫化物、硒化物、碲化物)；LiMVO₄等具有反尖晶石型的結晶結構的氧化物；釩氧化物類(V₂O₅、V₆O₁₃、LiV₃O₈等)；錳氧化物；以及有機硫化合物等材料。

在載體離子是鋰離子以外的鹼金屬離子、鹼土金屬離子的情況下，作為正極活性物質，也可以使用鹼金屬(例如，鈉、鉀等)、鹼土金屬(例如，鈣、鍶、鋇、鈹、鎂等)代替鋰。

作為隔離體33，可以使用絕緣體諸如纖維素(紙)、設置有空孔的聚丙烯、設置有空孔的聚乙烯、設置有空孔的聚醯亞胺或設置有空孔的陶瓷等。

作為電解液42的電解質，使用具有載體離子的材料。作為電解質的典型例子，可以舉出LiPF₆、LiClO₄、LiAsF₆、LiBF₄、LiCF₃SO₃、Li(CF₃SO₂)₂N、Li(C₂F₅SO₂)₂N等鋰鹽。這些電解質既可以單獨使用一種，也可以將二種以上的材料以任意比率組合使用。

另外，當載子離子是鋰離子以外的鹼金屬離子、鹼土金屬離子時，作為電解質也可以使用鹼金屬(例如，鈉、鉀等)、鹼土金屬(例如，鈣、鍶、鋇、鈹或鎂等)代替上述鋰鹽中的鋰。

另外，作為電解液的溶劑，使用載體離子能夠移動的材料。作為電解液的溶劑，較佳為使用非質子有機溶劑。作為非質子有機溶劑的典型例子，可以使用碳酸乙烯酯(EC)、碳酸丙烯酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯(DEC)、γ-丁內酯、乙腈、乙二醇二甲醚、四氫呋喃等中的一種或多種。此外，當作為電解液的溶劑使用凝膠化的高分子材料時，抗液體洩漏等的安全性得到提高。並且，能夠實現蓄電池的薄型化及輕量化。作為凝膠化的高分子材料的典型例子，可以舉出矽酮凝膠、丙烯酸膠、丙烯腈膠、聚氧化乙烯、聚氧化丙烯、氟類聚合物等。另外，藉由作為電解液的溶劑使用一種或多種具有阻燃性及難揮發性的離子液體(室溫融鹽)，即使由於蓄電池的內部短路、過充電等而內部溫度上升，也可以防止蓄電池的破裂或起火等。離子液體是流化狀態的鹽，離子遷移度(傳導率)高。另外，離子液體含有陽離子和陰離子。作為離子液體，可以舉出包含乙基甲基咪唑(EMI)陽離子的離子液體或包含N-甲基-N-丙基呱啶(propylpiperidinium)(PP₁₃)陽離子的離子液體等。

此外，可以使用具有硫化物類或氧化物類等的無機材料的固體電解質、具有PEO(聚環氧乙烷)類等 的高分子材料的固體電解質來代替電解液。當使用固體電解質時，不需要設置隔離體或間隔物。另外，可以使電池整體固體化，所以沒有液體洩漏的憂慮，安全性得到顯著提高。

另外，作為負極活性物質層39的負極活性物質，可以使用能夠溶解且析出鋰或能實現鋰離子嵌入和脫嵌的材料，例如可以使用鋰金屬、碳類材料、合金類材料等。

鋰金屬的氧化還原電位低(比標準氫電極低3.045V)，每重量及體積的比容量大(分別為3860mAh/g，2062mAh/cm³)，所以是較佳的。

作為碳類材料，可以舉出石墨、易石墨化碳(graphitizing carbon)(軟碳)、難石墨化碳(non-graphitizing carbon)(硬碳)、碳奈米管、石墨烯、碳黑等。

作為石墨，有中間相碳微球(MCMB)、焦炭基人造石墨(coke-based artificial graphite)、瀝青基人造石墨(pitch-based artificial graphite)等人造石墨或球狀化天然石墨等天然石墨。

當鋰離子嵌入在石墨中時(鋰-石墨層間化合物的生成時)石墨示出與鋰金屬相同程度的低電位(0.1V至0.3V vs.Li/Li⁺)。由此，鋰離子二次電池可以示出高工作電壓。再者，石墨具有如下優點：每單位體積的容量較高；體積膨脹小；較便宜；安全性比鋰金屬高等，所以 是較佳的。

作為負極活性物質，也可以使用能夠利用與鋰的合金化/脫合金化反應進行充放電反應的材料。當載體離子為鋰離子時，作為材料例如可以使用包含Al、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ag、Au、Zn、Cd、In、Ga等中的至少一種的材料。這種元素的容量比碳高，尤其是矽的理論容量顯著地高，為4200mAh/g。由此，較佳為將矽用於負極活性物質。作為使用這種元素的材料，例如可以舉出Mg₂Si、Mg₂Ge、Mg₂Sn、SnS₂、V₂Sn₃、FeSn₂、CoSn₂、Ni₃Sn₂、Cu₆Sn₅、Ag₃Sn、Ag₃Sb、Ni₂MnSb、CeSb₃、LaSn₃、La₃Co₂Sn₇、CoSb₃、InSb、SbSn等。

此外，作為負極活性物質，可以使用氧化物諸如SiO、SnO、SnO₂、氧化鈦(TiO₂等)、鋰鈦氧化物(Li₄Ti₅O₁₂等)、鋰-石墨層間化合物(Li_xC₆等)、氧化鈮(Nb₂O₅等)、氧化鎢(WO₂等)、氧化鉬(MoO₂等)等。

此外，作為負極活性物質，可以使用包含鋰和過渡金屬的氮化物的具有Li₃N型結構的Li_3-xM_xN(M=Co、Ni、Cu)。例如，Li_2.6Co_0.4N₃呈現大充放電容量(900mAh/g，1890mAh/cm³)，所以是較佳的。

當使用包含鋰和過渡金屬的氮化物時，在負極活性物質中包含鋰離子，因此可以將其與用作正極活性物質的不包含鋰離子的V₂O₅、Cr₃O₈等材料組合，所以是較佳的。注意，當將含有鋰離子的材料用作正極活性物質 時，藉由預先使包含在正極活性物質中的鋰離子脫嵌，也可以作為負極活性物質使用包含鋰和過渡金屬的氮化物。

此外，也可以將引起轉化反應的材料用於負極活性物質。例如，將氧化鈷(CoO)、氧化鎳(NiO)、氧化鐵(FeO)等不與鋰發生合金化反應的過渡金屬氧化物用於負極活性物質。作為引起轉化反應的材料，還可以舉出Fe₂O₃、CuO、Cu₂O、RuO₂、Cr₂O₃等氧化物、CoS_0.89、NiS、CuS等硫化物、Zn₃N₂、Cu₃N、Ge₃N₄等氮化物、NiP₂、FeP₂、CoP₃等磷化物、FeF₃、BiF₃等氟化物。注意，由於上述氟化物的電位高，所以也可以用作正極活性物質。

另外，負極活性物質層39除了包含上述負極活性物質以外還可以包含用來提高活性物質的緊密性的黏合劑(binder)以及用來提高負極活性物質層39的導電性的導電助劑等。

例如，二次電池的結構為如下：隔離體33的厚度大約為25μm，正極集電器32的厚度大約為20μm以上且40μm以下，正極活性物質層38的厚度大約為100μm，負極活性物質層39的厚度大約為100μm，負極集電器34的厚度大約為20μm以上且40μm以下。膜31的厚度為0.113mm。注意，在圖19E中僅示出黏合層41的一部分，但是膜31的表面上設置有由聚丙烯構成的層，該層只有熱壓合部分成為黏合層41。

另外，圖19E示出以固定膜31的下側的方式 進行壓合的例子。此時，膜的上側的彎曲幅度大而形成步階，因此，當在折疊的膜31之間設置多個上述疊層的組合，例如設置八個以上的上述疊層的組合時，該步階變得太大，上側的膜31有可能受到過大的應力。此外，也有上側膜的端面與下側膜的端面的錯位變大的擔憂。此時，為了防止端面的錯位，也可以使下側的膜具有步階，並以熱壓合區域37為二次電池的厚度方向上的中央的方式進行壓合，使得應力均勻化。

在此，參照圖19F說明在對二次電池進行充電時電流如何流過。當將使用鋰的二次電池看作一個閉合電路時，鋰離子遷移的方向和電流流過的方向相同。注意，在使用鋰的二次電池中，由於陽極與陰極根據充電和放電調換，並根據氧化反應和還原反應調換，所以將反應電位高的電極稱為正極，而將反應電位低的電極稱為負極。由此，在本說明書中，即使在充電、放電、供應反向脈衝電流以及供應充電電流時也將正極稱為“正極”或“+極”，而將負極稱為“負極”或“-極”。如果使用與氧化反應及還原反應有關的陽極及陰極的術語，則充電時和放電時的陽極與陰極是相反的，這有可能引起混亂。因此，在本說明書中，不使用陽極及陰極的術語。當使用陽極及陰極的術語時，明確表示是充電時還是放電時，並示出是對應正極(+極)還是負極(-極)。

圖19F所示的兩個端子與充電器連接，以便對二次電池40進行充電。隨著二次電池40的充電的進 展，電極之間的電位差增大。在圖19F中，以如下方向為正方向，即電流從二次電池40外部的端子流至正極集電器32，在二次電池40中從正極集電器32流至負極集電器34，從負極集電器34流至二次電池40外部的端子的方向。就是說，以充電電流流過的方向為電流的方向。

注意，在本實施方式中，示出應用於鋰離子二次電池的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。也可以應用於各種各樣的二次電池，例如，鉛蓄電池、鋰離子聚合物二次電池、鎳氫蓄電池、鎳鎘蓄電池、鎳鐵蓄電池、鎳鋅蓄電池、氧化銀鋅蓄電池、固體電池、空氣電池等。此外，也可以應用於各種各樣的蓄電裝置，例如，一次電池、電容器、鋰離子電容器等。

實施方式7

在本實施方式中，圖25A和圖25B示出其一部分與實施方式1不同的例子。

圖25A示出三個電池的尺寸及配置不同的例子。

圖25A是平面圖，示出顯示部816與各電池的位置關係的一個例子。

圖25A中以虛線示出的顯示部的可彎曲部816e位於電池812與電池817之間。此外，圖25A中以虛線示出的顯示部的可彎曲部816d及鉸鏈813位於電池817與電池853之間。顯示部816的顯示區域的尺寸大約 為9.2英寸。

在本實施方式中，電池817與電池853的間隔比電池812與電池817的間隔大。另外，電池817比其他電池的面積小。另外，電池817及電池853與顯示部816使用黏合劑等固定，而實現支撐顯示部816的一部分的功能。其結果是，由於電池812及電池817與顯示部816固定在一起，因此在將電子裝置折疊時，可以順利地沿著顯示部的可彎曲部816e使其彎曲。另外，由於電池853及電池817與顯示部816固定在一起，因此在將電子裝置折疊時，可以順利地沿著顯示部的可彎曲部816d使其彎曲。

本實施方式的顯示部的結構也與實施方式1不同，在本實施方式中，顯示部的兩端不具備一直被彎曲的側輥部。當沿著顯示部的可彎曲部816d將其彎曲而使其小型化時，顯示部的可彎曲部816d的周邊成為側輥部。

另外，由於在將其彎曲而使其小型化時將其固定，因此在外殼的多個位置設置有磁鐵。

圖25B示出圖25A的剖面，示出電子裝置展開時的各部位的位置關係。

本實施方式可以與其他實施方式自由地組合。

實施方式8

在本實施方式中，參照圖式對能夠用於本發明的一個方式的電子裝置所包括的顯示面板的觸控面板的驅動方法的例子進行說明。

[感測器的檢測方法的例子]

圖26A是示出互電容式的觸控感測器的結構的方塊圖。在圖26A中，示出脈衝電壓輸出電路601、電流檢測電路602。另外，在圖26A中，被施加有脈衝電壓的電極621、檢測電流的變化的電極622分別用X1至X6、Y1至Y6的6個佈線示出。此外，在圖26A中，圖示藉由使電極621與電極622重疊而形成的電容603。注意，電極621與電極622的功能可以互相調換。

脈衝電壓輸出電路601是用來依次將脈衝施加到X1至X6的佈線的電路。藉由對X1至X6的佈線施加脈衝電壓，形成電容603的電極621及電極622產生電場。藉由利用該產生於電極之間的電場由於遮蔽等而使電容603的互電容產生變化，可以檢測被探測體的接近或接觸。

電流檢測電路602是用來檢測基於電容603的互電容變化的Y1至Y6的佈線的電流變化的電路。在Y1至Y6的佈線中，如果沒有被探測體的接近或接觸，則所檢測的電流值沒有變化，另一方面，在由於所檢測的被探測體的接近或接觸而互電容減少的情況下，檢測到電流值減少的變化。另外，藉由積分電路等檢測電流即可。

接著，圖26B示出圖26A所示的互電容式觸控感測器中的輸入/輸出波形的時序圖。在圖26B中，在一個圖框期間中進行各行列中的被探測體的檢測。另外，在圖26B中，示出沒有檢測出(未觸摸)被探測體和檢測出(觸摸)被探測體的兩種情況。此外，關於Y1至Y6的佈線，示出對應於所檢測出的電流值的電壓值的波形。

依次對X1至X6的佈線施加脈衝電壓，Y1至Y6的佈線中的波形根據該脈衝電壓變化。當沒有被探測體的接近或接觸時，Y1至Y6的波形根據X1至X6的佈線的電壓的變化產生變化。另一方面，在有被探測體接近或接觸的部位電流值減少，因而與其相應的電壓值的波形也產生變化(圖26B中的箭頭部分)。

如此，藉由檢測互電容的變化，可以檢測被探測體的接近或接觸。

另外，作為觸控感測器，圖26A雖然示出在佈線的交叉部只設置電容603的無源方式觸控感測器的結構，但是也可以採用具備電晶體和電容的有源方式觸控感測器。圖27示出有源方式觸控感測器所包括的一個感測器電路的例子。

感測器電路包括電容603、電晶體611、電晶體612及電晶體613。對電晶體613的閘極施加信號G2，對源極和汲極中的一個施加電壓Vres，並且另一個與電容603的一個電極及電晶體611的閘極電連接。電晶體611的源極和汲極中的一個與電晶體612的源極和汲極中的一 個電連接，對另一個施加電壓VSS。對電晶體612的閘極施加信號G2，源極和汲極中的另一個與佈線ML電連接。對電容603的另一個電極施加電壓VSS。

接著，對感測器電路的工作進行說明。首先，藉由作為信號G2施加使電晶體613成為開啟狀態的電位，與電晶體611的閘極連接的節點n被施加對應於電壓Vres的電位。接著，藉由作為信號G2施加使電晶體613成為關閉狀態的電位，節點n的電位得到保持。

接著，由於手指等被探測體的靠近或接觸，電容603的互電容產生變化，而節點n的電位隨其由Vres變化。

讀出工作對信號G1施加使電晶體612成為開啟狀態的電位。流過電晶體611的電流，即流過佈線ML的電流根據節點n的電位而產生變化。藉由檢測該電流，可以檢測出被探測體的靠近或接觸。

作為電晶體611、電晶體612及電晶體613，較佳為使用將氧化物半導體用於形成有其通道的半導體層的電晶體。尤其是藉由將這種電晶體用於電晶體613，能夠使節點n的電位長期間被保持，由此可以減少對節點n再次供應Vres的工作(更新工作)頻率。

[顯示裝置的驅動方法的例子]

圖28A是作為一個例子示出顯示裝置的結構的方塊圖。圖28A示出閘極驅動電路GD、源極驅動電路SD及像素pix。注意，在圖28A中，對應於與閘極驅動電路GD電連接的閘極線x_1至x_m(m為自然數)、與源極驅動電路SD電連接的源極線y_1至y_n(n為自然數)，對每個像素pix附有(1，1)至(n，m)的符號。

接著，圖28B是對圖28A所示的顯示裝置中的閘極線及源極線施加的信號的時序圖。在圖28B中，分別示出在每一個圖框期間中改寫資料信號的情況和不改寫資料信號的情況。注意，在圖28B中，不考慮返馳期間等的期間。

在按每一個圖框期間改寫資料信號的情況下，依次對x_1至x_m的閘極線施加掃描信號。在掃描信號為H位準期間的水平掃描期間1H中，對各列的源極線y_1至y_n施加資料信號D。

在不按每一個圖框期間改寫資料信號的情況下，停止對閘極線x_1至x_m施加掃描信號。另外，在水平掃描期間1H中，停止對各列的源極線y_1至y_n施加資料信號。

不按每一個圖框期間改寫資料信號的驅動方法對於將氧化物半導體用於像素所具有的電晶體的形成有通道的半導體層的情況尤其有效。使用氧化物半導體的電晶體與使用矽等半導體的電晶體相比，可以將關態電流降到極低。因此，可以不在每一個圖框期間中改寫資料信號而保持在前面的期間寫入的資料，例如還可以將像素的灰階保持1秒鐘以上，較佳為5秒鐘以上。

[顯示裝置和觸控感測器的驅動方法的例子]圖29A至圖29D是作為一個例子說明驅動圖26A和圖26B所說明的觸控感測器和圖28A和圖28B所說明的顯示裝置1sec.(1秒鐘)的情況下的連續的圖框期間的工作的圖。另外，圖29A示出將顯示裝置的一個圖框期間設定為16.7ms(框頻：60Hz)，並將觸控感測器的一個圖框期間設定為16.7ms(框頻：60Hz)的情況。

在本實施方式中的觸控面板中，顯示裝置與觸控感測器的工作相互獨立，可以與顯示期間並行地設置觸摸感知期間。因此，如圖29A所示，可以將顯示裝置及觸控感測器的一個圖框期間都設定為16.7ms(框頻：60Hz)。也可以使觸控感測器與顯示裝置的框頻不同。例如，如圖29B所示，也可以將顯示裝置的一個圖框期間設定為8.3ms(框頻：120Hz)，並將觸控感測器的一個圖框期間設定為16.7ms(框頻：60Hz)。另外，雖然未圖示，但是還可以將顯示裝置的框頻設定為33.3ms(框頻：30Hz)。

此外，藉由將顯示裝置的框頻設置為可以切換的結構，並且在顯示動態影像時提高框頻(例如60Hz以上或120Hz以上)，在顯示靜態影像時降低框頻(例如60Hz以下、30Hz以下或1Hz以下)，可以減少顯示裝置的耗電量。或者，也可以將觸控感測器的框頻設置為可以切換的結構，並且使待機時與感知到觸摸時的框頻不同。

此外，在本實施方式中的觸控面板中，藉由不進行顯示裝置中的資料信號的改寫而保持在前面的期間中改寫的資料，可以將一個圖框期間設定為長於16.7ms的期間。因此，如圖29C所示，可以將顯示裝置的一個圖框期間設定為1sec.(框頻：1Hz)且將觸控感測器的一個圖框期間設定為16.7ms(框頻：60Hz)。

另外，在本實施方式中的觸控面板中，在進行圖29C所示的驅動的情況下，可以連續地進行觸控感測器的驅動。因此，如圖29D所示，也可以在檢測到觸控感測器中的被探測體的接近或接觸時，改寫顯示裝置的資料信號。

在此，若在觸控感測器的感測期間進行顯示裝置的資料信號的改寫工作，由於驅動顯示裝置時的雜音傳到觸控感測器，因而有可能使觸控感測器的靈敏度下降。因此，尤其較佳為錯開顯示裝置的資料信號的改寫期間與觸控感測器的感測期間來進行驅動。

圖30A示出交替進行顯示裝置的資料信號的改寫和觸控感測器的感測的例子。另外，圖30B示出在每進行兩次顯示裝置的資料信號的改寫工作時進行一次觸控感測器的感測的例子。注意，並不侷限於此，也可以在每進行三次以上的改寫工作時進行一次觸控感測器的感測。

另外，當將氧化物半導體用於顯示裝置的像素的電晶體的形成有通道的半導體時，能夠將關態電流降到極低，因此可以充分地降低資料信號的改寫頻率。明確 而言，在進行資料信號的改寫之後到再次改寫資料信號之間能夠設置足夠長的停止期間。停止期間例如可以為0.5秒鐘以上、1秒鐘以上或5秒鐘以上。停止期間的上限受到與電晶體連接的電容或顯示元件等的洩漏電流的限制，例如可以為1分鐘以下、10分鐘以下、1小時以下或1天以下左右。

圖30C示出以每5秒鐘一次的頻率來進行顯示裝置的資料信號的改寫的例子。在圖30C的顯示裝置中，在改寫資料信號之後到下一次的資料信號的改寫工作的期間設置有停止工作的停止期間。在停止期間中，觸控感測器可以以框頻iHz(i為顯示裝置的框頻以上，在此為0.2Hz以上)進行驅動。或者，如圖30C所示，藉由在停止期間進行觸控感測器的感測而在顯示裝置的資料信號的改寫期間不進行觸控感測器的感測，可以提高觸控感測器的靈敏度，所以是較佳的。另外，如圖30D所示，藉由同時進行顯示裝置的資料信號的改寫和觸控感測器的感測，可以簡化用來驅動的信號。

另外，在不進行顯示裝置的資料信號的改寫工作的停止期間，可以停止只對驅動電路的信號的供應，藉由與此同時也停止電源電位的供應，可以進一步降低耗電量。

本實施方式所示的觸控面板利用採用其顯示裝置和觸控感測器被具有撓性的兩個基板夾著的結構，因此可以使顯示裝置與觸控感測器的距離靠得極近。此時， 顯示裝置的驅動時的雜音容易傳到觸控感測器，有可能降低觸控感測器的靈敏度，但是藉由適用本實施方式所例示的驅動方法，可以得到同時實現薄型化和高檢測靈敏度的觸控面板。

實施方式9

在本實施方式中，參照圖式對能夠用於本發明的一個方式的電子裝置所包括的顯示面板的觸控面板的結構和驅動方法的一個例子進行說明。

[觸控面板的結構]

圖31是示出下面所例示的觸控面板的結構例子的方塊圖。如圖31所示，觸控面板90包括顯示裝置900、控制電路910、計數器電路920、觸控感測器950。

觸控面板90被輸入作為數位資料的影像信號(Video)及用來控制顯示裝置900的螢幕的改寫的同步信號(SYNC)。作為同步信號，例如包括水平同步信號(Hsync)、垂直同步信號(Vsync)及基準時脈信號(CLK)等。

顯示裝置900具有顯示部901、閘極驅動器902及源極驅動器903。顯示部901具有多個像素PIX。相同行的像素PIX都藉由共同的閘極線L_X連接到閘極驅動器902，相同列的像素PIX都藉由共同的源極線L_Y連接到源極驅動器903。

顯示裝置900被供應高位準電壓(VH)、低位準電壓(VL)以及作為電源電壓的高電源電壓(VDD)及低電源電壓(VSS)。高位準電壓(以下稱為VH)經由佈線L_H被供應到顯示部901的各像素PIX。另外，低位準電壓(以下稱為VL)經由佈線L_L被供應到顯示部901中的各像素PIX。

源極驅動器903對被輸入的影像信號進行處理，生成資料信號，並對源極線L_Y輸出資料信號。閘極驅動器902對閘極線L_X輸出掃描信號，該掃描信號選擇被寫入資料信號的像素PIX。

像素PIX具有切換元件，該切換元件與源極線L_Y之間的電連接被掃描信號控制。當切換元件處於開啟狀態時，資料信號從源極線L_Y被寫入到像素PIX。

控制電路910是控制觸控面板90整體的電路，並具備生成構成觸控面板90的電路的控制信號的電路。

控制電路910具有控制信號產生電路，該控制信號產生電路根據同步信號(SYNC)生成閘極驅動器902及源極驅動器903的控制信號。作為閘極驅動器902的控制信號，有起動脈衝(GSP)、時脈信號(GCLK)等，作為源極驅動器903的控制信號，有起動脈衝(SSP)、時脈信號(SCLK)等。例如，控制電路910作為時脈信號(GCLK、SCLK)生成週期相同但相位偏移了的多個時脈信號。

另外，控制電路910控制對源極驅動器903輸出從觸控面板90的外部輸入的影像信號(Video)。

另外，控制電路910被輸入從觸控感測器950輸入的感測器信號(S_touch)，根據該感測器信號對影像信號進行校正。影像信號的校正根據感測器信號而不同，而對應於觸摸實施影像處理。

源極驅動器903具有數位/類比轉換電路904(以下稱為D-A轉換電路904)。D-A轉換電路904對影像信號進行類比轉換而生成資料信號。

另外，在輸入到觸控面板90的影像信號為類比信號的情況下，在控制電路910中將其轉換為數位信號而輸出到顯示裝置900。

影像信號由每個圖框的影像資料構成。控制電路910具有如下功能：對影像資料進行影像處理，並根據藉由該處理得到的資料來控制對源極驅動器903輸出影像信號。因此，控制電路910包括變動檢測部911，該變動檢測部911藉由對影像資料進行影像處理，根據每個圖框的影像資料檢測變動。另外，在被輸入感測器信號的情況下，根據感測器信號進行基於影像資料的影像信號的校正。

在變動檢測部911中，如果判定有變動，則控制電路910繼續對源極驅動器903輸出影像信號。與此相反，如果判定沒有變動，則控制電路910停止對源極驅動器903輸出影像信號。另外，如果再次判定有變動，則 再次開始輸出影像信號。

控制電路910可以根據變動檢測部911的判定來切換用來顯示有變動的影像(動態影像顯示)的第一模式與用來顯示沒有變動的影像(靜態影像顯示)的第二模式，由此控制顯示部901的顯示。第一模式例如是如果將垂直同步信號(Vsync)設定為60Hz，則將框頻設為60Hz以上的模式。另外，第二模式例如是如果將垂直同步信號(Vsync)設定為60Hz，則將框頻設為低於60Hz的模式。

在第二模式中，所設定的框頻較佳為根據像素的電壓保持特性來預先設定。例如，在變動檢測部911中在判定為在一定期間沒有變動而停止對源極驅動器903輸出影像信號的情況下，對應於寫入到像素PIX的影像信號的灰階的電壓降低。因此，較佳為針對框頻的每個週期寫入與同一影像的影像信號的灰階對應的電壓(也稱為進行更新)。關於該進行更新的定時(也稱為更新速率)，例如根據藉由在計數器電路920中計數垂直同步信號(Vsync)的H位準得到的計數信號，按每個一定期間進行更新的結構。

在計數器電路920中，在將更新速率設定為每1秒1次的頻率的情況下，如果將垂直同步信號(Vsync)的頻率設為60Hz，則根據計數垂直同步信號(Vsync)的H位準60次得到的計數信號(Count)來進行更新即可。在將更新速率設為每5秒1次的頻率的情況 下，如果將垂直同步信號(Vsync)的頻率設為60Hz，則根據計數垂直同步信號(Vsync)的H位準300次得到的計數信號(Count)來進行更新即可。另外，計數器電路920可以採用如下結構：在被輸入從觸控感測器950輸入的感測器信號的情況下，根據該感測器信號強制性地從第二模式切換到第一模式。

另外，對由變動檢測部911進行的用於變動檢測的影像處理沒有特別的限制。檢測變動的方法例如有獲取連續的兩個圖框的影像資料之間的差分資料的方法。根據所得到的差分資料可以判斷變動的有無。另外，還有檢測變動向量的方法等。

作為觸控感測器950，可以應用上述實施方式所說明的工作及結構。

因為本實施方式中的顯示裝置的工作和觸控感測器950的工作可以相互獨立地進行，所以可以與顯示期間並行地設置觸摸感知期間。因此，即使採用由控制電路910切換第一模式或第二模式的結構，也可以獨立地控制觸控感測器的工作。另外，藉由使顯示裝置900的工作與觸控感測器950的工作同步進行，並在不同的期間進行顯示裝置900的資料信號的改寫工作和觸控感測器950的感測工作，可以提高感測的靈敏度。

[像素的結構例子]

圖32A是示出像素PIX的結構例子的電路圖。像素 PIX包括電晶體TR1、電晶體TR2、發光元件EL及電容元件Cap。

電晶體TR1用作控制源極線L_Y與電晶體TR1的閘極的電連接的切換元件，由輸入到其閘極的掃描信號控制開啟和關閉。電晶體TR2用作用來控制流過發光元件EL的電流的切換元件。

另外，較佳為將氧化物半導體用於電晶體TR1、電晶體TR2的形成有通道的半導體。

在發光元件EL中，在兩個電極之間夾著包含發光有機化合物的EL層。流過這兩個電極之間的電流使來自發光元件的發光的亮度產生變化。對發光元件的一個電極從佈線L_L施加低位準電壓，對另一個電極藉由電晶體TR2從佈線L_H施加高位準電壓。

電容元件Cap具有保持電晶體TR2的閘極的電位的功能。

圖32B是具備液晶元件的像素PIX的例子。像素PIX包括電晶體TR、液晶元件LC及電容元件Cap。

電晶體TR用作控制液晶元件LC與源極線L_Y的電連接的切換元件，由從其閘極被輸入的掃描信號控制開啟和關閉。

另外，較佳為將氧化物半導體用於形成有電晶體TR的通道的半導體。

液晶元件LC具有兩個電極和液晶。這兩個電極之間的電場的作用使液晶的配向產生變化。在液晶元件 LC的兩個電極中，藉由電晶體TR連接到源極線L_Y的電極相當於像素電極，被施加Vcom的電極相當於公用線L_com。

電容元件Cap與液晶元件LC並聯連接。在此情況下，電容元件的一個電極相當於連接到電晶體TR的源極或汲極的電極，電容元件的另一個電極相當於連接到被施加電容線電壓的電容線L_cap。

注意，在此，雖然作為顯示元件示出使用液晶元件LC或發光元件EL的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。

例如，在本說明書等中，顯示元件、作為包括顯示元件的裝置的顯示裝置、發光元件、作為包括發光元件的裝置的發光裝置可以使用各種各樣的方式或包括各種各樣的元件。顯示元件、顯示裝置、發光元件或發光裝置例如具有EL(電致發光)元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、電晶體(根據電流發光的電晶體)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、利用MEMS(微機電系統)的顯示元件、數位微鏡裝置(DMD)、DMS(數位微快門)、MIRASOL(在日本註冊的商標)、IMOD(干涉調變)元件、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件、電濕潤(electrowetting)元件、壓電陶瓷顯示器、具 有碳奈米管的顯示元件等中的至少一種。除此以外，還可以包括其對比度、亮度、反射率、透射率等因電或磁作用而變化的顯示媒體。作為使用EL元件的顯示裝置的一個例子，有EL顯示器等。作為使用電子發射元件的顯示裝置的一個例子，有場發射顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面傳導電子發射顯示器)等。作為使用液晶元件的顯示裝置的一個例子，有液晶顯示器(透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)等。作為使用電子墨水或電泳元件的顯示裝置的一個例子，有電子紙等。注意，當實現半透射式液晶顯示器或反射式液晶顯示器時，使像素電極的一部分或全部具有反射電極的功能即可。例如，使像素電極的一部分或全部包含鋁、銀等即可。並且，此時也可以將SRAM等記憶體電路設置在反射電極下。由此，可以進一步降低耗電量。

例如，在本說明書等中，可以採用像素包括主動元件的主動矩陣方式或像素不包括主動元件的被動矩陣方式。

在主動矩陣方式中，作為主動元件(非線性元件)，不僅可以使用電晶體，而且還可以使用各種主動元件(非線性元件)。例如，也可以使用MIM(Metal Insulator Metal：金屬-絕緣體-金屬)或TFD(Thin Film Diode：薄膜二極體)等。由於這些元件的製程少，所以 可以降低製造成本或提高良率。另外，由於這些元件的尺寸小，所以可以提高開口率，而可以實現低功耗化或高亮度化。

除了主動矩陣方式以外，也可以採用不包括主動元件(非線性元件)的被動矩陣方式。由於不使用主動元件(非線性元件)，所以製程少，從而可以降低製造成本或提高良率。另外，由於不使用主動元件，所以可以提高開口率，而可以實現低功耗化或高亮度化等。

[觸控面板的驅動方法的例子]

以下，參照圖33所示的時序圖對基於進行動態影像顯示的第一模式和進行靜態影像顯示的第二模式而進行顯示的觸控面板90的工作進行說明。在圖33中，示出垂直同步信號(Vsync)及從源極驅動器903輸出到源極線L_Y的資料信號(Vdata)的信號波形。

作為一個例子，圖33是在進行動態影像顯示，接著進行靜態影像顯示，然後再次進行動態影像顯示的情況下的觸控面板90的時序圖。在此，假設從第1圖框到第k圖框的影像資料中有變動。接著，假設從第(k+1)圖框到第(k+3)圖框的影像資料中沒有變動。接著，假設第(k+4)圖框之後的影像資料中有變動。另外，k為2以上的整數。

在最初的動態影像顯示期間中，在變動檢測部911中，判定各圖框的影像資料中有變動。因此，觸控 面板90以第一模式工作。在控制電路910中，將框頻設定為垂直同步信號的頻率以上，在此設定為框頻f₁，將影像信號(Video)輸出到源極驅動器903。並且，源極驅動器903被設為連續地將資料信號(Vdata)輸出到源極線L_Y。另外，動態影像顯示期間中的一個圖框期間的長度表示為1/f₁(秒)。

接著，在靜態影像顯示期間中，在變動檢測部911中進行用來檢測變動的影像處理，判定在第(k+1)圖框的影像資料中沒有變動。因此，觸控面板90以第二模式工作。在控制電路910中，將框頻設為低於垂直同步信號的頻率，在此設定為框頻f₂，將影像信號(Video)輸出到源極驅動器903。並且，源極驅動器903間歇性地將資料信號(Vdata)輸出到源極線L_Y。另外，靜態影像顯示期間中的一個圖框期間的長度表示為1/f₂(秒)。

因為源極驅動器903可以間歇性地輸出資料信號(Vdata)，所以對閘極驅動器902及源極驅動器903供應控制信號(起動脈衝信號、時脈信號等)也可以間歇性地進行，而可以定期性地停止閘極驅動器902及源極驅動器903。

下面，對第二模式中的對源極線L_Y的資料信號(Vdata)的間歇性輸出進行具體的說明。作為一個例子，如圖33所示，在第(k+1)圖框中，控制電路910將控制信號輸出到閘極驅動器902及源極驅動器903，將 框頻設定為f₂並對源極驅動器903輸出影像信號Video。源極驅動器903將在前面的期間中寫入的資料信號(Vdata)，即在第k圖框中輸出到源極線L_Y的資料信號(Vdata)輸出到源極線L_Y。如此，在靜態影像顯示期間中，在前面的期間中寫入的資料信號(Vdata)按每個期間1/f₂(秒)而重複地被寫入到源極線L_Y。因此，可以將與同一影像的影像信號的灰階對應的電壓更新。藉由定期性地進行更新，可以降低起因於電壓下降所引起的灰階的偏差的閃爍，而可以實現顯示品質得到提高的觸控面板。

並且，在控制電路910中，以第二模式工作，直到在變動檢測部911中得到影像資料中有變動的判定結果、或感測器信號的輸入。

並且，如果在變動檢測部911中判定在第(k+4)圖框之後的影像資料中有變動，則觸控面板90再次以第一模式工作。在控制電路910中，將框頻設定為垂直同步信號的頻率以上，在此設定為框頻f₁，將影像信號(Video)輸出到源極驅動器903。並且，源極驅動器903連續地對源極線L_Y輸出資料信號(Vdata)。

本實施方式所示的觸控面板例如採用其顯示裝置和觸控感測器被具有撓性的兩個基板夾著的結構，因此可以使顯示裝置與觸控感測器的距離靠得極近。此時，顯示裝置的驅動時的雜音容易傳到觸控感測器，有可能降低觸控感測器的靈敏度，但是藉由適用本實施方式所例示 的驅動方法，可以得到同時實現薄型化和高檢測靈敏度的觸控面板。

另外，在一個實施方式中描述的內容(也可以是其一部分的內容)可以應用於、組合於或者替換成在該實施方式中描述的其他內容(也可以是其一部分的內容)和/或在一個或多個其他實施方式中描述的內容(也可以是其一部分的內容)。

注意，在實施方式中描述的內容是指在各實施方式中利用各種圖式說明的內容或在說明書的文章中所記載的內容。

另外，藉由使在一個實施方式中示出的圖式(也可以是其一部分)與該圖式的其他部分、在該實施方式中示出的其他圖式(也可以是其一部分)和/或在一個或多個其他實施方式中示出的圖式(也可以是其一部分)組合，可以構成更多圖式。

另外，關於在說明書中的圖式或文章中未規定的內容，可以規定發明的一個方式不包括該內容而構成。另外，當有某一個值的數值範圍的記載(上限值和下限值等)時，藉由任意縮小該範圍或者去除該範圍中的一部分，可以規定發明的一個方式不包括該範圍的一部分。由此，例如，可以規定習知技術不包括在本發明的一個方式的技術範圍內。

作為具體例子，假設將某一個電路記載為包括第一至第五電晶體的電路的電路圖。在該情況下，可以 將發明規定為該電路不包括第六電晶體。也可以將發明規定為該電路不包括電容元件。再者，可以規定為該電路不包括具有特定連接結構的第六電晶體而構成發明。還可以規定為該電路不包括具有特定連接結構的電容元件而構成發明。例如，可以將發明規定為不包括其閘極與第三電晶體的閘極連接的第六電晶體。或者，例如，可以將發明規定為不包括其第一電極與第三電晶體的閘極連接的電容元件。

作為其他具體例子，假設將某一個值例如記載為“某一個電壓較佳為3V以上且10V以下”。在該情況下，例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該電壓為-2V以上且1V以下的情況。例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該電壓為13V以上的情況。例如，可以將發明規定為該電壓為5V以上且8V以下。例如，可以將發明規定為該電壓大約為9V。例如，可以將發明規定為該電壓是3V以上且10V以下但不包括是9V的情況。注意，即使記載為“某一個值較佳為某個範圍”、“某一個值較佳為滿足某個條件”，該某一個值也不侷限於該記載。換言之，“較佳”、“更佳”等的記載並不一定意味著需要受限於該記載。

作為其他具體例子，假設將關於某一個值例如記載為“某一個電壓較佳為10V”。在該情況下，例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該電壓為-2V以上且1V以下的情況。或者，例如，可以將發明的一個方 式規定為不包括該電壓為13V以上的情況。

作為其他具體例子，假設將關於某一個物質的性質例如記載為“某一個膜為絕緣膜”。在該情況下，例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該絕緣膜為有機絕緣膜的情況。例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該絕緣膜為無機絕緣膜的情況。例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該膜為導電膜的情況。或者，例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該膜為半導體膜的情況。

作為其他具體例子，假設將某一個層疊結構例如記載為“在A膜與B膜之間設置有某一個膜”。在該情況下，例如，可以將發明規定為不包括該膜為四層以上的疊層膜的情況。例如，可以將發明規定為不包括在A膜與該膜之間設置有導電膜的情況。

此外，在本說明書等中記載的發明的一個方式可以由各種人實施。但是，有時多個人參與該實施。例如，在收發系統中，A公司製造銷售發送器，而B公司製造銷售接收器。作為另一個例子，在具有電晶體及發光元件的發光裝置中，A公司製造銷售形成有電晶體的半導體裝置。然後，B公司購買該半導體裝置，在該半導體裝置中形成發光元件，而完成發光裝置。

在此情況下，可以將發明的一個方式構成為可對A公司和B公司中的兩者主張侵犯專利。換言之，可以將發明的一個方式構成為僅由A公司實施，作為發明 的另一個方式，也可以將發明的一個方式構成為僅由B公司實施。另外，可對A公司或B公司主張侵犯專利的發明的一個方式是明確的，且可以判斷是記載於本說明書等中的。例如，關於收發系統，即使在本說明書等中沒有僅包含發送器的結構的記載或僅包含接收器的結構的記載，也可以僅由發送器構成發明的一個方式，還可以僅由接收器構成發明的另一個方式，這些發明的一個方式是明確的，且可以判斷是記載於本說明書等中的。作為另一個例子，關於包含電晶體及發光元件的發光裝置，即使在本說明書等沒有僅包括形成有電晶體的半導體裝置的結構的記載或僅包括具有發光元件的發光裝置的結構的記載，也可以僅由形成有電晶體的半導體裝置構成發明的一個方式，還可以僅由具有發光元件的發光裝置構成發明的一個方式，這些發明的一個方式是明確的，且可以判斷是記載於本說明書等中的。

另外，在本說明書等中，即使未指定主動元件(電晶體、二極體等)、被動元件(電容元件、電阻元件等)等所具有的所有端子的連接目標，所屬技術領域的普通技術人員有時也能夠構成發明的一個方式。就是說，可以說，即使未指定連接目標，發明的一個方式也是明確的。而且，當指定了連接目標的內容記載於本說明書等中時，有時可以判斷未指定連接目標的發明的一個方式記載於本說明書等中。尤其是在端子連接目標有可能是多個的情況下，該端子的連接目標不必限定在指定的部分。因 此，有時藉由僅指定主動元件(電晶體、二極體等)、被動元件(電容元件、電阻元件等)等所具有的一部分的端子的連接目標，就能構成發明的一個方式。

另外，在本說明書等中，只要至少指定某一個電路的連接目標，所屬技術領域的普通技術人員就有時可以構成發明。或者，只要至少指定某一個電路的功能，所屬技術領域的普通技術人員就有時可以構成發明。就是說，可以說只要指定功能，發明的一個方式就是明確的。另外，有時可以判斷指定了功能的發明的一個方式是記載於本說明書等中的。因此，即使未指定某一個電路的功能，只要指定連接目標，就算是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。另外，即使未指定某一個電路的連接目標，只要指定其功能，就算是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。

注意，在本說明書等中，可以在某一個實施方式中示出的圖式或者文章中取出其一部分而構成發明的一個方式。從而，在記載有說明某一部分的圖式或者文章的情況下，取出的圖式或者文章的一部分的內容也算是所公開的發明的一個方式，所以能夠構成發明的一個方式。並且，可以說該發明的一個方式是明確的。因此，例如，可以在記載有主動元件(電晶體、二極體等)、佈線、被動元件(電容元件、電阻元件等)、導電層、絕緣層、半導體層、有機材料、無機材料、零件、裝置、工作方法、製造方法等中的一個或多個的圖式或者文章中，可以取出 其一部分而構成發明的一個方式。例如，可以從由N個(N是整數)電路元件(電晶體、電容元件等)構成的電路圖中取出M個(M是整數，M<N)電路元件(電晶體、電容元件等)來構成發明的一個方式。作為其他例子，可以從由N個(N是整數)層構成的剖面圖中取出M個(M是整數，M<N)層來構成發明的一個方式。再者，作為其他例子，可以從由N個(N是整數)要素構成的流程圖中取出M個(M是整數，M<N)要素來構成發明的一個方式。作為其他的例子，當從“A包括B、C、D、E或F”的記載中任意抽出一部分的要素時，可以構成“A包括B和E”、“A包括E和F”、“A包括C、E和F”或者“A包括B、C、D和E”等的發明的一個方式。

在本說明書等中，當在某一個實施方式中示出的圖式或文章示出至少一個具體例子的情況下，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是可由上述具體例子導出該具體例子的上位概念。從而，當在某一個實施方式中示出的圖式或文章示出至少一個具體例子的情況下，該具體例子的上位概念也是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。因此，可以說該發明的一個方式是明確的。

另外，在本說明書等中，至少示於圖式中的內容(也可以是其一部分)是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。因此，即使在文章中沒有該某一個內容的描述，如果該內容示於圖式中，就可以說該 內容是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。同樣地，取出圖式的一部分的圖式也是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。因此，可以說該發明的一個方式是明確的。

112:電池

116d、116e:可彎曲部

125:系統部

753:電池

Claims (20)

1. 一種電子裝置，包括：以鉸鏈連接的第一外殼與第二外殼，該第一外殼包含第一二次電池及該第二外殼包含第二二次電池；與在展開狀態的該第一外殼及該第二外殼重疊的顯示部，該顯示部包含可彎曲部；及觸摸輸入部，其中該顯示部包含與該第一外殼重疊的第一顯示部及與該第二外殼重疊的第二顯示部，其中該第一顯示部與該第二顯示部在折疊狀態中彼此重疊與面對，其中該第一顯示部小於該第二顯示部，及其中該第一二次電池在該折疊狀態中包含不與該第二二次電池重疊的區域。
2. 一種電子裝置，包括：以鉸鏈連接的第一外殼與第二外殼，該第一外殼包含第一二次電池及該第二外殼包含第二二次電池；及與在展開狀態的該第一外殼及該第二外殼重疊的顯示部，該顯示部包含與該鉸鏈重疊的可彎曲部；其中該顯示部包含與該第一外殼重疊的第一顯示部及與該第二外殼重疊的第二顯示部，其中該第一二次電池在折疊狀態中包含不與該第二二次電池重疊的區域，及其中該第一顯示部與該第二顯示部在該折疊狀態中彼 此重疊與面對。
3. 一種電子裝置，包括：以鉸鏈連接的第一外殼與第二外殼，該第一外殼包含第一二次電池且該第二外殼包含第二二次電池；及與在展開狀態的該第一外殼及該第二外殼重疊的顯示部，該顯示部包含與該鉸鏈重疊的可彎曲部，其中該顯示部包含與該第一外殼重疊的第一顯示部及與該第二外殼重疊的第二顯示部，其中該電子裝置更包括第三顯示部，其中該第一二次電池在折疊狀態中包含不與該第二二次電池重疊的區域，及其中該第一顯示部與該第二顯示部在該折疊狀態中彼此重疊與面對。
4. 根據請求項3之電子裝置，其中該第三顯示部在該折疊狀態中與該第一外殼及該第二外殼重疊，及其中該第三顯示部在該折疊狀態中係為使用者可見及/或其中當該電子裝置於該折疊狀態中時，該第三顯示部朝外側顯示影像。
5. 根據請求項3之電子裝置，其中該第一顯示部、該第二顯示部、及該第三顯示部在該展開狀態中係為使用者可見，及其中該第一顯示部、該第二顯示部、及該第三顯示部尺寸不同。
6. 根據請求項2之電子裝置，其中該第一顯示部與該第二顯示部尺寸不同。
7. 根據請求項1之電子裝置，其中該第一顯示部與該第一二次電池重疊及該第二顯示部與該第二二次電池重疊。
8. 根據請求項2之電子裝置，其中該第一顯示部與該第一二次電池重疊及該第二顯示部與該第二二次電池重疊。
9. 根據請求項3之電子裝置，其中該第一顯示部與該第一二次電池重疊及該第二顯示部與該第二二次電池重疊。
10. 根據請求項1之電子裝置，其中各個該第一二次電池與該第二二次電池為鋰離子二次電池。
11. 根據請求項2之電子裝置，其中各個該第一二次電池與該第二二次電池為鋰離子二次電池。
12. 根據請求項3之電子裝置，其中各個該第一二次電池與該第二二次電池為鋰離子二次電池。
13. 根據請求項1之電子裝置，更包括第三顯示部，其中該第三顯示部與在該折疊狀態中的該第一外殼及該第二外殼重疊。
14. 根據請求項2之電子裝置，更包括第三顯示部，其中該第三顯示部與在該折疊狀態中的該第一外殼與 該第二外殼重疊。
15. 根據請求項1之電子裝置，其中該電子裝置被組態以1mm以上150mm以下的曲率半徑彎曲。
16. 根據請求項2之電子裝置，其中該電子裝置被組態以1mm以上150mm以下的曲率半徑彎曲。
17. 根據請求項3之電子裝置，其中該電子裝置被組態以1mm以上150mm以下的曲率半徑彎曲。
18. 根據請求項1之電子裝置，其中該可彎曲部被組態以4mm以下的曲率半徑彎曲。
19. 根據請求項2之電子裝置，其中該可彎曲部被組態以4mm以下的曲率半徑彎曲。
20. 根據請求項3之電子裝置，其中該可彎曲部被組態以4mm以下的曲率半徑彎曲。

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