JP6843200B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。また
は、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、それらの駆動方法
、または、それらの製造方法に関する。特に、電子機器に関する。

なお、本明細書中において電子機器とは、二次電池を有する装置全般を指し、二次電池
を有する電気光学装置、二次電池を有する情報端末装置、二次電池を有する車両などは全
て電子機器である。

近年、スマートフォンで代表される携帯情報端末が活発に開発されている。電子機器の一
種である携帯情報端末は軽量、小型であることが使用者の要望が大きい。

場所を選ばず、なおかつ両手の自由が束縛されることなく、視覚を通して情報が得られる
ウェアラブルデバイスの一例として、特許文献１が開示されている。特許文献１には、通
信が可能であり、ＣＰＵを含むゴーグル型表示装置が開示されている。特許文献１のデバ
イスも電子機器の一種に含む。

ウェアラブルデバイスや携帯情報端末は、繰り返し充電または放電が可能な二次電池を搭
載することが多く、ウェアラブルデバイスや携帯情報端末は、その軽量、小型であるがゆ
えに、ウェアラブルデバイスや携帯情報端末の操作時間が限られてしまう問題がある。ウ
ェアラブルデバイスや携帯情報端末に搭載する二次電池としては、軽量、且つ、小型であ
り、長時間の使用が可能であることが求められている。

二次電池としては、ニッケル水素電池や、リチウムイオン二次電池などが挙げられる。中
でも、リチウムイオン二次電池は、高容量、且つ、小型化が図れるため、開発が盛んに行
われている。

リチウムイオン二次電池において、正極或いは負極として機能する電極としては、リチウ
ム金属、炭素系材料等を用いる。

特開２００５−１５７３１７号公報

新規な構造の電子機器を提供する。具体的には、さまざまな外観形状にすることができる
新規な構造の電子機器を提供する。または、さまざまな外観形状を有する新規な構造の電
子機器、及びその形状に適した形状の二次電池を提供することも課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

電子機器を複雑な外観形状にする場合、筐体を複雑な外観形状に設計し、その筐体の内部
空間に電子部品（電源、配線、トランジスタ、抵抗、コンデンサなど）を配置する。この
電子機器が大型のものであり、重量が重くても問題ないのであれば、比較的筐体の内部空
間の体積が大きいため、比較的自由に電子部品を配置することができる。

複雑な外観形状を有する電子機器が小型であり、軽量化が求められる場合には、筐体の内
部空間の体積が小さく、その体積に合わせて電子部品及びそのサイズを選定し、配置する
。この場合、電子部品のサイズが小さくなればなるほど高価となり、製造コストが増大し
てしまう。

また、二次電池においては、二次電池の体積または重量が増えれば増えるほど容量が大き
い傾向があり、小型の電子機器に内蔵する場合、二次電池のサイズや配置に制限がある。

外部から力を加えて電子機器の一部を変形させた場合、筐体、表示部、または二次電池な
どに応力がかかり、一部が変形する。意図せず外部から力が加わった時、或いは外部から
意図的に加えた時に電子機器全体が柔軟に変形でき、壊れにくいことが、ウェアラブルデ
バイスに適した電子機器といえる。

表示部においては、一対の基板にフィルム基板を用い、一対の基板間に表示素子を設ける
ことが好ましく、これによって可撓性を有する表示モジュールを実現することができる。

また、タッチパネルを設ける場合、タッチ入力センサを設ける基板をフィルム基板として
可撓性を有するタッチパネルとすることが好ましい。

また、電子機器に用いられ、互いに重なるフィルム基板の枚数が多くなるとそれぞれのフ
ィルムを曲げた場合にずれなどが生じるため、少なくすることが好ましく、一対のフィル
ム基板間に表示素子とタッチセンサ素子を設けることが好ましい。

また、互いに重なり、隣接するフィルム基板の間に変形量の違いを吸収する緩衝層（バッ
ファ層とも呼ぶ）を設けることが好ましく、緩衝層としてはゲル状樹脂材料、ゴム状樹脂
材料、液体材料、空気層などを用いることができる。また、偏光フィルムやカラーフィル
タなどの光学フィルムを緩衝層として用いてもよい。また、電子機器に複数の緩衝層を設
けてもよい。

本明細書で開示する発明の構成の一形態は、湾曲部を有する保持構造体上に第１の緩衝層
と、第１の緩衝層上に湾曲部を有する保護フィルムと、湾曲部を有する保護フィルム上に
湾曲部を有する表示部と、湾曲部を有する表示部上に第２の緩衝層と、第２の緩衝層上に
湾曲部を有するタッチ入力部とを有する電子機器である。

また、他の構成の一形態は、湾曲部を有する保持構造体上に第１の緩衝層と、第１の緩衝
層上に湾曲部を有する保護フィルムと、湾曲部を有する保護フィルム上に湾曲部を有する
表示部と、湾曲部を有する表示部上に湾曲部を有するタッチ入力部と、湾曲部を有するタ
ッチ入力部上に第２の緩衝層を有する電子機器である。

上記各構成において、表示部の湾曲部と保護フィルムの湾曲部は、互いに重なる。保護フ
ィルムの方が表示部（表示パネル）よりも剛性が高いものを用い、保護フィルムの表面形
状に沿って表示部のフィルム基板が湾曲される。

上記各構成において、表示部上に第２の緩衝層を有する場合は、光透過性を有する材料と
することが好ましい。

また、電子機器の電源としては可撓性を有する二次電池とすることが好ましい。

例えば、外部から力を加えて二次電池の形状を変化させた場合、二次電池の外装体に用い
るフィルムなどの物体に外部から力が加わり、物体に応力がかかり、一部が変形または一
部破壊が生じる恐れがある。

応力によって生じるひずみを緩和する構造を有する二次電池とする。ひずみとは物体の基
準（初期状態）長さに対する物体内の物質点の変位を示す、変形の尺度である。二次電池
の外部から力を加えて生じる変形の尺度、即ち、ひずみによる影響を許容範囲内に抑える
二次電池を提供する。

本明細書で開示する発明の構成の一形態は、湾曲部を有する保持構造体上に湾曲部を有す
る二次電池と、湾曲部を有する二次電池上に緩衝層と、緩衝層上に湾曲部を有する保護フ
ィルムと、湾曲部を有する保護フィルム上に湾曲部を有する表示部と、湾曲部を有する表
示部上に湾曲部を有するタッチ入力部とを有する電子機器である。

上記構成において、表示部は、一対のフィルムと、前記一対のフィルムで挟まれた発光素
子とを有し、タッチ入力部は、一対のフィルムで挟まれる構成とすると、部品数を減らし
、薄型とすることができる。

上記構成において、保持構造体の湾曲部における曲率半径は、表示部の湾曲部における曲
率半径よりも小さい。保持構造体は前腕に接する側であるため、外側に位置する表示部の
湾曲部における曲率半径よりも小さく、表示部の曲率半径は大きいと表示画像の視認性が
高まるため好ましい。

上記構成において、二次電池の外装体は、プレス加工により形成された凹凸を有するフィ
ルムとし、可撓性を有する二次電池とする。

また、上記構成は保持構造体がフィルム状である場合であり、保持構造体の形状は特に限
定されず、中空空間を有するモノコック構造や、一部開口を有するセミモノコック構造の
ような形状としてもよい。その場合の構成の一形態は、凹部または凸部を有する保持構造
体に囲まれた領域に湾曲部を有する二次電池と、前記二次電池と互いに重なる緩衝層と、
緩衝層と互いに重なる湾曲部を有する保護フィルムと、保護フィルムと互いに重なる湾曲
部を有する表示部と、表示部と互いに重なるタッチ入力部とを有する電子機器である。

時計などのように、デバイスの一部を使用者の身体の一部（手首や腕など）に接触させる
、即ちデバイスを使用者が装着させることで、使用者が実際の重量よりも軽量なものに感
じさせることができる。使用者の身体の一部に沿った曲面を有する外観形状の電子機器に
フレキシブルな二次電池を用いることで、二次電池を電子機器に適した形状に固定して設
置することができる。

また、使用者が電子機器を装着した部分を動かした場合、身体の一部に沿った曲面を有し
ていても違和感を覚え、その電子機器を邪魔なものと認識し、ストレスを与える恐れがあ
る。そこで、その身体の動きに合わせて電子機器の少なくとも一部が変形する構成とする
と、使用者が違和感を覚えることのない電子機器とすることができ、電子機器の変形する
部分にフレキシブルな二次電池を設けることもできる。

または、電子機器の外観形状が曲面や複雑な形状である場合に限定されず、シンプルな外
観形状の電子機器であってもよい。例えばシンプルな外観形状の電子機器の内部において
、電子機器に内蔵できる部品の数や大きさは、電子機器の筐体で形成される空間の体積で
決定される場合が多い。二次電池以外の部品の隙間にフレキシブルな二次電池を設けるこ
とで、電子機器の筐体で形成される空間を有効利用することができ、小型化することもで
きる。

なお、ウェアラブルデバイスとは、ウェアラブルカメラ、ウェアラブルマイク、ウェアラ
ブルセンサなどのウェアラブルな入力端末や、ウェアラブルディスプレイ、ウェアラブル
スピーカーなどのウェアラブルな出力端末や、それらの機能を併せもつウェアラブルな入
出力端末を含む。また、ウェアラブルデバイスとは、各装置の制御やデータの計算または
加工を行う装置、代表的にはＣＰＵを有するウェアラブルコンピュータを含む。また、ウ
ェアラブルデバイスとは、データの記憶、データの送信、データの受信を行う装置、代表
的には携帯情報端末、メモリなども含む。

少なくとも一部を曲げることができる新規な構造の電子機器を実現できる。例えば、平坦
な表示面の表示部を曲げることができる電子機器を実現できる。

また、少なくとも一部が曲げられた部分を有する新規な構造の電子機器を実現できる。例
えば、表示面が曲げられた表示部を有する電子機器を実現できる。または、新規な電子機
器を実現できる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。
なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、こ
れら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであ
り、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能であ
る。

本発明の一態様を示す断面図である。 本発明の一態様を示す斜視図である。 本発明の一態様を示す断面図である。 本発明の一態様を示す断面図である。 本発明の一態様を示す断面図である。 本発明の一態様を示す上面図である。 本発明の一態様を示す斜視図、断面図、回路図である。 本発明の一態様に係るエンボス加工の説明図である。 本発明の一態様に係る二次電池の斜視図である。 本発明の一態様に係る入出力装置の構成を説明する投影図。 本発明の一態様に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 本発明の一態様に係る検知回路１９および変換器ＣＯＮＶの構成および駆動方法を説明する図。 フレキシブルな二次電池を有する電子機器を説明する図である。

以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、使用者の前腕に装着することのできる電子機器の一例を示す。

図１は、電子機器の断面模式図であり、図２は、充電器３００及び電子機器の斜視図であ
る。

図１及び図２に示す電子機器は、腕に装着することができる表示装置であり、映像や情報
を表示することができる。可撓性を有するリチウムイオン二次電池を用いたため、腕に合
う形状を実現することができる。外観もデザイン性に優れており、アクセサリー（装身具
）としての利用もできる。

図１及び図２に示す電子機器は、保持構造体１０１、二次電池１０３、制御基板１０７、
表示部１０２、保護フィルム８１３、カバー１０４を有する。具体的には、保持構造体１
０１に接して二次電池１０３を有し、二次電池１０３上に制御基板１０７を有し、制御基
板１０７上に保護フィルム８１３を有し、保護フィルム８１３上に表示部１０２、および
カバー１０４を有している。また、電子機器はワイヤレス充電のためのアンテナ８１５を
有し、図２に示すように、充電器３００に近づける、または置くことによって、Ｑｉ規格
によるワイヤレス充電を行うことができる。また、電子機器は表示に用いるデータを外部
の機器と無線通信するための通信装置８１７を有している。

二次電池１０３の外装体は、薄く柔軟性を有するフィルムであり、フィルムはエンボス加
工され、曲面を有する保持構造体１０１に貼り付け、保持構造体１０１の曲率半径の大き
い領域の曲面部分に追随して変形させることができる。

また、保持構造体１０１は可撓性を有している。保持構造体１０１は電子機器の内蔵部品
を包む、または外気に触れる表面を構成する部材である。例えば、フレキシブルな表示パ
ネルを保持するためにフレキシブルな表示パネルよりも剛性が高い保持構造体１０１上に
表示パネルを載置する場合には保持構造体１０１は支持構造体とも呼べる。

保持構造体１０１は、フィルム形状に限定されず、中空空間を有するモノコック構造や、
凹部または凸部で構成され一部開口を有するセミモノコック構造のような形状としてもよ
い。保持構造体１０１がモノコック構造やセミモノコック構造のような場合、保持構造体
１０１の内部または内側領域に素子が配置される。保持構造体１０１は、容易に湾曲させ
ることができる領域を有する。なお、保持構造体１０１としてプラスチック以外の材料（
ゴム、発泡スチロール、スポンジ、シリコーン樹脂、ステンレス、アルミニウム、紙、炭
素繊維、フィブロインと呼ばれるたんぱく質を含む人工くも糸繊維を含むシートや、これ
らと樹脂とを混合させた複合体、繊維幅が４ｎｍ以上１００ｎｍ以下のセルロース繊維か
らなる不織布と樹脂膜の積層体、人工くも糸繊維を含むシートと樹脂膜の積層体など）を
用いることもできる。また、フレキシブルな表示パネルを保持するためにフレキシブルな
表示パネルよりも保持構造体１０１の材料の剛性が低くとも表示パネルを囲む形状の構造
体や、表示パネルの一側面を保持する第１の保持構造体と、もう一方の側面を保持する第
２の保持構造体とで表示パネルを保持してもよい。

保持構造体１０１の形状は、例えば、帯状の構造物を湾曲させた腕輪型とする。また、保
持構造体１０１は少なくとも一部が柔軟性を有しており、保持構造体１０１を変形させな
がら手首にはめ込むことができる。変形させる場合には、保持構造体１０１と、表示部１
０２との位置ずれ、或いは保持構造体１０１と保護フィルム８１３との位置ずれが生じる
場合がある。変形させる場合、位置ずれが生じても表示部１０２と保持構造体１０１が互
いに固定されておらず、保護フィルム８１３は、制御基板１０７と表示部１０２とが接触
しないように空間を維持しており、制御基板１０７と保護フィルム８１３の間に設けられ
たバッファ層として緩衝層８０１を有している。

保護フィルム８１３は外部からの予期せぬ衝撃から電子機器の内部の構造物、特に制御基
板１０７を保護する。保護フィルム８１３には、ＦＰＣ８１９を通過させる開口を有して
いる。また、保護フィルム８１３は表示部が薄いため、表示面の曲率を保つための表示部
の支持体としても機能する。保護フィルム８１３は、電子機器の一部として変形するため
、保持構造体１０１と同様の材料（ポリイミド（ＰＩ）、アラミド樹脂、ポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥ
ＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（Ｐ
ＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、シリコーン樹脂などの樹脂フィルム、
金属フィルム、紙、プリプレグ、炭素繊維を含むフィルムなど）を用いることができる。
但し、保護フィルム８１３の材料に、保持構造体１０１とは異なる材料を用いてもよい。

カバー１０４は、一方の面に接着剤が塗布された遮光性を有するフィルムで、電子機器の
一部を包み、各構造物を一体とする機能を有し、表示部１０２と重なる開口を有する。カ
バー１０４は遮光性を有するため内部構造を隠すことができ、電子機器のデザイン性を向
上することができる。ただし、電子機器は、外部から内部構造を視認できることを意図し
たデザインとすることも可能であり、そのデザインを採用する場合、カバー１０４は遮光
性を有していなくてもよい。また、保護フィルム８１３が遮光性を有する場合にも、カバ
ー１０４は遮光性を有していなくてもよい。また、側面側から内部構造を視認できないよ
うに電子機器の側面にもカバーを設けてもよい。

制御基板１０７は、曲げるためのスリットを有し、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）規格
の通信装置８１７、マイコン、記憶装置、ＦＰＧＡ、ＤＡコンバータ、充電制御ＩＣ、レ
ベルシフタなどを設けた構成を有する。図１に示すように制御基板１０７のスリットとス
リットの間の平坦な面にＩＣ８２０ａ、８２０ｂ、８２０ｃ（マイコン、記憶装置、ＦＰ
ＧＡ、ＤＡコンバータ、充電制御ＩＣ、レベルシフタなど）などを実装している。また、
制御基板１０７は、入出力コネクタ８１４を介して表示部１０２を有する表示モジュール
と接続する。また、制御基板１０７は、配線８１８を介してアンテナ８１５と接続されて
おり、リード電極８０４及び接続部８１０を介して二次電池１０３と接続されている。電
源制御回路８１６が二次電池１０３の充放電を制御する。

表示モジュールは少なくともＦＰＣ８１９まで取り付けられた表示パネルのことを指して
いる。図１に示す電子機器は、表示部１０２とＦＰＣ８１９と駆動回路を有し、さらに二
次電池１０３から給電するためのコンバータを有する。

表示モジュールは、表示部１０２が可撓性を有し、柔軟性を有するフィルム上に表示素子
を有する。

柔軟性を有するフィルム上に表示素子を作製する方法としては、柔軟性を有するフィルム
上に表示素子を直接作製する方法や、ガラス基板などの剛性を有する基板上に表示素子を
含む層を形成した後、基板をエッチングや研磨などにより除去した後、その表示素子を含
む層と柔軟性を有するフィルムを接着する方法や、ガラス基板などの剛性を有する基板上
に剥離層を設け、その上に表示素子を含む層を形成した後、剥離層を利用して剛性を有す
る基板と表示素子を含む層を分離し、その表示素子を含む層と柔軟性を有するフィルムを
接着する方法などがある。

柔軟性を有するフィルムとしては、有機材料を用いたプラスチックフィルム（ポリイミド
（ＰＩ）、アラミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホ
ン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイ
ロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテ
ルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ
）、シリコーン樹脂など）の他に、金属板または厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の薄板状
のガラス板等の無機材料を用いることができる。柔軟性を有するフィルムとして、例えば
、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料を樹脂または樹脂フィルムに分散
した複合材料を用いることができる。

二次電池１０３と表示部１０２が一部重なる位置に配置することが好ましく、一部または
全部が重なる位置に配置することで、二次電池１０３から表示部１０２までの電力経路を
短縮、即ち配線距離を短縮し、消費電力を低減する。また、保護フィルム８１３とカバー
１０４の間に表示モジュールを設けることにより、しわや捩れ等の予期せぬ変形から表示
モジュールを保護することができ、電子機器の製品としての寿命を向上させることができ
る。また、カバー１０４は接着層を有しており、保護フィルム８１３や、表示部１０２や
、保持構造体１０１と接着されている。

また、表示部１０２にタッチ入力センサを搭載し、そのタッチ入力センサを用いて電子機
器への情報入力や操作などが可能である。

図３（Ａ）は、図１の点線部分を抜粋した断面構造の一部を示す図である。表示部１０２
と重なる領域において、保持構造体１０１と二次電池１０３は接しているが、互いに接着
して固定していない。また、二次電池１０３の外装体はエンボス加工されており、保持構
造体１０１と接していても互いにスライドしやすい構造となっている。また、保護フィル
ム８１３と制御基板１０７も接する箇所があるが、互いに接着して固定していない。積層
しているフィルム間で互いに接着して固定しないことによって電子機器が曲げられた時に
それぞれがスライドして応力緩和する構成となっている。

表示部１０２は、一対のフィルムの間に表示素子とタッチ入力センサとを有している構成
となっている。

本実施の形態では、一方のフィルム上に有機ＥＬ素子を有するアクティブマトリクス方式
を用い、もう一方のフィルム上に静電容量方式のタッチセンサを設け、２つのフィルムを
貼り合わせて、その２つのフィルムの間に有機ＥＬ素子とタッチセンサとが配置されるよ
うに構成する。なお、静電容量方式のタッチセンサに限定されず、指等の検知対象の近接
または接触を検知することができる様々なセンサ（例えば光電変換素子を用いた光学式セ
ンサ、感圧素子を用いた感圧センサ）などを適用することもできる。本明細書では、タッ
チ入力部は、表示部を指などで接触させて入力操作することに限定されず、非接触で表示
部に指を近づけて入力操作することも可能なデバイスを含むこととする。

図３（Ｂ）は、指で表示部１０２を触った時の断面模式図を示している。表示部１０２に
指８００で触ると、触った領域が押されて変形する。図３（Ｂ）においては、表示部１０
２及び保護フィルム８１３が変形する様子を示している。保護フィルム８１３の方が表示
部１０２よりも剛性が高いものを用い、変形量を抑えている。保護フィルム８１３として
、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層など）等を用いると、保護フィル
ム自体も緩衝層の機能を有する。また、緩衝層８０１が制御基板１０７と保護フィルム８
１３との間に設けられているため、制御基板１０７は変形させられることなく形状を維持
している。

本実施の形態では、緩衝層８０１は空気であり、電子機器は、表示部を指などで押された
時に空気が外部に逃げる構造を有している。緩衝層８０１は空気に限定されず、ゲル状樹
脂材料、ゴム状樹脂材料、液体材料などを用いることができる。例えば、ゲル状樹脂材料
としてシリコーンゲルまたは低分子シロキサンを含むシリコーンゲルを用いる。

本実施の形態で示した電子機器は、表示部１０２を指などで押して曲げることができ、柔
軟性を有する新規な構造の電子機器である。また、前腕に装着する際に保持構造体１０１
が変形しても、表示部１０２、二次電池１０３、制御基板１０７、保護フィルム８１３な
どが可撓性を有しているため、変形に耐える信頼性の高い電子機器を実現できる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に示した電子機器の内部構造の一部異なる例を図４及び
図５を用いて以下に説明する。

図４（Ａ）に示す構造は、実施の形態１とは二次電池の位置が異なる例である。

保持構造体１０１上に制御基板１０７を有し、緩衝層８０１を介して二次電池１０３が制
御基板１０７に固定されている例を示している。図４（Ａ）においては、保護フィルム８
１３と二次電池１０３は接着層などで互いに固定してもよい。

また、図４（Ｂ）に示す構造は、実施の形態１と違い、さらに表示部１０２上に第２の緩
衝層８０２を有する例を示している。第２の緩衝層８０２としては、偏光フィルムなどの
光学フィルムや、表示部１０２の表面の傷などを防止するフィルムなどを用いる。また、
第２の緩衝層８０２としてタッチパネルを用いてもよい。第２の緩衝層８０２としてタッ
チパネルを用いる場合には、表示部１０２にタッチセンサを含めなくてもよい。なお、第
２の緩衝層８０２は表示部１０２と接着する接着層を含んでもよい。ただし、接着層は、
表示部１０２と重なるため、光透過性を有する材料を用いることが好ましい。

また、図４（Ｃ）に示す構造は、実施の形態１と違い、さらに表示部１０２上下に緩衝層
を有する例である。表示部１０２上に設ける第２の緩衝層８０２については、図４（Ｂ）
と同じフィルムやタッチパネルを用いればよい。

また、表示部１０２と保護フィルム８１３との間に設ける第３の緩衝層８０３は、ゲル状
樹脂材料、ゴム状樹脂材料、液体材料などを用いることができる。例えば、ゲル状樹脂材
料としてシリコーンゲルまたは低分子シロキサンを含むシリコーンゲルを用いる。第３の
緩衝層８０３を設けることにより、外部から力が加わった時に表示部１０２と保護フィル
ム８１３がスライドして応力緩和させることができる。

また、図５（Ａ）に示す構造は、実施の形態１と違い、二次電池及び制御回路が表示部と
重ならない位置に設けられ、保持構造体１０１と保護フィルム８１３の間に緩衝層８０１
を有する例である。また、表示部１０２上に設ける第２の緩衝層８０２については、図４
（Ｂ）と同じフィルムやタッチパネルを用いればよい。

図５（Ａ）に示す構造は、表示部と重なる位置に二次電池及び制御回路が設けられていな
いため、表示部を押して凹みが生じても許容できる緩衝層８０１を有している。従って、
柔軟性を有し、頑丈な表示部を有する電子機器を実現できる。

また、図５（Ｂ）に示す構造は、表示部における薄さを優先した構成となっており、表示
部１０２の上に第２の緩衝層８０２を有し、表示部１０２と保持構造体１０１との間に第
３の緩衝層８０３を設ける例である。また、図５（Ｂ）に図示していないが、表示部１０
２と重ならない箇所では空気からなる緩衝層を有する電子機器である。

本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、フィルム表面にエンボス加工を行い、模様を有するフィルムを用いて
リチウムイオン二次電池を作製する例を示す。

まず、可撓性基材からなるシートを用意する。シートは、積層体を用い、金属フィルムの
一方の面または両方の面に接着層（ヒートシール層とも呼ぶ）を有するものを用いる。接
着層は、ポリプロピレンやポリエチレンなどを含む熱融着性樹脂フィルムを用いる。本実
施の形態では、シートとして、アルミニウム箔の表面にナイロン樹脂を有し、アルミニウ
ム箔の裏面に耐酸性ポリプロピレン膜と、ポリプロピレン膜の積層が設けられている金属
シートを用いる。このシートをカットして図６（Ａ）に示すフィルム４１０を用意する。

そして、このフィルム４１０にエンボス加工を行い、図６（Ｂ）に示すようにフィルム表
面に凹凸を形成し、視認可能な模様を形成する。なお、ここではシートをカットした後、
エンボス加工を行う例を示すが、特に順序は限定されず、シートをカットする前にエンボ
ス加工を行い、その後カットしてもよい。また、シートを折り曲げて熱圧着を行った後に
カットしてもよい。

以下に、プレス加工の一種であるエンボス加工の説明をする。

図８は、エンボス加工の一例を示す断面図である。なお、エンボス加工とは、プレス加工
の一種であり、表面に凹凸のあるエンボスロールをフィルムに圧接させ、エンボスロール
の凹凸に対応する凹凸をフィルム表面に形成する処理のことを指している。エンボスロー
ルは、表面に模様を彫刻したロールである。

図８（Ａ）は、フィルムの片方の面にエンボス加工を行う例である。

図８（Ａ）において、フィルムの一方の面に接するエンボスロール５３と、もう一方の面
に接するロール５４との間にフィルム５０が挟まれ、フィルム５０がフィルムの進行方向
５８に送り出されている途中を示している。圧力または熱によってフィルム表面に模様を
形成している。

図８（Ａ）は、片面エンボス加工とも呼ばれ、エンボスロール５３とロール５４（金属ロ
ールまたは弾性ロール（ゴムロールなど））の組み合わせである。

また、図８（Ｂ）はフィルムの両面にエンボス加工を行う例である。

図８（Ｂ）において、フィルムの一方の面に接するエンボスロール５３と、もう一方の面
に接するエンボスロール５５との間にフィルム５１が挟まれ、フィルム５１がフィルムの
進行方向５８に送り出されている途中を示している。

図８（Ｂ）は、両面エンボス加工とも呼ばれ、雄柄のエンボスロールであるエンボスロー
ル５３とエンボスロール５５（雌柄）の組み合わせである。

また、フィルム５１の表面の一部を浮き上がらせるエンボスと、表面をへこましたデボス
が連続している凸凹により、フィルム５１の表面に模様を形成している。

図８（Ｃ）において、フィルムの一方の面に接するエンボスロール５６と、もう一方の面
に接するエンボスロール５７との間にフィルム５２が挟まれ、フィルム５２がフィルムの
進行方向５８に送り出されている途中を示している。

図８（Ｃ）は、Ｔｉｐ ｔｏ Ｔｉｐの両面エンボス加工とも呼ばれ、エンボスロール５
６と、そのエンボスロール５６と同じ柄のエンボスロール５７の組み合わせである。同一
のエンボスロールの凸部と凹部の位相を合わせたものであり、フィルム５２の表裏に差の
ほとんど無い模様を形成することができる。

また、エンボスロールを用いることに限定されず、エンボスプレートを用いてもよい。ま
た、エンボス加工に限定されず、フィルムの一部に浮き彫り（レリーフ）を形成すればよ
い。

本実施の形態では、フィルム４１１の両面に凹凸を設けて模様を形成し、フィルム４１１
を中央で折り曲げて２つの端部を重ね、３辺を接着層で封止する構造とする。

フィルム４１１を図６（Ｂ）の点線で示した部分で折り、図７（Ａ）に示す状態とする。

また、図７（Ｂ）に示すように二次電池を構成する正極集電体４１２、セパレータ４１３
、負極集電体４１４を積層したものを用意する。また、正極集電体４１２や負極集電体４
１４などの集電体としては、ステンレス、金、白金、亜鉛、鉄、ニッケル、銅、アルミニ
ウム、チタン、タンタル等の金属、及びこれらの合金など、導電性の高く、リチウムイオ
ン等のキャリアイオンと合金化しない材料を用いることができる。また、シリコン、チタ
ン、ネオジム、スカンジウム、モリブデンなどの耐熱性を向上させる元素が添加されたア
ルミニウム合金を用いることができる。また、シリコンと反応してシリサイドを形成する
金属元素で形成してもよい。シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素としては
、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブ
デン、タングステン、コバルト、ニッケル等がある。また、集電体は、箔状、板状（シー
ト状）、網状、円柱状、コイル状、パンチングメタル状、エキスパンドメタル状等の形状
を適宜用いることができる。集電体は、厚みが１０μｍ以上３０μｍ以下のものを用いる
とよい。なお、ここでは説明を簡略にするため、正極集電体４１２、セパレータ４１３、
負極集電体４１４の積層の組み合わせを１つにして外装体に収納する例を示したが、二次
電池の容量を大きくするために組み合わせを複数重ねて外装体に収納する。

そして図７（Ｃ）に示す封止層４１５を有するリード電極４１６を２つ用意する。リード
電極４１６はリード端子とも呼ばれ、二次電池の正極または負極を外装フィルムの外側へ
引き出すために設けられる。

そして、一つのリード電極と、正極集電体４１２の突出部を超音波溶接などにより、電気
的に接続する。そしてもう一つのリード電極と、負極集電体４１４の突出部を超音波溶接
などにより、電気的に接続する。

そして、電解液を入れるための一辺を残すため、フィルム４１１の２辺に対して熱圧着を
行って封止する。熱圧着の際、リード電極に設けられた封止層４１５も溶けてリード電極
とフィルム４１１との間を固定される。そして、減圧雰囲気下、或いは不活性雰囲気下で
所望の量の電解液をフィルム４１１が袋状となった内側に滴下する。そして、最後に、熱
圧着をせずに残していたフィルムの周縁に対して熱圧着を行って封止する。

こうして図７（Ｄ）に示す二次電池１０３を作製することができる。

得られた二次電池１０３は、外装体となるフィルム４１１の表面に凹凸を有する模様を有
している。また、図７（Ｄ）中の点線と端面との間の領域は熱圧着領域４１７であり、そ
の部分にも表面に凹凸を有する模様を有する。中央部に比べると熱圧着領域４１７の凹凸
は小さいが、二次電池を曲げた時に加わる応力を緩和することができる。

また、図７（Ｄ）中の鎖線Ａ−Ｂで切断した断面の一例を図７（Ｅ）に示す。

図７（Ｅ）に示すように、フィルム４１１の凹凸は、正極集電体４１２と重なる領域と、
熱圧着領域４１７で異なる。なお、図７（Ｅ）に示すように、正極集電体４１２、正極活
物質層４１８、セパレータ４１３、負極活物質層４１９、負極集電体４１４の順で積層さ
れたものが、折り曲げたフィルム４１１に挟まれ、さらに端部において接着層４３０で封
止されており、その他の空間には電解液４２０を有している。

正極活物質層４１８に用いる正極活物質としては、オリビン型の結晶構造、層状岩塩型の
結晶構造、またはスピネル型の結晶構造を有する複合酸化物等がある。正極活物質として
、例えばＬｉＦｅＯ_２、ＬｉＣｏＯ_２、ＬｉＮｉＯ_２、ＬｉＭｎ_２Ｏ_４、Ｖ_２Ｏ_５、Ｃｒ
_２Ｏ_５、ＭｎＯ_２等の化合物を用いる。

または、複合材料（一般式ＬｉＭＰＯ_４（Ｍは、Ｆｅ（ＩＩ）、Ｍｎ（ＩＩ）、Ｃｏ（Ｉ
Ｉ）、Ｎｉ（ＩＩ）の一以上））を用いることができる。一般式ＬｉＭＰＯ_４の代表例と
しては、ＬｉＦｅＰＯ_４、ＬｉＮｉＰＯ_４、ＬｉＣｏＰＯ_４、ＬｉＭｎＰＯ_４、ＬｉＦｅ
_ａＮｉ_ｂＰＯ_４、ＬｉＦｅ_ａＣｏ_ｂＰＯ_４、ＬｉＦｅ_ａＭｎ_ｂＰＯ_４、ＬｉＮｉ_ａＣｏ_ｂ
ＰＯ_４、ＬｉＮｉ_ａＭｎ_ｂＰＯ_４（ａ＋ｂは１以下、０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）、ＬｉＦ
ｅ_ｃＮｉ_ｄＣｏ_ｅＰＯ_４、ＬｉＦｅ_ｃＮｉ_ｄＭｎ_ｅＰＯ_４、ＬｉＮｉ_ｃＣｏ_ｄＭｎ_ｅＰＯ
_４（ｃ＋ｄ＋ｅは１以下、０＜ｃ＜１、０＜ｄ＜１、０＜ｅ＜１）、ＬｉＦｅ_ｆＮｉ_ｇＣ
ｏ_ｈＭｎ_ｉＰＯ_４（ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉは１以下、０＜ｆ＜１、０＜ｇ＜１、０＜ｈ＜１、０
＜ｉ＜１）等のリチウム化合物を材料として用いることができる。

または、一般式Ｌｉ_{（２−ｊ）}ＭＳｉＯ_４（Ｍは、Ｆｅ（ＩＩ）、Ｍｎ（ＩＩ）、Ｃｏ（
ＩＩ）、Ｎｉ（ＩＩ）の一以上、０≦ｊ≦２）等の複合材料を用いることができる。一般
式Ｌｉ_{（２−ｊ）}ＭＳｉＯ_４の代表例としては、Ｌｉ_{（２−ｊ）}ＦｅＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２
−ｊ）}ＮｉＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}ＣｏＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}ＭｎＳｉＯ_４、Ｌｉ
_{（２−ｊ）}Ｆｅ_ｋＮｉ_ｌＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｆｅ_ｋＣｏ_ｌＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ
）}Ｆｅ_ｋＭｎ_ｌＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｎｉ_ｋＣｏ_ｌＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｎｉ_ｋ
Ｍｎ_ｌＳｉＯ_４（ｋ＋ｌは１以下、０＜ｋ＜１、０＜ｌ＜１）、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｆｅ_ｍＮ
ｉ_ｎＣｏ_ｑＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｆｅ_ｍＮｉ_ｎＭｎ_ｑＳｉＯ_４、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｎｉ
_ｍＣｏ_ｎＭｎ_ｑＳｉＯ_４（ｍ＋ｎ＋ｑは１以下、０＜ｍ＜１、０＜ｎ＜１、０＜ｑ＜１）
、Ｌｉ_{（２−ｊ）}Ｆｅ_ｒＮｉ_ｓＣｏ_ｔＭｎ_ｕＳｉＯ_４（ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕは１以下、０＜ｒ
＜１、０＜ｓ＜１、０＜ｔ＜１、０＜ｕ＜１）等のリチウム化合物を材料として用いるこ
とができる。

また、正極活物質として、Ａ_ｘＭ_２（ＸＯ_４）_３（Ａ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｍ＝Ｆｅ、Ｍ
ｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｘ＝Ｓ、Ｐ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｓ、Ｓｉ）の一般式で表されるナ
シコン型化合物を用いることができる。ナシコン型化合物としては、Ｆｅ_２（ＭｎＯ_４）
_３、Ｆｅ_２（ＳＯ_４）_３、Ｌｉ_３Ｆｅ_２（ＰＯ_４）_３等がある。また、正極活物質として
、Ｌｉ_２ＭＰＯ_４Ｆ、Ｌｉ_２ＭＰ_２Ｏ_７、Ｌｉ_５ＭＯ_４（Ｍ＝Ｆｅ、Ｍｎ）の一般式で表
される化合物、ＮａＦｅＦ_３、ＦｅＦ_３等のペロブスカイト型フッ化物、ＴｉＳ_２、Ｍｏ
Ｓ_２等の金属カルコゲナイド（硫化物、セレン化物、テルル化物）、ＬｉＭＶＯ_４等の逆
スピネル型の結晶構造を有する酸化物、バナジウム酸化物（Ｖ_２Ｏ_５、Ｖ_６Ｏ_１３、Ｌｉ
Ｖ_３Ｏ_８等）、マンガン酸化物、有機硫黄化合物等の材料を用いることができる。

なお、キャリアイオンが、リチウムイオン以外のアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属
イオン、の場合、正極活物質として、リチウムの代わりに、アルカリ金属（例えば、ナト
リウムやカリウム等）、アルカリ土類金属（例えば、カルシウム、ストロンチウム、ベリ
リウム、マグネシウム、またはバリウム等）、を用いてもよい。

セパレータ４１３としては、セルロース（紙）、または空孔が設けられたポリプロピレン
、ポリエチレン等の絶縁体を用いることができる。

電解液は、電解質として、キャリアイオンを有する材料を用いる。電解質の代表例として
は、ＬｉＰＦ_６、ＬｉＣｌＯ_４、ＬｉＡｓＦ_６、ＬｉＢＦ_４、ＬｉＣＦ_３ＳＯ_３、Ｌｉ（
ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ、Ｌｉ（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ等のリチウム塩がある。これらの電解
質は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい
。

なお、キャリアイオンが、リチウムイオン以外のアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属
イオン、の場合、電解質として、上記リチウム塩において、リチウムの代わりに、アルカ
リ金属（例えば、ナトリウムやカリウム等）、アルカリ土類金属（例えば、カルシウム、
ストロンチウム、ベリリウム、マグネシウム、またはバリウム等）、を用いてもよい。

また、電解液の溶媒としては、キャリアイオンが移動可能な材料を用いる。電解液の溶媒
としては、非プロトン性有機溶媒が好ましい。非プロトン性有機溶媒の代表例としては、
エチレンカーボネート（ＥＣ）、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエ
チルカーボネート（ＤＥＣ）、γーブチロラクトン、アセトニトリル、ジメトキシエタン
、テトラヒドロフラン等があり、これらの一つまたは複数を用いることができる。また、
電解液の溶媒としてゲル化される高分子材料を用いることで、漏液性などに対する安全性
が高まる。また、蓄電池の薄型化及び軽量化が可能である。ゲル化される高分子材料の代
表例としては、シリコーンゲル、アクリルゲル、アクリロニトリルゲル、ポリエチレンオ
キサイド、ポリプロピレンオキサイド、フッ素系ポリマー等がある。また、電解液の溶媒
として、難燃性及び難揮発性であるイオン液体（常温溶融塩）を一つまたは複数用いるこ
とで、蓄電池の内部短絡や、過充電等によって内部温度が上昇しても、蓄電池の破裂や発
火などを防ぐことができる。なお、イオン液体は、流動状態にある塩であり、イオン移動
度（伝導度）が高い。また、イオン液体は、カチオンとアニオンとを含む。イオン液体と
しては、エチルメチルイミダゾリウム（ＥＭＩ）カチオンを含むイオン液体、またはＮ−
メチル−Ｎ−プロピルピペリジニウム（ＰＰ_１３）カチオンを含むイオン液体などがある
。

また、電解液の代わりに、硫化物系や酸化物系等の無機物材料を有する固体電解質や、Ｐ
ＥＯ（ポリエチレンオキシド）系等の高分子材料を有する固体電解質を用いることができ
る。固体電解質を用いる場合には、セパレータやスペーサの設置が不要となる。また、電
池全体を固体化できるため、漏液のおそれがなくなり安全性が飛躍的に向上する。

また、負極活物質層４１９の負極活物質としては、リチウムの溶解・析出、又はリチウム
イオンの挿入・脱離が可能な材料を用いることができ、リチウム金属、炭素系材料等を用
いることができる。

リチウム金属は、酸化還元電位が低く（標準水素電極に対して−３．０４５Ｖ）、重量及
び体積当たりの比容量が大きい（それぞれ３８６０ｍＡｈ／ｇ、２０６２ｍＡｈ／ｃｍ^３
）ため、好ましい。

炭素系材料としては、黒鉛、易黒鉛化性炭素（ソフトカーボン）、難黒鉛化性炭素（ハー
ドカーボン）、カーボンナノチューブ、グラフェン、カーボンブラック等がある。

黒鉛としては、メソカーボンマイクロビーズ（ＭＣＭＢ）、コークス系人造黒鉛、ピッチ
系人造黒鉛等の人造黒鉛や、球状化天然黒鉛等の天然黒鉛がある。

黒鉛はリチウムイオンが黒鉛に挿入されたとき（リチウム−黒鉛層間化合物の生成時）に
リチウム金属と同程度に卑な電位を示す（０．１〜０．３Ｖ ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ^＋）。こ
れにより、リチウムイオン二次電池は高い作動電圧を示すことができる。さらに、黒鉛は
、単位体積当たりの容量が比較的高い、体積膨張が小さい、安価である、リチウム金属に
比べて安全性が高い等の利点を有するため、好ましい。

負極活物質として、リチウムとの合金化・脱合金化反応により充放電反応を行うことが可
能な材料も用いることができる。キャリアイオンがリチウムイオンである場合、例えば、
Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｇａ等の
うち少なくとも一つを含む材料がある。このような元素は炭素に対して容量が大きく、特
にシリコンは理論容量が４２００ｍＡｈ／ｇと飛躍的に高い。このため、負極活物質にシ
リコンを用いることが好ましい。このような元素を用いた材料としては、例えば、ＳｉＯ
、Ｍｇ_２Ｓｉ、Ｍｇ_２Ｇｅ、ＳｎＯ、ＳｎＯ_２、Ｍｇ_２Ｓｎ、ＳｎＳ_２、Ｖ_２Ｓｎ_３、Ｆ
ｅＳｎ_２、ＣｏＳｎ_２、Ｎｉ_３Ｓｎ_２、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ａｇ_３Ｓｎ、Ａｇ_３Ｓｂ、Ｎｉ_２
ＭｎＳｂ、ＣｅＳｂ_３、ＬａＳｎ_３、Ｌａ_３Ｃｏ_２Ｓｎ_７、ＣｏＳｂ_３、ＩｎＳｂ、Ｓｂ
Ｓｎ等がある。なお、ＳｉＯとは、ケイ素リッチの部分を含むケイ素酸化物の粉末を指し
ており、ＳｉＯ_ｙ（２＞ｙ＞０）とも表記できる。例えばＳｉＯは、Ｓｉ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３
Ｏ_４、またはＳｉ_２Ｏから選ばれた単数または複数を含む材料や、Ｓｉの粉末と二酸化ケ
イ素ＳｉＯ_２の混合物も含む。また、ＳｉＯは他の元素（炭素、窒素、鉄、アルミニウム
、銅、チタン、カルシウム、マンガンなど）を含む場合もある。即ち、単結晶Ｓｉ、アモ
ルファスＳｉ、多結晶Ｓｉ、Ｓｉ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｏ_４、Ｓｉ_２Ｏ、ＳｉＯ_２から選ばれる
複数を含む材料を指しており、ＳｉＯは有色材料である。ＳｉＯではないＳｉＯ_ｘ（Ｘは
２以上）であれば無色透明、或いは白色であり、区別することができる。ただし、二次電
池の材料としてＳｉＯを用いて二次電池を作製した後、充放電を繰り返すなどによって、
ＳｉＯが酸化した場合には、ＳｉＯ_２に変質する場合もある。

また、負極活物質として、酸化チタン（ＴｉＯ_２等）、リチウムチタン酸化物（Ｌｉ_４Ｔ
ｉ_５Ｏ_１２等）、リチウム−黒鉛層間化合物（Ｌｉ_ｘＣ_６等）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５
等）、酸化タングステン（ＷＯ_２等）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２等）等の酸化物を用い
ることができる。

また、負極活物質として、リチウムと遷移金属の複窒化物である、Ｌｉ_３Ｎ型構造をもつ
Ｌｉ_３−ｘＭ_ｘＮ（Ｍ＝Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ）を用いることができる。例えば、Ｌｉ_２．６
Ｃｏ_０．４Ｎ_３は大きな充放電容量（９００ｍＡｈ／ｇ、１８９０ｍＡｈ／ｃｍ^３）を示
し好ましい。

リチウムと遷移金属の複窒化物を用いると、負極活物質中にリチウムイオンを含むため、
正極活物質としてリチウムイオンを含まないＶ_２Ｏ_５、Ｃｒ_３Ｏ_８等の材料と組み合わせ
ることができ好ましい。なお、正極活物質にリチウムイオンを含む材料を用いる場合でも
、あらかじめ正極活物質に含まれるリチウムイオンを脱離させておくことで負極活物質と
してリチウムと遷移金属の複窒化物を用いることができる。

また、コンバージョン反応が生じる材料を負極活物質として用いることもできる。例えば
、酸化コバルト（ＣｏＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化鉄（ＦｅＯ）等の、リチウム
と合金化反応を行わない遷移金属酸化物を負極活物質に用いてもよい。コンバージョン反
応が生じる材料としては、さらに、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ、ＲｕＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ
_３等の酸化物、ＣｏＳ_０．８９、ＮｉＳ、ＣｕＳ等の硫化物、Ｚｎ_３Ｎ_２、Ｃｕ_３Ｎ、Ｇ
ｅ_３Ｎ_４等の窒化物、ＮｉＰ_２、ＦｅＰ_２、ＣｏＰ_３等のリン化物、ＦｅＦ_３、ＢｉＦ_３
等のフッ化物でも起こる。なお、上記フッ化物の電位は高いため、正極活物質として用い
てもよい。

また、負極活物質層４１９には、上述した負極活物質の他、活物質の密着性を高めるため
の結着剤（バインダ）、負極活物質層４１９の導電性を高めるための導電助剤等を有して
もよい。

二次電池の構成は、例えば、セパレータ４１３の厚さは約２５μｍ、正極集電体４１２は
約２０μｍ以上約４０μｍ以下、正極活物質層４１８は約１００μｍ、負極活物質層４１
９は約１００μｍ、負極集電体４１４は約２０μｍ以上約４０μｍ以下である。フィルム
４１１の厚さは、０．１１３ｍｍである。また、フィルム４１１へのエンボス加工深さは
、約５００μｍである。フィルム４１１へのエンボス加工深さが２ｍｍ以上の場合には、
二次電池全体の厚さが厚すぎてしまうため、エンボス加工深さは１ｍｍ以下、好ましくは
５００μｍ以下とする。なお、図７（Ｅ）では接着層４３０が部分的にしか図示していな
いが、フィルムにはポリプロピレンからなる層がフィルム４１１表面に設けられ、熱圧着
した部分のみが接着層４３０となる。

また、図７（Ｅ）では、フィルム４１１の下側を固定して圧着している例を示している。
この場合には上側が大きく曲げられ、段差が形成されるため、折り曲げたフィルム４１１
の間に上記積層の組み合わせを複数、例えば８つ以上設ける場合には、その段差が大きく
なり、上側のフィルム４１１に応力がかかりすぎる恐れがある。また、そのため、上側の
フィルムの端面と、下側のフィルムの端面の位置ずれが大きくなる恐れもある。その場合
、端面に位置ずれがないように、下側のフィルムにも段差を設け、応力が均等化するよう
に中央で圧着する構成としてもよい。

ここで図７（Ｆ）を用いて二次電池の充電時の電流の流れを説明する。リチウムを用いた
二次電池を一つの閉回路とみなした時、リチウムイオンの動きと電流の流れは同じ向きに
なる。なお、リチウムを用いた二次電池では、充電と放電でアノード（陽極）とカソード
（陰極）が入れ替わり、酸化反応と還元反応とが入れ替わることになるため、反応電位が
高い電極を正極と呼び、反応電位が低い電極を負極と呼ぶ。したがって、本明細書におい
ては、充電中であっても、放電中であっても、逆パルス電流を流す場合であっても、充電
電流を流す場合であっても、正極は「正極」または「＋極（プラス極）」と呼び、負極は
「負極」または「−極（マイナス極）」と呼ぶこととする。酸化反応や還元反応に関連し
たアノード（陽極）やカソード（陰極）という用語を用いると、充電時と放電時とでは、
逆になってしまい、混乱を招く可能性がある。したがって、アノード（陽極）やカソード
（陰極）という用語は、本明細書においては用いないこととする。仮にアノード（陽極）
やカソード（陰極）という用語を用いる場合には、充電時か放電時かを明記し、正極（プ
ラス極）と負極（マイナス極）のどちらに対応するものかも併記することとする。

図７（Ｆ）に示す２つの端子には充電器が接続され、二次電池１０３が充電される。二次
電池１０３の充電が進めば、電極間の電位差は大きくなる。図７（Ｆ）では、二次電池１
０３の外部の端子から、正極集電体４１２の方へ流れ、二次電池１０３の中において、正
極集電体４１２から負極集電体４１４の方へ流れ、負極から二次電池１０３の外部の端子
の方へ流れる電流の向きを正の向きとしている。つまり、充電電流の流れる向きを電流の
向きとしている。

また、図９に曲げたリチウムイオン二次電池の斜視図を示す。なお、曲げる方向は図９に
限定されず、他の方向に曲げることもできる。曲げたリチウムイオン二次電池の形状は、
エンボス加工された外装体によって維持されている。図９に示すリチウムイオン二次電池
は、繰り返し曲げても二次電池としての機能を保持している。また、曲げたリチウムイオ
ン二次電池を電子機器の筐体内に収納する場合は、曲げたリチウムイオン二次電池の上下
または周囲に緩衝層を設け、電子機器を曲げた時に他の部材（フィルムや素子）との衝突
を緩和することが好ましい。

なお、本実施の形態では、リチウムイオン二次電池に適用した場合の例を示したが、本発
明の一態様は、これに限定されない。様々な二次電池、例えば、鉛蓄電池、リチウムイオ
ンポリマー二次電池、ニッケル・水素蓄電池、ニッケル・カドミウム蓄電池、ニッケル・
鉄蓄電池、ニッケル・亜鉛蓄電池、酸化銀・亜鉛蓄電池、固体電池、空気電池、などに適
用することも可能である。または、様々な蓄電装置に適用することが可能であり、例えば
、一次電池、コンデンサ、リチウムイオンキャパシタなどに適用することも可能である。

本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置（タッチ入力センサを有する表示パネル
）の構成について、図１０および図１１を参照しながら説明する。

図１０は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する投影図である。

図１０（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置５００の投影図であり、図１０（Ｂ）は入出
力装置５００が備える検知ユニット２０Ｕの構成を説明する投影図である。

図１１は本発明の一態様の入出力装置５００の構成を説明する断面図である。

図１１（Ａ）は図１０に示す本発明の一態様の入出力装置５００のＺ１−Ｚ２における断
面図である。

なお、入出力装置５００はタッチパネルということもできる。

＜入出力装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する入出力装置５００は、可視光を透過する窓部１４を具備し且つマ
トリクス状に配設される複数の検知ユニット２０Ｕ、行方向（図中に矢印Ｒで示す）に配
置される複数の検知ユニット２０Ｕと電気的に接続する走査線Ｇ１、列方向（図中に矢印
Ｃで示す）に配置される複数の検知ユニット２０Ｕと電気的に接続する信号線ＤＬならび
に、検知ユニット２０Ｕ、走査線Ｇ１および信号線ＤＬを支持する可撓性の基材１６を備
える可撓性の入力装置１００と、窓部１４に重なり且つマトリクス状に配設される複数の
画素５０２および画素５０２を支持する可撓性の基板５１０を備える表示部５０１と、を
有する（図１０（Ａ）乃至図１０（Ｃ）参照）。

検知ユニット２０Ｕは、窓部１４に重なる検知素子Ｃおよび検知素子Ｃと電気的に接続さ
れる検知回路１９を備える（図１０（Ｂ）参照）。

検知素子Ｃは、絶縁層２３、絶縁層２３を挟持する第１の電極２１および第２の電極２２
を備える（図１１（Ａ）参照）。

検知回路１９は、選択信号を供給され且つ検知素子Ｃの容量の変化に基づいて検知信号Ｄ
ＡＴＡを供給する。

走査線Ｇ１は、選択信号を供給することができ、信号線ＤＬは、検知信号ＤＡＴＡを供給
することができ、検知回路１９は、複数の窓部１４の間隙に重なるように配置される。

また、本実施の形態で説明する入出力装置５００は、検知ユニット２０Ｕおよび検知ユニ
ット２０Ｕの窓部１４と重なる画素５０２の間に、着色層を備える。

本実施の形態で説明する入出力装置５００は、可視光を透過する窓部１４を具備する検知
ユニット２０Ｕを複数備える可撓性の入力装置１００と、窓部１４に重なる画素５０２を
複数備える可撓性の表示部５０１と、を有し、窓部１４と画素５０２の間に着色層を含ん
で構成される。

これにより、入出力装置は容量の変化に基づく検知信号およびそれを供給する検知ユニッ
トの位置情報を供給すること、検知ユニットの位置情報と関連付けられた画像情報を表示
すること、ならびに曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な
入出力装置を提供することができる。

また、入出力装置５００は、入力装置１００が供給する信号が供給されるフレキシブル基
板ＦＰＣ１または／および画像情報を含む信号を表示部５０１に供給するフレキシブル基
板ＦＰＣ２を備えていてもよい。

また、傷の発生を防いで入出力装置５００を保護する保護層１７ｐまたは／および入出力
装置５００が反射する外光の強度を弱める反射防止層５６７ｐを備えていてもよい。

また、入出力装置５００は、表示部５０１の走査線に選択信号を供給する走査線駆動回路
５０３ｇ、信号を供給する配線５１１およびフレキシブル基板ＦＰＣ２と電気的に接続さ
れる端子５１９を有する。

以下に、入出力装置５００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成
は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合が
ある。

例えば、複数の窓部１４に重なる位置に着色層を備える入力装置１００は、入力装置１０
０であるとともにカラーフィルタでもある。

また、例えば入力装置１００が表示部５０１に重ねられた入出力装置５００は、入力装置
１００であるとともに表示部５０１でもある。

入出力装置５００は、入力装置１００と、表示部５０１と、を備える（図１０（Ａ）参照
）。

入力装置１００は複数の検知ユニット２０Ｕおよび検知ユニットを支持する可撓性の基材
１６を備える。例えば、４０行１５列のマトリクス状に複数の検知ユニット２０Ｕを可撓
性の基材１６に配設する。

窓部１４は可視光を透過する。

窓部１４に重なる位置に所定の色の光を透過する着色層を備える。例えば、青色の光を透
過する着色層ＣＦＢ、緑色の光を透過する着色層ＣＦＧまたは赤色の光を透過する着色層
ＣＦＲを備える（図１０（Ｂ）参照）。

なお、青色、緑色または／および赤色に加えて、白色の光を透過する着色層または黄色の
光を透過する着色層などさまざまな色の光を透過する着色層を備えることができる。

着色層に金属材料、顔料または染料等を用いることができる。

窓部１４を囲むように遮光性の層ＢＭを備える。遮光性の層ＢＭは窓部１４より光を透過
しにくい。

カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光性
の層ＢＭに用いることができる。

遮光性の層ＢＭと重なる位置に走査線Ｇ１、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳおよび
配線ＶＲＥＳならびに検知回路１９を備える。

なお、着色層および遮光性の層ＢＭを覆う透光性のオーバーコート層を備えることができ
る。

検知素子Ｃは、第１の電極２１、第２の電極２２および第１の電極２１と第２の電極２２
の間に絶縁層２３を有する（図１１（Ａ）参照）。

第１の電極２１は他の領域から分離されるように、例えば島状に形成される。特に、入出
力装置５００の使用者に第１の電極２１が識別されないように、第１の電極２１と同一の
工程で作製することができる層を第１の電極２１に近接して配置する構成が好ましい。よ
り好ましくは、第１の電極２１および第１の電極２１に近接して配置する層の間隙に配置
する窓部１４の数をできるだけ少なくするとよい。特に、当該間隙に窓部１４を配置しな
い構成が好ましい。

第１の電極２１と重なるように第２の電極２２を備え、第１の電極２１と第２の電極２２
の間に絶縁層２３を備える。

例えば、大気中に置かれた検知素子Ｃの第１の電極２１または第２の電極２２に、大気と
異なる誘電率を有するものが近づくと、検知素子Ｃの容量が変化する。具体的には、指な
どのものが検知素子Ｃに近づくと、検知素子Ｃの容量が変化する。これにより、近接検知
器に用いることができる。

例えば、変形することができる検知素子Ｃの容量は、変形に伴い変化する。

具体的には、指などのものが検知素子Ｃに触れることにより、第１の電極２１と第２の電
極２２の間隔が狭くなると、検知素子Ｃの容量は大きくなる。これにより、接触検知器に
用いることができる。

具体的には、検知素子Ｃを折り曲げることにより、第１の電極２１と第２の電極２２の間
隔が狭くなる。これにより、検知素子Ｃの容量は大きくなる。これにより、屈曲検知器に
用いることができる。

第１の電極２１および第２の電極２２は、導電性の材料を含む。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを第１の
電極２１および第２の電極２２に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン
、ニッケル、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合
金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。

または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。

または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

または、導電性高分子を用いることができる。

図１２（Ａ）に示すように検知回路１９は例えば第１のトランジスタＭ１乃至第３のトラ
ンジスタＭ３を含む。また、検知回路１９は電源電位および信号を供給する配線を含む。
例えば、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＣＳ、走査線Ｇ１、配線ＲＥＳ、配線ＶＲＥＳな
どを含む。なお、検知回路１９の具体的な構成は実施の形態５で詳細に説明する。

なお、検知回路１９を窓部１４と重ならない領域に配置してもよい。例えば、窓部１４と
重ならない領域に配線を配置することにより、検知ユニット２０Ｕの一方の側から他方の
側にあるものを視認し易くできる。

例えば、同一の工程で形成することができるトランジスタを第１のトランジスタＭ１乃至
第３のトランジスタＭ３に用いることができる。

第１のトランジスタＭ１は半導体層を有する。例えば、４族の元素、化合物半導体または
酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガ
リウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。

導電性を有する材料を配線に適用できる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線に
用いることができる。具体的には、第１の電極２１および第２の電極２２に用いることが
できる材料と同一の材料を適用できる。

アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、
鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を走査線
Ｇ１、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳおよび配線ＶＲＥＳに用いることができる。

基材１６に形成した膜を加工して、基材１６に検知回路１９を形成してもよい。

または、他の基材に形成された検知回路１９を基材１６に転置してもよい。

なお、検知回路の作製方法を、実施の形態５において詳細に説明する。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を可撓性の基材１６に用いるこ
とができる。

５μｍ以上２５００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上６８０μｍ以下、より好ましくは５
μｍ以上１７０以下、より好ましくは５μｍ以上４５μｍ以下、より好ましくは８μｍ以
上２５μｍ以下の厚さを有する材料を、基材１６に用いることができる。

また、不純物の透過が抑制された材料を基板５１０に好適に用いることができる。例えば
、水蒸気の透過率が１０^−５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０^−６ｇ／（ｍ^２
・ｄａｙ）以下である材料を好適に用いることができる。

また、基板５１０を構成する材料と線膨張率がおよそ等しい材料を基材１６に好適に用い
ることができる。例えば、線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^−５／
Ｋ以下、より好ましくは１×１０^−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチックフィルム等の有機材料を、基材１６に用
いることができる。

例えば、金属板または厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の薄板状のガラス板等の無機材料を
、基材１６に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料の膜を、樹脂層を用いて樹脂フィルム
等に貼り合せて形成された複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料を樹脂または樹脂フィルム
に分散した複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を樹脂層に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス若しくはクリスタルガラ
ス等を用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を用いることができ
る。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を適用できる。

具体的には、開口部が設けられたＳＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。

具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹脂などの
樹脂を用いることができる。

例えば、可撓性を有する基材１６ｂと、不純物の拡散を防ぐバリア膜１６ａと、基材１６
ｂおよびバリア膜１６ａを貼り合わせる樹脂層１６ｃと、が積層された積層体を基材１６
に好適に用いることができる（図１１（Ａ）参照）。

具体的には、６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜が積層され
た積層材料を含む膜を、バリア膜１６ａに用いることができる。

具体的には、厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜、厚さ２０
０ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化
窒化珪素膜がこの順に積層された積層材料を含む膜を、バリア膜１６ａに用いることがで
きる。

ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはア
クリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を基材１６ｂに用いることができる
。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイ
ミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を
有する樹脂を含む材料を樹脂層１６ｃに用いることができる。

可撓性の保護基材１７または／および保護層１７ｐを備えることができる。可撓性の保護
基材１７または保護層１７ｐは傷の発生を防いで入力装置１００を保護する。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若
しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を保護基材１７に用いるこ
とができる。

例えば、ハードコート層またはセラミックコート層を保護層１７ｐに用いることができる
。具体的には、ＵＶ硬化樹脂または酸化アルミニウムを含む層を第２の電極２２に重なる
位置に形成してもよい。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素５０２を備える（図１０（Ｃ）参
照）。

例えば、画素５０２は副画素５０２Ｂ、副画素５０２Ｇおよび副画素５０２Ｒを含み、そ
れぞれの副画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。

なお、画素５０２の副画素５０２Ｂは着色層ＣＦＢと重なる位置に配置され、副画素５０
２Ｇは着色層ＣＦＧと重なる位置に配置され、副画素５０２Ｒは着色層ＣＦＲと重なる位
置に配置される。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を表示素子に
適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。

また、表示部において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画
素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トラ
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いること
が出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦ
Ｄ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は
、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。
または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、
低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。

アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）
を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子
、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留ま
りの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ること
が出来る。

可撓性を有する材料を基板５１０に用いることができる。例えば、基材１６に用いること
ができる材料を基板５１０に適用することができる。

例えば、可撓性を有する基板５１０ｂと、不純物の拡散を防ぐ絶縁層５１０ａと、基板５
１０ｂおよび絶縁層５１０ａを貼り合わせる接着層５１０ｃと、が積層された積層体を基
板５１０に好適に用いることができる（図１１（Ａ）参照）。

封止層５６０は基材１６と基板５１０を貼り合わせる。封止層５６０は空気より大きい屈
折率を備える。また、封止層５６０側に光を取り出す場合は、封止層５６０は光学接合の
機能を有する。

画素回路および発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）は基板５１０と基材１６の間にある
。

副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、発光素子５５０Ｒおよび発光素子５５０Ｒに電力を供給することがで
きるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発
光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層ＣＦＲ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合
物を含む層を有する。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層ＣＦＲを有する。着色層は特定の
波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する光
を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素を着色層が設けられて
いない窓部に重なるように配置して、着色層を透過しないで発光素子の発する光を射出さ
せてもよい。

また、封止層５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層５６０は、発光素子
５５０Ｒと着色層ＣＦＲに接する。

着色層ＣＦＲは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが
発する光の一部は着色層ＣＦＲを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８
０Ｒの外部に射出される。

着色層（例えば着色層ＣＦＲ）を囲むように遮光性の層ＢＭがある。

画素回路に含まれるトランジスタ５０２ｔを覆う絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１は
画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物
の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用することができる。これによ
り、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。

絶縁膜５２１の上に下部電極が配置され、下部電極の端部に重なるように隔壁５２８が絶
縁膜５２１の上に配設される。

下部電極は、上部電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持して発光素子（例えば
発光素子５５０Ｒ）を構成する。画素回路は発光素子に電力を供給する。

また、隔壁５２８上に、基材１６と基板５１０の間隔を制御するスペーサを有する。

走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔおよび容量５０３ｃを含む。な
お、画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができるトランジスタを駆動回路
に用いることができる。

検知ユニット２０Ｕが供給する検知信号ＤＡＴＡを変換してＦＰＣ１に供給することがで
きるさまざまな回路を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる（図１０（Ａ）および図１
１（Ａ）参照）。

例えば、図１２（Ａ）に示すように、第４のトランジスタＭ４を変換器ＣＯＮＶに用いる
ことができる。

《他の構成》表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防
止層５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１
１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるフ
レキシブル基板ＦＰＣ２が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、フレキシブル基板ＦＰＣ２にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていて
も良い。

表示部５０１は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。様々な導電膜を配線に
用いることができる。

具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン
、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上
述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いる
ことができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合
金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を用いることができる。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム
、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒
化膜を積層する積層構造を用いることができる。

また、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透光性を有する導電材料を用いても
よい。

＜表示部の変形例＞
様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。

ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を図１１（Ａ）およ
び図１１（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を図１１（Ａ）に図示す
るトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層
を、図１１（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用す
ることができる。

トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１１（Ｃ）に
図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等
を含む半導体層を、図１１（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５
０３ｔに適用することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の検知ユニットに用いることができる検
知回路の構成および駆動方法について、図１２を参照しながら説明する。

図１２は本発明の一態様の検知回路１９および変換器ＣＯＮＶの構成および駆動方法を説
明する図である。

図１２（Ａ）は本発明の一態様の検知回路１９および変換器ＣＯＮＶの構成を説明する回
路図であり、図１２（Ｂ−１）および図１２（Ｂ−２）は駆動方法を説明するタイミング
チャートである。

本発明の一態様の検知回路１９は、ゲートが検知素子Ｃの第１の電極２１と電気的に接続
され、第１の電極が例えば接地電位を供給することができる配線ＶＰＩと電気的に接続さ
れる第１のトランジスタＭ１を備える（図１２（Ａ）参照）。

また、ゲートが選択信号を供給することができる走査線Ｇ１と電気的に接続され、第１の
電極が第１のトランジスタＭ１の第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が例えば検
知信号ＤＡＴＡを供給することができる信号線ＤＬと電気的に接続される第２のトランジ
スタＭ２を備える構成であってもよい。

また、ゲートがリセット信号を供給することができる配線ＲＥＳと電気的に接続され、第
１の電極が検知素子Ｃの第１の電極２１と電気的に接続され、第２の電極が例えば接地電
位を供給することができる配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第３のトランジスタＭ３を
備える構成であってもよい。

検知素子Ｃの容量は、例えば、第１の電極２１または第２の電極２２にものが近接するこ
と、もしくは第１の電極２１および第２の電極２２の間隔が変化することにより変化する
。これにより、検知ユニット２０Ｕは検知素子Ｃの容量の変化に基づく検知信号ＤＡＴＡ
を供給することができる。

また、検知ユニット２０Ｕは、検知素子Ｃの第２の電極２２の電位を制御することができ
る制御信号を供給することができる配線ＣＳを備える。

なお、検知素子Ｃの第１の電極２１、第１のトランジスタＭ１のゲートおよび第３のトラ
ンジスタＭ３の第１の電極が電気的に接続される結節部をノードＡという。

配線ＶＲＥＳおよび配線ＶＰＩは例えば接地電位を供給することができ、配線ＶＰＯおよ
び配線ＢＲは例えば高電源電位を供給することができる。

また、配線ＲＥＳはリセット信号を供給することができ、走査線Ｇ１は選択信号を供給す
ることができ、配線ＣＳは検知素子Ｃの第２の電極２２の電位を制御する制御信号を供給
することができる。

また、信号線ＤＬは検知信号ＤＡＴＡを供給することができ、端子ＯＵＴは検知信号ＤＡ
ＴＡに基づいて変換された信号を供給することができる。

なお、検知信号ＤＡＴＡを変換して端子ＯＵＴに供給することができるさまざまな回路を
、変換器ＣＯＮＶに用いることができる。例えば、変換器ＣＯＮＶを検知回路１９と電気
的に接続することにより、ソースフォロワ回路またはカレントミラー回路などが構成され
るようにしてもよい。

具体的には、第４のトランジスタＭ４を用いた変換器ＣＯＮＶを用いて、ソースフォロワ
回路を構成できる（図１２（Ａ）参照）。なお、第１のトランジスタＭ１乃至第３のトラ
ンジスタＭ３と同一の工程で作製することができるトランジスタを第４のトランジスタＭ
４に用いてもよい。

また、第１のトランジスタＭ１乃至第３のトランジスタＭ３は半導体層を有する。例えば
、４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体
的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化
物半導体などを適用できる。

＜検知回路１９の駆動方法＞検知回路１９の駆動方法について説明する。《第１のステッ
プ》第１のステップにおいて、第３のトランジスタＭ３を導通状態にした後に非導通状態
にするリセット信号をゲートに供給し、検知素子Ｃの第１の電極２１の電位を所定の電位
にする（図１２（Ｂ−１）期間Ｔ１参照）。

具体的には、リセット信号を配線ＲＥＳに供給させる。リセット信号が供給された第３の
トランジスタＭ３は、ノードＡの電位を例えば接地電位にする（図１２（Ａ）参照）。

《第２のステップ》第２のステップにおいて、第２のトランジスタＭ２を導通状態にする
選択信号をゲートに供給し、第１のトランジスタＭ１の第２の電極を信号線ＤＬに電気的
に接続する。

具体的には、走査線Ｇ１に選択信号を供給させる。選択信号が供給された第２のトランジ
スタＭ２は、第１のトランジスタＭ１の第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する（図
１２（Ｂ−１）期間Ｔ２参照）。

《第３のステップ》第３のステップにおいて、制御信号を検知素子Ｃの第２の電極２２に
供給し、制御信号および検知素子Ｃの容量に基づいて変化する電位を第１のトランジスタ
Ｍ１のゲートに供給する。

具体的には、配線ＣＳに矩形の制御信号を供給させる。矩形の制御信号を第２の電極２２
に供給された検知素子Ｃは、検知素子Ｃの容量に基づいてノードＡの電位を上昇する（図
１２（Ｂ−１）期間Ｔ２の後半を参照）。

例えば、検知素子Ｃが大気中に置かれている場合、大気より誘電率の高いものが、検知素
子Ｃの第２の電極２２に近接して配置された場合、検知素子Ｃの容量は見かけ上大きくな
る。

これにより、矩形の制御信号がもたらすノードＡの電位の変化は、大気より誘電率の高い
ものが近接して配置されていない場合に比べて小さくなる（図１２（Ｂ−２）実線参照）
。

《第４のステップ》第４のステップにおいて、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の
変化がもたらす信号を信号線ＤＬに供給する。

例えば、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化がもたらす電流の変化を信号線Ｄ
Ｌに供給する。

変換器ＣＯＮＶは、信号線ＤＬを流れる電流の変化を電圧の変化に変換して供給する。

《第５のステップ》第５のステップにおいて、第２のトランジスタＭ２を非導通状態にす
る選択信号をゲートに供給する。

本実施の形態では、一対のフィルム基板間に表示素子とタッチセンサ素子を設ける構造、
所謂、インセル構造の例を示したが特に限定されず、一対のフィルム基板間に表示素子を
設けた表示パネルと、タッチセンサ素子を有するフィルム基板とを互いに重ね合わせる構
造、所謂、オンセル構造としてもよい。オンセル構造とする場合は、インセル構造と比べ
てフィルム基板が１枚または２枚多くなるため、厚さが厚くなる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、電子機器の例を図１３に示す。

フレキシブルな形状を備える蓄電装置を適用した電子機器として、例えば、ヘッドマウン
トディスプレイやゴーグル型ディスプレイのような表示装置（テレビ、又はテレビジョン
受信機ともいう）、デスクトップ型やノート型等のパーソナルコンピュータ、コンピュー
タ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、デジタルフォ
トフレーム、電子手帳、電子書籍端末、電子翻訳機、玩具、マイクロフォン等の音声入力
機器、電気シェーバ、電動歯ブラシ、電子レンジ等の高周波加熱装置、電気炊飯器、電気
洗濯機、電気掃除機、温水器、扇風機、毛髪乾燥機、加湿器や除湿器やエアコンディショ
ナ等の空気調和設備、食器洗い器、食器乾燥器、衣類乾燥器、布団乾燥器、電気冷蔵庫、
電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、ＤＮＡ保存用冷凍庫、懐中電灯、電動工具、煙感知器、ガ
ス警報装置や防犯警報装置等の警報装置、産業用ロボット、補聴器、心臓ペースメーカ、
Ｘ線撮影装置、放射線測定器、電気マッサージ器や透析装置等の健康機器や医療機器、携
帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、照明装
置、ヘッドホン、ステレオ、リモートコントローラ、置き時計や壁掛け時計等の時計、コ
ードレス電話子機、トランシーバ、歩数計、電卓、デジタルオーディオプレーヤ等の携帯
型又は据置型の音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

また、フレキシブルな形状を備える蓄電装置を、家屋やビルの内壁または外壁や、自動
車の内装または外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。これらの場合においても
フレキシブルな形状を備える蓄電装置に緩衝層を重ねることが有効である。

図１３（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０
１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、
スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、蓄
電装置７４０７を有している。

図１３（Ｂ）は、携帯電話機７４００を湾曲させた状態を示している。携帯電話機７４
００を外部の力により変形させて全体を湾曲させると、その内部に設けられている蓄電装
置７４０７も湾曲される。また、その時、曲げられた蓄電装置７４０７の状態を図１３（
Ｃ）に示す。蓄電装置７４０７はラミネート構造の蓄電池（積層構造電池、フィルム外装
電池とも呼ばれる）である。蓄電装置７４０７は曲げられた状態で固定されている。なお
、蓄電装置７４０７は集電体７４０９と電気的に接続されたリード電極７４０８を有して
いる。例えば、蓄電装置７４０７の外装体のフィルムにエンボス加工を行っており、蓄電
装置７４０７が曲げられた状態での信頼性が高い構成となっている。さらに、携帯電話機
７４００は、ＳＩＭカードを挿入するためのスロットや、ＵＳＢメモリなどＵＳＢデバイ
スを接続するコネクタ部などを設けてもよい。

図１３（Ｄ）は、曲げることのできる携帯電話の一例を示している。前腕に巻くような
形状に曲げれば、図１３（Ｅ）に示すバングル型の携帯電話にすることができる。携帯電
話７１００は、筐体７１０１、表示部７１０２、操作ボタン７１０３、及び蓄電装置７１
０４を備える。また、図１３（Ｆ）に曲げることのできる蓄電装置７１０４の状態を示す
。蓄電装置７１０４は曲げられた状態で使用者の腕への装着時に、筐体が変形して蓄電装
置７１０４の一部または全部の曲率が変化する。具体的には、曲率半径が１０ｍｍ以上１
５０ｍｍ以下の範囲内で筐体または蓄電装置７１０４の主表面の一部または全部が変化す
る。なお、蓄電装置７１０４は集電体７１０６と電気的に接続されたリード電極７１０５
を有している。例えば、蓄電装置７１０４の外装体のフィルムの表面に複数の凹凸を形成
するプレス加工を行っており、蓄電装置７１０４が曲率を変化させて曲げられる回数が多
くとも高い信頼性を維持できる構成となっている。さらに、携帯電話７１００は、ＳＩＭ
カードを挿入するためのスロットや、ＵＳＢメモリなどＵＳＢデバイスを接続するコネク
タ部などを設けてもよい。また、図１３（Ｄ）に示す携帯電話の中央部分を折り曲げると
、図１３（Ｇ）に示すような形状にすることもできる。また、携帯電話の中央部分をさら
に折り曲げて図１３（Ｈ）に示すように携帯電話の端部が重なるようにして小型化させ、
使用者のポケットなどに入れるサイズにできる。このように、図１３（Ｄ）に示す携帯電
話は、複数の形状に変化することのできるデバイスであり、それを実現するためには少な
くとも筐体７１０１、表示部７１０２、及び蓄電装置７１０４が可撓性を有することが望
ましい。また、筐体７１０１と表示部７１０２の間、筐体７１０１と蓄電装置７１０４の
間、または表示部７１０２と蓄電装置７１０４の間に緩衝層を設けることが好ましい。

なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形
態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施
の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを行うことが出来る。

なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて
述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。

なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、
その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数
の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることにより
、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、明細書の中の図面や文章において規定されていない内容について、その内容を除く
ことを規定した発明の一態様を構成することが出来る。または、ある値について、上限値
と下限値などで示される数値範囲が記載されている場合、その範囲を任意に狭めることで
、または、その範囲の中の一点を除くことで、その範囲を一部除いた発明の一態様を規定
することができる。これらにより、例えば、従来技術が本発明の一態様の技術的範囲内に
入らないことを規定することができる。

具体例としては、ある回路において、第１乃至第５のトランジスタを用いている回路図が
記載されているとする。その場合、その回路が、第６のトランジスタを有していないこと
を発明として規定することが可能である。または、その回路が、容量素子を有していない
ことを規定することが可能である。さらに、その回路が、ある特定の接続構造をとってい
るような第６のトランジスタを有していない、と規定して発明を構成することができる。
または、その回路が、ある特定の接続構造をとっている容量素子を有していない、と規定
して発明を構成することができる。例えば、ゲートが第３のトランジスタのゲートと接続
されている第６のトランジスタを有していない、と発明を規定することが可能である。ま
たは、例えば、第１の電極が第３のトランジスタのゲートと接続されている容量素子を有
していない、と発明を規定することが可能である。

別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であ
ることが好適である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−２Ｖ
以上１Ｖ以下である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、
例えば、ある電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。なお、例えば、その電圧が、５Ｖ以上８Ｖ以下であると発明を規定することも
可能である。なお、例えば、その電圧が、概略９Ｖであると発明を規定することも可能で
ある。なお、例えば、その電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であるが、９Ｖである場合を除く
と発明を規定することも可能である。なお、ある値について、「このような範囲であるこ
とが好ましい」、「これらを満たすことが好適である」となどと記載されていたとしても
、ある値は、それらの記載に限定されない。つまり、「好ましい」、「好適である」など
と記載されていたとしても、必ずしも、それらの記載には、限定されない。

別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、１０Ｖであることが好適
である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−２Ｖ以上１Ｖ以下
である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、ある
電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。

別の具体例としては、ある物質の性質について、例えば、「ある膜は、絶縁膜である」と
記載されているとする。その場合、例えば、その絶縁膜が、有機絶縁膜である場合を除く
、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その絶縁膜が、無機絶
縁膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、
その膜が、導電膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。また
は、例えば、その膜が、半導体膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。

別の具体例としては、ある積層構造について、例えば、「Ａ膜とＢ膜との間に、ある膜が
設けられている」と記載されているとする。その場合、例えば、その膜が、４層以上の積
層膜である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、Ａ膜とそ
の膜との間に、導電膜が設けられている場合を除く、と発明を規定することが可能である
。

なお、本明細書等において記載されている発明の一態様は、さまざまな人が実施すること
が出来る。しかしながら、その実施は、複数の人にまたがって実施される場合がある。例
えば、送受信システムの場合において、Ａ社が送信機を製造および販売し、Ｂ社が受信機
を製造および販売する場合がある。別の例としては、トランジスタおよび発光素子を有す
る発光装置の場合において、トランジスタが形成された半導体装置は、Ａ社が製造および
販売する。そして、Ｂ社がその半導体装置を購入して、その半導体装置に発光素子を成膜
して、発光装置として完成させる、という場合がある。

このような場合、Ａ社またはＢ社のいずれに対しても、特許侵害を主張できるような発明
の一態様を、構成することが出来る。つまり、Ａ社のみが実施するような発明の一態様を
構成することが可能であり、別の発明の一態様として、Ｂ社のみが実施するような発明の
一態様を構成することが可能である。また、Ａ社またはＢ社に対して、特許侵害を主張で
きるような発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断する事が出
来る。例えば、送受信システムの場合において、送信機のみの場合の記載や、受信機のみ
の場合の記載が本明細書等になかったとしても、送信機のみで発明の一態様を構成するこ
とができ、受信機のみで別の発明の一態様を構成することができ、それらの発明の一態様
は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断することが出来る。別の例としては
、トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の場合において、トランジスタが形成さ
れた半導体装置のみの場合の記載や、発光素子を有する発光装置のみの場合の記載が本明
細書等になかったとしても、トランジスタが形成された半導体装置のみで発明の一態様を
構成することができ、発光素子を有する発光装置のみで発明の一態様を構成することがで
き、それらの発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断すること
が出来る。

なお、本明細書等においては、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（
容量素子、抵抗素子など）などが有するすべての端子について、その接続先を特定しなく
ても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接続
先を特定しなくても、発明の一態様が明確であると言える。そして、接続先が特定された
内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明細
書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先が複数の
ケースが考えられる場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定する必要はない。し
たがって、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（容量素子、抵抗素子
など）などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発明
の一態様を構成することが可能な場合がある。

なお、本明細書等においては、ある回路について、少なくとも接続先を特定すれば、当業
者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少な
くとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。つ
まり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であると言える。そして、機能が特定され
た発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。し
たがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一態
様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。または
、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様として
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。

なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章におい
て、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、
ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り
出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成する
ことが可能であるものとする。そして、その発明の一態様は明確であると言える。そのた
め、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素子（容量素子、
抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、装置、動作方
法、製造方法などが単数もしくは複数記載された図面または文章において、その一部分を
取り出して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。例えば、Ｎ個（Ｎは
整数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個（
Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の一
態様を構成することは可能である。別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構成
される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構成
することは可能である。さらに別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の要素を有して構成さ
れるフローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一態
様を構成することは可能である。さらに別の例としては、「Ａは、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、また
は、Ｆを有する」と記載されている文章から、一部の要素を任意に抜き出して、「Ａは、
ＢとＥとを有する」、「Ａは、ＥとＦとを有する」、「Ａは、ＣとＥとＦとを有する」、
または、「Ａは、ＢとＣとＤとＥとを有する」などの発明の一態様を構成することは可能
である。

なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章におい
て、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは
、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べる
図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概
念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可
能である。そして、その発明の一態様は、明確であると言える。

なお、本明細書等においては、少なくとも図に記載した内容（図の中の一部でもよい）は
、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能で
ある。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていな
くても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構
成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様と
して開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。そして、そ
の発明の一態様は明確であると言える。

１ ＦＰＣ
２ ＦＰＣ
１４ 窓部
１６ 基材
１６ａ バリア膜
１６ｂ 基材
１６ｃ 樹脂層
１７ 保護基材
１７ｐ 保護層
１９ 検知回路
２０Ｕ 検知ユニット
２１ 電極
２２ 電極
２３ 絶縁層
５０ フィルム
５１ フィルム
５２ フィルム
５３ エンボスロール
５４ ロール
５５ エンボスロール
５６ エンボスロール
５７ エンボスロール
５８ 進行方向
１００ 入力装置
１０１ 保持構造体
１０２ 表示部
１０３ 二次電池
１０４ カバー
１０７ 制御基板
３００ 充電器
４１０ フィルム
４１１ フィルム
４１２ 正極集電体
４１３ セパレータ
４１４ 負極集電体
４１５ 封止層
４１６ リード電極
４１７ 熱圧着領域
４１８ 正極活物質層
４１９ 負極活物質層
４２０ 電解液
４３０ 接着層
５００ 入出力装置
５０１ 表示部
５０２ 画素
５０２Ｂ 副画素
５０２Ｇ 副画素
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５１０ 基板
５１０ａ 絶縁層
５１０ｂ 基板
５１０ｃ 接着層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止層
５６７ｐ 反射防止層
５８０Ｒ 発光モジュール
８００ 指
８０１ 緩衝層
８０２ 緩衝層
８０３ 緩衝層
８０４ リード電極
８１０ 接続部
８１３ 保護フィルム
８１４ 入出力コネクタ
８１５ アンテナ
８１６ 電源制御回路
８１７ 通信装置
８１８ 配線
８１９ ＦＰＣ
８２０ａ ＩＣ
８２０ｂ ＩＣ
８２０ｃ ＩＣ
７１００ 携帯電話
７１０１ 筐体
７１０２ 表示部
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 蓄電装置
７１０５ リード電極
７１０６ 集電体
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４０７ 蓄電装置
７４０８ リード電極
７４０９ 集電体

Claims (3)

1. タッチセンサ機能を有する表示部と、
   前記表示部と電気的に接続されるフレキシブル基板と、
   前記フレキシブル基板と電気的に接続される制御回路と、
   バッテリーと、
   前記表示部と前記制御回路との間の保護フィルムと、
   を有し、
   前記フレキシブル基板は、前記表示部の表面側から、前記表示部の裏面側へと曲げられて配置され、
   前記保護フィルムと前記制御回路とは固定されておらず、前記保護フィルムと前記制御回路との間に緩衝層として機能する樹脂を有し、前記制御回路は前記保護フィルムと重なる領域においてスライド可能である、半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記制御回路と前記フレキシブル基板と前記樹脂と前記保護フィルムとを間に挟んで前記表示部と重なる、保持構造体を有し、
   前記保持構造体と前記バッテリーとは固定されていない、半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記バッテリーは、エンボス加工された外装体を有し、
   前記外装体において、熱圧着された領域のエンボス加工の凹凸は、中央部のエンボス加工の凹凸よりも浅い、半導体装置。

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