TWI718833B

TWI718833B - 電子裝置

Info

Publication number: TWI718833B
Application number: TW108148706A
Authority: TW
Inventors: 廣木正明; 古松大典
Original assignee: 日商半導體能源研究所股份有限公司
Priority date: 2014-03-13
Filing date: 2015-03-02
Publication date: 2021-02-11
Also published as: US20210333824A1; TWI784402B; JP2021107921A; CN106104410B; JP2015187858A; US12072736B2; TW202318073A; US20240004428A1; CN111211348B; US20190265751A1; US10289158B2; CN111211348A; TW202018371A; WO2015136399A1; CN110968161B; TW202121009A; DE112015001208T5; CN106104410A; JP6843200B2; TWI665468B

Abstract

本發明提供一種適用於可攜式資訊終端或可穿戴設備的結構。或者，提供一種具有各種外觀形狀的新穎結構的電子裝置。較佳為在相互重疊且相鄰的薄膜基板之間設置吸收變形量的差異的緩衝層，緩衝層可以使用凝膠狀樹脂材料、橡膠狀樹脂材料、液體材料及空氣層等。作為緩衝層，還可以使用偏振薄膜或濾色片等光學薄膜。另外，也可以在電子裝置中設置多個緩衝層。

Description

電子裝置

本發明係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。另外，本發明的一個方式係關於一種半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、其驅動方法或其製造方法。本發明的一個方式尤其係關於一種電子裝置。

在本說明書中，電子裝置是指具有二次電池的所有裝置，具有二次電池的電光裝置、具有二次電池的資訊終端裝置、具有二次電池的車輛等都包括在電子裝置的範疇內。

近年來，對以智慧手機為代表的可攜式資訊終端積極地進行了開發。使用者對電子裝置之一的可攜式資訊終端的要求是其輕量化和小型化。

在專利文獻1中，作為在任何地方都不用手而藉由眼睛獲得資訊的可穿戴設備的一個例子，能夠進行通信且包含CPU的護目鏡型顯示裝置已被公開。專利文獻1所公開的裝置也包括在電子裝置的範疇內。

可穿戴設備或可攜式資訊終端大多安裝有可以反復充放電的二次電池。因為可穿戴設備或可攜式資訊終端為輕量、小型，所以發生其操作時間受到限制的問題。安裝在可穿戴設備或可攜式資訊終端中的二次電池被要求輕量化、小型化、允許長時間的使用。

作為二次電池，可以舉出鎳氫電池、鋰離子二次電池等。其中，因為鋰離子二次電池能夠實現高容量化及小型化，所以其開發日益火熱。

在鋰離子二次電池中被用作正極或負極的電極使用鋰金屬、碳類材料等。

[專利文獻1]日本專利申請公開第2005-157317號公報

本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎結構的電子裝置。明確而言，提供一種具有各種外觀形狀的新穎結構的電子裝置。或者，本發明的一個方式的其他目的是提供一種具有各種外觀形狀的新穎結構的電子裝置以及具有適合該電子裝置的形狀的二次電池。

注意，對上述目的的描述並不妨礙其他目的的存在。注意，本發明的一個方式並不需要實現所有上述目的。除了上述目的外的目的從說明書、圖式、申請專利範圍等的描述中是顯而易見的，並且可以從所述描述中抽出。

當將電子裝置形成為具有複雜的外觀形狀時，將外殼設計成具有複雜的外觀形狀，並在該外殼的內部空間配置電子構件(電源、佈線、電晶體、電阻、電容器等)。當該電子裝置較大時，若不考慮該電子裝置的重量，其外殼的內部空間體積則較大，所以可以比較自由地配置電子構件。

當具有複雜的外觀形狀的電子裝置被要求小且輕時，外殼的內部空間的體積小，根據該體積選擇電子構件及其尺寸並加以配置。此時，電子構件的尺寸越小，價格越高，這導致製造成本的提高。

另外，隨著二次電池的體積或重量的增加，二次電池的容量傾向於增加，當將二次電池安裝在小型電子裝置中時，二次電池的尺寸及配置受到限制。

當從外部對電子裝置施加力量而使其一部分變形時，外殼、顯示部或二次電池等被施加應力而其一部分發生變形。適用於可穿戴設備的電子裝置在被無意或有意地施加外力時可以使其整體靈活地變形且不易損壞。

在顯示部中，較佳的是，將薄膜基板用於一對基板，在該一對基板之間設置顯示元件。由此，能夠實現具有撓性的顯示模組。

另外，當設置觸控面板時，較佳為使用設置有觸摸輸入感測器的基板為薄膜基板的撓性觸控面板。

此外，若用於電子裝置且相互重疊的薄膜基板的數量多，則在使各薄膜彎曲時會發生偏差等，所以較佳為減少該薄膜基板的數量，並在一對薄膜基板之間設置顯示元件和觸控感測器元件。

另外，較佳為在相互重疊且相鄰的薄膜基板之間設置吸收變形量的差異的緩衝層，緩衝層可以使用凝膠狀樹脂材料、橡膠狀樹脂材料、液體材料及空氣層等。作為緩衝層，還可以使用偏振薄膜或濾色片等光學薄膜。另外，也可以在電子裝置中設置多個緩衝層。

本說明書所公開的發明的結構的一個方式是電子裝置，包括：具有彎曲部的保持結構體上的第一緩衝層；第一緩衝層上的具有彎曲部的保護膜；具有彎曲部的保護膜上的具有彎曲部的顯示部；具有彎曲部的顯示部上的第二緩衝層；以及第二緩衝層上的具有彎曲部的觸摸輸入部。

另外，其他結構的一個方式是電子裝置，包括：具有彎曲部的保持結構體上的第一緩衝層；第一緩衝層上的具有彎曲部的保護膜；具有彎曲部的保護膜上的具有彎曲部的顯示部；具有彎曲部的顯示部上的具有彎曲部的觸摸輸入部；以及具有彎曲部的觸摸輸入部上的第二緩衝層。

在上述各結構中，顯示部的彎曲部與保護膜的彎曲部相互重疊。保護膜使用其剛性比顯示部(顯示面板)高的材料，並且使顯示部的薄膜基板沿著保護膜的表面形狀彎曲。

在上述各結構中，在顯示部上設置第二緩衝層的情況下，該第二緩衝層較佳為使用具有光透過性的材料。

另外，作為電子裝置的電源，較佳為使用具有撓性的二次電池。

例如，當從外部施加力量使二次電池變形時，力量從外部施加到用於其外包裝體的薄膜等的物體而該物體受到應力，其一部分有可能變形或損壞。

本發明的一個方式提供一種具有緩解因應力導致的應變的結構的二次電池。應變是變形的尺度，其表示相對於物體的基準(初始狀態)長度的物體內的物質點的位移。本發明的一個方式提供一種將從二次電池的外部施加力量時產生的應變(即，變形的尺度)的影響抑制到允許範圍內的二次電池。

本說明書所公開的發明的結構的一個方式是電子裝置，包括：具有彎曲部的保持結構體上的具有彎曲部的二次電池；具有彎曲部的二次電池上的緩衝層；緩衝層上的具有彎曲部的保護膜；具有彎曲部的保護膜上的具有彎曲部的顯示部；以及具有彎曲部的顯示部上的觸摸輸入部。

在上述各結構中，顯示部包括一對薄膜以及上述一對薄膜之間的發光元件，其中，當將觸摸輸入部設置於一對薄膜之間時，能夠減少構件數量並實現薄型化。

在上述結構中，保持結構體的彎曲部的曲率半徑小於顯示部的彎曲部的曲率半徑。由於保持結構體位於與前臂接觸的一側，因此其曲率半徑比位於外側的顯示部的彎曲部的曲率半徑小，並且在顯示部的曲率半徑大時，顯示影像的可見度得到提高，所以是較佳的。

在上述結構中，作為二次電池的外包裝體使用具有藉由壓製加工形成的凹凸的薄膜，從而實現具有撓性的二次電池。

另外，在上述結構中保持結構體具有膜狀，而對保持結構體的形狀沒有特別的限制，也可以為如具有中空空間的硬殼式結構或其一部分具有開口的半硬殼式結構的形狀。此時的結構的一個方式是一種電子裝置，包括：在由具有凹部或凸部的保持結構體包圍的區域具有彎曲部的二次電池；與該二次電池相互重疊的緩衝層；具有與緩衝層相互重疊的彎曲部的保護膜；具有與保護膜相互重疊的彎曲部的顯示部；以及與顯示部相互重疊的觸摸輸入部。

如手錶等，當使設備的一部分接觸到使用者身體的一部分(手腕或手臂等)，即使用者戴上該設備時，能夠讓使用者感覺到比實際重量輕的重量。藉由將撓性二次電池用於具有沿著使用者身體一部分的曲面形狀的電子裝置，可以以具有適合電子裝置的形狀的方式固定二次電池。

當使用者移動戴著電子裝置的身體一部分時，即便該電子裝置具有沿著身體一部分的曲面，使用者也會有不適感，受該電子裝置干擾，甚至有可能感覺到壓力。因此，藉由使電子裝置的至少一部分根據身體的動作變形，能夠實現不使使用者有不適感的電子裝置，還可以在電子裝置的變形部分設置撓性二次電池。

或者，電子裝置的外觀形狀不侷限於曲面或複雜的形狀，也可以為簡單的形狀。例如，在簡單的外觀形狀的電子裝置的內部中，可內置於電子裝置的構件的數量或大小在很多情況下取決於由電子裝置的外殼形成的空間的體積。藉由將撓性二次電池設置在二次電池以外的構件的間隙，可以有效地利用由電子裝置的外殼形成的空間，也可以實現小型化。

注意，可穿戴設備在其範疇內包括可穿戴照相機、可穿戴麥克風、可穿戴感測器等可穿戴輸入終端、可穿戴顯示器、可穿戴揚聲器等可穿戴輸出終端、兼有這些功能的可穿戴輸入輸出終端。此外，可穿戴設備在其範圍內還包括進行各裝置的控制、資料的計算或加工的裝置，典型例子為具有CPU的可穿戴電腦。此外，可穿戴設備在其範疇內還包括進行資料的儲存、傳送、接收的裝置，典型的例子為可攜式資訊終端、記憶體等。

本發明能夠實現可以使其至少一部分彎曲的新穎結構的電子裝置。例如，能夠實現可以使具有平坦顯示面的顯示部彎曲的電子裝置。

另外，能夠實現其至少一部分被彎曲的新穎結構的電子裝置。例如，能夠實現具有顯示面被彎曲的顯示部的電子裝置。或者，能夠實現新穎的電子裝置。注意，對上述效果的描述並不妨礙其他效果的存在。注意，本發明的一個方式並不需要具有所有上述效果。除了上述效果外的效果從說明書、圖式、申請專利範圍等的描述中是顯而易見的，並且可以從所述描述中抽出。

1‧‧‧FPC

2‧‧‧FPC

14‧‧‧窗部

16‧‧‧基材

16a‧‧‧障壁膜

16b‧‧‧基材

16c‧‧‧樹脂層

17‧‧‧保護基材

17p‧‧‧保護層

19‧‧‧檢測電路

20U‧‧‧檢測單元

21‧‧‧電極

22‧‧‧電極

23‧‧‧絕緣層

50‧‧‧薄膜

51‧‧‧薄膜

52‧‧‧薄膜

53‧‧‧壓花輥

54‧‧‧輥

55‧‧‧壓花輥

56‧‧‧壓花輥

57‧‧‧壓花輥

58‧‧‧前進方向

100‧‧‧輸入裝置

101‧‧‧保持結構體

102‧‧‧顯示部

103‧‧‧二次電池

104‧‧‧覆蓋物

107‧‧‧控制基板

300‧‧‧充電器

410‧‧‧薄膜

411‧‧‧薄膜

412‧‧‧正極集電器

413‧‧‧隔離體

414‧‧‧負極集電器

415‧‧‧密封層

416‧‧‧引線電極

417‧‧‧熱壓合區域

418‧‧‧正極活性物質層

419‧‧‧負極活性物質層

420‧‧‧電解液

430‧‧‧黏合層

500‧‧‧輸入/輸出裝置

501‧‧‧顯示部

502‧‧‧像素

502B‧‧‧子像素

502G‧‧‧子像素

502R‧‧‧子像素

502t‧‧‧電晶體

503c‧‧‧電容器

503g‧‧‧掃描線驅動電路

503t‧‧‧電晶體

510‧‧‧基板

510a‧‧‧絕緣層

510b‧‧‧基板

510c‧‧‧黏合層

511‧‧‧佈線

519‧‧‧端子

521‧‧‧絕緣膜

528‧‧‧分隔壁

550R‧‧‧發光元件

560‧‧‧密封層

567p‧‧‧防反射層

580R‧‧‧發光模組

800‧‧‧手指

801‧‧‧緩衝層

802‧‧‧緩衝層

803‧‧‧緩衝層

804‧‧‧引線電極

810‧‧‧連接部

813‧‧‧保護膜

814‧‧‧輸入輸出連接器

815‧‧‧天線

816‧‧‧電源控制電路

817‧‧‧通信裝置

818‧‧‧佈線

819‧‧‧FPC

820a‧‧‧IC

820b‧‧‧IC

820c‧‧‧IC

7100‧‧‧行動電話

7101‧‧‧外殼

7102‧‧‧顯示部

7103‧‧‧操作按鈕

7104‧‧‧蓄電裝置

7105‧‧‧引線電極

7106‧‧‧集電器

7400‧‧‧行動電話機

7401‧‧‧外殼

7402‧‧‧顯示部

7403‧‧‧操作按鈕

7404‧‧‧外部連接埠

7405‧‧‧揚聲器

7406‧‧‧麥克風

7407‧‧‧蓄電裝置

7408‧‧‧引線電極

7409‧‧‧集電器

在圖式中：

圖1是示出本發明的一個方式的剖面圖；

圖2是示出本發明的一個方式的透視圖；

圖3A和圖3B是示出本發明的一個方式的剖面圖；

圖4A至圖4C是示出本發明的一個方式的剖面圖；

圖5A和圖5B是示出本發明的一個方式的剖面圖；

圖6A和圖6B是示出本發明的一個方式的俯視圖；

圖7A至圖7F是示出本發明的一個方式的透視圖、剖面圖、電路圖；

圖8A至圖8C是說明根據本發明的一個方式的壓花加工的圖；

圖9是根據本發明的一個方式的二次電池的透視圖；

圖10A至圖10C是說明根據本發明的一個方式的輸入/輸出裝置的結構的投影圖；

圖11A至圖11C是說明根據本發明的一個方式的輸入/輸出裝置的結構的剖面圖；

圖12A、圖12B1及圖12B2是說明根據本發明的一個方式的檢測電路19以及轉換器CONV的結構及驅動方法的圖；

圖13A至圖13H是說明具有撓性二次電池的電子裝置的圖。

下面，參照圖式對本發明的實施方式進行詳細說明。但是，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實，就是本發明的方式和詳細內容可以被變換為各種各樣的形式。此外，本發明不應該被解釋為僅限定於以下所示的實施方式的記載內容中。

實施方式1

在本實施方式中，示出可戴於使用者前臂的電子裝置的一個例子。

圖1是電子裝置的剖面示意圖，圖2是充電器300及電子裝置的透視圖。

圖1及圖2所示的電子裝置是可戴於手臂的顯示裝置，並可以顯示影像或資料。使用具有撓性的鋰離子二次電池，因此能夠實現適合手臂的形狀。其外觀的設計精美，而可以將其用作裝飾品。

圖1及圖2所示的電子裝置包括：保持結構體101；二次電池103；控制基板107；顯示部102；保護膜813；以及覆蓋物104。明確而言，以接觸於保持結構體101的方式包括二次電池103，在二次電池103上包括控制基板107，在控制基板107上包括保護膜813，並且在保護膜813上包括顯示部102以及覆蓋物104。另外，電子裝置包括用於無線充電的天線815，而如圖2所示，藉由將電子裝置靠近或置於充電器300，能夠進行Qi標準的無線充電。此外，電子裝置包括用來與外部設備進行用於顯示的資料的無線通訊的通信裝置817。

二次電池103的外包裝體是撓性薄膜且被壓花加工，因此可以將其貼合到具有曲面的保持結構體101上，並沿著保持結構體101的曲率半徑大的區域的曲面部分而變形。

另外，保持結構體101具有撓性。保持結構體101是包圍電子裝置的內部構件或構成暴露於外氣的表面的構件。例如，當為了保持撓性顯示面板而在其剛性高於該撓性顯示面板的保持結構體101上設置該撓性顯示面板時，還可以將該保持結構體101稱為支撐結構體。

保持結構體101的形狀並不侷限於膜狀，也可以為具有中空空間的硬殼式結構或包括凹部或凸部且其一部分具有開口的半硬殼式結構的形狀。當保持結構體101具有硬殼式結構或半硬殼式結構時，在保持結構體 101的內部或內側區域配置元件。保持結構體101具有可以較容易地彎曲的區域。注意，作為保持結構體101的材料，除了塑膠之外，還可以使用橡膠、泡沫塑膠、海綿、矽酮樹脂、不鏽鋼、鋁、紙、碳纖維、具有包含被稱為蠶絲蛋白(Fibroin)的蛋白質的仿蜘蛛絲纖維的薄片、混合上述材料與樹脂的複合體、由纖維寬度為4nm以上且100nm以下的纖維素纖維構成的不織布與樹脂膜的疊層體、包含仿蜘蛛絲纖維的薄片與樹脂膜的疊層體等。另外，為了保持撓性顯示面板，可以使用其剛性低於該撓性顯示面板但可包圍該顯示面板的保持結構體，或者可以使用保持該顯示面板的一個側面的第一保持結構體和保持另一個側面的第二保持結構體。

保持結構體101的形狀例如為使帶狀的結構物彎曲的手鐲形狀。另外，保持結構體101的至少一部分具有撓性，可以在使保持結構體101變形的同時將電子裝置戴在手腕上。在使電子裝置變形時，有時在保持結構體101與顯示部102之間或者保持結構體101與保護膜813之間產生位置的偏差。即便由變形引起位置的偏差，顯示部102與保持結構體101也都沒有被固定，並且保護膜813維持空間以不使控制基板107與顯示部102接觸，換言之，作為設置於控制基板107與保護膜813之間的緩衝層設置有緩衝層801。

保護膜813在從外部受到意外衝擊時保護電子裝置內部的結構物，尤其是控制基板107。保護膜813 具有使FPC819穿過的開口。另外，由於顯示部較薄，保護膜813還被用作保持顯示面曲率的顯示部的支撐體。保護膜813作為電子裝置的一部分變形，因此可以使用與保持結構體101相同的材料(聚醯亞胺(PI)、芳族聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龍、聚醚醚酮(PEEK)、聚碸(PSF)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚芳酯(PAR)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)或矽酮樹脂等樹脂薄膜、金屬薄膜、紙、預浸料、包含碳纖維的薄膜等)。注意，保護膜813也可以使用與保持結構體101不同的材料。

覆蓋物104為其一個表面上塗佈有黏合劑的具有遮光性的薄膜，包圍電子裝置的一部分，使各結構物為一體，並具有與顯示部102重疊的開口。覆蓋物104由於具有遮光性，因此可以遮蓋內部結構，而可以提高電子裝置的設計性。注意，電子裝置可以有意採用從外部能看到內部結構的設計，此時，覆蓋物104也可以不具有遮光性。此外，當保護膜813具有遮光性時，覆蓋物104也可以不具有遮光性。另外，可以在電子裝置的側面設置覆蓋物，以不能從側面一側看到內部結構。

控制基板107具有用來彎曲的狹縫，設置有Bluetooth(在日本註冊的商標)標準的通信裝置817、微電腦、記憶體裝置、FPGA、DA轉換器、充電控制IC、位準移位器等。如圖1所示，控制基板107的狹縫與狹縫之間的平坦的面上安裝有IC820a、820b、820c(微電腦、記憶體裝置、FPGA、DA轉換器、充電控制IC、位準移位器等)等。另外，控制基板107藉由輸入輸出連接器814連接到具有顯示部102的顯示模組。另外，控制基板107藉由佈線818與天線815連接，並藉由引線電極804及連接部810與二次電池103連接。電源控制電路816控制二次電池103的充放電。

顯示模組是指至少安裝有FPC819的顯示面板。圖1所示的電子裝置包括顯示部102、FPC819以及驅動電路，還包括用來從二次電池103供應電力的轉換器。

在顯示模組中，顯示部102具有撓性，並且在撓性薄膜上包括顯示元件。

作為在撓性薄膜上製造顯示元件的方法，有如下方法：在撓性薄膜上直接製造顯示元件的方法；在玻璃基板等具有剛性的基板上形成包括顯示元件的層之後，利用蝕刻或拋光等去除該基板，然後將包括顯示元件的層與撓性薄膜貼合在一起的方法；以及在玻璃基板等具有剛性的基板上設置剝離層，在其上形成包括顯示元件的層，利用剝離層使具有剛性的基板與包括顯示元件的層分離，然後將包括顯示元件的層與撓性薄膜貼合在一起的方法等。

作為撓性薄膜，除了使用有機材料(聚醯亞胺(PI)、芳族聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龍、聚醚醚酮(PEEK)、聚碸(PSF)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚芳酯(PAR)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)或矽酮樹脂等)的塑膠薄膜之外，還可以使用金屬板或厚度為10μm以上且50μm以下的薄玻璃板等無機材料。作為撓性薄膜的材料，例如可以使用將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機材料等分散到樹脂或樹脂薄膜而得到的複合材料。

較佳為以部分重疊的方式配置二次電池103及顯示部102，藉由以部分或全部重疊的方式配置二次電池103及顯示部102，縮短從二次電池103到顯示部102的電力路徑，即縮短佈線距離，由此降低功耗。另外，藉由在保護膜813與覆蓋物104之間設置顯示模組，可以保護顯示模組免產生皺紋或扭曲等意外變形，而可以提高電子裝置的作為產品的壽命。另外，覆蓋物104具有黏合層而與保護膜813、顯示部102及保持結構體101貼合在一起。

另外，藉由在顯示部102中設置觸摸輸入感測器，可以使用該觸摸輸入感測器對電子裝置進行資料輸入或操作等。

圖3A是示出圖1的虛線部分的剖面結構的一部分的圖。在與顯示部102重疊的區域中，保持結構體101與二次電池103接觸，但彼此沒有被貼合及固定。此外，二次電池103的外包裝體被進行壓花加工，所以即便二次電池103與保持結構體101接觸也都容易滑動。另外，還具有保護膜813與控制基板107接觸的地方，但保護膜813與控制基板107彼此沒有被貼合及固定。藉由不使層疊的薄膜貼合併固定在一起，在電子裝置被彎曲時，該薄膜可以分別滑動而緩解應力。

顯示部102在一對薄膜之間包括顯示元件及觸摸輸入感測器。

在本實施方式中，使用在一個薄膜上具有有機EL元件的主動矩陣方式，在另一個薄膜上設置電容式觸控感測器，將兩個薄膜貼合在一起，以使該兩個薄膜之間配置有有機EL元件和觸控感測器。注意，不侷限於電容式觸控感測器，還可以使用能夠檢測手指等檢測目標的靠近或接觸的各種感測器(例如，使用光電轉換元件的光學感測器、使用壓敏元件的壓敏感測器)等。在本說明書中，不侷限於用手指等觸摸顯示部而進行輸入操作的觸摸輸入部，在其範疇中還包括能夠藉由將手指靠近顯示部進行輸入操作而無需觸摸顯示部的觸摸輸入部。

圖3B示出用手指觸摸顯示部102時的剖面示意圖。當用手指800觸摸顯示部102時，所觸摸的區域被壓而變形。在圖3B中，示出顯示部102及保護膜813變形的情況。保護膜813使用其剛性比顯示部102高的材料，而使變形量能夠得到抑制。在作為保護膜813使用能夠使壓力分散的材質的層(例如，芳族聚醯胺樹脂層等)等時，保護膜自身也具有緩衝層的功能。另外，由於在控制基板107與保護膜813之間設置有緩衝層801，因此控制基板107沒有變形而維持形狀。

在本實施方式中，緩衝層801是空氣，並且電子裝置具有在用手指等壓顯示部時空氣釋放到外部的結構。緩衝層801不侷限於空氣，還可以使用凝膠狀的樹脂材料、橡膠狀的樹脂材料、液體材料等。例如，作為凝膠狀的樹脂材料，使用矽酮膠或包含低分子矽氧烷的矽酮膠。

本實施方式所示的電子裝置是一種能夠用手指等壓顯示部102而使其彎曲的具有新穎結構的撓性電子裝置。另外，當將電子裝置戴在前臂上時，即便保持結構體101變形，也由於顯示部102、二次電池103、控制基板107及保護膜813等具有撓性，因此能夠實現可承受變形的可靠性高的電子裝置。

實施方式2

在本實施方式中，使用圖4A至圖5B說明其一部分不同於實施方式1所示的電子裝置的內部結構的例子。

圖4A所示的結構與實施方式1不同之處是二次電池的位置。

在保持結構體101上包括控制基板107，並且二次電池103隔著緩衝層801被固定於控制基板107。在圖4A中，也可以使用黏合層等將保護膜813與二次電池103相互固定在一起。

另外，不同於實施方式1，圖4B所示的結構是在顯示部102上還包括第二緩衝層802的例子。作為第二緩衝層802，使用偏振薄膜等光學薄膜或防止顯示部102的表面損傷等的薄膜等。此外，作為第二緩衝層802，可以使用觸控面板。在作為第二緩衝層802使用觸控面板時，可以在顯示部102中不包括觸控感測器。另外，第二緩衝層802可以包括用來與顯示部102貼合的黏合層。注意，黏合層因為與顯示部102重疊，所以較佳為使用具有光透過性的材料。

此外，不同於實施方式1，圖4C所示的結構是在顯示部102上下包括緩衝層的例子。設置於顯示部102上的第二緩衝層802可以使用與圖4B相同的薄膜或觸控面板。

另外，設置於顯示部102與保護膜813之間的第三緩衝層803可以使用凝膠狀的樹脂材料、橡膠狀的樹脂材料、液體材料等。例如，作為凝膠狀的樹脂材料，使用矽酮膠或包含低分子矽氧烷的矽酮膠。藉由設置第三緩衝層803，在從外部受到力量時，可以使顯示部102與保護膜813滑動而緩解應力。

此外，不同於實施方式1，圖5A所示的結構是二次電池及控制電路設置於不與顯示部重疊的位置並在保持結構體101與保護膜813之間設置有緩衝層801的例子。設置於顯示部102上的第二緩衝層802可以使用與圖4B相同的薄膜或觸控面板。

在圖5A所示的結構中，由於在與顯示部重疊的位置沒有設置二次電池及控制電路，因此包括即便顯示部被壓而產生凹部也能夠緩解應力的緩衝層801。因此，能夠實現包括不易損壞的顯示部的撓性電子裝置。

在圖5B所示的結構中，優先考慮使顯示部的厚度變薄，在顯示部102上包括第二緩衝層802，並在顯示部102與保持結構體101之間設置第三緩衝層803。此外，雖然在圖5B中未圖示，電子裝置在不與顯示部102重疊的區域包括由空氣構成的緩衝層。

本實施方式可以與實施方式1自由地組合。

實施方式3

在本實施方式中，示出對薄膜表面進行壓花加工而使用具有圖案的薄膜製造鋰離子二次電池的例子。

首先，準備由撓性基材構成的薄膜。薄膜為疊層體，使用在其一個或兩個表面上設置有黏合層(也成為熱封層)的金屬薄膜。黏合層使用包含聚丙烯或聚乙烯等的熱熔黏合樹脂薄膜。在本實施方式中，作為薄膜使用在鋁箔的表面設置有尼龍樹脂且在其背面設置有耐酸性聚丙烯膜與聚丙烯膜的疊層的金屬薄膜。藉由切割該薄膜準備圖6A所示的薄膜410。

對該薄膜410進行壓花加工，如圖6B所示在薄膜表面形成凹凸，形成可見的圖案。在此，示出在切割薄膜之後進行壓花加工的例子，但對其順序沒有特別的限制，可以先進行壓花加工，再切割薄膜。此外，也可以在折疊薄膜進行熱壓合之後進行切割。

下面，對壓製加工之一的壓花加工進行說明。

圖8A至圖8C為示出壓花加工的一個例子的剖面圖。注意，壓花加工是壓製加工之一，是指藉由將表面設置有凹凸的壓花輥壓在薄膜上而在該薄膜表面形成對應於上述凹凸的圖案的處理。壓花輥是其表面形成有圖案的輥。

圖8A示出對薄膜的一個表面進行壓花加工的例子。

在圖8A中，接觸於薄膜的一個表面的壓花輥53與接觸於另一個表面的輥54之間夾有薄膜50，向前進方向58傳送薄膜50。用壓力或熱量在薄膜表面形成圖案。

圖8A所示的處理還被稱為單面壓花加工(one-side embossing)，其中藉由組合壓花輥53與輥54(金屬輥或彈性輥(橡膠輥等))進行該壓花處理。

另外，圖8B示出對薄膜的兩個表面進行壓花加工的例子。

在圖8B中，接觸於薄膜的一個表面的壓花輥53與接觸於另一個表面的壓花輥55之間夾有薄膜51，向前進方向58傳送薄膜51。

圖8B所示的處理還被稱為雙面壓花加工(both-side embossing)，其中藉由組合壓花輥53(公模)與壓花輥55(母模)進行該壓花處理。

另外，藉由進行使薄膜51表面的一部分凸起的壓花(emboss)和使表面凹陷的壓花(deboss)連續形成凹凸，在薄膜51表面形成圖案。

在圖8C中，接觸於薄膜的一個表面的壓花輥56與接觸於另一個表面的壓花輥57之間夾有薄膜52，向前進方向58傳送薄膜52。

圖8C被稱為尖到尖(Tip to Tip)式雙面壓花加工，其中藉由組合壓花輥56和具有與壓花輥56相同花紋的壓花輥57進行壓花處理。藉由使同一壓花輥的凸部和凹部的相位相同，可以在薄膜52的表面和背面形成幾乎相同的圖案。

另外，不侷限於使用壓花輥，也可以使用壓花板(embossing plate)。此外，不侷限於壓花加工，只要能夠在薄膜的一部分中形成浮雕即可。

在本實施方式中，在薄膜411的兩個表面設置凹凸而形成圖案，在中央折疊薄膜411並使兩個端部重疊，用黏合層對三個邊進行密封。

沿著由圖6B中的虛線所示的部分折疊薄膜411，而成為圖7A所示的狀態。

另外，如圖7B所示，準備構成二次電池的正極集電器412、隔離體413、負極集電器414的疊層。作為正極集電器412及負極集電器414等集電器，可以使用不鏽鋼、金、鉑、鋅、鐵、鎳、銅、鋁、鈦、鉭等金屬、這些金屬的合金等導電性高且不與鋰離子等載體離子合金化的材料。另外，還可以使用添加有矽、鈦、釹、鈧、鉬等提高耐熱性的元素的鋁合金。此外，也可以使用與矽起反應而形成矽化物的金屬元素。作為與矽起反應而形成矽化物的金屬元素，可以舉出鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、鈷、鎳等。作為集電器可以適當地使用箔狀、板狀(片狀)、網狀、圓柱狀、線圈狀、打孔金屬網狀、擴張金屬網狀等形狀。集電器的厚度較佳為10μm以上且30μm以下。在此，為了明確起見，例示了由外包裝體包圍一個由正極集電器412、隔離體413及負極集電器414疊層構成的組合，但也可以為了增大二次電池的容量而層疊多個該組合並由外包裝體包圍。

另外，準備兩個圖7C所示的具有密封層415的引線電極416。引線電極416還被稱為引線端子，是用來將二次電池的正極或負極引出到外包薄膜的外側而設置的。

藉由超聲波銲錫等使一個引線電極與正極集電器412的突出部電連接。藉由超聲波銲錫等使另一個引線電極與負極集電器414的突出部電連接。

另外，為了留下用來注入電解液的一邊，對薄膜411的兩個邊進行熱壓合而密封。當進行熱壓合時，設置在引線電極上的密封層415也熔化而使引線電極與薄膜411固定在一起。然後，在減壓氛圍或惰性氛圍下將所希望的量的電解液滴加到袋狀的薄膜411內。最後，對薄膜的未進行熱壓合而留下的邊緣進行熱壓合來密封。

藉由上述步驟，可以製造圖7D所示的二次電池103。

在所得到的二次電池103中，用作外包裝體的薄膜411的表面有包括凹凸的圖案。另外，圖7D中的虛線與端面之間的區域是熱壓合區域417，該熱壓合區域417的表面也有包括凹凸的圖案。雖然熱壓合區域417的凹凸比中央部小，但是也可以緩解使二次電池彎曲時產生的應力。

另外，圖7E示出圖7D中的以點劃線A-B截斷的剖面的一個例子。

如圖7E所示，薄膜411的凹凸在重疊於正極集電器412的區域與熱壓合區域417之間不同。另外，如圖7E所示，依次層疊有的正極集電器412、正極活性物質層418、隔離體413、負極活性物質層419及負極集電器414被夾在折疊的薄膜411之間，薄膜411端部由黏合層430被密封，並且在其他空間中設置有電解液420。

作為用於正極活性物質層418的正極活性物質，可以舉出具有橄欖石型結晶結構、層狀岩鹽型結晶結構或者尖晶石型結晶結構的複合氧化物等。作為正極活性物質，例如使用LiFeO₂、LiCoO₂、LiNiO₂、LiMn₂O₄、V₂O₅、Cr₂O₅、MnO₂等化合物。

此外，可以使用複合材料(通式為LiMPO₄(M為Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一種以上))。作為通式LiMPO₄的典型例子，可以使用LiFePO₄、LiNiPO₄、LiCoPO₄、LiMnPO₄、LiFe_aNi_bPO₄、LiFe_aCo_bPO₄、LiFe_aMn_bPO₄、LiNi_aCo_bPO₄、LiNi_aMn_bPO₄(a+b為1以下，0<a<1，0<b<1)、LiFe_cNi_dCo_ePO₄、LiFe_cNi_dMn_ePO₄、LiNi_cCo_dMn_ePO₄(c+d+e為1以下，0<c<1，0<d<1，0<e<1)、LiFe_fNi_gCo_hMn_iPO₄(f+g+h+i為1以下，0<f<1，0<g<1，0<h<1，0<i<1)等鋰化合物。

此外，也可以使用通式為Li_(2-j)MSiO₄(M為Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一種以上，0

j

2)等的複合材料。作為通式Li_(2-j)MSiO₄的典型例子，可以舉出Li_(2-j)FeSiO₄、Li_(2-j)NiSiO₄、Li_(2-j)CoSiO₄、Li_(2-j)MnSiO₄、Li_(2-j)Fe_kNi_lSiO₄、Li_(2-j)Fe_kCo_lSiO₄、Li_(2-j)Fe_kMn_lSiO₄、Li_(2-j)Ni_kCo_lSiO₄、Li_(2-j)Ni_kMn_lSiO₄(k+l為1以下，0<k<1，0<l<1)、Li_(2-j)Fe_mNi_nCo_qSiO₄、Li_(2-j)Fe_mNi_nMn_qSiO₄、Li_(2-j)Ni_mCo_nMn_qSiO₄(m+n+q為1以下，0<m<1，0<n<1，0<q<1)、Li_(2-j)Fe_rNi_sCo_tMn_uSiO₄(r+s+t+u為1以下，0<r<1，0<s<1，0<t<1，0<u<1)等鋰化合物。

此外，作為正極活性物質，可以使用以通式A_xM₂(XO₄)₃(A=Li、Na、Mg，M=Fe、Mn、Ti、V、Nb、Al，X=S、P、Mo、W、As、Si)表示的鈉超離子導體(nasicon)型化合物。作為鈉超離子導體型化合物，可以舉出Fe₂(MnO₄)₃、Fe₂(SO₄)₃、Li₃Fe₂(PO₄)₃等。此外，作為正極活性物質，可以使用：以通式Li₂MPO₄F、Li₂MP₂O₇、Li₅MO₄(M=Fe、Mn)表示的化合物；NaFeF₃、FeF₃等鈣鈦礦氟化物；TiS₂、MoS₂等金屬硫族化合物(硫化物、硒化物、碲化物)；LiMVO₄等具有反尖晶石型的結晶結構的氧化物；釩氧化物(V₂O₅、V₆O₁₃、LiV₃O₈等)；錳氧化物；以及有機硫化合物等材料。

在載體離子是鋰離子以外的鹼金屬離子、鹼土金屬離子的情況下，作為正極活性物質，也可以使用鹼金屬(例如，鈉、鉀等)、鹼土金屬(例如，鈣、鍶、鈹、鎂或鋇等)代替鋰。

作為隔離體413，可以使用絕緣體諸如纖維素(紙)、設置有空孔的聚丙烯或設置有空孔的聚乙烯等。

作為電解液的電解質，使用具有載體離子的材料。作為電解質的典型例子，可以舉出LiPF₆、LiClO₄、LiAsF₆、LiBF₄、LiCF₃SO₃、Li(CF₃SO₂)₂N、Li(C₂F₅SO₂)₂N等鋰鹽。這些電解質既可以單獨使用一種，也可以將二種以上的材料以任意比率組合使用。

另外，當載體離子是鋰離子以外的鹼金屬離子、鹼土金屬離子時，作為電解質也可以使用鹼金屬(例如，鈉、鉀等)、鹼土金屬(例如，鈣、鍶、鈹、鎂或鋇等)代替上述鋰鹽中的鋰。

另外，作為電解液的溶劑，使用載體離子能夠移動的材料。作為電解液的溶劑，較佳為使用非質子有機溶劑。作為非質子有機溶劑的典型例子，可以使用碳酸乙烯酯(EC)、碳酸丙烯酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯(DEC)、γ-丁內酯、乙腈、乙二醇二甲醚、四氫呋喃等中的一種或多種。此外，當作為電解液的溶劑使用凝膠化的高分子材料時，抗液體洩漏等的安全性得到提高。並且，能夠實現蓄電池的薄型化及輕量化。作為凝膠化的高分子材料的典型例子，可以舉出矽酮凝膠、丙烯酸膠、丙烯腈膠、聚氧化乙烯、聚氧化丙烯、氟類聚合物等。另外，藉由作為電解液的溶劑使用一種或多種具有阻燃性及難揮發性的離子液體(室溫融鹽)，即使由於蓄電池的內部短路、過充電等而內部溫度上升，也可以防止蓄電池的爆炸或起火等。離子液體是流化狀態的鹽，離子遷移度(傳導率)高。另外，離子液體含有陽離子和陰離子。作為離子液體，可以舉出包含乙基甲基咪唑(EMI)陽離子的離子液體或包含N-甲基-N-丙基呱啶(propylpiperidinium)(PP₁₃)陽離子的離子液體等。

此外，可以使用具有硫化物類或氧化物類等的無機材料的固體電解質、具有PEO(聚環氧乙烷)類等的高分子材料的固體電解質來代替電解液。當使用固體電解質時，不需要設置隔離體或間隔物。另外，可以使整個電池固體化，所以沒有液體洩漏的憂慮，安全性得到顯著提高。

另外，作為負極活性物質層419的負極活性物質，可以使用能夠使鋰溶解和析出或能夠使鋰離子嵌入和脫嵌的材料，例如可以使用鋰金屬、碳類材料等。

鋰金屬的氧化還原電位低(比標準氫電極低3.045V)，每重量及體積的比容量大(分別為3860mAh/g，2062mAh/cm³)，所以是較佳的。

作為碳類材料，可以舉出石墨、易石墨化碳(graphitizing carbon)(軟碳)、難石墨化碳(non-graphitizing carbon)(硬碳)、碳奈米管、石墨烯、碳黑等。

作為石墨，有中間相碳微球(MCMB)、焦炭基人造石墨(coke-based artificial graphite)、瀝青基人造石墨(pitch-based artificial graphite)等人造石墨或球狀化天然石墨等天然石墨。

當鋰離子嵌入在石墨中時(鋰-石墨層間化合物的生成時)石墨具有與鋰金屬相同程度的低電位(0.1V至0.3V vs.Li/Li⁺)。由此，鋰離子二次電池可以具有高工作電壓。再者，石墨具有如下優點：每單位體積的容量較高；體積膨脹小；較便宜；安全性比鋰金屬高等，所以是較佳的。

作為負極活性物質，也可以使用能夠利用與鋰的合金化/脫合金化反應進行充放電反應的材料。在載體離子為鋰離子的情況下，例如可以使用包含Al、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ag、Au、Zn、Cd、In、Ga等中的至少一種的材料。這種元素的容量比碳高，尤其是矽的理論容量顯著地高，為4200mAh/g。由此，較佳為將矽用於負極活性物質。作為使用這種元素的材料，例如可以舉出SiO、Mg₂Si、Mg₂Ge、SnO、SnO₂、Mg₂Sn、SnS₂、V₂Sn₃、FeSn₂、CoSn₂、Ni₃Sn₂、Cu₆Sn₅、Ag₃Sn、Ag₃Sb、Ni₂MnSb、CeSb₃、LaSn₃、La₃Co₂Sn₇、CoSb₃、InSb、SbSn等。注意，SiO是指包括高矽含量的部分的矽氧化物的粉末，也可以表示為SiO_y(2>y>0)。例如SiO在其範疇內包括包含Si₂O₃、Si₃O₄和Si₂O中的一個或多個的材料以及Si的粉末與二氧化矽(SiO₂)的混合物。另外，SiO有時還包含其他元素(碳、氮、鐵、鋁、銅、鈦、鈣、錳等)。即，SiO是指包含單晶Si、非晶Si、多晶Si、Si₂O₃、Si₃O₄、Si₂O、SiO₂中的多個的有色材料。SiO可以與無色透明或者白色的SiO_x(X為2以上)區別開來。注意，在作為二次電池的材料使用SiO製造二次電池後，在因為反復進行充放電等而使SiO氧化了的情況下，有時也會變質為SiO₂。

此外，作為負極活性物質，可以使用氧化物諸如氧化鈦(TiO₂等)、鋰鈦氧化物(Li₄Ti₅O₁₂等)、鋰-石墨層間化合物(Li_xC₆等)、氧化鈮(Nb₂O₅等)、氧化鎢(WO₂等)、氧化鉬(MoO₂等)等。

此外，作為負極活性物質，可以使用包含鋰和過渡金屬的氮化物的具有Li₃N型結構的Li_3-xM_xN(M=Co、Ni、Cu)。例如，Li_2.6Co_0.4N₃呈現大充放電容量(900mAh/g，1890mAh/cm³)，所以是較佳的。

當使用包含鋰和過渡金屬的氮化物時，在負極活性物質中包含鋰離子，因此可以將其與用作正極活性物質的不包含鋰離子的V₂O₅、Cr₃O₈等材料組合，所以是較佳的。注意，當將含有鋰離子的材料用作正極活性物質時，藉由預先使包含在正極活性物質中的鋰離子脫嵌，也可以作為負極活性物質使用包含鋰和過渡金屬的氮化物。

此外，也可以將引起轉化反應的材料用作負極活性物質。例如，將氧化鈷(CoO)、氧化鎳(NiO)、氧化鐵(FeO)等不與鋰發生合金化反應的過渡金屬氧化物用於負極活性物質。作為引起轉化反應的材料，還可以舉出Fe₂O₃、CuO、Cu₂O、RuO₂、Cr₂O₃等氧化物、CoS_0.89、NiS、CuS等硫化物、Zn₃N₂、Cu₃N、Ge₃N₄等氮化物、NiP₂、FeP₂、CoP₃等磷化物、FeF₃、BiF₃等氟化物。注意，由於上述氟化物的電位高，所以也可以用作正極活性物質。

另外，負極活性物質層419除了包含上述負極活性物質以外還可以包含用來提高活性物質的緊密性的黏合劑(binder)以及用來提高負極活性物質層419的導電性的導電助劑等。

例如，二次電池的結構為如下：隔離體413的厚度大約為25μm，正極集電器412的厚度大約為20μm以上且40μm以下，正極活性物質層418的厚度大約為100μm，負極活性物質層419的厚度大約為100μm，負極集電器414的厚度大約為20μm以上且40μm以下。薄膜411的厚度為0.113mm。另外，對薄膜411的壓花加工深度大約為500μm。在對薄膜411的壓花加工深度為2mm以上的情況下，整個二次電池的厚度變得太厚，所以將壓花加工深度設定為1mm以下，較佳為設定為500μm以下。注意，在圖7E中僅示出黏合層430的一部分，但是薄膜411的表面上設置有由聚丙烯構成的層，該層的熱壓合部分僅成為黏合層430。

另外，圖7E示出以固定薄膜411的下側的方式進行壓合的例子。此時，薄膜的上側大大彎曲而形成步階，因此，當在折疊的薄膜411之間設置多個上述疊層的組合，例如設置八個以上的上述疊層的組合時，步階變大，而上側的薄膜411有可能受到過大的應力。此外，還有上側薄膜的端面與下側薄膜的端面的錯位變大的擔憂。此時，為了防止端面的錯位，也可以使下側的薄膜具有步階並在中央進行壓合，以使應力均勻。

在此，參照圖7F說明在對二次電池進行充電時電流如何流動。當將使用鋰的二次電池看作一個閉合電路時，鋰離子遷移的方向和電流流動的方向相同。注意，在使用鋰的二次電池中，由於陽極及陰極根據充電或放電調換，氧化反應及還原反應調換，所以將反應電位高的電極稱為正極，而將反應電位低的電極稱為負極。由此，在本說明書中，即使在充電、放電、供應反向脈衝電流以及供應充電電流時也將正極稱為“正極”或“+極”，而將負極稱為“負極”或“-極”。若使用與氧化反應及還原反應有關的陽極及陰極的術語，則在充電和放電時的陽極及陰極調換，這有可能引起混亂。因此，在本說明書中，不使用陽極及陰極的術語。假如使用陽極及陰極的術語，就會明確地表示出是充電時還是放電時，並示出其對應的是正極(+極)還是負極(-極)。

圖7F所示的兩個端子與充電器連接，對二次電池103進行充電。隨著二次電池103的充電進展，電極之間的電位差增大。在圖7F中，以如下方向為正方向，即電流從二次電池103外部的端子流至正極集電器412，在二次電池103中從正極集電器412流至負極集電器414，從負極集電器414流至二次電池103外部的端子的方向。就是說，以充電電流流過的方向為電流的方向。

另外，圖9示出彎曲的鋰離子電池的透視圖。注意，彎曲的方向不侷限於圖9所示的方向，也可以向其他方向彎曲。彎曲的鋰離子二次電池的形狀由進行了壓花加工的外包裝體維持。圖9所示的鋰離子二次電池即便被反復彎曲也保持二次電池的功能。另外，在將彎曲的鋰離子二次電池容納於電子裝置的外殼內的情況下，較佳為在該彎曲的鋰離子二次電池的上下或周圍設置緩衝層而緩解使電子裝置彎曲時的與其他構件(薄膜或元件)的碰撞。

注意，在本實施方式中，示出應用於鋰離子二次電池的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。也可以應用於各種各樣的二次電池，例如，鉛蓄電池、鋰離子聚合物二次電池、鎳氫蓄電池、鎳鎘蓄電池、鎳鐵蓄電池、鎳鋅蓄電池、氧化銀鋅蓄電池、固體電池、空氣電池等。此外，也可以應用於各種各樣的蓄電裝置，例如，一次電池、電容器、鋰離子電容器等。

本實施方式可以與其他實施方式自由地組合。

實施方式4

在本實施方式中，參照圖10A至圖11C說明本發明的一個方式的輸入/輸出裝置(具有觸摸輸入感測器的顯示面板)的結構。

圖10A至圖10C是說明本發明的一個方式的輸入/輸出裝置的結構的投影圖。

圖10A是本發明的一個方式的輸入/輸出裝置500的投影圖，圖10B是說明輸入/輸出裝置500所具備的檢測單元20U的結構的投影圖。

圖11A至圖11C是說明本發明的一個方式的輸入/輸出裝置500的結構的剖面圖。

圖11A是圖10A至圖10C所示的本發明的一個方式的輸入/輸出裝置500的Z1-Z2間的剖面圖。

注意，也可以將輸入/輸出裝置500稱為觸控面板。

〈輸入/輸出裝置的結構實例1.〉

本實施方式所說明的輸入/輸出裝置500包括具有撓性的輸入裝置100以及顯示部501，該輸入裝置100包括：具備使可見光透過的窗部14且配置為矩陣狀的多個檢測單元20U；與配置在行方向(圖中箭頭R所示的方向)上的多個檢測單元20U電連接的掃描線G1；與配置在列方向(圖中箭頭C所示的方向)上的多個檢測單元20U電連接的信號線DL；以及支撐檢測單元20U、掃描線G1及信號線DL的撓性基材16，並且，該顯示部501包括：重疊於窗部14且配置為矩陣狀的多個像素502；以及支撐該像素502的撓性基板510(參照圖10A至圖10C)。

檢測單元20U包括重疊於窗部14的檢測元件C以及與檢測元件C電連接的檢測電路19(參照圖10B)。

檢測元件C包括絕緣層23、夾持絕緣層23的第一電極21以及第二電極22(參照圖11A)。

檢測電路19被供應選擇信號且根據檢測元件C的電容的變化而供應檢測信號DATA。

掃描線G1可以供應選擇信號，信號線DL可以供應檢測信號DATA，並且檢測電路19重疊於多個窗部14的間隙。

此外，本實施方式所說明的輸入/輸出裝置500在檢測單元20U與重疊於檢測單元20U的窗部14的像素502之間具備彩色層。

本實施方式所說明的輸入/輸出裝置500包括具有撓性的輸入裝置100以及具有撓性的顯示部501，該輸入裝置100包括多個具備使可見光透過的窗部14的檢測單元20U，該顯示部501包括多個重疊於窗部14的像素502，其中，在窗部14與像素502之間包括彩色層。

由此，輸入/輸出裝置能夠供應基於電容的變化的檢測信號以及供應該檢測信號的檢測單元的位置資料，還可以顯示與檢測單元的位置資料有關的影像資料，並且可以彎曲。其結果，能夠提供一種方便性或可靠性高的新穎的輸入/輸出裝置。

另外，輸入/輸出裝置500也可以包括被供應輸入裝置100所供應的信號的撓性基板FPC1和/或向顯示部501供應包含像素資料的信號的撓性基板FPC2。

此外，也可以包括保護輸入/輸出裝置500免受損傷的保護層17p或/及使輸入/輸出裝置500所反射的外光的強度減弱的防反射層567p。

另外，輸入/輸出裝置500包括向顯示部501的掃描線供應選擇信號的掃描線驅動電路503g、供應信號的佈線511以及與撓性基板FPC2電連接的端子519。

下面，對輸入/輸出裝置500的各構成要素進行說明。注意，這些構成要素不能明確地分離，有時一個構成要素兼作其他構成要素或包括其他構成要素的一部分。

例如，包括重疊於多個窗部14的彩色層的輸入裝置100還用作濾色片。

另外，例如，使輸入裝置100與顯示部501重疊的輸入/輸出裝置500既用作輸入裝置100又用作顯示部501。

輸入/輸出裝置500包括輸入裝置100以及顯示部501(參照圖10A)。

輸入裝置100包括多個檢測單元20U以及支撐該檢測單元20U的撓性基材16。例如，在撓性基材16上將多個檢測單元20U配置為40行、15列的矩陣狀。

窗部14使可見光透過。

在重疊於窗部14的位置設置有使所指定的光透過的彩色層。例如，包括使藍色光透過的彩色層CFB、使綠色光透過的彩色層CFG及使紅色光透過的彩色層CFR(參照圖10B)。

另外，除了藍色、綠色或/及紅色以外，還可以具備使白色光透過的彩色層或使黃色光透過的彩色層等使各種顏色的光透過的彩色層。

作為彩色層可以使用金屬材料、顏料或染料等。

以包圍窗部14的方式具備遮光層BM。遮光層BM比窗部14不容易使光透過。

遮光層BM可以使用碳黑、金屬氧化物、包含多種金屬氧化物的固溶體的複合氧化物等。

在與遮光層BM重疊的位置具備掃描線G1、信號線DL、佈線VPI、佈線RES、佈線VRES及檢測電路19。

另外，可以具備覆蓋彩色層及遮光層BM的透光性保護層。

檢測元件C包括第一電極21、第二電極22、第一電極21與第二電極22之間的絕緣層23(參照圖11A)。

第一電極21以與其他區域分開的方式例如形成為島狀。尤其較佳為以靠近第一電極21的方式配置能夠與第一電極21在同一製程中製造的層以使輸入/輸出裝置500的使用者不會發現第一電極21。更佳的是，儘量減少位於第一電極21與靠近第一電極21的層之間的間隙的窗部14的個數。尤其較佳為不在該間隙配置窗部14。

以與第一電極21重疊的方式設置第二電極22，並且絕緣層23設置在第一電極21與第二電極22之間。

例如，當介電常數與大氣不同的物體靠近位於大氣中的檢測元件C的第一電極21或第二電極22時，檢測元件C的電容發生變化。明確而言，當手指等物體靠近檢測元件C時，檢測元件C的電容發生變化。由此，可以將檢測元件C用作靠近檢測器。

例如，可以變形的檢測元件C的電容隨著變形而變化。

明確而言，由於手指等物體觸摸檢測元件C，第一電極21與第二電極22的間隔變窄，從而檢測元件C的電容變大。由此，可以將檢測元件C用於接觸檢測器。

明確而言，藉由使檢測元件C彎曲，第一電極21與第二電極22的間隔變窄。因此，檢測元件C的電容變大。由此，可以將檢測元件C用於彎曲檢測器。

第一電極21及第二電極22包含導電性材料。

例如，可以將無機導電性材料、有機導電性材料、金屬或導電性陶瓷等用於第一電極21及第二電極22。

明確而言，可以使用選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、銀和錳中的金屬元素、以上述金屬元素為成分的合金或組合上述金屬元素的合金等。

或者，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電性氧化物。

或者，可以使用石墨烯或石墨。包含石墨烯的膜例如可以使包含氧化石墨烯的膜還原而形成。作為還原方法，可以採用進行加熱的方法或使用還原劑的方法等。

或者，可以使用導電高分子。

如圖12A所示，檢測電路19例如包括第一電晶體M1至第三電晶體M3。另外，檢測電路19包括供應電源電位及信號的佈線。例如，包括信號線DL、佈線VPI、佈線CS、掃描線G1、佈線RES及佈線VRES等。此外，在實施方式5中詳細說明檢測電路19的具體結構。

另外，也可以將檢測電路19配置在不與窗部14重疊的區域。例如，藉由在不與窗部14重疊的區域配置佈線，可以更容易地從檢測單元20U一側看到另一側。

例如，可以將能夠經同一製程形成的電晶體用於第一電晶體M1至第三電晶體M3。

第一電晶體M1包括半導體層。例如，可以將4族的元素、化合物半導體或氧化物半導體用於半導體層。明確而言，可以使用包含矽的半導體、包含鎵砷的半導體或包含銦的氧化物半導體等。

可以將具有導電性的材料用於佈線。

例如，可以將無機導電性材料、有機導電性材料、金屬或導電性陶瓷等用於佈線。明確而言，可以應用與用於第一電極21及第二電極22的材料相同的材料。

可以將鋁、金、鉑、銀、鎳、鈦、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或者包含該金屬材料的合金材料用於掃描線G1、信號線DL、佈線VPI、佈線RES及佈線VRES。

也可以對形成在基材16上的膜進行加工來在基材16上形成檢測電路19。

或者，也可以將形成在其他基材上的檢測電路19轉置於基材16。

在實施方式5中詳細說明檢測電路的製造方法。

可以將有機材料、無機材料或有機材料和無機材料的複合材料用於撓性基材16。

可以將厚度為5μm以上且2500μm以下，較佳為5μm以上且680μm以下，更佳為5μm以上且170μm以下，更佳為5μm以上且45μm以下，進一步較佳為8μm以上且25μm以下的材料用於基材16。

另外，可以將雜質的透過得到抑制的材料適當地用於基板510。例如，可以適當地使用水蒸氣的穿透率為10^-5g/(m²．day)以下，較佳為10^-6g/(m²．day)以下的材料。

另外，可以將其線性膨脹係數與構成基板510的材料大約相同的材料適當地用於基材16。例如，可以適當地使用線性膨脹係數為1×10^-3/K以下，較佳為5×10^-5/K以下，更佳為1×10^-5/K以下的材料。

例如，可以將樹脂、樹脂薄膜或塑膠薄膜等有機材料用於基材16。

例如，可以將金屬板或厚度為10μm以上且50μm以下的薄板狀的玻璃板等無機材料用於基材16。

例如，可以將利用樹脂層使金屬板、薄板狀的玻璃板或無機材料的膜黏合於樹脂薄膜等而形成的複合材料用於基材16。

例如，可以將纖維狀或粒子狀的金屬、玻璃或無機材料分佈於樹脂或樹脂薄膜的複合材料用於基材 16。

例如，可以將熱固性樹脂或紫外線硬化性樹脂用於樹脂層。

明確而言，可以使用聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜或樹脂板。

明確而言，可以使用無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃或水晶玻璃等。

明確而言，可以使用金屬氧化物膜、金屬氮化物膜或金屬氧氮化物膜等。例如，可以使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等。

明確而言，可以使用設置有開口部的SUS或鋁等。

明確而言，可以使用丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵的樹脂等的樹脂。

例如，可以適當地將層疊有具有撓性的基材16b、防止雜質擴散的障壁膜16a、將基材16b與障壁膜16a黏合的樹脂層16c的疊層體用於基材16(參照圖11A)。

明確而言，可以將包含層疊有厚度為600nm的氧氮化矽膜及厚度為200nm的氮化矽膜的疊層材料的膜用於障壁膜16a。

明確而言，可以將包含依次層疊有厚度為600nm的氧氮化矽膜、厚度為200nm的氮化矽膜、厚度為 200nm的氧氮化矽膜、厚度為140nm的氮氧化矽膜以及厚度為100nm的氧氮化矽膜的疊層材料的膜用於障壁膜16a。

可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜、樹脂板或疊層體等用於基材16b。

例如，可以將包含聚酯、聚烯烴、聚醯胺(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚醯亞胺、聚碳酸酯或者具有丙烯酸鍵合、聚氨酯鍵合、環氧鍵合或矽氧烷鍵合的樹脂的材料用於樹脂層16c。

可以具備撓性保護基材17或/及保護層17p。撓性保護基材17或保護層17p防止損傷而保護輸入裝置100。

例如，可以將聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯或丙烯酸樹脂等的樹脂薄膜、樹脂板或疊層體等用於保護基材17。

例如，可以將硬塗層或陶瓷塗層用於保護層17p。明確而言，可以將包含UV固化樹脂或氧化鋁的層形成在與第二電極22重疊的位置。

顯示部501具備配置為矩陣狀的多個像素502(參照圖10C)。

例如，像素502包括子像素502B、子像素502G及子像素502R，每個子像素都具備顯示元件以及驅動顯示元件的像素電路。

像素502的子像素502B配置在與彩色層CFB重疊的位置，子像素502G配置在與彩色層CFG重疊的位置，子像素502R配置在與彩色層CFR重疊的位置。

在本實施方式中，說明將發射白色光的有機電致發光元件適用於顯示元件的情況，但是顯示元件不侷限於此。

例如，也可以將發光顏色不同的有機電致發光元件用於各子像素，以使各子像素的發光顏色不同。

另外，在顯示部中可以採用在像素中包括主動元件的主動矩陣方式或在像素中沒有包括主動元件的被動矩陣方式。

在主動矩陣方式中，作為主動元件(非線性元件)，不僅可以使用電晶體，並且還可以使用各種主動元件(非線性元件)。例如，也可以使用MIM(Metal Insulator Metal；金屬-絕緣體-金屬)或TFD(Thin Film Diode；薄膜二極體)等。由於這些元件的製程少，所以可以降低製造成本或提高良率。另外，由於這些元件的尺寸小，所以可以提高開口率，從而實現低功耗或高亮度化。

另外，除了主動矩陣方式以外，還可以採用沒有包括主動元件(非線性元件)的被動矩陣方式。由於不使用主動元件(非線性元件)，所以製程少，從而可以降低製造成本或提高良率。另外，由於不使用主動元件(非線性元件)，所以可以提高開口率，並實現低功耗或高亮度化等。

可以將具有撓性的材料用於基板510。例如，可以將能夠用於基材16的材料用於基板510。

例如，可以適當地將層疊有具有撓性的基板510b、防止雜質擴散的絕緣層510a、將基板510b與絕緣層510a黏合的黏合層510c的疊層體用於基板510(參照圖11A)。

密封層560黏合基材16與基板510。密封層560具有高於大氣的折射率。另外，在從密封層560一側提取光的情況下，密封層560具有光學黏合的功能。

像素電路及發光元件(例如發光元件550R)設置在基板510與基材16之間。

子像素502R具備發光模組580R。

子像素502R具備發光元件550R以及能夠對發光元件550R供應電力的包括電晶體502t的像素電路。另外，發光模組580R具備發光元件550R及光學元件(例如彩色層CFR)。

發光元件550R包括下部電極、上部電極以及下部電極與上部電極之間的包含發光有機化合物的層。

發光模組580R在提取光的方向上包括彩色層CFR。彩色層只要可以使具有特定波長的光透過即可，例如可以使用選擇性地使呈現紅色、綠色或藍色等的光透過的彩色層。另外，也可以以與沒有設置彩色層的窗部重疊的方式配置其他子像素，從而使來自發光元件的光以不透過彩色層的方式射出。

另外，在密封層560設置於提取光一側的情況下，密封層560接觸於發光元件550R及彩色層CFR。

彩色層CFR位於與發光元件550R重疊的位置。由此，發光元件550R所發射的光的一部分透過彩色層CFR，而向圖11A中的箭頭所示的方向發射到發光模組580R的外部。

設置有包圍彩色層(例如彩色層CFR)的遮光層BM。

具備覆蓋像素電路所包括的電晶體502t的絕緣膜521。可以將絕緣膜521用作使像素電路所引起的凹凸平坦化的層。另外，可以將包含能夠抑制雜質擴散的層的疊層膜用於絕緣膜521。由此，可以抑制雜質的擴散所導致的電晶體502t等的可靠性的下降。

在絕緣膜521上配置有下部電極，並且分隔壁528以與下部電極的端部重疊的方式配置在絕緣膜521上。

下部電極與上部電極之間夾著包含發光有機化合物的層，由此構成發光元件(例如發光元件550R)。像素電路對發光元件供應電力。

另外，在分隔壁528上具有控制基材16與基板510的間隔的間隔物。

掃描線驅動電路503g(1)包括電晶體503t及電容器503c。另外，可以將能夠與像素電路經同一製程形成在同一基板上的電晶體用於驅動電路。

可以將能夠轉換檢測單元20U所供應的檢測信號DATA而將其供應到FPC1的各種電路用於轉換器CONV(參照圖10A及圖11A)。

例如，如圖12A所示，可以將第四電晶體M4用於轉換器CONV。

〈〈其他結構〉〉

顯示部501在與像素重疊的位置具備防反射層567p。作為防反射層567p例如可以使用圓偏光板。

顯示部501具備能夠供應信號的佈線511，並且端子519設置在佈線511上。另外，能夠供應影像信號及同步信號等信號的撓性基板FPC2與端子519電連接。

此外，撓性基板FPC2也可以安裝有印刷線路板(PWB)。

顯示部501包括掃描線、信號線及電源線等佈線。可以將各種導電膜用於佈線。

明確而言，使用選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬、鎢、鎳、釔、鋯、銀和錳中的金屬元素、以上述金屬元素為成分的合金或組合上述金屬元素的合金等。尤其較佳為包含鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬和鎢中的一個以上的元素。尤其是，銅和錳的合金適用於利用濕蝕刻法的微細加工。

明確而言，可以舉出在鋁膜上層疊鈦膜的雙層結構、在氮化鈦膜上層疊鈦膜的雙層結構、在氮化鈦膜上層疊鎢膜的雙層結構、在氮化鉭膜或氮化鎢膜上層疊鎢膜的雙層結構以及依次層疊鈦膜、鋁膜和鈦膜的三層結構等。

具體地，可以採用在鋁膜上層疊包含選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹和鈧中的一種或多種元素的合金膜或氮化膜的疊層結構。

另外，也可以使用包含氧化銦、氧化錫或氧化鋅的具有透光性的導電材料。

〈顯示部的變形例子〉

可以將各種電晶體適用於顯示部501。

圖11A和圖11B示出將底閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。

例如，可以將包含氧化物半導體、非晶矽等的半導體層用於圖11A所示的電晶體502t及電晶體503t。

例如，可以將包含藉由雷射退火法等處理結晶化了的多晶矽的半導體層用於圖11B所示的電晶體502t及電晶體503t。

圖11C示出將頂閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。

例如，可以將包含多晶矽或從單晶矽基板等轉置了的單晶矽膜等的半導體層用於圖11C所示的電晶體502t及電晶體503t。

注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。

實施方式5

在本實施方式中，參照圖12A至圖12B2對可以用於本發明的一個方式的輸入/輸出裝置的檢測單元的檢測電路的結構及驅動方法進行說明。

圖12A至圖12B2是說明本發明的一個方式的檢測電路19及轉換器CONV的結構及驅動方法的圖。

圖12A是說明本發明的一個方式的檢測電路19及轉換器CONV的結構的電路圖，圖12B1及圖12B2是說明驅動方法的時序圖。

本發明的一個方式的檢測電路19包括第一電晶體M1，其中，閘極與檢測元件C的第一電極21電連接，並且第一電極與例如能夠供應接地電位的佈線VPI電連接(參照圖12A)。

另外，也可以包括第二電晶體M2，其中，閘極與能夠供應選擇信號的掃描線G1電連接，第一電極與第一電晶體M1的第二電極電連接，第二電極與例如能夠供應檢測信號DATA的信號線DL電連接。

另外，也可以包括第三電晶體M3，其中，閘極與能夠供應重設信號的佈線RES電連接，第一電極與檢測元件C的第一電極21電連接，第二電極與例如能夠供應接地電位的佈線VRES電連接。

檢測元件C的電容例如由於物體靠近第一電極21或第二電極22或者由於第一電極21與第二電極22的間隔發生變化而變化。由此，檢測單元20U可以供應基於檢測元件C的電容變化的檢測信號DATA。

另外，檢測單元20U具備可以供應控制信號的佈線CS，該控制信號能夠控制檢測元件C的第二電極22的電位。

另外，將檢測元件C的第一電極21、第一電晶體M1的閘極以及第三電晶體M3的第一電極電連接的連接部稱為節點A。

佈線VRES及佈線VPI例如可以供應接地電位，佈線VPO及佈線BR例如可以供應高電源電位。

佈線RES可以供應重設信號，掃描線G1可以供應選擇信號，佈線CS可以供應控制檢測元件C的第二電極22的電位的控制信號。

信號線DL可以供應檢測信號DATA，端子OUT可以供應根據檢測信號DATA被轉換的信號。

另外，可以將能夠轉換檢測信號DATA並將其供應到端子OUT的各種電路用於轉換器CONV。例如，可以藉由使轉換器CONV與檢測電路19電連接，而構成源極隨耦器電路或電流鏡電路等。

明確而言，使用包括第四電晶體M4的轉換器CONV可以構成源極隨耦器電路(參照圖12A)。另外，也可以將能夠與第一電晶體M1至第三電晶體M3經同一製程製造的電晶體用於第四電晶體M4。

另外，第一電晶體M1至第三電晶體M3包括半導體層。例如，可以將4族的元素、化合物半導體或氧化物半導體用於半導體層。明確而言，可以使用包含矽的半導體、包含鎵砷的半導體或包含銦的氧化物半導體等。

〈檢測電路19的驅動方法〉

對檢測電路19的驅動方法進行說明。

〈〈第一步驟〉〉

在第一步驟中，在使第三電晶體M3成為開啟狀態之後對閘極供應使其成為非開啟狀態的重設信號，使檢測元件C的第一電極21的電位成為指定的電位(參照圖12B1中的期間T1)。

明確而言，使佈線RES供應重設信號。供應有重設信號的第三電晶體M3將節點A的電位例如變為接地電位(參照圖12A)。

〈〈第二步驟〉〉

在第二步驟中，對閘極供應使第二電晶體M2成為開啟狀態的選擇信號，並且使第一電晶體M1的第二電極與信號線DL電連接。

明確而言，使掃描線G1供應選擇信號。第一電晶體M1的第二電極藉由供應有選擇信號的第二電晶體 M2與信號線DL電連接(參照圖12B1中的期間T2)。

〈〈第三步驟〉〉

在第三步驟中，對檢測元件C的第二電極22供應控制信號，對第一電晶體M1的閘極供應根據控制信號及檢測元件C的電容發生變化的電位。

明確而言，使佈線CS供應矩形的控制信號。藉由將矩形的控制信號供應到第二電極22，節點A的電位根據檢測元件C的電容上升(參照圖12B1中的期間T2的後一半)。

例如，在檢測元件C被放置在大氣中的情況下，當介電常數高於大氣的物體以靠近檢測元件C的第二電極22的方式配置時，檢測元件C的電容在外觀上變大。

由此，與介電常數高於大氣的物體沒有靠近地配置的情況相比，矩形的控制信號所引起的節點A的電位的變化小(參照圖12B2中的實線)。

〈〈第四步驟〉〉

在第四步驟中，對信號線DL供應第一電晶體M1的閘極的電位變化所引起的信號。

例如，對信號線DL供應第一電晶體M1的閘極的電位變化所引起的電流的變化。

轉換器CONV將流過信號線DL的電流的變化轉換為電壓的變化來供應。

〈〈第五步驟〉〉

在第五步驟中，對第二電晶體M2的閘極供應使第二電晶體M2成為非開啟狀態的選擇信號。

在本實施方式中，雖然示出在一對薄膜基板之間設置顯示元件及觸控感測器元件的結構，即所謂的In-Cell結構的例子，但並不侷限於此，也可以採用將在一對薄膜基板之間設置有顯示元件的顯示面板與包括觸控感測器元件的薄膜基板貼合在一起的結構，即所謂的On-Cell結構。當採用On-Cell結構時，與In-Cell結構相比，薄膜基板增加一片或兩片，所以厚度變大。

實施方式6

在本實施方式中，圖13A至圖13H示出電子裝置的例子。

作為應用撓性蓄電裝置的電子裝置，例如，可以舉出頭戴顯示器或護目鏡型顯示器等顯示裝置(也稱為電視或電視接收機)、臺式個人電腦或膝上型個人電腦等個人電腦、用於電腦等的監視器、數位相機或數位攝影機等照相機、數位相框、電子記事本、電子書閱讀器、電子翻譯器、玩具、麥克風等聲音輸入器、電動剃鬚刀、電動牙刷、微波爐等高頻加熱裝置、電鍋、洗衣機、吸塵器、熱水器、電扇、吹風機、加濕器、除濕器、空調器等空調設備、洗碗機、烘碗機、乾衣機、烘被機、電冰箱、電冷凍箱、電冷藏冷凍箱、DNA保存用冰凍器、手電筒、電動工具、煙霧偵測器、氣體警報裝置、防犯警報器等警報裝置、工業機器人、助聽器、心律調節器、X射線拍攝裝置、輻射計數器(radiation counters)、電動按摩器、透析裝置等保健設備或醫療設備、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、照明設備、頭戴式耳機音響、音響、遙控器、臺鐘或掛鐘等鐘錶、無線電話子機、步話機、計步器、計算器、數位聲訊播放機等可攜式或固定式音頻再生裝置、彈珠機等大型遊戲機等。

此外，也可以將具有撓性的蓄電裝置沿著房屋或高樓的內壁或外壁、汽車的內部裝修或外部裝修的曲面組裝。在這種情況下，將撓性蓄電裝置設置為重疊於緩衝層是有效的。

圖13A示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400除了組裝在外殼7401中的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，行動電話機7400具有蓄電裝置7407。

圖13B示出使行動電話機7400彎曲的狀態。在從外部施加力量使行動電話機7400變形而使其整體彎曲時，設置在其內部的蓄電裝置7407也被彎曲。圖13C示出被彎曲的蓄電裝置7407。蓄電裝置7407為層壓結構的蓄電池(也稱為疊層結構電池、薄膜外裝電池)。蓄電裝置7407在彎曲狀態下被固定。蓄電裝置7407具有與集電器7409電連接的引線電極7408。例如，蓄電裝置7407的外包裝體的薄膜被壓花加工，因此蓄電裝置7407的彎曲狀態下的可靠性高。並且，行動電話機7400還可以具備SIM卡槽或用來連接USB記憶體等USB設備的連接器部等。

圖13D示出可彎曲的行動電話機的一個例子。藉由將其彎曲成沿著前臂的形狀，可以實現圖13E所示的手鐲型行動電話機。行動電話機7100包括外殼7101、顯示部7102、操作按鈕7103以及蓄電裝置7104。另外，圖13F示出可彎曲蓄電裝置7104。蓄電裝置7104在彎曲的狀態下戴上使用者的手臂時，外殼變形而蓄電裝置7104的一部分或全部的曲率發生變化。明確而言，外殼或蓄電裝置7104的主表面的一部分或全部在曲率半徑為10mm以上且150mm以下的範圍內變形。蓄電裝置7104具有與集電器7106電連接的引線電極7105。例如，由於對蓄電裝置7104的外包裝體的薄膜的表面進行壓製加工形成多個凹凸，所以即使改變曲率使蓄電裝置7104彎曲多次，也可以維持高可靠性。另外，行動電話機7100還可以具備SIM卡槽或用來連接USB記憶體等USB設備的連接器部等。當在中央部折疊圖13D所示的行動電話機，可以成為圖13G所示的形狀。另外，如圖13H所示，當進一步將行動電話機的中央部折疊以使其端部重疊而小型化時，可以將行動電話機的尺寸縮小到能夠放在使用者的口袋等中的尺寸。如此，圖13D所示的行動電話機為能夠變形為多種形狀的設備，為了改變行動電話機的形狀，較佳為至少使外殼7101、顯示部7102以及蓄電裝置7104具有撓性。另外，較佳為在外殼7101與顯示部7102之間、外殼7101與蓄電裝置7104之間或顯示部7102與蓄電裝置7104之間設置緩衝層。

另外，在一個實施方式中描述的內容(也可以是其一部分的內容)可以應用於、組合於或者替換成在該實施方式中描述的其他內容(也可以是其一部分的內容)和/或在一個或多個其他實施方式中描述的內容(也可以是其一部分的內容)。

注意，在實施方式中描述的內容是指在各實施方式中利用各種圖式說明的內容或在說明書的文章中所記載的內容。

另外，藉由使在一個實施方式中示出的圖式(也可以是其一部分)與該圖式的其他部分、在該實施方式中示出的其他圖式(也可以是其一部分)和/或在一個或多個其他實施方式中示出的圖式(也可以是其一部分)組合，可以構成更多圖式。

另外，關於在說明書中的圖式或文章中未規定的內容，可以規定發明的一個方式不包括該內容而構成。另外，當有某一個值的數值範圍的記載(上限值和下限值等)時，藉由任意縮小該範圍或者去除該範圍中的一部分，可以規定發明的一個方式不包括該範圍的一部分。由此，例如，可以規定習知技術不包括在本發明的一個方式的技術範圍內。

作為具體例子，假設將某一個電路記載為包括第一至第五電晶體的電路的電路圖。在該情況下，可以將發明規定為該電路不包括第六電晶體。也可以將發明規定為該電路不包括電容元件。再者，可以規定為該電路不包括具有特定連接結構的第六電晶體而構成發明。還可以規定為該電路不包括具有特定連接結構的電容元件而構成發明。例如，可以將發明規定為不包括其閘極與第三電晶體的閘極連接的第六電晶體。或者，例如，可以將發明規定為不包括其第一電極與第三電晶體的閘極連接的電容元件。

作為其他具體例子，假設將某一個值例如記載為“某一個電壓較佳為3V以上且10V以下”。在該情況下，例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該電壓為-2V以上且1V以下的情況。例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該電壓為13V以上的情況。例如，可以將發明規定為該電壓為5V以上且8V以下。例如，可以將發明規定為該電壓大約為9V。例如，可以將發明規定為該電壓是3V以上且10V以下但不包括是9V的情況。注意，即使記載為“某一個值較佳為某個範圍”、“某一個值最好滿足某個條件”，該某一個值也不侷限於該記載。換言之，“較佳”、“最好”等的記載並不一定意味著需要受限於該記載。

作為其他具體例子，假設將關於某一個值例如記載為“某一個電壓較佳為10V”。在該情況下，例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該電壓為-2V以上且1V以下的情況。或者，例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該電壓為13V以上的情況。

作為其他具體例子，假設將關於某一個物質的性質例如記載為“某一個膜為絕緣膜”。在該情況下，例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該絕緣膜為有機絕緣膜的情況。例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該絕緣膜為無機絕緣膜的情況。例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該膜為導電膜的情況。或者，例如，可以將發明的一個方式規定為不包括該膜為半導體膜的情況。

作為其他具體例子，假設將某一個層疊結構例如記載為“在A膜與B膜之間設置有某一個膜”。在該情況下，例如，可以將發明規定為不包括該膜為四層以上的疊層膜的情況。例如，可以將發明規定為不包括在A膜與該膜之間設置有導電膜的情況。

此外，在本說明書等中記載的發明的一個方式可以由各種各樣的人實施。但是，有時多個人參與該實施。例如，在收發系統中，A公司製造銷售發送器，而B公司製造銷售接收器。作為另一個例子，在具有電晶體及發光元件的發光裝置中，A公司製造銷售形成有電晶體的半導體裝置。然後，B公司購買該半導體裝置，在該半導體裝置中形成發光元件，而完成發光裝置。

在此情況下，可以將發明的一個方式構成為可對A公司和B公司中的兩者主張侵犯專利。換言之，可以將發明的一個方式構成為僅由A公司實施，作為發明的另一個方式，也可以將發明的一個方式構成為僅由B公司實施。另外，可對A公司或B公司主張侵犯專利的發明的一個方式是明確的，且可以判斷是記載於本說明書等中的。例如，關於收發系統，即使在本說明書等中沒有僅包含發送器的結構的記載或僅包含接收器的結構的記載，也可以僅由發送器構成發明的一個方式，還可以僅由接收器構成發明的另一個方式，這些發明的一個方式是明確的，且可以判斷是記載於本說明書等中的。作為另一個例子，關於包含電晶體及發光元件的發光裝置，即使在本說明書等沒有僅包括形成有電晶體的半導體裝置的結構的記載或僅包括具有發光元件的發光裝置的結構的記載，也可以僅由形成有電晶體的半導體裝置構成發明的一個方式，還可以僅由具有發光元件的發光裝置構成發明的一個方式，這些發明的一個方式是明確的，且可以判斷是記載於本說明書等中的。

另外，在本說明書等中，即使未指定主動元件(電晶體、二極體等)、被動元件(電容元件、電阻元件等)等所具有的所有端子的連接目標，所屬技術領域的普通技術人員有時也能夠構成發明的一個方式。就是說，可以說，即使未指定連接目標，發明的一個方式也是明確的。並且，當指定了連接目標的內容記載於本說明書等中時，有時可以判斷未指定連接目標的發明的一個方式記載於本說明書等中。尤其是在端子連接目標有可能是多個的情況下，該端子的連接目標不必限定在指定的部分。因此，有時藉由僅指定主動元件(電晶體、二極體等)、被動元件(電容元件、電阻元件等)等所具有的一部分的端子的連接目標，就能構成發明的一個方式。

另外，在本說明書等中，只要至少指定某一個電路的連接目標，所屬技術領域的普通技術人員就有時可以構成發明。或者，只要至少指定某一個電路的功能，所屬技術領域的普通技術人員就有時可以構成發明。就是說，可以說只要指定功能，發明的一個方式就是明確的。另外，有時可以判斷指定了功能的發明的一個方式是記載於本說明書等中的。因此，即使未指定某一個電路的功能，只要指定連接目標，就算是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。另外，即使未指定某一個電路的連接目標，只要指定其功能，就算是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。

注意，在本說明書等中，可以在某一個實施方式中示出的圖式或者文章中取出其一部分而構成發明的一個方式。從而，在記載有說明某一部分的圖式或者文章的情況下，取出的圖式或者文章的一部分的內容也算是所公開的發明的一個方式，所以能夠構成發明的一個方式。並且，可以說該發明的一個方式是明確的。因此，例如，可以在記載有主動元件(電晶體、二極體等)、佈線、被動元件(電容元件、電阻元件等)、導電層、絕緣層、半導體層、有機材料、無機材料、零件、裝置、工作方法、製造方法等中的一個或多個的圖式或者文章中，可以取出其一部分而構成發明的一個方式。例如，可以從由N個(N是整數)電路元件(電晶體、電容元件等)構成的電路圖中取出M個(M是整數，M<N)電路元件(電晶體、電容元件等)來構成發明的一個方式。作為其他例子，可以從由N個(N是整數)層構成的剖面圖中取出M個(M是整數，M<N)層來構成發明的一個方式。再者，作為其他例子，可以從由N個(N是整數)要素構成的流程圖中取出M個(M是整數，M<N)要素來構成發明的一個方式。作為其他的例子，當從“A包括B、C、D、E或F”的記載中任意抽出一部分的要素時，可以構成“A包括B和E”、“A包括E和F”、“A包括C、E和F”或者“A包括B、C、D和E”等的發明的一個方式。

在本說明書等中，當在某一個實施方式中示出的圖式或文章示出至少一個具體例子的情況下，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是可由上述具體例子導出該具體例子的上位概念。從而，當在某一個實施方式中示出的圖式或文章示出至少一個具體例子的情況下，該具體例子的上位概念也是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。因此，可以說該發明的一個方式是明確的。

另外，在本說明書等中，至少示於圖式中的內容(也可以是其一部分)是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。因此，即使在文章中沒有該某一個內容的描述，如果該內容示於圖式中，就可以說該內容是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。同樣地，取出圖式的一部分的圖式也是所公開的發明的一個方式，而可以構成發明的一個方式。因此，可以說該發明的一個方式是明確的。