TWI343285B - Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids - Google Patents

Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids Download PDF

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TWI343285B
TWI343285B TW95111264A TW95111264A TWI343285B TW I343285 B TWI343285 B TW I343285B TW 95111264 A TW95111264 A TW 95111264A TW 95111264 A TW95111264 A TW 95111264A TW I343285 B TWI343285 B TW I343285B
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Description

i343285 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用於以包括液體及氣體之一或多處理流體 來處理微電子基板之工具。特定言之，本發明係關於包括 可移除且可裝載之隔板構件的工具，該等隔板構件被定位
成可打開及關閉，以有助於界定用於收集及回收已使用過 之處理流體之一或多個導管的邊界。 【先前技術】 微電子工業倚賴各種 j ^ ^ ^ ^ ^ 4 ^ ^ 多製程牽涉到連續的處理，其中不同種類的處理流體會依 …、所想要的製法而接觸該工件。這些流體可以係液體、氣 體或其組合。在某些處理中，固體可能會懸浮或溶解在一 液體中或者被承載於一氣體中。基於各種不同理由，極企 望可捕獲及回收這些處理流體，這些理由包括適當棄置、 循環使用、煙氣阻遏、製程監測、製㈣制或其他處置。 亡—種捕獲技術係牽涉到利用適當定位之導管以捕獲處理 ’流體。例如，在微雷； 業中之一種典型的製造工具係牽 涉到將一處理腔室中 _ — 或夕個工件支撐於一適當支撐件 -或多個平台板、轉動的轉盤或可轉動的夹盤。 圍：本-严二二位成至少部分地圍繞該支撐件之外部周 以輔助將該處理流體 廢軋可被用 動支撐件，離心力 或户個導…相對於轉 流體從該旋轉轴徑 *才疋轉工件及/或支擇表面上之 月外〜動且流入至該（等）導管中。 I09752.doc 1343285
傳統上，一工具可包括一單一導管以捕獲不同的處理流 體。然而，使用一類似於此之單一導管並不適用於所有場 合。例如，某些處理流體在其他處理材料存在的情況下可 能會具有過度的的反應性。在某些時候，可能需要利用不 同的捕獲條件來捕獲不同的流體。在某些其他時候，諸如 當需要循環使用時，有可能需要將一流體捕捉於—指定導 管’以避免受其他流體污染。 因此，已有使用包含多個疊置且彼此固定之導管的工 具。該工件支撐件及/或該等疊置導管本身的任—者可被升 高及降低，以將該適當的導管攜帶至定位。此傳統的措施 存在有嚴重的缺失。該等疊置導管造成高密度工具封裝更 為困難。該等不同的導管亦可能會受到相互污染，因為其 恒通向該工件及/或廢氣量無法被獨立控制。某些傳統的導 管系統亦未具有將一廢氣流之液體及氣體構成物分開的能 力。在某些工具中，其中該等導管結構本身係可移除的月，b 因此至外界配管的排流及廢氣連接亦必須移動’如此會增 加工具設計、製造、使用及維修的過度複雜。 因此，在微電子卫業中持續存在有1要’亦即提供簡 潔的工具，但其仍然具有多個導管以捕捉不同種 理 流體。 【發明内容】 本發明提供一種使用在工具 電子工件係以包括液體、氣體 些物質的組合等等之處理流體 中之新穎導管系統，其中微 、流體化固體、散佈物 '這 來予以處理。該等導管係用 109752.doc 1343285 =捕獲各種不同的處理流體，以進行时、棄置或其他處 X不同的處理流體可在不同的、獨立的導管中被回收， 以減少交互污染及/或針對 +门心體而使用獨特的捕獲架 構〇
八树明之導管系統係極為簡潔的，導管系統係至少部 刀藉由可移除且可裝載導管結構所界定，#中部分的導管 通路可存在於這些結構之間及/或介於在工具中之這些與 :他結構之間。例如，當該等結構相對移動離開時，一導 管通路打開且在這些結構之間錢m等結構相對移 動靠近時’在料結構之間㈣管被堵住且在尺寸上被減 小。在較佳實施例中’多個導管可存在於相同的空間體積， ，取決於如何定位該等可移除的導管結構。因&，多個導 管可佔據-體積’其僅略大於由一單一導管所佔據的體積。 該等可移除的導管結構係較佳地流 構’使得排流及介於工具與外部配管 固定且不需要移動。 體耦接至固定導管結 之間的排氣連接部被 在態樣中，本發明係關於一種用於處理一微電子工件 之設備。該設備包括一使該工件在一處理期間被定位於其 上之支撐件。該設備亦包括複數個可移除且可裝載的隔板 構件，其界定複數個導管通路之至少具有接近該工件之一 外部周圍之各別導管入口的部分。 在另態樣中’本發明係關.於一種用於處理一微電子工 件之設備。該設備包括一使該工件在一處理期間被定位於 其上之可轉動支撐件◊該設備亦包括複數個可移除隔板構 109752.doc 1343285 件，其界定至少一第一導管通路於該等隔板構件之間且 具有接近該可轉動工件之—外部周圍之— 八口。該等隔板 構件相對於彼此之位移可打開及堵住至少 /砀第一導管通 路。 在另一態樣中，本發明係關於一種用於處理—微電子工 件之設備。該設備包括一外殼及一可轉動支撐件，其被定 位在該外殼中，且該工件被定位於其上以進行處理了2 備包括#數個具有#近該可轉動工件之—外部周圍之各別 入口的導管通路。每-導管通路係至少部分藉由包含複數 個距離可轉動工件較遠之固定導管結構及複數個獨立可移 除隔板構件之結構所界定，該等獨立可移除的導管結構係 較為接近於該可轉動工件且其界定導管通路部分，:: 通路部分係流體式地耦接至各別的固定導管鈇構。 g 在另-態樣中，本發明係關於—種用於處：_微電子工 件之設備。該設備包括-使以件在—處理_被定位於 其中之處理腔室。-阻隔件結構以一種有助於提供一接近 該工件之-主要表面的漸細流動通道的方式橫置且覆蓋該 工件。 在另-態樣中’本發明係關於一種用於處理一微電子工 件之方法。該工件被定位在一處理腔室中。 以一種有助於提供一接近該工件之一 仟、、°構 通道的方式橫置且覆蓋該工件，該 面的漸細流動 漸〜動通道係在一相 對於§亥表面而徑向朝外方向上呈漸細狀。在該工件被定位 在該處理腔室且由該阻隔件結構二 τ 芏少一處理材 109752.doc 10· 1343285 料被造成流動式地接觸該工件之該主要表面。 在另一態樣中，本發明關於一種設備，其包括一使該工 件在一處理期間被定位於其中之處理腔室。一阻隔件結構 以一種有助於提供一接近該工件之一主要表面的漸細流動 通道的方式橫置且覆蓋該工件，該漸細流動通道係在—相 對於该表面而徑向朝外方向上呈漸細狀。該阻隔件結構係 可控制地移動通過一運動範圍，該範圍包括一第一位置及 一第一位置，在該第一位置中，該處理腔室係被充分打開 以使該工件來回傳送於該處理腔室，且在該第二位置中， 該阻隔件結構有助於導引流經該主要表面的至少一材料。 在另一態樣中，本發明關於一種喷嘴裝置，其包含—具 有下方表面之環狀本體，當該本體被定位在該工件表面 上時，該下方表面具有角度以有助於界定一漸細流動通道 ; 牛表面上。至少一喷嘴，其以一種可有效向下施配 :或：種處理材料於該工件表面上之方式與該環狀本體整 。在起^ 6亥裱狀本體包括一或多種處理材料供應導管， 使得-或多種處理材料可經由該等導管而被供應至該至少 j另—態樣中，本發明關於一種喷嘴裝置，其包含一具 2下方表面之環狀本體，當該環狀本體被定位在該工件 通道於—工以有助於界定-漸細流動 — 面上。遠壞狀本體包含一内部周圍，直界 疋一中央通路，該通道在一位在 /、 -位在4立在4狀本體上方之體積與 Μ %狀本體下方之體積之間 w间k供出路。一臂結構被 109752.doc ^43285 耦接至該環狀本體且以一有助於界定第一_ ^ 久禾一通路部分 之方式而大致延伸橫越過該中央通路。至少一第—D刀 的噴嘴陣列，其以一種使該第一陣列至少部分地沿著 結構及該環狀本體之一第一半徑延伸的方式與該環狀= 整合在一起，且其延伸方式係可有效向下施配—或 理材料於該工件表面上。至少1立喷嘴，其以_ = ‘ 效向下施配一或多種處理材料於該工件之一中央邛八上 =式與該中央臂整合在一起。至少一獨立喷嘴，、；:; = 成用以從一流動路徑來施配一或多個處理材料於該工件 上，該流動路徑延伸通過該等中央流動通路部分之^少一 者。 在另一態樣中，本發明關於一種喷嘴裝置，其包含一第 —噴嘴結構，經由此㈣結構，—或多種處理材料獨立地 以霧化方式被施配在一工件表面且橫越該工件表面之一半 /的至分，一第二喷嘴結構，經由此喷嘴結構，一 或多種處理材料獨立地被施配在該工件表面之一中央部分 上；及-第三嘴嘴結構，經由此喷嘴結構，一或多種處： 材料被獨立地導人至—你& # τ μ ± 二 也导入至位在忒工件表面上方的頭部空間 中·亥第 第一及第二喷嘴結構係可相對於該工件表面 而移動。 在另也樣中，本發明係關於一種用於處理一微電子工 件之設備。該設備包括一使該工件在一處理期間被定位於 其中之處理腔室及-可移動構件’該構件包含一具有一貫 孔的管部分。該可移動構件被定位在該工件上方且可相對 I09752,doc -12· 1343285 於該工件之一主要表面而移動。至少一獨立喷嘴結構被實 體耦接至該可移動構件，使得該可移動構件之運動會造成 介於該工件之主要表面與該喷嘴結構之間的相對間距被可 控制地*周整。在該管部分之貫孔中的至少一流體供應通路 .之至少一部分被流體式地耦接至該獨立噴嘴結構與工件之 , 至少一者。 . 在另一態樣中，本發明係關於一種用於處理一微電子工 φ 件之設備。該設備包括一使該工件在一處理期間被定位於 八中之處理腔至，及一頂板結構，其以一種可提供一距該 處理腔至較遠之第一區域及一較接近該處理腔室之第二區 域的方式橫置於該處理腔室上。該頂板結構包含一帶壁的 渠管’其在該第一及第二區域之間提供出路。一可移動構 件被封圍在該帶壁的渠管中。該構件包含至少—管部分， - 其具有一第一埠口以提供從該第一區域進入至該貫孔之出 - 路。該可移動構件係可相對於該帶壁渠管及相對於該工件 • 而移動。一喷嘴結構以一種使得該喷嘴結構被定位成可施 配一或多種處理材料至該處理腔室中的方式而被耦接至該 可移動構件。 【實施方式】 以下將說明之本發明的實施例並非係詳盡無遺或者將本 發明限制於以下詳細說明中所揭示的精準型式。相反地， 這些實施例係經選擇且描述，使得熟習此項技術之其他人 士可以體會及瞭解到本發明的原理及實務。儘管本發明將 以流體式微電子基板清潔系統的詳細内容來予以說明然 ]〇9752.d〇c • 13 · 1343285 而=明之原理亦可應用於其他的微電子程序系統。 了 示一示例性工具1〇,其採用本發明之原理。為 了闈釋之目的，工具10係_ pa 4+ 八中將早-工件12於任一 時間封圍在該工具咐且受到一或多個處理的類型，且在 5玄專處理中，核：用一^ ^ ^ -夕種液體及/或氣體來接觸該工
;理在Γ子工業中，例如，工具10可被稱之為—單晶圓 處理工具。工件]2係典型地為—半導體晶圓 微電子基板。 工具H)通常包括-主要總成處理部分"及阻隔件施配部 分5〇〇。在實際使用上’該施配部分5〇〇及處理部分"可被 安裝至一框架(未圖示)且被封圍在工具1〇之-外殼(未圖示) 中。此安裝能以任何方式產生，諸如經由螺絲、螺栓、鉚 釘、接著劑、焊接、甜夹、托架、上述的組合等等。然而 較佳地，該等部分U及500及/或其組件係獨立地且可移除 地安裝，以有助於維修、保養、升級及/或更換。 處理部分11通常包括一基座14，其至少部分地由基座盤 16及周圍側壁18所形成。基座盤16及側壁18可以由彼此以 螺絲結合、螺栓結合、黏合、焊接或其他方式附接在一起 的部件所形成。或者，基座盤16及侧壁18可如圖示一體成 型為一單一部件。 在此一特佳實施例中’三對環狀且大致為同心的壁22及 23、24及25以及26及27從該基座盤16向上突伸而出。這些 壁有助於界定廢氣空間29、30及31以及排流槽52、53、54 及55。該等廢氣空間29、30及31以及該等排流槽52、53及 109752.doc -14- 1343285 54構成三個獨立且可裝載的廢氣導管通路mo、338及346 的部分’此將在下文中進一步說明。當然，本發明之其他 代表性實施例可視需要而包括更少或更多的此等導管的數 量’且在此例中，亦將適當地提供更少或更多的廢氣空間 及排流槽的數量。 再者’在圖示之工具10之實施例中，該等導管33〇、338 及346較佳地係彼此獨立且分開的，其中每一此等導管具有 其各自的該（等）廢氣空間及該（等）排流槽，有利地，這使得 個別的廢氣流可在處理程序的排氣及/或其他階段被獨立 地處理。這基於數種理由係恰當的。例如，可適當地回收 一廢氣流之液體構成物來循環使用。針對此液體構成物使 用一指定的廢氣導管可避免與其他流體交互污染。在其他 實例中，其可以在不同的條件下排放不同的流體。因此， 在許多實例中使用獨立及分開的廢氣導管通路係較佳的。 然而，在其他實施例中，尤其在需要更為簡潔設計的例子 中，兩個或以上的廢氣導管可共用一排流槽及/或一廢氣空 間。 壁2 2及2 3之頂部邊沿3 3及3 4界定一大致環狀廢氣入口 35 ’ 一廢氣流可藉此入口而進入内部廢氣空間29 ^廢氣空 間29之底部包括―或多個廢氣出口物，—廢氣流可經由 此出口埠而離開内部廢氣空間29。以相同的方式，壁“及 25之頂部邊沿38及39界定一環狀廢氣入口 4〇，一廢氣流可 經由該入口而進入至中間廢氣空間3〇。空間3〇之底板包括 一或多個廢氣出口埠49, 一廢氣流可經由該出口埠而離開 J09752.doc 丄343285 中間廢氣空間30。再者，在相同的方式中，壁26及27之頂 邛邊沿43及44界定—環狀廢氣入口 45，一廢氣流可藉由該 入口而進入至外部廢氣空間31。空間31之底板包括一或多 個廢氣出口埠50，—廢氣流可經由該出口埠而離開該外部 廢氣空間3 1。 每一排流槽52、53、54及55分別地包括一底板％、57、 ”及59。每-底板56、57、58及59分別地包括一或多個排 流出口，諸如出口 63及67’所收集的液體可經由該等出口 而離開該對應的m㈣排流槽52之底板56係適當地 傾斜以將所收集的液體導引至該（等）排流出口 63。底板57、 貪b以相同方式予以傾斜。各個排流出口係配備有排 流聯結器62或68 ’以有助於連接至適當的排流配管(未圖 示）。 在如圖示的較佳實施例令，包括有軸桿腔孔7〇之複數個 致動器軸桿外殼69被定位在内部廢氣空間29中。這些外殼 基本上將内部廢氣空間29再細分為三個副空間。為了有助 於使廢氣均勾流經整體廢氣空間，其因此較佳地在每一副 二間中提供—或多個廢氣蟑口。軸桿外殼的及腫孔7〇提供 用於欲耗接於其上之致動器軸桿314的人口且藉此控制可 細作地鳴合内部廢氣空間29之内部隔板構件m的運動。以 式’包括軸桿膛孔72之致動器抽捍外殼乃被定位 /氣空間3G且提供欲被_接於其上之致動H㈣ (未圖的入口，且藉此控制可操作地喃合中間廢氣空間3。 隔板構件218之運動。再者，以相同的方式，包括 I09752.doc • J6· 1343285 軸桿膛孔76之致動器軸桿外殼75被定位在外部廢氣空間3 1 中且提供欲被耦接於其上之致動器軸桿326之入口，且藉此 控制可操作地嚙合外部廢氣空間31之外部隔板構件262的 運動。 基座盤16之中央區域包括中央貫孔78。中央貫孔78如圖 所示較佳地大致呈圓形截面，但亦可視需要來提供其他的 幾何形狀。圓柱形内部凸緣80從基座盤16向上突伸且有助 於界定圓柱形内部側壁82及外部側壁84。外部側壁84在其 頂部邊沿包括肩部90，且内部側壁82在其下方邊沿包括一 肩部92。 在該處理腔室503中，工件12由夾盤94所支撐且固持。夾 盤94在形狀上係大致呈圓柱形且包括一上方表面％、下方 表面98、環狀基座1〇〇、中央貫孔1〇2、位在外部周圍之側 壁104及環狀喷濺擋板108。夾盤94可以固定不動，或者可 繞一中央軸線106而轉動。為了闡釋之目的，該等圖式闡釋 工具10之一實施例，其中夾盤94係由馬達11〇可轉動地驅 動，使得工件12在一處理期間可繞軸線1〇6而旋轉。在工件 12係藉由一轉動夾盤94所轉動的這些實施例中，此旋轉有 助於將施配的處理材料均勻地散佈於該工件12。馬達ιι〇可 以係具有中央膛孔112之中空軸桿型馬達，且其藉由諸如安 裝結構114之傳統措施而被安裝至工具1 〇。 壤狀喷濺擋板108從夾盤94之下方表面98向下延伸。遮罩 108之下方端部109被裝载在内部凸緣8〇之肩部％中且有 助於防止液體噴濺於内部凸緣8〇上且然後達入至中央貫孔 109752.doc 17 1343285 78。在夾盤94為可轉動的實施例中，在遮罩1〇8與該肩部9〇 之壁之間具有一間隙，以避免使該遮罩1〇8與該肩部壁彼此 摩擦，因為這會在該夾盤94轉動時產生不當的碎屑。 夾盤94可以依照目前或以後發展的習知實務而以各種不 同方式來牢固工件12 ^較佳地，夾盤94包括邊緣握持結構 (未圖示），其牢固地固持工件12於夾盤94之上方表面外上 方，使得在工件12與該上方表面96之間具有一間隙。因此， 處理化學物質（包括清洗水）可被施配在工件丨2之上方表面 128或下方表面130的其中一者上。 視情況而定，工具10可包括一或多個施配結構，以處理 工件12之下方表面130 〇 一示例性背側施配機構被顯示為一 大致圓形的施配頭部136，其中一或多個處理化學物質可經 由複數個喷嘴孔口（未圖示）而被施配朝向工件〗2之下方表 面130。處理化學物質經由貫穿夾盤94之中央膛孔ι〇2及馬 達110之中央腔孔112的軸桿138而被供應至背面施配頭 136。在夾盤94轉動的實施例中，在軸桿138與中央膛孔1〇2 及112之間具有間隙，使得該等部分不會隨著該夾盤％轉動 而摩擦。該背面施配頭丨36被牢固至一或多個視需要予以供 應或混合之欲施配之處理材料的供應部（未圖示）。 環狀滴環156被安裝至基座盤16而靠近内部凸緣8(^滴環 156大致包括底板】58、内壁160、中間壁162 '彎曲頂部邊 沿164及外壁166。底板158向下彎曲以大致配合.在排流槽μ 中之底板56的斜度且貼靠於該底板。滴環156之内壁“ο係 貼靠於内部凸緣80之下方側壁部分86。中間壁丨62向外輕搖 109752.doc •18· 1343285 而使得在中間壁I 62與該夾盤94之側壁1 〇4之間具有一間 隙。彎曲的頂部邊沿164在中間壁162與外壁1 66之間提供一 平順的過渡區域。這有助於當一廢氣流流經滴環156且進入
至以下將進一步說明之一或多個開口導管時之一平順的流 動。在本實施例中之彎曲的頂部邊沿164略突伸於夾盤94 之上方表面96。以此方式，從夾盤94及/或工件12向外旋轉 的某些液體會被捕捉在由滴環1 56所形成的捕捉槽1 70中。 排流埠1 72被設置在由底板1 5 8與中間壁1 62所形成之滴環 156之下方部分中，以允許被收集在捕捉槽中之液體可 排流至排流槽52中。 工具10進一步包括複數個可移除且可裝載之隔板構件 1 74、2 1 8及262，在此特定實施例中，其數量係大致對應於 廢氣空間29、30及31之數量。該等隔板構件174、218及262 可有利地相對於彼此而各自獨立地移動’以選擇性地且可 控制地打開及/或堵住一或多個可使從工件12及/或夾盤叫 徑向朝外流動之廢氣流可流入於其中之廢氣導管。該等隔 板構件m、218A262進-步界定此一或多個廢氣導管之邊 界的至少一部分’且因此有助於導引廢氣流流經該⑺導 管。該等隔板構件174、218及262兼具可視需要而移動及裝 載的能力射使彳可更為簡潔，其巾其邊界至少部 分由這些隔板構件所界定的多個導f之部分所佔據的空間 體積極接近於如同僅有一單一導普 重*早導&所佔據的相同體積。基 於各種理由，簡潔化係重要的，這 里由包括最低所需疊 置问度'更易於封裝、較小的工具尺寸等等。 '09752.doc 1343285 内部隔板構件1 74大致上包括環狀隔板i 76及環狀隔板罩 蓋194。雖然板1 76及罩蓋194可形成為一單一整體部件，然 而較佳地，這些部件係獨立部件，其可固定或者牢固在一 起，以易於工具10之組裝、保養及維修。環狀隔板176具有 上方表面178、下方表面U0、捿近失盤94之外部周圍的内 部邊沿182、外側壁凸緣186及内側壁凸緣19〇。在環狀隔板 1 76之組件當中的這些表面係藉由平順的過渡區域而連 接，以有助於廢氣平順地流經於内部隔板構件i 74的上方及 /或下方。由外側壁凸緣1 86及内側壁凸蝝19〇所提供之該雙 層壁結構提供多種功能》就一功能而言，這些凸緣I Μ及I 90 提供一牢固、剛性方式來將環狀隔板】76牢固至對應的環狀 隔板罩蓋1 94。針對該等隔板構件】74、2 1 8或262的任一者 而言，該各別隔板能以任何適當方式來附接至對應的罩 蓋。較佳的措施係非永久性附接，使得該等部件在維修及 保養之後可以容易地分開且更換。使用該等凸緣】86及1 兩者亦可使其更易於視需要在内部隔板構件174的上方及 下方界定平順的流動通道。 環狀隔板罩蓋194安裝且包圍廢氣空間29之廢氣入口 35。内部隔板構件174係可上下平移，使得罩蓋194之對應 的上下運動會依照所要的程度來打開及堵住該廢氣入口 35。此外’罩蓋194包括有助於在排流槽52中提供排流陷留 功能的結構。這有助於將流經排流槽52之廢氣流之液體及 氣體構成物分開。此等經分開的構成物可被獨立地回收， 以視需要來予以棄置、循環使用、再反應或其他的處置^ l09752.doc •20· 1343285 就一額外功能而言，罩蓋194有助於將廢氣空間29與其邊界 被進一步至少部分由該環狀隔板176之下方表面18〇所界定 之導管通路的一部分流體式地耦接在一起。 洋言之’環狀隔板罩蓋丨94包括帽蓋板i 96、内部凸緣 198 '外部ώ緣2〇6 '下方端部202及内部表面2〇4。帽蓋板 196係大致定位在廢氣入口35的上方，且有助於在廢氣入口 35上方界定一頭部空間2〇8。當内部隔板構件174降下時， 頭部空間208之體積會隨著帽蓋板迫近而減少，且因此堵住 流體流入廢氣入口 35。内部隔板構件1 74可適當地被降下足 夠的距離’使得帽蓋板196安置抵住且封閉廢氣入口 35。當 該内部隔板構件174被上升時，在廢氣入口 35上方之頭部空 間208的體積會隨著帽蓋板196移動遠離而增加，且藉此增 加流動至廢氣入口 3 5的入口。 内部凸緣198與環狀壁22隔開以提供一流體式地耦接排 流槽52至頭部空間208的流動通道200 »内部凸緣198之下方 端部延伸於邊沿33及34的下方，這有助於界定通至廢氣空 間29的廢氣入口 35。以此方式，内部凸緣198構成一屏障， 其堵住進入至排流槽52之廢氣流直接流入至廢氣空間29。 相反地，此一廢氣流必須向下流向底板5 6，圍繞内部凸緣 ]98之下方端部，且然後在經由頭部空間208而快速進入至 廢氣入口 35之前會向上流經該流動通道200。因此，内部凸 緣198之定位及構形有助於提供在排流槽52中的陷留功 能。在一流經排流槽5 2之廢氣流中的液體構成物將具有— 被收集在排流槽52中的較大傾向，而氣態構成物將具有— I09752.doc 21 1343285 流經排流槽52且進入至廢氣空間29中的較大傾向。 為有助於促進此一陷留功能性，内部凸緣198之内部表面 係設置有表面特徵，其有助於液體凝結或者收集在該内部 表面上。以此方式被收集的液體接著便可滴下或者向下流 動至底板56’使得液體在該處經由該（等）排流埠〇而被回收 . 則乍進-步處置。如圖示之較佳的表面特徵包括一系列的 ，三角形突起21(3。每—個三角形突起210被定向成使得其頂 • 點212朝上（面向進入的廢氣流），而其基底214係向下的（遠 離進入的廢IL流）。一般相#正對流入之廢氣流的相當尖銳 的頂點2 1 2係可加強液體收集。大體而言，使用一較多數量 的突起210係有助於液體陷留。然而，在内部凸緣198上= 這些特徵的密度係使該等三角形突起21〇之基底214可充分 地隔開，使得被收集在該等突起之側邊上的液體可以被快 ' 速地滴下或向下流至底板5 6。 . 外部凸緣206向下延伸且充分靠近環狀壁23，以大致防止 鲁廢氣在外部凸緣206與環狀壁23之間流動。為了減少由於摩 擦接觸而產生碎屑的風險，最好在環狀壁23與外部凸緣2〇6 之間具有一小間隙。當一廢氣被拉引通過廢氣空間29時， 此I、达的間隙空間提供足夠高的流動阻抗，使得幾乎所有 的廢氣將被拉引通過空間29。 中間隔板構件2 1 8係類似於内部隔板構件1 74且包括環狀 隔板220與環狀隔板罩蓋238。環狀隔板220包括上方表面 ~22下方表面224、内部邊沿226、外部凸緣230及内部凸 緣234。環狀隔板罩蓋238包括有助於界定頭部空間252之帽 109752.doc •22· 1343285 蓋板240、有助於界定一流經該流動通道244且具有下方端 部246及内部表面248之流動路徑的内部凸緣242、外部凸緣 250及具有頂點256及基底258的三角形突起254。中間隔板 構件2 18之罩蓋238係可操作地包圍中間廢氣空間30且有助 '於在中間排流槽5 3中提供陷留功能。此外，内部隔板構件 • 1 7 4及/或中間隔板構件2 1 8係可移除的，使得内部隔板構件 1 74可裝載在中間隔板構件2 1 8中，且藉此可變化地堵住、 鲁 關閉或者限制介於兩者之間的材料的流動。或者，該兩隔 板構件174及218可被分開，以可變地打開介於兩者之間的 流動路徑。 外部隔板構件262係類似於内部隔板構件1 74及中間隔板 構件2 1 8且包括環狀隔板264與環狀隔板罩蓋282。環狀隔板 264包括上方表面266、下方表面268 '内部邊沿270 '外部 ' 凸緣274及内部凸緣278。環狀隔板罩蓋282包括有助於界定 . 頭部空間296之帽蓋板284、有助於界定—流動通道288且具 # 有下方端部290及内部表面292的内部凸緣286、外部凸緣 294及具有頂點300及基座3〇2的三角形突起29卜外部隔板 構件262之罩蓋282係可操作地包圍外部廢氣空間3丨且有助 於在外部排流槽54中提供陷留魏。此外，外部隔板構件 262係可相對於内部隔板構件m及/或中間隔板構件⑽而 移除的’使得中間隔板構件218可裝載在外部隔板構件加 中，且藉此可變化灿接_ /士 aa eg λ. 史匕地堵住、關閉或者限制介於兩者之間的 材料的流動。或者，續雨眩）Α 以兩隔板構件218及262可被分開，以 可變地打開介於兩者之間的流動路徑。 J09752.doc •23· 1343285 工具ίο包括一或多個致動機構，其可獨立地致動該等隔 板構件174、218及/或262之一或多個，以允許這些屏障能 夠可控制地且可變地移動且相對於彼此來裝載。用以移動 隔板構件1 74及262之較佳的致動機構係顯示在圖式中。用 於中間隔板構件21 8之該等致動機構係可相似的。針對内部 隔板構件174而言，内部隔板致動馬達312(馬達318係用於 中間隔板構件21 8)係以一端耦接至對應的軸桿3丨4且以另 一端耦接内部隔板構件1 74。該等軸桿3 14被封圍在外殼69 之膛孔70中且可於其中上下移動。若干密封件316有助於防 止這些外通區域的洩漏。因此，内部隔板構件1 74可相對於 中間隔板構件2 1 8及外部隔板構件262而獨立地移動。 以相同方式，外部隔板致動馬達324以一端耦接至對應軸 桿326而以另一端耦接隔板構件262。該等軸桿326被封圍在 外殼75之膛孔76中且可於其中上下移動。若干密封件328 有助於防止這些外通區域的洩漏。因此，外部隔板構件2 62 可相對於内部隔板構件174及中間隔板構件218而獨立地移 動。 該等隔板構件1?4、218及262係一簡潔且可控制的多導管 系統的特徵，其可用以收集及排放來自於處理腔室5〇3之處 理流m統之該等導管的—或多個係、可在任—時間可 變化地打開及/或堵住。在諸圖式中所騎的較佳實施例 中’每-廢氣導管係彼此獨立且分開。這允許使用經由不 同導管排放廢氣流之不同的排氣牟 u J饼轧罙構。再者，不同的處理 材料可被收集在不同的導管中右 叼导s宁以有助於循環使用而不會過 I09752.doc •24· 1343285 度地父互污染，其令若一被循環使用的處理材料從一與其 他材料—起制的導管回收時便有可能會發生此交互 染。在-典型的處理中’ 一或多種處理流體被施配在工件 12之-或兩表面上。t夾盤94及所連帶之工件叫動時， 處理化學物質傾向於徑向朝外流動且進人至適當打開的該 (等)廢氣導管中。適宜地，一廢氣可被拉引通過該(等)打開 的導管，以有助於將材料拉引入該（等）導管中。拉引此—廢 氣亦有助於控制顆粒及煙塵。微量的廢氣可被供應至封閉 的導管’以有助於防止交互污染。在該夾盤94及所連帶之 工件12為固定不動的這些實施例中，㈣―廢氣有助師 向朝外抽取處理材料且引人至該（等）適當的廢氣導管中。 ，因此’可瞭解到’工具10可具有許多可行的廢氣構形。 為了闡釋之目的’圖2至7顯示四個代表性排氣構形，其顯 示工具H)之多用途。圖2及3顯示在—排氣構形中之:具 10，其中一内料管通路咖係打開的。在此—構形中，所 有三個隔板構件m、218及262被上升且裝載在—起。這可 堵住在構件之間的流動’但打開通向導管通路別且位在内 部隔板構件m下方之環狀導管人口阳。該等隔板Μ、· 及264可被實體地碰觸以堵住在該等板之間的流動’這會 造成可能產生微粒的不當風險。因此，較佳地，該等板176、 220及264不會實際碰觸’但儘管如此仍可充份封閉以產生 足夠的流動阻抗’而使得幾乎所有的廢氣流流入至打開的 導管通路330中。 該環狀導管入口 332包圍工件以及夾盤％的外部周圍。該 109752.doc -25- 1343285 導s通路330從導管入口 332徑向朝外延伸一小段距離。導 s通路330接著向下移轉而在内部隔板構件174及滴環丨56 之外壁I66之間包括一更為轴向定位的流動通道。這將導管 通路33 0延伸至排流槽52中。該導管通路33〇接續於罩蓋 下方而通過流動通道2〇〇、進入至頭部空間2〇8中、經由廢 . 軋入口 35而進入至廢氣空間29中，且然後從出口埠36穿出 . 而進入至適當的配管，諸如内部廢氣歧管330。 φ 圖4顯不工具10之另一排氣構形，其中一中間導管通路 33 8破打開。在此構形中，内部隔板構件174被充分地降下 而使得進入該内部導管通路33〇的流動被堵住。内部隔板構 件1 74可貫體上接觸環狀滴環！ 56之彎曲頂部邊沿1 ，但更 佳的疋這些部件不會接觸而是彼此足夠靠近，以堵住該流 動。在此同時，帽蓋板196靠抵且堵住進入至内部廢氣空間 . 29之廢氣入口 35。在此同時，該中間隔板構件2 18及外部隔 . 板構件262兩者被升起而使得中間隔板構件218被裝載在外 • 部隔板構件262中。這會堵住在構件之間的流動，但打開通 向位在内部隔板構件174上方但在中間隔板構件218下方之 中間導管通路338的環狀導管入口 34〇。 該環狀導管入口 34〇包圍工件12及夾盤94的外部周圍。該 導管通路338從導管入口 340徑向朝外延伸一小段距離。導 管通路338接著向下移轉而在中間隔板構件218及内部隔板 構件174之間包括一更為軸向定位的流動通道。這將導管通 路338延伸至排流槽53中。該導管通路338接續於罩蓋2刊 下方而通過流動通道244、進入至頭部空間252中、經由廢 109752.doc -26- 1343285 氣入口 40而進入至廢氣空間3〇中，且然後從出口埠（未圖示） 穿出而進入至適當的配管，諸如中間廢氣歧管344。 圖5顯示工具1〇之另一排氣構形，其中一外部導管通路 346破打開。在此構形中，内部隔板構件174及中間隔板構 件218被降下及裝載，使得板176及22峨充分封閉而堵住進 .:至内部及中間導管通路330及338。在此同時，帽蓋板196 罪抵且封閉進入至内部廢氣空間29之廢氣入口 35 ,且帽蓋 φ 板240靠抵及封閉進入至中間廢氣空間30之廢氣入口4〇。在 此同時，外部隔板構件262被上升以藉此打開通至位在中間 隔板構件21 8上方但在外部隔板構件262下方之外部導管通 路346的環狀導管入口 348。 該環狀導管入口 348包圍工件12及夾盤94的外部周圍。該 導管通路346從導管入口 348徑向朝外延伸一小段距離。導 官通路346接著向下移轉而在外部隔板構件262及中間隔板 構件218之間包括一更為軸向定位的流動通道。這將導管通 • 路346延伸至排流槽54中。該導管通路346接續於罩蓋282 下方而通過流動通道288、進入至頭部空間296中、經由廢 氣入口 45而進入至廢氣空間31中，且然後從出口璋μ穿出 而進入至適當的配管，諸如外部廢氣歧管352。 圖6及7顯示工具10之另一排氣構形，其中導管通路33〇、 338及346皆被封閉工件12可被載人及/或撲出於處理腔 至503在此構形令’内部隔板構件】74、中間隔板構件2 1 8 及外部隔板構件262被降下且裝載而使得板176、咖及⑽ 會被充分封閉而堵住通至内部、中間及外部導管通路MO、 109752.doc -27· 1343285
338及346的流動>在此同時，帽蓋板】96靠抵且封閉進入内 部廢氣空間29之廢氣入口 35，帽蓋板240靠抵且封閉進入至 中間廢氣空間30之廢氣入口 40，以及帽蓋板284靠抵且封閉 進入至外部廢氣空間3 1之廢氣入口 4 5。視情況而定，阻隔 板556可被上升以易於進出處理腔室503。 該等圖式顯示一種較佳阻隔件/施配部5 〇 〇之示例性實施 例’其可在處理一或多個微電子工件過程中用以施配一或 多個處理材料。該施配機構可被耦接至一或多個經由供應 官路（未圖示）所提供之處理材料的供應部（未圖示）。這些材 料可視需要以予以供應或混合的方式施配6可以採用廣泛 不同的處理材料，因為工具丨〇在可實現的處理類型上係相 當靈活的。僅就代表性處理材料的一小部分實例而言，其 可包括氣體及液體，諸如氮氣、二氧化碳、清潔的乾燥空 氣、氬氣、氟化氫氣體、液態氟化氫、液態異丙醇、去離 子水、液態氨、液態硫酸、液態硝酸、過氧化氫、臭氧氣 體、液態臭氧、有機酸及溶劑' 這些材料的組合等等。適 於在工具10中實施的製程及化學物質的額外代表性實例包 括揭不在名稱為"用於旋轉乾燥一微電子基板之裝置及方 法”的申請案中，該案代理人擋案編號為FSI0156/IJS,且指 定Tracy Gast為發明人之―，㈣之纟文財考之方式併二 阻隔件/施配部500包括一主要組件頂板5 /A cor j劲支撐構 、e配總成554及視情況但 818 ^ ^ Π知用的遮板 式札動式或其他適當的致動器（未圖示）可用以 I00752.doc -28· 1343285 進行這些組件之所需運動。頂板504構成一阻隔件，其有助 於在頂板504上方界定一第一區域5〇6及在頂板5〇4下方界 定—第二區域508。第二區域508大致包括頭部空間5〇2(其 大致上為環狀本體558上方之第二區域508的體積），以及處 理腔室503(其大致上為環狀本體558下方之第二區域5〇8的 體積）。該頭部空間502及處理腔室5〇3之尺寸會隨著施配總 成554在z軸527上的運動而相應地改變。 頂板504包括具有界定一大致中央穿孔5 16之一外部周圍 512及一内部周圍514之面板51〇。該開孔516可具有任何適 當的形狀，但最好為如圖示之圓形。外壁515從面板5ι〇向 上延伸而大致形成一圍繞面板51〇之壁。壁515加強頂板 之剛性’有助於捕獲來自於施配組件的洩漏，且提供有利 於將頂板504安裝至其框架/外殼的表面。圓柱形中央壁518 從面板510向上延伸且具有頂部邊沿52〇及基座522。基座 522附接至面板51〇而靠近於開孔516。因此，圓柱形壁518 提供一從頂部邊沿520延伸至基座522的通路524，該通路在 第一區域506與第二區域508之間提供出路。如以下將進一 步說明的，該通路524亦有助於封圍遮板8丨8之一部分，以 及用以將該施配總成554升降至適當位置之該可動支撐構 件526之一部分。在如圖所示之較佳實施例中，可動支撐構 件526及遮板818係同軸地裝載在此一通路524中。 可動支撐構件526包括具有頂部邊沿530及底部邊沿532 之内壁528。外壁534係大致與内壁528同心且從頂部邊沿 536延伸至底部邊沿538。環狀板540將内壁528之頂部邊沿 J09752.doc •29- 1343285 530耦接至外壁534之頂部邊沿536，藉此在壁528及534之間 形成一環狀腔室542。外部環狀凸緣546大致從外壁534之底 部邊沿延伸而出，且内部環狀凸緣548大致從内壁528之底 部邊沿532向内延伸。該等環狀凸緣546及548有助於強化可 動支樓構件526。環狀凸緣548亦提供—方便於用以將施配 〜成554經由女裝孔549而安裝至可動支撐構件526之下方 端部的表面。用以造成可動支撐構件526在2軸527中移動通
過運動犯圍的致動機構（未圖示）係可被方便地耦接至外 部環狀凸緣546。 可動支樓構件526之内壁528有助於界定一渠管，其係 從邊沿別通向底部邊沿奶。關管544提供-方便的保護 F通路以從第—區域5〇6導引配管及其他組件至安裝在可 動支撐構件526之下方端部的施配總成554。 可動支撐構件526在-2軸527中相對於工件12而移動。因 為施配總成被安裝至可動支標構件⑵之下方端部，可 支撐構件526沿著该z轴527之運動亦會將該施配總成… 相對於工件1 2來予以升降。 。力支撐構件526被定位成使得内壁528被封圍在通路 似内部。另-方面’外壁534係在通路似外面，使得壁5i8 保持被裝載在環狀腔室542内部。在該等壁518、528及… +的％狀間隙’使得這些壁在可動支樓構件526 z轴運動期間不會碰觸。這些間隙減少了受相污染的 =，否料些碎屑係有可能在巾因為相接觸 所產生。在-處理過程期亦最好將該第一區域 109752.doc •30- 506保持成相對於第二區域5()8而略具負屡。這將有助於防 止來自於從第一區域506通過在頂板5〇4 -之間的環狀間隙且向下進入至第二區域觀處理腔室 3區域中的污染。作為一有助於減少來自於從包含第二區 戍508中之％境之第一區域5〇6的污染的另一特徵，可動支 ‘，2件526之外壁別亦可部分地作為一隔板，以有助於阻 . 擋仅第—區域506直接進入至介於内壁528與中央壁518之 • Μ的環狀間隙°中央壁518被裝載在環狀腔室542及836内部 的方式亦有助於在中央壁518與可動支撐構件526以及遮板 之間提供一曲折的密冑，以進一步保護在第二區域綱 中之壤境的完整性。 施配總成554被安裝可動支撐構件526之下方端部且大致 上包括用於施配處理材料至處理腔室5〇3中之一或多個獨 '立的機構。例如，如圖所示之施配總成554的實施例係包括 '至少一種，具較佳地為至少兩@，且更佳地為至少三種不 • 同類型的施配性能。就一種施配性能而言，這些機構包括 一或多個施配結構，其允許總成554向下朝向工件12來噴灑 或多個處理流體。在較佳實施例巾，此性能係藉由-諸 如噴灑喷嘴/阻隔件結構556之施配結構所提供，其整體性 2具有獨立的第—及第二«棒功能。這些獨立的嗔灌功 能允許兩種獨立的處理材料在相同時間内被嘖灑在工件i 2 上。當然，其他實施例可以僅包括一單一喷濃系統，或者 視需要而包括三個或以上的喷灑系統。 額外地，針對此特定實施例，該噴灑喷嘴/阻隔件結構556 i09752.doc -31 - 1343285 之大致呈％狀本體558的功能就一方面而言係作為在處理 腔室503上之一罩蓋，以有助於提供用於工件處理之受到保 護的環境。然而，該大致呈環狀本體558較佳地不會密封處 理腔室503，而是極靠近隔板構件174、218及262，以對空 氣產生向限制。當工具1 〇被設置於一晶圓搬運構形（將 在下文說明）時，該大致呈環狀本體558及隔板構件i74、2i8 及262係藉由這些組件争之一或多個的運動而分開，以允許 工件12被置入至處理腔室503中及從其中移出。 詳言之’噴灑喷嘴/阻隔件結構556包括一具有—下方表 面560、頂部表面562、界定一大致中央開孔575之内部周圍 564及外部周圍566之環狀本體558。該内部周圍被修圓 以有助於促進通過中央開孔5 7 5之平順氣體流動。環狀唇緣 568從外部周圍566大致徑向朝外延伸，且其方式較佳地使 得唇緣568大致對準於頂部表面562。唇緣568及外部周圍 566構成一環狀間隙572。經由該環狀本體558被安裝於其上 之可動支撐構件526之z軸運動，環狀本體558可被定位成使 得該等隔板構件174、218及/或262中之一或多個之端部 1 82、226及/或270可插入至環狀間隙572。較佳地，—小間 隙被保持在環狀間隙572中，以避免在隔板與環狀本體558 之間的接觸。這有助於防止材料從頭部空間5〇2流入至該處 理腔室503中。螺紋孔574有助於將環狀本體兄8及所連帶之 安裝施配總成554利用插入穿過安裝孔549之螺絲846或類 似構件而女裝至可動支撐構件526之内部環狀凸緣。 較佳地，環狀本體558之至少下方表面56〇在一徑向朝外 109752.doc -32* 1343285 方向上相對於工件〗2而向下傾斜，以在工件】2與環狀本雜 558之間建立一漸細流動通道576。該傾斜表面560可具有各 種不同的幾何形狀。例如，其幾何形狀可以係圓錐、抛物 線' 多項式曲線等等之一或多種。為了闡釋之目的，環狀
’、有中二 '截錐狀幾何形狀，其在内部周圍564 處被截錐，以提供大致上的中央開孔575。所形成之漸細流 動通道有助於促進從工件12的中央徑向朝外流動且同時減 少再循環區域。該漸細狀亦有助於平順地收歛且增加接近 於这工件12之外部邊緣之流動流體的速度。這有助於減少 液體㈣效應1方表面56{)之角度亦有助於液趙從環狀本 體558之外部周圍566排流或滴出，而不是直接向下排流或 滴落在底下的工件12上。 一 喷灑喷嘴/阻隔件結構556之臂結構578大致延伸通過中 央開孔575且在接合點58〇及582處㈣接至環狀本體別之 内部周圍564。臂結構578包括第一及第二副臂部分爾 586。臂結構578包括用以安裝中央施配噴嘴構件754之開孔 589。在如圖所示之較佳實施例中，第—副臂部分584係大 致對準於環狀本體558之一相鄰部分59〇，而第二副臂部分 586係大致對準於環狀本體558之—相鄰部分祥古之， 副臂584及586之底部表面598及608係對準於環狀本雜558 之下方表面560。因此，副臂584及586係大致以—斜角相交 會。臂結構578將中央開孔575細分為第—及第二開孔部分 594及 596 ° 如同針對處理腔 這些開孔部分594及596的作用 室503在一處理期間的空氣引八痒^相鄰的臂結構578之邊 )09752.doc •33· 1343285
該等凹溝600及6 10獨立地包括噴嘴特徵，其允許從併入 至該等凹溝中之一或多個各別的噴嘴或噴嘴陣列（以下將 說明）施配獨立的處理材料流。這些噴嘴大致上向下朝向工 緣係適當地修圓，以促進流經這些引入埠的平順均勻流動。 一第一大致呈三角形凹溝600被形成在噴灑喷嘴/阻隔件 結構55 6之底側上。該凹溝600橫跨噴灑喷嘴/阻隔件結構 556之第一半徑的至少一部分，該至少—部分係沿著第一副 臂部分584及環狀本體558之相鄰部分590的部分而延伸。此 凹溝600包括一沿著凹溝600及相鄰表面6〇4及6〇6的長度而 延伸之頂部區域602。以一類似的方式’一第二大致呈一角 形凹溝610被形成噴灑喷嘴/阻隔件結構556之底側。此凹溝 610橫越喷灑喷嘴/阻隔件結構556之第二半徑的至少一部 分，該至少一部分係沿著第二副臂部分586及環狀本體 之相鄰部分592的部分而延伸。相同於凹溝6〇〇，此凹溝 包括一沿著凹溝61〇及相鄰表面（未圖示）的長度而延伸之頂 部區域（未圖示）。 件12來施配該(等)處理材料’其係藉由與每一凹溝相關聯之 該（等）喷嘴來提供針對於該玉件12之—各別半徑的覆蓋，以 達到極佳的清潔效率。在如圖所示之較佳實施例中，該等 凹溝600及610橫冑喷灌嘴嘴/阻隔件結構…之第n 半徑且大致彼此呈對置。因此，#凹溝共同地大致橫越： 遠工件12之整個直役範圍。 喷灑喷嘴/阻隔件結構556句乜叙加, 偁已括數個特徵以將一第—獨立
喷灑棒性能併入至副臂部公sB 成4刀584及裱狀本體558之相鄰部分 109752.doc -34- 1343285 590中。這些特徵大致上包括具有螺紋基座624及擴口聯結 器626之流體入口構件622。一供應管854被流體式地耦接至 擴口聯結器626且經由可螺合螺紋基座624之擴口螺帽856 而被固持在定位。渠管628從入口埠630延伸至流動通道 632，該流動通道係大致徑向朝外延伸穿過副臂部分584及 環狀本體558之相鄰部分590的一部分。支路渠管636從流動 通道632朝外延伸至一沿著頂部區域602分佈的各別喷嘴 638的陣列。較佳地，該喷嘴638之陣列係呈線性分佈，然 而若有需要亦可以具有其他的陣列樣式。亦較佳地，該喷 嘴638之陣列橫越位在下面之工件12之一半徑的至少一部 分，且更佳地係橫越幾乎整個半徑。 使用時，欲經由噴嘴638施配之材料經由供應管被饋 送至入口埠630中。從入口埠630,該材料流經渠管628且然 後通過流動通道632。從該流動通道632，材料被分佈於導 引至噴嘴638之支路渠管636當中，且然後從噴嘴638之陣列 被予施配。 副臂部分584進一步採用具有螺紋基座644及擴口聯結器 646之流體入口構件64h 一供應管85〇係流體式地耦接至擴 口聯結器646且經由可螺合螺紋基座644之擴口螺帽852而 被保持在定位。一入口渠管648從入口埠65〇延伸至分歧部 652，該流動通道於該處分又成渠管654及656。渠管及 656從分歧部652延伸至各別流動通道658及66〇 ^每一流動 通道658及660皆大致徑向朝外延伸穿過副臂部分584及環 狀本體558之相鄰部分590。複數個支路渠管（未圖示）從流動 I09752.doc -35· 1343285 通道658朝外延伸至一沿著凹溝6〇〇之表面6〇4分佈的各別 噴嘴664之陣列，而支路渠管（未圖示）從流動通道66〇向外延 伸至一沿著凹溝6〇〇之表面6〇6分佈的各別喷嘴665之陣 列。較佳地，每—喷嘴664及665的陣列係呈線性分佈及彼 此平行且亦平行於噴嘴638之陣列，然而若有需要亦可以 * 具有其他的陣列樣式。亦較佳地，該噴嘴664及665之陣列 橫越位在下面之工件12之-半徑的至少一部分，且更佳地 φ 係橫越幾乎整個半徑。 欲經由喷嘴664及665所施配的材料係經由供應管8切被 饋送至入口埠650中。從入口埠65〇，該材料流經導管648。 在分歧部，該流動被分佈於渠管654與656之間。各別的流 動接著便流經槽道658及660。從流動通道658及66〇，各別 的材料流被分佈於該等支路渠管(未圖示)當中且然後從該 . 等喷嘴664及665之陣列被予施配。 - 渠管628、流動通道632及支路渠管636係可利用任何適當 • 的鑿孔技術來方便地形成。例如，流動通道632、658及6^ 可藉由在-從環狀本體558之外部周圍⑽徑向朝内的方向 開鑿對應的孔而形成。在開鑿該等孔以提供流動通道㈣、 658及660之後，可插入插塞64〇以密封所形成之流動通道 632、658及660的端部。 該等喷嘴638、664及665大致上以一收敛方式施配流體， 使得所施配之流體可霧化式地彼此相碰撞。液體、氣體或 這些材料的組合可利用噴射棒系統㈣來予以施配。在一操 作之代表性模式中，—液體材料被鑛送通過供應管850且隨 I09752.doc •36· 1343285 後經由噴嘴664及665所施配’而一氣態材料被饋送通過供 應管854且隨後經由噴嘴63 8而被施配。各別的饋送物可被 獨立地或共同地供應。當共同饋送時，經施配之氣流將有 助於更具能量地霧化經施配的液體流β 間距、相對於工件12之表面的施配轨跡、嘴嘴638、664 及665的孔徑等等皆可予以改變，以調整所施配之流體的喷 灑特性。例如，為有助於產生橫越工件12之半徑的更為均 勻的喷麗’該等喷嘴孔的間距以及噴嘴孔徑可予以改變。 額外地，獨立的喷灑棒功能亦可併入至喷灑喷嘴/阻隔件 結構556中。如圖所示，此額外的噴灑功能係大致相同於上 述的第一喷灑棒功能，除了其被整合至第二副臂部分586 及裱狀本體之相鄰部分592且沿著喷灑噴嘴/阻隔件結構 556之一第二半徑延伸以外。提供此第二喷灑棒功能之特徵 包括具有螺紋基座670及擴口聯結器672之第一流體入口構 件668，以及具有螺紋基座676及擴口聯結器678之第二流體 入口構件674❶一供應管862係流體式地耦接至擴口聯結器 672且藉由可螺合螺紋基座67〇之擴口螺帽864而被固持在 疋位。經由供應官862所饋送之材料被施配通過一沿著凹溝 61〇之一頂點的嗔嘴陣列（未圖示），其類似於沿著頂點6〇2 之噴嘴638的陣列。這些材料被輸送通過導管（未圖示广該 等導管係類似於第-整合的嗔射棒系統62()之渠管628 '流 動通道632及支路渠管㈣。另—供應管請係流體式地耗接 至擴口聯結器678，且藉由可螺合螺紋基座㈣之擴口螺帽 860而被保持在定位。經由供應管85s所饋送之材料係經由 109752.doc •37· 1343285 凹溝6 1 0之表面上的喷嘴陣列（未圖示）所施配，其類似於在 表面604及606上之喷嘴664及665的陣列。這些材料被輸送 通過導管（未圖示），該等導管係類似於使用在第一整合的喷 射棒系統620中之入口渠管648、分歧部652 '渠管654及 656、流動通道658及660以及支路渠管（未圖示 . 至少環狀本體558之下方表面560可視需要來予以親水化 ， 或疏水化，此取決於可利用工具10來實施之該（等）處理的特 φ 性而定。較佳地’喷灑噴嘴/阻隔件結構556之整體可由具 有所的之疏水性或親水性特徵之一或多種材料來形成。 除了噴丨麗性能以外’施配總成5 5 4進一步併入施配性能以 大致施配一或多種處理流體於下方的工件丨2之中央。該等 處理流體可被依序地、同時地、以重疊方式及/或類似方式 被施配。在較佳實施例中，此性能係由一施配結構所提供， . 諸如中央施配構件754。為了闡釋之目的，如圖所示之中央 . 施配構件754係包括兩個獨立的喷嘴，其允許兩種不同的處 • 理材料在相同時間被施配在工件I2上。當然，其他實施例 可以僅包括一單一施配噴嘴，或者視需要而包括三個或以 上的喷嘴。 詳言之，中央施配構件754大致上包括具有頂部758、側 壁760及底部762之本體756。第一及第二擴口聯結器764及 766從頂部758突伸而出。第一及第二邊沿768及77〇從底部 762突伸而出。一第—直通導管772從第一入口埠774延伸至 第一出口埠776，而一第二直通導管778從第二入口埠78〇 延伸至第二出口埠782。 109752.doc •38- 1343285 一具有一螺紋膛孔788之銷786被封圍在延伸橫越本體 756之渠管790中。銷786被插入至本體756中，使得螺紋膛 孔788係大致對準於渠管791。安裝螺絲793嚙合螺紋膛孔 788且被封圍在渠管791中，以有助於將中央施配構件 安裝至施配總成554。一對凸部792及794形成在本體756中 以防止被噴灑的處理流體撞擊在中央施配構件7 5 4上。 供應管866及868利用護圈/墊片夹持部796而被耦接至擴 口聯結器764及766。在使用時，從中央施配構件754被施配 之材料理所當然地經由供應管866及868之一者或兩者而饋 送至入口埠774及780之一者或兩者。材料從入口埠774及/ 或780流經導管772及/或778。從導管772及/或，材料從 忒等出口埠776及/或782(其構成一對噴嘴）而被施配朝向工 件12之中央。出口埠776及/或782亦可具角度以有助於提供 處理流體完全地覆蓋於工件12之中央。 除了噴麗及中央施配性能以外，施配總成554又進—步額 外併入施配性能而以蓮蓮頭型式向下朝向工件12來施配— 或多種處理流體。此措施對於施配一或多種氣體及/或蒸汽 之均勻流動至處理腔室5〇3係特別有用。在較佳實施例中， 此性能係由一施配結構所提供，諸如蓮蓬頭式施配構件 680為了闡釋之目的，蓮蓬頭式施配構件680係由兩個可 以相同或不同的供應饋送物所饋送，藉此使得兩種不同的 處理材料可在相同時間施配至處理腔室503中。當然，其他 實鈀例可以僅包括一單一供應饋送物，或者視需要而包括 三個或以上的饋送物。 I09752.doc •39· 1343285 詳言之，蓮蓬頭施配構件680大致上包括基座682及罩蓋 734。基座682包括大體呈圓形的底板684及凹入的副底板 686。若干壁688將底板684及副底板686互連在一起。副底 板686包括數個開孔特徵，其使得配管特徵可被方便地且簡 潔地導引至喷灑噴嘴/阻隔件結構556及中央施配噴嘴構件 754。詳言之，開孔690、696、7〇2及7〇8分別安裝於流體入 口構件622、642、668及674上。當將供應管850、854、862 及858分別安裝至其各別擴口聯結器646、626、672及678 時，擴口螺巾自,852、85 6、864及860係分別靠抵於肩部7〇〇、 694、706及712上。視情況而定，--^住螺帽可用以靠抵肩 部694、700 ' 706及7 12，使得擴口螺帽不必執行雙重功能。 同樣地’開孔714及716提供用於耦接供應管866及868至其 各別位在中央施配喷嘴構件754上之擴口聯結器764及766 的進入口。 開孔71 8有助於將中央施配構件754安裝在開孔589中及 利用護圏/墊片夾持部796及螺絲793來將其安裝至副底板 6 8 6之底側。夾持部7 9 6包括具有側壁8 0 0、頂部8 〇 2及底部 804之本體798。第一及第二渠管806及808封圍且有助於保 持被耗接至中央施配構件754之供應管866及868的對準 性。渠管810封圍用以將中央施配構件754固持在定位之螺 絲793。本體798在相對側邊上被切除而使得夾持部796裝載 於擴口螺帽856與864之間。 基座682之底板684包括被定位在副底板686之相反側邊 上的第一區域720及第二區域725。第一區域720包括噴嘴 109752.doc -40· 1343285 722之一陣列，而第二區域725包括噴嘴728之一第二陣列。 罩蓋734大致上包括由環狀邊沿738及樑739所強化之高 起中央面板736。第一及第二腔室740及741被形成在罩蓋 *734及基座682之間。第一腔室74〇係大致位在罩蓋734及喷 嘴722 ’而第二腔室741係大致介於罩蓋734及喷嘴728。如 圖所示’第一及第二腔室74〇及741係彼此隔離，但具有_ 共用的供應源。若有需要，亦可使用獨立的供應源。流體 入口構件742從中央面板736向上突伸。流體入口構件742 包括螺紋基座744及擴口聯結器746。供應管747被流體式地 麵接至擴口聯結器746且經由可螺合螺紋基座744之擴口螺 帽748而被固持在定位。渠管749從入口埠750延伸至出口槔 751 ’渠管7W在該處通向腔室740及741。 在基座682之外部周圍732上的安裝孔730及位在罩蓋734 上之安裝孔752係有助於利用螺絲846將蓮蓬頭施配構件 680安裝至環狀本體558。墊高部844有助於保持蓮蓬頭施配 構件680之適當定位。蓮蓮頭施配構件68〇以一種使得噴嘴 722及728大致橫置於開孔次要部分594及596上面的方式被 安裝至喷灑噴嘴/阻隔件結構556。 在使用時，一或多種處理流體，尤其係一或多種氣體流， 里由供應管747之一者或兩者而被供應至蓮蓬頭施配構件 68〇。被供應至每—管747之該等處理流體可以相同或不 同。該等處理流體經由渠管749而被導入至腔室74〇及741。 在腔至740及741中之該（等）處理流體之壓力係大致相等 的，所以流經喷嘴722及728的流動係均勻的。較佳地，依 109752.doc ^43285 照促進此等均勻流動之傳統實務，在腔室740及74丨中位於 蓮蓬頭噴嘴之上游處的該（等）流體的壓力差係適當地小於 通過該等喷嘴722及728本身的壓力降。當被施配通過該等 喷嘴722及728時，該（等）被施配流體係通過開孔次要部分 594及596而大致朝向工件12流動。一廢氣可被拉引通過一 或多個空間29、30或31以有助於此一流動。 遮板8 1 8係可在z軸5 2 7中相對於工件丨2而獨立地移動通 過一運動範圍，該範圍包括大致完全打開位置，如圖3及6 所示，以及大致完全封閉位置，如圖2所示。較佳地，遮板 8 1 8可被疋位在介於這兩個極端位置之間的中間位置，其中 該遮板818被部分地打開/關閉。在圖2中，其中遮板818位 在一封閉位置，可動支撐構件526被降低至一處理位置，在 該處，隔板構件174、21 8及262被定位在環狀本體55 8之環 狀間隙572中。這有助於保護在處理腔室5〇3中之環境的完 整性。在此同時，遮板818被升起而使得其頂部被裝載在環 狀腔至542中，且環狀板832被定位成鄰近於環狀板54〇。然 而，一小間隙較佳地被保持在環狀板832及54〇之間以防止 接觸’其中該制係有可能會產生不當的污染。藉由該遮 板8 1 8以此方式被升起且打開，在頭部空間5〇2中之一或 夕種氣體及/或热汽便可不必經由開孔次要部分及$96 所形成的空氣引入孔而被抽引至處理腔室5〇3。簡言之，圖 .4示用於針對工件！ 2來進行處理之卫具i Q之—示例性構 形的實施例。 在圖6中可動支撐構件526(及連帶的施配總成554)被升 109752.doc -42· 1343285 起而遠離隔板構件174、218及262，以允許工件12可經由所 形成的間隙874而被傳送至其位在支持央盤94上的位置或 從該位置被傳送出來。簡言之，圖6顯示用於完成工件至工 具10之來回傳送的工具1〇之一示例性構形的實施例。 圖2顯不工具1〇之一示例性構形，其中遮板818係處在一 封閉位置。圖2之工具構形係類似於圖3，除了此遮板818 係相對於可動支撐構件526而被降低，使得底部邊沿824被 定位成極靠近環狀本體558之頂部表面562。較佳地，一小 間隙被保持而使得底部邊沿824不會實際接觸頂部表面 5 62。在此一構形中，遮板818有助於堵住空氣從外接至遮 板81 8之頭部空間502之體積被吸入至處理腔室5〇3中，且亦 有助於容納經由施配總成554而被引入至處理腔室503中之 一或多種氣體及/或蒸汽。例如，該封閉的遮板81 8有助於 容納一富含IPA氣體/蒸汽混合物的"煙霧"，其有可能會經由 蓮蓬頭施配構件6 8 0而被朝向工件12施配。就另一實例而 言’封閉的遮板8 1 8亦有助於容納用以清洗喷灑喷嘴/阻隔 件結構556之底側的流體。相對於處理腔室503而被保持在 頭部空間502中的適當負壓可有助於防止污染物進入至處 理腔室503。 詳言之，遮板8 1 8包括具有頂部邊沿822及底部邊沿824 之内壁820。外壁826係大致與内壁820同心且從頂部邊沿 828延伸至底部邊沿830。環狀板832將内壁820之頂部邊沿 822耦接至外壁826之頂部邊沿828，因而在壁820及826之間 形成一環狀腔室836。外部環狀凸緣838大致從外壁826之底 109752.doc • 43· 1343285 部邊沿8 3 0朝外延伸’以有助於強化遮板8 1 8 ^環狀凸緣8 3 8 亦提供一用以女裝致動結構（未圖示）的方便表面，其有助於 在一 ζ軸5 27中相對於工件12之表面來移動遮板gig通過一 運動範圍。 遮板818之内壁820有助於界定一導管834，其從頂部邊沿 822通向底部邊沿824。可動支撐構件526之内壁528被封圍 在此一導管834内部。一小的環狀間隙將内壁528與内壁82〇 分開’使得當一或兩内壁在2軸527移動時，該等部件不會 彼此相接觸。 遮板8 1 8被定位成使得外壁826位在通路524之外側，所以 518保持被裝載在環狀腔室836内部。接著，遮板818之頂部 被裝載在可動支撐構件526之環狀腔室542的内部。較佳 地，在壁528、820、518、826及534之間具有小環狀間隙， 使得這些壁在可動支撐構件526之2軸運動期間不會碰觸， 因為在這些壁表面之間的接觸可能會產生污染物。 熟習此項技術者在閱讀本說明或從本發明在此揭示的實 務内容中可以瞭解到本發明之其他實施例。熟習此項技術 者在不違背本發明由後附申請專利範圍所界定之真正範疇 及精神的情況下，仍可對本文所述之原理及實施例施行各 種不同的省略、修改及變更。 【圖式簡單說明】 圖1顯示本發明之一較佳的工具實施例之一等角視圖。 圖2顯示沿著剖面線Α_ Α所取之圖1之工具之一部分的等 角戴面圖，其中該工具係處在一内部導管通路被打開且該 J09752.doc -44· 1343285 遮板被降下/封閉之構形。 圖3顯示沿著A丨丨而 。面線B-B所取之圖^ 角戴面圖，苴中兮 〈工具之一部分的等 八中邊工具係處在一内部蕃敦、3 号 遮板被升起/打開之構形 爷s通路被打開且該 圖4顯示沿签Α丨
面線Β-Β所取之圖！ 角截面圖，其中该工且技走+ 义工具之一部分的等 八係處在一中間^_ &、s # i 形。 11等官通路被打開之構 圖5顯不/口著剖面線b_b所取之圖1之工且一土、 ★ 角截面圖，其中,玄工且 八之一。P刀的等 形。 具係處在-外部導營通路被打開之構 圖6顯示沿著剖面線Μ所取之I之工具的等角截面 圖，其中該工具係處在一工件傳輸構形。 圖7顯示沿著剖面線b _ B所取之圖1之1具的等角載面 圖，其中該工具係處在—工件傳輸構形^ 圖8係圖1之工具的底部的等角視圖c 圖9係圖1之工具的底部的另一等角視圖。 圖10係圖1之工具之基座盤的等角視圖，且其中組件被移 除以顯示一系列環狀、同心壁從該基座盤之底部向上升 起，以界定複數個廢氣空間及排流槽。 圖11係使用在圊1之工具中之滴環的等角視圖。 圖12係使用在圊1之工具中之外部、環狀隔板之等角視圖 (該中間及内部隔板並未顯示但係相似的，除了其尺寸被設 計成用以彼此裝載’如其他圖式中所示及本文中的進一步 說明）。 I09752.doc -45. 1343285
圖1 3係使用在圖1之工呈中之外A 八千之外部隔板罩蓋之等角視圖 (該中間及内部隔板罩蓋並未顯示但係相似的，除了其尺寸 被設計成用以彼此裝載’如其他圖式中所示及本文中的進 一步說明）。
圖14 A係圖1之工具沿荖丨而蝻R D 者j面線b-b所取的部分詳細截面 視圖’其大致描示圍繞該環狀滴環之區域。
圖14B係圖1之工具沿著剖面線Β·Β所取的部分詳細截面 視圖，其大致描示圍繞該内部隔板構件之區域。 圖14C係圖1之工具沿著剖面線Β_Β所取的部分詳細截面 視圖，其大致描示圍繞該中間隔板構件之區域。 圖！4D係圖！之工具沿著剖面線Β_Β所取的詳細截面視 圖，其大致描示圍繞該外部隔板構件之區域。 圖14Ε係圖1之工具沿著剖面線Β_Β所取的部分詳細載面 視圖’其大致描示廢氣空間及排流槽。
圖1 5係沿著剖面線Β-Β所取之圖I之工具之一部分的另一 詳細截面視圖。 圖1 6係沿著剖面線β_β所取之圖工具之一部分的截面 視圖。 圖丨7顯示沿著剖面線a-A所取之圖1之工具之一部分的 等角截面圖，其中該工具係處在該施配總成被降下以進行 一處理且該遮板被降下/封閉之構形。 圖1 8係顯示使用在圖1之工具中的頂板的等角視圖。 圖19係顯示使用在圖！之工具中的可動支撐構件的等角 視圖。 109752.doc -46- 1343285 圖20係沿著圖8之剖面線〇C所取之圖1工具之一部分的 截面視圖’其中顯示用於外部及内部隔板構件之致動器部 分。 圖21係使用在圖丨之工具中之施配總成的等角視圖。 圖22 A係沿著剖面線G-G所取之圖2 1之施配總成的等角 截面圖。 圖22B係沿著剖面線g_g所取之圖2 1之施配總成的等角 載面圖’其類似於圖22A，除了顯示額外的參考符號以外。 圖23係使用在圖22之施配總成中之噴灑噴嘴/阻隔件結 構且大致觀看結構之底側的等角視圖。 圖24係使用在圖22之施配總成中之噴灑噴嘴/阻隔件結 構且大致觀看結構之頂側的等角視圖。 圖25係沿著剖面線H_H所取之圖24之噴灑噴嘴阻隔件結 構的截面視圖。 圖26係沿著剖面線j_j所取之圖24之喷灑喷嘴阻隔件結構 的截面視圖。 圖27係使用在圖22之施配總成中之中央施配噴嘴構件之 等角視圖。 圖28係使用在圖22之施配總成中之護圈/墊片夾持部的 等角視圖。 圖29係圖22之施配總成之一部分的等角視圖，其包括該 t央施配喷嘴及護圈/墊片夾持部副總成。 圖30係沿著剖面線D-D所取之圖29之副總成的等角截面 J09752.doc -47· 1343285 圖 圖3!係沿著剖面線c_c所取之圖巧之副總成的等角截面 圖32係使用在圖22之施配總成中之蓮蓮頭施配總成的等 角視圖’其大致觀看到該總成的頂側。 圖3 3係使用在圖2 2之施配總成中之蓮蓮頭施配總成的等 角視圖’其大致觀看到該總成的底側。 圊 圖34係使用在圖32之蓮蓬頭施配總成中之基座的等角視 圖 圖35係使用在圖32之蓮蓬頭施配總成中之罩蓋的等角 視 圖3 6係使用在圖22之施配總成中之安裝墊高部的等角視 圖 圖3 7係沿著剖面線A-A所取之圖1之工具之—部分的截 面視圖’其中顯示在可動支撐構件、遮板及頂板之間的裝 載關係。 圖38係使用在圖1之工具中之遮板的等角視圖。 【主要元件符號說明】 10 工具 11 處理部分 12 工件 14 基座 16 基座盤 18 周圍側壁 22 壁 109752.doc •48- 1343285 23 24 25 26 27 • 29 30 31 33 34 35 36 38 - 39 40
44 45 46 49 50 52 53 54 I09752.doc 壁 壁 壁 壁 壁 廢氣空間 廢氣空間 廢氣空間 頂部邊沿 頂部邊沿 廢氣入口 出口埠 頂部邊沿 頂部邊沿 廢氣入口 頂部邊沿 頂部邊沿 廢氣入口 出口埠 廢氣出口埠 廢氣出口埠 排流槽 排流槽 排流槽 -49- 1343285 55 排流槽 56 底板 57 底板 58 底板 • 59 底板 «- . 62 排流聯結器 63 出口 67 出口 w 68 排流聯結器 69 致動器軸桿外殼 70 軸桿膛孔 72 軸桿膛孔 73 致動器軸桿外殼 - 75 致動器軸桿外殼 . 76 軸桿膛孔 • 78 中央貫孔 80 内部凸緣 ， 82 内部側壁 •4 Η 84 側壁 86 下方側壁部分 90 肩部 92 肩部 94 夾盤 96 上方表面 109752.doc - 50 - 1343285
100 102 104 106 108 109 110 112 114 128 130 136 138 156
160 162 164 166 170 172 174 176 109752.doc 下方表面 環狀基座 中央貫孔 側壁 中央軸線 環狀喷濺擋板 下方端部 馬達 中央膛孔 安裝結構 上方表面 下方表面 背面施配頭 軸桿 滴環 底板 内壁 中間壁 頂部邊沿 外壁 捕捉槽 排流埠 隔板構件 環狀隔板 -51 - 1343285 178 上方表面 180 下方表面 182 内部邊沿 186 外侧壁凸緣 η 190 内側壁凸緣 τ· · 194 環狀隔板罩蓋 • 196 帽蓋板 198 内部凸緣 • 200 流動通道 202 下方端部 204 内部表面 206 外部凸緣 208 頭部空間 - 210 三角形突起 , 212 頂點 • 214 基底 218 隔板構件 Φ 220 環狀隔板 為 222 上方表面 % 224 下方表面 226 内部邊沿 230 外部凸緣 234 内部凸緣 238 環狀隔板罩蓋 109752.doc · 52 - 1343285
240 242 244 246 248 250 252 254 256 258 262 264 266 268 270
278 282 284 286 288 290 292 294 109752.doc 帽蓋板 内部凸緣 流動通道 下方端部 内部表面 外部凸緣 頭部空間 三角形突起 頂點 基底 外部隔板構件 環狀隔板 上方表面 下方表面 内部邊沿 外部凸緣 内部凸緣 環狀隔板罩蓋 帽蓋板 内部凸緣 流動通道 下方端部 内部表面 外部表面 -53 - 1343285
296 頭部空間 298 三角形突起 300 頂點 302 基座 312 内部隔板致動馬達 314 軸桿 316 密封件 318 馬達 324 外部隔板致動馬達 326 致動器軸桿 328 密封件 330 廢氣導管通路 332 導管入口 336 内部廢氣歧管 338 廢氣導管通路 340 環狀導管入口 344 中間廢氣歧管 346 廢氣導管通路 348 環狀導管入口 352 外部廢氣歧管 500 阻隔件/施配部 502 頭部空間 503 處理腔室 504 頂板 •54- 109752.doc 1343285 506 第一區域 508 第二區域 510 面板 512 外部周圍 5 14 内部周圍 515 壁 5 16 開孔 518 圓柱形壁 520 頂部邊沿 522 基座 524 通路 526 可動支禮'構件 527 z軸 528 内壁 530 頂部邊沿 532 底部邊沿 534 外壁 536 頂部邊沿 538 底部邊沿 540 環狀板 542 環狀腔室 544 渠管 546 外部環狀凸緣 548 内部環狀凸緣 109752.doc -55. 1343285 549 安裝孔 554 施配總成 556 阻隔板 558 環狀本體 ψ 560 下方表面 - . 562 頂部表面 • 564 内部周圍 • 566 外部周圍 568 環狀唇緣 572 環狀間隙 574 螺紋iL 575 中央開孔 576 漸細流動通道 578 臂結構 嶋 580 接合點 • 582 接合點 584 副臂 4 586 副臂 λ , 589 開孔 c 590 相鄰部分 592 相鄰部分 594 開孔部分 596 開孔部分 598 底部表面 109752.doc - 56 - 1343285 600 凹溝 602 頂部區域 604 表面 606 表面 608 底部表面 •, 610 凹溝 Μ 4 620 喷射棒系統 癱 622 流體入口構件 w 624 螺紋基座 626 擴口聯結器 628 渠管 630 入口埠 632 流動通道 - 636 支路渠管 638 喷嘴 • 640 插塞 642 流體入口構件 Λ 644 螺紋基座 Λ 4 646 擴口聯結器 V* 648 入口渠管 650 入口谭 652 分歧部 654 渠管 656 渠管 109752.doc -57- 1343285
658 流動通道 660 流動通道 664 喷嘴 665 噴嘴 668 第一流體入口構件 670 螺紋基座 672 擴口聯結器 674 第二流體入口構件 676 螺紋基座 678 擴口聯結器 680 施配構件 682 基座 684 底板 686 副底板 688 壁 690 開孔 694 肩部 696 開孔 700 肩部 702 開孔 706 肩部 708 開孔 712 肩部 714 開孔 109752.doc -58- 1343285 疇 716 開孔 718 開孔 720 第一區域 722 噴嘴 725 第二區域 728 噴嘴 730 安裝？L 732 外部周圍 734 罩蓋 736 局起中央面板 738 環狀邊沿 739 樑 740 腔室 741 腔室 742 流體入口構件 744 螺紋基座 746 擴口聯結器 747 供應管 748 擴口螺帽 749 渠管 750 入口埠 75 1 出口埠 752 安裝子L 754 中央施配構件 109752.doc ·59· 1343285
756 本體 758 頂部 760 側壁 762 底部 764 擴口聯結器 766 擴口聯結器 768 邊沿 770 邊沿 772 第一直通導管 774 第一入口埠 776 第一出口埠 778 第二直通導管 780 第二入口埠 782 出口埠 786 銷 788 螺紋膛孔 790 渠管 791 渠管 792 凸部 793 安裝螺絲 794 凸部 796 護圈/墊片夾持部 798 本體 800 側壁 109752.doc -60· 1343285
802 804 806 808 810 818 820 822 824 826 828 830 832 834 836
844 846 850 852 854 856 858 860 109752.doc 頂部 底部 渠管 渠管 渠管 遮板 内壁 頂部邊沿 底部邊沿 外壁 頂部邊沿 底部邊沿 環狀板 導管 環狀腔室 外部環狀凸緣 墊高部 螺絲 供應管 擴口螺帽 供應管 擴口螺帽 供應管 擴口螺帽 -61 - 1343285 862 供應管 864 擴口螺帽 866 供應管 868 供應管 874 間隙 109752.doc •61

Claims (1)

1343285
第095111264號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(99年12月） 十、申請專利範圍： I · 一種用於處理一微電子工件之設備，包含： a) —使該工件在一處理期間被定位於其上之支撐件；及 b) 複數個可移除且可裝載的隔板構件，其界定複數個導 官通路之至少具有接近該工件之一外部周圍之各別導管 入口的部分； 其中至少一可移除且可裝載的隔板構件包含一罩蓋，其 安裝且遮蓋通至一下游導管部分的一整個入口，使得該通 至該下游導管之入口可藉由該罩蓋之運動而被可控制地 打開及堵住’以使得液體可在一廢氣流進入該入口至該下 游導管部分之前，自該廢氣流分離。 2·如請求項！之設備，其中該等隔板構件相對於彼此之相對 定位有助於選擇性地打開及堵住該等導管通路。 3. 如請求項2之設備，其中該等隔板構件經構成以造成一第 一隔板構㈣裝載在1二隔板構件係有助於堵住一具 有-介於該第-及第二隔板構件之間之導管通路部分的 導管通路。 4. :請求項i之設備’其中該等導f通路包含各別導管部 分，遠等導管部分被定位成相對於彼此且針對該工件大致 同轴。 5‘如請求項1之設備，其中至少 兩隔板構件之間的相對運動 有助於選擇性地打開及/或堵住該等導管通路 之一者之至 I09752-991215.doc 換頁 少-入口，其中該入口係靠近該工件之—外部周圍。 6.如請求項1之設備，其中每一導管通路句人 匕3 —接近至該工 件之一外部周圍且具有一大致平行於該工 1干之一主要表 面的方位之路徑部分，以及一相對於該主I 戈' 衣面而被大致 垂直定向之額外導管路徑部分。 7·如請求項6之設備，其t該額外的導管路徑部分包含複數 個同軸空間。 8·如請求項丨之設備’進—步包含一具有一或多個排流淳的 排流槽，其中該排流槽係與該至少一可移除且可裝載的隔 板構件相關聯’以使得可在該廢氣流進入該入 芏该下游 導管部分之前自該廢氣流分離的該液體，可以在被從該廢 氣流分離後進入一或多個該排流埠。 9·如請求t之設備，纟中該等可移除纟可裝載的隔板構件 被流體式地耦接至固定的導管結構。 10· —種用於處理一微電子工件之設備，包含： a) —使該工件在一處理期間被定位於其上之支撐件.及 b) 複數個可移除且可裝載的隔板構件，其界定複數個導 管通路之至少具有接近該工件之一外部周圍之各別導管 入口的部分； 其中至少一隔板構件的至少一部分可以相對於至—下游 導官部分的一入口移動以創造一液體材料與—氣體材料 109752-991215.doc 99年1% 1 i修(夷)正替換頁 之間的分離可發生的一陷留區域。 如請求項10之設備，其中每一導管通路包含一接近至該工 件之一外部周圍且具有一大致平行於該工件之一主要表 面的方位之路徑部分，以及一相對於該主要表面而被大致 垂直定向之額外導管路徑部分。 如請求項U之設備，其中該額外的導管路徑部分包含複數 個同軸空間。 13. 如請求項10之設備，其中該陷留區域包含一或多個排流 埠。 14. 種用於處理一微電子工件之設備，包含： (a) —使該工件在一處理期間被定位於其上之支撐件； 及 (b) 複數個可移除且可裝載的隔板構件，其界定複數個 導官通路之至少具有接近該工件之一外部周圍之各別導 官入口的部分；其中至少一可移除且可裝載的隔板構件 包含一罩蓋’其遮蓋一通至一下游導管部分的入口，使 侍该通至該下游導管之入口可藉由該罩蓋之運動而被可 控制地打開及堵住，如此以使得液體可在一廢氣流進入 <·亥入口至6亥下;紅導營部分之前，自該廢氣流分離，其中 5亥罩蓋包含： (i)—帽蓋板’其安裝於至該下游導管的該整個入口； 109752-99J2I5.doc 1343285 _ gg £2 15 年月日修(更)正替換貞 ()第凸緣，其自該帽蓋板的一端延伸超過該下 游導管的該入口；及 (⑴）-第二凸緣，其自該帽蓋板相對於該第一凸緣的 相對端延伸’且延伸超過該下游導管的該入口。 「托項14之裝置，其中該罩蓋係—環狀罩蓋，且至該下 游導管的該入口包含： (a)—第一環狀壁；及 (b)第二環狀壁，其與該第一環狀壁隔開以界定該導 管，其中該第一凸緣係與該第一環狀壁隔開以提供一流 動通道到至該下游導管的該入口，且其中該第二凸緣係 與該第二環狀壁隔開以大體上防止廢氣在該第二凸緣與 該第二環狀壁之間流動。 109752-9912l5.doc
TW95111264A 2005-04-01 2006-03-30 Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids TWI343285B (en)

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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101255048B1 (ko) 2005-04-01 2013-04-16 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 하나 이상의 처리 유체를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는데 이용되는 장치용 배리어 구조 및 노즐 장치
CN104319249B (zh) * 2006-07-07 2017-11-07 Tel Fsi股份有限公司 用于处理微电子工件的设备
KR101060664B1 (ko) 2007-08-07 2011-08-31 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치
US7955440B2 (en) * 2007-12-07 2011-06-07 Sumco Corporation Method for cleaning silicon wafer and apparatus for cleaning the silicon wafer
KR20110005699A (ko) 2008-05-09 2011-01-18 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법
US8142571B2 (en) * 2008-05-15 2012-03-27 Fsi International, Inc. Process for treatment of semiconductor wafer using water vapor containing environment
KR101258002B1 (ko) 2010-03-31 2013-04-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101665036B1 (ko) * 2010-04-27 2016-10-24 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 기판 표면 근방의 유체 혼합을 제어하는 마이크로전자 기판의 습식 처리
KR101592058B1 (ko) * 2010-06-03 2016-02-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액처리 장치
JP6046608B2 (ja) * 2010-06-11 2016-12-21 テル エフエスアイ インコーポレイテッド 超小型電子ワークピースの加工に使用されるツールにおけるツール表面を洗浄する方法
US9443753B2 (en) * 2010-07-30 2016-09-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber
WO2012078580A1 (en) 2010-12-10 2012-06-14 Fsi International, Inc. Process for selectively removing nitride from substrates
JP6095750B2 (ja) * 2011-07-06 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP5844681B2 (ja) * 2011-07-06 2016-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
US10269615B2 (en) * 2011-09-09 2019-04-23 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US8899246B2 (en) * 2011-11-23 2014-12-02 Lam Research Ag Device and method for processing wafer shaped articles
US8871108B2 (en) * 2013-01-22 2014-10-28 Tel Fsi, Inc. Process for removing carbon material from substrates
US9017568B2 (en) 2013-01-22 2015-04-28 Tel Fsi, Inc. Process for increasing the hydrophilicity of silicon surfaces following HF treatment
US9443714B2 (en) * 2013-03-05 2016-09-13 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for substrate edge cleaning
US9768041B2 (en) 2013-08-12 2017-09-19 Veeco Precision Surface Processing Llc Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US10037902B2 (en) 2015-03-27 2018-07-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device and substrate processing method
US9968970B2 (en) * 2015-12-04 2018-05-15 Lam Research Ag Spin chuck with in situ cleaning capability
CN108022854A (zh) * 2016-11-03 2018-05-11 锡宬国际有限公司 单晶圆旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置
TWI797121B (zh) 2017-04-25 2023-04-01 美商維克儀器公司 半導體晶圓製程腔體
US20190070639A1 (en) * 2017-09-07 2019-03-07 Applied Materials, Inc. Automatic cleaning machine for cleaning process kits
JP7166089B2 (ja) * 2018-06-29 2022-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
JP7197376B2 (ja) * 2019-01-17 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
CN115398615A (zh) * 2020-04-16 2022-11-25 基础科学公司 用于半导体晶圆的集成分解和扫描的系统
CN112192193A (zh) * 2020-10-10 2021-01-08 黎允聪 一种港口码头集装箱扭锁的自动摘锁装置

Family Cites Families (156)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3836329A (en) 1971-10-22 1974-09-17 Damon Corp Method and apparatus for removing liquid from containers
US3990462A (en) * 1975-05-19 1976-11-09 Fluoroware Systems Corporation Substrate stripping and cleaning apparatus
JPS611699Y2 (zh) 1980-03-27 1986-01-21
JPS605530B2 (ja) 1980-07-30 1985-02-12 博 石塚 特にＺｒＣＩ↓４とＨｆＣＩ↓４の分離に適する蒸溜装置
JPS5922792A (ja) 1982-07-30 1984-02-06 Kanzaki Paper Mfg Co Ltd 感熱記録体用塗液の調成法
US4609575A (en) 1984-07-02 1986-09-02 Fsi Corporation Method of apparatus for applying chemicals to substrates in an acid processing system
US4682615A (en) * 1984-07-02 1987-07-28 Fsi Corporation Rinsing in acid processing of substrates
US4801335A (en) 1984-07-02 1989-01-31 Fsi Corporation Rinsing in acid processing of substrates
US4544446A (en) 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
JPH0537217Y2 (zh) 1986-10-31 1993-09-21
AT389959B (de) 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
CH675762A5 (zh) * 1988-10-03 1990-10-31 Peter Huerlimann
US5246526A (en) 1989-06-29 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Surface treatment apparatus
US5271774A (en) * 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
JP2555034Y2 (ja) 1991-02-12 1997-11-19 三菱自動車エンジニアリング株式会社 遊星歯車機構
US5395649A (en) 1992-02-04 1995-03-07 Sony Corporation Spin coating apparatus for film formation over substrate
DE59407361D1 (de) 1993-02-08 1999-01-14 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger für scheibenförmige Gegenstände
CA2099711A1 (en) 1993-06-29 1994-12-30 Kevin Peter Kowalchuk Method and apparatus for cleaning optical surfaces
US5472502A (en) 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5571560A (en) 1994-01-12 1996-11-05 Lin; Burn J. Proximity-dispensing high-throughput low-consumption resist coating device
JP3415670B2 (ja) 1994-03-03 2003-06-09 三菱電機株式会社 ウエハ洗浄装置
US5783025A (en) 1994-06-07 1998-07-21 Texas Instruments Incorporated Optical diebonding for semiconductor devices
KR0125238Y1 (ko) 1994-11-04 1999-02-18 문정환 웨이퍼 세척장치
US5853961A (en) 1995-04-19 1998-12-29 Tokyo Electron Limited Method of processing substrate and apparatus for processing substrate
JP3337870B2 (ja) 1995-05-11 2002-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板洗浄装置
JPH08316190A (ja) * 1995-05-18 1996-11-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TW406216B (en) 1995-05-24 2000-09-21 Tokyo Electron Ltd Apparatus for coating resist on substrate
JP3504023B2 (ja) * 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
JP3983831B2 (ja) 1995-05-30 2007-09-26 シグマメルテック株式会社 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法
US6239038B1 (en) 1995-10-13 2001-05-29 Ziying Wen Method for chemical processing semiconductor wafers
EP0811083B1 (en) 1995-12-19 2000-05-31 FSI International Electroless deposition of metal films with spray processor
JP3377909B2 (ja) * 1996-02-28 2003-02-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
DE29606472U1 (de) 1996-04-09 1996-07-11 Cyanamid Agrar GmbH & Co. KG, 55218 Ingelheim Großgebinde-Mehrwegsystem für Flüssigprodukte, insbesondere für Pflanzenschutzmittel
JPH09314019A (ja) 1996-05-27 1997-12-09 Toshiba Corp 表面処理方法および表面処理装置
US5900059A (en) * 1996-05-29 1999-05-04 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method and apparatus for fabricating semiconductor single crystal
TW346649B (en) * 1996-09-24 1998-12-01 Tokyo Electron Co Ltd Method for wet etching a film
KR100277522B1 (ko) * 1996-10-08 2001-01-15 이시다 아키라 기판처리장치
JP3245813B2 (ja) 1996-11-27 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
JPH1133506A (ja) 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
JPH10163154A (ja) * 1996-12-25 1998-06-19 Sugai:Kk 基板洗浄方法および装置
JPH10199852A (ja) 1997-01-13 1998-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JPH10209102A (ja) 1997-01-17 1998-08-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
AT405655B (de) * 1997-03-26 1999-10-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren und vorrichtung zum einseitigen bearbeiten scheibenförmiger gegenstände
AT407586B (de) 1997-05-23 2001-04-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Anordnung zum behandeln scheibenförmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern
TW402737B (en) * 1997-05-27 2000-08-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning/drying device and method
JPH118213A (ja) 1997-06-13 1999-01-12 Komatsu Ltd 半導体ウエハの処理方法
JPH1154471A (ja) 1997-08-05 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JPH11129184A (ja) * 1997-09-01 1999-05-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板搬入搬出装置
JP3555724B2 (ja) 1997-09-04 2004-08-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US6398975B1 (en) * 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
US6260562B1 (en) 1997-10-20 2001-07-17 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus and method
JPH11162927A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Sumi Ere Sez Kk 半導体基板処理装置
US6332470B1 (en) * 1997-12-30 2001-12-25 Boris Fishkin Aerosol substrate cleaner
US6360562B1 (en) * 1998-02-24 2002-03-26 Superior Micropowders Llc Methods for producing glass powders
JP3333135B2 (ja) 1998-06-25 2002-10-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US6689215B2 (en) * 1998-09-17 2004-02-10 Asml Holdings, N.V. Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface
JP2000124181A (ja) 1998-10-13 2000-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6139636A (en) 1998-11-12 2000-10-31 United Microelectronics Corp. Spray coating device
DE19854743A1 (de) * 1998-11-27 2000-06-08 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe
US6680253B2 (en) 1999-01-22 2004-01-20 Semitool, Inc. Apparatus for processing a workpiece
JP2000286267A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法
ATE211855T1 (de) 1999-04-28 2002-01-15 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung und verfahren zur flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen gegenständen
US6221781B1 (en) 1999-05-27 2001-04-24 Fsi International, Inc. Combined process chamber with multi-positionable pedestal
AT407680B (de) 1999-06-04 2001-05-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren und vorrichtung zum trocknen von scheibenförmigen gegenständen
JP2001015481A (ja) 1999-06-30 2001-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd エッチング装置
CH693822A5 (fr) 1999-07-07 2004-02-27 Marcel Leisi Tête de pulvérisation.
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
JP4257816B2 (ja) 2000-03-16 2009-04-22 三益半導体工業株式会社 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置
US6299804B1 (en) 1999-09-16 2001-10-09 Husky Injection Molding Systems Ltd. Air cooling system for preform molding
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6243966B1 (en) 1999-12-10 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Air amplifier with uniform output flow pattern
JP2001189260A (ja) 1999-12-28 2001-07-10 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及びその方法
US6533954B2 (en) 2000-02-28 2003-03-18 Parker-Hannifin Corporation Integrated fluid injection air mixing system
US6594847B1 (en) 2000-03-28 2003-07-22 Lam Research Corporation Single wafer residue, thin film removal and clean
WO2001084621A1 (en) 2000-04-27 2001-11-08 Ebara Corporation Rotation holding device and semiconductor substrate processing device
US7364625B2 (en) 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
WO2001099156A1 (en) 2000-06-16 2001-12-27 Applied Materials, Inc. Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner
US7451774B2 (en) 2000-06-26 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US20020063169A1 (en) * 2000-06-26 2002-05-30 Applied Materials, Inc. Wafer spray configurations for a single wafer processing apparatus
US6927176B2 (en) 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US6488040B1 (en) 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
US6536454B2 (en) 2000-07-07 2003-03-25 Sez Ag Device for treating a disc-shaped object
WO2002004134A1 (en) 2000-07-12 2002-01-17 Fsi International, Inc. Thermal processing system and methods for forming low-k dielectric films suitable for incorporation into microelectronic devices
US6393656B1 (en) 2000-07-20 2002-05-28 Oreck Holdings, Llc Belt-mounted vacuum apparatus and methods
US6688784B1 (en) 2000-10-25 2004-02-10 Advanced Micro Devices, Inc. Parallel plate development with multiple holes in top plate for control of developer flow and pressure
US6705331B2 (en) * 2000-11-20 2004-03-16 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus
JP2002246358A (ja) * 2001-02-05 2002-08-30 Applied Materials Inc ウェハ検出装置、洗浄乾燥装置およびメッキ装置
JP4037624B2 (ja) 2001-05-21 2008-01-23 株式会社東芝 基板処理装置及び基板処理方法
JP2002359220A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Tokyo Electron Ltd 基板の処理装置
JP3511514B2 (ja) 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
CN1288519C (zh) 2001-07-13 2006-12-06 Fsi国际股份有限公司 机器人系统控制
US7171973B2 (en) 2001-07-16 2007-02-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP3958539B2 (ja) 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003073847A (ja) 2001-08-29 2003-03-12 Araco Corp 耐食性複層構造材の製造方法
JP2003086564A (ja) 2001-09-14 2003-03-20 Mitsubishi Electric Corp 遠心乾燥装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体製造装置
JP3749848B2 (ja) 2001-09-28 2006-03-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置
WO2003030228A2 (en) 2001-10-03 2003-04-10 Silicon Valley Group, Inc. Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface
US20030070695A1 (en) * 2001-10-16 2003-04-17 Applied Materials, Inc. N2 splash guard for liquid injection on the rotating substrate
JP3892792B2 (ja) 2001-11-02 2007-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板洗浄装置
US6776359B2 (en) 2001-11-06 2004-08-17 Kolene Corporation Spray nozzle configuration
US20040062874A1 (en) * 2002-08-14 2004-04-01 Kim Yong Bae Nozzle assembly, system and method for wet processing a semiconductor wafer
US6826910B1 (en) 2002-01-28 2004-12-07 Mark Richard Easton Extreme charger with air amplifier
TWI261875B (en) 2002-01-30 2006-09-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and substrate processing method
JP4074814B2 (ja) 2002-01-30 2008-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3979113B2 (ja) 2002-02-12 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置の大気置換方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ｅｌ装置
US6913651B2 (en) * 2002-03-22 2005-07-05 Blue29, Llc Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates
JP4570008B2 (ja) 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP2004031400A (ja) 2002-06-21 2004-01-29 Sipec Corp 基板処理装置及びその処理方法
JP4005879B2 (ja) 2002-08-30 2007-11-14 株式会社東芝 現像方法、基板処理方法、及び基板処理装置
US7584760B2 (en) * 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP4146709B2 (ja) * 2002-10-31 2008-09-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7531039B2 (en) * 2002-09-25 2009-05-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing system
US7293571B2 (en) 2002-09-30 2007-11-13 Lam Research Corporation Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus
KR100493849B1 (ko) 2002-09-30 2005-06-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 건조 장치
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7389783B2 (en) 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
KR100466297B1 (ko) 2002-10-17 2005-01-13 한국디엔에스 주식회사 반도체 제조 장치
JP4133209B2 (ja) 2002-10-22 2008-08-13 株式会社神戸製鋼所 高圧処理装置
US7051743B2 (en) * 2002-10-29 2006-05-30 Yong Bae Kim Apparatus and method for cleaning surfaces of semiconductor wafers using ozone
US7022193B2 (en) 2002-10-29 2006-04-04 In Kwon Jeong Apparatus and method for treating surfaces of semiconductor wafers using ozone
JP3759492B2 (ja) 2002-12-03 2006-03-22 近藤工業株式会社 ミニエンバライメント方式の半導体製造装置
CN101424883B (zh) 2002-12-10 2013-05-15 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
US7306002B2 (en) 2003-01-04 2007-12-11 Yong Bae Kim System and method for wet cleaning a semiconductor wafer
WO2004070807A1 (ja) 2003-02-03 2004-08-19 Personal Creation Ltd. 基板の処理装置及び基板の処理方法
JP2004265911A (ja) * 2003-02-03 2004-09-24 Personal Creation Ltd 基板の処理装置
JP2004265912A (ja) 2003-02-03 2004-09-24 Personal Creation Ltd 基板の処理装置
JP4105574B2 (ja) * 2003-03-26 2008-06-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
EP1609174B1 (en) 2003-03-31 2011-11-30 Lam Research Corporation Chamber and method for wafer processing
US7089076B2 (en) 2003-05-16 2006-08-08 Fsi International, Inc. Scheduling multi-robot processing systems
JP4494840B2 (ja) 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
US7827930B2 (en) 2004-01-26 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
JP2005167089A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP4369325B2 (ja) 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
JP4409312B2 (ja) 2004-02-18 2010-02-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
US7323080B2 (en) 2004-05-04 2008-01-29 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
JP4288207B2 (ja) 2004-05-25 2009-07-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
JP2005353739A (ja) 2004-06-09 2005-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
JP2006005315A (ja) 2004-06-21 2006-01-05 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP4271109B2 (ja) 2004-09-10 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置
JP2006086474A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Sharp Corp 基板洗浄用ノズルおよび基板洗浄装置
US7476616B2 (en) 2004-12-13 2009-01-13 Fsi International, Inc. Reagent activator for electroless plating
JP4410119B2 (ja) 2005-02-03 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、塗布、現像装置及び洗浄方法
KR101255048B1 (ko) 2005-04-01 2013-04-16 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 하나 이상의 처리 유체를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는데 이용되는 장치용 배리어 구조 및 노즐 장치
US8070884B2 (en) 2005-04-01 2011-12-06 Fsi International, Inc. Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance
US7309847B2 (en) 2006-01-12 2007-12-18 Carleton Life Support Systems, Inc. Ceramic oxygen generating oven
JP4641964B2 (ja) 2006-03-30 2011-03-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN101495248A (zh) * 2006-07-07 2009-07-29 Fsi国际公司 液体气溶胶颗粒去除方法
CN104319249B (zh) 2006-07-07 2017-11-07 Tel Fsi股份有限公司 用于处理微电子工件的设备
JP4644170B2 (ja) 2006-09-06 2011-03-02 栗田工業株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20080213076A1 (en) 2007-03-02 2008-09-04 Stephen Hanson Edge grip end effector
KR101532224B1 (ko) 2007-05-18 2015-06-30 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 수증기 또는 스팀을 이용하여 기판을 처리하는 방법
US20090025807A1 (en) * 2007-07-10 2009-01-29 Visible Assets Inc. Rubee enabled outdoor faucet and watering control system
KR101060664B1 (ko) 2007-08-07 2011-08-31 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치
KR20110005699A (ko) 2008-05-09 2011-01-18 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법

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