KR20070122473A

KR20070122473A - 하나 이상의 처리 유체로 마이크로일렉트로닉 작업물을처리하는 장치용 이동 및 안착 가능한 배플들을 포함하는소형 덕트 시스템

Info

Publication number: KR20070122473A
Application number: KR1020077022911A
Authority: KR
Inventors: 알렌 디. 로즈; 다리안 디. 카; 제임스 엠. 에피스; 스테픈 쥐. 핸슨
Original assignee: 에프에스아이 인터내쇼날 인크.
Priority date: 2005-04-01
Filing date: 2006-03-15
Publication date: 2007-12-31
Also published as: US20080271763A1; JP2008535253A; KR100993311B1; US20110308647A1; US7681581B2; US20070245954A1; TW200704868A; TWI361855B; WO2006107550A3; US8656936B2; TW200704869A; US8544483B2; WO2006107550A2; JP4692785B2; JP2011258960A; US20150075569A1; KR20120125388A; US8899248B2; KR101255048B1; US20070022948A1

Abstract

본 발명은 배플부재 또는 덕트 구조물을 갖는 작업물 처리장치 및 관련 방법으로서, 배플부재 또는 덕트 구조물은 작업물 및/또는 작업물 지지체의 외주부에 근접한 입구를 갖는다.

배플, 덕트 시스템, 마이크로일렉트로닉 작업물

Description

하나 이상의 처리 유체로 마이크로일렉트로닉 작업물을 처리하는 장치용 이동 및 안착 가능한 배플들을 포함하는 소형 덕트 시스템 {COMPACT DUCT SYSTEM INCORPORATING MOVEABLE AND NESTABLE BAFFLES FOR USE IN TOOLS USED TO PROCESS MICROELECTRONIC WORKPIECES WITH ONE OR MORE TREATMENT FLUIDS}

(우선권 주장)

본 특허출원은 "하나 이상의 처리 유체로 마이크로일렉트로닉 작업물을 처리하는 장치용 이동 및 안착 가능한 배플들을 포함하는 소형 덕트 시스템" 이란 발명의 명칭으로 로즈(Rose) 등에 의해 2005년 4월 1일 출원한 가명세서 출원번호 60/667,369호 및 "하나 이상의 처리 유체로 마이크로일렉트로닉 작업물을 처리하는 장치용 이동 및 안착 가능한 배플들을 포함하는 소형 덕트 시스템" 이란 발명의 명칭으로 콜린즈(Collins) 등에 의해 2005년 4월 1일 출원된 가명세서 출원번호 60/667,263호를 기초로 35 USC§119(e)에 의한 우선권을 주장하며, 상기 가출원들의 전 내용이 여기에 참조로 포함되어 진다.

본 발명은 액체 및 가스를 포함하는 하나 이상의 처리 유체로 마이크로일렉트로닉 기판을 처리하기 위해 사용되는 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 개방 및 폐쇄되도록 위치될 수 있으며 사용되는 처리 유체를 포집 및 회수 하기 위한 덕트들의 경계를 형성하는 이동 및 안착 가능한 배플 부재를 포함하는 장치에 관한 것이다.

마이크로일렉트로닉 산업은 마이크로일렉트로닉 소자를 제조하기 위해 여러 공정을 사용한다. 많은 공정들은 일련의 처리를 포함하는데, 이때 상이한 처리 유체가 처리방법에 따라 작업물과 접촉하게 된다. 이들 유체는 액체, 가스 또는 이들의 조합일 수 있다. 일부 처리에서, 고체가 액체에 분산 또는 용해되거나 가스에 비말동반될 수 있다.

폐기, 재사용, 연무(fume) 함유, 공정감시, 공정제어 또는 다른 처리를 포함한 여러 이유로 처리 유체를 포집 및 회수하는 것이 극히 바람직하다.

포집기술의 하나로 처리 유체를 위해 적절히 위치된 덕트를 사용하는 방법이 있다.

예를 들면, 마이크로일렉트로닉 산업에서의 전형적인 제조장치는 처리챔버 내의 하나 이상의 작업물을 정지판, 회전 턴테이블 또는 회전 척 같은 적절한 지지체 상에 지지하는 것을 포함한다. 하나 이상의 덕트가 적어도 지지체 외주부 둘레에 위치된다. 처리 유체가 처리챔버 내로 도입될 때, 처리 유체를 상기 덕트 내로 인접하는 배출구(exhaust)가 사용될 수 있다. 회전 지지체의 경우, 원심력이 회전하는 작업물 및/또는 지지체 표면으로 유체가 회전측으로부터 방사상 외측으로 및 덕트(들) 내로 유동하도록 한다.

종래에는 장치가 상이한 처리 유체를 포집하는데 하나의 덕트를 포함한다. 그러나 하나의 덕트 사용은 어느 경우든 바람직하지 않다.

예를 들면, 일부 처리 유체는 다른 처리 유체 존재시 매우 반응성을 띌 수 있다. 또한 서로 다른 포집상태에서 유체들을 포집하는 것이 바람직할 수 있다. 재사용이 필요한 경우, 다른 유체로의 오염을 피하기 위해 특정 덕트로 유체를 포집하는 것이 바람직하다.

따라서, 복수의 상호에 대해 고정된 적층형(stacked) 덕트를 갖고 장치가 사용되어 왔다. 작업물 지지체 및/또는 적층된 덕트 자체는 필요한 덕트가 정위치에 위치하도록 상승 및 하강된다. 이러한 공지방식은 여러 단점이 있다.

적층형 덕트는 고집적 장치화를 더 어렵게 한다. 상이한 덕트들이 항상 작업물에 대해 개방되고 및/또는 배출 수준이 각각 제어되지 않기 때문에, 덕트들은 교차오염될 수 있다. 또한 종래의 일부 덕트 시스템은 배출류의 액체와 가스성분을 분리할 능력이 없다. 덕트 구조물 자체가 이동가능한 일부 장치의 경우, 외부 배관으로의 배출관(drain) 및 배출구 연결 역시 이동해야만 하므로, 장치 설계, 제조, 사용 및 취급이 복잡해진다.

따라서, 상이한 처리 유체를 포집하기 위한 여러 덕트를 포함함에도 불구하고 소형인 장치의 필요성이 마이크로일렉트로닉 업계에 지속되고 있다.

발명의 개요

본 발명은 마이크로일렉트로닉 작업물이 액체, 가스, 유동화된 고체, 분산 및 이들의 조합을 포함하는 처리 유체로 처리되는 장치용 덕트 시스템을 제공한다. 덕트들은 재사용, 폐기, 기타 처리를 위해 여러 처리 유체를 포집하는데 사용된다. 상이한 처리 유체들은 교차오염을 최소화하기 위해 및/또는 상이한 유체에 대한 독특한 포집 방안을 이용하기 위해 다른 독립적인 덕트로 회수될 수도 있다.

본 발명의 덕트 시스템은 극소형이다. 덕트 시스템은 이동 및 안치가능한 덕트 구조물에 의해 적어도 부분적으로 형성되며, 덕트 통로부분은 이들 구조물들 사이 및/또는 장치내 이들 및 다른 구조물 사이에 있을 수 있다. 예를 들면, 구조물들이 서로에 대해 멀어지면, 덕트 통로는 개방되며 구조물들 사이가 확장된다. 구조물들이 서로 접근하면, 구조물들 사이의 덕트는 폐쇄되며 그 크기가 감소된다. 바람직한 실시예에서, 이동가능한 덕트 구조물이 어떻게 위치되는 가에 따라 복수의 덕트가 동일 공간 부피내에 존재할 수 있다. 이렇게 복수 덕트가 하나의 덕트만에 의해 차지되는 부피보다 약간 큰 부피를 차지할 수 있다.

이동형 덕트 구조물은 고정 덕트 구조물에 유동가능하게 결합하여서 장치와 외부 배관간의 배출관 및 배출구 연결은 고정되며 이동할 필요가 없다.

본 발명은 마이크로일렉트로닉 작업물을 처리하기 위한 장치에 관한 것이다. 장치는 처리중 작업물이 위치되는 지지체를 포함한다. 또한 장치는 복수의 이동 및 안치가능한 배플 부재를 포함하며, 이들은 작업물의 외주부 근방에 각각 덕트 입구를 갖는 복수의 덕트 통로의 적어도 일부를 형성한다.

본 발명은 마이크로일렉트로닉 작업물을 처리하기 위한 장치에 관한 것이다. 장치는 처리중 작업물이 위치되는 회전 지지체를 포함한다. 또한 장치는 복수의 이동형 배플 부재를 포함하며, 이들은 배플 부재를 사이에 적어도 제 1 덕트 통로를 형성하며 회전가능한 작업물 외주부 근방에 입구를 갖는다. 배플 부재 상호간 이동은 제 1 덕트 통로를 개방 및 폐쇄한다.

본 발명은 마이크로일레트로닉 작업물을 처리하기 위한 장치에 관한 것이다. 장치는 처리중 작업물이 위치되며 하우징에 위치되는 회전지지체와 하우징을 포함한다. 또한 장치는 회전가능한 작업물 외주부 근방에 각 입구를 갖는 복수의 덕트 통로를 포함한다. 각 덕트 통로는 회전가능한 작업물로부터 상대적으로 멀리 떨어진 복수의 고정 덕트 구조물과, 각 고정 덕트 구조물에 유동가능하게 결합되는 덕트 통로부를 형성하며 회전가능한 작업물 근방에 위치되는 독립적으로 이동가능한 복수의 배플 부재를 포함하는 구조물들에 의해 형성된다.

본 발명은 마이크로일렉트로닉 작업물을 처리하기 위한 장치에 관한 것이다. 장치는 처리 중 작업물이 위치되는 처리 챔버를 포함한다. 방해 구조물이 작업물의 주요 표면 근방에 상기 표면에 대해 방사상 외측으로 테이퍼되는 테이퍼형 유동채널을 효과적으로 제공하도록 작업물과 중첩하며 커버한다.

작업물이 공정 챔버에 위치되며 방해 구조물에 의해 커버되는 동안, 적어도 하나의 처리 물질이 작업물의 주요 표면과 유동가능하도록 접촉된다.

본 발명은 마이크로일렉트로닉 작업물을 처리하기 위한 장치에 관한 것으로, 처리중 작업물이 위치되는 처리 챔버를 포함한다. 방해 구조물이 작업물의 주요 표면 근방에 상기 표면에 대해 방사상 외측으로 테이퍼되는 테이퍼형 유동채널을 효과적으로 제공하도록 작업물과 중첩하며 커버한다. 방해 구조물은 공정 챔버가 충분히 개방되어 공정 챔버로 및 공정 챔버로부터 작업물 이송을 허용하는 제 1위치와 방해 구조물이 상기 주요 표면 위로 적어도 하나의 물질의 유동을 안내하도록 하는 제 2위치를 포함하는 운동 범위에 걸쳐서 제어가능하게 이동할 수 있다.

본 발명은 밑면을 갖는 환상동체를 포함하는 노즐 장치에 관한 것으로, 밑면은 환상동체가 작업물 표면 위에 위치할 때 작업물 표면 위에 테이퍼진 유동채널을 형성하도록 각이 져 있다. 적어도 하나의 노즐이 작업물 표면 위를 향해 하나 이상의 처리물질이 아래로 분배되는데 효과적인 방식으로 환상동체에 합체되어 진다. 환상동체는 하나 이상의 처리물체 공급 도관을 포함하며, 이 도관을 통해 하나 이상의 처리물체가 상기 적어도 하나 이상의 노즐로 공급된다.

본 발명은 밑면을 갖는 환상동체를 포함하는 노즐 장치에 관한 것으로, 밑면은 환상동체가 작업물 표면 위에 위치할 때 작업물 표면 위에 테이퍼진 유동채널을 형성하도록 각이 져 있다. 환상동체는 환상동체 위와 아래의 공간 사이에 배출구를 제공하도록 중앙 통로를 형성하는 내측 주연부를 갖는다. 암 구조물이 환상동체에 결합하여 제 1 및 제 2통로부를 형성하도록 중앙통로를 가로질러 연장된다. 제 1의 독립된 노즐 배열이 환상동체에 합체되되, 제 1배열은 적어도 부분적으로 암 구조물 및 환상동체의 제 1반경을 따라 연장되어서 작업물을 향해 하나 이상의 처리물질을 아래로 분사한다. 적어도 하나의 독립된 노즐이 작업물의 중앙부를 향해 처리물질을 아래로 분사하는데 효과적인 방식으로 중앙 암에 합체된다. 적어도 하나의 독립된 노즐이 적어도 하나의 중앙 유동 통로부를 지나 연장하는 유동 통로로부터 작업물을 향해 적어도 하나의 처리물질을 분배하도록 위치된다.

본 발명은 마이크로일렉트로닉 작업물을 처리하는 장치에 관한 것이다. 이 장치는 처리중 작업물이 위치되는 공정 챔버와, 관통공을 갖는 튜브부분을 포함하는 가동부재(movable member)를 갖는다. 가동부재는 작업물 위에 위치되며 작업물의 주표면에 대해 이동할 수 있다. 적어도 하나의 독립된 노즐 구조물이 가동부재에 결합하여서 가동부재가 노즐 구조물과 작업물의 주표면 사이의 상대적 공간부가 제어가능하게 조절될 수 있도록 한다. 튜브부분이 관통공내 적어도 하나의 유체 공급통로의 적어도 일부는 작업물과 적어도 하나의 독립된 노즐 구조물과 유동가능하게 결합된다.

본 발명은 마이크로일렉트로닉 작업물을 처리하는 장치에 관한 것이다. 이 장치는 처리중 작업물이 위치되는 공정 챔버와, 공정 챔버로부터 상대적으로 멀리 떨어진 제 1존과 공정 챔버에 상대적으로 근접한 제 2존을 제공하도록 공정 챔버 위에 배열되는(overlying) 천정 구조물을 갖는다. 천정 구조물은 제 1존과 제 2존 사이에 출구부를 제공하도록 벽체를 갖는 도관을 포함한다. 가동부재가 벽체 도관내에 내장된다. 상기 부재는 제 1존으로부터 상기 통공으로 이어지는 배출구를 제공하도록 제 1구멍을 갖는 튜브부분을 갖는다. 가동부재는 작업물과 관련하여 벽체 도관에 대해 상대 이동 가능하다. 노즐 구조물은 가동부재에 결합하되, 이 구조물은 공정 챔버내로 적어도 하나 이상의 처리물질을 분배하도록 위치될 수 있다.

도 1은 본 발명의 바람직한 장치 실시예의 사시도이다.

도 2는 내측 덕트 통로가 개방되고 셔터가 하강/폐쇄된 장치 구성을 A-A선에서 본, 도 1에 도시된 장치의 부분 단면도이다.

도 3은 내측 덕트 통로가 개방되고 상승/개방된 장치 구성을 A-A선에서 본, 도 1에 도시된 장치의 부분 단면도이다.

도 4는 중간 덕트 통로가 개방된 장치 구성을 B-B선에서 본, 도 1에 도시된 장치의 단면도이다.

도 5는 외측 덕트 통로가 개방된 장치 구성을 B-B선에서 본, 도 1에 도시된 장치의 단면도이다.

도 6은 장치가 작업물 이송구성에 있는 상태에서 A-A선에서 본, 도 1에 도시된 장치의 단면도이다.

도 7은 장치가 작업물 이송구성에 있는 상태에서 B-B선에서 본, 도 1에 도시된 장치의 단면도이다.

도 8은 도 1장치의 저면도이다.

도 9는 도 1장치의 또 다른 저면도이다.

도 10은 복수의 배출구역 및 집수역을 형성하는 밑판 하부로부터 위를 향하는 일련의 환상, 동심원 벽을 보여주기 위해 부품들이 제거된 상태의 도 1장치의 밑판 사시도이다.

도 11은 도 1장치에 사용되는 드립 링의 사시도이다.

도 12는 도 1장치에 사용되는 외측, 환상 배플판의 사시도이다(중간 및 내측 배플 판은 도시되지 않았으나, 다른 도면들과 후술되는 바처럼 서로 그 내부에 안 착될 수 있는 크기를 갖는 것을 제외하고는 유사함).

도 13은 도 1장치에 사용되는 외측 배플 판의 사시도이다(중간 및 내측 배플 판은 도시되지 않았으나, 다른 도면들과 후술되는 바처럼 서로 그 내부에 안착될 수 있는 크기를 갖는 것을 제외하고는 유사함).

도 14A는 환상의 드립 링 근방의 영역을 보여주는 B-B선에서 본, 도 1장치의 부분 확대 단면도이다.

도 14B는 내측 배플 부재 근방의 영역을 보여주는 B-B선에서 본, 도 1장치의 부분 확대 단면도이다.

도 14C 중간 배플 부재 근방의 영역을 보여주는 B-B선에서 본, 도 1장치의 부분 확대 단면도이다.

도 14D는 외측 배플 부재 근방의 영역을 보여주는 B-B선에서 본, 도 1장치의 부분 확대 단면도이다.

도 15는 B-B선에서 본 도 1장치의 또 다른 부분 확대 단면도이다.

도 16은 B-B선에서 본 도 1장치의 단면도이다.

도 17은 분배 조립체가 처리를 실행하기 위해 하강되고 셔터가 하강/폐쇄된 장치 구성을 A-A선에서 본, 도 1장치의 단면도이다.

도 18은 도 1장치에 사용되는 천청판의 사시도이다.

도 19는 도 1장치에 사용되는 가동 지지부재의 사시도이다.

도 20은 외측 및 내측 배플 부재용 액추에이터 부분을 보여주는 도 8의 C-C선에서 본, 도 1장치의 단면도이다.

도 21은 도 1장치에 사용되는 분배 조립체의 사시도이다.

도 22A는 도 21의 분배 조립체를 G-G선에서 본 단면도이다.

도 22B는 부가적인 특성을 보여주는 것을 제외하고는 도 22A와 유사한, 도 21의 분배 조립체를 G-G선에서 본 단면도이다.

도 23은 도 22의 분배 조립체에 사용되는 분사 노즐/방해 구조물을 구조물의 저면에서 본 사시도이다.

도 24는 도 22의 분배 조립체에 사용되는 분사 노즐/방해 구조물을 구조물의 상부에서 본 사시도이다.

도 25는 H-H선에서 본, 도 24의 분사노즐 방해 구조물의 단면도이다.

도 26은 J-J선에서 본, 도 24의 분사노즐 방해 구조물의 단면도이다.

도 27은 도 22의 분배 조립체에 사용되는 중앙 분배 노즐의 사시도이다.

도 28은 도 22의 분배 조립체에 사용되는 리테이너/스페이서의 사시도이다.

도 29는 중앙 분배 노즐 및 리테이너/스페이서 클램프 서브 조립체를 포함하는, 도 22의 분배 조립체 부분 사시도이다.

도 30은 D-D선에서 본 도 29의 서브 조립체의 단면도이다.

도 31은 C-C선에서 본 도 29의 서브 조립체의 단면도이다.

도 32는 도 22의 분배 조립체에 사용되는 샤워 꼭지형 분배 조립체를 상부에서 본 사시도이다.

도 33은 도 22의 분배 조립체에 사용되는 샤워 꼭지형 분배 조립체를 저면에서 본 사시도이다.

도 34는 도 32의 샤워 꼭지 분배 조립체에 사용되는 밑판의 사시도이다.

도 35는 도 32의 샤워 꼭지 분배 조립체에 사용되는 덮개의 사시도이다.

도 36은 도 32의 샤워 꼭지 분배 조립체에 사용되는 설치 받침대의 사시도이다.

도 37은 가동 지지부재, 셔터 및 천청 판간의 안치 관계를 보여주는 A-A선에서 본 도 1장치의 단면도이다.

도 38은 도 1장치에 사용되는 셔터의 사시도이다.

후술된 본 발명의 실시예들은 상세한 설명에 기술된 특정 형태들로 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다. 오히려 당업자가 본 발명의 원리와 실시를 이해하도록 실시예들이 선택되고 기술되었다. 본 발명이 위치에 기반한 마이크로일렉트로닉 기판 세척 장치와 관련하여 기술될 것이나, 본 발명의 원리는 다른 마이크로일렉트로닉 처리 시스템에도 또한 적용될 수 있다.

도 1 내지 38은 본 발명의 원리를 포함하는 장치(10)를 예시한다. 예시된 장치(10)는 하나의 작업물(workpiece)(12)이 어느 한 순간 장치(10) 내에 위치되며 하나 이상의 처리를 거치는 타입으로, 상기 처리중 액체(들) 및/또는 가스(들)이 작업물과 접촉하게 된다. 예를 들면, 마이크로일렉트로닉 산업의 경우, 장치(10)는 웨이퍼 처리장치로 불릴 수 있다. 작업물(12)은 통상적으로 반도체 웨이퍼 또는 마이크로일렉트로닉 기판이다.

장치(10)는 주처리부(11)와 배리어 분배부(barrier dispense section)(500)로 구성된다. 실제의 경우, 분배부(500)와 처리부(11)는 프레임(framework)(미도시)에 고정되며 장치(10)의 하우징(미도시) 내에 위치된다. 위 고정은 스크류, 볼트, 리벳, 접착제, 용접, 클램프, 브래킷, 이들의 조합 등과 같은 임의의 수단에 의해 실행된다. 실행, 보수, 기능향상 및/또는 대체의 편의를 위해 처리부(11)와 분배부(500) 및/또는 이들의 구성품들의 독립적이며 제거가능하게 설치되는 것이 바람직하다.

처리부(11)는 밑판(16) 및 측벽(18)에 의해 형성되는 베이스(14)를 포함한다. 밑판(16) 및 측벽(18)은 각 부분들이 볼트, 스크류, 접착, 용접 또는 다른 결착방법에 의해 서로 결합되어 형성되거나, 밑판(16) 및 측벽(18)이 도시된 바와 같이 한 부품으로 일체로 형성될 수 있다.

특정의 실시예에서, 환상의 동심원상 벽체(22와 23, 24와 25 및 26과 27) 세쌍이 밑판(16)으로부터 상향 돌출한다. 이들 벽체는 배출구역(exhaust plenums) (29,30,31)과 집수역(drain basin) (52,53,54,55)을 형성하는데 도움을 준다. 배출구역(29,30,31)은 후술된 세개의 독립적인 배출 덕트 통로(330,338,346) 부분을 형성한다. 물론 본 발명의 다른 실시예를 원하는 경우 덕트 통로의 수가 더 많거나 적을 수 있으며, 배출구역과 집수역 또한 더 많거나 적을 수 있다.

도시된 장치(10)에서, 덕트 통로(330,338,346)는 서로 독립적이며 별개로서 각 덕트 통로가 자신만의 배출구역과 집수역을 갖는 것이 바람직하다. 이는 각 배출류(exhaust stream)가 배출 및/또는 다른 처리단계에서 개별적으로 취급될 수 있 어서 사용은 다른 유체들과 상호 오염되는 것을 방지한다. 다른 예로서, 배출류들이 서로 다른 상태에 있는 것이 요망될 수 있다. 이처럼 독립적이며 별개의 배출 덕트 통로는 여러모로 바람직하다. 그러나, 다른 실시예로 휠씬 더 소형의 디자인(compact design)이 요구되는 경우, 둘 이상의 배출 덕트들이 하나의 집수역 및/또는 배출구역을 공유할 수 있다.

벽체(22,23)의 상부 림(rim)(33,34)은 배출류가 배출구역(29)으로 들어가는 환상의 입구(35)를 형성한다. 배출구역(29)의 하부는 배출류가 내측 배출구역(29)으로부터 나가는 하나 이상의 출구공(48)을을 갖는다. 마찬가지로, 벽체(24,25)의 상부 림(39,39)은 배출류가 중간 배출구역(30)으로 들어가는 환상의 입구(40)를 형성한다. 배출구역(30) 바닥은 배출류가 외측 배출구역(31)으로 들어가는 환상의 입구(45)를 형성하며, 배출구역(31) 바닥은 배출류가 외측 배출구역(31)으로부터 나가는 하나 이상의 출구공(50)을 갖는다.

각 집수역(52,53,54,55)은 각 바닥부(56,57,58,59)를 포함한다. 각 바닥부(56,57,58)는 수집된 액체가 해당 집수역으로부터 빠져 나가도록 하는 배출공(63,67)과 같은 하나 이상의 배수공을 각각 포함한다. 내측 집수역(52)의 바닥부(56)는 수집된 액체가 배출공(들)(63)으로 향하도록 적절히 경사져 있다. 바닥부(57,58,59)는 마찬가지로 경사져 있을 수 있다. 배수공들은 커플링(62 또는 68)이 장착되어 있어서 적당한 배수관(미도시)으로 용이하게 연결될 수 있다.

도시된 실시예에서, 축 구멍(70)을 갖는 복수의 액추에이터 축 하우징(69)이 배출구역(29)에 위치된다. 따라서 이들 하우징은 내측 배출구역(29)을 세개의 하 위 배출구역들로 분할한다. 전 배출구역에 걸쳐서 배출유동이 균일하게 되도록 각 하위 배출구역에 하나 이상의 배출구 공을 제공하는 것이 바람직하다. 축 하우징(69)과 축 구멍(70)은 액추에이터 축(314)이 내측 배플 부재(174)에 연결되어 그 운동을 제어할 수 있도록 하는 통로를 제공하며, 배플 부재는 배출구역(29)과 선택적으로 결합한다. 마찬가지로, 축 구멍(72)을 갖는 액추에이터 축 하우징(73)이 중간 배출구역(30)에 위치되며, 중간 배출구역(30)과 선택적으로 결합하는 중간 배플 부재(218)에 연결되어 그 운동을 제어할 수 있도록 통로를 제공한다. 또한, 축 구멍(76)을 갖는 액추에이터 축 하우징(75)이 외측 배출구역(31)에 위치되며, 외측 배출구역(30)과 선택적으로 결합하는 외측 배플 부재(262)에 연결되어 그 운동을 제어할 수 있도록 통로를 제공한다.

밑판(16)의 중앙부는 중앙통공(78)을 갖는다. 중앙통공(78)은 도시된 바와 같이 원형 단면을 갖는 것이 바람직하다. 다른 형상을 가질 수도 있다. 원기둥형 내측 플랜지(80)가 밑판(16)으로부터 상부로 돌출하여서 원통형 내측 측벽(82)과 외측 측벽(84)을 형성하는데 도움을 준다. 외측 측벽(84)은 상부 림에 쇼울더(shoulder)(90)를 가지며, 내측 측벽(82)은 하부 림에 쇼울더(92)를 갖는다.

처리챔버(503) 내에서, 작업물(12)은 척(94)에 의해 지지, 고정된다. 척(94)은 원기둥 형상을 가지며, 상면(96), 하면(98), 환상바닥(100), 중앙통공부(102), 외측 주연부에 위치되는 측벽(104) 및 환상의 스플래쉬 쉴드(splash shield)(108)를 포함한다. 척(94)은 정지 또는 중앙축(106)을 중심으로 회전할 수 있다. 처리중 작업물(12)이 축(106)에 대해 회전할 수 있도록 척(94)이 모터(110) 에 의해 회전구동되는 장치(10)의 실시예가 예시되어 있다. 이 실시예에서, 작업물(12)은 회전척(94)에 의해 회전되며, 이 회전은 분배된 처리물질이 작업물(12)에 골고루 퍼지도록 한다. 모터(110)는 중앙통공부(112)를 갖는 중공축 타입(hollow shaft type)일 수 있으며, 설치구조물(114) 같은 적당한 방법으로 장치(10)에 설치된다.

환상의 스플래쉬 쉴드(108)는 척(94)의 하면(98)으로부터 아래로 연장한다. 쉴드(108)의 하단부(109)는 내측 플랜지(80)의 쇼율더(90)에 안착되어서 액체가 내측 플랜지(80) 너머로 튀기는 것을 방지하며 중앙통공부(78) 내로 향하도록 한다. 척(94)이 회전하는 실시예의 경우, 쉴드(108)와 쇼울더(90)의 벽 사이에 틈이 존재하여서 쉴드(108)와 쇼울더 벽이 서로 마찰함으로써 척(94) 회전시 바람직하지 않은 부스러기가 발생하는 것을 방지한다.

척(94)은 공지 또는 향후 개발될 방법에 따라 다양한 방법으로 작업물(12)을 고정할 수 있다. 척(94)은 척(94)의 상면(96) 위에 작업물(12)을 안전하게 고정하는 변부 파지 구조물(미도시)을 포함하며, 따라서 작업물(12)과 상면(96) 사이에 틈이 존재한다. 이렇게 하여, 세정수를 포함하는 처리 화학약품이 작업물(12)의 윗면(128) 또는 밑면(130)에 분배될 수 있다.

선택에 따라서는 장치(19)가 작업물(12)의 밑면(130)을 처리하기 위한 분배 구조물(들)을 가질 수 있다. 하나 이상의 처리 화학약품이 복수의 노즐 오리피스(미도시)를 통해 작업물(12)의 밑면(130)을 향해 분배되도록 하는 원형의 분배 헤드(136)가 하부 분배장치로서 예시되어 있다. 처리 화학약품은 척(94)의 중앙통공 부(102)와 모터(110)의 중앙 통공부(112)를 지나는 축(138)을 통해 하부 분배장치로 공급된다. 척(94)이 회전하는 실시예의 경우, 척(94)이 회전할 때 부품들간 마찰이 없도록 축(138)과 중앙 통공부(102,112) 사이에 틈이 존재한다. 하부 분배장치(136)는 필요에 따라 공급 또는 혼합되도록 분배처리 화학약품의 하나 이상의 공급부(미도시)에 연결될 수 있다.

환상의 드립 링(drip ring)(156)이 내측 플랜지(80)에 근접하여 밑판(16)에 부착된다. 드립 링(156)은 바닥부(158), 내측벽(160), 중간벽(162), 만곡된 상부 림(160) 및 외측벽(166)을 포함한다. 바닥부(158)는 집수역(52)의 바닥부(56)의 경사에 상응하도록 아래로 경사져서 이와 결합한다. 드립 링(156)의 내측벽(160)은 내측 플랜지(80)의 하부 측벽부(86)와 결합한다. 중간벽(162)은 외측으로 꺽여져서 척(94)의 측벽(104)과 중간벽(162) 사이에는 틈이 있게 된다. 만곡된 상부 림(164)은 중간벽(162)과 외측벽(166) 사이에 부드러운 전환을 제공한다. 이는, 후술되는 바와 같이, 배출류가 드립 링(156)을 넘어 하나 이상의 개방 덕트로 유동할 때 부드러운 유동이 되도록 한다. 이 실시예에서, 만곡된 상부 림(164)은 척(94)의 상면(96) 약간 위로 돌출한다. 이렇게 하여, 일부 액체는 척(94)으로부터 외측으로 회전하여 진행하고 및/또는 작업물(12)은 드립 링(156)에 의해 형성된 유지부(70)에 유지된다. 배출공(172)이 바닥부(158)와 중간벽(162)에 의해 형성된 드립 링(156)의 하부에 제공되어서 유지부(170)에 수집된 액체가 집수역(52)으로 배출되도록 한다.

또한 장치(10)는 되시된 실시예의 배출구역(29,30,31)의 갯수에 상응하는 복 수의 가동형, 안착형(moveable and nestable) 배플부재(174,218,262)를 포함한다. 배플부재(174,218,262)는 배출류가 작업물(12) 및/또는 척(94)으로부터 방사상으로 유입되는 하나 이상의 배출덕트를 개 및/또는 폐하도록 제어가능하며, 상호 독립적으로 이동될 수 있는 것이 바람직하다. 또한 배플부재(174,218,262)는 하나 이상의 배출 덕트의 적어도 경계부의 일부를 형성하여서 배출류가 상기 덕트(들)를 유동하여 지나는 것을 안내하는데 도움을 준다. 배플부재(174,218,262)가 원하는 대로 이동하며 서로 안착될 수 있는 능력은 장치(10)가 보다 소형화될 수 있도록 하는 바, 이는 그 경계가 적어도 부분적으로 배플부재에 의해 형성되는 덕트부분들이 단지 하나의 덕트일 때와 거의 동일한 공간을 차지할 수 있기 때문이다. 소형화는 보다 적은 적층 높이, 보다 용이한 포장, 보다 작은 장치 칫수 등을 포함하여 여러 이유로 중요하다.

내측 배플부재(174)는 환상의 배플 판(176)과 환상의 배플 후드(194)를 포함한다. 판(176)과 후드(194)는 단일체로 형성될 수 있으나, 장치(10)의 용이한 조립, 보수 및 사용을 위해 상호 고정 또는 결착되는 별도의 부품인 것이 바람직하다. 배플 판(176)은 윗면(178), 밑면(180), 척(94)의 외주 근방의 내측 림(182), 외측 측벽 플랜지(186), 내측 측벽 플랜지(190)를 갖는다. 배플 판(176)의 구성부 중 표면들은 내측 배플부재(174) 넘어로 및/또는 하부로 배출류가 부드럽게 유동하도록 부드러운 전환에 의해 연결된다. 외측 측벽 플랜지(186) 및 내측 측벽 플랜지(190)에 의한 이중 벽 구조체는 여러 기능을 제공한다. 하나의 기능으로, 이들 플랜지(186,190)는 배플 판(176)이 상응하는 배플 후드(194)에 견고하게 고정되도 록 한다. 배플부재(174,218,262)의 어느 경우에도, 각 배플 판은 원하는 방식으로 상응하는 후드에 부착될 수 있다. 각 부분들이 쉽게 분리되며 사용 및 보수 후 대체될 수 있도록 비영구적 방식이 바람직하다. 또한 두개의 플랜지(186,190)를 사용하는 것은 내측 배플부재(174) 위로 및 아래로 부드러운 유동통로를 형성할 수 있도록 한다.

환상의 배플 후드(194)는 배출구역(29)의 입구(35)에 이를 둘러싸도록 부착된다. 내측 배플부재(174)는 상,하로 이동 가능하여서 후드(194)의 상응하는 상,하운동이 입구(35)를 원하는 정도 만큼 개방 및 폐쇄할 수 있다. 또한, 후드(194)는 집수역(52)에 배수트랩(drain trap)기능을 제공하는데 도움이 되는 구조물을 포함한다. 이것은 집수역(52)을 유동하여 통과하는 배출류의 액체와 가스 성분을 분리하는데 도움이 된다. 이렇게 분리된 성분은 폐기, 재활용, 후공정에 사용 또는 다른 처리를 위해 독립적으로 회수될 수 있다. 부가적인 기능으로, 후드(194)는 덕트 통로의 일부와 배출구역(29)을 유동가능하게 연결시키는데 도움이 되며, 상기 통로의 경계는 환상 배플 판(176)의 밑면(180)에 의해 적어도 부분적으로 형성된다.

보다 상세하게는, 배플 후드(194)는 캡판(196), 내측 플랜지(198), 외측 플랜지(206), 하부 단부(202) 및 내측면(204)을 포함한다. 캡판(196)은 입구(35) 위에 위치되며 입구(35) 위에 공간부(208)를 형성하는데 도움을 준다. 배플부재(174)가 하강되면, 공간부(208)의 부피는 감소하여 캡판이 접근함으로써 입구(35)로 유입되는 유동을 막는다. 배플부재(174)는 캡판(196)이 입구(35)에 대해 안착되어 이를 폐쇄할 수 있을 정도로 충분히 하강할 수 있다. 배플부재(174)가 상승하면, 입구(35) 위의 공간부(208) 부피가 증가하여 캡판(196)이 이격됨으로써 입구(35)로의 유동이 증가한다.

내측 플랜지(198)는 벽체(22)로부터 이격되어 있어서 집수역(152)과 공간부(208)를 유동가능하게 연결하는 유동 채널(200)을 제공한다. 플랜지(198) 하단부는 배출구역(29)으로의 입구(35)를 형성하는데 도움을 주는 림(33,34) 아래로 연장된다. 이렇게 하여, 내측 플랜지(198)는 집수역(52)으로 들어가는 배출류가 배출구역(29)으로 직접 들어가는 것을 방지하는 억제부를 형성한다. 이 배출류는 공간부(28)를 통해 입구(35)로 유입되기 전에 바닥부(56)를 향해 하강하고, 내측 플랜지(198)의 하단부를 돌아서, 유동 채널(200)을 통해 상승해야만 한다. 이처럼, 내측 플랜지(198)의 위치와 구성은 집수역(52) 내에 트랩 기능을 제공하는데 도움을 준다. 집수역(52)을 통과하는 배출류의 액체성분은 집수역(52) 내에서 포집될 가능성이 상대적으로 크나, 가스성분은 집수역(52)을 통과하며 배출구역(29)으로 들어갈 가능성이 상대적으로 크다.

이러한 트랩 기능을 촉진하기 위해, 내측 플랜지(198)의 내표면에는 내표면 상의 액체 농축 또는 다른 포집을 촉진하는데 도움을 주는 표면특성이 제공된다. 이렇게 포집된 액체는 바닥부(56)로 방울방울 떨어지거나 유동하여서, 바닥부의 액체는 배출공(들)(63)을 통해 회수될 수 있다. 도시된 바와 같이, 바람직한 표면특성은 삼각형 돌기부(210) 배열을 포함한다. 각 돌기부(210)는 그 축(212)이 (유입되는 배출류를 향해) 상부를 향하고 그 바닥(214)이 (유입류로부터 이격하며) 하부 를 향하도록 배향된다. 유입되는 배출류와 맞부닥치는 상대적으로 뾰족한 축(212)은 액체 포집을 향상시키는 것으로 판단된다. 이러한 돌기부(210)를 다수 사용하는 것이 액체를 트랩하는 것을 용이하게 하므로 바람직하다. 그러나, 돌기부 측부에 포집된 액체가 바닥부(56)를 향해 방울져 떨어지거나 유동하기 위해 돌기부가 충분히 떨어져 있도록 하는 밀도로 표면특성이 배열된다.

외측 플랜지(206)는 배출류가 외측 플랜지(206)와 벽체(23) 사이로 유동하는 것을 방지하도록 벽체(23)에 충분히 근접할 정도로 아래로 연장된다. 마찰에 따른 파편 발생의 위험성을 최소화하기 위해, 벽체(23)와 외측 플랜지(206) 사이에 틈이 존재하는 것이 바람직하다. 배출류가 배출구역(29)을 통해 지나갈 때, 이 근접한 틈 간격은 모든 배출류가 배출구역(29)을 통해 지나가도록 유체에 충분히 높은 저항을 제공한다.

중간 배플부재(218)는 내측 배플부재(174)와 유사하며 환상의 배플 판(220)과 배플 후드(238)를 포함한다. 배플판(220)은 윗면(222), 밑면(224), 내측 림(226), 외측 플랜지(230) 및 내측 플랜지(234)를 포함한다. 환상의 배플 후드(238)는 공간부(252)를 형성하는데 도움을 주는 캡판(240), 유동채널(244)을 통과하는 유동통로 형성에 도움을 주며 하단부(246)와 내측면(248)을 갖는 내측 플랜지(242), 외측 플랜지(250) 및 축(256)과 바닥(258)을 갖는 돌기부(254)를 포함한다. 중간 배플부재(218)의 후드(238)는 작동시 중간 배출구역(30)을 둘러싸며 집수역(53) 내의 트랩 기능을 제공하는데 조력한다. 또한, 내측 배플부재(174) 및/또는 중간 배플부재(218)는 이동가능하여서 내측 배플부재(174)가 중간 배플부 재(218) 내에 안착할 수 있고 따라서 둘 사이로 물질의 유동을 제한 또는 폐쇄할 수 있다. 또한, 두 배플부재(174,218)는 둘 사이에 유동통로를 개방하도록 분리될 수 있다.

외측 배플부재(262)는 내측 배플부재(174) 및 중간 배플부재(218)와 유사하며, 환상의 배플판(264)과 환상의 배플후드(282)를 포함한다. 배플판(264)은 윗면(266), 밑면(268), 내측 림(270), 외측 플랜지(274) 및 내측 플랜지(278)을 포함한다. 배플후드(282)는 공간부(296)를 형성하는데 도움을 주는 캡판(284), 유동채널(288)을 통과하는 유동통로 형성에 도움을 주며 하단부(290)와 내측면(292)을 갖는 내측 플랜지(286), 외측 플랜지(294) 및 축(300)과 바닥(302)을 갖는 돌기부(298)를 포함한다. 외측 배플부재(262)의 후드(282)는 작동시 외측 배출구역(31)을 둘러싸며 집수역(54) 내의 트랩기능을 제공하는데 조력한다. 또한 외측 배플부재(262)는 내측 배플부재(174) 및/또는 중간 배플부재(218)에 대해 이동가능하여서 중간 배플부재(218)가 외측 배플부재(262) 내에 안착할 수 있고 따라서 둘 사이로 물질의 유동을 제한 또는 폐쇄할 수 있다. 또한, 두 배플부재(218,262)는 둘 사이로 유동통로를 개방하도록 분리될 수 있다.

장치(10)는 이들 방해물들이 서로에 대해 제어가능하게 가변적으로 이동할 수 있으며 또한 안착할 수 있도록 배플부재(174,218 및/또는 262)의 하나 이상을 독립적으로 구동하는 구동장치(들)를 포함한다. 배플부재(171,262)를 이동시키는 구동장치가 도면에 예시되어 있다. 중간 배플부재(218)의 구동장치도 비슷하다. 내측 배플부재(174)의 경우, 내측 배플 구동모터(312)(모터 318은 중간 배플부재 218 구동에 사용됨)는 일측이 해당 축(314)에 다른 일측이 내측 배플부재(174)에 연결된다. 축들은 내장되어서 하우징(69)의 축구멍(70) 내에서 상,하로 이동한다. 밀봉부(316)는 이들 영역에서의 누설을 방지한다. 이처럼, 내측 배플부재(174)는 중간 배플부재(218) 및 외측 배플부재(262)에 대해 독립적으로 이동될 수 있다.

마찬가지로, 외측 배플 구동모터(324)가 일측은 해당 축(326)에 다른 일측은 배플부재(262)에 연결된다. 축(326)은 내장되어서 하우징(75)의 축구멍(76) 내에서 상,하로 이동한다. 밀봉부(328)는 이들 영역에서의 누설을 방지한다. 이처럼, 외측 배플부재(262)는 내측 배플부재(174) 및 중간 배플부재(218)에 대해 독립적으로 이동될 수 있다.

배플부재(174,218,262)는 처리챔버(503)로부터 처리유체를 포집 및 배출할 수 있는 소형의 제어가능한 복수 덕트 시스템의 특징부이다. 시스템의 덕트의 하나 이상은 언제나 가변적으로 개방 및/또는 폐쇄될 수 있다. 도면에 도시된 실시예의 경우, 각 배출 덕트는 서로 독립적이며 불연속적이다. 이것은 유체가 다른 덕트를 통해 배출되는 경우 다른 배출방식이 사용될 수 있도록 한다. 또한, 다른 처리물질이 다른 덕트에서 포집될 수 있으므로, 그렇지 않고 재활용 처리물질이 다른 물질이 사용된 덕트로부터 회수된 경우 발생하는 교차오염 없이 재활용 되는 것을 촉직한다. 전형적인 처리에서, 한 종류 이상의 처리 유체가 작업물(12)의 한면 또는 양면에 분배된다. 척(94) 및 따라서 작업물(12)이 회전할 때, 처리 화학물질은 방사상 외측으로 유동하여서 적당한 개방 배출 덕트(들)로 유입된다. 배기류는 개방 덕트(들)을 통해 흡인될 수 있다. 이러한 배기류 흡인은 또한 입자나 연 무(fume)의 제어에 도움이 된다. 교차오염을 방지하기 위해 최소량의 배기류가 폐쇄 덕트에 적용될 수 있다. 척(94) 및 따라서 작업물(12)이 정지상태인 실시예의 경우, 배기류 흡인은 처리물질을 방사상 외측으로 유인하여 적당한 배출 덕트로 유동케 한다.

장치(10)는 다양한 배출 구성을 가질 수 있다. 예시로써, 도 2 내지 7은 장치(10)의 다변성을 보여주는 대표적인 네개 배출구성을 보여준다. 도 2와 도 3은 내측 덕트통로(330)가 개방된 배출구성의 장치(10)를 보여준다. 이 구성에서, 세개의 모든 배플부재(174,218,262)는 상승되며 서로 안착되어 있다. 이것은 부재들 사이로의 유동을 폐쇄하나 배플부재(174) 아래의 덕트통로(330)를 향한 환상 덕트 입구(332)는 개방한다. 배플판(176,220,264)은 판 사이로 유동은 폐쇄하도록 물리적으로 밀착될 수 있으나, 이는 입자가 발생할 수 있는 위험성을 초래한다. 따라서, 판(176,220,264)이 물리적으로 밀착되지 않으면서도 실질적으로 배출류 전부가 개방 덕트통로(330) 내로 유동하도록 충분한 유동저항을 발생할 정도로 근접하는 것이 바람직하다.

환상 덕트입구(332)는 작업물(12)과 척(94)의 외주를 둘러싼다. 덕트통로(330)는 덕트입구(332)로부터 짧은 거리로 방사상 외측으로 연장된다. 그리고 덕트통로(330)는 아래로 경사져서 드립 링(156)의 내측 배플부재(174)와 외측벽(166) 사이의 보다 축방향으로 배향된 유동채널을 포함한다. 이것은 덕트통로(330)를 집수역(52) 내로 연장한다. 덕트통로(330)는 유동채널(200)을 지나 후드(194) 아래로, 공간부(208)로, 입구(35)를 통해 배출구역(29)으로 그리고 출구 공(36)을 통해 내측 배플 매니폴드(336)와 같은 적당한 배관으로 연장된다.

도 4는 중간 덕트통로(338)가 개방된 장치(10)의 또 다른 배출구성을 보여준다. 이 구성에서, 내측 배플부재(174)는 충분히 하강하여서 내측 덕트통로(330)로의 유동은 폐쇄된다. 내측 배플부재(174)는 환상의 드립 링(156)의 만곡된 상부 림(164)과 물리적으로 접촉할 수 있으나, 이들 부분들이 밀착하지 않으며 유동을 폐쇄할 정도로 충분히 근접하는 것이 바람직하다. 동시에, 캡판(196)은 배출구역(29)으로의 입구(35)에 대해 밀착하여 폐쇄한다. 한편, 중간 배플부재(218)와 외측 배플부재(262)는 중간 배플부재(218)가 외측 배플부재(262) 내에 안착하도록 상승된다. 이것은 두 부재 사이의 유동은 폐쇄하나, 내측 배플부재(174) 위이고 중간 배플부재 아래의 중간 덕트통로(338)로의 환상의 덕트입구(340)는 개방한다.

덕트통로(340)는 작업물(12)과 척(94)의 외주를 둘러싼다. 덕트통로(338)는 덕트입구(340)로부터 방사상 외측으로 짧은 거리만큼 연장된다. 뒤이어 덕트통로(338)는 아래로 경사져서 중간 배플부재(218)와 내측 배플부재(174) 사이의 보다 축방향으로 배향된 유동채널을 포함한다. 이것은 덕트통로(338)를 집수역(53) 내로 연장한다. 덕트통로(338)는 유동채널(244)을 통해 후드(238) 아래로 공간부(252)로, 입구(40)를 통해 배출구역(30)으로 그리고 출구공(미도시)을 통해 중간 배플 매니폴드(340)와 같은 적당한 배관으로 연장된다.

도 5는 외측 덕트통로(346)가 개방된 장치(10)의 또 다른 배출구성을 보여준다. 이 구성에서, 내측 배플부재(174)와 중간 배플부재(218)는 하강하여 안치되어서 판(176,220)이 내측 및 중간 덕트통로(330,338)로의 유동은 폐쇄할 정도로 충분 히 근접한다. 동시에 캡판(196)은 배출구역(29)으로의 입구(35)에 대해 밀착하여 폐쇄하며, 캡판(240)은 배출구역(30)으로의 입구(40)에 대해 밀착하여 폐쇄한다. 한편, 외측 배플부재(262)는 상승함으로써 중간 배플부재(218) 위이고 외측 배플부재(262) 아래의 외측 덕트통로(346)로의 환상 덕트입구(348)를 개방한다.

환성 덕트입구(348)는 작업물(12)과 척(94)의 외주를 둘러싼다. 덕트통로(346)는 덕트입구(348)로부터 방사상 외측으로 짧은 거리만큼 연장된다. 뒤어어 덕트통로(346)는 아래로 경사져서 외측 배플부재(262)와 중간 배플부재(218) 사이의 보다 축방향으로 배향된 유동채널을 포함한다. 이것은 덕트통로(346)를 집수역(54) 내로 연장한다. 덕트통로(346)는 유동채널(288)을 통해 후드(282) 아래로 공간부(296)로 입구(45)를 통해 배출구역(31)으로 그리고 출구공(46)을 통해 외측 배플 매니폴드(352)와 같은 적당한 배관으로 연장된다.

도 6과 도 7은 덕트통로(330,338,346) 모두가 폐쇄되고 작업물(12)이 처리챔버(503)로 장입 및/또는 취출되는 장치(10)의 또 다른 배출구성을 보여준다. 이 구성에서, 배플부재(194,218,262)는 하강하여 안치되어서 판(176,220,264)은 유동통로(330,338,346)로의 유동을 폐쇄할 정도로 충분히 근접한다. 동시에, 캡판(196)은 배출구역(29)으로의 입구(35)에 대해 밀착하여 폐쇄하며, 캡판(240)은 배출구역(30)으로의 입구(40)에 대해 밀착하여 폐쇄하며, 캡판(284)은 배출구역(31)으로부터 입구(45)에 대해 밀착하여 폐쇄한다. 선택에 따라서는 방해판(556)이 상승하여 처리챔버(503)로 및 챔버로부터 접근을 용이하게 할 수 있다.

도면들은 하나 이상의 마이크로일렉트로닉 작업물의 처리 중에 하나 이상의 처리물질을 분배하는데 유용한 방해/분배부(500)의 바람직한 일 실시예이다. 이 분배장치는 공급라인(미도시)을 통해 제공되는 처리물질의 하나 이상의 공급원(미도시)에 연결될 수 있다. 이들 물질은 필요시 공급 또는 혼합상태로 분배될 수 있다. 다양한 처리물질이 사용될 수 있으며, 장치(10)는 실행될 처리형태에 대해 매우 유연하다. 처리물질의 몇 가지 예로는 질소, 이산화탄소, 청정건공기, 알곤, HF가스, HF용액, 이소프로필 알콜용액, 탈이온수, 암모니아액, 황산용액, 질산용액, 과산화수소, 오존가스, 오존용액, 유기산 및 용제 등과 이들의 조합과 같은 가스 및 액체를 포함한다. 장치(100)에서 실행될 수 있는 처리와 화합약품의 또 다른 예는 대리인 서류번호 FSI 0156/US, 트레이시 개스트(Trary Gast)가 발명자의 하나인 마이크로일렉트로닉 기판의 스핀 건조장치 및 방법이란 명칭의 출원서에 기재되어 있는 것을 포함하며, 그 내용이 모두 여기에 참조로 포함된다.

방해/분배부(500)는 주 구성으로 천청판(504), 가동 지지부재(526), 분배 조립체(554) 및 선택사항이나 있는 것이 바람직한 셔터(818)를 포함한다. 전기, 공기 또는 다른 적당한 액추에이터(미도시)가 이들 구성품들의 구동을 위해 이용될 수 있다. 천정판(504)은 천정판(504) 위의 제 1존(506)과 천정판(504) 아래의 제 2존(508)을 형성하는데 도움을 주는 방해부를 형성한다. 제 2존(508)은 통상적으로 환상동체(558) 위의 제 2존(508) 부피인 공간부(502)와 통상적으로 환상동체(558) 아래의 제 2존(508) 부피인 처리챔버(503)를 포함한다. 공간부(502)와 처리챔버(503)의 칫수는 Z-축(527)에서의 분배 조립체 운동에 따라 변한다.

천정판(504)은 중앙통공(516)을 형성하는 외주부(512)와 내주부(514)를 갖는 패널(510)을 포함한다. 이 통공(506)은 임의의 형태를 가질 수 있으나, 도시된 바와 같이 원형인 것이 바람직하다. 외측 벽(515)은 패널(510)로부터 위로 연장하여 패널(510) 둘레에 벽을 형성한다. 벽(515)은 천정부재(504)를 견고하게 하여 부품으로부터 누설을 방지하고, 천정판(504)을 그 프레임/하우징에 부착시키는 면을 제공한다. 원통형 중앙 벽(518)은 패널(510)로부터 위로 연장하며 상부림(520)과 베이스(522)를 갖는다. 베이스(522)는 통공(516) 근방의 패널(510)에 부착된다. 이렇게 하여, 원통형 벽(518)은 상부림(520)에서 베이스(522)까지 연장되는 통로(524)를 제공하며, 통로는 제 1존(506)과 제 2존(508) 사이로의 출구를 제공한다. 후술되는 바와 같이, 이 통로(524) 역시 분배 조립체(554)를 원하는 위치로 상승 및 하강시키는데 사용되는 가동 지지부재(526)의 일부뿐만 아니라 셔터(818)의 일부를 내장하는데 도움을 준다. 도시된 실시예에서, 가동 지지부재(526) 및 셔터(818)는 통로(524) 내에서 동축상으로 안치된다.

가동 지지부재(526)는 상부림(530)과 하부림(532)을 갖는 내측 벽(528)을 포함한다. 외측벽(534)은 내측벽(528)과 동심원이며 상부림(536)에서 하부림(538)까지 연장된다. 환상 판(540)이 내측벽(528)의 상부림(530)을 외측벽(534)의 상부림(536)에 연계시킨다. 외측 환상 플랜지(546)는 외측벽(534)의 하부림으로부터 연장되며 내측 환상 플랜지(548)는 내측벽(528)의 하부림(532)으로부터 연장된다. 플랜지(546,548)는 가동 지지부재(526)를 견고하게 하는데 도움을 준다. 플랜지(548) 역시 고정공(549)를 통해 가동 지지부재(526)의 하측단에 분배 조립체(554)를 설치하기 위한 표면을 제공한다. 가동 지지부재(526)가 Z-축(527) 상에 서 일정 범위의 운동을 하도록 하는 구동장치(미도시)가 외측 플랜지(546)에 결합될 수 있다.

가동 지지부재(526)의 내측벽(528)은 림(530)에서 림(532)으로 개방되는 도관(544)을 형성하는데 도움을 준다. 이 도관(544)은 제 1존(506)에서 가동 지지부재(526) 하측단에 부착되는 분배 조립체(55)까지 이어지는 배관 및 다른 구성품을 위한 편리하고 보호된 통로를 제공한다.

가동 지지부재(526)는 Z-축(527) 상에서 작업물(12)에 대해 이동할 수 있다. 분배 조립체(554)는 가동 지지부재(526)의 하측단에 설치되므로 Z-축(527)을 따른 가동 지지부재(526)의 이동은 작업물(12)에 대해 분배 조립체(554)를 상승 및 하강시킨다.

가동 지지부재(526)는 내측벽(528)이 통로(524) 내에 내장되도록 위치된다. 반면에 외측벽(534)은 통로(524) 외측에 위치하여서 벽(518)은 환상챔버(542) 내에 안치된 상태를 유지한다. 벽(518,528,534)들 사이에는 환상의 틈이 있어서, 가동 지지부재(526)의 Z-축 운동 중 벽들은 맞닿지 않는다. 이들 틈은 처리 중 면들의 맞닿음으로 인한 부스러기 발생에 기인한 오염가능성을 감소시킨다. 또한 처리 중 제 1존(506)이 제 2존(508)에 대해 약간의 부압(negative pressure)을 유지하도록 하는 것이 바람직하다. 이것은 제 1존(506)으로부터 천정판(504) 및 가동 지지부재(526) 사이의 틈을 지나 제 2존(508)의 처리챔버(503) 내로 오염물이 전달되는 것을 방지한다. 제 1존(506)으로부터의 오염물이 제 2존(508)내 환경을 오염시키는 것을 최소화하는 또 다른 특정부로서는 가동 지지부재(526)의 외측벽(534)이 제 1존(506)에서 내측벽(528)과 중앙벽(518) 사이의 환상의 틈으로 직접 접근을 방지하는데 도움을 주는 배플(baffle)로서 작용한다. 중앙벽(518)이 환상챔버(542, 836) 내로 안치되는 방식 또한 제 2존(508)내 환경의 완전성을 보호하기 위한 중앙벽(518)과 가동 지지부재(526)와 셔터(818)간 래버린스 실(labyrinth seal)을 제공하는데 도움을 준다.

분배 조립체(554)는 가동 지지조립체(526)의 하측단에 설치되며, 처리챔버(503) 내로 처리물질을 분배하기 위한 하나 이상의 독립적인 장치를 포함한다. 예를 들면, 분배 조립체(554)의 실시예가 적어도 하나, 바람직하게는 둘, 보다 바람직하게는 적어도 세개 종류의 분배기를 포함한다. 하나의 분배기로서 이들 장치는 조립체(554)가 작업물(12)을 향해 하나 이상의 처리 유체를 아래로 분사하도록 하는 하나 이상의 분배 구조물을 포함한다. 바람직한 실시예로서, 이 분배기는 제 1 및 제 2분배 봉체를 일체로 포함하는 분사노즐/방해구조물(556)과 같은 분배 구조물이다. 이들 독립적인 분배 봉체는 두개의 독립적인 처리물질이 동시에 작업물(12)에 분사되도록 한다. 물론, 다른 실시예로서 하나의 분배봉 또는 세개 이상의 분배봉을 포함할 수 있다.

본 실시예와 관련하여, 분사노즐/방해구조물(556)의 환상동체(558)는 처리챔버(503)의 덮개로 작용하여서 작업물 처리를 위한 보호환경을 제공하는데 도움을 준다. 그러나 환상동체(558)가 처리챔버(503)를 밀봉하지 않으며, 공기 유동에 대한 강력한 저항을 만들도록 배플부재(174,218,262)에 충분히 근접하는 것이 바람직하다. 장치(100)가 웨이퍼 전달 구성부(후술 됨) 내로 위치될 때, 환상동체(558) 과 배플부재(174,218,262)는 작업물(12)이 처리챔버(503) 내로 위치되거나 이로부터 취출되도록 하는 하나 이상의 부품들의 이동에 의해 분리된다.

보다 상세하게는 분사노즐/방해구조물(556)은 밑면(560), 윗면(562), 중앙공(575)을 형성하는 내주부(564) 및 외주부(575)를 갖는 환상동체(558)를 포함한다. 내주부(564)는 중앙공(575)을 통해 부드러운 공기 유동을 촉진하도록 둥글게 형성된다. 환상 립(568)이 윗면(562)과 정렬하는 방식으로 외주(566)로부터 방사상 외측으로 연장되는 것이 바람직하다. 립(568) 및 외주부(566)는 환상의 틈(572)을 형성한다. 환상동체(558)가 부착되는 가동 지지부재(526)의 Z-축 이동을 통해 환상동체(558)는 하나 이상의 배플부재(174,218 및/또는 262)의 단부(182,226 및/또는 270)가 환상의 틈(572)으로 끼워지도록 위치될 수 있다. 배플부재와 환상동체(558)간 접촉을 피하기 위해 환상의 틈(572)이 작게 유지되는 것이 바람직하다. 이것은 물질이 공간부(502)로부터 공정챔버(503)로 유동하는 것을 방지한다. 나사가 파인 구멍(574)이 환상동체(558), 따라서 분배 조립체를 결착공(549)을 통해 나사(846) 등을 사용하여 가동 지지부재(526)의 내측 환상플랜지(548)에 설치하는 것을 용이하게 한다.

환상동체(558)의 적어도 밑면(560)은 작업물(12)에 대해 방사상 외측 방향으로 아래를 향해 경사져서 작업물(12)과 환상동체(558) 사이에 테이퍼형(tapering) 유동채널(576)을 형성하는 것이 바람직하다. 경사면(560)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 원뿔, 포물선, 다각형 등의 하나 일수 있다. 예시의 목적으로 환상동체(558)는 중앙공(575)을 형성하도록 내주부(564)에서 절두된 중공의 절 두 원추형 형상을 갖는다. 얻어지는 테이퍼형 유동 채널은 재순환 영역을 최소화 하면서 작업물(12)의 중앙으로부터 방사상 외측 유동을 촉진한다. 또한 테이퍼는 작업물(12)의 외측 변부로 접근하는 유체의 유동속도를 증가시키며 부드럽게 수렴시킨다. 이것은 액체가 튀기는 현상을 감소시킨다. 또한 밑면(560)의 각도는 액체가 직접 하부의 작업물(12)로 낙하하기 보다는 환상동체(558)의 외주부(566)로부터 유출되도록 한다.

분사노즐/방해구조물(556)의 암 구조물(578)은 중앙공(575)을 통해 연장되며 교차부(580,582)에서 환상동체(558)의 내주부(564)에 결합된다. 암 구조물(578)은 제 1 및 제 2 서브 암부(sub-arm portion)(584,586)를 포함한다. 암 구조물(578)은 중앙분재 노즐부재(754)를 부착하기 위한 구멍(589)를 갖는다. 도시된 실시예에서, 제 1서브 암부(584)는 환상동체(558)의 인접부(590)와 정렬되나, 제 2서브 암부(586)는 환상동체(558)의 인접부(592)와 정렬된다. 특히, 서브 암부(584,586)의 밑면(598,608)는 환상동체(558)의 밑면(560)과 정렬된다. 이렇게 하여, 서브 암부(584,586)는 경사각 상태로 만난다. 암 구조물(578)은 중앙공(575)을 제 1 및 제 2구멍부(394,596)로 분할한다. 이들 구성부(594,596)는 처리 중 처리챔버(503)에 대한 공기 유입구 역할을 한다. 인접한 암 구조물(578)의 변부는 유입구를 부드럽고 균일한 유동을 조장하도록 둥글게 형성된다.

제 1삼각형 홈(600)이 분사노즐/방해구조물(556) 하측에 형성된다. 이 홈(600)은 제 1서브 상부(584) 및 환상동체(558)의 인접부(590)를 따라 연장되는 분사노즐/방해구조물(556)의 제 1반경의 적어도 일부에 걸쳐서 형성된다. 홈(600) 은 홈(600)과 인접면(604,606)을 따라 연장되는 꼭지영역(602)을 포함한다. 마찬가지로, 제 2삼각형 홈(610)이 분사노즐/방해구조물(556) 하측에 형성된다. 이 홈(610)은 제 2서브 암부(586) 및 환상동체(558)의 인접부(592)를 따라 연장되는 분사노즐/방해구조물(556)의 제 2반경의 적어도 일부에 걸쳐서 형성된다. 홈(600)과 마찬가지로, 홈(610)은 홈(610)과 인접면(미도시)을 따라 연장되는 꼭지영역(미도시)을 포함한다.

홈(600,610)은 처리물체의 각 흐름이 홈으로 삽입되는 하나 이상의 노즐 또는 노즐배열(후술 됨)로부터 분배되도록 하는 노즐장치를 포함한다. 노즐은 처리물질(들)을 작업물(12)로 분사하되, 각 홈과 연관된 노즐이 작업물(12)의 각 반경에 따라 처리를 담당함으로써 세척 효율을 크게 한다. 도시된 실시예에서, 홈(600,610)은 분사노즐/방해구조물(556)의 제 1 및 제 2반경에 걸쳐 있으며 서로 대향하고 있다. 이렇게 하여, 두 홈은 작업물(12)의 전 직경에 걸쳐서 있게 된다.

분사노즐/방해구조물(556)은 독립된 제 1분사 봉체를 환상동체(558)의 인접부(590)와 서브 암부(584) 내로 삽입하기 위한 몇개의 장치를 포함한다. 이 장치는 나사가 파인 밑면(624)와 플레어(flare) 커플링(626)을 갖는 유체 입구부재(622)를 포함한다. 공급튜브(854)는 커플링(626)에 유동가능하게 결합되며 밑면(624)과 나사결합하는 플레어(flare) 너트(856)에 의해 위치에 유지된다. 도관(628)이 입구공(630)으로부터 유동채널(632)로 연장되며, 유동채널은 환상동체(558)의 인접부(590)의 일부와 서브 암부(584)를 통해 방사상 외측으로 연장된다. 분기도관(636)이 유동채널(632)로부터 꼭지영역(602)을 따라 분배되어 있는 각 노즐(638)의 배열로 외측으로 연장된다. 노즐(637)의 배열은 다른 배열 패턴이 사용될 수 있으나, 선형인 것이 바람직하다. 노즐(638)의 배열은 하측의 작업물(12) 반경의 적어도 일부, 바람직하게는 전부에 걸쳐 있다.

사용시, 노즐(638)을 통해 분배될 물질은 공급튜브(854)를 통해 유입공(630)으로 공급된다. 물질은 유입공(630)으로부터 도관(628)을 지나 유동채널(632)로 흐른다. 또한 유동채널(632)로부터 노즐(638)로 이어지는 분기관(636)으로 분배되고, 노즐(638)의 배열로부터 분배된다.

또한 서브 암부(584)는 나사가 형성된 밑면(644)과 플레어 커플링(646)을 갖는다. 공급튜브(850)는 커플링(646)에 유동가능하게 결합되며 밑면(644)과 나사 결합하는 플레어 너트(852)에 의해 위치에 유지된다. 도관(648)이 입구공(650)으로부터 2분지부(652)로 연장되며, 여기서 유동채널이 도관(654,656)으로 분할된다. 도관(654,656)은 2분지부(652)로부터 각 유동채널(658,660)로 연장된다. 각 유동채널(658,660)은 환상동체(558)의 인접부(590)와 서브 암부(584)를 통해 방사상 외측으로 연장된다. 복수의 분기도관(미도시)에 유동채널(658)로부터 홈(600)의 면(604)을 따라 분배된 각 노즐(664)의 배열로 연장되며, 분기도관(미도시)은 홈(600)의 면(606)을 따라 분배된 각 노즐(665)의 배열로 연장된다. 노즐(664,665)의 각 배열은 다른 배열도 가능하다 노즐(638)의 배열에 평행하며 또한 상호 선형으로 평행한 것이 바람직하다. 노즐(664,665)의 배열은 하측의 작업물(12) 반경의 적어도 일부, 바람직하게는 전부에 걸쳐 있다.

노즐(664,665)을 통해 분배될 물질은 공급튜브(850)를 통해 유입공(650)으로 공급된다. 물질은 유입공(630)으로부터 도관(648)을 지나 유동하며, 2분지부에서 도관(654,656)으로 분배된다. 각 유동은 채널(658,660)을 지나 분기관(미도시)으로 분배되고 노즐(664,665)의 배열로부터 분배된다.

도관(628), 유동채널(632) 및 분기도관(636)은 보링(boring) 기술로 형성되는 것이 편리하다. 예를 들면, 유동채널(632,658,660)은 환상동체(558)의 외주부(566)로부터 방사상 내측으로 해당 구멍을 보링하여 형성될 수 있다. 유동채널(632,658,660)용 구멍을 보링한 후, 플러그(640)가 유동채널(632,658,660)의 단부를 밀봉하도록 삽입될 수 있다.

노즐(638,664,665)은 수렴방식으로 유체류를 분배하여서 분배된 유체가 서로 충돌하여 미립화 된다. 액체, 기체 또는 이들의 조합을 분사봉체(620)로 분배될 수 있다. 작업모드의 일예로 액체가 공급튜브(850)을 공급되어 노즐(664,665)로 분사되고 가스는 공급튜브(854)를 통해 공급되어 노즐(638)로 분사된다. 각각 독립적으로 또는 함께 공급될 수 있다. 함께 공급되는 경우, 분배된 가스류는 분배된 액체류를 보다 미립화시키는데 도움을 준다.

작업물(12) 표면에 대한 분배 궤적, 간격, 노즐(638,664,665)의 오리피스 크기 등은 분배류의 분사특성에 맞도록 변경될 수 있다. 예를 들면, 작업물(12)의 반경을 따라 보다 균일한 분사를 위해 노즐 오리피스의 간격, 오리피스 크기가 변경될 수 있다.

부가적인 독립 분사봉체가 분사노즐/방해구조물(556) 내로 삽입될 수 있다. 도시된 바와 같이, 이 부가적인 봉체는 환상동체의 인접부(592) 및 제 2서브 암 부(586) 내로 삽입되어 분사노즐/방해구조물(556)의 제 2반경을 따라 연장되는 것을 제외하고는 전술한 제 1분사봉체와 동일하다. 제 2분사봉체를 제공하는 구성부는 나사부가 형성된 밑면(670) 및 플레어 커플링(672)을 갖는 제 1유동 입구부재(668)와 나사부가 형성된 밑면(676) 및 플레어 커플링(678)을 갖는 제 2유동 입구부재(674)를 포함한다. 공급튜브(862)는 플레어 커플링(672)에 유동가능하게 결합되며 나사부가 형성된 밑면(670)과 결합하는 플레어 너트(864)에 의해 위치에 유지된다. 공급튜브(862)를 통해 공급된 물질은, 꼭지영역(602)을 따른 노즐(638)의 배열과 유사한, 홈(610)의 꼭지영역을 따른 노즐의 배열(미도시)을 통해 분배된다. 이들 물질은 도관(628)과 유사한 도관(미도시), 유동채널(632), 제1 분사봉체(620)의 분기도관(636)을 통해 전달된다. 또 다른 분배 튜브(858)가 플레어 커플링(678)에 유동가능하게 연결되며 나사부가 형성된 밑면(676)과 결합하는 플레어 너트(860)에 의해 유지된다. 분배 튜브(858)를 통해 공급된 물질은, 면(646,606)상의 노즐(664,665)과 유사한, 홈(610)의 면상의 노즐의 배열(미도시)을 통해 분배된다. 물질은 유입도관(648)과 유사한 도관(미도시), 그 분기관(652), 도관(654,656), 유동채널(658,660) 및 제 1 분사봉체(620)에서 사용된 분기도관(미도시)를 통해 전달된다.

환상동체(558)의 적어도 밑면(560)은 장치(10)를 사용하여 실행될 처리(들)의 성질에 따라 친수 또는 소수성일 수 있다. 보다 바람직하게는, 분사노즐/방해구조물(556) 전체가 원하는 친수성 또는 소수성을 갖는 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.

또한, 분배 조립체(554)는 하측의 작업물(12) 중심으로 하나 이상의 처리유체를 분배하는 분배장치를 포함한다. 처리유체는 직렬로, 동시에, 오버랩 방식으로 분배될 수 있다. 이 장치는 중앙분배부재(754)와 같은 분배 구조물에 의해 제공된다. 예를 들면, 도시된 중앙분배부재(754)는 서로 다른 두처리 물질이 동시에 작업물(12)로 분배되도록 하는 독립된 두개의 노즐을 포함한다. 물론, 하나의 분배노즐 또는 세개 이상의 노즐만을 포함하는 실시 예도 가능하다.

보다 상세하게 설명하면, 중앙분배부재(754)는 상부(758), 측벽 및 하부(762)를 갖는 동체(756)를 포함한다. 제 1 및 제 2 플레어 커플링(764,766)이 상부(758)로부터 돌출한다. 제 1 및 제 2 림(768, 770)이 하부(762)로부터 돌출한다. 제 1 도관(772) 이 제 1 입구공(774)으로부터 제 1 출구공(776)으로 연장되며, 제 2 도관(778)이 제 2 입구공(780)으로부터 제 2 출구공(782)으로 연장된다.

나사부가 형성된 구멍(788)을 갖는 핀(786)이 동체(756)를 통해 연장되는 도관(790)에 내장된다. 핀(786)은 구멍(788)이 도관(791)과 정렬하도록 동체(756)로 삽입된다. 고정나사(793)가 구멍(788)으로 끼워져서 도관(791)에 내장됨으로써 중앙분배부재(754)를 분배 조립체(554)에 설치하는 것에 도움을 준다. 한 쌍의 릴리프(relief)(792,794)가 동체(756)에 형성되어서 분사된 처리유체가 중앙분배부재(754)와 충돌하는 것을 방지한다.

공급튜브(866,868)가 리테이너/스페이서 클램프(796)를 사용하여 플레어 커플링(764,766)에 결합된다. 사용시, 중앙분부부재(754)로부터 분배될 물질은 공급튜브(866,868)의 하나 또는 양자로부터 공급되며, 입구공(774,780)의 하나 또는 양 자로 공급된다. 물질은 입구공(774 및/또는 780)으로부터 도관(772 및/또는 778)을 지나 유동하며, 한 쌍의 노즐을 구성하는 출구공(776 및/또는 782)으로부터 작업물의 중앙을 향해 분배된다. 출구공(776 및/또는 782) 역시 작업물(12)에 대한 처리유체의 보다 완전한 커버를 위해 각지게 형성될 수 있다.

중앙분배장치 외에, 분배조립체(554)는 하나 이상의 처리유체가 작업물(12)을 향해 샤워기 꼭지형태로 하강분배되도록 하는 분배장치를 포함한다. 이 방식은 처리챔버(503)로 하나 이상의 가스 및/또는 기체를 균일하게 분배하는데 유용하다. 실시 예에서, 이 장치는 샤워기 꼭지형태 분배부재(680)와 같은 분배구조물에 의해 제공된다. 예시를 위해, 부재(680)는 동일 또는 독립적일 수 있는 두개의 공급류를 공급받으며, 이에 의해 서로 다른 두 처리물체가 동시에 처리챔버(503)내로 분배된다. 물론, 하나 또는 세개 이상의 공급류를 포함하는 실시 예도 가능하다.

분배부재(680)는 밑면(682) 및 덮개(734)를 포함한다. 밑면(682)은 원형바닥(684) 및 움푹 들어간 보조바닥(686)을 포함한다. 벽(688)이 바닥(684)과 보조바닥(686)을 연결한다. 보조바닥(686)은 배관이 분사노즐/방해구조물(556) 및 중앙분배노즐부재(754)로 이어지도록 하는 몇개의 구멍을 포함한다. 특히, 구멍(690,696,702,708)이 각각 유체입구부재(622,642,668,674)에 맞춰진다. 공급튜브(850,854,862,858)를 각 플레어 커플링(646,626,672,678)에 설치할 때, 플레어 너트(852,856,864,860)가 쇼울더(700,694,706,712)에 각각 착좌된다. 선택에 따라서는, 잼너트가 쇼울더(694,700,706,712)에 착좌되어서 플레어 너트가 이중기능을 수행할 필요가 없도록 할 수 있다. 유사하게, 구멍(714,716)이 공급튜브(866,868) 를 중앙분배노즐부재(754) 상의 각 플레어 커플링(764,766)에 결착시키기 위한 접근통로를 제공한다.

구멍(718)은/스페이서 클램프(796)와 나사(793)를 사용하여 중앙분배부재(754)를 구멍(589) 내 그리고 보조바닥(686)의 하측에 설치하는 것을 용이하게 한다. 클램프(796)는 측벽(800), 상부(802) 및 하부(804)를 갖는 동체(798)를 갖는다. 제 1 및 제 2 도관(806,808)이 중앙분배부재(754)에 결합하는 공급튜브(866,868)를 내장하여 그 정렬을 유지하게 한다. 도관(810)은 중앙분배부재(754)를 위치에 고정하는데 사용되는 나사(793)를 내장한다. 동체(798)는 클램프(796)가 플레어 너트(856,864) 사이에 안착하도록 대향 측부상에 돌출된다.

밑면(682)의 바닥(684)은 보조바닥(686)의 양측에 위치되는 제 1 영역(720) 및 제 2 영역(725)을 포함한다. 제 1 영역(720)은 노즐(722)의 배열을 포함하며 제 2 영역(725)은 노즐(728)의 배열을 포함한다.

덮개(682)는 빔(739)과 환상림(738)에 의해 보강되는 중앙 돌출패널(736)을 포함한다. 제 1 및 제 2 챔버(740,741)는 덮개(734)와 밑면(642)사이에 형성된다. 제 1 챔버(740)는 덮개(734)와 노즐(728)사이에 위치되며, 제 2 챔버(741)는 덮개(734)와 노즐(728)사이에 위치된다. 예시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 챔버(740,741)는 서로 분리되어 있으나, 공통 공급원을 갖는다. 원하는 경우, 독립된 공급원이 사용될 수 있다. 유동입구부재(742)가 중앙패널(736)로부터 위로 돌출한다. 입구부재(742)는 나사부가 형성된 밑면(744) 및 플레어 커플링(746)을 포함한다. 공급튜브(747)는 플레어 커플링(746)에 결합되며 밑면(744)과 맞물리는 플레어 너트(748)를 통해 위치에 고정된다. 도관(749)은 입구공(750)에서 출구공(751)으로 연장되며, 도관(749)은 챔버(740,741)내로 개방된다.

밑면(682)의 외주부(732)상의 설치공(730) 및 덮개(734) 상의 설치공(752)은 나사(846)를 사용하여 샤워꼭지형 분배부재(680)를 환상동체(558)에 설치하는 것을 용이하게 한다. 받침대(stand off)(844)가 샤워꼭지 분배부재(680)를 원하는 위치에 유지케 한다. 분배부재(680)는 노즐(722,728)이 구멍 서브섹션(594,596)과 중첩하도록 분사노즐/방해구조물(556)에 설치된다.

사용시, 하나 이상의 처리유체, 특히 하나 이상의 가스(들)유동이 하나 또는 두개의 공급튜브(747)를 통해 분배부재(680)에 공급된다. 각 튜브(747)에 공급된 처리유체는 같거나 다를 수 있다. 처리유체는 도관(749)을 통해 챔버(740,741)내로 도입된다. 챔버(740,741)내 처리유체의 압력은 같아서 노즐(722,728)을 통한 유동은 균일하다. 노즐 상류의 챔버(740,741)내 유동의 차압은 균일유동을 위해 종래와 같이 노즐(722,728)자체를 통과할 때 압강하보다 작은 것이 바람직하다. 노즐(722,728)을 통해 분배될 때, 분배유체(들)는 구멍 서브섹션(594,596)을 통해 작업물(12)로 유동한다. 이 유동을 용이하게 하기 위해 하나 이상의 배출구역(29)을 통해 배출류가 흡인될 수 있다.

셔터(818)가 도 3과 도 6에 도시된 바와 같은 완전 개방위치 및 도 2에 도시된 바와 같은 완전 폐쇄위치를 포함하는 운동범위에 걸쳐서 Z-축(527)상에서 작업물(12)에 대해 독립적으로 이동할 수 있다. 셔터(818)는 셔터(818)가 부분적으로 개방/폐쇄되는, 두 극단위치 사이의 중간위치에 위치될 수 있다. 셔터(818)가 폐쇄 된 위치인 도 2에서, 가동지지부재(526)는 처리위치로 하강하여서 배플부재(174,218,262)는 환상동체(558)의 환상틈(572)내에 위치된다. 이것은 처리챔버(503)내 환경의 완전성을 보호하는데 도움이 된다. 한편, 셔터(818)는 상승되어서 환상판(832)이 환상판(540)에 인접하여 위치되도록 환상챔버(542)내에 안치된다. 불필요한 오염을 발생시키는 접촉을 방지하기 위해 환상판(832,540)사이에 작은 틈이 유지되는 것이 바람직하다. 이렇게 셔터(818)가 상승하여 개방되면, 공간부(502)의 하나 이상의 가스 및/또는 증기가 구멍 서브섹션(594,596)에 의해 형성된 공기취입구를 통해 처리챔버(503)내로 자유롭게 도입된다. 간단하게 말하며, 도2는 작업물(12)에 대한 처리(들)을 실행하는데 유용한 장치(10)의 예시적인 구성의 일 실시 예를 보여준다.

도 6에서, 가동지지부재(526)(및 따라서 분배조립체 554)가 배플부재(174,218,262)로부터 이격하여 상승되면, 작업물(12)이 틈(874)을 통해 지지척(94)상의 그 위치로 또는 그 위치로부터 이송된다. 도 6은 장치(10)로 및 이로부터 작업물(12)이송을 완료하는데 유용한 예시적 장치(10)구성의 일 실시 예를 보여준다.

도 2는 셔터(818)가 폐쇄위치에 있는 장치(10)의 예시적 구성을 보여준다. 도 2의 장치구성은 도 3과 동일하나, 하부림(824)이 환상동체(558)의 상부면(562)에 근접하여 위치되도록 가동지지부재(526)에 대하여 하강된 점이 다르다. 하부림(824)이 상부면(562)과 실질적으로 접촉하지 않도록 작은 틈이 유지되는 것이 바람직하다. 이 구성에서, 셔터(818)는 셔터(818)외측의 공간부(502)의 부피로부터 처리챔버(502)내로 공기유입을 차단하면서 분배조립체(554)를 통해 처리챔버(503)로 도입된 하나 이상의 가스 및/또는 증기를 담는데 유용한다. 예를 들면, 밀폐된 셔터(818)는 샤워꼭지 분배부재(680)를 통해 작업물(12)로 분배될 IPA-부화된 가스/증기의 "연무(fog)"를 담기 용이하다. 또 다른 예로서, 밀폐된 셔터(818) 역시 분사노즐/방해구조물(556) 아래를 세척하는데 사용될 유체를 담는데 유용하다. 처리챔버(503)에 대한 공간부(502)에 유지된 적당한 부압은 오염물이 처리챔버(503)로 들어오는 것을 방지하는데 유용하다.

보다 상세히 설명하면, 셔터(818)는 상부림(822)과 하부림(824)을 갖는 내측벽(820)을 포함한다. 외측벽(826)은 내측벽(820)과 동심원이며 상부림(828)에서 하부림(830)까지 연장된다. 환상판(832)은 내측벽(820)의 상부림(822)을 외측벽(826)의 상부림(828)에 연결시켜서 벽(820)과 벽(826)사이에 환상챔버(836)를 형성한다. 외측 환상플랜지(838)는 외측벽(826)의 하부림(830)으로부터 외측으로 연장되어서 셔터(818)를 보강하는데 기여한다. 환상플랜지(838) 역시 Z-축(527)상에서 운동범위에 걸쳐 작업물(12)의 표면에 대해 이동하는데 기여하는 작동구조물(비도시)을 설치하기 위한 표면을 제공한다.

셔터(818)의 내측벽(820)은 상부림(822)에서 하부림(824)까지 개방된 도관(834)을 형성한다. 가동지지부재(526)의 내측벽(528)은 이 도관(834)내에 내장된다. 작은 환상틈이 내측벽(820)과 내측벽(528)을 분리시켜서 어느 하나 또는 양자 모두가 Z-축(527)상에서 이동될 때 서로 닿는 부분이 없다.

셔터(818)는 벽(518)이 내측 환상챔버(836)내에 안치되어 유지되게 하기위해 외측벽(826)이 통로(524)외측에 있도록 위치된다. 다음에, 셔터(818)의 상부가 가동지지부재(526)의 환상챔버(542)내에 안치된다. 벽 표면들 간의 접촉은 오염물을 발생할 수 있으므로 벽(528,820,518,826,534)들 사이에 작은 환상틈이 존재하여서 가동지지부재(526)의 Z-축 이동중 벽들이 접촉하지 않는 것이 바람직하다.

당업자라면, 본 발명의 여기에 기술된 설명, 예시로부터 다른 실시 예들이 가능함을 알 수 있을 것이다. 후술될 청구범위에 기재된 발명의 범위를 벗어남이 없이 여기에 기술된 발명사상, 실시 예의 변형, 부분생략 및 변경이 가능하다.

Claims

a) 처리 중에 작업물이 위치되는 지지체와

b) 작업물의 외주부 근방에 각각의 덕트입구를 갖는 다수의 덕트 통로의 적어도 일부를 형성하는 다수의 이동 및 안착가능한 배플부재로 구성되는 마이크로 일렉트로닉 작업물의 처리장치.
제 1항에 있어서, 배플부재 상호간 덕트 통로를 선택적으로 개방 및 폐쇄하도록 위치되는 처리장치.
제 2항에 있어서, 제 1 배플부재가 제 2 배플부재 내에 안치되어서 제 1 및 제 2 배플부재 사이의 덕트 통로부를 갖는 덕트 통로를 폐쇄하는 처리장치.
제 2 항에 있어서, 덕트 통로가 개방 및 폐쇄되는 정도가 제어될 수 있는 처리장치.
제 1항에 있어서, 작업물을 처리하기 위해 사용되는 하나 이상의 유체가 덕트 통로의 적어도 하나에서 수집되는 처리장치.
제 1항에 있어서, 덕트 통로가 작업물에 대해 그리고 상호간 동축으로 위치 되는 덕트 통로부들을 포함하는 처리장치.
제 1항에 있어서, 적어도 두 배플부재간 상대 운동이 덕트 통로의 하나의 입구를 선택적으로 개방 및/또는 폐쇄하며, 상기 입구는 작업물의 외주부 근방에 위치하는 처리장치.
제 1항에 있어서, 배플부재의 이동이 해당 덕트 통로의 입구와 이 입구의 하류에 있는 해당 덕트 통로의 부가적인 부분을 개방 및/또는 폐쇄하는 처리장치.
제 1항에 있어서, 적어도 하나의 배플부재가 하류측 덕트부분으로의 입구를 둘러싸는 후드를 포함하여서 상기 입구가 후드의 이동에 의해 제어가능하게 개방 및 폐쇄될 수 있는 처리장치.
제 1항에 있어서, 적어도 하나의 덕트 통로의 적어도 일부가 트랩영역을 갖는 처리장치.
제 10항에 있어서, 액체물질과 가스물질간 분리가 트랩영역에서 일어나는 처리장치.
제 1항에 있어서, 각 덕트 통로가 작업물 외주부 근방에 작업물 주요면에 평 행한 방향을 갖는 통로부와 상기 주요면에 대해 수직방향을 갖는 부가적인 덕트 통로부를 포함하는 처리장치.
제 12항에 있어서, 부가적인 덕트 통로부가 복수의 동축상 배출구역을 갖는 처리장치.
제 13항에 있어서, 상기 동축상 배출구역이 고정덕트 구조물에 의해 형성되는 처리장치.
제 12항에 있어서, 부가적인 덕트 통로부가 선택적으로 개방 및 폐쇄되는 처리장치.
제 12항에 있어서, 적어도 하나의 덕트 통로가 트랩영역을 또한 포함하는 처리장치.
제 16항에 있어서, 트랩영역의 벽이 다수의 돌출부를 포함하여서 트랩영역 내 적어도 하나의 상대적으로 저밀도 성분으로부터 적어도 하나의 상대적으로 고밀도 성분의 분리를 용이하게 하는 처리장치.
제 16항에 있어서, 트랩영역이 하나 이상의 배수공을 갖는 처리장치.
제 1항에 있어서, 상기 배플부재가 고정덕트 구조물에 유동가능하게 결합되는 처리장치.
a) 처리 중에 작업물이 위치되는 회전지지체와

b) 배플부재들 사이에 제 1 덕트 통로를 형성하며 회전지지체의 외주부 근방에 입구를 갖되, 배플부재들간의 이동이 제 1 덕트 통로를 개방 및 폐쇄하는 처리장치.
제 20항에 있어서, 제 1 덕트 통로가 회전지지체의 외주부 근방에서 개방될 때, 회전지지체의 외주부 근방의 적어도 하나의 제 2 덕트 통로가 폐쇄되는 처리장치.
제 20항에 있어서, 제 1 및 제 2 배플부재를 서로 근접하게 안치시킴으로써 통로가 폐쇄되는 처리장치.
a) 처리중에 작업물이 위치되는 회전지지체와

b) 회전지지체의 외주부 근방에 각 입구를 갖는 다수의 덕트 통로로 구성되되, 각 덕트 통로는 회전지지체로부터 멀리 위치하는 각 고정덕트 구조물에 유동가능하게 결합하는 덕트 통로를 형성하며 회전가능한 작업물 근방에 위치하는, 독립 적으로 이동가능한 다수의 덕트구조물을 포함하는 구조물에 의해 형성되는 마이크로 일렉트로닉 작업물의 처리장치.
제 23항에 있어서, 이동가능한 덕트구조물이 고정덕트 구조물에 대해 그리고 서로에 대해 이동가능하여서 덕트입구와 고정덕트 구조물이 선택적으로 개방 및 폐쇄될 수 있는 처리장치.
제 24항에 있어서, 덕트 통로들이 개방 및 폐쇄되는 정도가 제어될 수 있는 처리장치.
제 23항에 있어서, 고정덕트 구조물이 밑면으로부터 위로 연장되며 다수의 배출구역을 형성하는 처리장치.
제 26항에 있어서, 적어도 하나의 이동가능한 덕트 구조물이 해당 배출구역의 상승된 입구를 둘러싸는 후드를 갖는 처리장치.
제 23항에 있어서, 덕트 통로가 트랩영역을 포함하는 처리장치.
제 28항에 있어서, 처리장치가 상이한 밀도특성을 갖는 물질의 분리를 용이하게 하는 다수의 돌출부를 갖는 표면을 포함하는 처리장치.
제 23항에 있어서, 인접한 가동덕트 구조물이 덕트 구조물들 사이의 덕트 통로를 폐쇄하도록 인접하게 위치되거나 보다 개방된 덕트 통로를 제공하도록 멀리 이격하여 위치될 수 있는 처리장치.