TWI326717B - Metal duplex and method - Google Patents

Description

九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 =本發明係針對具有錫或錫合金層之金屬雙層以及製造 t具有錫或錫合金層之金屬雙層之方法。更特定言之，本 心月係針對具有錫或錫合金層之金屬雙層以及製造該具有 锡或錫口金層之金屬雙層之方法，以用於抑制錫及錫合金 腐餘並改善锡及錫合金之可焊性。 【先前技術】 籲 肖止錫及錫合金的腐録許多卫業中係__項艱矩的難 題。在電子材料工業中，錫及錫合金的腐蝕尤其造成問題， 其中腐姓可能在電子裝置中導致組件之間有缺陷的電接 觸例如，經電鍍的錫及錫合金塗層已使用於電子產品與 其他的應用中（例如金屬絲製品及鋼板條）多年。在電子產 經電鍍的錫及錫合金塗層已S作為接頭與連接器的 可焊性及抗腐蝕表面。其亦用於積體電路（IC)製造之引線 籲加工（lead finish)。 具有1C單元、引線框架及被動組件（例如電容器與電 ::體)之1C裝置係廣泛使用於包括消費性電子產品、家用 产具、電腦、汽車、電信、機器人及軍事裝備之產品。IC 單元包含1C晶片與混合電路鐘瘤（n〇dule)，其在塑膠或陶 -光基片上包含-種或多種IC晶片及其他電子組件。 引線框架或連接器意指將IC單元電性互連接至外部 電路。該引線框架係由導電材料（例如鋼或銅合金）構成， 或藉沖屢（stamping)或㈣金屬板料成為複數引線，該引線 93629 5 uzo/i / 界定設置IC單元的中心區。 種教;線框木通常具有錫或錫合金之表面加工。藉由數 2 j術可將引線框架連接Ic單心㈣中。此等技術 二血屬線接合（wirebonding)、嬋接黏晶（ma⑻與 =1:型地，焊接意指將1c接合至裝配。在所有情況中， 框1表面具特定的品質。典型地，此意指該 或鋁今卞埴：不3乳化物並準備用於與其他組件(例如金 次鋁4、填銀環氧樹脂或焊料 一個問㈣射谭性，可焊性^\表面加工至 與其他組件產生良好焊點而沒有會損害電子或； 陷之能力一般而言，焊接為一種黏接程序， 2他穿r=料:⑴基材;(2)欲賴至基材的組件或 ，、他裝置，（3)烊接材料本身。 表面衫良好可烊性的因素，其中最重要的三項為 化成(腐韻)之程度、共沉積的碳之量及金屬間 和目瓦發生的過私，因為其係熱力學上有 氧化物之形成速率依溫度及時 ^ 錫人金㈣Γ 表面氧化物越厚。在經電㈣錫咬 層或沉積物中，表面氧化物形成亦依該塗層 時，在所有條件都相同時]如錫塗層 或較薄之表面氧化物。層-般而言形成較少 共沉積的碳係由所選擇使用之_化學性質而決定。 93629 6 =加工㈣面加工包含較高碳含量。糖面加工 先 =了粗=因此提供增加的表面區域，而導致較典型地 先澤加工所產生者更多表面氧化物的形成。 金屬間化合物的形成係錫或锡合金塗層與基材之間的 ，予反應。形成的速率同樣也依溫度與時間而定。溫度越 向及時間越長則導致金屬間化合物層越厚。 為了確疋可焊性’下列所述者很重要：U沉積足夠的 錫或錫合金層，以便使表面氧化物或金屬間化合物的形成 不會消耗全部的錫或錫合金層，丨2)以或減讀錫表面 長期時間暴露至高溫。 相對而言，容易達成υ，但卻難以達成2)。溫度及在 錢覆錫或錫合金沉積物之後接續的後處理時間典型地受裝 配的說明書及現有的操作設計及實施所指定。例如，在“雙 調（two tone)引線框架技術中，在錫或錫合金鍍覆之後， 整個1C單兀歷經許多製程步驟（亦即，用於該等處理之一 #段長期時間）’該步驟需要在如175ΐ高的溫度之多次熱偏 移（thermal excursion)。不可避免地形成更多及更厚的表面 氧化物，因此進而降低錫或錫合金沉積物之可焊性。於現 行的製私中’因為最終組成物及裝配可能不完整，所以這 些額外的步驟不會被省略。因此，需設法找到防止或減少 表面氧化物形成於上述零件上之方法。 處理該表面氧化物問題之一方法係在錫或錫合金沉積 物表面上導入保角塗層（c〇nf〇rmal c〇ating)。此技術可概括 為兩種一般類型：一種係應用於貴金屬塗層；而另一種係 7 93629 Γ326717 /應用於有機塗層。第-類型用於錫或錫合金沉積物之保護 ·.係不適宜的，因該類型引入昂貴的額外步驟。第二類型亦 為不適且的，因该第二類型由於所沉積的有機塗層之非選 擇性性質而可能引入雜質到引線框架或電子組件之其他關 鍵區域上。該雜質係不利於隨後引線框架及仄裝配製程。 存在於引線表面_生成物⑽如絲化物）從金屬線 接合及可銲性之觀點而言亦有關係。錄氧化物妨礙金屬線 接合及焊接，且該鎳氧化物报難以習知之酸清潔劑移除。 此外在許ϋ巾包括經塗佈之引線框架之熱暴露 (themal exp。賺）。假使下層的金屬擴散至貴金屬表面層 ⑴如鎳擴放至金表面層），在熱老化的條件下該等層之間 金屬的擴散可能造成表面品質的減低。 —Zhang 等人之 u s 2〇〇4/〇〇9934〇 試 圖藉由併入微量構於沉積物中以解決在金屬及金屬合金沉 積物上之表面氧化物問題。例如，在錄沉積物中鱗含量係 •在2〇〇PPm或更少之等級，對於錫及錫合金而言係在50ppm 或更少之等級。Zhang等人宣稱併入微量磷至沉積物中係 降低表面氧化物形成於沉積物上。該碌化合物係包括於金 1及金屬σ金電鍍浴中，並與該金屬或金屬合金共同沉積。 【發明内容】 雖…、:有些企圖解決金屬沉積物上之表面氧化物問題 仁仍而要用於抑制表面氧化物形成於金屬加工上 及增進可焊性的改良方法。 等方法包括沉積鎳層至基材上，沉積鎳磷層至該鎳 8 93629 Γ326717 一 多的貴金屬。 · 視需要地’在金屬化之前可清潔該基材。可使用金屬 .化技蟄中可接受之任何適當的清潔法。典型地，該基材係 於清潔溶液中經超音波清潔。該等清潔溶液可包括矽酸鹽 化合物、鹼金屬碳酸鹽類及其他化合物例如鹼金屬氫氧化 物類、乙二醇醚類及一種或多種鉗合劑。清潔可於3〇它至 80°C之溫度進行。 視需要地，在清潔步驟之後，可以適當的酸，例如礦 •酸，活化基材。係使用經稀釋濃度之礦酸。該礦酸之實例 為硫酸。然而，亦可使用其他礦酸，例如鹽酸及硝酸。該 等酸類係以此項技藝中所習知之濃度使用。活化典型係在 室溫至30°C之溫度進行。 該基材然後以鎳金屬之沉積物鍍覆。浴溫係於3〇t：至 7〇°C或例如4(TC至60t：之範圍。 可使用任何適當的鎳鍍浴以沉積鎳層至基材上。該鎳 •鍍浴包括一種或多種鎳離子的來源。鎳離子的來源包括， 但不限定於：鎳函化物例如氯化鎳、硫酸鎳及胺基磺酸鎳。 該錄離子的來源在鎳鍍浴中係包括50 gm/L至500 gm/L之 直’或例如從100 gm/L至250 gm/L之量。 除了一種或多種錄離子的來源外，該鎳鍍浴可包括一 種或多種添加劑。該添加劑包括，但不限定於··亮光劑、 f粒細化劑、平整劑（lever)、界面活性劑、抗孔蝕劑、钳 合劑、緩衝劑、除生物劑及其他熟悉此項技藝之人士所習 知之添加劑’以調整該鍍浴至所需的亮面或毛面加工及均 93629 10 1326717 鍛能力（throwing power)。 冗光劑包括，但不限定於：芳族磺酸鹽類、磺醯胺類、 磺醯亞胺類、脂族及芳族·脂族稀煙化或乙快化不餘和㈣ 酸鹽類、俩胺類及石黃醯亞胺類。該亮光劑之實例為鄰硫 笨甲醯亞胺鈉、1，5_萘二磺酸二鈉、u，6•萘三磺酸三鈉、 苯單石黃酸納、二苯石黃醯胺、烯丙基續酸納、3_氣_2_丁婦小 確酸鈉苯乙料酸鈉、块丙基績酸鈉、單烯丙基續酿 一胺、一稀丙基績醯二胺及稀丙基續賴。該等亮光

以習知用量例如〇.5g/L^ 1〇g/L，或例如2抑至 使用。 备I 其他亮光劑包括，但不限定於：環氧化物與α_經基择 屬醇類的反應產物，例如二乙氧基化2_丁块_M_n 丙氧基化2-丁炔-1，4-二醇；N-雜環；其他块屬化合物；活 化硫化合物及染料。該等亮光劑之實例為M_ 乙氧基）-2_丁炔、Μ-二以·經基氣丙氧基）-2_丁；t 认二_(石·，r-環氧丙氧基）_2_丁块、认二心-經基^ 丁稀氧基）士丁块、 丁炔、N-(2,3-二氯_2·丙烯基X啶鑌氧化物、2 4 6-三甲義 Ν-炔丙基吼飾臭化物、Ν_烯丙基〉 ’化：： 丁块-丨，二醇 '块丙基醇、”基—3…醇、、二= 基I丙續酸甜菜驗、二τ基硫酸2_f啥琳、^稀丙基吨 。定鐵漠化物、異-2-f啥琳基_N•丙石黃酸甜菜驗、二尹基妒 酉夂異—-2-甲啥琳、N_稀丙基異_2_甲喧淋漠化物、二磺酸化 ’4-一-(卢，基乙氧基）一2_ 丁块、卜（石，基乙氧基）_2_丙 93629 11 Γ320717 % 炔沒-趙基丙氧基）·2-丙炔、磺酸化_羥基乙氧 .基）2-丙炔、苯基番紅（phenosafranin)及品紅（fuchsin)。該 •等亮光劑係以習知用量例如5mg/I^ i〇〇〇mg/L，或例如 從20 mg/L至500 mg/L包含於該鎳嫂浴中。 任何適當的界面活性劑皆可❹。此界面活性劑包 括但不限疋於.離子界面活性劑例如陽離子與陰離子界 面活性劑、非離子界面活性劑及兩性界面活性劑。該等界 •面活性劑可以習知用量例如，舉例而言，0.05 gm/L至30 攀gm/L，或例如從！ gm/L至2〇㈣几或例如從$㈣几至μ gm/L使用。 適當的界面活性劑之實例為，經1至8個石黃酸基（_S〇3H) 續酸化之萘。該等界面活性劑之實例為萘-參石黃酸及 蔡-1，3,7-參石黃酸。也能使用驗金屬鹽類例如納鹽及卸鹽。 其他適當的界面活性劑實例為硫酸氯烧基醋之鹽類， 例如硫酸月桂㈣導硫酸月桂㈣及姐基琥賴二烧 #基賴。其他可使用的界面活性劑實例為四級録鹽類，包 括全氟化四級胺，例如全裔_μ _ p甘— 王氟十一烷基三甲基銨氟化物。 適當的钳合劑包括，作不萨中 仫不限疋於.胺基羧酸、聚羧酸 及聚職。該等钳合劑可以習知用量例如，舉例而言，讀 moIes/L(莫耳/公升）至3 m〇les/L，或例如從〇」则〗以几至 0.5 moles/L 使用。 鎳鐘浴之pH可介於1至 王1 υ <靶圍’或例如從3至8。 該鎳鐘浴的pH可藉多種手趿給姓 于^又、，隹持。可使用任何所需的酸 或臉，及可使用任何無機酸、右媸舻 文有機駄、無機鹼、或有機鹼。 93629 12 Γ326717 除了敲類（例如硫酸、鹽酸或磺胺酸）之外，亦可利用作為 .鉗合劑之酸類（例如醋酸、胺基醋酸或抗壞血酸p除了無 .幾知類（例如氫氧化鈉或氫氧化卸）及有機驗類（例如胺類 的各種類型），亦可使用例如碳酸鎳之鹼類。此外，若pH =為操作條件而趨向變動，則可使用1511緩衝成分（例如硼 酉文）。可添加所需用量之緩衝劑以維持所欲的pH。 可加入其他慣用的且為熟悉此項技藝之人士所習知的 添加劑至鎳金屬鍍浴中。可使用習知的用量以調整鎳層至 •所欲的粗糙、半光亮或光澤加工。 鎳係沉積於基材上，直至鎳層在基材上形成丨微米至 10微米，或例如2微米至5微米為止。然後該鎳層係使用 鎳磷鍍浴以鎳磷層鍍覆。 鎳磷鍍浴包括一種或多種如上述鎳離子的來源，且可 包括一種或多種如上述的添加劑。此外，該鎳磷鍍浴包括 一種或多種磷的來源。可使用任何適當的亞磷酸或磷酸或 豢其鹽及混合物。包含於鍍浴中的亞磷酸及磷酸及其鹽類之 量係 5 gm/L 至 100 gm/L，或例如從 1〇 gm/L 至 8〇 gm/L， 或例如從20 gm/L至50 gm/L。亞磷酸具通式：H3；p〇3，且 亦已知為原亞磷酸。磷酸包括，但不限定於，無機磷酸類 例如磷酸（HJO4)，已知為原磷酸。亦可使用多磷酸。無機 鱗酸類可由式：Hn+2Pn〇3n+1表示，其中η為1或更大的整 數。當η為2或更大的整數時，該式係表示多磷酸。當無 機雄酸為多填酸時’ η典型地為整數，則上述的多填酸具 有110至1，500原子量單位的平均分子量。典型地，係使 93629 13 1326717 用亞鱗駿。 ...· 可使用磷酸之鹽類，例如鹼金屬磷酸鹽類及磷酸銨。 .驗金屬磷酸鹽類包括磷酸氫二鈉、磷酸三鈉、填酸氯二卸 及鱗酸三舒。也可使用多碟酸之鹽類。亦可使用無機磷酸 類及其鹽類之混合物。此等酸類可自市面購得或可依照文 獻所述方法製造。 錄填層沉積於鎳層上係在如同鎳層沉積於基材上之相 同鍍浴溫度。連續沉積直至〇」微米至5微米或例如〇 2 Μ米至1微米的錄鱗層沉積於該錄層以形成雙層。 典型地，在此雙層中，鎳比鎳磷的重量比係從2:ι至 8:1。該鎳及鎳磷層可藉此技術領域中習知的任何適當的電 解沉積法予以沉積。習知的鍍覆設備可用於沉積鎳：鎳磷 層。電流密度可介於1 ASD至2G ASD，或例如從5娜 至15 ASD之範圍。 典型地’鎳及鎳磷雙層為2微米至3微来厚。於錄及 錄磷層沉積至基材上之後’錫及錫合金之表面加工則沉積 至錦麟層上。可使用任何適#的錫或錫合金料。_浴 之錫離子來源包括’但不限定於：硫酸锡、烷基碏酸鎳， 例如績酸錫、院_酸锡及錫_化物，例如氯化錫。％ f谷液可包括電㈣，例如硫酸、絲磺酸鹽類、貌醇績 鹵：鹽類’以提供導電基質。亦可包括界面活性 相及”他習知添加劑以提供所欲的錫層。該成分 且及為=藝中所公知，且可自文獻中獲得心 )，i/4，S87 及 U.S· 5,87lim 姐 + β 人 ，31揭路適合的锡電鍍浴。U s. 93629 14 1326717 «· * 4,880,507及u.S· 4,994,155揭露適合的錫-錯鐘覆浴。除了 • :·錫-鉛外’可使用其他錫合金包括，但不限定於：錫-銅、 •錫-銅-銀及錫-銀、錫雀、錫-錄 '錫録、錫_銦及錫_鋅。 沉積該等錫合金之鍍浴配方係為此項技藝中所習知且可自 文獻中獲得。 錫及錫合金可藉由此技藝領域令所習知之任何適合的 方法予以 >儿積。典型地，錫及錫合金係以電解沉積於鎳磷 層。典型地，進行錫或錫合金之沉積直到1〇微米至5〇微 籲米的錫或錫合金層鍍覆於鎳磷層上。 一般而§，該錫或錫合金之浴溫係介於至， 或例如自25。(：至3(TC之範圍。電流密度典型係自i娜 至35ASD’或例如自5ASD至3〇asd，或例如自i〇asd 至20 ASD。然而，可使用任何用於鍍覆錫及錫合金之習知 電流逸、度。許多該等鍍覆條件係揭露於文獻中。 錫或錫合金層沉積於鎳磷層上之後 ’該錫或錫合金層

会，或 。該回 合金至高於其液相溫度之其他方法。該回 流製程係此技藝領域所習知者。

93629 15 1326717 卻至室溫。 之錦^述的方杨叙物*包域覆有制及該錄層上 層之基材。該鎳磷層之磷含量可介於。.1 重重量%心_，或例 锂奸庶 之範圍。錫或錫合金層可沉積於 鎳蛳層之上以形成物品。由 、 鍍覆於I上之錫純入A 構成之該雙層抑制 /復…、上之錫及錫合金之氧化作用。此外抑 形成於錫或錫合金層改善該物品的可谭性 饰的物品之連接器相較於具表面== 錫a金塗佈的物品更穩固且較少分離的可能。 錫及錫合金於回流後可形成錫氧化物（⑽及s 此現象可在回流製程之後藉由錫表面之褪色而在所沉積之 錫上注意到。暴露經回流的錫於氧越久以及溫度越高，則 腿色作用越顯著。典型地，褪色作用係可於錫表面上觀察 到白色至黃色的色調。於-些更劇烈的氧化作用之料 中’該錫於回流之後可能呈現棕色，甚至為深紫色 氧化作用可能導致電子裝置中不良的電傳導或短路，於該 電子裝置中該錫係鑛覆於例如印刷電路板及引線框架中。 此外，在錫或錫合金表面上存在的氧化作用會損害任何隨 後的焊接製程。不良的焊接可能導致經焊接的零件分離而 造成電子裝置故障。該雙層降低或抑制不欲的氧化作用， 因此相較於具氧化的錫或錫合金之物品而言，係提 的焊接。 、八^ 該等方法可用卩沉積鎳及鎳碟雙層至任何適合的基 93629 16 1326717 " 材。典型地，該等基材為金屬或金屬合金。適合的金屬包 括，但不限定於：銅、鐵、及其合金、不銹鋼、及貴金屬 例如金、銘、把、銀及其合金。典型地，該等基材為銅、 銅合金、鐵及鐵合金。適合的銅合金包括，但不限定於： 銅_錫、銅_銀、銅_金、銅_銀_錫、銅_峨· _金、銅_辞、銅_ 銀-鎮、銅-鐵-辞、銅-錫-錄_梦、銅-錯、銅_鐵-墙_辞及銅_ 鎳矽-鎂。適合的鐵合金包括，但不限定於：鐵-銅及鐵鎳。 適合的基材包括，但不限定於：電子裝置之組件，例如印 鲁刷電路板、連接器、晶圓上的凸塊、引線框架以及被動組 件（例如用於ic單元的電阻器及電容器）。 本發明之下列具體例係用以進一步說明本發明，而並 非意圖限制本發明之範疇。 實施例U比較例） 將九個（9)銅-錫合金引線框架於65°c下在含有100 鲁 g/L 的 RONACLEAN™ CP-100(其係得自 Rohm and Haas Compapy，Philadelphia，PA，U.S.A之含有石夕酸鹽的清潔組 成物）之清潔溶液中經超音波清潔30秒。 於清潔之後，接著於室溫將每一引線框架浸沒至1〇〇 ml/L之工業級硫酸溶液中10秒。然後將每一引線框架以1 微米至2微米範圍的鎳層鍍覆。用於鍍覆每一引線框架之 鎳鍍浴具有揭露於下表1中的配方。 17 93629 1326717 表 _成分 胺基續酸錄 濃度125^7Γ

氯化鎳 — 爛酸_ jlSjb萘化合物 g/L 3 5 g/L

鎳鍍浴之pH為4且浴溫為55t：。然後將每一引線框 架設置於含有電解鎳鍍浴之赫爾電池（Hull cdl)中。作用為 陽極及陰極之引線框架係硫/鎳電極。該_浴於錄沉積期 間係經槳式。該鍍覆設備係與習知整流器相連接 流密度範圍係自5 ASD至1〇 ASD。鸽〆 秒 _ H @ 1U A S D。_ 於 4 秒至 9 〇 U間内切，以提供鎳層於彳丨線框架上。 然後將八個（8)具鎳層的引線框架 的鍍浴配方以鎳磷層鍍覆。 、 ：下表2中 表2

鎳k鍍洽於電鍍期間具15之pH及溫度為Μ。。 鎳 93629 18 U26717 儿積係於5 ASD至1〇 ASD之電流密度下以槳式攪拌於 赫爾電池中進行。電鍍係於16秒至94秒之期間内對鑛鎳 的八個（8)引線框架進行，以提供不同厚度的錄碟層。該錄 磷層之厚度範圍自01微米至丨微米。 然後所有九個引線框架於含有錫電鍍浴之赫爾電池中 電鍍’以於每一引線框架上形成光亮的錫層。該錫錢浴包 括得自甲石黃酸錫之60 g/L的錫離子及25〇滅的7〇 酸以作為基質。鍍錫係於室溫下在1〇湖之電流密度進 行30秒。 所有九個鍍錫的引線框架係置於Sik_Μ 對流棋箱中’以回流其錫層。該溫度分佈係⑵ —C至⑽C至24(rc至⑽。c至24代然後冷卻至室溫。 母一引線框架於每一溫度區中維持30秒。 流之後，在暴露至空氣24小時後檢測引線框_之 錫層的表面氧化作用。使用〇至5之：之 沒有觀察到氧化作用，該引線框架係定為〇「又假如= 重的褪色作用，該引線框架㈣為5。因為具有明顯^ =用’故以鎳層鑛覆而不間鱗層鑛覆的 J二該引線框架具有遍及其表面的紫色色斑。以辞 層鍍覆於鎳詹上的剩餘八則線框架係定為卜、^ 框架具有-些白色褪色但卻沒有顯示如不 ^ 架般嚴重的褪色作用。 /、又㈢的W線框 上述結果顯示，包含有鎳磷屑 較於不具該雙層的引線框架而降：：引線框架相 糸降低錫層的表面氧化 93629 19 1326717 • 作用。 ' 實施例2(比較例） 將九個（9)銅-錫合金引線框架於65°C下在含l〇〇g/L的 RONACLEANTM CP-100(其為含矽酸鹽之組成物）之清潔溶 液中經超音波清潔30秒。 清潔之後，再於室溫下將每一引線框架浸沒至1〇〇 ml/L工業級硫酸溶液中10秒。然後將每一引線框架以1 微米至2微米範圍的鎳層鍍覆。用於鍍覆每一引線框架的 _鎳鍍浴具有揭露於下表3中的配方。 表3 成分 濃度 胺基磺酸鎳 125 g/L 氯化鎳 8 g/L 胺基乙酸 30 g/L 石黃酸化萘化合物 1 g/L 苯甲醯磺醯亞胺化合物 5 g/L 醛 0.5 g/L 水 餘量 鎳鍍浴之pH為3且浴溫為55°C。將每一引線框架置 於含有電解鎳鍍浴之赫爾電池中。作用為陽極及陰極之該 引線框架係硫/鎳電極。該鎳鍍浴於鎳沉積期間係經槳式攪 拌。該鍍覆設備係與習知整流器相連接。電流密度範圍係 自5 ASD至10 ASD。鎳沉積係於4秒至90秒期間内進行。 然後八個（8)引線框架係使用揭露於下表4中之鍍浴配 方以鎳磷層鍍覆。 20 93629 Γ326717 表4 成分 濃度 胺基續酸錄 125 g/L 亞磷酸 50 g/L 硼酸 30 g/L 胺基乙酸 25 g/L 磺酸化萘化合物 0.5 g/L 二甘油醚 35mg/L 水 餘量 鎳磷鍍浴於電鍍期間具1之pH及溫度為55°c。鎳磷 沉積係於5 ASD至10 ASD之電流密度下以槳式攪拌於赫 爾電池中進行。電鍍係於16秒至94秒之期間内對八個鍍 鎳的引線框架進行。該鎳磷層之厚度範圍自0.1微米至1 微米。 然後所有九個引線框架於含有錫電鍍浴之赫爾電池中 電鍍，以於每一引線框架上形成光亮的錫層。該錫鍍浴包 括得自甲磺酸之60 g/L的錫離子及250 ml/L的70%曱磺酸 以作為基質。鍍錫係於室溫在10 ASD之電流密度下進行 30秒。 所有九個鑛錫的引線框架係置於Sikama Falcon TM 8500傳導/對流烘箱中，以回流其錫層。該溫度分佈係125 乞至180°C至240°C至260°C至24(TC，然後冷卻至室溫。 每一引線框架於每一溫度區中維持30秒。 於回流之後，在暴露至空氣24小時後檢測引線框架之 錫層的表面氧化作用。使用0至5之目視檢查等級。假如 21 93629 1.326717 一. « - « 沒有觀察到氧化作用，該引線框架係定為〇 ;又假如有嚴 .重的褪色作用，該引線框架係定為5。該以鎳層鍍覆而^ •以鎳磷層鍍覆的引線框架係定為該引線框架具有遍及 其表面的紫色色斑。以鎳磷雙層鍍覆於鎳層上的剩餘八個 引線框架係定為i。每一引線框架具有一些白色麵色但卻 沒有顯示如不具雙層的引線框架般嚴重的褪色作用。該結 果顯示，包含有鎳磷層於鎳層上的引線框架相較於不具該 雙層的引線框架而言’係降低錫表面氧化作用。 鲁實施例3 重複揭露於上述實施例1中的製程，除了每一引線框 架係於10 ASD電流密度在錫_銅合金鍍浴中經電鍍以形成 錫_銅合金層於鎳磷層上。該錫-銅合金鍍浴包括5〇 g/L的 錫’如曱石黃酸錫（II); 1 g/L之銅，如甲磺酸銅（11); 16〇§/七 游離甲磺酸，27 g/L之乙氧基化的万-萘酚；7 g/L之乙氧 基化的雙酚A，1 g/L之亮光劑；3 g/L之甲基丙烯酸；〇.8 肇g/L之晶粒細化劑及具有5〇,〇〇〇道耳吞（Dalt〇n)分子量及 80%羧基化程度之5 g/L之羧甲基化的聚乙烯亞胺，以商標 名 TRILON ES9300 銷售。 不 於回流及暴露至空氣24小時後，預期在具有鎳及鎳磷 雙層之引線框架的錫·銅表面上觀察不到氧化作用。相較而 ° 僅具錄層之引線框架上的錫-鋼層預期呈現出氧化作 用。 實施例4 除了以錫-銀合金層替代錫層鍍覆引線框架外，重複揭 93629 22 1326717 露於貫施例2中的製程。每—引線框架於％ 電流密 度下以錫-銀層鍍覆。該錫_銀合金鍍浴包括5〇§几的錫， 如甲石黃酸錫U.5 g/L的銀，如甲石黃酸銀；6 ^ GW) ; 200 ml/L的甲石黃酸；2 g/L的聚燒氧化物；〇 25 g/L的乙基麥芽醇及0.25 g/L的3-曱基環戊酮。 於回流及暴露至空氣24小時後’預期在具有錄及鎖填 雙層之引線框架的錫_銀表面上觀察不到氧化作用。相較而 言’僅具鎳層之引線框架上的錫-銀層預期呈現出氧化作 •用。 f施例5. 除了以錫-鉛合金層替代錫鍍覆引線框架外，重複揭露 於實施例2中的製程。每一引線框架於5湖電流密度下 以錫-鉛層鍍覆。該錫·鉛合金鍍浴包括4〇g/L的錫（來自曱 確酸錫）；26 g/L的錯（來自曱續酸錯）及200 ml/L的甲續酸。 於回抓及暴路至空氣24小時後，預期在具有錄及鎳磷 #雙層之引線框架的錫_錯表面上觀察不到氧化作用。相較而 σ僅八鎳層之引線框架上的錫_錯層預期呈現出氧化作 用0 93629 23

Claims (1)

1. • 「.Γ 了〜〜--第95132673號專利申請案 +二申請專利範圍：⑼年2月⑼ 抑制或預防氧化物形成之方法，該方法包括電解沉 、/、層至基材上；電解沉積鎳磷層至該鎳層上以形成鎳 鎳鱗之雙層；及沉積錫或錫合金層至該雙層之錄鱗層 其中該雙層為2微米至3微米厚。 申-月專利Ιϋ圍第1項之方法，復包括回流該 金層之步驟。 3·=申請專利範圍第丨項之方法，其中絲韻之鱗含量 為0·1重量％至15重量％。 .ρ種電子物品，該電子物品包括於基材上的鎳層；及於 該鎳層上的鎳磷層；及於該鎳磷層上的錫或錫合金層， 其中，該鎳層及該鎳磷層總厚度係2微米至3微米。 •如專利申請範圍第4項之電子物品，其中該鎳磷層包括 0.1重量％至15重量％之磷。 6.如專利申請範圍第5項之電子物品，其中該鎳磷層包括 1重量％至10重量％之磷。 -如專利申請範圍第4項之物品，其中該電子物品係為印 刷電路板、引線框架、電連接器、晶圓凸塊、或被動組 件。 93629修正版 .24