JP3216341B2 - 貴金属めっきの製造方法 - Google Patents
貴金属めっきの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐食性の高い貴金属め
っきの製造方法に関するものである。
っきの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、装飾を目的として各種のめっきが
行われているが、特に、金、白金、パラジウム、ロジウ
ム、ルテニウム等の貴金属を基材、あるいは電気ニッケ
ルめっき層上に形成した場合、貴金属の有している電位
が貴な電位（標準電極電位が水素を０とし、それより＋
側にある電位を貴な電位という）であるため、基材また
は電気ニッケルめっき層との間に電位差が生じ、電気化
学的な腐食が発生してしまう問題があった。又、筆記具
や化粧品などのインキや化粧料を含む製品においては、
貴金属めっきを処理した部品とこれらの内容物とが接触
することが多く、このような場合、これら内容物が電解
質となり、より電気化学的な腐食が促進されてしまう。
行われているが、特に、金、白金、パラジウム、ロジウ
ム、ルテニウム等の貴金属を基材、あるいは電気ニッケ
ルめっき層上に形成した場合、貴金属の有している電位
が貴な電位（標準電極電位が水素を０とし、それより＋
側にある電位を貴な電位という）であるため、基材また
は電気ニッケルめっき層との間に電位差が生じ、電気化
学的な腐食が発生してしまう問題があった。又、筆記具
や化粧品などのインキや化粧料を含む製品においては、
貴金属めっきを処理した部品とこれらの内容物とが接触
することが多く、このような場合、これら内容物が電解
質となり、より電気化学的な腐食が促進されてしまう。
【０００３】これら電気化学的な腐食の問題を解決する
ために、従来技術では、貴金属と基材あるいは電気ニッ
ケルめっき層との間に、電位が中間に位置する金属をめ
っきにより形成している。その方法としては、パラジウ
ム−ニッケル合金めっき層を設ける方法と、特開平３−
２２９８９１号に開示されているニッケル−リン合金め
っき層を用いる方法とが知られている。
ために、従来技術では、貴金属と基材あるいは電気ニッ
ケルめっき層との間に、電位が中間に位置する金属をめ
っきにより形成している。その方法としては、パラジウ
ム−ニッケル合金めっき層を設ける方法と、特開平３−
２２９８９１号に開示されているニッケル−リン合金め
っき層を用いる方法とが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、パラジウム
−ニッケル合金めっき層を設ける方法においては、耐食
性を向上させるために、パラジウム−ニッケル合金めっ
き層を厚くする必要があり、コストの点で問題があっ
た。
−ニッケル合金めっき層を設ける方法においては、耐食
性を向上させるために、パラジウム−ニッケル合金めっ
き層を厚くする必要があり、コストの点で問題があっ
た。
【０００５】又、ニッケル−リン合金めっき層を用いる
方法は、具体的には、基材上に低リン含有量（８〜９
％）の無電解ニッケル−リン合金めっき層と、高リン含
有量（１０〜１３％）のニッケル−リン電気めっき層の
２層のめっき層を設けものであり、耐食性とコストの両
方の問題を解消せんとするものであるが、この方法にお
いてはニッケル−リン合金めっき層を形成させるため
に、２種類のめっき液を用いるため工程が煩雑となる。
又、一般に低リン含有タイプのニッケル−リン合金めっ
き液は、リン供給源として次亜リン酸または次亜リン酸
塩を、高リン含有タイプは亜リン酸または亜リン酸塩を
用いている。このようにめっき液組成の異なる２種類の
めっき液を使用した場合、次亜リン酸または次亜リン酸
塩が高リン含有タイプのめっき液中に徐々に混入し、ｐ
Ｈの上昇などのめっき液組成の変動に伴い、リン含有量
の低下、耐食性の低下などの問題が生じる。
方法は、具体的には、基材上に低リン含有量（８〜９
％）の無電解ニッケル−リン合金めっき層と、高リン含
有量（１０〜１３％）のニッケル−リン電気めっき層の
２層のめっき層を設けものであり、耐食性とコストの両
方の問題を解消せんとするものであるが、この方法にお
いてはニッケル−リン合金めっき層を形成させるため
に、２種類のめっき液を用いるため工程が煩雑となる。
又、一般に低リン含有タイプのニッケル−リン合金めっ
き液は、リン供給源として次亜リン酸または次亜リン酸
塩を、高リン含有タイプは亜リン酸または亜リン酸塩を
用いている。このようにめっき液組成の異なる２種類の
めっき液を使用した場合、次亜リン酸または次亜リン酸
塩が高リン含有タイプのめっき液中に徐々に混入し、ｐ
Ｈの上昇などのめっき液組成の変動に伴い、リン含有量
の低下、耐食性の低下などの問題が生じる。
【０００６】更に、装飾を目的とするものにおいては、
基材表面の調整が外観特性において重要となる。一般に
光沢の表面を要求する場合は、光沢ニッケルめっきを基
材表面に形成させ、ブラストや梨地などの表面を要求す
る場合には、半光沢ニッケルめっきを形成させる。この
ように基材表面に電気ニッケルめっき層を形成すること
により外観特性は向上する。しかし電気ニッケルめっき
層上にニッケル−リン合金めっき層を形成させようとし
た場合、特に高リン含有量タイプを用いた場合は、密着
性が低く、層間剥離が発生してしまう問題があった。
又、万年筆などの製品においては、インキとの接触部品
として、密着性及び層間剥離の問題から低リン含有量タ
イプのニッケル−リン合金めっきを用いているが、電気
化学的な腐食が発生する。
基材表面の調整が外観特性において重要となる。一般に
光沢の表面を要求する場合は、光沢ニッケルめっきを基
材表面に形成させ、ブラストや梨地などの表面を要求す
る場合には、半光沢ニッケルめっきを形成させる。この
ように基材表面に電気ニッケルめっき層を形成すること
により外観特性は向上する。しかし電気ニッケルめっき
層上にニッケル−リン合金めっき層を形成させようとし
た場合、特に高リン含有量タイプを用いた場合は、密着
性が低く、層間剥離が発生してしまう問題があった。
又、万年筆などの製品においては、インキとの接触部品
として、密着性及び層間剥離の問題から低リン含有量タ
イプのニッケル−リン合金めっきを用いているが、電気
化学的な腐食が発生する。
【０００７】以上のように、従来技術にあっては、未だ
耐食性の高い貴金属めっきは得られていない。
耐食性の高い貴金属めっきは得られていない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、前記問
題に鑑みなされたものであり、基材上に、電気ニッケル
めっきを施す工程と、その上層部にリン供給源として亜
リン酸または亜リン酸塩を用いるニッケル−リン合金め
っき液中で、初期電流密度として８〜２０Ａ／ｄｍ2の
高電流密度で処理し、続けて７Ａ／ｄｍ2以下の電流密
度で処理する工程と、その上層部に貴金属めっき層を形
成する工程を有する貴金属めっきの製造方法を要旨とす
るものである。
題に鑑みなされたものであり、基材上に、電気ニッケル
めっきを施す工程と、その上層部にリン供給源として亜
リン酸または亜リン酸塩を用いるニッケル−リン合金め
っき液中で、初期電流密度として８〜２０Ａ／ｄｍ2の
高電流密度で処理し、続けて７Ａ／ｄｍ2以下の電流密
度で処理する工程と、その上層部に貴金属めっき層を形
成する工程を有する貴金属めっきの製造方法を要旨とす
るものである。
【０００９】即ち、本発明は、電気ニッケルめっき層と
ニッケル−リン合金めっき層との密着性を向上させるた
めに、高リン含有タイプ（リン供給源として亜リン酸ま
たは亜リン酸塩を用いたもの）のニッケル−リン合金め
っき液のみを用いて、ニッケル−リン合金めっき層の初
期析出時に８〜２０Ａ／ｄｍ2の高電流密度で処理する
ことによりニッケル表面がカソーディックとなり、且
つ、多量の還元性水素を発生するために活性化し、続け
て７Ａ／ｄｍ2以下の電流密度で処理することによりリ
ン含有量を上げ、耐食性を高めんとしたものである。
ニッケル−リン合金めっき層との密着性を向上させるた
めに、高リン含有タイプ（リン供給源として亜リン酸ま
たは亜リン酸塩を用いたもの）のニッケル−リン合金め
っき液のみを用いて、ニッケル−リン合金めっき層の初
期析出時に８〜２０Ａ／ｄｍ2の高電流密度で処理する
ことによりニッケル表面がカソーディックとなり、且
つ、多量の還元性水素を発生するために活性化し、続け
て７Ａ／ｄｍ2以下の電流密度で処理することによりリ
ン含有量を上げ、耐食性を高めんとしたものである。
【００１０】被処理物となる基材は、銅、銅合金、鉄、
鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金、ア
ルミニウム、アルミニウム合金、亜鉛、亜鉛合金、ステ
ンレス等の金属や、他の金属の表面にこれらの金属を形
成したものや、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレ
ン樹脂、アクリロニトリル・スチレン樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ナイロン樹脂などの合成樹脂の表面に前記
金属の処理をなしたものや、アルミナ、ジルコニア、シ
リカ等のセラミックスの表面に、電気めっき法、無電解
めっき法、スパッタリング、イオンプレーティング法な
どの方法により前記金属の処理をなしたものなど種々使
用可能である。
鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金、ア
ルミニウム、アルミニウム合金、亜鉛、亜鉛合金、ステ
ンレス等の金属や、他の金属の表面にこれらの金属を形
成したものや、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレ
ン樹脂、アクリロニトリル・スチレン樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ナイロン樹脂などの合成樹脂の表面に前記
金属の処理をなしたものや、アルミナ、ジルコニア、シ
リカ等のセラミックスの表面に、電気めっき法、無電解
めっき法、スパッタリング、イオンプレーティング法な
どの方法により前記金属の処理をなしたものなど種々使
用可能である。
【００１１】ニッケル−リン合金めっき液は、リン供給
源として亜リン酸または亜リン酸塩、ニッケル供給源と
してニッケル塩が用いられる。具体例としては、亜リン
酸または亜リン酸塩として亜リン酸ナトリウム、亜リン
酸カリウム等が挙げられる。それらの使用量としては液
全量として１０〜１００ｇ／ｌが好ましい。ニッケル塩
としては、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、スルファミン
酸ニッケル等が挙げられる。それらの使用量は液全量と
して１００〜４５０ｇ／ｌが好ましい。又、その他の添
加剤としてほう酸、リン酸、多糖類などを用いてもよ
い。これら液組成の他市販されているニッケル−リン合
金めっき液も使用可能である。本発明のめっき皮膜はこ
れらのめっき液を用いて電気めっき法で得られるもので
ある。尚、膜厚は適宜であるが、一般には０．１〜３０
μｍ程度がよい。
源として亜リン酸または亜リン酸塩、ニッケル供給源と
してニッケル塩が用いられる。具体例としては、亜リン
酸または亜リン酸塩として亜リン酸ナトリウム、亜リン
酸カリウム等が挙げられる。それらの使用量としては液
全量として１０〜１００ｇ／ｌが好ましい。ニッケル塩
としては、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、スルファミン
酸ニッケル等が挙げられる。それらの使用量は液全量と
して１００〜４５０ｇ／ｌが好ましい。又、その他の添
加剤としてほう酸、リン酸、多糖類などを用いてもよ
い。これら液組成の他市販されているニッケル−リン合
金めっき液も使用可能である。本発明のめっき皮膜はこ
れらのめっき液を用いて電気めっき法で得られるもので
ある。尚、膜厚は適宜であるが、一般には０．１〜３０
μｍ程度がよい。
【００１２】貴金属めっきの金属の具体例としては、ロ
ジウム、ルテニウム、白金、パラジウム、金またはそれ
らの合金などが挙げられる。めっき方法としては電気め
っき、無電解めっきを使用する。尚、膜厚は適宜である
が、一般には、０．０１〜３０μｍ程度がよい。
ジウム、ルテニウム、白金、パラジウム、金またはそれ
らの合金などが挙げられる。めっき方法としては電気め
っき、無電解めっきを使用する。尚、膜厚は適宜である
が、一般には、０．０１〜３０μｍ程度がよい。
【００１３】本発明の貴金属めっきの製造方法は、少な
くとも上記工程を含むものであるが、例えば、さらに耐
食性を向上させるために、後処理としてクロメート皮膜
などを形成してもよい。
くとも上記工程を含むものであるが、例えば、さらに耐
食性を向上させるために、後処理としてクロメート皮膜
などを形成してもよい。
【００１４】
【作用】本発明は、中間層に亜リン酸又は亜リン酸塩を
リン供給源としたニッケル−リン合金めっき液を用い
て、初期電流密度として８〜２０Ａ／ｄｍ2の高電流密
度で処理することによりニッケル表面がカソーディック
となり、且つ、多量の還元性水素を発生するために活性
化し、電気ニッケルめっき層との密着性を向上し、続け
て７Ａ／ｄｍ2以下の電流密度で処理することによりリ
ン含有量を上げ、基材及び電気ニッケルめっき層の腐食
を防止する。これらの作用により高耐食性であり、密着
性に優れた貴金属めっきが得られるものである。
リン供給源としたニッケル−リン合金めっき液を用い
て、初期電流密度として８〜２０Ａ／ｄｍ2の高電流密
度で処理することによりニッケル表面がカソーディック
となり、且つ、多量の還元性水素を発生するために活性
化し、電気ニッケルめっき層との密着性を向上し、続け
て７Ａ／ｄｍ2以下の電流密度で処理することによりリ
ン含有量を上げ、基材及び電気ニッケルめっき層の腐食
を防止する。これらの作用により高耐食性であり、密着
性に優れた貴金属めっきが得られるものである。
【００１５】
実施例１ 基材として、プレス加工により得られた直径８．８ｍ
ｍ、長さ１００ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの円筒状の真鍮を
用い、バフ研磨し、洗浄し予備処理とした。次に、上記
基材を、公知の方法で脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。更に、その上層部に
奥野製薬工業（株）製ニッケリンＢを用いて液温６５
℃、ｐＨ１．５、初期電流密度として１０Ａ／ｄｍ2で
２分間処理し、続けて、４Ａ／ｄｍ2で１０分間処理
し、膜厚が３．０μｍの電気ニッケル−リン合金めっき
層を形成した。次にその上層部に日本エレクトロプレイ
ティング・エンジニヤーズ（株）製ブライトロジウムを
用いて液温４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ2で２分間処理
し、膜厚が０．０３μｍのロジウムめっき層を形成した
円筒状の軸を得た。
ｍ、長さ１００ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの円筒状の真鍮を
用い、バフ研磨し、洗浄し予備処理とした。次に、上記
基材を、公知の方法で脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。更に、その上層部に
奥野製薬工業（株）製ニッケリンＢを用いて液温６５
℃、ｐＨ１．５、初期電流密度として１０Ａ／ｄｍ2で
２分間処理し、続けて、４Ａ／ｄｍ2で１０分間処理
し、膜厚が３．０μｍの電気ニッケル−リン合金めっき
層を形成した。次にその上層部に日本エレクトロプレイ
ティング・エンジニヤーズ（株）製ブライトロジウムを
用いて液温４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ2で２分間処理
し、膜厚が０．０３μｍのロジウムめっき層を形成した
円筒状の軸を得た。
【００１６】実施例２ 実施例１で用いた基材を同様の方法により予備処理を
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。次にその上層部に液
組成として硫酸ニッケル３００ｇ／ｌ、亜リン酸８０ｇ
／ｌ、リン酸５０ｇ／ｌ、硫酸２０ｇ／ｌ、ラクツロー
ス１ｇ／ｌを用いて液温７０℃、ｐＨ１．０、初期電流
密度として２０Ａ／ｄｍ2で２分間処理し、続けて、２
Ａ／ｄｍ2で２０分間処理し、膜厚が３．０μｍの電気
ニッケル−リン合金めっき層を形成した。次にその上層
部に日本エレクトロプレイティング・エンジニヤーズ
（株）製ブライトロジウムを用いて液温４０℃、電流密
度１Ａ／ｄｍ2で２分間処理し、膜厚が０．０３μｍの
ロジウムめっき層を形成した。次にその上層部に荏原ユ
ージライト製ＥＣＲ−５００を用いて液温６０℃、電流
密度０．５Ａ／ｄｍ2で１分間処理し、クロメート皮膜
を形成した円筒状の軸を得た。
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。次にその上層部に液
組成として硫酸ニッケル３００ｇ／ｌ、亜リン酸８０ｇ
／ｌ、リン酸５０ｇ／ｌ、硫酸２０ｇ／ｌ、ラクツロー
ス１ｇ／ｌを用いて液温７０℃、ｐＨ１．０、初期電流
密度として２０Ａ／ｄｍ2で２分間処理し、続けて、２
Ａ／ｄｍ2で２０分間処理し、膜厚が３．０μｍの電気
ニッケル−リン合金めっき層を形成した。次にその上層
部に日本エレクトロプレイティング・エンジニヤーズ
（株）製ブライトロジウムを用いて液温４０℃、電流密
度１Ａ／ｄｍ2で２分間処理し、膜厚が０．０３μｍの
ロジウムめっき層を形成した。次にその上層部に荏原ユ
ージライト製ＥＣＲ−５００を用いて液温６０℃、電流
密度０．５Ａ／ｄｍ2で１分間処理し、クロメート皮膜
を形成した円筒状の軸を得た。
【００１７】実施例３ 実施例１で用いた基材を同様の方法により予備処理を
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。次にその上層部に液
組成として硫酸ニッケル２００ｇ／ｌ、亜リン酸１８ｇ
／ｌを用いて液温６０℃、ｐＨ１．５、初期電流密度と
して８Ａ／ｄｍ2で１分間処理し、続けて、６Ａ／ｄｍ2
で２０分間処理し、膜厚が５．０μｍの電気ニッケル−
リン合金めっき層を形成した。次にその上層部に日鉱共
石（株）製Ｂ・Ｒｕを用いて液温７０℃、電流密度５．
０Ａ／ｄｍ2で１２分間処理し、膜厚が０．１μｍのブ
ラックルテニウムめっき層を形成した円筒状の軸を得
た。
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。次にその上層部に液
組成として硫酸ニッケル２００ｇ／ｌ、亜リン酸１８ｇ
／ｌを用いて液温６０℃、ｐＨ１．５、初期電流密度と
して８Ａ／ｄｍ2で１分間処理し、続けて、６Ａ／ｄｍ2
で２０分間処理し、膜厚が５．０μｍの電気ニッケル−
リン合金めっき層を形成した。次にその上層部に日鉱共
石（株）製Ｂ・Ｒｕを用いて液温７０℃、電流密度５．
０Ａ／ｄｍ2で１２分間処理し、膜厚が０．１μｍのブ
ラックルテニウムめっき層を形成した円筒状の軸を得
た。
【００１８】実施例４ 実施例１で用いた基材を同様の方法により予備処理を
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。次にその上層部に奥
野製薬工業（株）製ニッケリンＢを用いて液温６５℃、
ｐＨ１．５、初期電流密度として１５Ａ／ｄｍ2で１分
間処理し、続けて、６Ａ／ｄｍ2から２０分間かけ２Ａ
／ｄｍ2まで連続的に電流密度を下げ処理し、膜厚が
３．０μｍの電気ニッケル−リン合金めっき層を形成し
た。次にその上層部に日本エレクトロプレイティング・
エンジニヤーズ（株）製プラタネックスＩＩＩＬＳを用
いて液温８０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ2で５分間処理
し、膜厚が０．５μｍの白金めっき層を形成した円筒状
の軸を得た。
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。次にその上層部に奥
野製薬工業（株）製ニッケリンＢを用いて液温６５℃、
ｐＨ１．５、初期電流密度として１５Ａ／ｄｍ2で１分
間処理し、続けて、６Ａ／ｄｍ2から２０分間かけ２Ａ
／ｄｍ2まで連続的に電流密度を下げ処理し、膜厚が
３．０μｍの電気ニッケル−リン合金めっき層を形成し
た。次にその上層部に日本エレクトロプレイティング・
エンジニヤーズ（株）製プラタネックスＩＩＩＬＳを用
いて液温８０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ2で５分間処理
し、膜厚が０．５μｍの白金めっき層を形成した円筒状
の軸を得た。
【００１９】比較例１ 実施例１で用いた基材を同様の方法により予備処理を
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。ワット浴から
なる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、電気ニッケル
めっき層を形成した。次にその上層部に奥野製薬工業
（株）製ニッケリンＡを用いて液温６０℃、ｐＨ３．
０、電流密度として２Ａ／ｄｍ2で１０分間処理し、膜
厚が５．０μｍのリン含有量８％の電気ニッケル−リン
合金めっき層を形成した。次にその上層部に日本エレク
トロプレイティング・エンジニヤーズ（株）製ブライト
ロジウムを用いて液温４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ2で
２分間処理し、膜厚が０．０３μｍのロジウムめっき層
を形成した円筒状の軸を得た。
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。ワット浴から
なる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、電気ニッケル
めっき層を形成した。次にその上層部に奥野製薬工業
（株）製ニッケリンＡを用いて液温６０℃、ｐＨ３．
０、電流密度として２Ａ／ｄｍ2で１０分間処理し、膜
厚が５．０μｍのリン含有量８％の電気ニッケル−リン
合金めっき層を形成した。次にその上層部に日本エレク
トロプレイティング・エンジニヤーズ（株）製ブライト
ロジウムを用いて液温４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ2で
２分間処理し、膜厚が０．０３μｍのロジウムめっき層
を形成した円筒状の軸を得た。
【００２０】比較例２ 実施例１で用いた基材を同様の方法により予備処理を
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。ワット浴から
なる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、電気ニッケル
めっき層を形成した。次にその上層部に奥野製薬工業
（株）製ニッケリンＢを用いて液温６５℃、ｐＨ１．
５、電流密度として４Ａ／ｄｍ2で１０分間処理し、膜
厚が３．０μｍのリン含有量１１％の電気ニッケル−リ
ン合金めっき層を形成した。次にその上層部に日本エレ
クトロプレイティング・エンジニヤーズ（株）製ブライ
トロジウムを用いて液温４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ2
で２分間処理し、膜厚が０．０３μｍのロジウムめっき
層を形成した円筒状の軸を得た。
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。ワット浴から
なる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、電気ニッケル
めっき層を形成した。次にその上層部に奥野製薬工業
（株）製ニッケリンＢを用いて液温６５℃、ｐＨ１．
５、電流密度として４Ａ／ｄｍ2で１０分間処理し、膜
厚が３．０μｍのリン含有量１１％の電気ニッケル−リ
ン合金めっき層を形成した。次にその上層部に日本エレ
クトロプレイティング・エンジニヤーズ（株）製ブライ
トロジウムを用いて液温４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ2
で２分間処理し、膜厚が０．０３μｍのロジウムめっき
層を形成した円筒状の軸を得た。
【００２１】以上の実施例１〜４、比較例１、２により
得られた円筒状の軸について、密着性、耐食性の評価結
果を表１に示す。尚、密着性は折り曲げ試験（ＪＩＳ
Ｋ５４００）にて、耐食性は塩水噴霧試験（ＪＩＳ Ｚ
２３７１）で腐食が発生するまでの時間と、インキ
（ぺんてる（株）製万年筆インキ・ブルーブラック）で
の温度８０℃、７日間での腐食発生の有無を目視にて評
価した。
得られた円筒状の軸について、密着性、耐食性の評価結
果を表１に示す。尚、密着性は折り曲げ試験（ＪＩＳ
Ｋ５４００）にて、耐食性は塩水噴霧試験（ＪＩＳ Ｚ
２３７１）で腐食が発生するまでの時間と、インキ
（ぺんてる（株）製万年筆インキ・ブルーブラック）で
の温度８０℃、７日間での腐食発生の有無を目視にて評
価した。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【発明の効果】上記表でも明らかなように、本発明によ
る製造方法によって得られた貴金属めっきは、密着性、
耐食性に優れているものである。
る製造方法によって得られた貴金属めっきは、密着性、
耐食性に優れているものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 5/00 - 7/12
Claims (1)
- 【請求項１】 基材上に、電気ニッケルめっきを施す工
程と、その上層部にリン供給源として亜リン酸または亜
リン酸塩を用いるニッケル−リン合金めっき液中で、初
期電流密度として８〜２０Ａ／ｄｍ2の高電流密度で処
理し、続けて７Ａ／ｄｍ2以下の電流密度で処理する工
程と、その上層部に貴金属めっき層を形成する工程を有
する貴金属めっきの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18438793A JP3216341B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 貴金属めっきの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18438793A JP3216341B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 貴金属めっきの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0711478A JPH0711478A (ja) | 1995-01-13 |
| JP3216341B2 true JP3216341B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=16152296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18438793A Expired - Fee Related JP3216341B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 貴金属めっきの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3216341B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7615255B2 (en) * | 2005-09-07 | 2009-11-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Metal duplex method |
| JP6450300B2 (ja) * | 2015-10-20 | 2019-01-09 | 松田産業株式会社 | ルテニウムを含む積層めっき被覆材及びその製造方法 |
| JP6649915B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2020-02-19 | 松田産業株式会社 | ルテニウムを含む積層めっき被覆材 |
| SG11202106502SA (en) * | 2019-06-05 | 2021-07-29 | Erni Int Ag | Electrical contact element |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP18438793A patent/JP3216341B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0711478A (ja) | 1995-01-13 |
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