JPH0741985A - ニッケル−リン合金めっきの製造方法 - Google Patents
ニッケル−リン合金めっきの製造方法Info
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- JPH0741985A JPH0741985A JP20706293A JP20706293A JPH0741985A JP H0741985 A JPH0741985 A JP H0741985A JP 20706293 A JP20706293 A JP 20706293A JP 20706293 A JP20706293 A JP 20706293A JP H0741985 A JPH0741985 A JP H0741985A
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- JP
- Japan
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- nickel
- plating layer
- alloy plating
- phosphorus alloy
- adhesion
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Abstract
(57)【要約】
【目的】密着性が高く、高耐食性のニッケル−リン合金
めっきの製造方法を提供すること。 【構成】基材上に、少なくとも電気ニッケルめっき層を
施す工程と、その上層部にニッケル−リン合金めっき層
を施す工程と、１５０℃以上の熱雰囲気中で熱処理する
工程とよりなるニッケル−リン合金めっきの製造方法。 【効果】電気ニッケルめっき層とニッケル−リン合金め
っき層との密着性を向上させるために、１５０℃以上の
熱雰囲気中で熱処理を行うことにより、ニッケル−リン
合金めっき層と電気ニッケルめっき層との界面で熱拡散
を起こさせ、密着性を向上させたものである。又、これ
により高耐食性にも優れたニッケル−リン合金めっきが
得られる。
めっきの製造方法を提供すること。 【構成】基材上に、少なくとも電気ニッケルめっき層を
施す工程と、その上層部にニッケル−リン合金めっき層
を施す工程と、１５０℃以上の熱雰囲気中で熱処理する
工程とよりなるニッケル−リン合金めっきの製造方法。 【効果】電気ニッケルめっき層とニッケル−リン合金め
っき層との密着性を向上させるために、１５０℃以上の
熱雰囲気中で熱処理を行うことにより、ニッケル−リン
合金めっき層と電気ニッケルめっき層との界面で熱拡散
を起こさせ、密着性を向上させたものである。又、これ
により高耐食性にも優れたニッケル−リン合金めっきが
得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、密着性が高く、高耐食
性のニッケル−リン合金めっきの製造方法に関するもの
である。
性のニッケル−リン合金めっきの製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、装飾を目的として各種のめっきが
行われているが、高耐食性を要求する場合は、ニッケル
−リン合金めっき層を形成する方法が知られている。
行われているが、高耐食性を要求する場合は、ニッケル
−リン合金めっき層を形成する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、装飾を目的と
した場合は、基材表面の調整が外観特性において重要と
なる。一般に光沢の表面を要求する場合は、光沢ニッケ
ルめっきを基材表面に形成させ、ブラストや梨地などの
表面を要求する場合は、半光沢ニッケルめっき又は無光
沢ニッケルめっきを形成させる。このように基材表面に
電気ニッケルめっき層を形成することにより外観特性は
向上する。しかし電気ニッケルめっき層上にニッケル−
リン合金めっき層を形成させようとした場合、特に、高
リン含有量タイプ（一般にリン含有量が１０〜２５％）
を用いた場合は、密着性が低く、層間剥離が発生してし
まうという問題があった。
した場合は、基材表面の調整が外観特性において重要と
なる。一般に光沢の表面を要求する場合は、光沢ニッケ
ルめっきを基材表面に形成させ、ブラストや梨地などの
表面を要求する場合は、半光沢ニッケルめっき又は無光
沢ニッケルめっきを形成させる。このように基材表面に
電気ニッケルめっき層を形成することにより外観特性は
向上する。しかし電気ニッケルめっき層上にニッケル−
リン合金めっき層を形成させようとした場合、特に、高
リン含有量タイプ（一般にリン含有量が１０〜２５％）
を用いた場合は、密着性が低く、層間剥離が発生してし
まうという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、前記問
題に鑑みなされたものであり、基材上に少なくとも、電
気ニッケルめっき層を施す工程と、その上層部にニッケ
ル−リン合金めっき層を施す工程と、１５０℃以上の熱
雰囲気中で熱処理する工程とよりなるニッケル−リン合
金めっきの製造方法を要旨とするものである。
題に鑑みなされたものであり、基材上に少なくとも、電
気ニッケルめっき層を施す工程と、その上層部にニッケ
ル−リン合金めっき層を施す工程と、１５０℃以上の熱
雰囲気中で熱処理する工程とよりなるニッケル−リン合
金めっきの製造方法を要旨とするものである。
【０００５】即ち、本発明においては、特に、電気ニッ
ケルめっき層とニッケル−リン合金めっき層との密着性
を向上させるために、１５０℃以上の熱雰囲気中で熱処
理を行うことにより、ニッケル−リン合金めっき層と電
気ニッケルめっき層との界面で熱拡散を起こさせ、密着
性を高めんとしたものである。
ケルめっき層とニッケル−リン合金めっき層との密着性
を向上させるために、１５０℃以上の熱雰囲気中で熱処
理を行うことにより、ニッケル−リン合金めっき層と電
気ニッケルめっき層との界面で熱拡散を起こさせ、密着
性を高めんとしたものである。
【０００６】被処理物となる基材は、銅、銅合金、鉄、
鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金、ア
ルミニウム、アルミニウム合金、亜鉛、亜鉛合金、ステ
ンレス等の金属や、他の金属の表面にこれらの金属を形
成したものや、アルミナ、ジルコニア、シリカ等のセラ
ミックスの表面に、電気めっき法、無電解めっき法、ス
パッタリング、イオンプレーティング法などの方法によ
り前記金属の処理をなしたものなど種々使用可能であ
る。
鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金、ア
ルミニウム、アルミニウム合金、亜鉛、亜鉛合金、ステ
ンレス等の金属や、他の金属の表面にこれらの金属を形
成したものや、アルミナ、ジルコニア、シリカ等のセラ
ミックスの表面に、電気めっき法、無電解めっき法、ス
パッタリング、イオンプレーティング法などの方法によ
り前記金属の処理をなしたものなど種々使用可能であ
る。
【０００７】電気ニッケルめっき層は、公知技術である
ワット浴（硫酸ニッケル２２０〜３８０ｇ／ｌ、塩化ニ
ッケル３０〜６０ｇ／ｌ、ほう酸３０〜４０ｇ／ｌ）に
外観特性などの目的に応じた光沢剤を添加しためっき液
を用いて、電気めっき法で得られるものである。他に市
販されている電気ニッケルめっき液も使用可能である。
尚、膜厚は適宜であるが、一般には１〜３０μｍ程度が
よい。
ワット浴（硫酸ニッケル２２０〜３８０ｇ／ｌ、塩化ニ
ッケル３０〜６０ｇ／ｌ、ほう酸３０〜４０ｇ／ｌ）に
外観特性などの目的に応じた光沢剤を添加しためっき液
を用いて、電気めっき法で得られるものである。他に市
販されている電気ニッケルめっき液も使用可能である。
尚、膜厚は適宜であるが、一般には１〜３０μｍ程度が
よい。
【０００８】ニッケル−リン合金めっき層は、リン供給
源として亜リン酸または亜リン酸塩、ニッケル供給源と
してニッケル塩を用いためっき液より電気めっき法で得
られるものである。具体例としては、亜リン酸または亜
リン酸塩として亜リン酸ナトリウム、亜リン酸カリウム
等が挙げられる。それらの使用量としては液全量として
１０〜１００ｇ／ｌが好ましい。ニッケル塩としては、
塩化ニッケル、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル
等が挙げられる。それらの使用量としては液全量として
１００〜４５０ｇ／ｌが好ましい。又、その他の添加剤
としてほう酸、リン酸、多糖類などを用いてもよい。こ
れら液組成の他市販されているニッケル−リン合金めっ
き液も使用可能である。本発明のめっき皮膜はこれらの
めっき液を用いて電気めっき法で得られるものである。
尚、膜厚は適宜であるが、一般には０．１〜３０μｍ程
度がよい。
源として亜リン酸または亜リン酸塩、ニッケル供給源と
してニッケル塩を用いためっき液より電気めっき法で得
られるものである。具体例としては、亜リン酸または亜
リン酸塩として亜リン酸ナトリウム、亜リン酸カリウム
等が挙げられる。それらの使用量としては液全量として
１０〜１００ｇ／ｌが好ましい。ニッケル塩としては、
塩化ニッケル、硫酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル
等が挙げられる。それらの使用量としては液全量として
１００〜４５０ｇ／ｌが好ましい。又、その他の添加剤
としてほう酸、リン酸、多糖類などを用いてもよい。こ
れら液組成の他市販されているニッケル−リン合金めっ
き液も使用可能である。本発明のめっき皮膜はこれらの
めっき液を用いて電気めっき法で得られるものである。
尚、膜厚は適宜であるが、一般には０．１〜３０μｍ程
度がよい。
【０００９】熱処理は、本発明に於いて重要な工程であ
り、電気ニッケル層とニッケル−リン合金めっき層との
界面で熱拡散を起こさせる為に、１５０℃以上の熱雰囲
気中で５〜１２０分間程度の熱処理を行うものである。
尚、１５０℃以上とした理由は、１５０℃未満では界面
での熱拡散が起こりにくく、密着性の向上が望めない為
である。
り、電気ニッケル層とニッケル−リン合金めっき層との
界面で熱拡散を起こさせる為に、１５０℃以上の熱雰囲
気中で５〜１２０分間程度の熱処理を行うものである。
尚、１５０℃以上とした理由は、１５０℃未満では界面
での熱拡散が起こりにくく、密着性の向上が望めない為
である。
【００１０】本発明のニッケル−リン合金めっきの製造
方法は、少なくとも上記工程を含むものであるが、例え
ば、更に密着性を上げる為に、高リン含有タイプ（リン
供給源として亜リン酸または亜リン酸塩を用いたもの）
のニッケル−リン合金めっき液を用いて、ニッケル−リ
ン合金めっき層の初期析出時に８〜２０Ａ／ｄｍ2の高
電流密度で処理することにより、リン含有量の少ないニ
ッケル−リン合金めっき層を形成し、拡散しやすくする
方法もある。又、ニッケル−リン合金めっき層の上層部
に貴金属めっき層を形成することにより高耐食性の貴金
属めっき処理などにも用いることができる。
方法は、少なくとも上記工程を含むものであるが、例え
ば、更に密着性を上げる為に、高リン含有タイプ（リン
供給源として亜リン酸または亜リン酸塩を用いたもの）
のニッケル−リン合金めっき液を用いて、ニッケル−リ
ン合金めっき層の初期析出時に８〜２０Ａ／ｄｍ2の高
電流密度で処理することにより、リン含有量の少ないニ
ッケル−リン合金めっき層を形成し、拡散しやすくする
方法もある。又、ニッケル−リン合金めっき層の上層部
に貴金属めっき層を形成することにより高耐食性の貴金
属めっき処理などにも用いることができる。
【００１１】
【作用】本発明は、電気ニッケルめっき層とニッケル−
リン合金めっき層との密着性を向上させるために、１５
０℃以上の熱雰囲気中で熱処理を行うことにより、ニッ
ケル−リン合金めっき層と電気ニッケルめっき層との界
面で熱拡散を起こさせ、密着性を向上させたものであ
る。これらの作用により高耐食性であり、密着性に優れ
たニッケル−リン合金めっきが得られるものである。
リン合金めっき層との密着性を向上させるために、１５
０℃以上の熱雰囲気中で熱処理を行うことにより、ニッ
ケル−リン合金めっき層と電気ニッケルめっき層との界
面で熱拡散を起こさせ、密着性を向上させたものであ
る。これらの作用により高耐食性であり、密着性に優れ
たニッケル−リン合金めっきが得られるものである。
【００１２】
実施例１ 基材として、プレス加工により得られた直径８．８ｍ
ｍ、長さ１００ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの円筒状の真鍮を
用い、バフ研磨し、洗浄し予備処理した。上記基材を、
公知の方法で脱脂、酸活性した。この基材上にワット浴
からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、電気ニッ
ケルめっき層を形成した。次にその上層部に奥野製薬工
業（株）製ニッケリンＢを用いて液温６５℃、ｐＨ１．
５、電流密度４Ａ／ｄｍ2で１０分間処理し、膜厚が
３．０μｍの電気ニッケル−リン合金めっき層を形成し
た。次にその上層部に日本エレクトロプレイティング・
エンジニヤーズ（株）製ブライトロジウムを用いて液温
４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ2で２分間処理し、膜厚が
０．０３μｍのロジウムめっき層を形成した。次に２５
０℃の雰囲気中で１０分間、熱処理をし円筒状の軸を得
た。
ｍ、長さ１００ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの円筒状の真鍮を
用い、バフ研磨し、洗浄し予備処理した。上記基材を、
公知の方法で脱脂、酸活性した。この基材上にワット浴
からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、電気ニッ
ケルめっき層を形成した。次にその上層部に奥野製薬工
業（株）製ニッケリンＢを用いて液温６５℃、ｐＨ１．
５、電流密度４Ａ／ｄｍ2で１０分間処理し、膜厚が
３．０μｍの電気ニッケル−リン合金めっき層を形成し
た。次にその上層部に日本エレクトロプレイティング・
エンジニヤーズ（株）製ブライトロジウムを用いて液温
４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ2で２分間処理し、膜厚が
０．０３μｍのロジウムめっき層を形成した。次に２５
０℃の雰囲気中で１０分間、熱処理をし円筒状の軸を得
た。
【００１３】実施例２ 実施例１で用いた基材を同様の方法により予備処理を
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
半光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、電気ニッケルめ
っき層を形成した。次にその上層部に液組成として硫酸
ニッケル３００ｇ／ｌ、亜リン酸８０ｇ／ｌ、リン酸５
０ｇ／ｌ、硫酸２０ｇ／ｌ、ラクツロース１ｇ／ｌを用
いて液温７０℃、ｐＨ１．０、初期電流密度として２０
Ａ／ｄｍ2で２分間処理し、続けて、２Ａ／ｄｍ2で２０
分間処理し、膜厚が３．０μｍの電気ニッケル−リン合
金めっき層を形成した。次に３００℃の雰囲気中で３０
分間、熱処理をし円筒状の軸を得た。
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
半光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、電気ニッケルめ
っき層を形成した。次にその上層部に液組成として硫酸
ニッケル３００ｇ／ｌ、亜リン酸８０ｇ／ｌ、リン酸５
０ｇ／ｌ、硫酸２０ｇ／ｌ、ラクツロース１ｇ／ｌを用
いて液温７０℃、ｐＨ１．０、初期電流密度として２０
Ａ／ｄｍ2で２分間処理し、続けて、２Ａ／ｄｍ2で２０
分間処理し、膜厚が３．０μｍの電気ニッケル−リン合
金めっき層を形成した。次に３００℃の雰囲気中で３０
分間、熱処理をし円筒状の軸を得た。
【００１４】実施例３ 実施例１で用いた基材を同様の方法により予備処理を
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。次にその上層部に液
組成として硫酸ニッケル２００ｇ／ｌ、亜リン酸１８ｇ
／ｌを用いて液温６０℃、ｐＨ１．５、初期電流密度と
して１０Ａ／ｄｍ2で１分間処理し、続けて、６Ａ／ｄ
ｍ2で２０分間処理し、膜厚が５．０μｍの電気ニッケ
ル−リン合金めっき層を形成した。次にその上層部に日
本エレクトロプレイティング・エンジニヤーズ（株）製
カラットクラッド４２７を用いて液温３０℃、電流密度
０．８Ａ／ｄｍ2で１０分間処理し、膜厚が１．０μｍ
の金めっき層を形成した。次に２００℃の雰囲気中で６
０分間、熱処理をし円筒状の軸を得た。
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。次にその上層部に液
組成として硫酸ニッケル２００ｇ／ｌ、亜リン酸１８ｇ
／ｌを用いて液温６０℃、ｐＨ１．５、初期電流密度と
して１０Ａ／ｄｍ2で１分間処理し、続けて、６Ａ／ｄ
ｍ2で２０分間処理し、膜厚が５．０μｍの電気ニッケ
ル−リン合金めっき層を形成した。次にその上層部に日
本エレクトロプレイティング・エンジニヤーズ（株）製
カラットクラッド４２７を用いて液温３０℃、電流密度
０．８Ａ／ｄｍ2で１０分間処理し、膜厚が１．０μｍ
の金めっき層を形成した。次に２００℃の雰囲気中で６
０分間、熱処理をし円筒状の軸を得た。
【００１５】比較例１ 実施例１で用いた基材を同様の方法により予備処理を
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。次にその上層部に奥
野製薬工業（株）製ニッケリンＢを用いて液温６５℃、
ｐＨ１．５、電流密度として４Ａ／ｄｍ2で１０分間処
理し、膜厚が３．０μｍの電気ニッケル−リン合金めっ
き層を形成した。次にその上層部に日本エレクトロプレ
イティング・エンジニヤーズ（株）製ブライトロジウム
を用いて液温４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ2で２分間処
理し、膜厚が０．０３μｍのロジウムめっき層を形成し
た円筒状の軸を得た。
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。次にその上層部に奥
野製薬工業（株）製ニッケリンＢを用いて液温６５℃、
ｐＨ１．５、電流密度として４Ａ／ｄｍ2で１０分間処
理し、膜厚が３．０μｍの電気ニッケル−リン合金めっ
き層を形成した。次にその上層部に日本エレクトロプレ
イティング・エンジニヤーズ（株）製ブライトロジウム
を用いて液温４０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ2で２分間処
理し、膜厚が０．０３μｍのロジウムめっき層を形成し
た円筒状の軸を得た。
【００１６】比較例２ 実施例１で用いた基材を同様の方法により予備処理を
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。次にその上層部に液
組成として硫酸ニッケル２００ｇ／ｌ、亜リン酸１８ｇ
／ｌを用いて液温６０℃、ｐＨ１．５、電流密度として
４Ａ／ｄｍ2で１０分間処理し、膜厚が３．０μｍのニ
ッケル−リン合金めっき層を形成した。次にその上層部
に日本エレクトロプレイティング・エンジニヤーズ
（株）製カラットクラッド４２７を用いて液温３０℃、
電流密度０．８Ａ／ｄｍ2で１０分間処理し、膜厚が
１．０μｍの金めっき層を形成した。次に、１００℃の
雰囲気中で３０分間熱処理をし円筒状の軸を得た。
し、公知の方法により脱脂、酸活性した。この基材上に
ワット浴からなる光沢ニッケルめっきを５μｍ処理し、
電気ニッケルめっき層を形成した。次にその上層部に液
組成として硫酸ニッケル２００ｇ／ｌ、亜リン酸１８ｇ
／ｌを用いて液温６０℃、ｐＨ１．５、電流密度として
４Ａ／ｄｍ2で１０分間処理し、膜厚が３．０μｍのニ
ッケル−リン合金めっき層を形成した。次にその上層部
に日本エレクトロプレイティング・エンジニヤーズ
（株）製カラットクラッド４２７を用いて液温３０℃、
電流密度０．８Ａ／ｄｍ2で１０分間処理し、膜厚が
１．０μｍの金めっき層を形成した。次に、１００℃の
雰囲気中で３０分間熱処理をし円筒状の軸を得た。
【００１７】以上の実施例１〜３、比較例１、２により
得られた円筒状の軸について、密着性、耐食性の評価結
果を表１に示す。尚、密着性は折り曲げ試験（ＪＩＳ
Ｋ５４００）にて、耐食性は塩水噴霧試験（ＪＩＳ Ｚ
２３７１）で腐食が発生するまでの時間で評価を行っ
た。
得られた円筒状の軸について、密着性、耐食性の評価結
果を表１に示す。尚、密着性は折り曲げ試験（ＪＩＳ
Ｋ５４００）にて、耐食性は塩水噴霧試験（ＪＩＳ Ｚ
２３７１）で腐食が発生するまでの時間で評価を行っ
た。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】上記表でも明らかなように、本発明によ
る製造方法によって得られたニッケル−リン合金めっき
は密着性、耐食性に優れているものである。
る製造方法によって得られたニッケル−リン合金めっき
は密着性、耐食性に優れているものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 基材上に、少なくとも電気ニッケルめっ
き層を施す工程と、その上層部にニッケル−リン合金め
っき層を施す工程と、１５０℃以上の熱雰囲気中で熱処
理する工程とよりなるニッケル−リン合金めっきの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20706293A JPH0741985A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | ニッケル−リン合金めっきの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20706293A JPH0741985A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | ニッケル−リン合金めっきの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0741985A true JPH0741985A (ja) | 1995-02-10 |
Family
ID=16533579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20706293A Pending JPH0741985A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | ニッケル−リン合金めっきの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741985A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1762640A2 (en) | 2005-09-07 | 2007-03-14 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Metal duplex and method |
| JP2008038990A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Jtekt Corp | リング状バネ部品、トルクリミッタ、ステアリング装置 |
| KR20200130787A (ko) * | 2018-03-15 | 2020-11-20 | 니혼 엘렉트로플레이팅 엔지니어스 가부시키가이샤 | 전해 로듐 도금액 |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP20706293A patent/JPH0741985A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1762640A2 (en) | 2005-09-07 | 2007-03-14 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Metal duplex and method |
| JP2007070731A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属デュプレックスおよび方法 |
| EP1762641A3 (en) * | 2005-09-07 | 2008-05-07 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Metal duplex and method |
| EP1762640A3 (en) * | 2005-09-07 | 2008-05-21 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Metal duplex and method |
| US7615255B2 (en) | 2005-09-07 | 2009-11-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Metal duplex method |
| JP2008038990A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Jtekt Corp | リング状バネ部品、トルクリミッタ、ステアリング装置 |
| KR20200130787A (ko) * | 2018-03-15 | 2020-11-20 | 니혼 엘렉트로플레이팅 엔지니어스 가부시키가이샤 | 전해 로듐 도금액 |
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