JPH08120466A - 貴金属めっき材およびその製造方法 - Google Patents
貴金属めっき材およびその製造方法Info
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- JPH08120466A JPH08120466A JP6253623A JP25362394A JPH08120466A JP H08120466 A JPH08120466 A JP H08120466A JP 6253623 A JP6253623 A JP 6253623A JP 25362394 A JP25362394 A JP 25362394A JP H08120466 A JPH08120466 A JP H08120466A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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-
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 Ｃｕ製基材にＳｎめっきし、更に電解処理に
よってＳｎめっき層の大部分を除去してＣｕ−Ｓｎ化合
物層を露出させ、次いで貴金属めっきして製造する貴金
属めっき材。 【効果】 Ｎｉ下地めっきを施した従来品の代替品とな
りえる貴金属めっき材を提供する。
よってＳｎめっき層の大部分を除去してＣｕ−Ｓｎ化合
物層を露出させ、次いで貴金属めっきして製造する貴金
属めっき材。 【効果】 Ｎｉ下地めっきを施した従来品の代替品とな
りえる貴金属めっき材を提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は貴金属がめっきされた装
飾品、電気接点材料等の貴金属めっき材に関し、特にＮ
ｉ下地めっき層を要しない貴金属めっき材に関する。
飾品、電気接点材料等の貴金属めっき材に関し、特にＮ
ｉ下地めっき層を要しない貴金属めっき材に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ等の貴金属
は、その美観や耐蝕性から装飾品等のめっき材として広
く用いられ、また高い電気接続性も得られることから、
電気接点材料用のめっき材にも多用されている。しかし
これら貴金属は高価であるから、従来からＮｉ等の下地
めっきを併用することで、低コスト化を図っている。つ
まり貴金属のめっき厚を薄くするための手段としてＮｉ
等の下地めっきを施すのである。単純に貴金属のめっき
層の厚さを薄くすると、そのめっき層にピンホールが多
くなる問題があるからである。ピンホールが多くなると
耐蝕性等が劣化する。そこで比較的耐蝕性がよく、基材
や貴金属との密着性の優れるＮｉを下地めっきすること
で、基材の露出を防ぎ、また電気接点材料等の場合、必
要な部分だけに貴金属を部分めっきする等により、貴金
属の使用量を節約することが図られている。Ｎｉ等の下
地めっきの目的は、上述のように低コスト化が主眼であ
るが、その他、表面硬度を高めて耐摩耗性を向上させる
目的もある。
は、その美観や耐蝕性から装飾品等のめっき材として広
く用いられ、また高い電気接続性も得られることから、
電気接点材料用のめっき材にも多用されている。しかし
これら貴金属は高価であるから、従来からＮｉ等の下地
めっきを併用することで、低コスト化を図っている。つ
まり貴金属のめっき厚を薄くするための手段としてＮｉ
等の下地めっきを施すのである。単純に貴金属のめっき
層の厚さを薄くすると、そのめっき層にピンホールが多
くなる問題があるからである。ピンホールが多くなると
耐蝕性等が劣化する。そこで比較的耐蝕性がよく、基材
や貴金属との密着性の優れるＮｉを下地めっきすること
で、基材の露出を防ぎ、また電気接点材料等の場合、必
要な部分だけに貴金属を部分めっきする等により、貴金
属の使用量を節約することが図られている。Ｎｉ等の下
地めっきの目的は、上述のように低コスト化が主眼であ
るが、その他、表面硬度を高めて耐摩耗性を向上させる
目的もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】貴金属は高価であるの
で、低コスト化を主眼として、耐蝕性等の特性を犠牲に
することなく、貴金属めっき層の一層の薄肉化が求めら
れ、そのためＮｉ等の下地めっき処理の方法、具体的に
は前処理方法、めっき条件、めっき厚等の検討が進めら
れている。ところで近年は、Ｎｉによる皮膚アレルギー
の問題が提起され、貴金属めっき層の厚さを薄くするこ
とが難しくなっている。そこでＮｉに替わる下地層の開
発が求められていた。
で、低コスト化を主眼として、耐蝕性等の特性を犠牲に
することなく、貴金属めっき層の一層の薄肉化が求めら
れ、そのためＮｉ等の下地めっき処理の方法、具体的に
は前処理方法、めっき条件、めっき厚等の検討が進めら
れている。ところで近年は、Ｎｉによる皮膚アレルギー
の問題が提起され、貴金属めっき層の厚さを薄くするこ
とが難しくなっている。そこでＮｉに替わる下地層の開
発が求められていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる状況に鑑
みてなされたもので、その目的はＮｉに替わる下地層を
用いた貴金属めっき材およびその製造方法を提供するこ
とにある。即ち、本願請求項１記載の発明は、表面がＣ
ｕまたはＣｕ合金である基材と、該基材に被覆して形成
され、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｉｎの内の一種または２種以上とＣ
ｕとからなる化合物層と、該化合物層の表面に被覆して
形成された貴金属層とからなることを特徴とする貴金属
めっき材である。また本願請求項２記載の発明は、表面
がＣｕまたはＣｕ合金である基材にＳｎ、Ｓｂ、Ｉｎの
内の一種または２種以上からなる第１めっき層を形成す
る工程、前記第１めっき層の表面を除去して前記基材と
前記めっき層との界面に形成された化合物層を露出させ
る工程、前記化合物層上に貴金属を主成分とする第２め
っき層を形成する工程、を順次施すことを特徴とする請
求項１記載の貴金属めっき材の製造方法である。
みてなされたもので、その目的はＮｉに替わる下地層を
用いた貴金属めっき材およびその製造方法を提供するこ
とにある。即ち、本願請求項１記載の発明は、表面がＣ
ｕまたはＣｕ合金である基材と、該基材に被覆して形成
され、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｉｎの内の一種または２種以上とＣ
ｕとからなる化合物層と、該化合物層の表面に被覆して
形成された貴金属層とからなることを特徴とする貴金属
めっき材である。また本願請求項２記載の発明は、表面
がＣｕまたはＣｕ合金である基材にＳｎ、Ｓｂ、Ｉｎの
内の一種または２種以上からなる第１めっき層を形成す
る工程、前記第１めっき層の表面を除去して前記基材と
前記めっき層との界面に形成された化合物層を露出させ
る工程、前記化合物層上に貴金属を主成分とする第２め
っき層を形成する工程、を順次施すことを特徴とする請
求項１記載の貴金属めっき材の製造方法である。
【０００５】
【作用】本発明の貴金属めっき材は、従来のＮｉ下地め
っき層に替わり、Ｓｎ、ＳｂまたはＩｎと、Ｃｕとから
なる化合物層を基材と貴金属めっき層との間に介在させ
たものである。具体的にはＣｕ6 Ｓｎ5 やＣｕ3 Ｓｎ等
のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物、Ｃｕ3 Ｓｂ等のＣｕ−Ｓｂ
金属間化合物、Ｃｕ9 Ｉｎ4 等のＣｕ−Ｉｎ金属間化合
物等を介在させる。これら金属間化合物は化学的に安定
であり、ＣｕまたはＣｕ合金製の基材の耐蝕性の向上に
寄与する。また、勿論使用状況にも依存するが、表面硬
度を高めて耐摩耗性の向上も期待できる。
っき層に替わり、Ｓｎ、ＳｂまたはＩｎと、Ｃｕとから
なる化合物層を基材と貴金属めっき層との間に介在させ
たものである。具体的にはＣｕ6 Ｓｎ5 やＣｕ3 Ｓｎ等
のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物、Ｃｕ3 Ｓｂ等のＣｕ−Ｓｂ
金属間化合物、Ｃｕ9 Ｉｎ4 等のＣｕ−Ｉｎ金属間化合
物等を介在させる。これら金属間化合物は化学的に安定
であり、ＣｕまたはＣｕ合金製の基材の耐蝕性の向上に
寄与する。また、勿論使用状況にも依存するが、表面硬
度を高めて耐摩耗性の向上も期待できる。
【０００６】本発明の貴金属めっき材は、Ｓｎ、Ｓｂま
たはＩｎと、Ｃｕとからなる化合物層を基材と貴金属め
っき層との間に介在させることで、貴金属めっき層を薄
肉化しても耐蝕性の維持が可能である。従って耐食性の
観点では本発明品も従来品同様、十分に貴金属めっき層
を薄くすることが可能であり、低コスト化を図ることが
できる。
たはＩｎと、Ｃｕとからなる化合物層を基材と貴金属め
っき層との間に介在させることで、貴金属めっき層を薄
肉化しても耐蝕性の維持が可能である。従って耐食性の
観点では本発明品も従来品同様、十分に貴金属めっき層
を薄くすることが可能であり、低コスト化を図ることが
できる。
【０００７】本発明の貴金属めっき材の製造方法に関
し、Ｓｎ、ＳｂまたはＩｎと、Ｃｕとからなる化合物層
の形成させる方法としては、表面がＣｕまたはＣｕ合金
である基材にＳｎ、Ｓｂ、Ｉｎの内の一種または２種以
上からなる第１めっき層を形成して、前記基材と第１め
っき層との界面に上記化合物層を形成させる方法が簡便
である。そして、第１めっき層の大部分を除去して、前
記化合物層を露出させればよい。なお上記基材として
は、特に限定はないが、具体的には純銅、黄銅、りん青
銅、キュプロニッケル、洋白等が挙げられる。なお基材
はＣｕまたはＣｕ合金製の基材でも、他の金属（例えば
Ａｌ）の上にこれらのＣｕまたはＣｕ合金が被覆された
ものでもよい。更に上記化合物層が形成されやすくなる
ように、必要に応じて基材の上に純銅層を形成させても
よい。
し、Ｓｎ、ＳｂまたはＩｎと、Ｃｕとからなる化合物層
の形成させる方法としては、表面がＣｕまたはＣｕ合金
である基材にＳｎ、Ｓｂ、Ｉｎの内の一種または２種以
上からなる第１めっき層を形成して、前記基材と第１め
っき層との界面に上記化合物層を形成させる方法が簡便
である。そして、第１めっき層の大部分を除去して、前
記化合物層を露出させればよい。なお上記基材として
は、特に限定はないが、具体的には純銅、黄銅、りん青
銅、キュプロニッケル、洋白等が挙げられる。なお基材
はＣｕまたはＣｕ合金製の基材でも、他の金属（例えば
Ａｌ）の上にこれらのＣｕまたはＣｕ合金が被覆された
ものでもよい。更に上記化合物層が形成されやすくなる
ように、必要に応じて基材の上に純銅層を形成させても
よい。
【０００８】上記第１めっき層を形成させる方法は従来
のめっき法に従えばよく、例えば電気めっき法や溶融め
っき法が簡便であるが、その他蒸着法等を用いることも
可能である。この第１めっき層の厚さは、あまり薄いと
基材を十分に覆うように形成させることが難しくなり、
一方厚すぎても、その除去工程が高コスト化するので、
概ね通常のめっき材の場合と同様の厚さでめっきするこ
とが望ましい。具体的には０．１〜１．０μｍ程度が適
当である。また第１めっき層を形成後、必要に応じて加
熱処理を施して、基材と第１めっき層との反応を促進さ
せることも有効である。
のめっき法に従えばよく、例えば電気めっき法や溶融め
っき法が簡便であるが、その他蒸着法等を用いることも
可能である。この第１めっき層の厚さは、あまり薄いと
基材を十分に覆うように形成させることが難しくなり、
一方厚すぎても、その除去工程が高コスト化するので、
概ね通常のめっき材の場合と同様の厚さでめっきするこ
とが望ましい。具体的には０．１〜１．０μｍ程度が適
当である。また第１めっき層を形成後、必要に応じて加
熱処理を施して、基材と第１めっき層との反応を促進さ
せることも有効である。
【０００９】また第１めっき層の大部分を除去する方法
としては、電解法、化学溶解法、放電加工、プラズマ
法、機械研磨法、等が用いられる。そして第１めっき層
の大部分が除去された後は、化合物層が露出する。この
化合物層があまり薄いと基材を十分に覆っていない場合
があるので、第１めっき層を形成後、加熱処理を加える
等して、その厚さが０．３μｍ以上になるようにするこ
とが望ましい。また厚さの上限は特に規定しないが、化
合物は脆いので、その厚さを０．６μｍ以下にしておく
ことが望ましい。
としては、電解法、化学溶解法、放電加工、プラズマ
法、機械研磨法、等が用いられる。そして第１めっき層
の大部分が除去された後は、化合物層が露出する。この
化合物層があまり薄いと基材を十分に覆っていない場合
があるので、第１めっき層を形成後、加熱処理を加える
等して、その厚さが０．３μｍ以上になるようにするこ
とが望ましい。また厚さの上限は特に規定しないが、化
合物は脆いので、その厚さを０．６μｍ以下にしておく
ことが望ましい。
【００１０】以上のようにして化合物層を露出させた
後、第２めっき層であるＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ等の貴金属め
っき層を常法により形成すればよい。貴金属は純金属の
めっきでもよいが、硬度を高める等の目的で、必要に応
じてＡｕ−Ｃｏ、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｆｅ、Ａｕ−Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｓｂ、Ａｇ−Ｓｅ、Ａｇ−Ｓ
ｎ、Ｐｄ−Ｎｉ等の合金めっきを採用してもよい。
後、第２めっき層であるＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ等の貴金属め
っき層を常法により形成すればよい。貴金属は純金属の
めっきでもよいが、硬度を高める等の目的で、必要に応
じてＡｕ−Ｃｏ、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｆｅ、Ａｕ−Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｓｂ、Ａｇ−Ｓｅ、Ａｇ−Ｓ
ｎ、Ｐｄ−Ｎｉ等の合金めっきを採用してもよい。
【００１１】ところで従来の貴金属めっき材であって
も、例えばＣｕ基材の上にＳｎ下地めっきを施し、更に
Ａｕ等をめっきすれば、基材と貴金属めっき層との間に
化合物層が存在していることは本発明と同様である。し
かしこの場合、Ｓｎ−Ｃｕ化合物層とＡｕめっき層との
間にＳｎ単体の層が存在しており、このためＡｕとＳｎ
が相互拡散してＡｕめっき層が劣化する問題がある。こ
うなると、Ａｕめっき層の美観が損なわれ、また電気接
点材の用途の場合、その接触抵抗が高くなってしまう問
題が発生する。従って上述のように化合物層を露出させ
てから第２めっき層を形成することが望ましい。
も、例えばＣｕ基材の上にＳｎ下地めっきを施し、更に
Ａｕ等をめっきすれば、基材と貴金属めっき層との間に
化合物層が存在していることは本発明と同様である。し
かしこの場合、Ｓｎ−Ｃｕ化合物層とＡｕめっき層との
間にＳｎ単体の層が存在しており、このためＡｕとＳｎ
が相互拡散してＡｕめっき層が劣化する問題がある。こ
うなると、Ａｕめっき層の美観が損なわれ、また電気接
点材の用途の場合、その接触抵抗が高くなってしまう問
題が発生する。従って上述のように化合物層を露出させ
てから第２めっき層を形成することが望ましい。
【００１２】
本発明例 表１に示す材質の厚さ０．３ｍｍ、幅１００ｍｍの条を
基材とした。本発明例Ｎｏ４、５は基材の上に純銅を下
記の条件で電気めっきしてある。 めっき液：ＣｕＳＯ4 （２００ｇ／ｌ）＋Ｈ2 ＳＯ
4（５０ｇ／ｌ） 浴温度 ：３０℃ 電流密度：５Ａ／ｄｍ2
基材とした。本発明例Ｎｏ４、５は基材の上に純銅を下
記の条件で電気めっきしてある。 めっき液：ＣｕＳＯ4 （２００ｇ／ｌ）＋Ｈ2 ＳＯ
4（５０ｇ／ｌ） 浴温度 ：３０℃ 電流密度：５Ａ／ｄｍ2
【００１３】これらの基材に常法の電解脱脂、水洗、酸
洗、水洗を順次連続的に施した後、第１めっき層とし
て、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂのめっき層を常法の電気めっき法
により形成した。Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂの電気めっき条件は
下記の通りである。 （ａ）Ｓｎめっきの場合 めっき液：ＳｎＳＯ4 （４０ｇ／ｌ）＋Ｈ2 ＳＯ4 （６
０ｇ／ｌ）＋クレゾールスルフォン酸（４０ｇ／ｌ）＋
セラチン（２ｇ／ｌ） 浴温度 ：２０℃ 電流密度：２Ａ／ｄｍ2 （ｂ）Ｉｎめっきの場合 めっき液：ＩｎＳＯ4 （４０ｇ／ｌ）＋Ｎａ2 ＳＯ
4（５ｇ／ｌ） 浴温度 ：３０℃ 電流密度：３Ａ／ｄｍ2 （ｃ）Ｓｂめっきの場合 めっき液：酒石酸アンチモニルカリ （１００ｇ／ｌ）
＋酒石酸カリウムナトリウム（５０ｇ／ｌ）＋ＫＯＨ
（１０ｇ／ｌ） 浴温度 ：３０℃ 電流密度：１Ａ／ｄｍ2
洗、水洗を順次連続的に施した後、第１めっき層とし
て、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂのめっき層を常法の電気めっき法
により形成した。Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂの電気めっき条件は
下記の通りである。 （ａ）Ｓｎめっきの場合 めっき液：ＳｎＳＯ4 （４０ｇ／ｌ）＋Ｈ2 ＳＯ4 （６
０ｇ／ｌ）＋クレゾールスルフォン酸（４０ｇ／ｌ）＋
セラチン（２ｇ／ｌ） 浴温度 ：２０℃ 電流密度：２Ａ／ｄｍ2 （ｂ）Ｉｎめっきの場合 めっき液：ＩｎＳＯ4 （４０ｇ／ｌ）＋Ｎａ2 ＳＯ
4（５ｇ／ｌ） 浴温度 ：３０℃ 電流密度：３Ａ／ｄｍ2 （ｃ）Ｓｂめっきの場合 めっき液：酒石酸アンチモニルカリ （１００ｇ／ｌ）
＋酒石酸カリウムナトリウム（５０ｇ／ｌ）＋ＫＯＨ
（１０ｇ／ｌ） 浴温度 ：３０℃ 電流密度：１Ａ／ｄｍ2
【００１４】次いで第１めっき層の大部分を下記の条件
による電解法により除去した。なお本発明例Ｎｏ５、６
については、温度１８０℃×０．５時間の加熱処理を施
した後、Ｓｎめっき層の大部分を除去した。電解法の条
件は以下の通りである。 電解液：塩酸１５０ｍｌ／水８５０ｍｌ 電極： Ａｇ−ＡｇＣｌ電極 電圧：マイナス０．３Ｖ（電流密度は約２Ａ／ｄｍ2）
による電解法により除去した。なお本発明例Ｎｏ５、６
については、温度１８０℃×０．５時間の加熱処理を施
した後、Ｓｎめっき層の大部分を除去した。電解法の条
件は以下の通りである。 電解液：塩酸１５０ｍｌ／水８５０ｍｌ 電極： Ａｇ−ＡｇＣｌ電極 電圧：マイナス０．３Ｖ（電流密度は約２Ａ／ｄｍ2）
【００１５】こうして基材（本発明例Ｎｏ４、５にあっ
ては純銅めっき層）と第１めっき層との反応による化合
物層を残し、大部分の未反応のＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ部分を
除去した。形成した第１めっき層の併記平均厚さと、残
存した化合物層の平均の厚さを表１に併記する。
ては純銅めっき層）と第１めっき層との反応による化合
物層を残し、大部分の未反応のＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ部分を
除去した。形成した第１めっき層の併記平均厚さと、残
存した化合物層の平均の厚さを表１に併記する。
【００１６】次に第２めっき層として、表１に示す貴金
属層を常法の電気めっき法により形成した。電気めっき
条件は下記の通りである。 （ａ）Ａｕめっきの場合 めっき液：シアン化Ａｕカリウム（１２ｇ／ｌ）＋シア
ン化カリウム（３０ｇ／ｌ）＋炭酸カリウム（３０ｇ／
ｌ） 浴温度 ：６０℃ 電流密度：０．５Ａ／ｄｍ2 （ｂ）Ｐｄめっきの場合 めっき液：ジアミノ亜硝酸パラジウム（４ｇ／ｌ）＋硝
酸アンモニウム（１００ｇ／ｌ）＋亜硝酸ナトリウム
（１０ｇ／ｌ） 浴温度 ：５０℃ 電流密度：２Ａ／ｄｍ2 （ｃ）Ａｇめっきの場合 めっき液：シアン化銀（３６ｇ／ｌ）＋シアン化カリウ
ム（６０ｇ／ｌ）＋炭酸カリウム（１５ｇ／ｌ） 浴温度 ：３０℃ 電流密度：２Ａ／ｄｍ2
属層を常法の電気めっき法により形成した。電気めっき
条件は下記の通りである。 （ａ）Ａｕめっきの場合 めっき液：シアン化Ａｕカリウム（１２ｇ／ｌ）＋シア
ン化カリウム（３０ｇ／ｌ）＋炭酸カリウム（３０ｇ／
ｌ） 浴温度 ：６０℃ 電流密度：０．５Ａ／ｄｍ2 （ｂ）Ｐｄめっきの場合 めっき液：ジアミノ亜硝酸パラジウム（４ｇ／ｌ）＋硝
酸アンモニウム（１００ｇ／ｌ）＋亜硝酸ナトリウム
（１０ｇ／ｌ） 浴温度 ：５０℃ 電流密度：２Ａ／ｄｍ2 （ｃ）Ａｇめっきの場合 めっき液：シアン化銀（３６ｇ／ｌ）＋シアン化カリウ
ム（６０ｇ／ｌ）＋炭酸カリウム（１５ｇ／ｌ） 浴温度 ：３０℃ 電流密度：２Ａ／ｄｍ2
【００１７】以上のようにして得られた本発明の貴金属
めっき材の表面は目視観察の結果、従来の貴金属めっき
品（後述する従来例Ｎｏ１１〜１７）と比べ遜色なく、
装飾品としても十分な表面状態が得られたことを確認し
た。次に本発明の貴金属めっき材からサンプルを採取
し、そのままの状態で動摩擦係数を測定した。動摩擦係
数の測定は、表面に被測定物と同種の貴金属をめっきし
た純Ｃｕ棒の頭部（径５ｍｍ）を、接触力９８ｍＮ、摺
動速度１００ｍｍ／ｍｉｎで１０ｍｍの距離を１００回
往復摺動させることで行った。測定箇所はサンプル１個
につき１箇所、ｎ＝１０である。各サンプルが記録した
最大の動摩擦係数の平均値を表２に示す。
めっき材の表面は目視観察の結果、従来の貴金属めっき
品（後述する従来例Ｎｏ１１〜１７）と比べ遜色なく、
装飾品としても十分な表面状態が得られたことを確認し
た。次に本発明の貴金属めっき材からサンプルを採取
し、そのままの状態で動摩擦係数を測定した。動摩擦係
数の測定は、表面に被測定物と同種の貴金属をめっきし
た純Ｃｕ棒の頭部（径５ｍｍ）を、接触力９８ｍＮ、摺
動速度１００ｍｍ／ｍｉｎで１０ｍｍの距離を１００回
往復摺動させることで行った。測定箇所はサンプル１個
につき１箇所、ｎ＝１０である。各サンプルが記録した
最大の動摩擦係数の平均値を表２に示す。
【００１８】また本発明の貴金属めっき材からサンプル
を採取し、そのままの状態と、暴露試験（温度６０℃、
湿度９５％の大気雰囲気中に表２に示す時間暴露）した
後の状態で接触抵抗を測定した。接触抵抗は先端曲率半
径５ｍｍのＡｇプローブを用い、接触力４９ｍＮ、１０
ｍＡの電流値で測定した。測定箇所はサンプル１個につ
き１箇所、ｎ＝１０である。表２に接触抵抗の平均値を
併記する。
を採取し、そのままの状態と、暴露試験（温度６０℃、
湿度９５％の大気雰囲気中に表２に示す時間暴露）した
後の状態で接触抵抗を測定した。接触抵抗は先端曲率半
径５ｍｍのＡｇプローブを用い、接触力４９ｍＮ、１０
ｍＡの電流値で測定した。測定箇所はサンプル１個につ
き１箇所、ｎ＝１０である。表２に接触抵抗の平均値を
併記する。
【００１９】従来例 基板上に直接或いはＮｉ下地を介して貴金属めっきを施
した以外は本発明例と同様である。基材の材質、Ｎｉ下
地めっきのめっき厚、貴金属めっきの材質、厚さ等を表
１に併記する。また動摩擦係数、接触抵抗も実施例を同
様に測定し、その結果を表２に併記する。
した以外は本発明例と同様である。基材の材質、Ｎｉ下
地めっきのめっき厚、貴金属めっきの材質、厚さ等を表
１に併記する。また動摩擦係数、接触抵抗も実施例を同
様に測定し、その結果を表２に併記する。
【００２０】
【表１】 （注）加熱処理：１８０℃×０．５ｈｒ（窒素雰囲気）
【００２１】
【表２】
【００２２】表１、２から明らかなように、Ｎｉ下地め
っきを施さない従来例Ｎｏ１６、１７は動摩擦係数の最
大値、暴露試験前の接触抵抗共、Ｎｉ下地めっきが施さ
れた従来例Ｎｏ１１〜１５と同等である。しかし暴露試
験後においては、Ｎｉ下地めっきのない従来例Ｎｏ１
６、１７は接触抵抗の上昇が著しい。本発明例Ｎｏ１〜
１０は、従来例のＮｉ下地めっきに換え、化合物層を形
成させたものであるが、表２から明らかなように特性的
にはＮｉ下地めっきした従来例と同等である。
っきを施さない従来例Ｎｏ１６、１７は動摩擦係数の最
大値、暴露試験前の接触抵抗共、Ｎｉ下地めっきが施さ
れた従来例Ｎｏ１１〜１５と同等である。しかし暴露試
験後においては、Ｎｉ下地めっきのない従来例Ｎｏ１
６、１７は接触抵抗の上昇が著しい。本発明例Ｎｏ１〜
１０は、従来例のＮｉ下地めっきに換え、化合物層を形
成させたものであるが、表２から明らかなように特性的
にはＮｉ下地めっきした従来例と同等である。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明の貴金属めっき材
は、Ｎｉ下地めっき上に貴金属めっきを施した従来の貴
金属めっき材と同等の性能を奏し、従来品の代替品とな
りえるものである。このように本発明は産業上優れた貢
献をなすものである。
は、Ｎｉ下地めっき上に貴金属めっきを施した従来の貴
金属めっき材と同等の性能を奏し、従来品の代替品とな
りえるものである。このように本発明は産業上優れた貢
献をなすものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２５Ｄ 3/48 3/54
Claims (2)
- 【請求項１】 表面がＣｕまたはＣｕ合金である基材
と、該基材に被覆して形成され、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｉｎの内
の一種または２種以上とＣｕとからなる化合物層と、該
化合物層の表面に被覆して形成された貴金属層とからな
ることを特徴とする貴金属めっき材。 - 【請求項２】 表面がＣｕまたはＣｕ合金である基材に
Ｓｎ、Ｓｂ、Ｉｎの内の一種または２種以上からなる第
１めっき層を形成する工程、前記第１めっき層の表面を
除去して前記基材と前記めっき層との界面に形成された
化合物層を露出させる工程、前記化合物層上に貴金属を
主成分とする第２めっき層を形成する工程、を順次施す
ことを特徴とする請求項１記載の貴金属めっき材の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6253623A JPH08120466A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 貴金属めっき材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6253623A JPH08120466A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 貴金属めっき材およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08120466A true JPH08120466A (ja) | 1996-05-14 |
Family
ID=17253933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6253623A Pending JPH08120466A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 貴金属めっき材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08120466A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006505691A (ja) * | 2002-11-07 | 2006-02-16 | オウトクンプ オサケイティオ ユルキネン | 陰極支持体バーに良好な接触面を形成する方法および支持体バー |
| JP2014506377A (ja) * | 2010-12-16 | 2014-03-13 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 高融点中間層及びｖｐｓ焦点軌道を伴うアノード・ディスク素子 |
| JP2015101751A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 日本高純度化学株式会社 | 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 |
-
1994
- 1994-10-19 JP JP6253623A patent/JPH08120466A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006505691A (ja) * | 2002-11-07 | 2006-02-16 | オウトクンプ オサケイティオ ユルキネン | 陰極支持体バーに良好な接触面を形成する方法および支持体バー |
| JP2014506377A (ja) * | 2010-12-16 | 2014-03-13 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 高融点中間層及びｖｐｓ焦点軌道を伴うアノード・ディスク素子 |
| JP2015101751A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 日本高純度化学株式会社 | 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 |
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