JP2015101751A - 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 - Google Patents

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Abstract

【課題】機械特性、耐摩耗性、電気特性等を良好に維持しつつ、金めっき皮膜の外観不良が発生することなく析出効率を従来の金めっき液よりも高くでき、金めっき析出時間の短縮化、金めっき液に含有する高価な金を低濃度化し生産コストを低減することが可能な電解金めっき液を提供すること。
【解決手段】金源としてのシアン化金塩、並びに、1位の窒素原子にアルキル基が結合され、2位ないし6位の1個ないし5個が、アルキル基、アリール基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、アルコキシスルホニル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基及びシアノ基からなる群より選ばれた1種又は2種以上の特定置換基で置換された特定ピリジニウム化合物を含有することを特徴とする電解金めっき液、及び、該電解金めっき液を用いてニッケル皮膜上に電解金めっきを行うことによって得られた金皮膜。
【選択図】なし

Description

本発明は、特定の組成を有する電解金めっき液、その電解金めっき液を用いて得られた金皮膜、及び、特にニッケル皮膜上の金皮膜に関するものである。
金めっきは、優れた耐食性、機械的特性、電機特性等を有するため、広く用いられている。特に、ニッケル皮膜上に施す金めっきは、金が優れた耐食性、機械的特性、電機特性等を有し、ニッケルが下地金属として優れた耐熱性等を有するため、電子電気部品等の分野で広く用いられている。更に、その中でも、コバルト、ニッケル、鉄等の金属と合金化された金めっき皮膜は、その高い硬度と優れた耐摩耗性を生かして、コネクター等の差し込み部材;スイッチ等の接点部材等のコンタクト接合部のめっき皮膜として広く使用されている。コバルト塩、ニッケル塩及び/又は鉄塩を含有する電解金めっき液を用いためっきは、硬質電解金めっきとも言われている。
近年、生産コストの低減のために、コネクター等に使用される硬質金めっきには、金の析出効率を上げて、めっき時間の短縮やめっき液中の金含有量を節約することが強く望まれているが、硬質金めっきは、金の析出効率を上げると、光沢剤等として金めっき液に含有されているコバルト、ニッケル等の析出量が金の析出量に比べて非常に少なくなり、光沢剤としての効果を充分に得ることができずに外観不良を発生するという問題があった。
この問題を解決するために、特許文献1では、ペンチルスルホネート、ペンチルスルフェネート、ヘキシルスルフェネート、ヘプチルスルホネート、ヘプチルスルフェネート、オクチルスルフェート、ノニルスルホネート、ノニルスルフェート、デシルスルフェート、ドデシルスルホネート、ドデシルスルフェート、シクロヘキシルスルホネート若しくはシクロヘキシルスルフェート、又は、これらの異性体を酸性浴に配合することにより、光沢のある金皮膜を析出させ得る範囲で、適用可能な電流密度を高い電流密度の方向へと推移させるか、又はその範囲を拡大させる技術が開示されている。
また、特許文献1中には、通例として、特許文献4に記載されている、ピリジン−3−スルホン酸や、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、3−(3−ピリジル)−アクリル酸、3−(4−イミダゾリル)−アクリル酸、3−ピリジルヒドロキシメタンスルホン酸、ピリジン、ピコリン、キノリンスルホン酸、3−アミノピリジン、2,3−ジアミノピリジン、2,3−ジー(2−ピリジル)−ピラジン、2−(ピリジル)−4−エタンスルホン酸、1−(3−スルホプロピル)−ピリジニウムベタイン、1−(3−スルホプロピル)−イソキノリニウムベタインを用いる旨の記載がある。
また、特許文献2には、脂肪族アルコールを添加すると、金めっき可能な電流密度範囲の最大値が高くなり、金めっき皮膜の析出速度が向上すると開示されている。
また、特許文献3には、アルカノールアミン、ジアルカノールアミン、トリアルカノールアミン、アミノ酸、ピリジンカルボン酸、チオカルボン酸からなる群から選ばれる1以上の化合物を添加することにより、広い電流密度において用いることが可能となり、特に高電流密度域においても良好な光沢を有する金合金めっき皮膜を得ることができる旨が開示されている。
しかしながら、これら従来技術では、更に生産量を増加するために必要な析出速度を得ようとすると外観不良が発生し、一方、金めっき液中の金含有量を減量すると生産に充分な金の析出速度が得られず、生産効率を充分に上げることができない等という問題点があった。
近年、生産コスト低減のため、特に硬質金めっき液には、金の析出効率を上げることによる電解金めっき時間の短縮、金めっき液中の金含有量の節約等が強く望まれているが、そのためには、更なる改良が必要であった。
特表2003−502513号公報 特開2004−076026号公報 特開2008−303420号公報 ドイツ特許DE2355581
本発明は、上記背景技術に鑑みてなされたものであり、その課題は、金めっき皮膜の物性については従来の電解金めっき液を用いて得られたものと同等の機械特性、耐摩耗性、電気特性等を維持しつつ、金めっき皮膜の外観不良が発生することなく析出効率を従来の金めっき液よりも高くでき、金めっき析出時間の短縮化、金めっき液に含有する高価な金を低濃度化し生産コストを大幅に低減することが可能な電解金めっき液を提供することにある。
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定のピリジニウム化合物を必須成分として含有する電解金めっき液を用いて金皮膜を形成すれば、前期問題点を解消し、上記課題を解決し、金皮膜の外観不良の発生を防止したまま金の析出効率の上昇を可能として、生産コストを大幅に低減することが可能となることを見出し、本発明の完成に至った。
すなわち、本発明は、金源としてのシアン化金塩、並びに、1位の窒素原子にアルキル基が結合され、2位ないし6位の1個ないし5個が、アルキル基、アリール基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、アルコキシスルホニル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基及びシアノ基からなる群より選ばれた1種又は2種以上の特定置換基で置換された特定ピリジニウム化合物を含有することを特徴とする電解金めっき液を提供するものである。
また、本発明は、更に、コバルト塩、ニッケル塩及び/又は鉄塩を含有する上記の電解金めっき液を提供するものである。
また、本発明は、上記の電解金めっき液を用いて、ニッケル皮膜上に電解金めっきを行うことによって得られたものであることを特徴とする金皮膜を提供するものである。
本発明の電解金めっき液によれば、従来からの電解金めっき液を用いて得られる金皮膜の、優れた耐摩耗性等の機械特性、耐食性、電気特性等を維持したまま、金めっき液中の金含有量が同じであれば、従来のものよりも非常に速い析出速度が得られ、析出効率を高くでき、金めっき時間を短くでき生産性の大幅な向上が実現できる。
更に、その析出速度が速いという特性を利用すれば、逆に従来と同等の生産性を維持したままで、電解金めっき液中において高価な金の含有量を減量することが可能となり、大幅なコストダウンを実現することができる。
また、電解金めっき液中の金の含有量を同一にして従来品と比べた場合であっても、従来の電解金めっき液と比較して、電流密度を上げても「ヤケ」等の外観不良が起こり難く、すなわち、金皮膜表面に、「目視での外観」で判定できる「金の析出異常」が認められ難い電解金めっき液が実現でき、その点からも、金の析出速度を上げて電解金めっきを行なうことが可能で、金めっき時間を著しく短くでき、その結果、生産性の大幅な向上が実現できる。
以下、本発明について説明するが、本発明は以下の実施の具体的形態に限定されるものではなく、技術的思想の範囲で任意に変形して実施することができる。
<特定ピリジニウム化合物>
本発明の電解金めっき液は、少なくとも、シアン化金塩を金源として含有し、更に、以下に示す「特定ピリジニウム化合物」を含有することが必須である。
「特定ピリジニウム化合物」とは、1位の窒素原子にアルキル基が結合され、2位ないし6位の1個ないし5個が、アルキル基、アリール基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、アルコキシスルホニル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基及びシアノ基からなる群より選ばれた1種又は2種以上の特定置換基で置換されたピリジニウム化合物をいう。
「特定ピリジニウム化合物」においては、窒素原子にアルキル基(−R)が結合されていることによって、該窒素原子はプラス電荷を有し、ピリジニウム化合物となっている。本発明においては、「窒素原子に結合してピリジニウム化合物となる結合原子」から水素原子は除かれる。窒素原子に結合している結合原子が水素原子の場合には、前記した本発明の効果が得られ難い。
窒素原子に結合したアルキル基(−R)は、直鎖アルキル基又は分岐アルキル基の何れでもよく、炭素数も特に限定はないが、前記した本発明の効果を発揮し易く、良好なめっき性能、入手の容易さ等の点から、炭素数1〜5個のアルキル基が好ましく、炭素数1〜4個のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜3個が特に好ましく、炭素数1個又は2個が更に好ましい。
また、窒素原子に結合している基がアルキル基(−R)ではなく、水素原子である場合には、前記した本発明の効果が発揮されず、特に、高電流密度でめっき処理した場合に外観不良を発生する場合がある。
本発明における「特定ピリジニウム化合物」は、電解金めっき液中で上記化学構造を有していることが必須であり、電解金めっき液中で上記化学構造を有するものに変化したものでもよく、電解金めっき液の調液の際に添加する物質の化学構造については特に限定はない。ただ、上記化学構造を有しているものを添加する(用いて調液する)ことが好ましい。
本発明の電解金めっき液中に含有される「特定ピリジニウム化合物」の陰イオンについては特に限定はないが、具体的には、例えば、硫酸イオン、硝酸イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオンが挙げられる。陰イオンの交換(塩交換)が、電解金めっき液中で起こってもよく、電解液の組成としてのものが本発明に含まれる。
陰イオンの交換(塩交換)が起こったとしても、上記陰イオンを有しているものを添加する(用いて調液する)ことが好ましい。
本発明における「特定ピリジニウム化合物」は、2位ないし6位の1個ないし5個が、アルキル基、アリール基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、アルコキシスルホニル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基及びシアノ基からなる群より選ばれた1種又は2種以上の置換基で置換されているものであることが必須である。本発明においては、かかる置換基を「特定置換基」という。
すなわち、本発明における「特定ピリジニウム化合物」は、6員環であるピリジン環(ピリジニウム環)において、窒素原子は1位であるので、窒素原子以外の環を構成する炭素原子5個に結合した5個の水素のうち、1個ないし5個が、異なっていてもよい上記の特定置換基で置換されているものである。
特定置換基としてのアルキル基は、直鎖アルキル基又は分岐アルキル基の何れでもよく、置換基を有していてもよく、炭素数も特に限定はないが、本発明の前記効果をより発揮するために、炭素数1〜6個のアルキル基が好ましく、炭素数1〜5個のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜4個のアルキル基、すなわち、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基が特に好ましい。
炭素数の多過ぎるアルキル基が結合していると、金析出速度の低下や、金外観不良を発生する場合がある。
特定置換基としてのアリール基は、アルキル基等の置換基を有していてもよく、特に限定はないが、具体的には、例えば、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基等が挙げられる。
特定置換基としてのカルボキシ基は、「−COOH」で表される基であり、「アルコキシカルボニル基」は、「−COOR11」で表される基であり、カルボン酸エステルの残基である。上記式中で、R11は、アルキル基又はアリール基を示し、好ましいものは、前記特定置換基としてのアルキル基やアリール基と同様であり、特に好ましくはメチル基である。
特定置換基としてのスルホ基は、「−SOH」で表される基であり、スルホン酸基とも言われる。
特定置換基としてのアルコキシスルホニル基は、以下の一般式(a)で表される基であり、スルホン酸エステル残基である。
Figure 2015101751
[一般式(a)中、R12は、アルキル基又はアリール基を示す。]
一般式(a)中、R12は、アルキル基又はアリール基を示すが、好ましいもの等は、前記特定置換基としてのアルキル基やアリール基と同様であり、更に好ましくはメチル基である。
特定置換基としてのアミノ基は、「−NH」で表される基であり、アルキルアミノ基は、「−NHR13」で表される基であり、ジアルキルアミノ基は、「−NR1415」で表される基である。
上記式中で、R13、R14、R15は、それぞれ異なっていてもよいアルキル基又はアリール基を示し、好ましいものは、前記特定置換基としてのアルキル基やアリール基と同様であり、特に好ましくはメチル基である。
特定置換基としてのシアノ基は、「−CN」で表される基である。
中でも、アルキル基、カルボキシ基、アルコキシスルホニル基及びアミノ基からなる群より選ばれた1種又は2種以上の置換基が置換しているものが、前記した本発明の効果を発揮し易く、良好なめっき性能、入手の容易さ等のから特に好ましい。
本発明の電解金めっき液は、ピリジニウム環の2位ないし4位の1個ないし3個が、1種又は2種以上の上記特定置換基で置換されたピリジニウム化合物を含有することが、前記効果を更に好適に発揮する点で好ましい。
かかるピリジニウム化合物は、下記一般式(1)で表される。
Figure 2015101751
[一般式(1)中、Rはアルキル基を示し、R、R及びRは、互いに異なっていてもよい、水素原子、アルキル基、アリール基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、アルコキシスルホニル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基又はシアノ基を示し、ただし、R、R及びRの全てが水素原子である場合を除く。]
窒素原子に結合したアルキル基(R)は、直鎖アルキル基又は分岐アルキル基の何れでもよく、炭素数も特に限定はないが、炭素数1〜6個のアルキル基が好ましく、炭素数1〜5個のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜4個のアルキル基、すなわち、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基が特に好ましい。炭素数の多過ぎるアルキル基が結合していると、入手が困難であったり、金の析出速度が低下したり、金の外観不良が発生する場合がある。
、R及びRは、互いに異なっていてもよい水素原子、アルキル基、アリール基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、アルコキシスルホニル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基又はシアノ基を示し、ただし、R、R及びRの全てが水素原子である場合を除く。
すなわち、本発明における「特定ピリジニウム化合物」は、ピリジニウム環の2位ないし4位の1個ないし3個が、1種又は2種以上の上記した「特定置換基」で置換されたものであることが好ましい。
、R及びRは、前記したものが、前記効果を更に好適に発揮する点でより(特に)好ましい。
一般式(1)の陰イオン(対イオン)については特に限定はないが、具体的には、例えば、硫酸イオン、硝酸イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン等、前記したものが挙げられる。
特定ピリジニウム化合物を含有することにより、従来の電解金めっき皮膜の優れた高耐食性、機械特性、電気特性を維持したままで、金含有量が同じであれば、従来よりも非常に速い析出速度が得られ、すなわち、金の析出効率を上げられ、めっき処理時間を短くでき生産性の大幅な向上が実現できる優れた電解金めっき液を得ることができる。更に、その析出速度が速いという特性を利用すれば、従来と同等の生産性を維持した上で高価な金含有量を減量することが可能となり、大幅なコストダウンが実現される。
上記の特定ピリジニウム化合物の好ましい具体例としては、例えば、
1−メチル−2−メチルピリジニウム、1−メチル−2−エチルピリジニウム、1−メチル−2−ブチルピリジニウム、1−メチル−2−スルホピリジニウム、1−メチル−2−メトキシスルホニルピリジニウム、1−メチル−2−アミノピリジニウム、1−メチル−2−カルボキシピリジニウム、1−メチル−2−メトキシカルボニルピリジニウム、1−メチル−2−フェニルピリジニウム、1−メチル−2−シアノピリジニウム、
1−エチル−2−メチルピリジニウム、1−エチル−2−エチルピリジニウム、1−エチル−2−ブチルピリジニウム、1−エチル−2−スルホピリジニウム、1−エチル−2−メトキシスルホニルピリジニウム、1−エチル−2−アミノピリジニウム、1−エチル−2−カルボキシピリジニウム、1−エチル−2−メトキシカルボニルピリジニウム、1−エチル−2−フェニルピリジニウム、1−エチル−2−シアノピリジニウム、
1−プロピル−2−メチルピリジニウム、1−プロピル−2−エチルピリジニウム、1−プロピル−2−ブチルピリジニウム、1−プロピル−2−スルホピリジニウム、1−プロピル−2−メトキシスルホニルピリジニウム、1−プロピル−2−アミノピリジニウム、1−プロピル−2−カルボキシピリジニウム、1−プロピル−2−メトキシカルボニルピリジニウム、1−プロピル−2−フェニルピリジニウム、1−プロピル−2−シアノピリジニウム、
1−ブチル−2−メチルピリジニウム、1−ブチル−2−エチルピリジニウム、1−ブチル−2−ブチルピリジニウム、1−ブチル−2−スルホピリジニウム、1−ブチル−2−メトキシスルホニルピリジニウム、1−ブチル−2−アミノピリジニウム、1−ブチル−2−カルボキシピリジニウム、1−ブチル−2−メトキシカルボニルピリジニウム、1−ブチル−2−フェニルピリジニウム、1−ブチル−2−シアノピリジニウム、
1−メチル−3−メチルピリジニウム、1−メチル−3−エチルピリジニウム、1−メチル−3−ブチルピリジニウム、1−メチル−3−スルホピリジニウム、1−メチル−3−メトキシスルホニルピリジニウム、1−メチル−3−アミノピリジニウム、1−メチル−3−カルボキシピリジニウム、1−メチル−3−メトキシカルボニルピリジニウム、1−メチル−3−フェニルピリジニウム、1−メチル−3−シアノピリジニウム、
1−エチル−3−メチルピリジニウム、1−エチル−3−エチルピリジニウム、1−エチル−3−ブチルピリジニウム、1−エチル−3−スルホピリジニウム、1−エチル−3−メトキシスルホニルピリジニウム、1−エチル−3−アミノピリジニウム、1−エチル−3−カルボキシピリジニウム、1−エチル−3−メトキシカルボニルピリジニウム、1−エチル−3−フェニルピリジニウム、1−エチル−3−シアノピリジニウム、
1−プロピル−3−メチルピリジニウム、1−プロピル−3−エチルピリジニウム、1−プロピル−3−ブチルピリジニウム、1−プロピル−3−スルホピリジニウム、1−プロピル−3−メトキシスルホニルピリジニウム、1−プロピル−3−アミノピリジニウム、1−プロピル−3−カルボキシピリジニウム、1−プロピル−3−メトキシカルボニルピリジニウム、1−プロピル−3−フェニルピリジニウム、1−プロピル−3−シアノピリジニウム、
1−ブチル−3−メチルピリジニウム、1−ブチル−3−エチルピリジニウム、1−ブチル−3−ブチルピリジニウム、1−ブチル−3−スルホピリジニウム、1−ブチル−3−メトキシスルホニルピリジニウム、1−ブチル−3−アミノピリジニウム、1−ブチル−3−カルボキシピリジニウム、1−ブチル−3−メトキシカルボニルピリジニウム、1−ブチル−3−フェニルピリジニウム、1−ブチル−3−シアノピリジニウム、
1−メチル−4−メチルピリジニウム、1−メチル−4−エチルピリジニウム、1−メチル−4−ブチルピリジニウム、1−メチル−4−スルホピリジニウム、1−メチル−4−メトキシスルホニルピリジニウム、1−メチル−4−アミノピリジニウム、1−メチル−4−カルボキシピリジニウム、1−メチル−4−メトキシカルボニルピリジニウム、1−メチル−4−フェニルピリジニウム、1−メチル−4−シアノピリジニウム、
1−エチル−4−メチルピリジニウム、1−エチル−4−エチルピリジニウム、1−エチル−4−ブチルピリジニウム、1−エチル−4−スルホピリジニウム、1−エチル−4−メトキシスルホニルピリジニウム、1−エチル−4−アミノピリジニウム、1−エチル−4−カルボキシピリジニウム、1−エチル−3−メトキシカルボニルピリジニウム、1−エチル−4−フェニルピリジニウム、1−エチル−4−シアノピリジニウム、
1−プロピル−4−メチルピリジニウム、1−プロピル−4−エチルピリジニウム、1−プロピル−4−ブチルピリジニウム、1−プロピル−4−スルホピリジニウム、1−プロピル−2−メトキシスルホニルピリジニウム、1−プロピル−4−アミノピリジニウム、1−プロピル−4−カルボキシピリジニウム、1−プロピル−4−メトキシカルボニルピリジニウム、1−プロピル−4−フェニルピリジニウム、1−プロピル−4−シアノピリジニウム、
1−ブチル−4−メチルピリジニウム、1−ブチル−4−エチルピリジニウム、1−ブチル−4−ブチルピリジニウム、1−ブチル−4−スルホピリジニウム、1−ブチル−4−メトキシスルホニルピリジニウム、1−ブチル−4−アミノピリジニウム、1−ブチル−4−カルボキシピリジニウム、1−ブチル−4−メトキシカルボニルピリジニウム、1−ブチル−4−フェニルピリジニウム、1−ブチル−4−シアノピリジニウム
等が挙げられる。
これらの特定ピリジニウム化合物は、前記した本発明の効果を発揮し易く、更に、良好な電解金めっき性能、水への溶解のし易さ、入手のし易さ、低コスト等の観点からも好ましい。
それらの中でも、特に好ましい具体例としては、例えば、
1−メチル−2−メチルピリジニウム、1−メチル−2−エチルピリジニウム、1−メチル−2−ブチルピリジニウム、1−メチル−2−スルホピリジニウム、1−メチル−2−メトキシスルホニルピリジニウム、1−メチル−2−アミノピリジニウム、1−メチル−2−カルボキシピリジニウム、
1−エチル−2−メチルピリジニウム、1−エチル−2−エチルピリジニウム、1−エチル−2−ブチルピリジニウム、1−エチル−2−スルホピリジニウム、1−エチル−2−メトキシスルホニルピリジニウム、1−エチル−2−アミノピリジニウム、1−エチル−2−カルボキシルピリジニウム、
1−メチル−3−メチルピリジニウム、1−メチル−3−エチルピリジニウム、1−メチル−3−ブチルピリジニウム、1−メチル−3−スルホピリジニウム、1−メチル−3−メトキシスルホニルピリジニウム、1−メチル−3−アミノピリジニウム、1−メチル−3−カルボキシルピリジニウム、
1−エチル−3−メチルピリジニウム、1−エチル−3−エチルピリジニウム、1−エチル−3−ブチルピリジニウム、1−エチル−3−スルホピリジニウム、1−エチル−3−メトキシスルホニルピリジニウム、1−エチル−3−アミノピリジニウム、1−エチル−3−カルボキシルピリジニウム、
1−メチル−4−メチルピリジニウム、1−メチル−4−エチルピリジニウム、1−メチル−4−ブチルピリジニウム、1−メチル−4−スルホピリジニウム、1−メチル−4−メトキシスルホニルピリジニウム、1−メチル−4−アミノピリジニウム、1−メチル−4−カルボキシルピリジニウム、
1−エチル−4−メチルピリジニウム、1−エチル−4−エチルピリジニウム、1−エチル−4−ブチルピリジニウム、1−エチル−4−スルホピリジニウム、1−エチル−4−メトキシスルホニルピリジニウム、1−エチル−4−アミノピリジニウム、1−エチル−4−カルボキシルピリジニウム
等が挙げられる。
これらの特定ピリジニウム化合物は、前記した本発明の効果をより発揮し易く、更に、良好な電解金めっき性能、水への溶解のし易さ、入手のし易さ、低コスト等の観点から特に好ましいものとして挙げられる。
本発明において、特定ピリジニウム化合物の含有量については特に限定はないが、電解金めっき液全体に対して、質量で、好ましくは10ppm〜50000ppm、より好ましくは30ppm〜30000ppm、特に好ましくは50ppm〜10000ppmである。なお、上記の特定ピリジニウム化合物を2種以上含有するときは、上記数値はそれらの合計含有量を示す。
電解金めっき液中の特定ピリジニウム化合物の含有量が少な過ぎると、前記した本発明の効果を発揮し難くなり、金皮膜の外観不良を起こしたりする場合がある。一方、含有量が多過ぎると本発明の上記効果の更なる増加は期待できず不経済となる場合がある。
上記の特定ピリジニウム化合物についての記載は、本発明の電解金めっき液中に存在する形態を特定するものであるが、本発明の電解金めっき液の調液の際に、溶解させる原料として、上記の特定ピリジニウム化合物を用いることが好ましい。
<シアン化金塩>
本発明の電解金めっき液は、シアン化金塩を含有することが必須である。該シアン化金塩は、本発明の電解金めっき液の金源として用いられる。シアン化金塩は、1種の使用に限定されず2種以上を併用することができる。
該シアン化金塩としては、シアン化金アルカリ金属又はシアン化金アンモニウムが好ましい。また、該シアン化金塩の金の価数(酸化数)としては、1価又は3価のどちらでも使用可能であるが、金の析出効率の観点から1価が好ましい。すなわちシアン化第1金塩が好ましい。
該シアン化金塩の具体例としては、例えば、シアン化第1金ナトリウム、シアン化第1金カリウム、シアン化第1金アンモニウム、シアン化第2金ナトリウム、シアン化第2金カリウム、シアン化第2金アンモニウム、等が挙げられる。このうち、金の析出効率等のめっき性能、コスト、入手の容易さ等の観点から、シアン化第1金ナトリウム、シアン化第1金カリウム、シアン化第1金アンモニウムが好ましく、更に同様の観点からシアン化第1金カリウムが特に好ましい。
本発明の電解金めっき液中の該シアン化金塩の含有量は特に限定はなく、電解金めっき液全体に対して、金属金として、通常0.05g/L〜50g/L、好ましくは0.5g/L〜30g/L、特に好ましくは1g/L〜20g/Lである。
電解金めっき液中のシアン化金塩の含有量が少な過ぎると、正常のレモンイエローの金皮膜の形成が困難になる場合がある。すなわち、金皮膜の色等を目視で観察したときに金の析出異常が認められる場合がある。
一方、電解金めっき液中のシアン化金塩の含有量が多過ぎる場合は、電解金めっき液の性能としては特に問題はないが、シアン化金塩は非常に高価であり、電解金めっき液中に含有した状態で保存するのは不経済となる場合がある。
上記のシアン化金塩についての記載は、本発明の電解金めっき液中に存在する形態を特定するものであるが、本発明の電解金めっき液の調液の際に溶解させる原料として、上記のシアン化金塩を用いることが好ましい。
<コバルト塩、ニッケル塩、鉄塩>
本発明の「金皮膜」には「金合金皮膜」も含まれる。すなわち、本発明の「金皮膜」には金以外の金属を含有していてもよい。ここで、「金合金皮膜」とは、「金皮膜」中に、0.01質量%以上「金以外の金属」が含有されている場合(金純度99.99質量%未満の場合)をいう。
また、本発明の「電解金めっき液」には「電解金合金めっき液」も含まれる。すなわち、本発明の「電解金めっき液」には、金以外の金属を含有していてもよい。ただし、電解金めっき液中に金以外の金属を含有していても、その電解金めっき液を用いて得られた「金皮膜」が、上記定義による「金合金皮膜」でない場合は、その「電解金めっき液」は「電解金合金めっき液」とはいわない。
「金合金皮膜」は「硬質金皮膜」となり得るため、コネクター等の接点部材等、硬度を必要とする部分に用いられる。
硬質金皮膜を形成させるために本発明の電解金めっき液を使用する場合には、本発明の電解金めっき液は、更に、コバルト塩、ニッケル塩及び/又は鉄塩を含有する。すなわち、金源としてのシアン化金塩に加えて、コバルト塩、ニッケル塩、鉄塩の何れか1種又は2種以上を含有する。
本発明の電解金めっき液は、シアン化金塩、特定ピリジニウム化合物に加えて、更に、コバルト塩、ニッケル塩及び/又は鉄塩を併用することが好ましい。
コバルト塩、ニッケル塩及び/又は鉄塩を含有すると、コバルト、ニッケル及び/又は鉄が、金めっき皮膜中に金と共に析出し(共析し)、硬質金皮膜を形成する。
特に、ニッケルめっき皮膜上に、金と共に析出(共析)させると硬質金皮膜を形成し、電子部品のコネクター等の接点部材に必要とされる高硬度や高耐摩耗性等を実現させることができる。
上記のコバルト塩、ニッケル塩及び鉄塩は、水溶性であることが好ましい。
上記のコバルト塩、ニッケル塩及び/又は鉄塩は、それぞれの金属塩の中で1種の使用に限定されず2種以上を併用することができる。また、コバルト塩、ニッケル塩、鉄塩の中で、異なる金属塩を1種に限定されず2種以上を併用することができる。
上記コバルト塩としては特に限定はないが、例えば、硫酸コバルト、塩化コバルト、硝酸コバルト、炭酸コバルト、フタロシアニンコバルト、ステアリン酸コバルト、エチレンジアミン4酢酸二ナトリウムコバルト、ナフテン酸コバルト、ホウ酸コバルト、チオシアン酸コバルト、スルファミン酸コバルト、酢酸コバルト、クエン酸コバルト、水酸化コバルト、シュウ酸コバルト、リン酸コバルト等が、良好な電解金めっき性能、水への溶解のし易さ、金皮膜への共析のし易さ、入手の容易さ、低コスト等の観点から、好ましいものとして挙げられる。
上記ニッケル塩としては特に限定はないが、例えば、硫酸ニッケル、酢酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸ニッケル、安息香酸ニッケル、シュウ酸ニッケル、ナフテン酸ニッケル、酸化ニッケル、リン酸ニッケル、ステアリン酸ニッケル、酒石酸ニッケル、チオシアン酸ニッケル、アミド硫酸ニッケル、炭酸ニッケル、クエン酸ニッケル、ギ酸ニッケル、シアン化ニッケル、水酸化ニッケル、硝酸ニッケル、オクタン酸ニッケル等が、良好な電解金めっき性能、水への溶解の容易さ、金皮膜への共析のし易さ、入手の容易さ、低コスト等の観点から、好ましいものとして挙げられる。
上記鉄塩としては特に限定はないが、例えば、硫酸第1鉄、硫酸第2鉄、塩化第1鉄、塩化第2鉄、クエン酸第1鉄、クエン酸第2鉄、ギ酸第1鉄、ギ酸第2鉄、次亜リン酸第2鉄、ナフテン酸第2鉄、ステアリン酸第2鉄、ピロリン酸第2鉄、酒石酸第1鉄、チオシアン酸第2鉄、フマル酸第1鉄、グルコン酸第1鉄、エチレンジアミン4酢酸鉄、硝酸第2鉄等が、良好な電解金めっき性能、水への溶解のし易さ、金皮膜への共析のし易さ、入手の容易さ、低コストの観点から、好ましいものとして挙げられる。
本発明の電解金めっき液中の上記コバルト塩、ニッケル塩、鉄塩の含有量については特に限定はないが、電解金めっき液全体に対して、金属として(金属換算で)、好ましくは1ppm〜50000ppm、より好ましくは10ppm〜30000ppm、特に好ましくは50ppm〜10000ppmである。なお、上記コバルト塩、ニッケル塩、鉄塩を2種以上使用するときは、上記数値はそれらの合計含有量を示す。
含有量が少な過ぎると、金皮膜への共析量が少な過ぎて充分な硬度が得られない場合がある。一方、含有量が多過ぎると、金皮膜への共析量が多くなり過ぎて、金皮膜の色調不良や接触抵抗の増大が発生したり、硬度の更なる増加は期待できなかったりする場合がある。
コバルト塩、ニッケル塩及び/又は鉄塩を含有する電解金めっき液の場合、電流密度を上げて電解金めっきを行なうと、コバルト、ニッケル及び/又は鉄が、金めっき皮膜中に金と共に析出(共析)し難くなる傾向にある。そして、電流密度を上げたときにそれらの金属が共析し難くなる傾向が大きい電解金めっき液だと、電流密度を上げたときに、金の析出異常が起こり易くなり、レモンイエローの金皮膜の形成が困難になる場合がある。
電解金めっき液中に、前記した特定ピリジニウム化合物を含有すると、電流密度を上げて電解金めっきを行なっても、コバルト、ニッケル及び/又は鉄が、金めっき皮膜中に金と共に析出(共析)し易くなる。
従って、本発明の電解金めっき液の効果の一つは、前記した通り、従来の電解金めっき液と比較して、電流密度を上げても「ヤケ」等の「金の析出異常」が認められ難く、電解金めっき時間を短縮できることであるから、該効果を顕著に発揮させるために、本発明の電解金めっき液は、更に、コバルト塩、ニッケル塩及び/又は鉄塩を含有する電解金めっき液、すなわち、電解金合金めっき液であることが好ましい。
<その他の添加剤>
本発明の電解金めっき液には、上記の成分以外に必要に応じて、電解金めっき液のpHを一定に保つための緩衝剤、電解金めっき液の導電性を確保するための電導塩、電解金めっき液中に不純物金属が混入した場合にその影響を除去するための金属イオン封鎖剤、金皮膜のピンホール除去若しくは電解金めっき液の泡切れを良好にするための界面活性剤、金皮膜を平滑にするための光沢剤等、適宣含有させて用いることができる。
本発明の電解金めっき液に必要に応じて含有される緩衝剤としては、周知の緩衝剤であれば特に限定はないが、ホウ酸、リン酸等の無機酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸等のオキシカルボン酸等が挙げられる。これは、1種又は2種以上を混合して用いることができる。
本発明の電解金めっき液中の緩衝剤の含有量は特に限定はないが、電解金めっき液全体に対して、通常1g/L〜500g/L、好ましくは10g/L〜100g/Lである。
電解金めっき液中の緩衝剤の含有量が少な過ぎると、緩衝効果が発揮され難い場合があり、一方、多過ぎる場合は緩衝効果の上昇が見られず不経済の場合がある。
本発明の電解金めっき液に必要に応じて含有される電導塩としては、周知の電導塩であれば特に限定はないが、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩等の無機酸、シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸等のカルボン酸等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を混合して用いることができる。
本発明の電解金めっき液中の電導塩の含有量は特に限定はないが、電解金めっき液全体に対して、通常1g/L〜500g/L、好ましくは10g/L〜100g/Lである。
電解金めっき液中の電導塩の含有量が少な過ぎると、電導効果が発揮され難い場合があり、一方、多過ぎる場合は、電導効果の上昇が見られず不経済の場合がある。
また、緩衝剤と同一の成分で共用することも可能である。
本発明の電解金めっき液に必要に応じて含有される金属イオン封鎖剤としては、周知の金属イオン封鎖剤であれば特に限定はないが、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸系キレート剤、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸等のホスホン酸系キレート剤等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を混合して用いることができる。
本発明の電解金めっき液中の金属イオン封鎖剤の含有量は特に限定はないが、電解金めっき液全体に対して、通常0.1g/L〜100g/L、好ましくは0.5g/L〜50g/Lである。電解金めっき液中の金属イオン封鎖剤の含有量が少な過ぎると、不純物金属の影響を除去する効果が発揮され難い場合があり、一方、多過ぎる場合は不純物金属の影響を除去する効果の上昇が見られず不経済の場合がある。
本発明の電解金めっき液に必要に応じて含有される界面活性剤としては、周知の界面活性剤であれば特に限定はなく、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、両性界面活性剤又はカチオン系界面活性剤が用いられる。これらは1種又は2種以上を混合して用いることができる。
ノニオン系界面活性剤としては、ノニフェノールポリアルコキシレート、α−ナフトールポリアルコキシレート、ジブチルーβ−ナフトールポリアルコキシレート、スチレン化フェノールポリアルコキシレート等のエーテル型ノニオン系界面活性剤、オクチルアミンポリアルコキシレート、ヘキシニルアミンポリアルコキシレート、リノレイルアミンポリアルコキシレート等のアミン型ノニオン系界面活性剤等が挙げられる。
アニオン系界面活性剤としては、ラウリル硫酸ナトリウム等のアルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンノニルエーテル硫酸ナトリウム等のポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩等が挙げられる。
両性界面活性剤としては、2−ウンデシル−1−カルボキシメチル−1−ヒドロキシエチルイミダゾリウム、N−ステアリル−N,N−カルボキシメチルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキシド等が挙げられる。
カチオン系界面活性剤としては、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルアンモニウムベタイン、ラウリルピリジニウム塩、オレイルイミダゾリウム塩又はステアリルアミンアセテート等が挙げられる。
これらは1種又は2種以上を混合して用いることができるが、好ましくはノニオン系界面活性剤又は両性界面活性剤である。
本発明の電解金めっき液中の界面活性剤の含有量は、電解金めっき液全体に対して、好ましくは0.01g/L〜20g/Lであるが、所望の性能を発揮すればよく、特に含有量を限定するものではない。
本発明の電解金めっき液に必要に応じて含有される光沢剤としては、周知の光沢剤であれば特に限定はないが、電解金めっき中で本発明における特定ピリジニウム化合物になり得ない「ピリジン骨格を有するアミン化合物」等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を混合して用いることができる。
ピリジン骨格を有するアミン化合物としては、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリジン等が挙げられる。
本発明の電解金めっき液中の光沢剤の含有量は、電解金めっき液全体に対して、好ましくは0.01g/L〜20g/Lであるが、所望の性能を発揮すれば良く、特に含有量を限定するものではない。
本発明の電解金めっき液は、電解金めっき液の物性として、電解金めっき液全体に対して金含有量を9g/Lに調合した電解金めっき液を用い、ジェット噴流式めっき装置を用いて、電解金めっき液温度を50℃、電流密度を60A/dmに設定して10秒間電解金めっきをした場合、得られた金皮膜の膜厚が1.2μm以上であり、かつ、該金皮膜の目視での外観に金の析出異常が認められないような物性を有するものであることが好ましい。
上記「ジェット噴流式めっき装置を用いた電解金めっき」とは、口径8mmの円状の噴流口から毎分18Lの流量で電解金めっき液をポンプにより噴流撹拌しながら行なう電解金めっきのことをいう。
上記物性の限定は、電解金めっき液の物性を限定するものであって、かかる電解金めっき液の使用方法を限定するものではない。かかる電解金めっき液は、金含有量が9g/Lである必要はなく、上位定義のジェット噴流式めっき装置を用いて、電解金めっき液温度を50℃、電流密度を60A/dmに設定して10秒間電解金めっきをするためのものには限定されない。また、かかる電解金めっき液を用いて、膜厚1.2μm未満の金皮膜を形成してもよい。
本発明における「特定ピリジニウム化合物」を含有成分として用いると、金含有量を9g/Lにし、ジェット噴流式めっき装置を用いて、50℃、電流密度60A/dmで10秒間電解金めっきをした場合、1.2μm以上の金皮膜が得られ、このように高電流密度で電解金めっきをしても金皮膜の外観に析出異常が認められない。かかる物性の電解金めっき液は従来存在しなかった。
<金皮膜>
前記した通り、本発明の「電解金めっき液」には、「電解金合金めっき液」も含まれる。また、本発明の「金皮膜」には、「金合金皮膜」も含まれる。すなわち、コバルト、ニッケル、鉄等の「金以外の金属」を含有していてもよい。金以外の金属は、ニッケルめっき皮膜上に金めっき皮膜中に金と共析し、電子部品のコネクター等の接点部材に必要とされる高硬度や高耐摩耗性を実現させることができる。
本発明の金皮膜中の金の濃度(金純度)は特に限定はないが、「金皮膜」全体に対して、金が95質量%以上であることが好ましく、99質量%〜99.9質量%が特に好ましい。
<電解金めっきの条件>
上記した本発明の電解金めっき液のめっき条件は特に限定されるものではないが、温度条件としては、20℃〜90℃であることが好ましく、特に好ましくは30℃〜70℃である。また、めっき液のpHはpH2.0〜9.0であることが好ましく、特に好ましくは、pH3.0〜8.0である。
本発明の電解金めっき液を用いて電解金めっきを行うことによって得られる金皮膜の膜厚に特に限定はないが、好ましくは0.01μm〜20μm、特に好ましくは0.05μm〜5μmである。
また、電解金めっき液の使用に際しては、金皮膜と下地金属との密着性を良くする目的でフラッシュ金めっきと呼ばれる金皮膜の厚さが0.01μm〜0.05μm程度の薄付け金めっき処理をして、その上に所望の膜厚まで厚金めっき処理をするのが一般的である。本発明の電解金めっきは、このときの厚金めっき処理に好適に使用できるが、本発明の電解金めっき液で厚金めっき処理を施す場合にも、フラッシュ金めっきを施すことは可能であり、フラッシュ金めっきには、市販のフラッシュ金めっき液や、本発明の電解金めっき液を適宣使用することができる。
本発明の電解金めっき液は、前述した電子部品のコネクター等の接点部材に用いられることが好ましい。従って、本発明の電解金めっき液を用いて電解金めっきを行うときは、下地めっき処理としてニッケルめっき皮膜を形成させておくことが好ましい。
このときのニッケルめっき液は特に限定されるものではないが、一般的に実用されているワット浴、スルファミン浴、臭化ニッケル浴等が好適である。また、使用するニッケルめっき液に、ピット防止剤、1次光沢剤、2次光沢剤を必要に応じて添加して用いることができる。ニッケルめっき液の使用方法は、特に限定はなく常法に従って使用する。
ニッケルめっき皮膜の膜厚は、特に限定されるものではないが、0.1μm〜20μmであることが好ましく、0.5μm〜5μmが特に好ましい。
<作用・原理>
本発明の電解金めっき液が、電流密度を上げても金の析出異常が認められず(「ヤケ」の発生がなく)、レモンイエローの金皮膜が形成できる作用・原理は明らかではないが、以下のことが考えられる。ただし本発明は、以下の作用・原理が成り立つ範囲に限定されるわけではない。
また、本発明の電解金めっき液が、コバルト塩、ニッケル塩及び/又は鉄塩を含有する電解金合金めっき液の場合、すなわち、硬質金皮膜を形成できる電解金合金めっき液の場合、前記特定ピリジニウム化合物が含有されると、高電流密度での電解金めっきの場合まで、コバルト、ニッケル及び/又は鉄が金と共析し易くなるため、高電流密度まで、金の析出異常が認められず、レモンイエローの金皮膜が形成できると考えられる。
本発明の電解金めっき液の必須成分である特定ピリジニウム化合物は、電流密度に関わらず光沢剤として浴中に含有されているコバルト、ニッケル、鉄等が金皮膜への共析を一定に保つ効果が高いことにより、高電流密度域でめっき処理した場合の金の外観不良発生を少なくする性能を向上させていると考えられる。
その結果、金めっき速度が上げられ、金の析出効率が高くなり、生産性が上げられる、又は、コストダウンが図れる。
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、その要旨を超えない限りこれらの実施例に限定されるものではない。
また、電解金めっき液の組成中の濃度の数値は、その成分が結晶水を含むものである場合は、結晶水を入れない質量から求めた濃度の数値である。
また、「%」は「質量%」を示し、「ppm」は「質量ppm」を示す。
<電解金めっき液の調製>
実施例1〜10、比較例1〜8
電解金めっき液全体に対して、シアン化金カリウムを、金換算で9g/L、表1に示す各実施例及び各比較例に記載のコバルト塩、ニッケル塩又は鉄塩を、金属換算で200ppm、特定ピリジニウム化合物の塩若しくはその比較化合物を1000ppm、電導塩と緩衝剤を兼ねた成分としてクエン酸を100g/Lとなるように溶解し、pHを4.3に調整して電解金めっき液とした。
「比較化合物」としては、ピリジン、ピリジン−3−スルホン酸、ピコリン、キノリンスルホン酸、2,3−ジアミノピリジン、3−(3−ピリジル)アクリル酸を用いた。
なお、pHは20%水酸化カリウム水溶液とクエン酸にて調整し、電解金めっき液の浴温は、50℃に設定し、以下に記載の評価を行った。
実施例11
コバルト塩、ニッケル塩、鉄塩の何れも含有しない以外は、実施例1と同様に電解金めっき液を調整し、実施例1と同様に電解金めっきをして、同様に以下に記載の評価を行った。
<電解金めっきの方法>
各実施例及び比較例で調製した電解金めっき液を用いて、表2に示す工程にて、10mm×10mmの銅板上の1次光沢ニッケルめっき皮膜2.0μm上に、電解金めっきを施した。
電解金めっきは、口径8mmの円状の噴流口から毎分18Lの流量で電解金めっき液をポンプにより噴流撹拌しながら(以下、「ジェット噴流式金めっき法」とする)、電流湯密度を60A/dmで各10秒間ずつ電解金めっきを施した。
なお、1次光沢ニッケルめっき皮膜は、以下の「電解ニッケルめっき液A」を用いて、膜厚2.0μmに形成した。
すなわち、市販のスルファミン酸ニッケルめっき液(ムラタ株式会社製、「SNコンク」(商品名))500mL/L、市販の塩化ニッケル10g/L、市販のホウ酸30g/L、及び、ピット防止剤(荏原ユージライト株式会社製、ピット防止剤#82(商品名))2mL/L、の濃度で調液して、「電解ニッケルめっき液A」を得た。
<金皮膜の膜厚の測定方法>
上記「電解金めっきの方法」で得られた円状に電解金めっきが施された金皮膜の中心付近を、蛍光X線分析装置(セイコーインスツルメンツ株式会社製、SFT9255)を使用して、常法に従って金皮膜の膜厚を測定した。結果を表3に示す。
<金皮膜の色調の測定(観察)方法>
上記「電解金めっきの方法」で得られた金皮膜を、該金皮膜の真上30cmのところから目視で観察して、金皮膜の表面の色調を観察した。
<析出効率、外観不良(金の析出異常)の判定方法>
電流密度60A/dmで10秒間、電解金めっきを施したときの金皮膜の膜厚が1.2μm以上で、かつ、目視によりレモンイエローの金色であるものを、金析出効率が高く生産性が高い電解金めっき液と判定した。1.2μm以上で、かつ、レモンイエローの金皮膜を「良」とし、1.2μm未満、又は、レモンイエロー以外の金皮膜を「不良」とし、結果を表3に示す。
<金皮膜の金純度の測定方法>
各実施例及び各比較例で調製した電解金めっき液を用いて、表2に示す工程にて、10mm×10mmの銅板上の1次光沢ニッケルめっき皮膜2.0μm上に、陰極電流密度40A/dmにて、50μmの電解金めっき皮膜をジェット噴流式金めっき法で形成し、硝酸にて銅板及びニッケルめっき皮膜を溶解して金箔を得た。
得られた金箔の重量を測った後、その金箔を王水20mLに溶解させ、ICP発光分光分析装置(セイコーインスツルメンツ株式会社製、SPS3000)にて、不純物元素としてCu、Ni、Co、Feの定量分析を行い、析出質量と不純物質量とから金純度を算出した。結果を表3に示す。
Figure 2015101751
Figure 2015101751
Figure 2015101751
表3から分かるように、本発明の電解金めっき液を用いると、電解金めっき液中の金含有量を一定にしたときに、同一の電流密度と電解金めっき時間で、厚く金皮膜を形成でき、かつ、金皮膜の色調もレモンイエローで、目視での外観に金の析出異常が認められなかった。
一方、特定ピリジニウム化合物を含有しない電解金めっき液では、金皮膜の膜厚、又は、金皮膜の色調の何れか又は両方が劣っていた。
本発明の電解金めっき液を用いて得られた金皮膜(金合金皮膜を含む)は、優れた機械特性、耐食性、電気特性、及び、金合金皮膜の場合には耐摩耗性等を有したまま、金めっき皮膜の外観不良を発生させず析出効率を従来の電解金めっき液よりも高くできるので、電子機器の部材の金めっきに広く利用されるものであり、特にニッケルバリアめっきに最適であり、この分野に特に利用されるものである。

Claims (13)

  1. 金源としてのシアン化金塩、並びに、1位の窒素原子にアルキル基が結合され、2位ないし6位の1個ないし5個が、アルキル基、アリール基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、アルコキシスルホニル基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基及びシアノ基からなる群より選ばれた1種又は2種以上の特定置換基で置換された特定ピリジニウム化合物を含有することを特徴とする電解金めっき液。
  2. ピリジニウム環の2位ないし4位の1個ないし3個が、1種又は2種以上の上記特定置換基で置換された特定ピリジニウム化合物を含有する請求項1に記載の電解金めっき液。
  3. 1位の窒素原子に、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基が結合された上記特定ピリジニウム化合物を含有する請求項1又は請求項2に記載の電解金めっき液。
  4. 上記シアン化金塩が、シアン化第1金ナトリウム、シアン化第1金カリウム、シアン化第1金アンモニウム、シアン化第2金ナトリウム、シアン化第2金カリウム又はシアン化第2金アンモニウムである請求項1ないし請求項3の何れかの請求項に記載の電解金めっき液。
  5. 更に、コバルト塩、ニッケル塩及び/又は鉄塩を含有する請求項1ないし請求項4の何れかの請求項に記載の電解金めっき液。
  6. 上記特定ピリジニウム化合物が、1−メチル−2−メチルピリジニウム、1−メチル−2−エチルピリジニウム、1−メチル−2−ブチルピリジニウム、1−メチル−2−スルホピリジニウム、1−メチル−2−メトキシスルホニルピリジニウム、1−メチル−2−アミノピリジニウム、1−メチル−2−カルボキシピリジニウム、1−メチル−2−メトキシカルボニルピリジニウム、1−メチル−2−フェニルピリジニウム、1−メチル−2−シアノピリジニウム、1−エチル−2−メチルピリジニウム、1−エチル−2−エチルピリジニウム、1−エチル−2−ブチルピリジニウム、1−エチル−2−スルホピリジニウム、1−エチル−2−メトキシスルホニルピリジニウム、1−エチル−2−アミノピリジニウム、1−エチル−2−カルボキシピリジニウム、1−エチル−2−メトキシカルボニルピリジニウム、1−エチル−2−フェニルピリジニウム、1−エチル−2−シアノピリジニウム、1−プロピル−2−メチルピリジニウム、1−プロピル−2−エチルピリジニウム、1−プロピル−2−ブチルピリジニウム、1−プロピル−2−スルホピリジニウム、1−プロピル−2−メトキシスルホニルピリジニウム、1−プロピル−2−アミノピリジニウム、1−プロピル−2−カルボキシピリジニウム、1−プロピル−2−メトキシカルボニルピリジニウム、1−プロピル−2−フェニルピリジニウム、1−プロピル−2−シアノピリジニウム、1−ブチル−2−メチルピリジニウム、1−ブチル−2−エチルピリジニウム、1−ブチル−2−ブチルピリジニウム、1−ブチル−2−スルホピリジニウム、1−ブチル−2−メトキシスルホニルピリジニウム、1−ブチル−2−アミノピリジニウム、1−ブチル−2−カルボキシピリジニウム、1−ブチル−2−メトキシカルボニルピリジニウム、1−ブチル−2−フェニルピリジニウム、1−ブチル−2−シアノピリジニウム、1−メチル−3−メチルピリジニウム、1−メチル−3−エチルピリジニウム、1−メチル−3−ブチルピリジニウム、1−メチル−3−スルホピリジニウム、1−メチル−3−メトキシスルホニルピリジニウム、1−メチル−3−アミノピリジニウム、1−メチル−3−カルボキシピリジニウム、1−メチル−3−メトキシカルボニルピリジニウム、1−メチル−3−フェニルピリジニウム、1−メチル−3−シアノピリジニウム、1−エチル−3−メチルピリジニウム、1−エチル−3−エチルピリジニウム、1−エチル−3−ブチルピリジニウム、1−エチル−3−スルホピリジニウム、1−エチル−3−メトキシスルホニルピリジニウム、1−エチル−3−アミノピリジニウム、1−エチル−3−カルボキシピリジニウム、1−エチル−3−メトキシカルボニルピリジニウム、1−エチル−3−フェニルピリジニウム、1−エチル−3−シアノピリジニウム、1−プロピル−3−メチルピリジニウム、1−プロピル−3−エチルピリジニウム、1−プロピル−3−ブチルピリジニウム、1−プロピル−3−スルホピリジニウム、1−プロピル−3−メトキシスルホニルピリジニウム、1−プロピル−3−アミノピリジニウム、1−プロピル−3−カルボキシピリジニウム、1−プロピル−3−メトキシカルボニルピリジニウム、1−プロピル−3−フェニルピリジニウム、1−プロピル−3−シアノピリジニウム、1−ブチル−3−メチルピリジニウム、1−ブチル−3−エチルピリジニウム、1−ブチル−3−ブチルピリジニウム、1−ブチル−3−スルホピリジニウム、1−ブチル−3−メトキシスルホニルピリジニウム、1−ブチル−3−アミノピリジニウム、1−ブチル−3−カルボキシピリジニウム、1−ブチル−3−メトキシカルボニルピリジニウム、1−ブチル−3−フェニルピリジニウム、1−ブチル−3−シアノピリジニウム、1−メチル−4−メチルピリジニウム、1−メチル−4−エチルピリジニウム、1−メチル−4−ブチルピリジニウム、1−メチル−4−スルホピリジニウム、1−メチル−4−メトキシスルホニルピリジニウム、1−メチル−4−アミノピリジニウム、1−メチル−4−カルボキシピリジニウム、1−メチル−4−メトキシカルボニルピリジニウム、1−メチル−4−フェニルピリジニウム、1−メチル−4−シアノピリジニウム、1−エチル−4−メチルピリジニウム、1−エチル−4−エチルピリジニウム、1−エチル−4−ブチルピリジニウム、1−エチル−4−スルホピリジニウム、1−エチル−4−メトキシスルホニルピリジニウム、1−エチル−4−アミノピリジニウム、1−エチル−4−カルボキシピリジニウム、1−エチル−3−メトキシカルボニルピリジニウム、1−エチル−4−フェニルピリジニウム、1−エチル−4−シアノピリジニウム、1−プロピル−4−メチルピリジニウム、1−プロピル−4−エチルピリジニウム、1−プロピル−4−ブチルピリジニウム、1−プロピル−4−スルホピリジニウム、1−プロピル−2−メトキシスルホニルピリジニウム、1−プロピル−4−アミノピリジニウム、1−プロピル−4−カルボキシピリジニウム、1−プロピル−4−メトキシカルボニルピリジニウム、1−プロピル−4−フェニルピリジニウム、1−プロピル−4−シアノピリジニウム、1−ブチル−4−メチルピリジニウム、1−ブチル−4−エチルピリジニウム、1−ブチル−4−ブチルピリジニウム、1−ブチル−4−スルホピリジニウム、1−ブチル−4−メトキシスルホニルピリジニウム、1−ブチル−4−アミノピリジニウム、1−ブチル−4−カルボキシピリジニウム、1−ブチル−4−メトキシカルボニルピリジニウム、1−ブチル−4−フェニルピリジニウム、又は、1−ブチル−4−シアノピリジニウムである請求項1ないし請求項5の何れかの請求項に記載の電解金めっき液。
  7. 上記コバルト塩が、硫酸コバルト、塩化コバルト、硝酸コバルト、炭酸コバルト、フタロシアニンコバルト、ステアリン酸コバルト、エチレンジアミン4酢酸二ナトリウムコバルト、ナフテン酸コバルト、ホウ酸コバルト、チオシアン酸コバルト、スルファミン酸コバルト、酢酸コバルト、クエン酸コバルト、水酸化コバルト、シュウ酸コバルト又はリン酸コバルトである請求項5又は請求項6に記載の電解金めっき液。
  8. 上記ニッケル塩が、硫酸ニッケル、酢酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸ニッケル、安息香酸ニッケル、シュウ酸ニッケル、ナフテン酸ニッケル、酸化ニッケル、リン酸ニッケル、ステアリン酸ニッケル、酒石酸ニッケル、チオシアン酸ニッケル、アミド硫酸ニッケル、炭酸ニッケル、クエン酸ニッケル、ギ酸ニッケル、シアン化ニッケル、水酸化ニッケル、硝酸ニッケル又はオクタン酸ニッケルである請求項5又は請求項6に記載の電解金めっき液。
  9. 上記鉄塩が、硫酸第1鉄、硫酸第2鉄、塩化第1鉄、塩化第2鉄、クエン酸第1鉄、クエン酸第2鉄、ギ酸第2鉄、次亜リン酸第2鉄、ナフテン酸第2鉄、ステアリン酸第2鉄、ピロリン酸第2鉄、酒石酸第1鉄、酒石酸第2鉄、チオシアン酸第1鉄、チオシアン酸第2鉄、フマル酸第1鉄、グルコン酸第1鉄、エチレンジアミン四酢酸鉄、硝酸第1鉄又は硝酸第2鉄である請求項5又は請求項6に記載の電解金めっき液。
  10. 金含有量を9g/Lに調合した電解金めっき液を用い、ジェット噴流式めっき装置を用いて、電解金めっき液温度を50℃、電流密度を60A/dmに設定して10秒間電解金めっきをした場合、得られた金皮膜の膜厚が1.2μm以上であり、かつ、該金皮膜の目視での外観に金の析出異常が認められないような物性を有するものである請求項1ないし請求項9の何れかの請求項に記載の電解金めっき液。
  11. 請求項1ないし請求項10の何れかの請求項に記載の電解金めっき液を用いて、ニッケル皮膜上に電解金めっきを行うことによって得られたものであることを特徴とする金皮膜。
  12. 上記金皮膜の金純度が95質量%以上である請求項11に記載の金皮膜。
  13. 請求項5ないし請求項10の何れかの請求項に記載の電解金めっき液を用いて、ニッケル皮膜上に電解金めっきを行うことによって得られたものであり、金と、コバルト、ニッケル及び/又は鉄との合金の皮膜であることを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の金皮膜。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105350033A (zh) * 2015-11-24 2016-02-24 安徽天思朴超精密模具股份有限公司 耐腐蚀电镀液材料组合物和耐腐蚀电镀液的制备方法及应用
WO2017199835A1 (ja) * 2016-05-18 2017-11-23 日本高純度化学株式会社 電解ニッケル(合金)めっき液
WO2021241976A1 (ko) * 2020-05-27 2021-12-02 주식회사 엘지에너지솔루션 이차전지용 전해액 첨가제, 이를 포함하는 리튬 이차전지용 비수 전해액 및 리튬 이차전지
WO2024142789A1 (ja) * 2022-12-27 2024-07-04 日本高純度化学株式会社 電解金めっき液及び電解金めっき皮膜の製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107059074A (zh) * 2017-05-17 2017-08-18 江苏金坤科技有限公司 一种高效镀金液及镀金处理工艺
CN114836795B (zh) * 2021-06-25 2023-12-19 深圳市铭轩珠宝首饰有限公司 一种用于包金的电铸液及其制备方法和应用

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06184788A (ja) * 1990-02-20 1994-07-05 Enthone Omi Inc 金および金合金めっき組成物および方法
JPH08120466A (ja) * 1994-10-19 1996-05-14 Furukawa Electric Co Ltd:The 貴金属めっき材およびその製造方法
JPH08176848A (ja) * 1994-12-27 1996-07-09 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk Cu/W基材のめっき処理方法及び放熱用Cu/W基板を備えたセラミックパッケージの製造方法
JP2000034593A (ja) * 1998-07-14 2000-02-02 Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk 金属を還元析出させるための水溶液
JP2003171789A (ja) * 2001-12-06 2003-06-20 Ishihara Chem Co Ltd 非シアン系の金−スズ合金メッキ浴
JP2009007656A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Japan Pure Chemical Co Ltd 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜
JP2011122236A (ja) * 2009-09-25 2011-06-23 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 抗置換硬質金組成物

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06184788A (ja) * 1990-02-20 1994-07-05 Enthone Omi Inc 金および金合金めっき組成物および方法
JPH08120466A (ja) * 1994-10-19 1996-05-14 Furukawa Electric Co Ltd:The 貴金属めっき材およびその製造方法
JPH08176848A (ja) * 1994-12-27 1996-07-09 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk Cu/W基材のめっき処理方法及び放熱用Cu/W基板を備えたセラミックパッケージの製造方法
JP2000034593A (ja) * 1998-07-14 2000-02-02 Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk 金属を還元析出させるための水溶液
JP2003171789A (ja) * 2001-12-06 2003-06-20 Ishihara Chem Co Ltd 非シアン系の金−スズ合金メッキ浴
JP2009007656A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Japan Pure Chemical Co Ltd 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜
JP2011122236A (ja) * 2009-09-25 2011-06-23 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 抗置換硬質金組成物

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105350033A (zh) * 2015-11-24 2016-02-24 安徽天思朴超精密模具股份有限公司 耐腐蚀电镀液材料组合物和耐腐蚀电镀液的制备方法及应用
WO2017199835A1 (ja) * 2016-05-18 2017-11-23 日本高純度化学株式会社 電解ニッケル(合金)めっき液
CN109154093A (zh) * 2016-05-18 2019-01-04 日本高纯度化学株式会社 电解镍(合金)镀覆液
KR20190008232A (ko) * 2016-05-18 2019-01-23 니혼 고쥰도가가쿠 가부시키가이샤 전해 니켈 (합금) 도금액
CN109154093B (zh) * 2016-05-18 2020-11-27 日本高纯度化学株式会社 电解镍(合金)镀覆液
KR102354192B1 (ko) 2016-05-18 2022-01-20 니혼 고쥰도가가쿠 가부시키가이샤 전해 니켈 (합금) 도금액
WO2021241976A1 (ko) * 2020-05-27 2021-12-02 주식회사 엘지에너지솔루션 이차전지용 전해액 첨가제, 이를 포함하는 리튬 이차전지용 비수 전해액 및 리튬 이차전지
WO2024142789A1 (ja) * 2022-12-27 2024-07-04 日本高純度化学株式会社 電解金めっき液及び電解金めっき皮膜の製造方法

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