JPH08176848A - Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法及び放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミックパッケージの製造方法 - Google Patents
Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法及び放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミックパッケージの製造方法Info
- Publication number
- JPH08176848A JPH08176848A JP34035294A JP34035294A JPH08176848A JP H08176848 A JPH08176848 A JP H08176848A JP 34035294 A JP34035294 A JP 34035294A JP 34035294 A JP34035294 A JP 34035294A JP H08176848 A JPH08176848 A JP H08176848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- substrate
- treatment step
- base material
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸して得ら
れるＣｕ／Ｗ基材にＮｉめっき処理を施す方法におい
て、Ｃｕ／Ｗ基材にベーキング処理を施すベーキング処
理工程、ベーキング処理が施されたＣｕ／Ｗ基材にスル
ファミン酸浴を用いたＮｉ電解めっき処理を施す第１め
っき処理工程、第１めっき処理工程が施されたＣｕ／Ｗ
基材をシンター処理する工程、及び該シンター処理され
たにＣｕ／Ｗ基材にワット浴を用いたＮｉ電解めっき処
理を施す第２めっき処理工程を含んでいるＣｕ／Ｗ基材
のめっき処理方法。 【効果】 第１めっき処理工程で比較的粗で水分の排出
され易いめっき被膜を形成するため、その後のシンター
処理工程で容易に緻密で欠陥のない被膜を容易に形成す
ることができ、第２めっき処理工程では被膜の上に耐エ
ッチング特性の良好な緻密な被膜を容易に形成すること
ができ、その結果セラミックパッケージ用として好適な
放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を製造することができる。
れるＣｕ／Ｗ基材にＮｉめっき処理を施す方法におい
て、Ｃｕ／Ｗ基材にベーキング処理を施すベーキング処
理工程、ベーキング処理が施されたＣｕ／Ｗ基材にスル
ファミン酸浴を用いたＮｉ電解めっき処理を施す第１め
っき処理工程、第１めっき処理工程が施されたＣｕ／Ｗ
基材をシンター処理する工程、及び該シンター処理され
たにＣｕ／Ｗ基材にワット浴を用いたＮｉ電解めっき処
理を施す第２めっき処理工程を含んでいるＣｕ／Ｗ基材
のめっき処理方法。 【効果】 第１めっき処理工程で比較的粗で水分の排出
され易いめっき被膜を形成するため、その後のシンター
処理工程で容易に緻密で欠陥のない被膜を容易に形成す
ることができ、第２めっき処理工程では被膜の上に耐エ
ッチング特性の良好な緻密な被膜を容易に形成すること
ができ、その結果セラミックパッケージ用として好適な
放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣｕ／Ｗ基材のめっき処
理方法及び放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミックパッ
ケージの製造方法に関し、より詳細には、ＰＧＡ（Pin
Grid Array）等のピンを有するセラミックパッケージの
部品としてのＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法及び前記め
っき処理等が施された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラ
ミックパッケージの製造方法に関する。
理方法及び放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミックパッ
ケージの製造方法に関し、より詳細には、ＰＧＡ（Pin
Grid Array）等のピンを有するセラミックパッケージの
部品としてのＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法及び前記め
っき処理等が施された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラ
ミックパッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大量の情報を高速に処理する必要から情
報処理装置の主体を構成する半導体装置はその高集積化
が進み、ＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されている。このよ
うな半導体装置の集積化は単位素子の小型化により実現
されているため、集積度が向上するのに比例して発熱量
も増大し、半導体チップを通常の方法で配設したのみで
は発熱により半導体装置が正常に作動しなくなる場合も
考えられるようになってきている。そこで、このような
半導体装置用のパッケージとして、例えば熱伝導性に優
れた金属からなる放熱用基板を備えたセラミックパッケ
ージが用いられている。
報処理装置の主体を構成する半導体装置はその高集積化
が進み、ＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されている。このよ
うな半導体装置の集積化は単位素子の小型化により実現
されているため、集積度が向上するのに比例して発熱量
も増大し、半導体チップを通常の方法で配設したのみで
は発熱により半導体装置が正常に作動しなくなる場合も
考えられるようになってきている。そこで、このような
半導体装置用のパッケージとして、例えば熱伝導性に優
れた金属からなる放熱用基板を備えたセラミックパッケ
ージが用いられている。
【０００３】図１はこの種の放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備え
たセラミックパッケージが用いられた半導体装置を模式
的に示した斜視図である。
たセラミックパッケージが用いられた半導体装置を模式
的に示した斜視図である。
【０００４】図１に示した半導体装置１１は、ＰＧＡタ
イプと呼ばれる半導体装置であり、セラミック基板１２
の下方の面にはキャビティ部（図示せず）が形成され、
該キャビティ部の内部にはＬＳＩ等が収納され、セラミ
ック基板１２に形成された導体配線部とはワイヤボンデ
ィング等により接続されている。また、前記キャビティ
部はリッド部材（図示せず）を用いて封止されており、
リッド部材の周辺には多数のピン１４がセラミック基板
１２の表面に形成された図示しない多数の金属パッド部
にろう付けされている。そして、このピン１４によりマ
ザーボードとの接続が図られるようになっている。一
方、図中上部面、すなわちＬＳＩ等が納められている面
と反対側の面には、Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸
させた基材を用いた放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３が配設され
ており、この放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３は熱伝導性に優れ
ているため、ＬＳＩ等から発生する熱を良好に放散させ
ることができ、動作時のＬＳＩ等の過熱が防止される。
イプと呼ばれる半導体装置であり、セラミック基板１２
の下方の面にはキャビティ部（図示せず）が形成され、
該キャビティ部の内部にはＬＳＩ等が収納され、セラミ
ック基板１２に形成された導体配線部とはワイヤボンデ
ィング等により接続されている。また、前記キャビティ
部はリッド部材（図示せず）を用いて封止されており、
リッド部材の周辺には多数のピン１４がセラミック基板
１２の表面に形成された図示しない多数の金属パッド部
にろう付けされている。そして、このピン１４によりマ
ザーボードとの接続が図られるようになっている。一
方、図中上部面、すなわちＬＳＩ等が納められている面
と反対側の面には、Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸
させた基材を用いた放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３が配設され
ており、この放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３は熱伝導性に優れ
ているため、ＬＳＩ等から発生する熱を良好に放散させ
ることができ、動作時のＬＳＩ等の過熱が防止される。
【０００５】この放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３は、前記した
ようにＷの粉末を成形、焼成することにより得られた多
孔質焼結体にＣｕを溶融、含浸させ、さらにメッキ処理
等の種々の処理を施して形成され、セラミック基板１２
にろう付けされる。
ようにＷの粉末を成形、焼成することにより得られた多
孔質焼結体にＣｕを溶融、含浸させ、さらにメッキ処理
等の種々の処理を施して形成され、セラミック基板１２
にろう付けされる。
【０００６】このようにメッキ処理等の工程を行うの
は、Ｗの多孔質焼結体からなる板状体にＣｕを溶融、含
浸させたのみでは多くの開気孔が存在し、セラミックパ
ッケージの製造工程で行われるエッチング処理等で内部
が腐食され易いので、表面に緻密な被膜を形成してこの
腐食等を防止するためである。
は、Ｗの多孔質焼結体からなる板状体にＣｕを溶融、含
浸させたのみでは多くの開気孔が存在し、セラミックパ
ッケージの製造工程で行われるエッチング処理等で内部
が腐食され易いので、表面に緻密な被膜を形成してこの
腐食等を防止するためである。
【０００７】この場合の処理工程は次のように行われ
る。まず、Ｗの多孔質焼結体に溶融させたＣｕを含浸さ
せた後、このＣｕ／Ｗ基材に、例えば水素を約７５ｖｏ
ｌ％及び窒素を２５ｖｏｌ％含有する還元性ガス雰囲気
でベーキング処理を施し、Ｃｕ／Ｗ表面の酸化膜の還元
を行うと同時に、汚染物質の除去等を行い表面を清浄化
する。次に、前記ベーキング処理が施されたＣｕ／Ｗ基
材に、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸等を主成分
とするワット浴を用いて第１番目のＮｉ電解メッキ処理
を施し（以下、第１めっき処理工程と記す）、表面に１
μｍ程度の薄いメッキ被膜を形成する。その後、前記Ｃ
ｕ／Ｗ基材にシンター処理を施し、前記めっき処理によ
りその内部にトラップされた水分を蒸発させ、めっき被
膜を緻密化させ、表面に存在していた開気孔を塞ぐ。次
に、前記シンター処理されたＣｕ／Ｗ基材にスルファミ
ン酸ニッケル、ＮｉＢｒ2 、ホウ酸等を主成分とするス
ルファミン酸浴を用いて第２番目の電解Ｎｉめっき処理
を施し（以下、第２めっき処理工程と記す）、メッキ被
膜をさらに厚くし、耐エッチング性等を改善する。次
に、Ｃｕ／Ｗ基材をセラミック基板１２にろう付けする
際の密着性を改善するために、第２の電解Ｎｉめっき処
理が施されたＣｕ／Ｗ基材に、さらに無電解Ｎｉ−Ｐめ
っき処理を施す（以下、第３めっき処理工程と記す）。
そして、このＣｕ／Ｗ基材にもう一度シンター処理を施
し、この処理でガス化した水蒸気等により形成される突
起状の被膜、いわゆるフクレがないものを次のろう付け
工程に用いる。
る。まず、Ｗの多孔質焼結体に溶融させたＣｕを含浸さ
せた後、このＣｕ／Ｗ基材に、例えば水素を約７５ｖｏ
ｌ％及び窒素を２５ｖｏｌ％含有する還元性ガス雰囲気
でベーキング処理を施し、Ｃｕ／Ｗ表面の酸化膜の還元
を行うと同時に、汚染物質の除去等を行い表面を清浄化
する。次に、前記ベーキング処理が施されたＣｕ／Ｗ基
材に、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸等を主成分
とするワット浴を用いて第１番目のＮｉ電解メッキ処理
を施し（以下、第１めっき処理工程と記す）、表面に１
μｍ程度の薄いメッキ被膜を形成する。その後、前記Ｃ
ｕ／Ｗ基材にシンター処理を施し、前記めっき処理によ
りその内部にトラップされた水分を蒸発させ、めっき被
膜を緻密化させ、表面に存在していた開気孔を塞ぐ。次
に、前記シンター処理されたＣｕ／Ｗ基材にスルファミ
ン酸ニッケル、ＮｉＢｒ2 、ホウ酸等を主成分とするス
ルファミン酸浴を用いて第２番目の電解Ｎｉめっき処理
を施し（以下、第２めっき処理工程と記す）、メッキ被
膜をさらに厚くし、耐エッチング性等を改善する。次
に、Ｃｕ／Ｗ基材をセラミック基板１２にろう付けする
際の密着性を改善するために、第２の電解Ｎｉめっき処
理が施されたＣｕ／Ｗ基材に、さらに無電解Ｎｉ−Ｐめ
っき処理を施す（以下、第３めっき処理工程と記す）。
そして、このＣｕ／Ｗ基材にもう一度シンター処理を施
し、この処理でガス化した水蒸気等により形成される突
起状の被膜、いわゆるフクレがないものを次のろう付け
工程に用いる。
【０００８】このようにして製造された放熱用Ｃｕ／Ｗ
基板１３をセラミック基板１２にろう付けし、最終的に
前記工程により形成されたＮｉめっき層及びろう材層の
表面や、放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３が配設されたセラミッ
ク基板１２の反対側の面に形成された金属パッド等に電
解又は無電解Ｎｉめっき処理及び電解又は無電解Ａｕめ
っき処理を施す（以下、Ａｕめっき処理工程と記す）こ
とにより、放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３が配設されたセラミ
ックパッケージが製造される。
基板１３をセラミック基板１２にろう付けし、最終的に
前記工程により形成されたＮｉめっき層及びろう材層の
表面や、放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３が配設されたセラミッ
ク基板１２の反対側の面に形成された金属パッド等に電
解又は無電解Ｎｉめっき処理及び電解又は無電解Ａｕめ
っき処理を施す（以下、Ａｕめっき処理工程と記す）こ
とにより、放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３が配設されたセラミ
ックパッケージが製造される。
【０００９】その後、セラミック基板のキャビティの内
部にＬＳＩ等を収納し、リッドにより封止することによ
り半導体装置１１が完成する。
部にＬＳＩ等を収納し、リッドにより封止することによ
り半導体装置１１が完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記第１めっき処理工
程及びその直後のシンター処理工程は、その表面に存在
する開気孔等の欠陥を無くすことを目的としているが、
例えば形成しためっき被膜の厚さが０．５〜１μｍの狭
い範囲に入らない場合には、適切なめっき被膜が形成さ
れたことにならず、特に前記めっき被膜が１μｍより厚
い場合には、前記シンター処理工程においてめっき被膜
のフクレが発生しやすいという課題があった。これは、
ワット浴を用いて厚いめっき被膜を形成した場合、水分
が開気孔の内部に閉じ込められ、シンター処理工程にお
いてガス化し、メッキ被膜のフクレを発生させるためと
考えられる。従って、前記第１めっき処理工程において
は、形成するめっき被膜の厚さを、例えば０．５〜１μ
ｍの狭い範囲に制御する必要があるが、実際の量産工程
においては、めっき被膜の厚さを前記のような狭い範囲
内に制御することは極めて難しい。
程及びその直後のシンター処理工程は、その表面に存在
する開気孔等の欠陥を無くすことを目的としているが、
例えば形成しためっき被膜の厚さが０．５〜１μｍの狭
い範囲に入らない場合には、適切なめっき被膜が形成さ
れたことにならず、特に前記めっき被膜が１μｍより厚
い場合には、前記シンター処理工程においてめっき被膜
のフクレが発生しやすいという課題があった。これは、
ワット浴を用いて厚いめっき被膜を形成した場合、水分
が開気孔の内部に閉じ込められ、シンター処理工程にお
いてガス化し、メッキ被膜のフクレを発生させるためと
考えられる。従って、前記第１めっき処理工程において
は、形成するめっき被膜の厚さを、例えば０．５〜１μ
ｍの狭い範囲に制御する必要があるが、実際の量産工程
においては、めっき被膜の厚さを前記のような狭い範囲
内に制御することは極めて難しい。
【００１１】次に、第２めっき処理工程において、スル
ファミン酸浴を用いてメッキ処理を行う場合、最終的な
放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３の評価を行うベーク評価におい
てフクレが発生するという課題があった。このようなベ
ーク評価を行うのは、半導体装置が実際に使用された
際、高温下でめっき被膜にフクレが発生すると、その後
のフクレの破壊等により腐食等が生じ易いからである。
ファミン酸浴を用いてメッキ処理を行う場合、最終的な
放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３の評価を行うベーク評価におい
てフクレが発生するという課題があった。このようなベ
ーク評価を行うのは、半導体装置が実際に使用された
際、高温下でめっき被膜にフクレが発生すると、その後
のフクレの破壊等により腐食等が生じ易いからである。
【００１２】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、第１めっき処理工程及び第２めっき処理工程
において形成するめっき被膜の厚さを厳密に制御する必
要がなく、その工程管理が容易で、不良率の極めて少な
いセラミックパッケージを製造することができるＣｕ／
Ｗ基材のめっき処理方法及び放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備え
たセラミックパッケージの製造方法を提供することを目
的としている。
のであり、第１めっき処理工程及び第２めっき処理工程
において形成するめっき被膜の厚さを厳密に制御する必
要がなく、その工程管理が容易で、不良率の極めて少な
いセラミックパッケージを製造することができるＣｕ／
Ｗ基材のめっき処理方法及び放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備え
たセラミックパッケージの製造方法を提供することを目
的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明に係るＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法は、Ｗの
多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸して得られるＣｕ／Ｗ基
材にＮｉめっき処理を施す方法において、前記Ｃｕ／Ｗ
基材にベーキング処理を施すベーキング処理工程、前記
ベーキング処理が施されたＣｕ／Ｗ基材にスルファミン
酸浴を用いたＮｉ電解めっき処理を施す第１めっき処理
工程、該第１めっき処理工程が施されたＣｕ／Ｗ基材を
シンター処理する工程、及び該シンター処理されたＣｕ
／Ｗ基材にワット浴を用いたＮｉ電解めっき処理を施す
第２めっき処理工程を含んでいることを特徴としている
（１）。
に本発明に係るＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法は、Ｗの
多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸して得られるＣｕ／Ｗ基
材にＮｉめっき処理を施す方法において、前記Ｃｕ／Ｗ
基材にベーキング処理を施すベーキング処理工程、前記
ベーキング処理が施されたＣｕ／Ｗ基材にスルファミン
酸浴を用いたＮｉ電解めっき処理を施す第１めっき処理
工程、該第１めっき処理工程が施されたＣｕ／Ｗ基材を
シンター処理する工程、及び該シンター処理されたＣｕ
／Ｗ基材にワット浴を用いたＮｉ電解めっき処理を施す
第２めっき処理工程を含んでいることを特徴としている
（１）。
【００１４】また本発明に係るＣｕ／Ｗ基材のめっき処
理方法は、上記（１）記載のめっき処理方法において、
第１めっき処理工程で形成されたＮｉめっき層の厚さが
０．５〜２．３μｍであり、第２めっき処理工程で形成
されたＮｉめっき層の厚さが１．２μｍ以上であること
を特徴としている（２）。
理方法は、上記（１）記載のめっき処理方法において、
第１めっき処理工程で形成されたＮｉめっき層の厚さが
０．５〜２．３μｍであり、第２めっき処理工程で形成
されたＮｉめっき層の厚さが１．２μｍ以上であること
を特徴としている（２）。
【００１５】また本発明に係る放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備
えたセラミックパッケージの製造方法は、上記（１）記
載の第２めっき処理工程を終了したＣｕ／Ｗ基材に無電
解Ｎｉ−Ｐめっき処理を施す第３めっき処理工程、該第
３めっき処理工程が施された前記Ｃｕ／Ｗ基材にシンタ
ー処理を施すシンター処理工程、前記シンター処理が施
された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板をセラミック基板にろう付け
するろう付け工程、及び前記工程により形成されたＮｉ
めっき層及びろう材層の表面にＡｕめっき層を形成する
Ａｕめっき処理工程を含んでいることを特徴としている
（３）。
えたセラミックパッケージの製造方法は、上記（１）記
載の第２めっき処理工程を終了したＣｕ／Ｗ基材に無電
解Ｎｉ−Ｐめっき処理を施す第３めっき処理工程、該第
３めっき処理工程が施された前記Ｃｕ／Ｗ基材にシンタ
ー処理を施すシンター処理工程、前記シンター処理が施
された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板をセラミック基板にろう付け
するろう付け工程、及び前記工程により形成されたＮｉ
めっき層及びろう材層の表面にＡｕめっき層を形成する
Ａｕめっき処理工程を含んでいることを特徴としている
（３）。
【００１６】
【作用】本発明に係るＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法
（１）によれば、Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸し
て得られるＣｕ／Ｗ基材にＮｉめっき処理を施す方法に
おいて、前記Ｃｕ／Ｗ基材にベーキング処理を施すベー
キング処理工程、前記ベーキング処理が施されたＣｕ／
Ｗ基材にスルファミン酸浴を用いたＮｉ電解めっき処理
を施す第１めっき処理工程、該第１めっき処理工程が施
されたＣｕ／Ｗ基材をシンター処理する工程、及び該シ
ンター処理されたＣｕ／Ｗ基材にワット浴を用いたＮｉ
電解めっき処理を施す第２めっき処理工程を含んでお
り、前記第１めっき処理工程で比較的粗で水分の排出さ
れ易いめっき被膜が形成され、その後のシンター処理工
程で容易に緻密で欠陥のない被膜が形成され、前記第２
めっき処理工程では前記被膜の上に耐エッチング性に優
れた緻密な被膜が形成され、セラミックパッケージ用と
して好適な放熱用Ｃｕ／Ｗ基板が製造される。また、前
記第１めっき処理工程及び前記第２めっき処理工程にお
いては、上記した各特性を有する被膜が形成されるた
め、前記めっき被膜の厚さを厳密に制御する必要がな
く、工程管理が容易となり、高い歩留りで良好な性能を
有する放熱用Ｃｕ／Ｗ基板が製造される。
（１）によれば、Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸し
て得られるＣｕ／Ｗ基材にＮｉめっき処理を施す方法に
おいて、前記Ｃｕ／Ｗ基材にベーキング処理を施すベー
キング処理工程、前記ベーキング処理が施されたＣｕ／
Ｗ基材にスルファミン酸浴を用いたＮｉ電解めっき処理
を施す第１めっき処理工程、該第１めっき処理工程が施
されたＣｕ／Ｗ基材をシンター処理する工程、及び該シ
ンター処理されたＣｕ／Ｗ基材にワット浴を用いたＮｉ
電解めっき処理を施す第２めっき処理工程を含んでお
り、前記第１めっき処理工程で比較的粗で水分の排出さ
れ易いめっき被膜が形成され、その後のシンター処理工
程で容易に緻密で欠陥のない被膜が形成され、前記第２
めっき処理工程では前記被膜の上に耐エッチング性に優
れた緻密な被膜が形成され、セラミックパッケージ用と
して好適な放熱用Ｃｕ／Ｗ基板が製造される。また、前
記第１めっき処理工程及び前記第２めっき処理工程にお
いては、上記した各特性を有する被膜が形成されるた
め、前記めっき被膜の厚さを厳密に制御する必要がな
く、工程管理が容易となり、高い歩留りで良好な性能を
有する放熱用Ｃｕ／Ｗ基板が製造される。
【００１７】また本発明に係るＣｕ／Ｗ基材のめっき処
理方法（２）によれば、上記（１）記載のめっき処理方
法において、前記第１めっき処理工程で形成されたＮｉ
めっき層の厚さが０．５〜２．３μｍであり、前記第２
めっき処理工程で形成されたＮｉめっき層の厚さが１．
２μｍ以上であり、前記（１）の方法における作用がよ
り確実に働き、より緻密で欠陥のないめっき被膜が形成
される。
理方法（２）によれば、上記（１）記載のめっき処理方
法において、前記第１めっき処理工程で形成されたＮｉ
めっき層の厚さが０．５〜２．３μｍであり、前記第２
めっき処理工程で形成されたＮｉめっき層の厚さが１．
２μｍ以上であり、前記（１）の方法における作用がよ
り確実に働き、より緻密で欠陥のないめっき被膜が形成
される。
【００１８】また本発明に係る放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備
えたセラミックパッケージの製造方法（３）によれば、
上記（１）記載の前記第２めっき処理工程を終了したＣ
ｕ／Ｗ基材に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を施す前記第３
めっき処理工程、該第３めっき処理工程が施された前記
Ｃｕ／Ｗ基材にシンター処理を施す前記シンター処理工
程、前記シンター処理が施された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を
セラミック基板にろう付けする前記ろう付け工程、及び
前記工程により形成されたＮｉめっき層及びろう材層の
表面にＡｕめっき層を形成する前記Ａｕめっき処理工程
を含んでおり、放熱特性に優れ、耐エッチング性に優れ
た緻密な被膜が形成されたＣｕ／Ｗ基材を備えたセラミ
ックパッケージが製造される。
えたセラミックパッケージの製造方法（３）によれば、
上記（１）記載の前記第２めっき処理工程を終了したＣ
ｕ／Ｗ基材に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を施す前記第３
めっき処理工程、該第３めっき処理工程が施された前記
Ｃｕ／Ｗ基材にシンター処理を施す前記シンター処理工
程、前記シンター処理が施された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を
セラミック基板にろう付けする前記ろう付け工程、及び
前記工程により形成されたＮｉめっき層及びろう材層の
表面にＡｕめっき層を形成する前記Ａｕめっき処理工程
を含んでおり、放熱特性に優れ、耐エッチング性に優れ
た緻密な被膜が形成されたＣｕ／Ｗ基材を備えたセラミ
ックパッケージが製造される。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例に係るＣｕ／Ｗ基材の
めっき処理方法を説明する。
めっき処理方法を説明する。
【００２０】放熱用Ｃｕ／Ｗ基板製造用のＣｕ／Ｗ基材
として、住友電気工業製のＣＭＳＦＷ−１０（３１ｍｍ
×３１ｍｍ×１ｍｍ）を用い、前記Ｃｕ／Ｗ基材を水素
を７５ｖｏｌ％及び窒素を２５ｖｏｌ％含有する還元性
ガス雰囲気下、８００℃で５分間ベーキング処理を施し
た。
として、住友電気工業製のＣＭＳＦＷ−１０（３１ｍｍ
×３１ｍｍ×１ｍｍ）を用い、前記Ｃｕ／Ｗ基材を水素
を７５ｖｏｌ％及び窒素を２５ｖｏｌ％含有する還元性
ガス雰囲気下、８００℃で５分間ベーキング処理を施し
た。
【００２１】次に第１めっき処理工程として、前記ベー
キング処理が施されたＣｕ／Ｗ基材を、基本成分として
スルファミン酸ニッケルを４４０ｇ／リットル、ＮｉＢ
ｒ2を３０ｇ／リットル、ホウ酸を３０ｇ／リットル含
有するｐＨが３．５のスルファミン酸浴に浸漬し、浴湯
の温度が４４℃、電流密度が１．０Ａ／ｄｍ2 の条件で
処理時間を変化させて電解めっき処理を行い、前記Ｃｕ
／Ｗ基材に０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μｍ、２．
０μｍ及び２．５μｍの厚さのＮｉめっき被膜を形成し
た。
キング処理が施されたＣｕ／Ｗ基材を、基本成分として
スルファミン酸ニッケルを４４０ｇ／リットル、ＮｉＢ
ｒ2を３０ｇ／リットル、ホウ酸を３０ｇ／リットル含
有するｐＨが３．５のスルファミン酸浴に浸漬し、浴湯
の温度が４４℃、電流密度が１．０Ａ／ｄｍ2 の条件で
処理時間を変化させて電解めっき処理を行い、前記Ｃｕ
／Ｗ基材に０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μｍ、２．
０μｍ及び２．５μｍの厚さのＮｉめっき被膜を形成し
た。
【００２２】前記工程の後、水素を７５ｖｏｌ％及び窒
素を２５ｖｏｌ％含有する還元性ガス雰囲気下、８００
℃で５分間シンター処理を行い、表面を実体顕微鏡で観
察することにより、フクレの発生の有無を調査した。そ
の結果を下記の表１に示している。
素を２５ｖｏｌ％含有する還元性ガス雰囲気下、８００
℃で５分間シンター処理を行い、表面を実体顕微鏡で観
察することにより、フクレの発生の有無を調査した。そ
の結果を下記の表１に示している。
【００２３】なお、比較例として、実施例と同様にベー
キング処理を行った後、第１めっき処理工程でワット浴
を用い、その厚さが０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μ
ｍ及び２．０μｍのめっき被膜を形成し、その後同様に
シンター処理工程を行い、Ｃｕ／Ｗ基材の表面のフクレ
の発生の有無を観察した。その結果を下記の表１に示し
ている。図２はスルファミン酸浴を用いてめっき処理を
行った際に形成されためっき被膜の表面の粒子構造を示
したＳＥＭ写真であり、図３はワット浴を用いてめっき
処理を行った際に形成されためっき被膜の表面の粒子構
造を示したＳＥＭ写真である。
キング処理を行った後、第１めっき処理工程でワット浴
を用い、その厚さが０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μ
ｍ及び２．０μｍのめっき被膜を形成し、その後同様に
シンター処理工程を行い、Ｃｕ／Ｗ基材の表面のフクレ
の発生の有無を観察した。その結果を下記の表１に示し
ている。図２はスルファミン酸浴を用いてめっき処理を
行った際に形成されためっき被膜の表面の粒子構造を示
したＳＥＭ写真であり、図３はワット浴を用いてめっき
処理を行った際に形成されためっき被膜の表面の粒子構
造を示したＳＥＭ写真である。
【００２４】
【表１】
【００２５】上記結果より明らかなように、実施例に係
るめっき処理方法、すなわちスルファミン酸浴を用いた
めっき処理方法では、厚さが０．５〜２．０μｍ又は
２．３μｍ程度の広い範囲でフクレの発生が全く観察さ
れず、めっき処理を容易に行うことができ、工程管理が
容易である。これは、図２に示しているように、スルフ
ァミン酸浴を用いた場合には、めっき処理により比較的
粗な粒子が形成され、後のシンター処理工程でめっき被
膜がシンターされる前に粒子の間を通過して水分が蒸発
してしまうためと考えられる。
るめっき処理方法、すなわちスルファミン酸浴を用いた
めっき処理方法では、厚さが０．５〜２．０μｍ又は
２．３μｍ程度の広い範囲でフクレの発生が全く観察さ
れず、めっき処理を容易に行うことができ、工程管理が
容易である。これは、図２に示しているように、スルフ
ァミン酸浴を用いた場合には、めっき処理により比較的
粗な粒子が形成され、後のシンター処理工程でめっき被
膜がシンターされる前に粒子の間を通過して水分が蒸発
してしまうためと考えられる。
【００２６】一方、比較例の場合には、めっき被膜の厚
さが１．０μｍ以上でフクレが発生しており、適切なめ
っき被膜の厚さの範囲が極めて狭いため、工程管理が非
常に難しいことがわかった。これはワット浴を用いた場
合に、比較的小さい粒子が形成され、膜厚が厚くなると
めっき処理工程で内部に侵入した水分がそのまま閉じ込
められ、シンター処理工程でガス化してフクレを発生さ
せるためと考えられる。
さが１．０μｍ以上でフクレが発生しており、適切なめ
っき被膜の厚さの範囲が極めて狭いため、工程管理が非
常に難しいことがわかった。これはワット浴を用いた場
合に、比較的小さい粒子が形成され、膜厚が厚くなると
めっき処理工程で内部に侵入した水分がそのまま閉じ込
められ、シンター処理工程でガス化してフクレを発生さ
せるためと考えられる。
【００２７】次に、前記工程でフクレが発生しなかった
ものにつき、第２めっき処理工程として、硫酸ニッケル
を３００ｇ／リットル、塩化ニッケルを３０ｇ／リット
ル、及びホウ酸を３０ｇ／リットル含有するｐＨが３．
８のワット浴に浸漬し、浴湯の温度が５５℃、電流密度
が１．０Ａ／ｄｍ2 の条件で処理時間を変化させて電解
めっき処理を行い、前記Ｃｕ／Ｗ基材にそれぞれ１．０
μｍ、１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μｍ及び３．０
μｍの厚さのＮｉめっき被膜を形成した。
ものにつき、第２めっき処理工程として、硫酸ニッケル
を３００ｇ／リットル、塩化ニッケルを３０ｇ／リット
ル、及びホウ酸を３０ｇ／リットル含有するｐＨが３．
８のワット浴に浸漬し、浴湯の温度が５５℃、電流密度
が１．０Ａ／ｄｍ2 の条件で処理時間を変化させて電解
めっき処理を行い、前記Ｃｕ／Ｗ基材にそれぞれ１．０
μｍ、１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μｍ及び３．０
μｍの厚さのＮｉめっき被膜を形成した。
【００２８】次に、第３めっき処理工程として、硫酸ニ
ッケルを２５ｇ／リットル及び次亜リン酸ナトリウム１
５ｇ／リットル等を主成分とするめっき浴に浸漬し、約
９分間無電解めっき処理を行うことにより前記Ｃｕ／Ｗ
基材に２μｍの厚さにＮｉ−Ｐめっき被膜を形成した。
ッケルを２５ｇ／リットル及び次亜リン酸ナトリウム１
５ｇ／リットル等を主成分とするめっき浴に浸漬し、約
９分間無電解めっき処理を行うことにより前記Ｃｕ／Ｗ
基材に２μｍの厚さにＮｉ−Ｐめっき被膜を形成した。
【００２９】その後、水素７５ｖｏｌ％及び窒素２５ｖ
ｏｌ％を含有する還元性ガス雰囲気下、８００℃で５分
間シンター処理を行い、表面を実体顕微鏡で観察するこ
とにより、フクレの発生の有無を調査した。
ｏｌ％を含有する還元性ガス雰囲気下、８００℃で５分
間シンター処理を行い、表面を実体顕微鏡で観察するこ
とにより、フクレの発生の有無を調査した。
【００３０】また、比較例として、第１めっき処理工程
をスルファミン酸浴を用いて行い、その後実施例と同様
に第２めっき処理工程の直前までの工程を行った後、第
２めっき処理工程としてスルファミン酸浴を用い、その
厚さが１．０μｍ、１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μ
ｍ及び３．０μｍのめっき被膜を形成し、実施例と同様
に、無電解Ｎｉめっきを行った後にシンター処理を行
い、Ｃｕ／Ｗ基材の表面のフクレの発生の有無を観察し
た。
をスルファミン酸浴を用いて行い、その後実施例と同様
に第２めっき処理工程の直前までの工程を行った後、第
２めっき処理工程としてスルファミン酸浴を用い、その
厚さが１．０μｍ、１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μ
ｍ及び３．０μｍのめっき被膜を形成し、実施例と同様
に、無電解Ｎｉめっきを行った後にシンター処理を行
い、Ｃｕ／Ｗ基材の表面のフクレの発生の有無を観察し
た。
【００３１】次に、前記シンター処理においてフクレが
発生しなかった放熱用Ｃｕ／Ｗ基板をセラミック基板に
８００℃で銀ろう付けした。その後、この放熱用Ｃｕ／
Ｗ基板を備えたセラミック基板にエッチング処理等を施
した後、電解Ｎｉめっき処理及び電解Ａｕめっき処理を
施し、前記工程により形成されたＡｕめっき層及びろう
材層やセラミック基板に形成された導体層上に、順次Ｎ
ｉめっき被膜及びＡｕめっき被膜を形成した。
発生しなかった放熱用Ｃｕ／Ｗ基板をセラミック基板に
８００℃で銀ろう付けした。その後、この放熱用Ｃｕ／
Ｗ基板を備えたセラミック基板にエッチング処理等を施
した後、電解Ｎｉめっき処理及び電解Ａｕめっき処理を
施し、前記工程により形成されたＡｕめっき層及びろう
材層やセラミック基板に形成された導体層上に、順次Ｎ
ｉめっき被膜及びＡｕめっき被膜を形成した。
【００３２】前記工程により製造された放熱用Ｃｕ／Ｗ
基板を備えたセラミック基板を大気雰囲気下、４７０℃
で１分間加熱するベーク処理を行い、表面状態を実体顕
微鏡で観察し、フクレの発生の有無等を観察した。その
結果を表２に示した。
基板を備えたセラミック基板を大気雰囲気下、４７０℃
で１分間加熱するベーク処理を行い、表面状態を実体顕
微鏡で観察し、フクレの発生の有無等を観察した。その
結果を表２に示した。
【００３３】
【表２】
【００３４】上記結果より明らかなように、第１めっき
処理工程とは逆に、ワット浴を用いた実施例に係るめっ
き処理方法では、厚さが１．５μｍ以上又は１．２μｍ
以上でフクレの発生が全く観察されなかった。従って実
施例に係る方法によりめっき処理を容易に行うことがで
き、工程管理が容易であることがわかった。一方、比較
例の場合（スルファミン酸浴）には、めっき被膜の厚さ
を２．５μｍ以上にした場合に初めてフクレの発生が無
くなっており、非常に厚いめっき被膜を形成する必要が
あるため、処理工程の時間も長くなり、効率的でないこ
とがわかった。
処理工程とは逆に、ワット浴を用いた実施例に係るめっ
き処理方法では、厚さが１．５μｍ以上又は１．２μｍ
以上でフクレの発生が全く観察されなかった。従って実
施例に係る方法によりめっき処理を容易に行うことがで
き、工程管理が容易であることがわかった。一方、比較
例の場合（スルファミン酸浴）には、めっき被膜の厚さ
を２．５μｍ以上にした場合に初めてフクレの発生が無
くなっており、非常に厚いめっき被膜を形成する必要が
あるため、処理工程の時間も長くなり、効率的でないこ
とがわかった。
【００３５】このように上記実施例に係る方法により得
られた放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミック基板にお
いては、放熱用Ｃｕ／Ｗ基板の表面にフクレやエッチン
グ等による欠陥は観察されず、要求特性を満足するもの
であった。
られた放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミック基板にお
いては、放熱用Ｃｕ／Ｗ基板の表面にフクレやエッチン
グ等による欠陥は観察されず、要求特性を満足するもの
であった。
【００３６】
【発明の効果】本発明に係るＣｕ／Ｗ基材のめっき処理
方法（１）にあっては、Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを
含浸して得られるＣｕ／Ｗ基材にＮｉめっき処理を施す
方法において、前記Ｃｕ／Ｗ基材にベーキング処理を施
すベーキング処理工程、前記ベーキング処理が施された
Ｃｕ／Ｗ基材にスルファミン酸浴を用いたＮｉ電解めっ
き処理を施す第１めっき処理工程、該第１めっき処理工
程が施されたＣｕ／Ｗ基材をシンター処理する工程、及
び該シンター処理されたにＣｕ／Ｗ基材にワット浴を用
いたＮｉ電解めっき処理を施す第２めっき処理工程を含
んでおり、前記ベーキング処理工程により還元、清浄化
されたＣｕ／Ｗ基材に、前記第１めっき処理工程で比較
的粗で水分の排出され易いめっき被膜を形成するため、
その後のシンター処理工程で容易に緻密で欠陥のない被
膜を形成することができ、前記第２めっき処理工程では
前記被膜の上に耐エッチング特性の良好な緻密な被膜を
形成することができ、その結果セラミックパッケージ用
として好適な放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を製造することができ
る。また、前記第１めっき処理工程及び前記第２めっき
処理工程においては、上記した各特性を有する被膜が形
成されるため、前記めっき被膜の厚さを厳密に制御する
必要がなく、工程管理が容易となり、高い歩留りで良好
な性能を有する放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を製造することがで
きる。
方法（１）にあっては、Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを
含浸して得られるＣｕ／Ｗ基材にＮｉめっき処理を施す
方法において、前記Ｃｕ／Ｗ基材にベーキング処理を施
すベーキング処理工程、前記ベーキング処理が施された
Ｃｕ／Ｗ基材にスルファミン酸浴を用いたＮｉ電解めっ
き処理を施す第１めっき処理工程、該第１めっき処理工
程が施されたＣｕ／Ｗ基材をシンター処理する工程、及
び該シンター処理されたにＣｕ／Ｗ基材にワット浴を用
いたＮｉ電解めっき処理を施す第２めっき処理工程を含
んでおり、前記ベーキング処理工程により還元、清浄化
されたＣｕ／Ｗ基材に、前記第１めっき処理工程で比較
的粗で水分の排出され易いめっき被膜を形成するため、
その後のシンター処理工程で容易に緻密で欠陥のない被
膜を形成することができ、前記第２めっき処理工程では
前記被膜の上に耐エッチング特性の良好な緻密な被膜を
形成することができ、その結果セラミックパッケージ用
として好適な放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を製造することができ
る。また、前記第１めっき処理工程及び前記第２めっき
処理工程においては、上記した各特性を有する被膜が形
成されるため、前記めっき被膜の厚さを厳密に制御する
必要がなく、工程管理が容易となり、高い歩留りで良好
な性能を有する放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を製造することがで
きる。
【００３７】また本発明に係るＣｕ／Ｗ基材のめっき処
理方法（２）にあっては、上記（１）記載のめっき処理
方法において、前記第１めっき処理工程で形成されたＮ
ｉめっき層の厚さが０．５〜２μｍであり、前記第２め
っき処理工程で形成されたＮｉめっき層の厚さが１．５
μｍ以上であり、前記（１）の方法における効果をより
確実に奏すると同時に、より緻密で欠陥のないめっき被
膜を形成することができる。
理方法（２）にあっては、上記（１）記載のめっき処理
方法において、前記第１めっき処理工程で形成されたＮ
ｉめっき層の厚さが０．５〜２μｍであり、前記第２め
っき処理工程で形成されたＮｉめっき層の厚さが１．５
μｍ以上であり、前記（１）の方法における効果をより
確実に奏すると同時に、より緻密で欠陥のないめっき被
膜を形成することができる。
【００３８】また本発明に係る放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備
えたセラミックパッケージの製造方法（３）にあって
は、上記（１）記載の第２めっき処理工程を終了したＣ
ｕ／Ｗ基材に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を施す第３めっ
き処理工程、該第３めっき処理工程が施された前記Ｃｕ
／Ｗ基材にシンター処理を施すシンター処理工程、前記
シンター処理が施された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板をセラミッ
ク基板にろう付けするろう付け工程、及び前記工程によ
り形成されたＮｉめっき層及びろう材層の表面にＡｕめ
っき層を形成するＡｕめっき処理工程を含んでおり、放
熱特性に優れ、耐エッチング性に優れた緻密な被膜が形
成された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミックパッケ
ージを製造することができる。
えたセラミックパッケージの製造方法（３）にあって
は、上記（１）記載の第２めっき処理工程を終了したＣ
ｕ／Ｗ基材に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を施す第３めっ
き処理工程、該第３めっき処理工程が施された前記Ｃｕ
／Ｗ基材にシンター処理を施すシンター処理工程、前記
シンター処理が施された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板をセラミッ
ク基板にろう付けするろう付け工程、及び前記工程によ
り形成されたＮｉめっき層及びろう材層の表面にＡｕめ
っき層を形成するＡｕめっき処理工程を含んでおり、放
熱特性に優れ、耐エッチング性に優れた緻密な被膜が形
成された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミックパッケ
ージを製造することができる。
【図１】放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミックパッケ
ージが用いられた半導体装置を模式的に示した斜視図で
ある。
ージが用いられた半導体装置を模式的に示した斜視図で
ある。
【図２】スルファミン酸浴を用いてめっき処理を行った
際に形成されためっき被膜の表面の粒子構造を示したＳ
ＥＭ写真である。
際に形成されためっき被膜の表面の粒子構造を示したＳ
ＥＭ写真である。
【図３】ワット浴を用いてめっき処理を行った際に形成
されためっき被膜の表面の粒子構造を示したＳＥＭ写真
である。
されためっき被膜の表面の粒子構造を示したＳＥＭ写真
である。
１２ 放熱用Ｃｕ／Ｗ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/373 // Ｃ２５Ｄ 3/12 １０２
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸して
得られるＣｕ／Ｗ基材にＮｉめっき処理を施す方法にお
いて、前記Ｃｕ／Ｗ基材にベーキング処理を施すベーキ
ング処理工程、前記ベーキング処理が施されたＣｕ／Ｗ
基材にスルファミン酸浴を用いたＮｉ電解めっき処理を
施す第１めっき処理工程、該第１めっき処理工程が施さ
れたＣｕ／Ｗ基材をシンター処理する工程、及び該シン
ター処理されたＣｕ／Ｗ基材にワット浴を用いたＮｉ電
解めっき処理を施す第２めっき処理工程を含んでいるこ
とを特徴とするＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法。 - 【請求項２】 第１めっき処理工程で形成されたＮｉめ
っき層の厚さが０．５〜２．３μｍであり、第２めっき
処理工程で形成されたＮｉめっき層の厚さが１．２μｍ
以上である請求項１記載のＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方
法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の第２めっき処理工程を
終了したＣｕ／Ｗ基材に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を施
す第３めっき処理工程、該第３めっき処理工程が施され
た前記Ｃｕ／Ｗ基材にシンター処理を施すシンター処理
工程、前記シンター処理が施された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板
をセラミック基板にろう付けするろう付け工程、及び前
記工程により形成されたＮｉめっき層及びろう材層の表
面にＡｕめっき層を形成するＡｕめっき処理工程を含ん
でいることを特徴とする放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセ
ラミックパッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34035294A JPH08176848A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法及び放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミックパッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34035294A JPH08176848A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法及び放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミックパッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08176848A true JPH08176848A (ja) | 1996-07-09 |
Family
ID=18336120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34035294A Pending JPH08176848A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法及び放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミックパッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08176848A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103757674A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-30 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种钨铜复合材料的镀镍方法 |
| JP2015101751A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 日本高純度化学株式会社 | 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP34035294A patent/JPH08176848A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015101751A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 日本高純度化学株式会社 | 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 |
| CN103757674A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-30 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种钨铜复合材料的镀镍方法 |
| CN103757674B (zh) * | 2013-12-20 | 2017-01-04 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种钨铜复合材料的镀镍方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5058799A (en) | Metallized ceramic substrate and method therefor | |
| US5100714A (en) | Metallized ceramic substrate and method therefor | |
| WO2014106925A1 (ja) | セラミック配線基板、半導体装置、およびセラミック配線基板の製造方法 | |
| US5730853A (en) | Method for plating metal matrix composite materials with nickel and gold | |
| KR19990045105A (ko) | 기판 | |
| US4407860A (en) | Process for producing an improved quality electrolessly deposited nickel layer | |
| JP6753721B2 (ja) | 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法 | |
| JP7168008B2 (ja) | はんだ接合部 | |
| JPH08176848A (ja) | Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法及び放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミックパッケージの製造方法 | |
| JPH07321111A (ja) | 無電解メッキによる集積回路の配線方法 | |
| JP4264091B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPS62182182A (ja) | 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体 | |
| JP3383892B2 (ja) | 半導体実装構造体の製造方法 | |
| JPH11354699A (ja) | 半導体用放熱板とその製造方法 | |
| JP4090602B2 (ja) | メッキされたセラミックス／金属複合材料およびその製造方法 | |
| JPH09143756A (ja) | Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法 | |
| JPH05160551A (ja) | 電子部品実装窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
| JP3792642B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP2000154081A (ja) | セラミックス部品およびその製造方法 | |
| JP3871472B2 (ja) | はんだ付け用Ｎｉ部材、電気部品と放熱部品の製造方法 | |
| JPH1065294A (ja) | セラミックス配線基板およびその製造方法 | |
| JPH08264700A (ja) | 無電解Ｎｉめっき方法 | |
| JPH10330949A (ja) | 低応力無電解付着ニッケル層の製造方法 | |
| JP3857219B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| US7976892B2 (en) | Method for producing a conductive coating on an insulating substrate |