JPH09143756A - Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法 - Google Patents
Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法Info
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- JPH09143756A JPH09143756A JP7299842A JP29984295A JPH09143756A JP H09143756 A JPH09143756 A JP H09143756A JP 7299842 A JP7299842 A JP 7299842A JP 29984295 A JP29984295 A JP 29984295A JP H09143756 A JPH09143756 A JP H09143756A
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- treatment
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来においては、製造されたＣｕ／Ｗ基材を
セラミック基板１２にろう付けするための前処理工程と
して、前記Ｃｕ／Ｗ基材に３回のめっき処理と３回の熱
処理とを施さなければならず、前処理工程が非常に複雑
であり、前処理コストも高くつくという課題があった。
また、めっき被膜の厚さを厳密に管理しなければならな
いため、工程管理が難しいという課題もあった。 【解決手段】 Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸して
得られるＣｕ／Ｗ基材にめっき処理を施すＣｕ／Ｗ基材
のめっき処理方法において、前記Ｃｕ／Ｗ基材にＣｕめ
っき処理を施した後、該Ｃｕめっき処理が施されたＣｕ
／Ｗ基材に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を施す。
セラミック基板１２にろう付けするための前処理工程と
して、前記Ｃｕ／Ｗ基材に３回のめっき処理と３回の熱
処理とを施さなければならず、前処理工程が非常に複雑
であり、前処理コストも高くつくという課題があった。
また、めっき被膜の厚さを厳密に管理しなければならな
いため、工程管理が難しいという課題もあった。 【解決手段】 Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸して
得られるＣｕ／Ｗ基材にめっき処理を施すＣｕ／Ｗ基材
のめっき処理方法において、前記Ｃｕ／Ｗ基材にＣｕめ
っき処理を施した後、該Ｃｕめっき処理が施されたＣｕ
／Ｗ基材に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣｕ／Ｗ基材のめっ
き処理方法に関し、より詳細には、ＰＧＡ（PinGrid Ar
ray）等のピンを有するセラミックパッケージの部品と
してのＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法に関する。
き処理方法に関し、より詳細には、ＰＧＡ（PinGrid Ar
ray）等のピンを有するセラミックパッケージの部品と
してのＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大量の情報を高速に処理する必要から情
報処理装置の主体を構成する半導体装置はその高集積化
が進み、ＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されている。このよ
うな半導体装置の高集積化は単位素子の小型化により実
現されているため、集積度が向上するのに比例して発熱
量も増大し、半導体チップを通常の方法で配設したのみ
では発熱により半導体装置が正常に作動しなくなる場合
も考えられるようになってきている。そこで、このよう
な半導体装置用のパッケージとして、例えば熱伝導性に
優れた金属からなる放熱用基板を備えたセラミックパッ
ケージが用いられている。
報処理装置の主体を構成する半導体装置はその高集積化
が進み、ＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されている。このよ
うな半導体装置の高集積化は単位素子の小型化により実
現されているため、集積度が向上するのに比例して発熱
量も増大し、半導体チップを通常の方法で配設したのみ
では発熱により半導体装置が正常に作動しなくなる場合
も考えられるようになってきている。そこで、このよう
な半導体装置用のパッケージとして、例えば熱伝導性に
優れた金属からなる放熱用基板を備えたセラミックパッ
ケージが用いられている。
【０００３】図１はこの種の放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備え
たセラミックパッケージが用いられた半導体装置を模式
的に示した斜視図である。
たセラミックパッケージが用いられた半導体装置を模式
的に示した斜視図である。
【０００４】図１に示した半導体装置１１は、ＰＧＡタ
イプと呼ばれる半導体装置であり、セラミック基板１２
の下部面にはキャビティ部（図示せず）が形成され、該
キャビティ部の内部にはＬＳＩ等が収納され、セラミッ
ク基板１２に形成された導体配線部とはワイヤボンディ
ング等により接続されている。また、前記キャビティ部
はリッド部材（図示せず）を用いて封止されており、リ
ッド部材の周辺には多数の外部接続用ピン１４がセラミ
ック基板１２の下部面に形成された図示しない多数の金
属パッド部にろう付けされている。そして、この外部接
続用ピン１４によりマザーボードとの接続が図られるよ
うになっている。一方、図中上部面、すなわちＬＳＩ等
が納められている面と反対側の面には、Ｗの多孔質焼結
体に溶融Ｃｕを含浸させた基材を用いた放熱用Ｃｕ／Ｗ
基板１３が配設されており、この放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１
３は熱伝導性に優れているため、ＬＳＩ等から発生する
熱を良好に放散させることができ、動作時のＬＳＩ等の
過熱が防止される。
イプと呼ばれる半導体装置であり、セラミック基板１２
の下部面にはキャビティ部（図示せず）が形成され、該
キャビティ部の内部にはＬＳＩ等が収納され、セラミッ
ク基板１２に形成された導体配線部とはワイヤボンディ
ング等により接続されている。また、前記キャビティ部
はリッド部材（図示せず）を用いて封止されており、リ
ッド部材の周辺には多数の外部接続用ピン１４がセラミ
ック基板１２の下部面に形成された図示しない多数の金
属パッド部にろう付けされている。そして、この外部接
続用ピン１４によりマザーボードとの接続が図られるよ
うになっている。一方、図中上部面、すなわちＬＳＩ等
が納められている面と反対側の面には、Ｗの多孔質焼結
体に溶融Ｃｕを含浸させた基材を用いた放熱用Ｃｕ／Ｗ
基板１３が配設されており、この放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１
３は熱伝導性に優れているため、ＬＳＩ等から発生する
熱を良好に放散させることができ、動作時のＬＳＩ等の
過熱が防止される。
【０００５】この放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３は、前記した
ようにＷ粉末の成形、焼成により得られた多孔質焼結体
にＣｕを溶融、含浸させてＣｕ／Ｗ基材を製造した後、
このＣｕ／Ｗ基材にめっき処理等の種々の処理を施すこ
とにより形成され、この放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３をセラ
ミック基板１２にろう付けする。
ようにＷ粉末の成形、焼成により得られた多孔質焼結体
にＣｕを溶融、含浸させてＣｕ／Ｗ基材を製造した後、
このＣｕ／Ｗ基材にめっき処理等の種々の処理を施すこ
とにより形成され、この放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３をセラ
ミック基板１２にろう付けする。
【０００６】このようにＣｕ／Ｗ基材にめっき処理等の
処理を施す第一の理由は、Ｗの多孔質焼結体からなる板
状体にＣｕを溶融、含浸させたのみでは多くの開気孔が
存在し、セラミックパッケージの製造工程におけるエッ
チング等の処理で内部が腐食され易いため、表面に緻密
な被膜を形成してこの腐食等を防止するためであり、ま
た第二の理由はろう付けの際の放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３
と銀ろうとの密着性を確保するためである。
処理を施す第一の理由は、Ｗの多孔質焼結体からなる板
状体にＣｕを溶融、含浸させたのみでは多くの開気孔が
存在し、セラミックパッケージの製造工程におけるエッ
チング等の処理で内部が腐食され易いため、表面に緻密
な被膜を形成してこの腐食等を防止するためであり、ま
た第二の理由はろう付けの際の放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３
と銀ろうとの密着性を確保するためである。
【０００７】Ｃｕ／Ｗ基材の処理工程をさらに詳しく説
明すると、以下のようになる。まず、Ｗの多孔質焼結体
に溶融させたＣｕを含浸させた後、このＣｕ／Ｗ基材
に、例えば水素を約７５ｖｏｌ％及び窒素を約２５ｖｏ
ｌ％含有する還元性ガス雰囲気でベーキング処理を施
し、主としてＣｕ／Ｗ表面の酸化膜の還元を行う。次
に、前記ベーキング処理工程を経たＣｕ／Ｗ基材に、硫
酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸等を主成分とするワ
ット浴を用いて第１番目のＮｉ電解めっき処理を施し
（以下、第１めっき処理工程と記す）、表面に１μｍ程
度の薄いめっき被膜を形成する。その後、第１めっき処
理工程を経たＣｕ／Ｗ基材にシンター処理を施し、前記
めっき処理によりその内部にトラップされた水分を蒸発
させ、めっき被膜を緻密化させて表面に存在していた開
気孔を塞ぐとともに、めっき被膜をＣｕ／Ｗ基材に密着
させる。次に、前記シンター処理が施されたＣｕ／Ｗ基
材にスルファミン酸ニッケル、ＮｉＢｒ2 、ホウ酸等を
主成分とするスルファミン酸浴を用いて第２番目の電解
Ｎｉめっき処理を施し（以下、第２めっき処理工程と記
す）、めっき被膜をさらに厚くし、耐エッチング性等を
改善する。次に、Ｃｕ／Ｗ基材をセラミック基板１２に
ろう付けする際の密着性を改善するために、第２めっき
処理工程を経たＣｕ／Ｗ基材に、さらに無電解Ｎｉ−Ｐ
めっき処理を施す（以下、第３めっき処理工程と記
す）。そして、第３めっき処理工程を経たＣｕ／Ｗ基材
にもう一度シンター処理を施し、この処理でガス化した
水蒸気等により形成される突起状の被膜、いわゆるフク
レがないものを次のろう付け工程に用いる。
明すると、以下のようになる。まず、Ｗの多孔質焼結体
に溶融させたＣｕを含浸させた後、このＣｕ／Ｗ基材
に、例えば水素を約７５ｖｏｌ％及び窒素を約２５ｖｏ
ｌ％含有する還元性ガス雰囲気でベーキング処理を施
し、主としてＣｕ／Ｗ表面の酸化膜の還元を行う。次
に、前記ベーキング処理工程を経たＣｕ／Ｗ基材に、硫
酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸等を主成分とするワ
ット浴を用いて第１番目のＮｉ電解めっき処理を施し
（以下、第１めっき処理工程と記す）、表面に１μｍ程
度の薄いめっき被膜を形成する。その後、第１めっき処
理工程を経たＣｕ／Ｗ基材にシンター処理を施し、前記
めっき処理によりその内部にトラップされた水分を蒸発
させ、めっき被膜を緻密化させて表面に存在していた開
気孔を塞ぐとともに、めっき被膜をＣｕ／Ｗ基材に密着
させる。次に、前記シンター処理が施されたＣｕ／Ｗ基
材にスルファミン酸ニッケル、ＮｉＢｒ2 、ホウ酸等を
主成分とするスルファミン酸浴を用いて第２番目の電解
Ｎｉめっき処理を施し（以下、第２めっき処理工程と記
す）、めっき被膜をさらに厚くし、耐エッチング性等を
改善する。次に、Ｃｕ／Ｗ基材をセラミック基板１２に
ろう付けする際の密着性を改善するために、第２めっき
処理工程を経たＣｕ／Ｗ基材に、さらに無電解Ｎｉ−Ｐ
めっき処理を施す（以下、第３めっき処理工程と記
す）。そして、第３めっき処理工程を経たＣｕ／Ｗ基材
にもう一度シンター処理を施し、この処理でガス化した
水蒸気等により形成される突起状の被膜、いわゆるフク
レがないものを次のろう付け工程に用いる。
【０００８】このようにして製造された放熱用Ｃｕ／Ｗ
基板１３をセラミック基板１２にろう付けし、前記工程
により形成されたＮｉめっき層及びろう材層の表面や、
セラミック基板１２のろう付け面とは反対側の面に形成
された金属パッド等に、最終的にＮｉめっき処理及びＡ
ｕめっき処理を施す（以下、Ａｕめっき処理工程と記
す）ことにより、放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３が配設された
セラミックパッケージが完成する。
基板１３をセラミック基板１２にろう付けし、前記工程
により形成されたＮｉめっき層及びろう材層の表面や、
セラミック基板１２のろう付け面とは反対側の面に形成
された金属パッド等に、最終的にＮｉめっき処理及びＡ
ｕめっき処理を施す（以下、Ａｕめっき処理工程と記
す）ことにより、放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３が配設された
セラミックパッケージが完成する。
【０００９】その後、セラミック基板のキャビティの内
部にＬＳＩ等を収納し、リッドにより封止することによ
り半導体装置１１が完成する。
部にＬＳＩ等を収納し、リッドにより封止することによ
り半導体装置１１が完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、製造されたＣｕ／Ｗ基材をセラミック基板
１２にろう付けするための前処理工程として、前記Ｃｕ
／Ｗ基材に３回のめっき処理と３回の熱処理とを施さな
ければならず、前処理工程が非常に複雑であり、前処理
コストも高くつくという課題があった。
においては、製造されたＣｕ／Ｗ基材をセラミック基板
１２にろう付けするための前処理工程として、前記Ｃｕ
／Ｗ基材に３回のめっき処理と３回の熱処理とを施さな
ければならず、前処理工程が非常に複雑であり、前処理
コストも高くつくという課題があった。
【００１１】また、第１めっき処理工程においては、め
っき被膜の厚さを１μｍ程度にコントロールする必要が
あり、工程管理が難しいという課題もあった。
っき被膜の厚さを１μｍ程度にコントロールする必要が
あり、工程管理が難しいという課題もあった。
【００１２】このような処理を施すのは、上記したよう
にＣｕ／Ｗ基材の表面に開気孔等を含まない緻密な膜を
形成するためと、銀ろう接合を可能とするためとであ
る。
にＣｕ／Ｗ基材の表面に開気孔等を含まない緻密な膜を
形成するためと、銀ろう接合を可能とするためとであ
る。
【００１３】そこで、緻密性及び接合性を確保しながら
前記前処理工程を簡略化する方法を種々検討してみた。
銀ろうとの接合性を確保するためにはＮｉ−Ｐめっき被
膜を形成する必要があり、このめっき処理工程は省略す
ることはできないが、他の前記前処理工程を簡略化する
ための方法として、まず、直接Ｃｕ／Ｗ基材表面に厚い
Ｎｉ−Ｐめっき被膜を形成する方法を考えた。しかし、
このような方法をとると、Ｎｉ−Ｐめっき被膜とＣｕ／
Ｗ基材との密着性に劣り、また加熱により表面にフクレ
等が発生し易い。
前記前処理工程を簡略化する方法を種々検討してみた。
銀ろうとの接合性を確保するためにはＮｉ−Ｐめっき被
膜を形成する必要があり、このめっき処理工程は省略す
ることはできないが、他の前記前処理工程を簡略化する
ための方法として、まず、直接Ｃｕ／Ｗ基材表面に厚い
Ｎｉ−Ｐめっき被膜を形成する方法を考えた。しかし、
このような方法をとると、Ｎｉ−Ｐめっき被膜とＣｕ／
Ｗ基材との密着性に劣り、また加熱により表面にフクレ
等が発生し易い。
【００１４】また、Ｃｕ／Ｗ基材とＮｉめっき被膜とは
材質が全く異なるため、Ｃｕ／Ｗ基板上に単にＮｉめっ
き被膜を形成したのみではＣｕ／Ｗ基材との密着性に劣
り、この密着性を改善するために加熱処理（シンター）
の工程が必要であり、この加熱処理工程を省略すること
は困難であった。
材質が全く異なるため、Ｃｕ／Ｗ基板上に単にＮｉめっ
き被膜を形成したのみではＣｕ／Ｗ基材との密着性に劣
り、この密着性を改善するために加熱処理（シンター）
の工程が必要であり、この加熱処理工程を省略すること
は困難であった。
【００１５】
【課題を解決するための手段及びその効果】そこで本発
明者は前記課題に鑑み、Ｃｕ／Ｗ基材をセラミック基板
にろう付けする際のＣｕ／Ｗ基材の前処理工程を簡略化
することを目的として種々の検討を行った結果、めっき
被膜の材料としてＣｕを選択することにより、Ｃｕ／Ｗ
基材表面にＣｕ／Ｗ基材との密着性に優れためっき被膜
を形成することができ、熱処理工程も必要としないこと
を見出し、本発明を完成するに至った。
明者は前記課題に鑑み、Ｃｕ／Ｗ基材をセラミック基板
にろう付けする際のＣｕ／Ｗ基材の前処理工程を簡略化
することを目的として種々の検討を行った結果、めっき
被膜の材料としてＣｕを選択することにより、Ｃｕ／Ｗ
基材表面にＣｕ／Ｗ基材との密着性に優れためっき被膜
を形成することができ、熱処理工程も必要としないこと
を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１６】すなわち本発明に係るＣｕ／Ｗ基材のめっ
き処理方法は、Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸して
得られるＣｕ／Ｗ基材にめっき処理を施すＣｕ／Ｗ基材
のめっき処理方法において、前記Ｃｕ／Ｗ基材にＣｕめ
っき処理を施すＣｕめっき処理工程、及び該Ｃｕめっき
処理が施されたＣｕ／Ｗ基材に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処
理を施すＮｉ−Ｐめっき処理工程を含んでいることを特
徴としている。
き処理方法は、Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸して
得られるＣｕ／Ｗ基材にめっき処理を施すＣｕ／Ｗ基材
のめっき処理方法において、前記Ｃｕ／Ｗ基材にＣｕめ
っき処理を施すＣｕめっき処理工程、及び該Ｃｕめっき
処理が施されたＣｕ／Ｗ基材に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処
理を施すＮｉ−Ｐめっき処理工程を含んでいることを特
徴としている。
【００１７】上記Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法によれ
ば、Ｃｕ／Ｗ基材の表面は殆どＣｕにより形成されてい
るため、その表面に形成されたＣｕめっき被膜は、Ｃｕ
／Ｗ基材との密着性に優れ、膜厚が厚くても加熱による
フクレ等は発生しない。そのため、加熱処理等を行わな
くても、Ｃｕ／Ｗ基材表面に厚くて緻密なＣｕめっき被
膜を形成することができ、前記Ｃｕめっき被膜の上にＮ
ｉ−Ｐめっき被膜を形成することにより作製されたＣｕ
／Ｗ基板をそのまま、セラミック基板にろう付けするこ
とができる。また、めっき被膜の厚さを厳密に管理する
ことが必要ないため、工程管理が容易になる。その結
果、製造コストの低い安価なセラミックパッケージを提
供することができる。
ば、Ｃｕ／Ｗ基材の表面は殆どＣｕにより形成されてい
るため、その表面に形成されたＣｕめっき被膜は、Ｃｕ
／Ｗ基材との密着性に優れ、膜厚が厚くても加熱による
フクレ等は発生しない。そのため、加熱処理等を行わな
くても、Ｃｕ／Ｗ基材表面に厚くて緻密なＣｕめっき被
膜を形成することができ、前記Ｃｕめっき被膜の上にＮ
ｉ−Ｐめっき被膜を形成することにより作製されたＣｕ
／Ｗ基板をそのまま、セラミック基板にろう付けするこ
とができる。また、めっき被膜の厚さを厳密に管理する
ことが必要ないため、工程管理が容易になる。その結
果、製造コストの低い安価なセラミックパッケージを提
供することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るＣｕ／Ｗ基材
のめっき処理方法の実施の形態を説明する。実施の形態
に係るＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法においては、まず
最初に、製造されたＣｕ／Ｗ基材表面に存在する酸化銅
被膜を除去する。
のめっき処理方法の実施の形態を説明する。実施の形態
に係るＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法においては、まず
最初に、製造されたＣｕ／Ｗ基材表面に存在する酸化銅
被膜を除去する。
【００１９】この酸化銅被膜の除去は、クエン酸を数ｗ
ｔ％含有する水溶液をＣｕ／Ｗ基材と接触させることに
より行う。
ｔ％含有する水溶液をＣｕ／Ｗ基材と接触させることに
より行う。
【００２０】次に、酸化銅被膜が除去されたＣｕ／Ｗ基
材に、Ｃｕめっき処理を施すが、その方法として無電解
めっき処理方法と電解めっき処理方法とがあるので、以
下、それぞれの場合について説明する。
材に、Ｃｕめっき処理を施すが、その方法として無電解
めっき処理方法と電解めっき処理方法とがあるので、以
下、それぞれの場合について説明する。
【００２１】まず、酸化銅被膜が除去されたＣｕ／Ｗ基
材に、無電解Ｃｕめっき処理を施す方法について説明す
る。
材に、無電解Ｃｕめっき処理を施す方法について説明す
る。
【００２２】この場合、酸化銅被膜が除去されたＣｕ／
Ｗ基材に、直接無電解Ｃｕめっき処理を施すのではな
く、予めＣｕ／Ｗ基材表面にめっきの析出核となる触媒
種（パラジウム）を吸着させておき、その後前記前処理
が施されたＣｕ／Ｗ基材に無電解めっき処理を施すこと
により、Ｃｕ／Ｗ基材とＣｕめっき被膜との密着性が良
好になる。そのため、塩化第一スズ及び塩化パラジウム
を含有する酸性溶液にＣｕ／Ｗ基材を浸漬し、Ｃｕ／Ｗ
基材表面にＳｎ−Ｐｄ核を析出させる。次の塩酸浸漬工
程では下記のような化学反応が進行し、Ｃｕ／Ｗ基材表
面に金属パラジウムが析出することになる。このときの
処理条件は、従来から行われているパラジウムの析出条
件とほぼ同様でよい。
Ｗ基材に、直接無電解Ｃｕめっき処理を施すのではな
く、予めＣｕ／Ｗ基材表面にめっきの析出核となる触媒
種（パラジウム）を吸着させておき、その後前記前処理
が施されたＣｕ／Ｗ基材に無電解めっき処理を施すこと
により、Ｃｕ／Ｗ基材とＣｕめっき被膜との密着性が良
好になる。そのため、塩化第一スズ及び塩化パラジウム
を含有する酸性溶液にＣｕ／Ｗ基材を浸漬し、Ｃｕ／Ｗ
基材表面にＳｎ−Ｐｄ核を析出させる。次の塩酸浸漬工
程では下記のような化学反応が進行し、Ｃｕ／Ｗ基材表
面に金属パラジウムが析出することになる。このときの
処理条件は、従来から行われているパラジウムの析出条
件とほぼ同様でよい。
【００２３】
【化１】Ｓｎ2+ ＋ Ｐｄ2+ ＝ Ｓｎ4+ ＋ Ｐｄ 前記処理の後、Ｃｕ／Ｗ基材に無電解Ｃｕめっき処理を
施す。
施す。
【００２４】この無電解Ｃｕめっき処理の方法として
は、従来より行われている公知の方法と同様の方法をと
ることができる。すなわち、銅めっき処理液は、従来か
ら使用されているものを使用することができ、例えば酸
化第二銅を０．０１〜０．１モル／リットル、エチレン
ジアミン四酢酸二ナトリウム塩（ＥＤＴＡ・２Ｎａ）を
０．０１〜０．１モル／リットル、ホルマリンを０．０
５〜０．５モル／リットル、ＮａＯＨを０．１〜０．２
モル／リットル含有する液温が６５〜７５℃程度のアル
カリ性溶液にＣｕ／Ｗ基材を浸漬することにより、Ｐｄ
層を有するＣｕ／Ｗ基材上にＣｕめっき被膜を形成する
ことができる。このときに形成するＣｕめっき被膜の厚
さは、通常、２〜４μｍ程度である。
は、従来より行われている公知の方法と同様の方法をと
ることができる。すなわち、銅めっき処理液は、従来か
ら使用されているものを使用することができ、例えば酸
化第二銅を０．０１〜０．１モル／リットル、エチレン
ジアミン四酢酸二ナトリウム塩（ＥＤＴＡ・２Ｎａ）を
０．０１〜０．１モル／リットル、ホルマリンを０．０
５〜０．５モル／リットル、ＮａＯＨを０．１〜０．２
モル／リットル含有する液温が６５〜７５℃程度のアル
カリ性溶液にＣｕ／Ｗ基材を浸漬することにより、Ｐｄ
層を有するＣｕ／Ｗ基材上にＣｕめっき被膜を形成する
ことができる。このときに形成するＣｕめっき被膜の厚
さは、通常、２〜４μｍ程度である。
【００２５】次に、酸化銅被膜が除去されたＣｕ／Ｗ基
材に、電解Ｃｕめっき処理を施す方法について説明す
る。
材に、電解Ｃｕめっき処理を施す方法について説明す
る。
【００２６】酸化銅被膜が除去されたＣｕ／Ｗ基材に電
解めっき処理を施す場合にも、前記Ｃｕ／Ｗ基材をもう
一度希硫酸や希塩酸等の酸性溶液で洗浄し、密着性向上
のために表面を酸でさらに活性化する。
解めっき処理を施す場合にも、前記Ｃｕ／Ｗ基材をもう
一度希硫酸や希塩酸等の酸性溶液で洗浄し、密着性向上
のために表面を酸でさらに活性化する。
【００２７】次に、酸洗浄が行われたＣｕ／Ｗ基材に電
解Ｃｕめっき処理を施すが、この場合にも従来より行わ
れている公知の方法と同様の方法をとることができる。
すなわち、例えば硫酸銅を７０〜８０ｇ／リットル、硫
酸を１６０〜２００ｇ／リットル、ＨＣｌ等の塩素イオ
ンを含有する化合物をＣｌ- として６０〜１００ｍｇ／
リットル、光沢剤（例えば、上村工業製 スルカッップ
９０）を通常の量含有する室温程度の液温の酸性溶液に
Ｃｕ／Ｗ基材を浸漬し、電流密度を１〜２Ａ／ｄｍ2 に
設定して電流を流すことにより、Ｃｕ／Ｗ基材上にＣｕ
めっき被膜を形成することができる。このときに形成す
るＣｕめっき被膜の厚さも、通常、２〜４μｍ程度であ
る。
解Ｃｕめっき処理を施すが、この場合にも従来より行わ
れている公知の方法と同様の方法をとることができる。
すなわち、例えば硫酸銅を７０〜８０ｇ／リットル、硫
酸を１６０〜２００ｇ／リットル、ＨＣｌ等の塩素イオ
ンを含有する化合物をＣｌ- として６０〜１００ｍｇ／
リットル、光沢剤（例えば、上村工業製 スルカッップ
９０）を通常の量含有する室温程度の液温の酸性溶液に
Ｃｕ／Ｗ基材を浸漬し、電流密度を１〜２Ａ／ｄｍ2 に
設定して電流を流すことにより、Ｃｕ／Ｗ基材上にＣｕ
めっき被膜を形成することができる。このときに形成す
るＣｕめっき被膜の厚さも、通常、２〜４μｍ程度であ
る。
【００２８】上記したようにＣｕ／Ｗ基材に無電解Ｃｕ
めっき処理又は電解Ｃｕめっき処理を施すことにより、
Ｃｕ／Ｗ基材表面にＣｕめっき被膜を形成し、次に、Ｃ
ｕめっき被膜が形成されたＣｕ／Ｗ基材に、さらに無電
解Ｎｉ−Ｐめっき処理を施す。
めっき処理又は電解Ｃｕめっき処理を施すことにより、
Ｃｕ／Ｗ基材表面にＣｕめっき被膜を形成し、次に、Ｃ
ｕめっき被膜が形成されたＣｕ／Ｗ基材に、さらに無電
解Ｎｉ−Ｐめっき処理を施す。
【００２９】前記方法により形成されたＣｕめっき被膜
上に、いきなり無電解めっき法によりＮｉ−Ｐめっき被
膜を形成するのは難しい。そこで、カルバニックイニシ
エーションという方法を用いてＣｕめっき被膜上に薄い
Ｎｉ被膜を形成する。このカルバニックイニシエーショ
ンとは、めっき液中に自然発生電極電位による電流を流
してＣｕめっき被膜上にＮｉ被膜を形成することをい
い、この場合には、Ｃｕめっき被膜が形成されたＣｕ／
Ｗ基材を硫酸等により酸洗した後、例えば塩化ニッケル
を３０〜５０ｇ／リットル、クエン酸ナトリウムを５〜
１５ｇ／リットル、次亜リン酸ナトリウムを５〜１５ｇ
／リットル等の有機Ｐｂ化合物等を０．００１〜０．０
０５ｇ／リットル含有するめっき液中にＳＵＳ製のラッ
クにＣｕ／Ｗ基材を接続したもの、及びニッケル製の棒
を浸漬し、両者を導線で短絡することにより自然発生電
極電位による電流を流し、Ｃｕめっき被膜上にＮｉ被膜
を形成する。この後、同様の組成のめっき浴を用いて無
電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を行い、前記Ｃｕめっき被膜が
形成されたＣｕ／Ｗ基材に２〜４μｍの厚さのＮｉ−Ｐ
めっき被膜を形成し、めっき処理工程を完了する。
上に、いきなり無電解めっき法によりＮｉ−Ｐめっき被
膜を形成するのは難しい。そこで、カルバニックイニシ
エーションという方法を用いてＣｕめっき被膜上に薄い
Ｎｉ被膜を形成する。このカルバニックイニシエーショ
ンとは、めっき液中に自然発生電極電位による電流を流
してＣｕめっき被膜上にＮｉ被膜を形成することをい
い、この場合には、Ｃｕめっき被膜が形成されたＣｕ／
Ｗ基材を硫酸等により酸洗した後、例えば塩化ニッケル
を３０〜５０ｇ／リットル、クエン酸ナトリウムを５〜
１５ｇ／リットル、次亜リン酸ナトリウムを５〜１５ｇ
／リットル等の有機Ｐｂ化合物等を０．００１〜０．０
０５ｇ／リットル含有するめっき液中にＳＵＳ製のラッ
クにＣｕ／Ｗ基材を接続したもの、及びニッケル製の棒
を浸漬し、両者を導線で短絡することにより自然発生電
極電位による電流を流し、Ｃｕめっき被膜上にＮｉ被膜
を形成する。この後、同様の組成のめっき浴を用いて無
電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を行い、前記Ｃｕめっき被膜が
形成されたＣｕ／Ｗ基材に２〜４μｍの厚さのＮｉ−Ｐ
めっき被膜を形成し、めっき処理工程を完了する。
【００３０】そして、上記めっき処理が施された放熱用
Ｃｕ／Ｗ基板をセラミック基板にろう付けし、その後従
来の技術の項で説明したＡｕめっき処理工程を経ること
により、放熱用Ｃｕ／Ｗ基板が配設されたセラミックパ
ッケージを完成させる。
Ｃｕ／Ｗ基板をセラミック基板にろう付けし、その後従
来の技術の項で説明したＡｕめっき処理工程を経ること
により、放熱用Ｃｕ／Ｗ基板が配設されたセラミックパ
ッケージを完成させる。
【００３１】
【実施例】以下、本発明に係るＣｕ／Ｗ基材のめっき処
理方法の実施例を説明する。
理方法の実施例を説明する。
【００３２】［実施例１］本実施例においては、Ｃｕ／
Ｗ基材に無電解Ｃｕめっき処理法によりＣｕめっき被膜
を形成した後、無電解Ｎｉ−Ｐめっき法によりＣｕめっ
き被膜上にＮｉ−Ｐめっき被膜を形成した。各工程にお
ける条件を記載する。
Ｗ基材に無電解Ｃｕめっき処理法によりＣｕめっき被膜
を形成した後、無電解Ｎｉ−Ｐめっき法によりＣｕめっ
き被膜上にＮｉ−Ｐめっき被膜を形成した。各工程にお
ける条件を記載する。
【００３３】Ｃｕ／Ｗ基材：住友電気工業製のＣＭＳＦ
Ｗ−１０（３１ｍｍ×３１ｍｍ×１ｍｍ） Ｃｕ／Ｗ基材表面の酸化銅被膜の除去 使用した溶液：クエン酸を３ｗｔ％含有する溶液 処理条件：室温下でＣｕ／Ｗ基材を３分間浸漬 パラジウム析出工程 使用した溶液：ＳｎＣｌ2 を１０ｇ／リットル及びＰｄ
Ｃｌ2 を０．２ｇ／リットル含有する塩酸酸性溶液 処理条件：室温下でＣｕ／Ｗ基材を５分浸漬 酸洗浄工程 洗浄液：塩酸の濃度が５ｗｔ％の水溶液 洗浄条件：室温下でＣｕ／Ｗ基材を３分浸漬 無電解Ｃｕめっき処理工程 めっき浴の組成 酸化第二銅：０．０４ モル／リットル ＥＤＴＡ・２Ｎａ：０．０５７ モル／リットル ホルマリン：０．１ モル／リットル 水酸化ナトリウム：０．１１ モル／リットル めっき浴のｐＨ：１２．９ 処理温度：７０℃ 処理時間：４０分 形成されたＣｕめっき被膜の厚さ：３．５μｍ 酸洗浄工程 洗浄液：硫酸の濃度が１５ｗｔ％の水溶液 洗浄条件：室温下でＣｕ／Ｗ基材を３０秒浸漬 カルバニックイニシエーション 処理時間：１分 Ｎｉ−Ｐめっき処理工程 めっき浴の組成 塩化ニッケル：３５ ｇ／リットル クエン酸ナトリウム：１０ ｇ／リットル 次亜リン酸ナトリウム：１０ ｇ／リットル 有機鉛化合物：０．００３ ｇ／リットル めっき浴のｐＨ：５．５ 処理温度：９５℃ 処理時間：２０分 形成されたＮｉ−Ｐめっき被膜の厚さ：３．５μｍ このような処理が施されたＣｕ／Ｗ基材を、７２％共晶
銀ろうを用い、７９０℃でセラミック基板に銀ろう付け
を行い、その際の銀ろう付けの良否について評価を行っ
た。
Ｗ−１０（３１ｍｍ×３１ｍｍ×１ｍｍ） Ｃｕ／Ｗ基材表面の酸化銅被膜の除去 使用した溶液：クエン酸を３ｗｔ％含有する溶液 処理条件：室温下でＣｕ／Ｗ基材を３分間浸漬 パラジウム析出工程 使用した溶液：ＳｎＣｌ2 を１０ｇ／リットル及びＰｄ
Ｃｌ2 を０．２ｇ／リットル含有する塩酸酸性溶液 処理条件：室温下でＣｕ／Ｗ基材を５分浸漬 酸洗浄工程 洗浄液：塩酸の濃度が５ｗｔ％の水溶液 洗浄条件：室温下でＣｕ／Ｗ基材を３分浸漬 無電解Ｃｕめっき処理工程 めっき浴の組成 酸化第二銅：０．０４ モル／リットル ＥＤＴＡ・２Ｎａ：０．０５７ モル／リットル ホルマリン：０．１ モル／リットル 水酸化ナトリウム：０．１１ モル／リットル めっき浴のｐＨ：１２．９ 処理温度：７０℃ 処理時間：４０分 形成されたＣｕめっき被膜の厚さ：３．５μｍ 酸洗浄工程 洗浄液：硫酸の濃度が１５ｗｔ％の水溶液 洗浄条件：室温下でＣｕ／Ｗ基材を３０秒浸漬 カルバニックイニシエーション 処理時間：１分 Ｎｉ−Ｐめっき処理工程 めっき浴の組成 塩化ニッケル：３５ ｇ／リットル クエン酸ナトリウム：１０ ｇ／リットル 次亜リン酸ナトリウム：１０ ｇ／リットル 有機鉛化合物：０．００３ ｇ／リットル めっき浴のｐＨ：５．５ 処理温度：９５℃ 処理時間：２０分 形成されたＮｉ−Ｐめっき被膜の厚さ：３．５μｍ このような処理が施されたＣｕ／Ｗ基材を、７２％共晶
銀ろうを用い、７９０℃でセラミック基板に銀ろう付け
を行い、その際の銀ろう付けの良否について評価を行っ
た。
【００３４】評価項目は、(i) 銀ろう部分の空孔面積の
割合、(ii)めっき部分のフクレの発生、(iii) 銀ろう流
れの良否の３点である。(i) 及び(ii)については、５０
個のサンプルについて評価を行い、(iii) については１
５個のサンプルについて評価を行った。
割合、(ii)めっき部分のフクレの発生、(iii) 銀ろう流
れの良否の３点である。(i) 及び(ii)については、５０
個のサンプルについて評価を行い、(iii) については１
５個のサンプルについて評価を行った。
【００３５】まず、(i) 銀ろう部分の空孔面積の割合に
ついては、顕微鏡により空孔の面積についての測定を行
い、放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３の面積に対する空孔面積の
割合（％）を算出し、(ii)めっき部分のフクレの発生に
ついては、目視により検査を行い、(iii) 銀ろう流れの
良否については、２ｍｍ×２ｍｍの銀ろうをＣｕ／Ｗ基
板表面に流して、その半径を測定することにより、良否
を判断した。評価結果を下記の表１に示している。
ついては、顕微鏡により空孔の面積についての測定を行
い、放熱用Ｃｕ／Ｗ基板１３の面積に対する空孔面積の
割合（％）を算出し、(ii)めっき部分のフクレの発生に
ついては、目視により検査を行い、(iii) 銀ろう流れの
良否については、２ｍｍ×２ｍｍの銀ろうをＣｕ／Ｗ基
板表面に流して、その半径を測定することにより、良否
を判断した。評価結果を下記の表１に示している。
【００３６】［実施例２〜５］本実施例においては、Ｃ
ｕ／Ｗ基材に電解めっき処理法によりＣｕめっき被膜を
形成した後、無電解Ｎｉ−Ｐめっき法によりＣｕめっき
被膜上にＮｉ−Ｐめっき被膜を形成した。各工程におけ
る条件を記載する。
ｕ／Ｗ基材に電解めっき処理法によりＣｕめっき被膜を
形成した後、無電解Ｎｉ−Ｐめっき法によりＣｕめっき
被膜上にＮｉ−Ｐめっき被膜を形成した。各工程におけ
る条件を記載する。
【００３７】Ｃｕ／Ｗ基材：実施例１の場合と同様 Ｃｕ／Ｗ基材表面の酸化銅被膜の除去：実施例１と
同様 酸洗浄工程（２段階） 第１段階 洗浄液：硫酸の濃度が１５ｗｔ％の水溶液 洗浄条件：室温下でＣｕ／Ｗ基材を３０秒浸漬 第２段階 洗浄液：塩酸の濃度が１０ｗｔ％の水溶液 洗浄条件：室温下でＣｕ／Ｗ基材を３０秒浸漬 電解Ｃｕめっき処理工程 めっき浴の組成 硫酸銅：７０ ｇ／リットル 硫酸：１８０ ｇ／リットル Ｃｌ- イオン：８０ ｍｇ／リットル 光沢剤（上村工業製 スルカッップ９０）：適量 めっき浴のｐＨ：０ 処理温度：２５℃ 処理時間：１０秒〜５分 電流密度：１Ａ／ｄｍ2 形成されたＣｕめっき被膜の厚さ： ０．３μｍ（実施例２）、０．９μｍ （実施例３）、１．８μｍ（実施例４）、２．４μｍ（実施例５） 酸洗浄工程、カルバニックイニシエーション及び
Ｎｉ−Ｐめっき処理工程は実施例１の場合と同様であ
り、その後の処理及び評価方法も同様である。評価結果
を下記の表１に示している。
同様 酸洗浄工程（２段階） 第１段階 洗浄液：硫酸の濃度が１５ｗｔ％の水溶液 洗浄条件：室温下でＣｕ／Ｗ基材を３０秒浸漬 第２段階 洗浄液：塩酸の濃度が１０ｗｔ％の水溶液 洗浄条件：室温下でＣｕ／Ｗ基材を３０秒浸漬 電解Ｃｕめっき処理工程 めっき浴の組成 硫酸銅：７０ ｇ／リットル 硫酸：１８０ ｇ／リットル Ｃｌ- イオン：８０ ｍｇ／リットル 光沢剤（上村工業製 スルカッップ９０）：適量 めっき浴のｐＨ：０ 処理温度：２５℃ 処理時間：１０秒〜５分 電流密度：１Ａ／ｄｍ2 形成されたＣｕめっき被膜の厚さ： ０．３μｍ（実施例２）、０．９μｍ （実施例３）、１．８μｍ（実施例４）、２．４μｍ（実施例５） 酸洗浄工程、カルバニックイニシエーション及び
Ｎｉ−Ｐめっき処理工程は実施例１の場合と同様であ
り、その後の処理及び評価方法も同様である。評価結果
を下記の表１に示している。
【００３８】［比較例１］本比較例においては、従来の
技術に記載した方法と同様の方法によりＣｕ／Ｗ基材に
めっき処理を施した。以下に処理条件を記載する。
技術に記載した方法と同様の方法によりＣｕ／Ｗ基材に
めっき処理を施した。以下に処理条件を記載する。
【００３９】Ｃｕ／Ｗ基材：実施例１の場合と同様 ベーキング処理 雰囲気：７５ｖｏｌ％及び窒素を２５ｖｏｌ％含有する
還元性ガス雰囲気 処理温度：８００℃ 処理時間：５分間 第１めっき処理工程（ワット浴によるＮｉ電解めっき） めっき浴の主成分 硫酸ニッケル：３００ ｇ／リットル 塩化ニッケル：３０ ｇ／リットル ホウ酸：８０ ｇ／リットル めっき浴のｐＨ：３．８ 処理温度：５５℃ 処理時間：６分 電流密度：１．０ Ａ／ｄｍ2 形成されたＮｉめっき被膜の厚さ：０．７μｍ シンター処理：ベーキング処理の条件と同様 第２めっき処理工程（スルファミン酸浴によるＮｉ電解めっき） めっき浴の主成分 スルファミン酸ニッケル：４４０ ｇ／リットル ＮｉＢｒ2 ：３０ ｇ／リットル ホウ酸：３０ ｇ／リットル めっき浴のｐＨ：３．５ 処理温度：４４℃ 処理時間：２５分 電流密度：１．０ Ａ／ｄｍ2 形成されたＮｉめっき被膜の厚さ：３μｍ 第３めっき処理工程（無電解Ｎｉ−Ｐめっき） めっき浴の組成 塩化ニッケル：３５ ｇ／リットル クエン酸ナトリウム：１０ ｇ／リットル 次亜リン酸ナトリウム：１５ ｇ／リットル 有機鉛化合物：０．００３ ｇ／リットル めっき浴のｐＨ：５．５ 処理温度：９５℃ 処理時間：１〜２５分 形成されたＮｉ−Ｐめっき被膜の厚さ： ３．５μｍ（比較例１） 上記処理の後の放熱用Ｃｕ／Ｗ基板の処理及び評価方法
は実施例１の場合と同様である。評価結果を下記の表１
に示している。
還元性ガス雰囲気 処理温度：８００℃ 処理時間：５分間 第１めっき処理工程（ワット浴によるＮｉ電解めっき） めっき浴の主成分 硫酸ニッケル：３００ ｇ／リットル 塩化ニッケル：３０ ｇ／リットル ホウ酸：８０ ｇ／リットル めっき浴のｐＨ：３．８ 処理温度：５５℃ 処理時間：６分 電流密度：１．０ Ａ／ｄｍ2 形成されたＮｉめっき被膜の厚さ：０．７μｍ シンター処理：ベーキング処理の条件と同様 第２めっき処理工程（スルファミン酸浴によるＮｉ電解めっき） めっき浴の主成分 スルファミン酸ニッケル：４４０ ｇ／リットル ＮｉＢｒ2 ：３０ ｇ／リットル ホウ酸：３０ ｇ／リットル めっき浴のｐＨ：３．５ 処理温度：４４℃ 処理時間：２５分 電流密度：１．０ Ａ／ｄｍ2 形成されたＮｉめっき被膜の厚さ：３μｍ 第３めっき処理工程（無電解Ｎｉ−Ｐめっき） めっき浴の組成 塩化ニッケル：３５ ｇ／リットル クエン酸ナトリウム：１０ ｇ／リットル 次亜リン酸ナトリウム：１５ ｇ／リットル 有機鉛化合物：０．００３ ｇ／リットル めっき浴のｐＨ：５．５ 処理温度：９５℃ 処理時間：１〜２５分 形成されたＮｉ−Ｐめっき被膜の厚さ： ３．５μｍ（比較例１） 上記処理の後の放熱用Ｃｕ／Ｗ基板の処理及び評価方法
は実施例１の場合と同様である。評価結果を下記の表１
に示している。
【００４０】
【表１】
【００４１】上記表１より明らかなように、実施例に係
るＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法によりめっき処理が施
された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板の銀ろう付け特性の良否につ
いては、比較例に係るＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法に
よりめっき処理が施された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板でその特
性が良好なものと同等であり、問題のない銀ろう付け特
性を示している。このように実施例に係るＣｕ／Ｗ基材
のめっき処理方法おいては、大幅に処理工程が簡略化さ
れたにも拘らず、製造された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板の銀ろ
う付け特性は良好であり、前記方法により大幅な製造コ
ストの削減を図ることができる。また、めっき被膜の厚
さの広い範囲にわたって、その銀ろう付け特性が変化し
ないため、めっき処理工程の管理が容易である。
るＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法によりめっき処理が施
された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板の銀ろう付け特性の良否につ
いては、比較例に係るＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法に
よりめっき処理が施された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板でその特
性が良好なものと同等であり、問題のない銀ろう付け特
性を示している。このように実施例に係るＣｕ／Ｗ基材
のめっき処理方法おいては、大幅に処理工程が簡略化さ
れたにも拘らず、製造された放熱用Ｃｕ／Ｗ基板の銀ろ
う付け特性は良好であり、前記方法により大幅な製造コ
ストの削減を図ることができる。また、めっき被膜の厚
さの広い範囲にわたって、その銀ろう付け特性が変化し
ないため、めっき処理工程の管理が容易である。
【図１】放熱用Ｃｕ／Ｗ基板を備えたセラミックパッケ
ージが用いられた半導体装置を模式的に示した斜視図で
ある。
ージが用いられた半導体装置を模式的に示した斜視図で
ある。
１３ 放熱用Ｃｕ／Ｗ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２５Ｄ 3/38 １０１ Ｃ２５Ｄ 3/38 １０１ Ｈ０１Ｌ 23/40 Ｈ０１Ｌ 23/40 Ｆ
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｗの多孔質焼結体に溶融Ｃｕを含浸して
得られるＣｕ／Ｗ基材にめっき処理を施すＣｕ／Ｗ基材
のめっき処理方法において、前記Ｃｕ／Ｗ基材にＣｕめ
っき処理を施すＣｕめっき処理工程、及び該Ｃｕめっき
処理が施されたＣｕ／Ｗ基材に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処
理を施すＮｉ−Ｐめっき処理工程を含んでいることを特
徴とするＣｕ／Ｗ基材のめっき処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299842A JPH09143756A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299842A JPH09143756A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143756A true JPH09143756A (ja) | 1997-06-03 |
Family
ID=17877592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7299842A Pending JPH09143756A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | Ｃｕ／Ｗ基材のめっき処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09143756A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003510846A (ja) * | 1999-09-30 | 2003-03-18 | ラム リサーチ コーポレーション | 銅結線のシード層の処理方法および処理装置 |
| CN103757674A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-30 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种钨铜复合材料的镀镍方法 |
-
1995
- 1995-11-17 JP JP7299842A patent/JPH09143756A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003510846A (ja) * | 1999-09-30 | 2003-03-18 | ラム リサーチ コーポレーション | 銅結線のシード層の処理方法および処理装置 |
| CN103757674A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-30 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种钨铜复合材料的镀镍方法 |
| CN103757674B (zh) * | 2013-12-20 | 2017-01-04 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种钨铜复合材料的镀镍方法 |
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