JPH06184788A - 金および金合金めっき組成物および方法 - Google Patents
金および金合金めっき組成物および方法Info
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- JPH06184788A JPH06184788A JP3045340A JP4534091A JPH06184788A JP H06184788 A JPH06184788 A JP H06184788A JP 3045340 A JP3045340 A JP 3045340A JP 4534091 A JP4534091 A JP 4534091A JP H06184788 A JPH06184788 A JP H06184788A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/48—Electroplating: Baths therefor from solutions of gold
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 めっき速度促進剤の添加によりめっき組成物
の電流密度の拡張,特に高電流密度領域における”焦
げ”を減少または防止させ,光沢めっき膜に対するめっ
き速度を実質的に増加させる。 【構成】 金および金合金めっき組成物において,金イ
オン源;任意成分としての合金化金属イオン源;任意成
分としての該合金化金属イオン用錯化剤;および次の一
般式IAまたはIB:にて表わされる少なくとも一種の
添加化合物から成る組成物を特徴としている。 式中,R1 およびR2 は独立に水素原子もしくはハロゲ
ン原子,またはホルミル,カルバモイル,C1-4 アルキ
ル,アミノ,フエニルもしくはベンジル基を示し,ここ
でのアルキル,フエニルおよびベンジル基は一種もしく
は二種以上の水酸基,アミノ基またはハロゲン原子で任
意に置換されていてもよく,R3 は任意に水酸基で置換
されうるC1-6 アルキレン基であり;Qは−SO2 −ま
たは−CO−を示す。
の電流密度の拡張,特に高電流密度領域における”焦
げ”を減少または防止させ,光沢めっき膜に対するめっ
き速度を実質的に増加させる。 【構成】 金および金合金めっき組成物において,金イ
オン源;任意成分としての合金化金属イオン源;任意成
分としての該合金化金属イオン用錯化剤;および次の一
般式IAまたはIB:にて表わされる少なくとも一種の
添加化合物から成る組成物を特徴としている。 式中,R1 およびR2 は独立に水素原子もしくはハロゲ
ン原子,またはホルミル,カルバモイル,C1-4 アルキ
ル,アミノ,フエニルもしくはベンジル基を示し,ここ
でのアルキル,フエニルおよびベンジル基は一種もしく
は二種以上の水酸基,アミノ基またはハロゲン原子で任
意に置換されていてもよく,R3 は任意に水酸基で置換
されうるC1-6 アルキレン基であり;Qは−SO2 −ま
たは−CO−を示す。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,本発明は金または金合
金めっき組成物ならびにメッキ物品に関する。さらに詳
しくは,本発明はめっき速度促進剤として機能する一種
または二種以上の添加物を含有する金または金合金めっ
き組成物に関するものである。
金めっき組成物ならびにメッキ物品に関する。さらに詳
しくは,本発明はめっき速度促進剤として機能する一種
または二種以上の添加物を含有する金または金合金めっ
き組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】 速度促進剤はめっき組成物のめっき電
流密度範囲を拡張するために好ましく使用され,特に高
電流密度領域における”焦げ”を減少または防止するこ
とにより明色めっき膜のめっき速度を向上させるために
好ましく使用される。金めっきは様々な機能的,装飾的
用途に使用され,めっき硬度は膜中に卑金属合金を混入
させることにより増加できる。典型的な合金化金属には
コバルト,ニッケル,鉄およびナトリウムがある。金合
金めっきに際してはある種の速度促進剤が知られてい
る。
流密度範囲を拡張するために好ましく使用され,特に高
電流密度領域における”焦げ”を減少または防止するこ
とにより明色めっき膜のめっき速度を向上させるために
好ましく使用される。金めっきは様々な機能的,装飾的
用途に使用され,めっき硬度は膜中に卑金属合金を混入
させることにより増加できる。典型的な合金化金属には
コバルト,ニッケル,鉄およびナトリウムがある。金合
金めっきに際してはある種の速度促進剤が知られてい
る。
【0003】米国特許出願第4069113 号にはアルミニウ
ムイオンおよび速度促進剤としてのギ酸を含有する金合
金めっき浴が開示されている。米国特許出願第4615774
号にはクエン酸の使用を避けて、高めっき速度が得られ
る金合金めっき組成物が記載されている。米国特許出願
第4670107 号にはギ酸およびキレート化剤としてのホス
ホン酸を含有する高速金合金めっき組成物が開示されて
いる。米国出願第4744871 号には低分子量のモノおよび
ジカルボン酸の組み合わせを含み,高電流密度での使用
を可能とする金合金組成物が開示されている。米国特許
出願第0150439号には,速度促進化合物としての置換ピ
リジン化合物,特にピリジンカルボン酸,ピリジンスル
ホン酸,ピリジンチオールおよび誘導体,またはキノリ
ン誘導体を含む金合金めっき浴が開示されている。米国
特許出願第3929595 号は,金合金めっき浴中への添加剤
としてピリジン−3−スルホン酸,ピコリンスルホン酸
およびキノリンスルン酸を開示している。米国特許出願
第0188386 号はピリジン−3−スルホン酸に匹敵する速
度促進剤としてピリジンまたはピペラジン誘導体を挙げ
ている。
ムイオンおよび速度促進剤としてのギ酸を含有する金合
金めっき浴が開示されている。米国特許出願第4615774
号にはクエン酸の使用を避けて、高めっき速度が得られ
る金合金めっき組成物が記載されている。米国特許出願
第4670107 号にはギ酸およびキレート化剤としてのホス
ホン酸を含有する高速金合金めっき組成物が開示されて
いる。米国出願第4744871 号には低分子量のモノおよび
ジカルボン酸の組み合わせを含み,高電流密度での使用
を可能とする金合金組成物が開示されている。米国特許
出願第0150439号には,速度促進化合物としての置換ピ
リジン化合物,特にピリジンカルボン酸,ピリジンスル
ホン酸,ピリジンチオールおよび誘導体,またはキノリ
ン誘導体を含む金合金めっき浴が開示されている。米国
特許出願第3929595 号は,金合金めっき浴中への添加剤
としてピリジン−3−スルホン酸,ピコリンスルホン酸
およびキノリンスルン酸を開示している。米国特許出願
第0188386 号はピリジン−3−スルホン酸に匹敵する速
度促進剤としてピリジンまたはピペラジン誘導体を挙げ
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は,これらの先
行技術よりも改良効果に優れた,有効な速度促進剤を含
有する金または金合金めっき組成物の提供を目的とす
る。本発明は,金または金合金めっき組成物中に一種ま
たは二種以上のピリジンまたはイソキノリンベタイン,
例えばピリジン−3−スルホン酸を含有させると優れた
速度促進効果が得られることを見い出し,完成したもの
である。
行技術よりも改良効果に優れた,有効な速度促進剤を含
有する金または金合金めっき組成物の提供を目的とす
る。本発明は,金または金合金めっき組成物中に一種ま
たは二種以上のピリジンまたはイソキノリンベタイン,
例えばピリジン−3−スルホン酸を含有させると優れた
速度促進効果が得られることを見い出し,完成したもの
である。
【0005】
【課題を解決するめの手段】本発明の第一の提案によれ
ば,次の成分を有する金または金合金めっき組成物が提
供される:金イオン源;任意成分としての合金化金属イ
オン源;任意成分としての該合金化金属イオン用錯化
剤;および次の一般式IAまたはIB:
ば,次の成分を有する金または金合金めっき組成物が提
供される:金イオン源;任意成分としての合金化金属イ
オン源;任意成分としての該合金化金属イオン用錯化
剤;および次の一般式IAまたはIB:
【化1】式中,R1 およびR2 は独立に水素原子もしく
はハロゲン原子,またはホルミル,カルバモイル,C
1-4 アルキル,アミノ,フエニルもしくはベンジル基を
示し,ここでのアルキル,フエニルおよびベンジル基は
一種もしくは二種以上の水酸基,アミノ基またはハロゲ
ン原子で任意に置換されていてもよく,R3 は水酸基で
任意に置換されうるC1-6 アルキレン基であり;Qは−
SO2 −または−CO−を示すにて表わされる少なくと
も一種の添加化合物。
はハロゲン原子,またはホルミル,カルバモイル,C
1-4 アルキル,アミノ,フエニルもしくはベンジル基を
示し,ここでのアルキル,フエニルおよびベンジル基は
一種もしくは二種以上の水酸基,アミノ基またはハロゲ
ン原子で任意に置換されていてもよく,R3 は水酸基で
任意に置換されうるC1-6 アルキレン基であり;Qは−
SO2 −または−CO−を示すにて表わされる少なくと
も一種の添加化合物。
【0006】金イオン源としては,例えばアルカリ金属
金(I)シアナイドまたはアンモニウム金(I)シアナ
イドのよな金(I)塩が好ましい。金濃度としては1乃
至30g/l,好ましくは2乃至20g/l,例えば4
乃至12g/lである。
金(I)シアナイドまたはアンモニウム金(I)シアナ
イドのよな金(I)塩が好ましい。金濃度としては1乃
至30g/l,好ましくは2乃至20g/l,例えば4
乃至12g/lである。
【0007】合金化金属の種類は問わないが,典型的に
はニッケル,コバルト,鉄であるが,鉄は脆いめっき膜
を付与する欠点はある。ニッケルは特に改良効果が著し
く最も好ましい合金化金属である。この合金化金属イオ
ン源は浴溶解性,相容性の合金化金属塩であれば種類を
問わない。サルフエートが特に好ましい。合金化金属濃
度は0.05または0.5乃至5g/l,例えば1乃至
3g/lである。
はニッケル,コバルト,鉄であるが,鉄は脆いめっき膜
を付与する欠点はある。ニッケルは特に改良効果が著し
く最も好ましい合金化金属である。この合金化金属イオ
ン源は浴溶解性,相容性の合金化金属塩であれば種類を
問わない。サルフエートが特に好ましい。合金化金属濃
度は0.05または0.5乃至5g/l,例えば1乃至
3g/lである。
【0008】本発明の金合金めっき組成物は,合金化金
属イオンに対する一種または二種以上の錯化剤を含有し
うる。錯化剤の種類は問わず,濃度は適宜に使用でき
る。クエン酸やシュウ酸例えば商品名"DEQUEST" のよう
な弱有機酸が使用できる。一種または二種以上の弱有機
酸を使用すると,これらは同時に該水性めっき浴組成に
対する緩衝剤としても機能する。そこで,合金イオンを
殆ど含有しない純金めっき浴中にも合金化金属を錯化す
る能力を有する化合物が存在していてもよい。この明細
書の記載中では弱有機酸とそのアニオン類は交互に変換
可能な用語として使用するが;含まれる種の性質は浴の
pHに依存する。クエン酸はシユウ酸と同様に有用であ
り,マレイン酸と一緒に使用できる。錯化剤濃度は0.
1M乃至2M,例えば0.2M乃至1.5M,典型的に
は0.5乃至1.1である。
属イオンに対する一種または二種以上の錯化剤を含有し
うる。錯化剤の種類は問わず,濃度は適宜に使用でき
る。クエン酸やシュウ酸例えば商品名"DEQUEST" のよう
な弱有機酸が使用できる。一種または二種以上の弱有機
酸を使用すると,これらは同時に該水性めっき浴組成に
対する緩衝剤としても機能する。そこで,合金イオンを
殆ど含有しない純金めっき浴中にも合金化金属を錯化す
る能力を有する化合物が存在していてもよい。この明細
書の記載中では弱有機酸とそのアニオン類は交互に変換
可能な用語として使用するが;含まれる種の性質は浴の
pHに依存する。クエン酸はシユウ酸と同様に有用であ
り,マレイン酸と一緒に使用できる。錯化剤濃度は0.
1M乃至2M,例えば0.2M乃至1.5M,典型的に
は0.5乃至1.1である。
【0009】添加化合物は上記一般式IAまたはIBで
示されるピリジンベタインまたはイソキノリンベタイン
である。一般式IA(ピリジンベタイン)中の置換基R
1 およびR2 の少なくとも一つが水素であり,かつ一般
式IB(イソキノリンベタイン)中の置換基R1 が水素
であることが好ましい。一般式IAでは,少なくとも一
つのR1 およびR2 はカルバモイルまたは好ましくはホ
ルミル基であることができる。
示されるピリジンベタインまたはイソキノリンベタイン
である。一般式IA(ピリジンベタイン)中の置換基R
1 およびR2 の少なくとも一つが水素であり,かつ一般
式IB(イソキノリンベタイン)中の置換基R1 が水素
であることが好ましい。一般式IAでは,少なくとも一
つのR1 およびR2 はカルバモイルまたは好ましくはホ
ルミル基であることができる。
【0010】好ましくはR3 はC1-4 アルキレン基であ
る。このアルキレン基は例えば2−ヒドロキシプロピル
基のような水酸基置換体であることが特に好ましい。
る。このアルキレン基は例えば2−ヒドロキシプロピル
基のような水酸基置換体であることが特に好ましい。
【0011】QはSO2 を示すので,この添加化合物は
ベタインカルボキシレートよりも寧ろベタインスルホネ
ートのほうが好ましい。最も好ましい化合物を挙げると
次のようであり,いずれも市販されている。1−(3−
スルホプロピル)ピリジニウムベタイン;1−(2−ヒ
ドロキシ−3−スルホプロピル)ピリジニウムベタイ
ン;3−ホルミル−1−(3−スルホプロピル)ピリジ
ニウムベタイン;3−カルバモイル−1−(3−スルホ
プロピル)ピリジニウムベタイン;1−(2−スルホエ
チル)ピリジニウムベタイン;1−(3−スルホプロピ
ル)イソキノリニウムベタイン
ベタインカルボキシレートよりも寧ろベタインスルホネ
ートのほうが好ましい。最も好ましい化合物を挙げると
次のようであり,いずれも市販されている。1−(3−
スルホプロピル)ピリジニウムベタイン;1−(2−ヒ
ドロキシ−3−スルホプロピル)ピリジニウムベタイ
ン;3−ホルミル−1−(3−スルホプロピル)ピリジ
ニウムベタイン;3−カルバモイル−1−(3−スルホ
プロピル)ピリジニウムベタイン;1−(2−スルホエ
チル)ピリジニウムベタイン;1−(3−スルホプロピ
ル)イソキノリニウムベタイン
【0012】この添加化合物濃度は0.05または0.
1乃至10g/l,典型的には0.5乃至5g/l,例
えば3g/lである。
1乃至10g/l,典型的には0.5乃至5g/l,例
えば3g/lである。
【0013】pH調整剤,例えば水酸化カリウムもしく
は他のアルカリ金属水酸化物を添加してもよく,3.2
乃至5.5,好ましくは3.9乃至4.9のpHに調整
する。上記のように,緩衝系を存在させてpHの安定化
を計ってもよく,クエン酸/アルカリ金属クエン酸塩系
がこの目的には有効である。所望であればその他の緩衝
系を存在させてもよい。
は他のアルカリ金属水酸化物を添加してもよく,3.2
乃至5.5,好ましくは3.9乃至4.9のpHに調整
する。上記のように,緩衝系を存在させてpHの安定化
を計ってもよく,クエン酸/アルカリ金属クエン酸塩系
がこの目的には有効である。所望であればその他の緩衝
系を存在させてもよい。
【0014】その他の添加剤は敢えて必要としないが,
光沢,延性,粒子の細かさその他を変性もしくは改良す
る目的の添加剤を加えても差し支えない。これらを添加
する場合には,添加剤が浴中の他の成分と相容性であり
浴の効果や操業に逆効果を及ぼさないようなものである
べきである。
光沢,延性,粒子の細かさその他を変性もしくは改良す
る目的の添加剤を加えても差し支えない。これらを添加
する場合には,添加剤が浴中の他の成分と相容性であり
浴の効果や操業に逆効果を及ぼさないようなものである
べきである。
【0015】本発明の第二の提案によれば,金または金
合金を基質上にめっきするための方法が提供され,該方
法は本発明の第一の提案による水性組成物と基質とを接
触させ,次いでカソードおよびアノード間の溶液中に通
電する方法から成る。
合金を基質上にめっきするための方法が提供され,該方
法は本発明の第一の提案による水性組成物と基質とを接
触させ,次いでカソードおよびアノード間の溶液中に通
電する方法から成る。
【0016】この組成物の操作温度は20乃至80℃,
好ましくは30乃至70℃,例えば35乃至60℃であ
る。
好ましくは30乃至70℃,例えば35乃至60℃であ
る。
【0017】基質と組成物との接触方法は種類を問わな
い。通常は浴中に該基質を浸漬するが,例えばスプレー
法や筆めっき法も場合により採用できる。
い。通常は浴中に該基質を浸漬するが,例えばスプレー
法や筆めっき法も場合により採用できる。
【0018】接触方法の如何に関せず,一般に浴は攪拌
して渦流を作ることが望ましい。攪拌方法は特に限定さ
れないが,採用めっき方法により選択するのが普通であ
る。本発明ではバレルめっき,引っ掛けめっき,制御置
換めっきおよび噴流めっき法が採用できるので,各めっ
き方法において固有の攪拌方式を採用できる。
して渦流を作ることが望ましい。攪拌方法は特に限定さ
れないが,採用めっき方法により選択するのが普通であ
る。本発明ではバレルめっき,引っ掛けめっき,制御置
換めっきおよび噴流めっき法が採用できるので,各めっ
き方法において固有の攪拌方式を採用できる。
【0019】本発明の添加化合物を使用すると,より高
い電流密度,より低い濃度の金,またはこれらの有利な
組み合わせが使用できる。電流密度を最高にすることが
主目的である場合には,バレルめっきでは0.6ASD
以上,引っ掛けめっきでは2または3ASD以上,制御
置換めぅき法では15ASD以上,噴流めっき法では1
00ASDで実施できる。
い電流密度,より低い濃度の金,またはこれらの有利な
組み合わせが使用できる。電流密度を最高にすることが
主目的である場合には,バレルめっきでは0.6ASD
以上,引っ掛けめっきでは2または3ASD以上,制御
置換めぅき法では15ASD以上,噴流めっき法では1
00ASDで実施できる。
【0020】めっき時間は最適の膜厚を達成できる時間
であり,めっき速度に明らかに関係する。逆にめっき速
度は電流密度に関係する。めっき速度10乃至20μm
/分程度は本発明の方法により容易に達成できる。した
がって基質とめっき浴間の接触は数秒例えば2または数
秒乃至数分例えば5乃至10分以上に亙って変更可能で
ある。予定時間めっき後基質を軟水または脱イオン水で
洗浄し,特にシユウ酸を使用した場合にはクエン酸カル
シウム等の好ましくない析出物を取り除くのが望まし
い。
であり,めっき速度に明らかに関係する。逆にめっき速
度は電流密度に関係する。めっき速度10乃至20μm
/分程度は本発明の方法により容易に達成できる。した
がって基質とめっき浴間の接触は数秒例えば2または数
秒乃至数分例えば5乃至10分以上に亙って変更可能で
ある。予定時間めっき後基質を軟水または脱イオン水で
洗浄し,特にシユウ酸を使用した場合にはクエン酸カル
シウム等の好ましくない析出物を取り除くのが望まし
い。
【0021】本発明の第三の提案によれば,上記のよう
な本発明の組成物および方法によりめっきした物品が提
供される。基質上の金または金合金の膜厚は少なくとも
1μmである。本発明はまた電鋳にも応用ができ,その
場合には適当な厚さのめっき膜が生成たら最初の基質は
取り除く。この成形用基質を除いた後にめっきをさらに
継続してもよい。
な本発明の組成物および方法によりめっきした物品が提
供される。基質上の金または金合金の膜厚は少なくとも
1μmである。本発明はまた電鋳にも応用ができ,その
場合には適当な厚さのめっき膜が生成たら最初の基質は
取り除く。この成形用基質を除いた後にめっきをさらに
継続してもよい。
【0022】
【実施例】以下,実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが,本発明をこれらの実施例のみに制約するこ
とを目的としたものではない。
説明するが,本発明をこれらの実施例のみに制約するこ
とを目的としたものではない。
【比較例1】次の組成を有する浴を調製した: DL−マレイン酸 95g/l シユウ酸 37.0g/l 金(シアン化金(I)カリウムとして) 8g/l ニッケル(ニッケルサルフエートとして) 1.0g/l 水酸化カリウム pH4.2とする量 蒸留水 1リットルとする量 調製しためっき浴を試験用の渦流式攪拌めっき系中に配
設した。2本の管からめっき液を1リットルのビーカー
中に入れ,ビーカー中にカソードとして浸漬した基質に
向けて管の孔から液を吹き付けた。めっき液は第三の管
から抜き出した。カソードは2本の供給管間に置き,ア
ノードは溶液の流れが阻害されないような位置で供給管
の周辺に置いた。
設した。2本の管からめっき液を1リットルのビーカー
中に入れ,ビーカー中にカソードとして浸漬した基質に
向けて管の孔から液を吹き付けた。めっき液は第三の管
から抜き出した。カソードは2本の供給管間に置き,ア
ノードは溶液の流れが阻害されないような位置で供給管
の周辺に置いた。
【0023】溶液を45℃に維持し,流速2l/分で循
環させた(流速は室温の水で測定)。
環させた(流速は室温の水で測定)。
【0021】この浴は最終電流密度4ASDで操作し
た。厚さ1.5μmで完全光沢の鍍金が1.5μm/分
の速度で得られた。めっき効率は65mg/A.分であ
った。比較のために,この浴を0と評点付けした。この
評点付けの順序は,めっき効率,次いで高電流密度領域
における”焦げ”防止能力の順である。
た。厚さ1.5μmで完全光沢の鍍金が1.5μm/分
の速度で得られた。めっき効率は65mg/A.分であ
った。比較のために,この浴を0と評点付けした。この
評点付けの順序は,めっき効率,次いで高電流密度領域
における”焦げ”防止能力の順である。
【0022】
【実施例1】1−(3−スルホプロピル)ピリジニウム
ベタイン(Raschig GmbH, 社製)を2.0g/lを添加
した以外は比較例1を繰り返した。15ASDにおいて
1.5μm厚さの完全光沢めっき膜が2.7μm/分の
速度で得られ,比較例に較べて優れていることが判明し
た。めっき効率は31mg/A.分であった。4ASD
では1.3μm/分であった。該浴の評点は10であ
る。
ベタイン(Raschig GmbH, 社製)を2.0g/lを添加
した以外は比較例1を繰り返した。15ASDにおいて
1.5μm厚さの完全光沢めっき膜が2.7μm/分の
速度で得られ,比較例に較べて優れていることが判明し
た。めっき効率は31mg/A.分であった。4ASD
では1.3μm/分であった。該浴の評点は10であ
る。
【0023】
【実施例2】1−(3−スルホプロピル)イソキノリン
ベタイン(Raschig 社製)を1.5g/l添加した以外
は比較例1を繰り返した。最高可使電流密度は10AS
Dであり,いずれにおいても膜厚1.5μmの完全光沢
めっきが得られた。最高めっき速度は2.0μm/分で
あった。めっき効率は33mg/A.分であり,評点は
8であった。
ベタイン(Raschig 社製)を1.5g/l添加した以外
は比較例1を繰り返した。最高可使電流密度は10AS
Dであり,いずれにおいても膜厚1.5μmの完全光沢
めっきが得られた。最高めっき速度は2.0μm/分で
あった。めっき効率は33mg/A.分であり,評点は
8であった。
【0024】
【実施例3】3−ホルミル−1−(3−スルホプロピ
ル)ピリジニウムベタイン(Raschig社製)2g/lを
添加した以外は比較例1を繰り返した。最高可使電流密
度は15ASDであり,いずれにおいても膜厚1.5μ
mの完全光沢めっきが得られた。最高めっき速度は2.
0μm/分であった。めっき効率は23mg/A.分で
あり,評点は8であった。
ル)ピリジニウムベタイン(Raschig社製)2g/lを
添加した以外は比較例1を繰り返した。最高可使電流密
度は15ASDであり,いずれにおいても膜厚1.5μ
mの完全光沢めっきが得られた。最高めっき速度は2.
0μm/分であった。めっき効率は23mg/A.分で
あり,評点は8であった。
【0025】
【実施例4】1−(2−ヒドロキシ−3−スルホロピ
ル)ピリジニウムベタイン(BASF社製)2g/lを添加
した以外は比較例1を繰り返した。最高可使電流密度は
11ASDであり,いずれにおいても膜厚1.5μmの
完全光沢めっきが得られた。最高めっき速度は2.5μ
m/分であった。めっき効率は37mg/A.分であ
り,評点は9であった。
ル)ピリジニウムベタイン(BASF社製)2g/lを添加
した以外は比較例1を繰り返した。最高可使電流密度は
11ASDであり,いずれにおいても膜厚1.5μmの
完全光沢めっきが得られた。最高めっき速度は2.5μ
m/分であった。めっき効率は37mg/A.分であ
り,評点は9であった。
【0026】
【実施例5】1−(2−スロホエチル)ピリジニウムベ
タイン(BASF社製)1g/lを添加した以外は比較例1
を繰り返した。最高可使電流密度は12ASDであり,
いずれにおいても膜厚1.5μmの完全光沢めっきが得
られた。最高めっき速度は2.3μm/分であった。め
っき効率は33mg/A.分であり,評点は9であっ
た。
タイン(BASF社製)1g/lを添加した以外は比較例1
を繰り返した。最高可使電流密度は12ASDであり,
いずれにおいても膜厚1.5μmの完全光沢めっきが得
られた。最高めっき速度は2.3μm/分であった。め
っき効率は33mg/A.分であり,評点は9であっ
た。
【0027】
【比較例2】ピリジン−3−スルホン酸(米国特許出願
第3929595号)1g/を添加した以外は比較例1
を繰り返した。最高可使電流密度は7ASDであり,い
ずれにおいても膜厚1.5μmの完全光沢めっきが得ら
れた。最高めっき速度は2.1μm/分であった。めっ
き効率は52mg/A.分であり,評点は6であった。
第3929595号)1g/を添加した以外は比較例1
を繰り返した。最高可使電流密度は7ASDであり,い
ずれにおいても膜厚1.5μmの完全光沢めっきが得ら
れた。最高めっき速度は2.1μm/分であった。めっ
き効率は52mg/A.分であり,評点は6であった。
【0028】
【比較例3】ピリジン−4−エタンスルホン酸1g/を
添加した以外は比較例1を繰り返した。最高使用電流密
度は僅か7ASDであり,いずれにおいても膜厚1.5
μmの完全光沢めっきが得られた。最高めっき速度は
2.0μm/分であった。めっき効率は52mg/A.
分であり,評点は6であった。
添加した以外は比較例1を繰り返した。最高使用電流密
度は僅か7ASDであり,いずれにおいても膜厚1.5
μmの完全光沢めっきが得られた。最高めっき速度は
2.0μm/分であった。めっき効率は52mg/A.
分であり,評点は6であった。
【0029】
【比較例4】次の組成を有する浴を調製した: クエン酸カリウム 50g/l クエン酸 70g/l シュウ酸カリウム 50g/l ニッケル(ニッケルサルフエートとして)1.0g/l 金(シアン化金(I)カリウムとして) 8g/l 水酸化カリウム pH4.2とする量 蒸留水 1リットルとする量 比較例1と同じ条件で基質をめっきした。最高可使電流
密度は4ASDであり,膜厚1.5μmの焦げ膜が得ら
れ,最高めっき速度は1.8μm/分であった。めっき
効率は80mg/A.分であり,評点は0であった。
密度は4ASDであり,膜厚1.5μmの焦げ膜が得ら
れ,最高めっき速度は1.8μm/分であった。めっき
効率は80mg/A.分であり,評点は0であった。
【0030】
【実施例6】1−(3−スルホプロピル)ピリジニウム
ベタイン(Raschig 社製)7g/を添加した以外は比較
例1を繰り返した。最高可使電流密度は10ASDであ
り,いずれにおいても膜厚1.5μmの完全光沢めっき
が得られた。最高めっき速度は2.3μm/分であっ
た。めっき効率は40mg/A.分であり,評点は9で
あった。
ベタイン(Raschig 社製)7g/を添加した以外は比較
例1を繰り返した。最高可使電流密度は10ASDであ
り,いずれにおいても膜厚1.5μmの完全光沢めっき
が得られた。最高めっき速度は2.3μm/分であっ
た。めっき効率は40mg/A.分であり,評点は9で
あった。
【0031】
【比較例5】次の組成を有する浴を調製した: クエン酸 110g/l クエン酸カリウム 90g/l DEQUEST 2010 50ml/l コバルト(コバルトサルフエートとして)1.0g/l 金(シアン化金(I)カリウムとして) 8g/l 水酸化カリウム pH4.0とする量 蒸留水 1リットルとする量 比較例1と同じ条件で基質をめっきした。最高可使電流
密度は8ASDであり,いずれにおいても膜厚1.5u
m,最高めっき速度は2.3um/分であった。めっき
効率は50mg/A.分であり,評点は6であった。
密度は8ASDであり,いずれにおいても膜厚1.5u
m,最高めっき速度は2.3um/分であった。めっき
効率は50mg/A.分であり,評点は6であった。
【0032】
【実施例7】1−(3−スルホプロピル)ピリジニウム
ベタイン(Raschig 社製)1g/を添加した以外は比較
例1を繰り返した。最高可使電流密度は13ASDであ
り,いずれにおいても膜厚1.5μmの完全光沢めっき
が得られた。最高めっき速度は3.0μm/分であっ
た。めっき効率は41mg/A.分であり,評点は10
であった。
ベタイン(Raschig 社製)1g/を添加した以外は比較
例1を繰り返した。最高可使電流密度は13ASDであ
り,いずれにおいても膜厚1.5μmの完全光沢めっき
が得られた。最高めっき速度は3.0μm/分であっ
た。めっき効率は41mg/A.分であり,評点は10
であった。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成3年6月7日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【化1】式中,R1およびR2は独立に水素原子もしく
はハロゲン原子,またはホルミル,カルバモイル,C
1−4アルキル,アミノ,フエニルもしくはベンジル基
を示し,ここでのアルキル,フエニルおよびベンジル基
は一種もしくは二種以上の水酸基,アミノ基またはハロ
ゲン原子で任意に置換されていてもよく,R3は任意に
水酸基で置換されうるC1−6アルキレン基であり;Q
は−SO2−または−CO−を示すにて表わされる少な
くとも一種の添加化合物から成る組成物。
はハロゲン原子,またはホルミル,カルバモイル,C
1−4アルキル,アミノ,フエニルもしくはベンジル基
を示し,ここでのアルキル,フエニルおよびベンジル基
は一種もしくは二種以上の水酸基,アミノ基またはハロ
ゲン原子で任意に置換されていてもよく,R3は任意に
水酸基で置換されうるC1−6アルキレン基であり;Q
は−SO2−または−CO−を示すにて表わされる少な
くとも一種の添加化合物から成る組成物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲラルダス・エー・ソメルス オランダ国5374エヌアール シャイク シ ャンセベック 2 (72)発明者 ヘンリカ・エム・エイチ・ファン・デル・ シュテエン オランダ国5258ティダブリュ,ベルリカム ザンドシュトラアト 36
Claims (20)
- 【請求項1】 金および金合金めっき組成物において,
金イオン源;任意成分としての合金化金属イオン源;任
意成分としての該合金化金属イオン用錯化剤;および次
の一般式IAまたはIB: 【化1】 式中,R1 およびR2 は独立に水素原子もしくはハロゲ
ン原子,またはホルミル,カルバモイル,C1-4 アルキ
ル,アミノ,フエニルもしくはベンジル基を示し,ここ
でのアルキル,フエニルおよびベンジル基は一種もしく
は二種以上の水酸基,アミノ基またはハロゲン原子で任
意に置換されていてもよく,R3 は任意に水酸基で置換
されうるC1-6 アルキレン基であり;Qは−SO2 −ま
たは−CO−を示すにて表わされる少なくとも一種の添
加化合物から成る組成物。 - 【請求項2】 該金イオン源が金(I)塩であることを
特徴とする請求項1の組成物。 - 【請求項3】 金濃度が2乃至20g/lであることを
特徴とする請求項1または2記載の組成物。 - 【請求項4】 該合金化金属イオンがニッケル,コバル
トおよび/または鉄であることを特徴とする請求項1乃
至3のいずれか一つに記載の組成物。 - 【請求項5】 該合金化金属イオンがニッケルであるこ
とを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の
組成物。 - 【請求項6】 該合金化金属イオン源が該合金化金属の
サルフエートであることを特徴とする請求項1乃至5の
いずれか一つに記載の組成物。 - 【請求項7】 該合金化金属濃度が0.05乃至5g/
lであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一
つに記載の組成物。 - 【請求項8】 該錯化剤がクエン酸またはシユウ酸であ
ることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一つに記
載の組成物。 - 【請求項9】 該添加剤濃度が0.05乃至10g/l
であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一つ
に記載の組成物。 - 【請求項10】 一般式IAにおいて置換基R1 および
R2 の少なくとも一つが水素であることを特徴とする請
求項1乃至9のいずれか一つに記載の組成物。 - 【請求項11】 一般式IAにおいて置換基R1 および
R2 の少なくとも一つがカルバモイル基またはホルミル
基であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか
一つに記載の組成物。 - 【請求項12】 一般式IBにおいて置換基R1 が水素
であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一
つに記載の組成物。 - 【請求項13】 置換基R3 がエチレンまたはプロピレ
ンであることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか
一つに記載の組成物。 - 【請求項14】 QがSO2 であることを特徴とする請
求項1乃至13のいずれか一つに記載の組成物。 - 【請求項15】 該添加化合物が次の化合物:1−(3
−スルホプロピル)ピリジニウムベタイン;1−(2−
ヒドロキシ−3−スルホプロピル)ピリジニウムベタイ
ン;3−ホルミル−1−(3−スルホプロピル)ピリジ
ニウムベタイン;3−カルバモイル−1−(3−スルホ
プロピル)ピリジニウムベタイン;1−(2−スルホエ
チル)ピリジニウムベタイン;1−(3−スルホプロピ
ル)イソキノリニウムベタイン,のいずれか一種または
二種以上であることを特徴とする請求項1乃至14のい
ずれか一つに記載の組成物。 - 【請求項16】 pHが3.9乃至4.9であることを
特徴とする請求項1乃至15のいずれか一つに記載の組
成物。 - 【請求項17】 実施例のいずれか一つに記載の組成
物。 - 【請求項18】 基質上に金または金合金めっきを電着
させるための方法において,該基質を請求項1乃至17
記載の水性組成物のいずれか一つに接触させ,カソード
とアノード間の組成物に通電する方法。 - 【請求項19】 操作めっき浴温を30乃至70℃とす
ることを特徴とする請求項17記載の方法。 - 【請求項20】 請求項1乃至17のいずれか一つの組
成物を用いて請求項18または19の方法によりめっき
して成る基質。
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GB9003762.3 | 1990-02-20 | ||
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US7531079B1 (en) | 1998-10-26 | 2009-05-12 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for uniform electropolishing of damascene IC structures by selective agitation |
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CH710184B1 (fr) | 2007-09-21 | 2016-03-31 | Aliprandini Laboratoires G | Procédé d'obtention d'un dépôt d'alliage d'or jaune par galvanoplastie sans utilisation de métaux ou métalloïdes toxiques. |
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EP2312021B1 (fr) | 2009-10-15 | 2020-03-18 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Procédé d'obtention d'un dépôt d'alliage d'or jaune par galvanoplastie sans utilisation de métaux toxiques |
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CN111663158B (zh) * | 2020-06-19 | 2021-08-13 | 深圳市华乐珠宝首饰有限公司 | 一种耐高温无氰硬金的制备方法 |
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