JPS59197595A - ロジウムめつき物の表面処理方法 - Google Patents
ロジウムめつき物の表面処理方法Info
- Publication number
- JPS59197595A JPS59197595A JP6934583A JP6934583A JPS59197595A JP S59197595 A JPS59197595 A JP S59197595A JP 6934583 A JP6934583 A JP 6934583A JP 6934583 A JP6934583 A JP 6934583A JP S59197595 A JPS59197595 A JP S59197595A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rhodium
- plating
- substrate
- chromate treatment
- pinholes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electrochemical Coating By Surface Reaction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
表面処理方法に関する。
ロジウムは化学的にイ夕めで安定であるほか。
硬度も非常に高く耐摩耗性に優れ，しかも色調が明るく
美的外観【優れていることなどから。
美的外観【優れていることなどから。
各種装飾用品等のめっきに広く利用されているが，基材
に対するそのめっきの厚さは一般に０００５〜０５μ・
ｎ程度と非常に薄く形成されるものであるため，多くの
ピンホールが存在しておシ，このため，ロジウムめっき
上に例えば水分や汗等が到着すると，ロジウムめっきと
，金属またはニッケル等のめっきを施した金属や樹脂よ
シなる基材との間で電気化学的な腐食を生じ易ｂという
欠点を有して込る。そこで、通常はこのような腐食発生
を防止するために，ロジウムめっきの前処理として，パ
ラジウムや銀。
に対するそのめっきの厚さは一般に０００５〜０５μ・
ｎ程度と非常に薄く形成されるものであるため，多くの
ピンホールが存在しておシ，このため，ロジウムめっき
上に例えば水分や汗等が到着すると，ロジウムめっきと
，金属またはニッケル等のめっきを施した金属や樹脂よ
シなる基材との間で電気化学的な腐食を生じ易ｂという
欠点を有して込る。そこで、通常はこのような腐食発生
を防止するために，ロジウムめっきの前処理として，パ
ラジウムや銀。
金めつきを施したり，塗料による塗装を施したシするこ
とかなされているが，前者の場合，パラジウム等のめ．
−）きにもピンホールは存在するため満足のいく耐食性
が得られず，そこで前記ピンホールを無くすべくパラジ
ウム等のめっきを厚く行えばコスト的に非常に高くな、
シ，寸だ後者の場合，塗装される塗膜の厚さ制御が困難
であることから，得られるロジウムめっき物の寸法精度
に狂いを生．じ易くなり，このようなものに対して（は
適応ができなｌ等の問題を有している。
とかなされているが，前者の場合，パラジウム等のめ．
−）きにもピンホールは存在するため満足のいく耐食性
が得られず，そこで前記ピンホールを無くすべくパラジ
ウム等のめっきを厚く行えばコスト的に非常に高くな、
シ，寸だ後者の場合，塗装される塗膜の厚さ制御が困難
であることから，得られるロジウムめっき物の寸法精度
に狂いを生．じ易くなり，このようなものに対して（は
適応ができなｌ等の問題を有している。
本発明は前記せる問題を解消すべくなされたものであシ
、その要旨を基材にロジウムめっきを施した後、該ロジ
ウムめっき」二に電気的にクロメート処理を施すことを
特徴とするロジウムめっき物の表面処理方法とするもの
である。
、その要旨を基材にロジウムめっきを施した後、該ロジ
ウムめっき」二に電気的にクロメート処理を施すことを
特徴とするロジウムめっき物の表面処理方法とするもの
である。
本発明におけるロジウムめっき物が何故耐食性に優れて
いるのかについて述べると、以下の様に推察される。
いるのかについて述べると、以下の様に推察される。
即ち、先にも述べたとおシ基材に施されたロジウムめっ
きには多くのピンホールが存在しており、このピンホー
ルが原因となって腐食が起こるのであるが２本発明にお
いてはロジウムめっき上に電気的てクロメート処理を施
すため。
きには多くのピンホールが存在しており、このピンホー
ルが原因となって腐食が起こるのであるが２本発明にお
いてはロジウムめっき上に電気的てクロメート処理を施
すため。
還元されたクロムがロジウムめっきの表面ばかりか、そ
のピノホールの内部奥底にまで電気によって強制的に沈
澱付着し、ピンホールがクロムによって埋められるため
、結果としてロジウムめっき物の耐食性が向上するもの
と思われる。
のピノホールの内部奥底にまで電気によって強制的に沈
澱付着し、ピンホールがクロムによって埋められるため
、結果としてロジウムめっき物の耐食性が向上するもの
と思われる。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明における基材とは、金属もしくは金属や樹脂に湿
式、乾式の手段によシ金属の被膜を形成したものよりな
るものであって、これらの基材を従来より公知のロジウ
ムめっき浴に浸漬し、電解法によって基材にロジウムめ
っきを施す。ロジウムめっき浴の具体的組成としては。
式、乾式の手段によシ金属の被膜を形成したものよりな
るものであって、これらの基材を従来より公知のロジウ
ムめっき浴に浸漬し、電解法によって基材にロジウムめ
っきを施す。ロジウムめっき浴の具体的組成としては。
硫酸塩また１ｄリン酸塩としての金属ロジウムおよび硫
酸またはリン酸よシ成るもの等が挙げられる。尚２本発
明においては、必要に応じてロジウムめっきの前処理と
して、従来よシ知られているパラジウムや銀、金めつき
等を施すことにより、得られるロジウムめっき物の耐食
性をよシ向上させんとしてもよい。
酸またはリン酸よシ成るもの等が挙げられる。尚２本発
明においては、必要に応じてロジウムめっきの前処理と
して、従来よシ知られているパラジウムや銀、金めつき
等を施すことにより、得られるロジウムめっき物の耐食
性をよシ向上させんとしてもよい。
ロジウムめっきが施された基材は１、次いで電気的だク
ロメート処理が施される。クロメート処理に周込られる
液組成はクロム酸および／またけクロム酸塩を主成分と
するものであって。
ロメート処理が施される。クロメート処理に周込られる
液組成はクロム酸および／またけクロム酸塩を主成分と
するものであって。
その濃度は１〜５００ ？／ノ程度が好ましく、捷だｐ
Ｈ値は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム。
Ｈ値は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム。
硫酸、塩酸、リン酸等によシ１〜７に調整しておくこと
が、得られるロジウムめっき物の耐食性向上という点か
ら好ましい。実際にロジウムめっき上に電気的だクロメ
ート処理を施すに際しては、ロジウムめっきを施した基
材を前記クロメート処理液に浸漬した後、電解を行なえ
ばよい。ここで使用される電源としては、直流、交流お
よび不完全移流があるが、直流での場合ではロジウムめ
っきを施した基材を陰極として陰極電解し、交流の場合
で（・ま対（夕と基拐間に交流を印加して処理し、また
不完全整流の場合では基材をマイナス成分の多い極とし
て処理すれば良い。
が、得られるロジウムめっき物の耐食性向上という点か
ら好ましい。実際にロジウムめっき上に電気的だクロメ
ート処理を施すに際しては、ロジウムめっきを施した基
材を前記クロメート処理液に浸漬した後、電解を行なえ
ばよい。ここで使用される電源としては、直流、交流お
よび不完全移流があるが、直流での場合ではロジウムめ
っきを施した基材を陰極として陰極電解し、交流の場合
で（・ま対（夕と基拐間に交流を印加して処理し、また
不完全整流の場合では基材をマイナス成分の多い極とし
て処理すれば良い。
以下本発明を実施例により説明する。
実施例 １
基拐たる真鍮パイプ（内径０８錆、長さ５ｃｍ。
肉厚ｏ、 ２ ｒｔｖｒｂ ）にロジウムめっき（日本
エンゲルハルト社製ロジウムブレーティングｉＬｉ’−
３）を厚さ０１μｍ施し２次いでこれをクロ酸２０ ｙ
ｉｐ。
エンゲルハルト社製ロジウムブレーティングｉＬｉ’−
３）を厚さ０１μｍ施し２次いでこれをクロ酸２０ ｙ
ｉｐ。
１）ＴＩ４のクロメート処理液に浸漬し、陰極電流密度
０．５ Ａ／ｄｍ： 温度６０℃１時間６分の電解条件
下で電気的にクロメート処理を施し、ロジウムめっき物
を得た。
０．５ Ａ／ｄｍ： 温度６０℃１時間６分の電解条件
下で電気的にクロメート処理を施し、ロジウムめっき物
を得た。
比較例 １
実施例１における電気的にクロメート処理を施すことを
省いた以外は全て実施例１と同様にして、ロジウムめっ
き物を得た。
省いた以外は全て実施例１と同様にして、ロジウムめっ
き物を得た。
実施例
基拐たる真鍮パイプ（実施例１と同様）に前処理として
パラジウムめっき（日本エンゲルハルト社製Ｐｄ００２
）を厚さ１μｍ施し、更にこの上にロジウムめっき（日
本エンゲルハルト社製ロジウムブレーティング液Ｆ−ろ
うを厚さ０１１１ｍＭｆ１（、、次いテコレをりｏ ム
（ｆｌ ２０ ？／Ｊ２− ｐＨ４のクロメート処理液
に浸漬し、陰極電流密度０、５ ｋ／ｄｍ２．温度６０
℃１時間６分の電解条件下で電気的にクロメート処理を
施し、ロジウムめっき物を得た。
パラジウムめっき（日本エンゲルハルト社製Ｐｄ００２
）を厚さ１μｍ施し、更にこの上にロジウムめっき（日
本エンゲルハルト社製ロジウムブレーティング液Ｆ−ろ
うを厚さ０１１１ｍＭｆ１（、、次いテコレをりｏ ム
（ｆｌ ２０ ？／Ｊ２− ｐＨ４のクロメート処理液
に浸漬し、陰極電流密度０、５ ｋ／ｄｍ２．温度６０
℃１時間６分の電解条件下で電気的にクロメート処理を
施し、ロジウムめっき物を得た。
比較例 ２
実施例２における電気的にクロメート処理を施すことを
省いた以外は全て実施例２と同様にして、ロジウムめっ
き物を得た。
省いた以外は全て実施例２と同様にして、ロジウムめっ
き物を得た。
実施例 ６
暴利たる光沢ニッケルめっきを厚さ６μｍ施した真鍮パ
イプ（実施例１と同様）に前処理きしてパラジウムめっ
き（日本エンゲルノｈルド社裂ＰｄＯ’０２）を厚さ３
μ？ｎ施し、更にこの上にロジウムめっき（日本エンゲ
ルノ・ルド社製ロジウムブレーティング液Ｆ−３）を厚
さ０１μｍ施し１次−でこれをクロム酸２０１１Ｊ２．
ＰＨ４のクロメート処理液に浸漬し、陰極電流密度
０．５ Ａ／ｄｍ２１温度６０°Ｃ２時間６分の電解条
件下で電気的にクロメート処理を施し、ロジウムめっき
物を得た。
イプ（実施例１と同様）に前処理きしてパラジウムめっ
き（日本エンゲルノｈルド社裂ＰｄＯ’０２）を厚さ３
μ？ｎ施し、更にこの上にロジウムめっき（日本エンゲ
ルノ・ルド社製ロジウムブレーティング液Ｆ−３）を厚
さ０１μｍ施し１次−でこれをクロム酸２０１１Ｊ２．
ＰＨ４のクロメート処理液に浸漬し、陰極電流密度
０．５ Ａ／ｄｍ２１温度６０°Ｃ２時間６分の電解条
件下で電気的にクロメート処理を施し、ロジウムめっき
物を得た。
比較例 ろ
実施例５における電気的にクロメート処理を施すことを
省いた以外は全て実施例６と同様にして、ロジウムめっ
き物を得た。
省いた以外は全て実施例６と同様にして、ロジウムめっ
き物を得た。
以上実施例１〜３．比較例１〜３で得られたロジウムめ
っき物について耐食性試験を行なった結果を表−１に示
す。
っき物について耐食性試験を行なった結果を表−１に示
す。
表−１
（※〕 耐食性試験
ＪＩＳ’Ｚ２３７１に準じた。また結果における数値は
ＪＩＳ Ｄ ０２０１のキャス試験におけるＲｎ値 （
レーティングナンバー）を相当させた。
ＪＩＳ Ｄ ０２０１のキャス試験におけるＲｎ値 （
レーティングナンバー）を相当させた。
以上述べた如く２本発明にょシ得られるロジウムめっき
物は優れた耐食性を示すもので、外観上も見栄えが良く
１時計、眼鏡フレーム、装飾品、筆記具等の各種用途に
利用ができるものである。
物は優れた耐食性を示すもので、外観上も見栄えが良く
１時計、眼鏡フレーム、装飾品、筆記具等の各種用途に
利用ができるものである。
特許出願人 ぺんてる株式会社
Claims (1)
- 基材にロジウムめっきを施した後、該ロジウムめっき上
に電気的にクロメート処理を施すことを特徴とするロジ
ウムめっき物の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6934583A JPS59197595A (ja) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | ロジウムめつき物の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6934583A JPS59197595A (ja) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | ロジウムめつき物の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59197595A true JPS59197595A (ja) | 1984-11-09 |
Family
ID=13399860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6934583A Pending JPS59197595A (ja) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | ロジウムめつき物の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59197595A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650338A (en) * | 1991-08-26 | 1997-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming thin film transistor |
| WO2006122914A2 (fr) * | 2005-05-13 | 2006-11-23 | Urodelia | Medicament notamment anti-cancereux, destine a des traitements par immunotherapie, en particulier autologue |
-
1983
- 1983-04-20 JP JP6934583A patent/JPS59197595A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650338A (en) * | 1991-08-26 | 1997-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming thin film transistor |
| WO2006122914A2 (fr) * | 2005-05-13 | 2006-11-23 | Urodelia | Medicament notamment anti-cancereux, destine a des traitements par immunotherapie, en particulier autologue |
| WO2006122914A3 (fr) * | 2005-05-13 | 2007-03-22 | Urodelia | Medicament notamment anti-cancereux, destine a des traitements par immunotherapie, en particulier autologue |
| US9326942B2 (en) | 2005-05-13 | 2016-05-03 | Urodelia | Medicament, particularly an anti-cancer medicament, for treatment using immunotherapy, particularly autologous |
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