JP2000124268A - 半導体装置用テープキャリア - Google Patents

半導体装置用テープキャリア

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JP2000124268A JP10289247A JP28924798A JP2000124268A JP 2000124268 A JP2000124268 A JP 2000124268A JP 10289247 A JP10289247 A JP 10289247A JP 28924798 A JP28924798 A JP 28924798A JP 2000124268 A JP2000124268 A JP 2000124268A
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久則 秋野
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聡 珍田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】金ワイヤによるワイヤボンディング性に優れた
半導体装置用テープキャリアを提供すること。 【解決手段】ポリイミドフィルム上に施された銅箔の導
体パターン上に下地層としてニッケルめっき層を形成
し、ニッケルめっき下地層の上層として金めっき層を形
成した半導体装置用テープキャリアにおいて、上記２層
の中間にニッケル−ボロンめっき、ニッケル−リンめっ
き、ロジウムめっき、クロムめっきのいずれか一つを設
けた半導体装置用テープキャリア。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を構成
するための精密電子部品として用いられる半導体装置用
テープキャリアの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】テープキャリアを用いて半導体パッケー
ジを構成する方法としては、図３を参照して説明する
と、ポリイミドフィルム１に施された銅箔３の導体パタ
ーン上に下地層としてニッケルめっき層４を形成し、さ
らにニッケルめっき下地層の上層として金めっき層５を
形成した後、金ワイヤ７をテープキャリアのパッド面に
ワイヤボンディングし、ランド面にはんだボールを搭載
するなどして、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレー）型
の半導体パッケージを構成する方法がある。
【０００３】ところで、一般的に金ワイヤボンディング
の際には、パッド面の金めっき上に金ワイヤを超音波加
熱接合する。そのため、剛性の高いリードフレーム材に
はこの方法は適していると考えられるが、テープキャリ
アはリードフレーム材と比較して非常に柔らかく、荷重
や超音波出力はポリイミドに吸収され、めっき膜自体に
は効率よく伝達しない。したがって、テープキャリアは
金ワイヤボンディングを行う材質としては適当でない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のテープキャリア
の構造は、図３に示すように銅箔である導体３の上に下
地層としてニッケルめっき層４を施し、その上層として
金めっき層５を施した構造である。この場合、ニッケ
ル、金の硬さは、それぞれニッケル（Ｈｖ＝２００〜３
００）、金（Ｈｖ＝７０〜１００）というように、とも
にあまり硬い金属ではないため、前述したように、荷重
や超音波出力はポリイミドに吸収され、めっき膜自体に
は効率よく伝わらない。そのため、テープキャリアに金
ワイヤボンディングを施す場合、リードフレーム材に金
ワイヤボンディングを施した場合のピール強度と比べ、
劣ってしまう。
【０００５】したがって、本発明の目的とするところ
は、金ワイヤボンディング性に優れた半導体装置用テー
プキャリアを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、下地層としてニッケルめっき層を、上層
として金めっき層を形成した半導体装置用テープキャリ
アにおいて、これら２層の間に特定の硬質めっき層を施
すことでワイヤボンディング性を向上させたものであ
る。
【０００７】テープキャリアに金ワイヤボンディングを
施した場合にピール強度を得るためには、比較的硬質な
めっき膜を施すことが必要となる。この点においては、
本発明で用いたニッケル−ボロンめっき、ニッケル−リ
ンめっき、ロジウムめっき、クロムめっきは、硬い金属
（Ｈｖ＝４００〜８００）として知られており、ニッケ
ルめっき、金めっきの２層の中間に挟むことで、ボンデ
ィング効率低下の原因である、テープキャリアの柔らか
さを補うことが期待される。
【０００８】
【発明の実施の形態】（実施例１）本発明の実施例に係
るめっきテープキャリアの断面構造を図１に示す。図１
に示すように、脱脂、酸洗後、テープキャリア（銅箔
（３）１８μｍ／接着剤（２）１２μｍ／ポリイミドフ
ィルム（１）５０μｍ）１、２上に電解法により所定の
ニッケルめっき層４を０．５μｍ施し、その上方にニッ
ケル−ボロンめっき６、さらにその上方に金めっき層５
を０．１μｍを施した。ここでニッケル−ボロンめっき
６の厚さを０．０３〜０．２μｍのものを作製した。比
較例１として、脱脂、酸洗の前処理を施した後に、テー
プキャリア１、２上に電解法により所定のニッケルめっ
き層４を０．５μｍ施し、電解法でその上方に金めっき
層５を０．１μｍ施したテープキャリアの断面構造を図
３に示す。上記手法で作製したリードフレームのワイヤ
ボンディング性を評価した。ワイヤボンディング装置は
日立東京エレクトロニクス製、ＷＡ−５００を用いた。
ワイヤボンディング条件はステージ温度：２２０℃、ボ
ンディング荷重は１ｓｔ：１００ｇｆ、２ｎｄ：１００
ｇｆ、超音波出力は１ｓｔ：２５０ｂｉｔ、２ｎｄ：２
５０ｂｉｔ、発振時間は１ｓｔ：１００ｍｓ、２ｎｄ：
５０ｍｓとした。ワイヤボンディング後、金線の破断強
度を測定した。評価結果を第１表に示す。これにより比
較例１に比べ、硬質であるニッケル−ボロンめっき６を
ニッケルめっき層４と金めっき層５の中間に施すこと
で、優れたワイヤボンディング性を示すことが確認され
た。
【０００９】図２は、テープキャリアにＩＣチップ８を
搭載し、金ワイヤ７によりワイヤボンディングして構成
した半導体パッケージの要部を示したものである。
【００１０】実施例１において、ニッケル−ボロンめっ
きの代わりにニッケル−リンめっき、ロジウムめっき、
クロムめっきを施し、実施例１と同様に評価した。その
結果、実施例１同様、熱処理後も優れたワイヤボンディ
ング性を示すことが確認された。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の効果とし
ては、テープキャリアにおいて下地層のニッケルめっき
層、上層の金めっき層の間にニッケル−ボロンめっき、
ニッケル−リンめっき、ロジウムめっき、クロムめっき
層のいずれか一つを施すことにより、金ワイヤピール強
度が大きく向上し、良好なワイヤボンディング性が得ら
れる、半導体装置用テープキャリアを得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るテープキャリアの断面
図である。
【図２】本発明の一実施例に係るテープキャリアを用い
た半導体パッケージの要部断面図である。
【図３】従来のテープキャリアの断面図である。
【符号の説明】
１ ポリイミドフィルム ２ 接着剤 ３ 銅箔 ４ ニッケルめっき層 ５ 金めっき層 ６ ニッケル−ボロンめっき ７ 金ワイヤ ８ ＩＣチップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮本 宣明 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 Ｆターム(参考） 4K024 AA02 AA03 AA11 AA15 BA09 BB11 BB12 GA16 5F044 AA03 FF04

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ポリイミドフィルム上に施された銅箔の導
    体パターン上に下地層としてニッケルめっき層を形成
    し、ニッケルめっき下地層の上層として金めっき層を形
    成した半導体装置用テープキャリアにおいて、上記２層
    の中間にニッケル−ボロンめっき、ニッケル−リンめっ
    き、ロジウムめっき、クロムめっきのいずれか一つを設
    けたことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
  2. 【請求項２】請求項１記載のニッケル−ボロンめっき、
    ニッケル−リンめっき、ロジウムめっき、クロムめっき
    は少なくとも０．０５μｍ以上の厚さを有することを特
    徴とする半導体装置用テープキャリア。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001342593A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Tsuneki Mekki Kogyo Kk 接点部材及びその製造方法
JP2007070730A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 金属デュプレックス及び方法
KR101030032B1 (ko) 2006-09-30 2011-04-20 엘지이노텍 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
CN111041540A (zh) * 2019-12-24 2020-04-21 托伦斯半导体设备启东有限公司 一种半导体硅片耐磨处理工艺

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001342593A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Tsuneki Mekki Kogyo Kk 接点部材及びその製造方法
JP2007070730A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 金属デュプレックス及び方法
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