JP2001168150A - テープキャリア - Google Patents
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- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薄めっき仕様の製品とした場合にも、金ワイヤ
ボンディングをテープキャリア上に施した際に強いピー
ル強度が得られ、良好なワイヤボンディング性の得られ
るテープキャリアを提供すること。 【解決手段】ポリイミド樹脂フィルム１上に施された銅
箔３の導体パターン上に下地層としてニッケルめっき層
４を形成し、ニッケル下地層の上層として金めっき層６
を形成したテープキャリアにおいて、上記ニッケルめっ
き層４と金めっき層６の２層の中間に硬質である金−コ
バルト合金めっき層５を設ける。
ボンディングをテープキャリア上に施した際に強いピー
ル強度が得られ、良好なワイヤボンディング性の得られ
るテープキャリアを提供すること。 【解決手段】ポリイミド樹脂フィルム１上に施された銅
箔３の導体パターン上に下地層としてニッケルめっき層
４を形成し、ニッケル下地層の上層として金めっき層６
を形成したテープキャリアにおいて、上記ニッケルめっ
き層４と金めっき層６の２層の中間に硬質である金−コ
バルト合金めっき層５を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、精密電子部品であ
るテープキャリア、特に半導体素子搭載用配線テープを
作成するのに適したテープキャリアに関するものであ
る。
るテープキャリア、特に半導体素子搭載用配線テープを
作成するのに適したテープキャリアに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のテープキャリアの構造は、図３に
示すようにポリイミド樹脂フィルム１に接着剤層２を介
して貼り合わせた銅箔３から成る導体パターン上に、下
地層としてニッケルめっき層４を施し、その上層として
金めっき層６を施した構造である。
示すようにポリイミド樹脂フィルム１に接着剤層２を介
して貼り合わせた銅箔３から成る導体パターン上に、下
地層としてニッケルめっき層４を施し、その上層として
金めっき層６を施した構造である。
【０００３】このテープキャリアが半導体素子搭載用配
線テープとして用いられる形態を、本発明の実施形態に
係る図２を併用して説明すれば、図に示すように、ポリ
イミド樹脂フィルム１に施された銅箔３の導体パターン
上に、下地層としてニッケルめっき層４を形成し、さら
にニッケル下地層の上層として金めっき層６を形成した
後、金ワイヤ７をテープキャリアのパット面にワイヤボ
ンディングし、ランド面にはんだボールを搭載するなど
して、精密電子部品であるパッケージに加工されるもの
である。
線テープとして用いられる形態を、本発明の実施形態に
係る図２を併用して説明すれば、図に示すように、ポリ
イミド樹脂フィルム１に施された銅箔３の導体パターン
上に、下地層としてニッケルめっき層４を形成し、さら
にニッケル下地層の上層として金めっき層６を形成した
後、金ワイヤ７をテープキャリアのパット面にワイヤボ
ンディングし、ランド面にはんだボールを搭載するなど
して、精密電子部品であるパッケージに加工されるもの
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般的
に金ワイヤボンディングの際には、パット面の金めっき
上に金ワイヤを超音波加熱接合させる。そのため、剛性
の高いフレーム材にはこの方法は適していると考えられ
るが、テープキャリアはリードフレーム材と比較して軟
質材であるため、ボンディング荷重や超音波出力はポリ
イミド樹脂に吸収され、めっき膜自体には効率よく伝達
しない。そのため、テープキャリアに金ワイヤボンディ
ングを行う場合、リードフレーム材に金ワイヤボンディ
ングした場合のワイヤピール強度と比較すると劣ってし
まう。
に金ワイヤボンディングの際には、パット面の金めっき
上に金ワイヤを超音波加熱接合させる。そのため、剛性
の高いフレーム材にはこの方法は適していると考えられ
るが、テープキャリアはリードフレーム材と比較して軟
質材であるため、ボンディング荷重や超音波出力はポリ
イミド樹脂に吸収され、めっき膜自体には効率よく伝達
しない。そのため、テープキャリアに金ワイヤボンディ
ングを行う場合、リードフレーム材に金ワイヤボンディ
ングした場合のワイヤピール強度と比較すると劣ってし
まう。
【０００５】したがって、テープキャリアは金ワイヤボ
ンディングを行う材質としては適していない。一般にこ
のようなテープキャリアにワイヤボンディングする際は
ニッケル、金めっきの厚さが、それぞれニッケル１μｍ
以上、金０．７μｍ以上が好ましいとされている。
ンディングを行う材質としては適していない。一般にこ
のようなテープキャリアにワイヤボンディングする際は
ニッケル、金めっきの厚さが、それぞれニッケル１μｍ
以上、金０．７μｍ以上が好ましいとされている。
【０００６】しかし最近では、低コスト化やはんだボー
ル接合性向上の点から薄めっき仕様の製品の要求が増え
ているために、ボンディング性が不十分であるなどの問
題がある。
ル接合性向上の点から薄めっき仕様の製品の要求が増え
ているために、ボンディング性が不十分であるなどの問
題がある。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、薄めっき仕様の製品とした場合にも、金ワイヤボン
ディングをテープキャリア上に施した際に強いピール強
度が得られ、良好なワイヤボンディング性の得られるテ
ープキャリアを提供することにある。
し、薄めっき仕様の製品とした場合にも、金ワイヤボン
ディングをテープキャリア上に施した際に強いピール強
度が得られ、良好なワイヤボンディング性の得られるテ
ープキャリアを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、テープキ
ャリアに金ワイヤボンディングを行う場合に強いピール
強度を得るためには、最表面の金めっき膜は軟質化し、
下地めっき膜に比較的硬質なめっき膜を施すことが必要
となるとの考えに立ち、金めっきとニッケルめっきの中
間層に硬質の金−コバルト合金を施すことにより、ボン
ディング性の効率低下の原因である、テープキャリアの
軟らかさを補うことを期待するものである。
ャリアに金ワイヤボンディングを行う場合に強いピール
強度を得るためには、最表面の金めっき膜は軟質化し、
下地めっき膜に比較的硬質なめっき膜を施すことが必要
となるとの考えに立ち、金めっきとニッケルめっきの中
間層に硬質の金−コバルト合金を施すことにより、ボン
ディング性の効率低下の原因である、テープキャリアの
軟らかさを補うことを期待するものである。
【０００９】即ち、本発明は、ポリイミド樹脂フィルム
上に施された銅箔の導体パターン上に下地層としてニッ
ケルめっき層を形成し、ニッケル下地層の上層として金
めっき層を形成したテープキャリアにおいて、上記ニッ
ケルめっき層と金めっき層の２層の中間に金−コバルト
合金めっき層を設けたことを特徴とするものである（請
求項１）。
上に施された銅箔の導体パターン上に下地層としてニッ
ケルめっき層を形成し、ニッケル下地層の上層として金
めっき層を形成したテープキャリアにおいて、上記ニッ
ケルめっき層と金めっき層の２層の中間に金−コバルト
合金めっき層を設けたことを特徴とするものである（請
求項１）。
【００１０】本発明において、前記金−コバルト合金め
っき層は少なくとも０．０１μｍ以上の厚さを有する構
成であれば（請求項２）、実用的なボンディング強度を
得る上で十分である。
っき層は少なくとも０．０１μｍ以上の厚さを有する構
成であれば（請求項２）、実用的なボンディング強度を
得る上で十分である。
【００１１】また、この中間に金−コバルト合金めっき
層を設けた構成の下では、薄めっき仕様の要請に従い、
前記ニッケルめっき層を１μｍ未満の厚さで設けてもよ
く（請求項３）、或いは、前記金めっき層を０．７μｍ
未満の厚さで設けてもよく（請求項４）、それぞれ十分
に上記ボンディング性の向上を図ることができる。
層を設けた構成の下では、薄めっき仕様の要請に従い、
前記ニッケルめっき層を１μｍ未満の厚さで設けてもよ
く（請求項３）、或いは、前記金めっき層を０．７μｍ
未満の厚さで設けてもよく（請求項４）、それぞれ十分
に上記ボンディング性の向上を図ることができる。
【００１２】最も実用的な薄めっき仕様の製品として
は、前記金めっき層が０．５μｍ、前記ニッケルめっき
層が０．５μｍ、前記金−コバルト合金めっき層が０．
０１μｍ以上、０．２μｍ以下の厚さを有する構成とす
る。
は、前記金めっき層が０．５μｍ、前記ニッケルめっき
層が０．５μｍ、前記金−コバルト合金めっき層が０．
０１μｍ以上、０．２μｍ以下の厚さを有する構成とす
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１４】図１は、半導体素子搭載用配線テープとし
て用いられるテープキャリアの構成を示したもので、ポ
リイミド樹脂フィルム１に接着剤層２を介して貼り合わ
せた銅箔３の導体パターン上に、下地層としてニッケル
めっき層４を形成し、さらにニッケル下地層の上層とし
て金めっき層６を形成したテープキャリアにおいて、上
記ニッケルめっき層４と金めっき層６の２層の中間に金
−コバルト合金めっき層５を設けた構成を有する。
て用いられるテープキャリアの構成を示したもので、ポ
リイミド樹脂フィルム１に接着剤層２を介して貼り合わ
せた銅箔３の導体パターン上に、下地層としてニッケル
めっき層４を形成し、さらにニッケル下地層の上層とし
て金めっき層６を形成したテープキャリアにおいて、上
記ニッケルめっき層４と金めっき層６の２層の中間に金
−コバルト合金めっき層５を設けた構成を有する。
【００１５】このテープキャリアを半導体素子搭載用配
線テープとして用いて例えばＢＧＡ（Ball Grid Array
）型の半導体装置を構成する際には、図２に示すよう
に、半導体素子であるＩＣチップ８を搭載し、その素子
電極とテープキャリアの配線パターンのパット面とを金
ワイヤ７でワイヤボンディングし、ランド面に半田ボー
ルを搭載するなどして、精密電子部品であるパッケージ
に加工される。
線テープとして用いて例えばＢＧＡ（Ball Grid Array
）型の半導体装置を構成する際には、図２に示すよう
に、半導体素子であるＩＣチップ８を搭載し、その素子
電極とテープキャリアの配線パターンのパット面とを金
ワイヤ７でワイヤボンディングし、ランド面に半田ボー
ルを搭載するなどして、精密電子部品であるパッケージ
に加工される。
【００１６】従来技術においては前述のボンディング性
が不十分であるという問題点は、テープキャリアが金ワ
イヤボンディングを施す材質としては非常に軟らかく、
荷重や超音波出力がテープに吸収されてしまい、ボンデ
ィングが効率的によく行われないことに起因するもので
ある。そこで、この問題点を解決すべく、下地層として
ニッケルめっき層４を、上層として金めっき層６を形成
した上記テープキャリアにおいて、これら２層の間に硬
質である金−コバルト合金めっき層５を施すと、これに
よりワイヤボンディング性の向上を図ることができる。
なお、この金−コバルト合金めっき層５のめっき膜の硬
さはＨｖ＝ｌ３０〜１９０であり、純金めっき膜（Ｈｖ
＝６０）に比べて硬い材質である。
が不十分であるという問題点は、テープキャリアが金ワ
イヤボンディングを施す材質としては非常に軟らかく、
荷重や超音波出力がテープに吸収されてしまい、ボンデ
ィングが効率的によく行われないことに起因するもので
ある。そこで、この問題点を解決すべく、下地層として
ニッケルめっき層４を、上層として金めっき層６を形成
した上記テープキャリアにおいて、これら２層の間に硬
質である金−コバルト合金めっき層５を施すと、これに
よりワイヤボンディング性の向上を図ることができる。
なお、この金−コバルト合金めっき層５のめっき膜の硬
さはＨｖ＝ｌ３０〜１９０であり、純金めっき膜（Ｈｖ
＝６０）に比べて硬い材質である。
【００１７】
【実施例】図１に示す断面構造を持つ本発明のめっきテ
ープキャリアを次のようにして作成し、下記表１の実施
例１〜実施例４とした。
ープキャリアを次のようにして作成し、下記表１の実施
例１〜実施例４とした。
【００１８】
【表１】
【００１９】図１に示すように、脱脂、酸洗後、テープ
キャリア（銅箔１８μｍ／接着剤１２μｍ／ポリイミド
樹脂テープ５０μｍ）１、２上に、電解法により所定の
ニッケルめっき層４（表１中の第３層）を、スルファミ
ン酸ニッケルめっき液を用い、電流密度２Ａ／dm2 （平
方デシメ−トル当りの電流）、処理時間１３５ｓ、液温
４５℃、で処理し、０．５μｍ施した。その上方に金ス
トライクめっきをＥＥＪＡ製オーロボンドＴＮを用い、
電流密度０．２Ａ／dm2 、処理時間２０ｓ、液温５０℃
で処理した後、金−コバルト合金めっき層５（表１中の
第２層）をＥＥＪＡ製オートロネクス６０ＧＶを用い、
電流密度１Ａ／dm2 、処理時間を５ｓ、２５ｓ、５０
ｓ、１００ｓとし、液温４５℃で処理し、それぞれ０．
０１μｍ、０．０５μｍ、０．１μｍ、０．２μｍ施し
た後、さらにその上方に金めっき層６（表１中の第１
層）をＥＥＪＡ製テンペレックス８４００を用い、電流
密度０．４Ａ／dm2 、処理時間１３６ｓ、液温６８℃で
０．５μｍ施した。ここで金−コバルト合金めっき層５
の厚さを０．０１μｍ以上とした理由は、これ以下であ
ると、皮膜全体の硬度上昇が期待できないため、ボンデ
ィング強度の低下が懸念されるからである。
キャリア（銅箔１８μｍ／接着剤１２μｍ／ポリイミド
樹脂テープ５０μｍ）１、２上に、電解法により所定の
ニッケルめっき層４（表１中の第３層）を、スルファミ
ン酸ニッケルめっき液を用い、電流密度２Ａ／dm2 （平
方デシメ−トル当りの電流）、処理時間１３５ｓ、液温
４５℃、で処理し、０．５μｍ施した。その上方に金ス
トライクめっきをＥＥＪＡ製オーロボンドＴＮを用い、
電流密度０．２Ａ／dm2 、処理時間２０ｓ、液温５０℃
で処理した後、金−コバルト合金めっき層５（表１中の
第２層）をＥＥＪＡ製オートロネクス６０ＧＶを用い、
電流密度１Ａ／dm2 、処理時間を５ｓ、２５ｓ、５０
ｓ、１００ｓとし、液温４５℃で処理し、それぞれ０．
０１μｍ、０．０５μｍ、０．１μｍ、０．２μｍ施し
た後、さらにその上方に金めっき層６（表１中の第１
層）をＥＥＪＡ製テンペレックス８４００を用い、電流
密度０．４Ａ／dm2 、処理時間１３６ｓ、液温６８℃で
０．５μｍ施した。ここで金−コバルト合金めっき層５
の厚さを０．０１μｍ以上とした理由は、これ以下であ
ると、皮膜全体の硬度上昇が期待できないため、ボンデ
ィング強度の低下が懸念されるからである。
【００２０】比較例１（薄めっき仕様の従来例）とし
て、脱脂、酸洗の前処理を施した後に、テープキャリア
１、２上に、電解法により、実施例１〜４と同じ所定の
ニッケルめっき層４を０．５μｍ施し、さらにその上方
に金めっき層６を０．５μｍ施した。この比較例１のテ
ープキャリアの断面図を図３に示す。
て、脱脂、酸洗の前処理を施した後に、テープキャリア
１、２上に、電解法により、実施例１〜４と同じ所定の
ニッケルめっき層４を０．５μｍ施し、さらにその上方
に金めっき層６を０．５μｍ施した。この比較例１のテ
ープキャリアの断面図を図３に示す。
【００２１】また、比較例２（従来例）として、実施例
１〜４と同様に所定のニッケルめっき層４（表１中の第
３層）を１．５μｍ、その上方に金めっき層６（表１中
の第１層）を０．８μｍ施した。
１〜４と同様に所定のニッケルめっき層４（表１中の第
３層）を１．５μｍ、その上方に金めっき層６（表１中
の第１層）を０．８μｍ施した。
【００２２】次に、上記の手法で作製したテープキャリ
アのワイヤボンディング性を評価した。
アのワイヤボンディング性を評価した。
【００２３】ワイヤボンディング装置は新川製、ＵＴＣ
３００を用いた。ステージ温度は１７５℃、ボンディン
グ荷重は１ｓｔ：７０ｇｆ、２ｎｄ：７０ｇｆ、超音波
出力は１ｓｔ：９０ｂｉｔ、２ｎｄ：９０ｂｉｔ、発振
時間は１ｓｔ：２０ｍｓ、２ｎｄ：２０ｍｓとした。
３００を用いた。ステージ温度は１７５℃、ボンディン
グ荷重は１ｓｔ：７０ｇｆ、２ｎｄ：７０ｇｆ、超音波
出力は１ｓｔ：９０ｂｉｔ、２ｎｄ：９０ｂｉｔ、発振
時間は１ｓｔ：２０ｍｓ、２ｎｄ：２０ｍｓとした。
【００２４】ワイヤピール強度の測定はワイヤの１ｓｔ
側を切断し、２ｎｄ側の強度を測定した。これは、チッ
プ側に１ｓｔボンディング、ＴＡＢテープ側（めっき表
面）に２ｎｄボンディングされるためである。ワイヤボ
ンディングを行った後、２ｎｄ部にダメージを与えない
ように１ｓｔ側を切断する。その後、クランプを２ｎｄ
側に移し、垂直方向に引き上げ強度を測定する方法であ
る。
側を切断し、２ｎｄ側の強度を測定した。これは、チッ
プ側に１ｓｔボンディング、ＴＡＢテープ側（めっき表
面）に２ｎｄボンディングされるためである。ワイヤボ
ンディングを行った後、２ｎｄ部にダメージを与えない
ように１ｓｔ側を切断する。その後、クランプを２ｎｄ
側に移し、垂直方向に引き上げ強度を測定する方法であ
る。
【００２５】ピール試験では平均値、最大値、最小値の
他に、Ｃｐｋ（工程能力指数）を求めた。評価結果を表
１に示す。
他に、Ｃｐｋ（工程能力指数）を求めた。評価結果を表
１に示す。
【００２６】表１から判るように、比較例２の場合、つ
まり金−コバルト合金めっき層５（表１中の第２層）が
存在せず、かつ、ニッケルめっき層４（表１中の第３
層）が１μｍ以上で、金めっき層６（表１中の第１層）
が０．７μｍ以上である比較的厚いめっき仕様の従来品
の場合では、ボンディング強度が平均値で５．２ｇｆと
比較的大きい。しかし、比較例１に示すように、金−コ
バルト合金めっき層５（表１中の第２層）を設けないま
ま、ニッケルめっき層４（表１中の第３層）を１μｍ未
満の０．５μｍとし、金めっき層６（表１中の第１層）
を０．７μｍ未満の０．５μｍとして、比較的薄めっき
仕様の製品とした場合には、ボンディング強度が平均値
で４．０ｇｆと低下する。
まり金−コバルト合金めっき層５（表１中の第２層）が
存在せず、かつ、ニッケルめっき層４（表１中の第３
層）が１μｍ以上で、金めっき層６（表１中の第１層）
が０．７μｍ以上である比較的厚いめっき仕様の従来品
の場合では、ボンディング強度が平均値で５．２ｇｆと
比較的大きい。しかし、比較例１に示すように、金−コ
バルト合金めっき層５（表１中の第２層）を設けないま
ま、ニッケルめっき層４（表１中の第３層）を１μｍ未
満の０．５μｍとし、金めっき層６（表１中の第１層）
を０．７μｍ未満の０．５μｍとして、比較的薄めっき
仕様の製品とした場合には、ボンディング強度が平均値
で４．０ｇｆと低下する。
【００２７】これに対し、本発明の実施例１〜４のよう
に、金−コバルト合金めっき層５（表１中の第２層）を
０．０１μｍ〜０．２μｍの厚さで設けた場合には、ニ
ッケルめっき層４（表１中の第３層）を１μｍ未満の
０．５μｍとし、金めっき層６（表１中の第１層）を
０．７μｍ未満の０．５μｍとして、比較的薄めっき仕
様の製品とした場合でありながら、平均値で４．３ｇｆ
〜５．３ｇｆのボンディング強度を得ることができるこ
とが判る。
に、金−コバルト合金めっき層５（表１中の第２層）を
０．０１μｍ〜０．２μｍの厚さで設けた場合には、ニ
ッケルめっき層４（表１中の第３層）を１μｍ未満の
０．５μｍとし、金めっき層６（表１中の第１層）を
０．７μｍ未満の０．５μｍとして、比較的薄めっき仕
様の製品とした場合でありながら、平均値で４．３ｇｆ
〜５．３ｇｆのボンディング強度を得ることができるこ
とが判る。
【００２８】これにより、比較例１に比べ硬質である金
−コバルト合金めっき層５をニッケルめっき層４と金め
っき層６の中間に施すことで、優れたワイヤボンディン
グ性を示すことが確認された。
−コバルト合金めっき層５をニッケルめっき層４と金め
っき層６の中間に施すことで、優れたワイヤボンディン
グ性を示すことが確認された。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
テープキャリアにおいて下地層のニッケルめっき層、上
層の金めっき層の間に金−コバルト合金めっきを施すこ
とで、金ワイヤピール強度を大きく向上させ、良好なワ
イヤボンディング性を得ることができる。また本発明に
よれば、金及びニッケルめっきの薄めっき化を図ること
ができ、生産性の向上、低コスト化を図ることができ
る。
テープキャリアにおいて下地層のニッケルめっき層、上
層の金めっき層の間に金−コバルト合金めっきを施すこ
とで、金ワイヤピール強度を大きく向上させ、良好なワ
イヤボンディング性を得ることができる。また本発明に
よれば、金及びニッケルめっきの薄めっき化を図ること
ができ、生産性の向上、低コスト化を図ることができ
る。
【図１】本発明のテープキャリアの構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明のテープキャリアにＩＣチップを搭載し
て半導体装置を構成する組み立て状態を示した図であ
る。
て半導体装置を構成する組み立て状態を示した図であ
る。
【図３】従来のテープキャリアの構造を示す断面図であ
る。
る。
１ ポリイミド樹脂フィルム ２ 接着剤層 ３ 銅箔 ４ ニッケルめっき層 ５ 金−コバルト合金めっき層 ６ 金めっき層 ７ 金ワイヤ ８ ＩＣチップ
Claims (5)
- 【請求項１】ポリイミド樹脂フィルム上に施された銅箔
の導体パターン上に下地層としてニッケルめっき層を形
成し、ニッケル下地層の上層として金めっき層を形成し
たテープキャリアにおいて、上記ニッケルめっき層と金
めっき層の２層の中間に金−コバルト合金めっき層を設
けたことを特徴とするテープキャリア。 - 【請求項２】前記金−コバルト合金めっき層が少なくと
も０．０１μｍ以上の厚さを有することを特徴とする請
求項１記載のテープキャリア。 - 【請求項３】前記ニッケルめっき層が１μｍ未満の厚さ
であることを特徴とする請求項２記載のテープキャリ
ア。 - 【請求項４】前記金めっき層が０．７μｍ未満の厚さで
あることを特徴とする請求項２又は３記載のテープキャ
リア。 - 【請求項５】前記金めっき層が０．５μｍ、前記ニッケ
ルめっき層が０．５μｍ、前記金−コバルト合金めっき
層が０．０１μｍ以上、０．２μｍ以下の厚さを有する
ことを特徴とする請求項１記載のテープキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35267499A JP2001168150A (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35267499A JP2001168150A (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | テープキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168150A true JP2001168150A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=18425673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35267499A Pending JP2001168150A (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | テープキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001168150A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009141180A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置製造用基板とその製造方法 |
-
1999
- 1999-12-13 JP JP35267499A patent/JP2001168150A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009141180A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置製造用基板とその製造方法 |
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