JPH11233546A - 半導体装置用テープキャリア - Google Patents
半導体装置用テープキャリアInfo
- Publication number
- JPH11233546A JPH11233546A JP2888198A JP2888198A JPH11233546A JP H11233546 A JPH11233546 A JP H11233546A JP 2888198 A JP2888198 A JP 2888198A JP 2888198 A JP2888198 A JP 2888198A JP H11233546 A JPH11233546 A JP H11233546A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating layer
- layer
- tape carrier
- rhodium
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップとの間の接続に金ワイヤボンデ
イングを用いても高いピール強度が得られ、良好なワイ
ヤボンディング性を得ることのできるテープキャリアを
提供する。 【解決手段】 ポリイミドフィルム１上に銅箔による導
体パターン層３を形成し、この導体パターン層３上にニ
ッケルめっき層４を形成する。ニッケルめっき層４上に
ロジウムめっき層５を形成し、このロジウムめっき層５
上に上層となる金めっき層６を形成する。ロジウムめっ
き層５を設けたことにより、高いピール強度が得られ、
良好なワイヤボンディング性を得ることができる。
イングを用いても高いピール強度が得られ、良好なワイ
ヤボンディング性を得ることのできるテープキャリアを
提供する。 【解決手段】 ポリイミドフィルム１上に銅箔による導
体パターン層３を形成し、この導体パターン層３上にニ
ッケルめっき層４を形成する。ニッケルめっき層４上に
ロジウムめっき層５を形成し、このロジウムめっき層５
上に上層となる金めっき層６を形成する。ロジウムめっ
き層５を設けたことにより、高いピール強度が得られ、
良好なワイヤボンディング性を得ることができる。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に用い
られる半導体チップと接続して半導体パッケージを構成
するための半導体装置用テープキャリアに関するもので
ある。
られる半導体チップと接続して半導体パッケージを構成
するための半導体装置用テープキャリアに関するもので
ある。
【従来の技術】従来の半導体装置用テープキャリアは、
ポリイミドフィルムに施された銅箔の導体パターン（導
体層）上に下地層としてのニッケルめっき層を形成し、
このニッケルめっき層に上層としての金めっき層を設け
て構成されている。このテープキャリアを用いて半導体
装置を製造するに際しては、金ワイヤをテープキャリア
のパッド面にワイヤボンディングし、ランド面にはんだ
ボールを搭載するなどして、半導体パッケージが形成さ
れる。金ワイヤボンディングは、一般的には、パッド面
上の金めっき層上に金ワイヤを超音波ワイヤボンダによ
り加熱接合することにより行われる。この超音波ボンデ
ィングは、剛性の高いフレーム材には適しているが、フ
レーム材に比べて非常に柔らかい構造のテープキャリア
には適していない。その理由は、超音波ワイヤボンダの
ツールの荷重や超音波加熱接合出力（超音波振動エネル
ギ）がポリイミドフィルムに吸収されてしまい、めっき
層に効率よく伝わらないことにある。したがって、テー
プキャリアは、金ワイヤボンディングを行う材質として
は不適当といえる。図３は従来の半導体装置用テープキ
ャリアの構成を示す。打ち抜き金型等によってデバイス
ホール１０が形成されているポリイミドフィルム１１の
片面には銅箔が接着される。この銅箔にフォトレジスト
塗布からエッチングに至る処理を施し、所定の形状の導
体パターン層１２（導体層）が形成される。この導体パ
ターン層１２上に下地層としてのニッケルめっき層１３
が形成されている。更に、ニッケルめっき層１３には、
上層としての金めっき層１４が形成されている。デバイ
スホール１０に搭載される半導体チップの電極部とデバ
イスホール１０の近傍の導体パターンとがワイヤボンデ
ィングによって接続される。
ポリイミドフィルムに施された銅箔の導体パターン（導
体層）上に下地層としてのニッケルめっき層を形成し、
このニッケルめっき層に上層としての金めっき層を設け
て構成されている。このテープキャリアを用いて半導体
装置を製造するに際しては、金ワイヤをテープキャリア
のパッド面にワイヤボンディングし、ランド面にはんだ
ボールを搭載するなどして、半導体パッケージが形成さ
れる。金ワイヤボンディングは、一般的には、パッド面
上の金めっき層上に金ワイヤを超音波ワイヤボンダによ
り加熱接合することにより行われる。この超音波ボンデ
ィングは、剛性の高いフレーム材には適しているが、フ
レーム材に比べて非常に柔らかい構造のテープキャリア
には適していない。その理由は、超音波ワイヤボンダの
ツールの荷重や超音波加熱接合出力（超音波振動エネル
ギ）がポリイミドフィルムに吸収されてしまい、めっき
層に効率よく伝わらないことにある。したがって、テー
プキャリアは、金ワイヤボンディングを行う材質として
は不適当といえる。図３は従来の半導体装置用テープキ
ャリアの構成を示す。打ち抜き金型等によってデバイス
ホール１０が形成されているポリイミドフィルム１１の
片面には銅箔が接着される。この銅箔にフォトレジスト
塗布からエッチングに至る処理を施し、所定の形状の導
体パターン層１２（導体層）が形成される。この導体パ
ターン層１２上に下地層としてのニッケルめっき層１３
が形成されている。更に、ニッケルめっき層１３には、
上層としての金めっき層１４が形成されている。デバイ
スホール１０に搭載される半導体チップの電極部とデバ
イスホール１０の近傍の導体パターンとがワイヤボンデ
ィングによって接続される。
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置用テープキャリアによると、ニッケル及び金の硬さ
は、ニッケルがＨｖ（ビッカース硬さ）＝２００〜７０
０、金がＨｖ＝７０〜１００で、共にあまり硬い金属で
はないため、ボンディングツールの荷重や超音波出力の
殆どがポリイミドに吸収され、ニッケルめっき層及び金
めっき層には効率よく伝わらない。このため、テープキ
ャリアに金ワイヤボンディングを接続した場合、そのピ
ール（peeled) 強度がフレーム材に金ワイヤボンディン
グを施したときのピール強度に比べて大きく劣ってい
る。したがって、本発明の目的は、半導体チップとの間
の接続に金ワイヤボンデイングを用いても高いピール強
度が得られ、良好なワイヤボンディング性を得ることの
できるテープキャリアを提供することにある。
装置用テープキャリアによると、ニッケル及び金の硬さ
は、ニッケルがＨｖ（ビッカース硬さ）＝２００〜７０
０、金がＨｖ＝７０〜１００で、共にあまり硬い金属で
はないため、ボンディングツールの荷重や超音波出力の
殆どがポリイミドに吸収され、ニッケルめっき層及び金
めっき層には効率よく伝わらない。このため、テープキ
ャリアに金ワイヤボンディングを接続した場合、そのピ
ール（peeled) 強度がフレーム材に金ワイヤボンディン
グを施したときのピール強度に比べて大きく劣ってい
る。したがって、本発明の目的は、半導体チップとの間
の接続に金ワイヤボンデイングを用いても高いピール強
度が得られ、良好なワイヤボンディング性を得ることの
できるテープキャリアを提供することにある。
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、樹脂フィルムの片面に形成された銅箔に
よる導体層と、前記導体層上に形成されたニッケルめっ
き層と、前記ニッケルめっき層上に形成されたロジウム
めっき層と、前記ロジウムめっき層上に形成された金め
っき層と、を有することを特徴とする半導体装置用テー
プキャリアを提供する。
達成するため、樹脂フィルムの片面に形成された銅箔に
よる導体層と、前記導体層上に形成されたニッケルめっ
き層と、前記ニッケルめっき層上に形成されたロジウム
めっき層と、前記ロジウムめっき層上に形成された金め
っき層と、を有することを特徴とする半導体装置用テー
プキャリアを提供する。
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明に係る半導体装置用
テープキャリアを示す。樹脂フィルムとしてのポリイミ
ドフィルム１には、あらかじめ打ち抜き金型等を用いて
半導体チップを実装するためのデバイスホール２が形成
されている。ポリイミドフィルム１の片面には接着剤を
用いて銅箔がラミネートされている。この銅箔にフォト
レジスト塗布、マスク露光、現像、エッチングを順次施
して所定の形状の導体パターン層３（導体層）を形成す
る。この導体パターン層３上に下地層としてのニッケル
（Ｎｉ）めっき層４が形成されている。更に、ニッケル
めっき層４には、ロジウム（Ｒｈ）めっき層５が形成さ
れ、このロジウムめっき層５上に上層としての金めっき
層６が形成されている。図２は図１のテープキャリアに
半導体チップを実装した状態を示す。デバイスホール２
内に半導体チップ７が位置決めされ、その電極部（不図
示）と、これに対応する金めっき層６の内側の導体パタ
ーンとを金ワイヤ８（ボンディングワイヤ）で接続す
る。この金ワイヤ８の接続は、超音波ワイヤボンダを用
いて行われる。ロジウムは硬い金属（Ｈｖ＝８００〜１
０００）として知られており、これをニッケルめっき層
４と金めっき層６の間に介在させることにより、ボンデ
ィング効率の低下原因であるテープキャリアの硬さ不足
を補うことができる。この結果、良好なワイヤボンディ
ング性を得ることができる。次に、ニッケルめっき層
４、ロジウムめっき層５、及び金めっき層６の形成を電
気めっきで施した場合（実施例１）と、無電解めっきで
施した場合（実施例２）について説明する。 （実施例１）電気めっきによる本発明の実施例について
以下に説明する。めっき処理を行ったテープキャリア
は、銅箔１８μｍ、接着剤１２μｍ、ポリイミドテープ
５０μｍの一般的な３層構造である。めっき条件を以下
に示す。まず、銅箔上にニッケルめっきを行った。めっ
き液にはスルファミン酸ニッケル浴を用い、めっき液温
を５５℃、電流密度を５Ａ／ｄｍ2 にし、めっき厚は２
μｍとした。次に、ロジウムめっきを行った。ロジウム
めっき液にはローデックス（ＥＥＪＡ）を用い、めっき
液温を５０℃、電流密度を１．３Ａ／ｄｍ2 とした。そ
して、それぞれの膜厚は、０．０３μｍ、０．０５μ
ｍ、０．１０μｍ、０．２０μｍとした。最後に、金め
っきを行った。金めっき液にはテンペレックス８４００
（ＥＥＪＡ）を用い、めっき液温を７０℃、電流密度を
０．５Ａ／ｄｍ2 とし、膜厚を０．１μｍとした。以上
の条件で製作したテープキャリアの金ワイヤピール強度
を測定した。金ワイヤピール強度の測定方法は、１次
側、２次側ワイヤボンディング後、１次、２次接続の中
央部の金ワイヤを真上方向に引っ張り上げ、ワイヤ剪断
時の値を記録した。測定回数は各々２０回ずつとした。
その評価結果を表１に示す。
を参照して説明する。図１は本発明に係る半導体装置用
テープキャリアを示す。樹脂フィルムとしてのポリイミ
ドフィルム１には、あらかじめ打ち抜き金型等を用いて
半導体チップを実装するためのデバイスホール２が形成
されている。ポリイミドフィルム１の片面には接着剤を
用いて銅箔がラミネートされている。この銅箔にフォト
レジスト塗布、マスク露光、現像、エッチングを順次施
して所定の形状の導体パターン層３（導体層）を形成す
る。この導体パターン層３上に下地層としてのニッケル
（Ｎｉ）めっき層４が形成されている。更に、ニッケル
めっき層４には、ロジウム（Ｒｈ）めっき層５が形成さ
れ、このロジウムめっき層５上に上層としての金めっき
層６が形成されている。図２は図１のテープキャリアに
半導体チップを実装した状態を示す。デバイスホール２
内に半導体チップ７が位置決めされ、その電極部（不図
示）と、これに対応する金めっき層６の内側の導体パタ
ーンとを金ワイヤ８（ボンディングワイヤ）で接続す
る。この金ワイヤ８の接続は、超音波ワイヤボンダを用
いて行われる。ロジウムは硬い金属（Ｈｖ＝８００〜１
０００）として知られており、これをニッケルめっき層
４と金めっき層６の間に介在させることにより、ボンデ
ィング効率の低下原因であるテープキャリアの硬さ不足
を補うことができる。この結果、良好なワイヤボンディ
ング性を得ることができる。次に、ニッケルめっき層
４、ロジウムめっき層５、及び金めっき層６の形成を電
気めっきで施した場合（実施例１）と、無電解めっきで
施した場合（実施例２）について説明する。 （実施例１）電気めっきによる本発明の実施例について
以下に説明する。めっき処理を行ったテープキャリア
は、銅箔１８μｍ、接着剤１２μｍ、ポリイミドテープ
５０μｍの一般的な３層構造である。めっき条件を以下
に示す。まず、銅箔上にニッケルめっきを行った。めっ
き液にはスルファミン酸ニッケル浴を用い、めっき液温
を５５℃、電流密度を５Ａ／ｄｍ2 にし、めっき厚は２
μｍとした。次に、ロジウムめっきを行った。ロジウム
めっき液にはローデックス（ＥＥＪＡ）を用い、めっき
液温を５０℃、電流密度を１．３Ａ／ｄｍ2 とした。そ
して、それぞれの膜厚は、０．０３μｍ、０．０５μ
ｍ、０．１０μｍ、０．２０μｍとした。最後に、金め
っきを行った。金めっき液にはテンペレックス８４００
（ＥＥＪＡ）を用い、めっき液温を７０℃、電流密度を
０．５Ａ／ｄｍ2 とし、膜厚を０．１μｍとした。以上
の条件で製作したテープキャリアの金ワイヤピール強度
を測定した。金ワイヤピール強度の測定方法は、１次
側、２次側ワイヤボンディング後、１次、２次接続の中
央部の金ワイヤを真上方向に引っ張り上げ、ワイヤ剪断
時の値を記録した。測定回数は各々２０回ずつとした。
その評価結果を表１に示す。
【表１】 表１において、実施例(1) はロジウムめっき層５の厚み
を０．０３μｍに、実施例(2) は０．０５μｍに、実施
例(3) は０．１０μｍに、実施例(4) は０．２０μｍに
したときの評価結果である。また、従来例(1) はロジウ
ムめっき層５を設けなかった場合の評価結果であり、参
考例(1) はフレーム材の上に従来例と同じ構造のめっき
層を施した場合の評価結果である。それぞれの測定値に
対し、平均値、最大値、及び最小値を求めた。表１に示
す各実施例から明らかなように、ロジウムめっき層５の
厚さを０．０５μｍ以上にした場合、いずれの層厚にお
いても、従来例(1) に比較して、３．７ｇｆ以上の大き
なピール強度平均値が得られている。また、最大値と最
小値の差も従来例(1) に比べて小さく、安定なピール強
度値が得られることを示している。一方、ロジウムめっ
き層５の厚さを実施例(1) に示すように、０．０３μｍ
にした場合、従来例(1) 並のピール強度値しか得られて
いないことがわかる。このことから、０．０３μｍのめ
っき厚では薄いために、ロジウムの硬さの効果が得られ
ていないものと考えられる。また、ロジウムめっき層５
の厚みを０．０５μｍ以上にした場合のピール強度平均
値は、参考例(1) と比較しても１．２ｇｆ〜２．３ｇｆ
程度低いだけであり、ロジウムめっき層５を下地層のニ
ッケルめっき層４と上層の金めっき層６の間に施すこと
による効果が現れていることがわかる。 （実施例２）次に、無電解めっき法によるテープキャリ
アについて説明する。めっき処理を行ったテープキャリ
アは、電気めっき法の時と同じように、銅箔１８μｍ、
接着剤１２μｍ、ポリイミドテープ５０μｍの一般的な
３層構造とした。この場合のめっき条件は以下の通りで
ある。まず、ニッケルめっきを行った。めっき液にはニ
ムデンＳＸ（上村工業株式会社製）を用い、めっき液温
を９０℃、めっき厚を２μｍとした。次に、ロジウムめ
っきを行った。ロジウムめっき液にはＲＨ−１（奥野製
薬株式会社製）を用い、めっき液温を８０℃とし、めっ
き厚はそれぞれ、０．０３μｍ、０．０５μｍ、０．１
０μｍ、０．２０μｍとした。最後に、金めっきを行っ
た。金めっき液にはＧＯＢＥＬ−２Ｍ（上村工業株式会
社製）を用い、めっき液温を６０°Ｃ、めっき厚を０．
１μｍにした。以上の条件で製作したテープキャリアに
ついて、金ワイヤピール強度を測定し、表２のような結
果を得た。測定方法は電気めっき法の時と同様である。
を０．０３μｍに、実施例(2) は０．０５μｍに、実施
例(3) は０．１０μｍに、実施例(4) は０．２０μｍに
したときの評価結果である。また、従来例(1) はロジウ
ムめっき層５を設けなかった場合の評価結果であり、参
考例(1) はフレーム材の上に従来例と同じ構造のめっき
層を施した場合の評価結果である。それぞれの測定値に
対し、平均値、最大値、及び最小値を求めた。表１に示
す各実施例から明らかなように、ロジウムめっき層５の
厚さを０．０５μｍ以上にした場合、いずれの層厚にお
いても、従来例(1) に比較して、３．７ｇｆ以上の大き
なピール強度平均値が得られている。また、最大値と最
小値の差も従来例(1) に比べて小さく、安定なピール強
度値が得られることを示している。一方、ロジウムめっ
き層５の厚さを実施例(1) に示すように、０．０３μｍ
にした場合、従来例(1) 並のピール強度値しか得られて
いないことがわかる。このことから、０．０３μｍのめ
っき厚では薄いために、ロジウムの硬さの効果が得られ
ていないものと考えられる。また、ロジウムめっき層５
の厚みを０．０５μｍ以上にした場合のピール強度平均
値は、参考例(1) と比較しても１．２ｇｆ〜２．３ｇｆ
程度低いだけであり、ロジウムめっき層５を下地層のニ
ッケルめっき層４と上層の金めっき層６の間に施すこと
による効果が現れていることがわかる。 （実施例２）次に、無電解めっき法によるテープキャリ
アについて説明する。めっき処理を行ったテープキャリ
アは、電気めっき法の時と同じように、銅箔１８μｍ、
接着剤１２μｍ、ポリイミドテープ５０μｍの一般的な
３層構造とした。この場合のめっき条件は以下の通りで
ある。まず、ニッケルめっきを行った。めっき液にはニ
ムデンＳＸ（上村工業株式会社製）を用い、めっき液温
を９０℃、めっき厚を２μｍとした。次に、ロジウムめ
っきを行った。ロジウムめっき液にはＲＨ−１（奥野製
薬株式会社製）を用い、めっき液温を８０℃とし、めっ
き厚はそれぞれ、０．０３μｍ、０．０５μｍ、０．１
０μｍ、０．２０μｍとした。最後に、金めっきを行っ
た。金めっき液にはＧＯＢＥＬ−２Ｍ（上村工業株式会
社製）を用い、めっき液温を６０°Ｃ、めっき厚を０．
１μｍにした。以上の条件で製作したテープキャリアに
ついて、金ワイヤピール強度を測定し、表２のような結
果を得た。測定方法は電気めっき法の時と同様である。
【表２】 表２において、実施例(5) はロジウムめっき層の厚みを
０．０３μｍに、実施例(6) は０．０５μｍに、実施例
(7) は０．１０μｍに、実施例(8) は０．２０μｍにし
た場合の評価結果である。また、従来例(2) はロジウム
めっき層を施さなかった場合、参考例(2) はフレーム材
の上に従来例と同じ構造のめっきを施した場合の評価結
果である。それぞれの測定値に対し、平均値、最大値、
最小値を求めた。表２の各実施例をみると、ロジウムめ
っき層５の厚を０．０５μｍ以上とした場合、いずれの
層厚においても、従来例(2) に比べ、ピール強度は４．
１ｇｆ以上の大きな値を示している。また、最大値と最
小値の差も従来例(2) と比較して小さいため、安定な強
度値が得られている。一方、ロジウムめっき層５の厚さ
を０．０３μｍにした場合、従来例(2) 並のピール強度
値しか得られていないことがわかる。以上のことから、
ロジウムの硬さの効果が得られていない理由は、電気め
っきの時と同様に、０．０３μｍのめっき厚では薄すぎ
るためと考えられる。また、本発明例において、ロジウ
ムめっき層５の厚みを０．０５μｍ以上にした場合の強
度平均値は、参考例(2) の値と比較しても１．１〜１，
３ｇｆ程度低いことが示された。以上のように、電気め
っき法の時とほぼ同様の結果が得られ、無電解めっき法
によるテープキャリアにおいても、ロジウムめっき層５
をニッケルめっき層４と金めっき層６の間に施すことに
よる効果が現れていると考えられる。このように、電気
めっき、無電解めっきの場合に分けて本発明のテープキ
ャリアにおける金ワイヤピール強度の評価を行ってきた
が、どちらの場合においてもニッケルめっき層４、金め
っき層６の間にロジウムめっき層５を施したことによる
ワイヤボンディング性の向上が見られた。ワイヤボンデ
ィング性の向上の要因は、本発明のテープキャリアが硬
質のロジウムめっき層５を有することにより、超音波ツ
ールの荷重や超音波出力が効率良く伝わり、良好な金ワ
イヤボンディングが行われることによるものである。
０．０３μｍに、実施例(6) は０．０５μｍに、実施例
(7) は０．１０μｍに、実施例(8) は０．２０μｍにし
た場合の評価結果である。また、従来例(2) はロジウム
めっき層を施さなかった場合、参考例(2) はフレーム材
の上に従来例と同じ構造のめっきを施した場合の評価結
果である。それぞれの測定値に対し、平均値、最大値、
最小値を求めた。表２の各実施例をみると、ロジウムめ
っき層５の厚を０．０５μｍ以上とした場合、いずれの
層厚においても、従来例(2) に比べ、ピール強度は４．
１ｇｆ以上の大きな値を示している。また、最大値と最
小値の差も従来例(2) と比較して小さいため、安定な強
度値が得られている。一方、ロジウムめっき層５の厚さ
を０．０３μｍにした場合、従来例(2) 並のピール強度
値しか得られていないことがわかる。以上のことから、
ロジウムの硬さの効果が得られていない理由は、電気め
っきの時と同様に、０．０３μｍのめっき厚では薄すぎ
るためと考えられる。また、本発明例において、ロジウ
ムめっき層５の厚みを０．０５μｍ以上にした場合の強
度平均値は、参考例(2) の値と比較しても１．１〜１，
３ｇｆ程度低いことが示された。以上のように、電気め
っき法の時とほぼ同様の結果が得られ、無電解めっき法
によるテープキャリアにおいても、ロジウムめっき層５
をニッケルめっき層４と金めっき層６の間に施すことに
よる効果が現れていると考えられる。このように、電気
めっき、無電解めっきの場合に分けて本発明のテープキ
ャリアにおける金ワイヤピール強度の評価を行ってきた
が、どちらの場合においてもニッケルめっき層４、金め
っき層６の間にロジウムめっき層５を施したことによる
ワイヤボンディング性の向上が見られた。ワイヤボンデ
ィング性の向上の要因は、本発明のテープキャリアが硬
質のロジウムめっき層５を有することにより、超音波ツ
ールの荷重や超音波出力が効率良く伝わり、良好な金ワ
イヤボンディングが行われることによるものである。
【発明の効果】以上より明らかな如く、本発明の半導体
装置用テープキャリアによれば、ニッケルめっき層と金
めっき層の間にロジウムめっき層を設けたため、金ワイ
ヤピール強度が大きく向上し、良好なワイヤボンディン
グ性が得られる。
装置用テープキャリアによれば、ニッケルめっき層と金
めっき層の間にロジウムめっき層を設けたため、金ワイ
ヤピール強度が大きく向上し、良好なワイヤボンディン
グ性が得られる。
【図１】本発明に係る半導体装置用テープキャリアを示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１のテープキャリアに半導体チップを実装し
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図３】従来の半導体装置用テープキャリアの構成を示
す断面図である。
す断面図である。
１ ポリイミドフィルム ２ デバイスホール ３ 導体パターン層 ４ ニッケルめっき層 ５ ロジウムめっき層 ６ 金めっき層 ７ 半導体チップ ８ 金ワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂フィルムの表面に形成された銅箔に
よる導体層と、 前記導体層上に形成されたニッケルめっき層と、 前記ニッケルめっき層上に形成されたロジウムめっき層
と、 前記ロジウムめっき層上に形成された金めっき層と、を
有することを特徴とする半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項２】 前記各めっき層は、電気めっき法または
無電解めっき法を用いて形成したことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項３】 前記ロジウムめっき層は、少なくとも
０．０５μｍ以上の厚さを有することを特徴とする請求
項１記載の半導体装置用テープキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2888198A JPH11233546A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 半導体装置用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2888198A JPH11233546A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 半導体装置用テープキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233546A true JPH11233546A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12260750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2888198A Pending JPH11233546A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 半導体装置用テープキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233546A (ja) |
-
1998
- 1998-02-10 JP JP2888198A patent/JPH11233546A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3781596A (en) | Semiconductor chip carriers and strips thereof | |
| JP2002016181A (ja) | 半導体装置、その製造方法、及び電着フレーム | |
| JPH0982834A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| EP1605738B1 (en) | Method for production of semiconductor package | |
| JP3937993B2 (ja) | 配線板の製造方法 | |
| JP3869849B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6891198B2 (en) | Film carrier tape for mounting an electronic part | |
| JP2010080889A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP2005244033A (ja) | 電極パッケージ及び半導体装置 | |
| JP3618316B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11233546A (ja) | 半導体装置用テープキャリア | |
| JP2002198635A (ja) | 配線板及びその製造方法 | |
| JP2006140392A (ja) | テープキャリア及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000124268A (ja) | 半導体装置用テープキャリア | |
| JPS6350862B2 (ja) | ||
| JP3005841B2 (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム及びその製造方法 | |
| JP2001274202A (ja) | Ｔａｂ用テープおよびｂｇａ構造 | |
| JP2666569B2 (ja) | 半導体搭載用リード付き基板の製造法 | |
| JP2000277570A (ja) | 半導体装置用テープキャリア | |
| JPH05160319A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JPH09172122A (ja) | 半導体搭載用リ−ド付き基板の製造法 | |
| JP2002093981A (ja) | Ｂｃｃ用リードフレーム | |
| JP2000114422A (ja) | 電子部品用パッケージ及びその製造方法 | |
| JP2000031639A (ja) | 両面回路基板の製造方法と両面回路基板 | |
| JPH05136212A (ja) | Ｔａｂ用テープキヤリアの製造方法 |