JP2000114422A

JP2000114422A - 電子部品用パッケージ及びその製造方法

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Publication number: JP2000114422A
Application number: JP29447398A
Authority: JP
Inventors: Hideshi Matsubara; 英志松原
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1998-09-30
Filing date: 1998-09-30
Publication date: 2000-04-21
Anticipated expiration: 2018-09-30
Also published as: JP3512653B2

Abstract

(57)【要約】【課題】パッケージ本体に銅製の放熱部材をロー付け
した後、複数回Ｎｉメッキをかけることで製造されるパ
ッケージで、放熱部材における２回目のＮｉメッキにフ
クレを発生させない。【解決手段】１回目にかけられるニッケルメッキ層３
１の厚さを１．５〜２．５μｍとした。１回目のＮｉメ
ッキ層３１の厚さを１．５μｍ以上と厚くしたため、放
熱部材２１の銅の１回目のＮｉメッキ層３１への拡散が
あっても、その表面に存在するＣｕ−Ｎｉ合金層を少な
くできる。したがって、２回目のＮｉメッキ層３２の密
着性の低下が小さくなり、フクレの発生も防止される。
１回目のＮｉメッキ層３１の厚さの上限を２．５μｍと
したため、同Ｎｉメッキ自体の密着性の低下もない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路素
子等の電子部品の封止に用いられる電子部品用パッケー
ジ（配線基板）に関し、詳しくはセラミックなどからな
るパッケージ本体に、無酸素銅などからなる放熱部材
（ヒートシンク）が接合され、その放熱部材及びこれを
含む金属面にニッケルメッキが複数回かけられてなる電
子部品用パッケージ（以下、単に「パッケージ」ともい
う）に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の電子部品用パッケージは、例え
ばアルミナセラミックなどからなるパッケージ本体（以
下、単に本体ともいう）の底面側に、例えば無酸素銅か
らなる放熱部材がＡｇ−Ｃｕ共晶合金でロー（ろう）付
けされて構成される。このようなパッケージは、放熱部
材のロー付け後、酸化（腐食）防止等のため、本体のボ
ンディングパッド（以下、パッドともいう）などの金属
面（メタライズ面）及び放熱部材の露出面（放熱面）に
ニッケルメッキ（以下、Ｎｉメッキともいう）及び金メ
ッキ（以下、Ａｕメッキともいう）がかけられるのが普
通である。

【０００３】ここにＮｉメッキは、耐蝕性さらにはＡｕ
メッキとの密着性を確保するためにかけられるのである
が、ピンホールの発生を防ぎ耐蝕性を高めるためには、
なるべく厚めにかけるのが好ましく、この種のパッケー
ジ部品では一般に２．５〜７．０μｍの厚さとされるの
が普通である。しかし、このように一度に厚くかける場
合には、メッキ後に発生する内部応力によりパッドなど
をなすメタライズ層が剥離する危険性が高くなること
や、そのＮｉメッキ自体の密着性が低下したり、フクレ
（ブリスター）が発生する危険性が高くなり、パッケー
ジの製品不良を招いてしまう。このため、Ｎｉメッキは
複数回に分けてかけるのが好ましいとされている。

【０００４】そして複数回に分けてかける場合には、耐
蝕性さらには生産効率（メッキ処理時間）やコスト面か
ら、１回のメッキ厚は従来０．５〜１．３μｍの範囲と
されるのがこの種の製品にかかわるメッキ技術における
常識とされていた。そして、このようなメッキ工程では
同メッキの密着性を高めるなどのため、１回目のＮｉメ
ッキの後に、放熱部材のロー付け温度以下で例えば８０
０℃でロー付けした場合には５００〜７００℃で加熱処
理（以下、熱処理ともいう）をし、その後２回目のＮｉ
メッキをかけていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
１回目のＮｉメッキをかけ、その後の加熱処理後にかけ
た２回目のＮｉメッキは、放熱部材において、その１回
目のＮｉメッキ層との密着性が悪くフクレが発生しやす
いといった原因不明の問題があった。こうした問題は、
最終的にその上にＡｕメッキをかけた後の完成品の全数
検査において発見される上、その不良は、従来３０〜５
０％にも達しており、製品歩留まりの著しい低下を招い
ていた。そして、こうした問題は３回に分けてＮｉメッ
キをかけた場合においても同様に発生していた。

【０００６】こうした中、本願発明者らは、２回目のＮ
ｉメッキ後の放熱部材におけるフクレの発生原因につい
て次のように推論した。１回目のＮｉメッキをした後に
熱処理することで放熱部材をなす銅がＮｉメッキ層（以
下、Ｎｉメッキともいう）中に拡散し、そのＮｉメッキ
層の表面にＣｕ−Ｎｉの合金層（以下、Ｃｕ−Ｎｉ合金
層という）が形成される。そしてこのようなＣｕ−Ｎｉ
合金層は、Ａｕメッキの下地としてかけられる２回目の
Ｎｉメッキ層との密着性が悪く、同合金の存在が２回目
のＮｉメッキのフクレの発生原因と考えられる。一方、
放熱部材を成す銅の拡散量は、同じ温度、時間の熱処理
条件下では一定と考えられる。そうとすれば、１回目の
Ｎｉメッキ層の厚さを厚くすれば、１回目のＮｉメッキ
層中に拡散し、その表面に存在する銅の量はその厚さに
対応して稀釈され、或いは減少するはずである。したが
って、１回目のＮｉメッキ層の厚さを所定の範囲に設定
すれば２回目のＮｉメッキ層の密着性の低下を緩和ない
し防止できると考えられる。

【０００７】このような考えに基づき本願発明者らは、
１回目のＮｉメッキ層の厚さを種々変更した試料を多数
作り、これらについて熱処理し、次いで２回目のＮｉメ
ッキを一定厚さかけてフクレの発生状況、つまりはその
密着性を各試料につき徹底的に調べた。その結果、１回
目のＮｉメッキ層の厚さを所定範囲にした場合には、そ
の後熱処理しても、１回目のＮｉメッキによるパッド用
のメタライズ層の剥離や同メッキ自体のフクレの発生を
招くこともなく、放熱部材における２回目のＮｉメッキ
についてもフクレの発生を格段と低減できることを知る
に至った。

【０００８】本発明は、かかる知見に基づいてなされた
もので、その目的とするところは、パッケージ本体に銅
合金からなる放熱部材が接合され、該放熱部材に、Ｎｉ
メッキが複数回かけられてなる電子部品用パッケージに
おいて、１回目のＮｉメッキ層の厚さを適切に設定する
ことで、その後の加熱処理による同メッキの表面に、Ｃ
ｕ−Ｎｉ合金層が存在するのを防ぎ、２回目のＮｉメッ
キの密着性を高めると共にフクレの発生を防止し、製品
歩留まりの向上を図ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、パッケージ本体に銅又は銅合金からなる放熱
部材が接合され、該放熱部材に、ニッケルメッキが複数
回かけられてなる電子部品用パッケージにおいて、１回
目にかけられるニッケルメッキ層の厚さを１．５〜２．
５μｍとしたことを特徴とする。

【００１０】このような電子部品用パッケージは、パッ
ケージ本体に銅又は銅合金（以下、銅合金ともいう）か
らなる放熱部材を接合した後、該放熱部材を含む金属面
に、Ｎｉメッキをかけ、その後、加熱処理して再度Ｎｉ
メッキをかけることで製造される。この際、従来では１
回目のＮｉメッキ層の厚さは、０．５〜１．３μｍであ
ったのに対し、本発明では１回目のＮｉメッキ層の厚さ
が、１．５〜２．５μｍと、従来より厚い。一方、銅合
金製の放熱部材は通常融点が８００℃程度の銀系ローで
ロー付けされるが、この場合には１回目のＮｉメッキの
後に、最高温度が５００〜７００℃で加熱処理が行われ
る。

【００１１】この場合、１回目のＮｉメッキ層の厚さが
従来のように０．５〜１．３μｍと薄いと、その後の熱
処理により放熱部材の銅がそのＮｉメッキ層中に拡散
し、その表面に多くのＣｕ−Ｎｉ合金層を形成してしま
い、２回目のＮｉメッキの密着性を低下させる。これに
対し本発明では１回目のＮｉメッキ層の厚さを１．５μ
ｍ以上と厚くしたため、１回目のＮｉメッキ層への銅の
拡散があっても、その表面に存在するＣｕ−Ｎｉ合金層
を少なくできる。したがって、２回目のＮｉメッキの密
着性の低下が小さくなり、その分、フクレの発生も防止
される。しかも、１回目のＮｉメッキ層の厚さの上限を
２．５μｍとしたため、放熱部材をロー付けした後でＮ
ｉメッキをかけたとしても、同Ｎｉメッキが厚いことに
よるパッケージのボンディングパッド部位などのメタラ
イズ層の剥がれや同Ｎｉメッキ自体の密着性の低下もな
い。

【００１２】なお、放熱部材をなす銅合金が酸化しやす
い無酸素銅などの場合には、予めＮｉメッキをかけてか
ら使用されることが多い。しかし、Ｎｉメッキをかけた
放熱部材をロー付けすると、ロー付け時にその溶融ロー
がロー付け面からダイアタッチ面（半導体集積回路素子
の搭載面）にまでも濡れ広がってその搭載（接合）に支
障を来してしまう。このため放熱部材もこれをロー付け
した後に他のメタライズ部位と同時にＮｉメッキを施す
のが好ましい。

【００１３】本発明において１回目のＮｉメッキ層の厚
さは１．５〜２．５μｍの範囲とすればよいが、より好
ましくは、１．５〜２．０μｍの範囲である。このよう
な範囲、つまり上限厚さを薄くすると、１回目のＮｉメ
ッキ自体のフクレの発生を皆無とできるためである。な
お、２回目以降のＮｉメッキ層の厚さは、そのメッキ自
体による密着性の問題などがない範囲（例えば０．５〜
２．５μｍ）で適宜に設定すればよいが、なるべく１回
目と同一厚さとするのがメッキ作業上好ましい。

【００１４】本発明においてＮｉメッキは、２回に限ら
れず３回以上であってもよいが、メッキ作業効率ないし
生産性からは３回を限度とするのが適切である。因み
に、メッキの密着安定化のためやメッキ層の内部応力の
緩和のため、２回目のＮｉメッキ工程以後もそのメッキ
後ごと加熱処理するのが好ましい。また、メッキはパッ
ケージに応じて電解メッキや無電解メッキでかければよ
い。すなわち、被メッキ（対象）部位が相互に電気的導
通が確保されているようなものでは電解メッキによれば
よいし、電気的に独立した被メッキ（対象）部位がある
ものでは無電解メッキやバレルメッキによればよいな
ど、適宜に実施すればよい。なお本発明におけるＮｉメ
ッキには、Ｎｉ−Ｃｏメッキ、Ｎｉ−Ｂメッキ、Ｎｉ−
Ｐメッキ等のＮｉ合金メッキも含まれる。

【００１５】また、本発明のパッケージの最表面のＮｉ
メッキ層の上には、通常は適宜の厚さ（例えば２．０〜
３．０μｍ）Ａｕメッキがかけられるが、本発明ではこ
のＡｕメッキの有無自体は本質的に関係のないものであ
る。そして、本発明において放熱部材をなす銅又は銅合
金は、放熱性及び導電性の点を考慮し、無酸素銅、タフ
ピッチ銅、りん青銅などの銅又は銅合金から選択され
る。なお、放熱部材の接合には、融点が熱処理の最高温
度より高いロー材を用いればよい。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１を参照
しながら詳細に説明する。図中１は、ヒートスラグ型と
いわれる電子部品用パッケージであって、セラミック製
のパッケージ本体２と放熱部材２１とを主体として次の
ように構成されている。すなわち、セラミック製のパッ
ケージ本体２は、詳しくは図示しないが複数の所定のグ
リーンシートを積層、熱圧着して焼成することにより平
面視、略正方形の枠状に形成されてなるもので、上面に
は電子部品Ｓの電極とワイヤＷでボンディングするため
のボンディングパッドをなすメタライズ層４やリード３
の接続用のメタライズ層４が形成されている。そして、
このメタライズ（金属）層４の上面には、絶縁材から成
る枠状のリング５が同時焼成により形成され、メタライ
ズ（金属）層４を内側と外側に分割すると共に、封止用
の図示しないリッドの封止部を成すように構成されてい
る。

【００１７】また、本体２の中央には、略正方形にて上
下（上面から下面）に貫通（開口）する貫通孔７が形成
されている。なお、本体２の下面８側における貫通孔７
の開口の周縁面には所定の幅でもって図示はしないがタ
ングステンからなるメタライズ層が本体２と同時焼成に
より形成され、その表面にはＮｉメッキ（図示せず）が
施されている。一方、放熱部材２１は本例では無酸素銅
からなり、本体２の貫通孔７の内側面７ａの平面形状よ
り大きい略正方形板状をなす下段部２２と、この上面中
央に一体的に形成された上段部２３とからなる断面凸型
をなしている。なお、上段部２３は、貫通孔７の内側面
７ａの平面形状よりやや小さい略正方形板状をなしてい
る。

【００１８】しかして本例では、本体２の貫通孔７にそ
の下面８側から、放熱部材２１がその上段部２３を隙間
嵌め状態で挿入され、その中央に位置決めされ、下段部
２２の上面（肩面）２４を本体２の下面８側におけるＮ
ｉメッキ付きメタライズ層に、銀ロー（箔）２５を介
し、例えば８００℃に加熱してロー付けにより固着され
ている。そして、放熱部材２１の上段部２３の上面が電
子部品Ｓなどをハンダ付けして搭載するダイアタッチ面
２６をなし、このダイアタッチ面２６と貫通孔７の内側
面７ａの上寄り部位とでダイアタッチキャビティ（凹
所）が形成されている。

【００１９】そして本例では、本体２に放熱部材２１や
リード３をロー付けした後、ボンディングパッドなどを
なすメタライズ層４の表面（金属面）やダイアタッチ面
２６を含む放熱部材２１の表面（露出面）などの金属面
に電解メッキ法によって、２層のニッケルメッキ層３
１，３２がかけられ、その上にＡｕメッキ（層）３３が
かけられている（以下、メッキ層は単にメッキともい
う）。ただし、これらのメッキは、１回目のニッケルメ
ッキ３１が例えば１．５〜２．５μｍの厚さでかけら
れ、次にロー付け温度を超えない範囲で、最高温度が５
００〜７００℃で加熱処理され、そのＮｉメッキ層３１
をメタライズ層４の表面や放熱部材２１の表面に密着さ
せた。そして、２回目のＮｉメッキ３２を例えば０．５
〜１．０μｍの厚さかけ、さらに同様の加熱処理をし、
最後に仕上げメッキとしてＡｕメッキ３３を２．５μｍ
かけたものである。

【００２０】こうして製造された本例のパッケージは、
１回目にかけられたＮｉメッキ層３１の厚さが１．５〜
２．５μｍと厚いため、その後の熱処理で放熱部材（無
酸素銅）２１から同Ｎｉメッキ層３１中に拡散する銅に
よる、同Ｎｉメッキ層３１の表面におけるＣｕ−Ｎｉ合
金層が存在しにくい厚さとされている。したがって、そ
の上に被着形成される２回目のＮｉメッキ層３２の密着
性の低下もなくフクレの発生もないのである。しかも１
回目のＮｉメッキ層３１は２．５μｍ以下と、他の部位
のメタライズ層４を剥離させたり、１回目のＮｉメッキ
層３１自体が放熱部材２１などの表面でフクレを起こす
厚さでもない。これにより、その上にＡｕメッキ３３を
かけてなる製品においても不良の発生が防止され、パッ
ケージ１の製造歩留まりを著しく向上させることができ
る。

【００２１】さて次に、前記形態のパッケージ１の製造
において電解メッキ法により１回目にニッケルメッキを
０．５〜３．０μｍの厚さかけた後、Ｈ₂雰囲気下で最
高温度６００℃で熱処理し、そして、２回目に同Ｎｉメ
ッキを０．５〜３．０μｍの厚さかけた。こうして製造
したパッケージの試料（Ａｕメッキなし）について、２
回目のＮｉメッキ層３２の放熱部材２１における密着性
ないしフクレの発生状況を拡大鏡にて測定、確認した。
結果は、表１に示した通りである。ただし、試料（パッ
ケージ）数は各試料Ｎｏ．とも２０個であり、φ５０μ
ｍ以上のフクレが放熱部材２１における２回目のＮｉメ
ッキ層３２中に１か所でもあったものを「フクレ発生有
り」としてカウントした。

【００２２】

【表１】

【００２３】表１より、試料Ｎｏ．３、つまり１回目の
Ｎｉメッキ層３１の厚さを１．３μｍとしたものでは、
試料Ｎｏ．１，２のようにその厚さを０．５〜１．０μ
ｍとしたものに比べ、フクレの発生割合が１０％と激減
している。とりわけ１回目のＮｉメッキ層３１の厚さを
１．５〜３．０μｍとしたもの（試料Ｎｏ．４〜９）で
はフクレの発生は０であった。

【００２４】次に前記の形態において同様のメッキ法に
よって１回目のＮｉメッキ層３１を厚さ０．５〜３．０
μｍかけた後、Ｈ₂雰囲気下、最高温度６００℃で熱処
理し、そのＮｉメッキ層３１中に放熱部材２１の銅を拡
散させ、同Ｎｉメッキ層３１の表面にＣｕ−Ｎｉ合金層
を形成した試料を製造した。こうして製造した各試料に
ついて、同メッキ層３１の表面の銅含有量（拡散量）を
ＥＤＳ分析によって測定、確認した。結果は表２に示し
た通りである。ただし、ＥＤＳ分析による銅（Ｃｕ）含
有量の分析・測定条件は、分析装置がノーランインスツ
ルメント社製のＴＮ５５０２Ｎで、加速電圧２０ｋＶ、
照射電流１．０×１０^-7ｍＡ、スポット径（分析面積）
φ１．０μｍである。なお、Ｃｕ含有量（原子％）の結
果は、各試料Ｎｏ．について１回目のＮｉメッキ層３１
の厚さ条件ごと３つの試料（パッケージ）とし、その各
々について放熱部材２１の裏面中央のＮｉメッキ層３１
の表面の３点（箇所）を測定し、その９つの測定値の平
均値である。

【００２５】

【表２】

【００２６】この結果から明らかなように、１回目のＮ
ｉメッキ層３１の厚さを厚くするほど、そのＮｉメッキ
層３１の表面に存在するＣｕの量は減少している。な
お、試料Ｎｏ．８０ものがそれより薄い試料Ｎｏ．６，
７のものよりＣｕの拡散量が若干多かった。しかし、１
回目のＮｉメッキ層３１の厚さを１．５μｍ以上とした
試料Ｎｏ．４〜９のものにおいては、試料Ｎｏ．１と２
のものより銅の拡散量が確実に小さく、１０原子ｗｔ％
以下となっている。この結果よりＮｉメッキ層３１が厚
くなる程、拡散した銅がＮｉメッキ層３１の表面に存在
しにくいことがわかる。この結果より、Ｃｕ拡散量を減
少する点からは、メッキ層３１の厚をなるべく厚くする
のが好ましいことが分かる。

【００２７】次に前記形態のパッケージの製造において
１回目のＮｉメッキ層３１を前と同様に電解メッキ法に
よりその厚さが０．５〜３．０μｍの範囲となるように
かけ、Ｈ₂雰囲気下、最高温度５００〜７００℃で熱処
理し、その後、放熱部材２１における１回目のＮｉメッ
キ層３１自体の密着性についてフクレ発生状況を拡大鏡
にて測定し確認した。結果は表３に示した通りである。
ただし、試料数は各試料Ｎｏ．ごと２０個であり、φ５
０μｍ以上のフクレが放熱部材２１のＮｉメッキ層３１
中に１か所でもあったものを「フクレ発生有り」として
カウントした。

【００２８】

【表３】

【００２９】この結果のように１回のＮｉメッキ層３１
の厚さが、０．５〜２．５μｍのもの（試料Ｎｏ．１〜
８）では、フクレの発生率は１０％以下であった。これ
に対して、試料Ｎｏ．９のように、３．０μｍとなるよ
うにかけた場合には、そのＮｉメッキ層３１自体にフク
レが６０％と多く発生した。これより、１回目のＮｉメ
ッキ層３１の厚さは、２．５μｍを超えないようにする
のが好ましく、とくに好ましくは２．０μｍ以下であ
る。以上のことから、１回目のＮｉメッキ層３１の厚さ
は、１．５〜２．５μｍとするのが好ましく、より好ま
しくは１．５〜２．０μｍの範囲である。なお、Ｎｉメ
ッキの全厚さは、パッケージに要求される設計に応じ設
定すればよいし、その全厚さに応じてメッキ回数を決め
ればよい。なお、上記においては電解メッキによる場合
で説明したが、無電解メッキでかける場合でも同様の結
果である。

【００３０】なお前記形態では、パッケージ本体２の上
下に貫通する貫通孔７に、段付き状に形成された放熱部
材２１がその上段部２３をパッケージ本体２の下方から
隙間嵌め状態で挿入されてなる電子部品用パッケージ１
において説明したが、本発明はこのようなパッケージに
限定されるものではない。図２に示したパッケージ４１
のように、本体４２の底面４８に、無酸素銅製の平板状
の放熱部材５１が接合されたものにおいても、その接合
後Ｎｉメッキを複数回かけるものにおいて同様に適用で
き同様の効果がある。なお、図２のものは、中央の凹部
底面がダイアタッチ面４６とされ、ここに電子部品Ｓを
搭載し、本体底面４８に放熱部材５１がロー付けされる
構造を成すものであるが、前記形態におけるパッケージ
と、Ｎｉメッキの構成及びその効果について相違はない
ので詳細な説明は省略する。

【００３１】すなわち本発明はパッケージ本体に銅合金
からなる放熱部材が接合され、該放熱部材を含む金属面
にＮｉメッキが複数回かけられてなる電子部品用パッケ
ージにおいて広く適用できる。もちろんＰＧＡ（ピング
リッドアレイ）、ＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）の各
タイプの配線基板など、プリント基板（外部回路基板）
との接続方式にかかわらず各種の電子部品用パッケージ
において具体化できることは明らかである。また、パッ
ケージ本体は、アルミナセラミック製に限られず、ガラ
スセラミック、ＡｌＮ、ムライト等からなるものでも広
く適用できる。

【００３２】

【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の放熱部材がロー付けされた電子部品用パッケージ及び
その製法によれば次のような効果がある。すなわち、接
合された放熱部材上の１回目のＮｉメッキ層の厚さを
１．５〜２．５μｍとしたことから、加熱処理しても、
そのメッキ自体のフクレもないし、放熱部材におけるそ
のニッケルメッキ層の表面にＣｕ−Ｎｉ合金層の発生を
有効に防止できる。したがって、２回目のニッケルメッ
キのフクレの発生を効果的に防止できる。この結果、こ
の種の電子部品パッケージの製造歩留まりを飛躍的に高
めることができる。

【００３２】しかも、１回目のＮｉメッキ層の厚さの上
限を２．５μｍとしたため、放熱部材をロー付けした後
でＮｉメッキをかけたとしても、同Ｎｉメッキが厚いこ
とによるパッケージのボンディングパッド部位などのメ
タライズ層の剥がれや同Ｎｉメッキ自体の密着性の低下
もない。とりわけ、１回目のＮｉメッキ層の厚さの上限
を２．５μｍとしたものでは、１回目のＮｉメッキ自体
による他の部位のメタライズ層の剥離やそれ自体のフク
レを発生を皆無とできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るパッケージを具体化した実施形態
例の側面断面図。

【図２】パッケージの別の形態を示す側面断面図。

【符号の説明】

１，４１電子部品用パッケージ２，４２パッケージ本体４メタライズ層７貫通孔２１，５１放熱部材３１，３２Ｎｉメッキ層３３Ａｕメッキ層Ｓ電子部品

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パッケージ本体に銅又は銅合金からなる
放熱部材が接合され、該放熱部材に、ニッケルメッキが
複数回かけられてなる電子部品用パッケージにおいて、
１回目にかけられるニッケルメッキ層の厚さを１．５〜
２．５μｍとしたことを特徴とする電子部品用パッケー
ジ。
【請求項２】パッケージ本体に銅又は銅合金からなる
放熱部材が接合され、該放熱部材に、ニッケルメッキが
複数回かけられてなる電子部品用パッケージにおいて、
１回目にかけられるニッケルメッキ層の厚さを１．５〜
２．０μｍとしたことを特徴とする電子部品用パッケー
ジ。
【請求項３】パッケージ本体に銅又は銅合金からなる
放熱部材を接合した後、該放熱部材を含む金属面に、ニ
ッケルメッキをかけ、その後、加熱処理して再度ニッケ
ルメッキをかけることで電子部品用パッケージを製造す
る方法において、１回目にかけるニッケルメッキ層の厚
さを１．５〜２．５μｍとしたことを特徴とする電子部
品用パッケージの製造方法。
【請求項４】パッケージ本体に銅又は銅合金からなる
放熱部材を接合した後、該放熱部材を含む金属面に、ニ
ッケルメッキをかけ、その後、加熱処理して再度ニッケ
ルメッキをかけることで電子部品用パッケージを製造す
る方法において、１回目にかけるニッケルメッキ層の厚
さを１．５〜２．０μｍとしたことを特徴とする電子部
品用パッケージの製造方法。