JPS628532A - 金メツキされた電子部品パツケ−ジ - Google Patents
金メツキされた電子部品パツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS628532A JPS628532A JP14654485A JP14654485A JPS628532A JP S628532 A JPS628532 A JP S628532A JP 14654485 A JP14654485 A JP 14654485A JP 14654485 A JP14654485 A JP 14654485A JP S628532 A JPS628532 A JP S628532A
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- JP
- Japan
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- plated
- film
- nickel
- gold
- plating
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
不発゛明は半導体素子などを収納する電子部品パッケー
ジ、特に金属面上に金メッキが施された電子部品パッケ
ージに関するものである。
ジ、特に金属面上に金メッキが施された電子部品パッケ
ージに関するものである。
金メツキ皮膜は電子部品におけるダイボンディング性、
ワイヤーボンディング性、ハンダ付性、耐熱性および耐
食性などが優れていること圧より、電子部品への金メッ
キが広く行われていることは周知のとお“りである。
ワイヤーボンディング性、ハンダ付性、耐熱性および耐
食性などが優れていること圧より、電子部品への金メッ
キが広く行われていることは周知のとお“りである。
一方、セラミックにメタライズを施し、該メタライズ忙
金メッキを施す製造過程では、前記メタライズ層上に無
電解ニッケルメッキまたは電気ニッケルメッキ皮膜を形
成した後に、リード付けを行って電気ニッケル、電気金
メッキを行う。ついで、ダイボンディング、ワイヤーボ
ンディングを行った後にキャップ封止を施す。
金メッキを施す製造過程では、前記メタライズ層上に無
電解ニッケルメッキまたは電気ニッケルメッキ皮膜を形
成した後に、リード付けを行って電気ニッケル、電気金
メッキを行う。ついで、ダイボンディング、ワイヤーボ
ンディングを行った後にキャップ封止を施す。
その際の加熱条件が過酷（例えば４５０°Ｃ９１０分程
度）であるために、ダイボンディングしたペレット中の
シリコンが、金メツキ皮膜の下地であるニッケルメッキ
皮膜中にまで拡散してニッケルーシリコン合金層を形成
する。同時にニッケルメッキ皮膜のニッケルが、金メツ
キ皮膜中に拡散して金メツキ層表面に酸化ニッケルを形
成する。このため、ニッケルーシリコン合金層と純粋な
ニッケル層との界面よりメクキ剥れを生じ、また上記金
属メッキ層表面の酸化ニッケルにより、ハンダ付は不良
を生ずるから、信頼性の点で大きな問題となる恐れがあ
った。
度）であるために、ダイボンディングしたペレット中の
シリコンが、金メツキ皮膜の下地であるニッケルメッキ
皮膜中にまで拡散してニッケルーシリコン合金層を形成
する。同時にニッケルメッキ皮膜のニッケルが、金メツ
キ皮膜中に拡散して金メツキ層表面に酸化ニッケルを形
成する。このため、ニッケルーシリコン合金層と純粋な
ニッケル層との界面よりメクキ剥れを生じ、また上記金
属メッキ層表面の酸化ニッケルにより、ハンダ付は不良
を生ずるから、信頼性の点で大きな問題となる恐れがあ
った。
上記対策のため金メツキ下地として、電気二クケルメク
キを施した後に加熱処理する方法があるが、該方法は加
熱条件の管理を厳重にする必要があるばかりでなく、工
程数の増加により生産性の低下する恐れがある。
キを施した後に加熱処理する方法があるが、該方法は加
熱条件の管理を厳重にする必要があるばかりでなく、工
程数の増加により生産性の低下する恐れがある。
一方、特開昭５５−３４６９２号公報に記載されている
ように、ニッケル皮膜上にニッケルーコバルト合金メッ
キを施し、または特開昭５８−４９５５号公報に記載さ
れているようＫ、ニッケル皮膜上にロジウムメッキを施
すことが提案されているところが、上記のよう忙ロジウ
ムメッキを施す場合に使用されるロジウムメッキ液は分
解し易いため、セラミック基板上にもロジウムが析出し
て配線間のシｍ −トの原因となる懸念があったＯ 〔発明の目的〕 本発明は上記のような従来技術の問題点を解消し、メッ
キ皮膜の剥離がなく、かつはんだ付着性が良好で、しか
も信頼性および寿命を向上させることができる金メッキ
された電子部品パッケージを提供することを目的とする
ものである。
ように、ニッケル皮膜上にニッケルーコバルト合金メッ
キを施し、または特開昭５８−４９５５号公報に記載さ
れているようＫ、ニッケル皮膜上にロジウムメッキを施
すことが提案されているところが、上記のよう忙ロジウ
ムメッキを施す場合に使用されるロジウムメッキ液は分
解し易いため、セラミック基板上にもロジウムが析出し
て配線間のシｍ −トの原因となる懸念があったＯ 〔発明の目的〕 本発明は上記のような従来技術の問題点を解消し、メッ
キ皮膜の剥離がなく、かつはんだ付着性が良好で、しか
も信頼性および寿命を向上させることができる金メッキ
された電子部品パッケージを提供することを目的とする
ものである。
本発明は上記目的を達成するために、金属面上に金メッ
キが施された電子部品パッケージにおいて、該金メッキ
の下地としてニッケルメッキヲ施シた後、該二りケルメ
ッキ膜上に白金メッキを施して薄膜を形成したことを特
徴とする。
キが施された電子部品パッケージにおいて、該金メッキ
の下地としてニッケルメッキヲ施シた後、該二りケルメ
ッキ膜上に白金メッキを施して薄膜を形成したことを特
徴とする。
以下、本発明の一実施例を図面について説明する。
第１図において、１はセラミック基板、２はセラミック
基板１上にタングステンあるいはモリブデン焼結体を使
用したメタライジングにより形成されたダイポンディン
グパッドあるいはワイヤーポンディングパッドあるいは
リード付パッドである。３は該バッド２上に無電解また
は電気メッキにより形成されたニクケル皮膜で一該二ノ
ケル皮膜３には銀−銅ろう材４を介してリード５がろう
付けされている。６はニッケル皮膜３上に電気メッキに
より２〜５μｍの厚さに形成されたニッケルメッキ皮膜
、７は市販白金メッキ液、例えば日中貴金属製１ノ々ラ
デツクス“に゛よりニッケルメッキ皮膜６上に形成され
た白金メッキ皮膜、８は純金メッキ液、例えば日中貴金
属製１テンペレククス４０１′により白金メッキ皮膜７
上に形成された厚さ２μｍの金メツキ皮膜、９は金メツ
キ皮膜８上にワイヤー１０を介してボンディングされた
半導体ペレット、１１はセラミック製でガラス印刷した
封止キャップで、該封止キャンプ１１はリード５に気密
にノ九ンダディップされている。
基板１上にタングステンあるいはモリブデン焼結体を使
用したメタライジングにより形成されたダイポンディン
グパッドあるいはワイヤーポンディングパッドあるいは
リード付パッドである。３は該バッド２上に無電解また
は電気メッキにより形成されたニクケル皮膜で一該二ノ
ケル皮膜３には銀−銅ろう材４を介してリード５がろう
付けされている。６はニッケル皮膜３上に電気メッキに
より２〜５μｍの厚さに形成されたニッケルメッキ皮膜
、７は市販白金メッキ液、例えば日中貴金属製１ノ々ラ
デツクス“に゛よりニッケルメッキ皮膜６上に形成され
た白金メッキ皮膜、８は純金メッキ液、例えば日中貴金
属製１テンペレククス４０１′により白金メッキ皮膜７
上に形成された厚さ２μｍの金メツキ皮膜、９は金メツ
キ皮膜８上にワイヤー１０を介してボンディングされた
半導体ペレット、１１はセラミック製でガラス印刷した
封止キャップで、該封止キャンプ１１はリード５に気密
にノ九ンダディップされている。
本実施例は上記のような構成からなり、白金メッキ皮膜
７の厚さを０．５〜１０μｍの範囲で変化させ、次に述
べる種々の評価試験乞行った。
７の厚さを０．５〜１０μｍの範囲で変化させ、次に述
べる種々の評価試験乞行った。
（１） ダイボンディング性は、Ｘ線透視により金−
シリコン共晶で９０％以上濡れているものを良好とした
。
シリコン共晶で９０％以上濡れているものを良好とした
。
（１１） 金メツキ皮膜剥離性は、ダイボンドしたサ
ンプルを空気中で４６０°Ｃ１１５分加熱した後、ヒー
トシ冒ンク試験（２００℃〜０°Ｃ９各１０秒づつ５サ
イクル）を行い、４３０°Ｃのヒートブロック上でペレ
ットを剥離したとき、金−シリコン層中で剥離されたも
のを良好とした。
ンプルを空気中で４６０°Ｃ１１５分加熱した後、ヒー
トシ冒ンク試験（２００℃〜０°Ｃ９各１０秒づつ５サ
イクル）を行い、４３０°Ｃのヒートブロック上でペレ
ットを剥離したとき、金−シリコン層中で剥離されたも
のを良好とした。
（１） 耐熱性は、金メツキ後に空気中で４６０℃。
１５分加熱し、金メツキ皮膜の膨張および剥離を生じな
いものを良好とした。
いものを良好とした。
（ｌｖ） リード折り曲げ性は、メッキされたリード
５に荷重を付加して折り曲げテス） （ＭＩＬ−８ＴＤ
８８３．２００４による）を行い、金メツキ皮膜の剥離
あるいはひび割れを生じないものを良好とした。
５に荷重を付加して折り曲げテス） （ＭＩＬ−８ＴＤ
８８３．２００４による）を行い、金メツキ皮膜の剥離
あるいはひび割れを生じないものを良好とした。
（ｖ） ハンダ付は性は、リード５にハンダデイクブ
を行い、リード５が９５％以上ハンダで濡れ−ｃい；６
も（ＭＩＬ−８ＴＤａａｓ、 ２ｏｏ３による）を良
好とした。
を行い、リード５が９５％以上ハンダで濡れ−ｃい；６
も（ＭＩＬ−８ＴＤａａｓ、 ２ｏｏ３による）を良
好とした。
上記の試験結果は下記表に示すとおりである。
この表より明らかなように、白金メッキ皮膜の膜厚が０
，５〜ＺＯμｍのときに、良好な結果かえられた。また
、金メッキ液の安定性も問題なく、かつセラミック基に
白金が析出することもなかった。
，５〜ＺＯμｍのときに、良好な結果かえられた。また
、金メッキ液の安定性も問題なく、かつセラミック基に
白金が析出することもなかった。
本実施例は上述したように、金メッキの下地としてニッ
ケルメッキを施した後に、該ニッケルメッキ上に白金メ
ッキを施して薄膜を形成することにより、半導体パッケ
ージング時の過酷な加熱において、ベレット中のシリコ
ンのニッケル層への拡散およびニッケルの金メッキ層へ
の拡散を防止するバリアーとして、白金が有効に作用す
るのを確認することができた。したがって、該白金メッ
キにより加熱処理を行わなくても、金メッキ層の剥離お
よびハンダ付けの不良が皆無となり、かつメッキ作業を
連続的に行うことができる。
ケルメッキを施した後に、該ニッケルメッキ上に白金メ
ッキを施して薄膜を形成することにより、半導体パッケ
ージング時の過酷な加熱において、ベレット中のシリコ
ンのニッケル層への拡散およびニッケルの金メッキ層へ
の拡散を防止するバリアーとして、白金が有効に作用す
るのを確認することができた。したがって、該白金メッ
キにより加熱処理を行わなくても、金メッキ層の剥離お
よびハンダ付けの不良が皆無となり、かつメッキ作業を
連続的に行うことができる。
以上説明したように１本発明によれば、金メツキ皮膜の
剥離を皆無とし、がっはんだ付は性を良好にするばかり
でなく、信頼性の向上および寿命の延長をはかることが
できる。
剥離を皆無とし、がっはんだ付は性を良好にするばかり
でなく、信頼性の向上および寿命の延長をはかることが
できる。
第１図は本発明の金メッキされた電子部品パックージの
一実施例を示す断面図である。 ６・・・ニクナルメッキ皮膜、 ７・・・白金メッキ皮膜、 ８・・・金メツキ皮膜。
一実施例を示す断面図である。 ６・・・ニクナルメッキ皮膜、 ７・・・白金メッキ皮膜、 ８・・・金メツキ皮膜。
Claims (1)
- 金属面上に金メッキが施された電子部品パッケージにお
いて、該金メッキの下地としてニッケルメッキを施した
後、該ニッケルメッキ膜上に白金メッキを施して薄膜を
形成したことを特徴とする金メッキされた電子部品パッ
ケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14654485A JPS628532A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 金メツキされた電子部品パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14654485A JPS628532A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 金メツキされた電子部品パツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628532A true JPS628532A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15410053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14654485A Pending JPS628532A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 金メツキされた電子部品パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628532A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04109658A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-10 | Electroplating Eng Of Japan Co | 電子部品パッケージ |
| JP2005331502A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-12-02 | Denso Corp | セラミックヒータ及びこれを内蔵するガスセンサ |
| GB2416639A (en) * | 2002-06-13 | 2006-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reducing noise in an amplified video signal by splitting the signal into frequency bands |
| US7499087B2 (en) | 2002-06-13 | 2009-03-03 | Panasonic Corporation | Noise reducing device and noise reducing method |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP14654485A patent/JPS628532A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04109658A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-10 | Electroplating Eng Of Japan Co | 電子部品パッケージ |
| GB2416639A (en) * | 2002-06-13 | 2006-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reducing noise in an amplified video signal by splitting the signal into frequency bands |
| GB2416639B (en) * | 2002-06-13 | 2006-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Noise reducing device and noise reducing method |
| US7499087B2 (en) | 2002-06-13 | 2009-03-03 | Panasonic Corporation | Noise reducing device and noise reducing method |
| JP2005331502A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-12-02 | Denso Corp | セラミックヒータ及びこれを内蔵するガスセンサ |
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