JPS628532A - 金メツキされた電子部品パツケ−ジ - Google Patents

金メツキされた電子部品パツケ−ジ

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JPS628532A
JPS628532A JP14654485A JP14654485A JPS628532A JP S628532 A JPS628532 A JP S628532A JP 14654485 A JP14654485 A JP 14654485A JP 14654485 A JP14654485 A JP 14654485A JP S628532 A JPS628532 A JP S628532A
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JP
Japan
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plated
film
nickel
gold
plating
Prior art date
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Pending
Application number
JP14654485A
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English (en)
Inventor
Osamu Miyazawa
修 宮沢
Akira Tomizawa
明 富沢
Jiro Ushio
二郎 牛尾
Ataru Yokono
中 横野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS628532A publication Critical patent/JPS628532A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 不発゛明は半導体素子などを収納する電子部品パッケー
ジ、特に金属面上に金メッキが施された電子部品パッケ
ージに関するものである。
〔発明の背景〕
金メツキ皮膜は電子部品におけるダイボンディング性、
ワイヤーボンディング性、ハンダ付性、耐熱性および耐
食性などが優れていること圧より、電子部品への金メッ
キが広く行われていることは周知のとお“りである。
一方、セラミックにメタライズを施し、該メタライズ忙
金メッキを施す製造過程では、前記メタライズ層上に無
電解ニッケルメッキまたは電気ニッケルメッキ皮膜を形
成した後に、リード付けを行って電気ニッケル、電気金
メッキを行う。ついで、ダイボンディング、ワイヤーボ
ンディングを行った後にキャップ封止を施す。
その際の加熱条件が過酷(例えば450°C910分程
度)であるために、ダイボンディングしたペレット中の
シリコンが、金メツキ皮膜の下地であるニッケルメッキ
皮膜中にまで拡散してニッケルーシリコン合金層を形成
する。同時にニッケルメッキ皮膜のニッケルが、金メツ
キ皮膜中に拡散して金メツキ層表面に酸化ニッケルを形
成する。このため、ニッケルーシリコン合金層と純粋な
ニッケル層との界面よりメクキ剥れを生じ、また上記金
属メッキ層表面の酸化ニッケルにより、ハンダ付は不良
を生ずるから、信頼性の点で大きな問題となる恐れがあ
った。
上記対策のため金メツキ下地として、電気二クケルメク
キを施した後に加熱処理する方法があるが、該方法は加
熱条件の管理を厳重にする必要があるばかりでなく、工
程数の増加により生産性の低下する恐れがある。
一方、特開昭55−34692号公報に記載されている
ように、ニッケル皮膜上にニッケルーコバルト合金メッ
キを施し、または特開昭58−4955号公報に記載さ
れているようK、ニッケル皮膜上にロジウムメッキを施
すことが提案されているところが、上記のよう忙ロジウ
ムメッキを施す場合に使用されるロジウムメッキ液は分
解し易いため、セラミック基板上にもロジウムが析出し
て配線間のシm −トの原因となる懸念があったO 〔発明の目的〕 本発明は上記のような従来技術の問題点を解消し、メッ
キ皮膜の剥離がなく、かつはんだ付着性が良好で、しか
も信頼性および寿命を向上させることができる金メッキ
された電子部品パッケージを提供することを目的とする
ものである。
〔発明の概要〕
本発明は上記目的を達成するために、金属面上に金メッ
キが施された電子部品パッケージにおいて、該金メッキ
の下地としてニッケルメッキヲ施シた後、該二りケルメ
ッキ膜上に白金メッキを施して薄膜を形成したことを特
徴とする。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面について説明する。
第1図において、1はセラミック基板、2はセラミック
基板1上にタングステンあるいはモリブデン焼結体を使
用したメタライジングにより形成されたダイポンディン
グパッドあるいはワイヤーポンディングパッドあるいは
リード付パッドである。3は該バッド2上に無電解また
は電気メッキにより形成されたニクケル皮膜で一該二ノ
ケル皮膜3には銀−銅ろう材4を介してリード5がろう
付けされている。6はニッケル皮膜3上に電気メッキに
より2〜5μmの厚さに形成されたニッケルメッキ皮膜
、7は市販白金メッキ液、例えば日中貴金属製1ノ々ラ
デツクス“に゛よりニッケルメッキ皮膜6上に形成され
た白金メッキ皮膜、8は純金メッキ液、例えば日中貴金
属製1テンペレククス401′により白金メッキ皮膜7
上に形成された厚さ2μmの金メツキ皮膜、9は金メツ
キ皮膜8上にワイヤー10を介してボンディングされた
半導体ペレット、11はセラミック製でガラス印刷した
封止キャップで、該封止キャンプ11はリード5に気密
にノ九ンダディップされている。
本実施例は上記のような構成からなり、白金メッキ皮膜
7の厚さを0.5〜10μmの範囲で変化させ、次に述
べる種々の評価試験乞行った。
(1)  ダイボンディング性は、X線透視により金−
シリコン共晶で90%以上濡れているものを良好とした
(11)  金メツキ皮膜剥離性は、ダイボンドしたサ
ンプルを空気中で460°C115分加熱した後、ヒー
トシ冒ンク試験(200℃〜0°C9各10秒づつ5サ
イクル)を行い、430°Cのヒートブロック上でペレ
ットを剥離したとき、金−シリコン層中で剥離されたも
のを良好とした。
(1)  耐熱性は、金メツキ後に空気中で460℃。
15分加熱し、金メツキ皮膜の膨張および剥離を生じな
いものを良好とした。
(lv)  リード折り曲げ性は、メッキされたリード
5に荷重を付加して折り曲げテス) (MIL−8TD
883.2004による)を行い、金メツキ皮膜の剥離
あるいはひび割れを生じないものを良好とした。
(v)  ハンダ付は性は、リード5にハンダデイクブ
を行い、リード5が95%以上ハンダで濡れ−cい;6
 も(MIL−8TDaas、 2oo3による)を良
好とした。
上記の試験結果は下記表に示すとおりである。
この表より明らかなように、白金メッキ皮膜の膜厚が0
,5〜ZOμmのときに、良好な結果かえられた。また
、金メッキ液の安定性も問題なく、かつセラミック基に
白金が析出することもなかった。
本実施例は上述したように、金メッキの下地としてニッ
ケルメッキを施した後に、該ニッケルメッキ上に白金メ
ッキを施して薄膜を形成することにより、半導体パッケ
ージング時の過酷な加熱において、ベレット中のシリコ
ンのニッケル層への拡散およびニッケルの金メッキ層へ
の拡散を防止するバリアーとして、白金が有効に作用す
るのを確認することができた。したがって、該白金メッ
キにより加熱処理を行わなくても、金メッキ層の剥離お
よびハンダ付けの不良が皆無となり、かつメッキ作業を
連続的に行うことができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように1本発明によれば、金メツキ皮膜の
剥離を皆無とし、がっはんだ付は性を良好にするばかり
でなく、信頼性の向上および寿命の延長をはかることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の金メッキされた電子部品パックージの
一実施例を示す断面図である。 6・・・ニクナルメッキ皮膜、 7・・・白金メッキ皮膜、  8・・・金メツキ皮膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属面上に金メッキが施された電子部品パッケージにお
    いて、該金メッキの下地としてニッケルメッキを施した
    後、該ニッケルメッキ膜上に白金メッキを施して薄膜を
    形成したことを特徴とする金メッキされた電子部品パッ
    ケージ。
JP14654485A 1985-07-05 1985-07-05 金メツキされた電子部品パツケ−ジ Pending JPS628532A (ja)

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JP14654485A JPS628532A (ja) 1985-07-05 1985-07-05 金メツキされた電子部品パツケ−ジ

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JPS628532A true JPS628532A (ja) 1987-01-16

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ID=15410053

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04109658A (ja) * 1990-08-30 1992-04-10 Electroplating Eng Of Japan Co 電子部品パッケージ
JP2005331502A (ja) * 2004-04-21 2005-12-02 Denso Corp セラミックヒータ及びこれを内蔵するガスセンサ
GB2416639A (en) * 2002-06-13 2006-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reducing noise in an amplified video signal by splitting the signal into frequency bands
US7499087B2 (en) 2002-06-13 2009-03-03 Panasonic Corporation Noise reducing device and noise reducing method

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