JP6297082B2 - セラミック基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば、水晶振動子、半導体素子、あるいは圧電素子などの電子部品やリードピンなどの金属部材を基板本体の表面に追って実装するためのセラミック基板およびその製造方法に関する。

例えば、セラミックからなるパッケージのキャビティの開口部を囲む矩形枠状の表面に幅広のメタライズ層を形成し、該メタライズ層の上面に形成したロウ材溜まりに充填したロウ材を介して、該ロウ材および上記凸条の上にシールリング（金属枠）をロウ付けすることにより、該リングの上に金属蓋（キャップ）の周辺部を溶接しても、上記ロウ材のロウ付け強度を向上させたセラミックパッケージの封止構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、セラミックなどからなる箱状の絶縁基体における凹部（キャビティ）の開口部を囲む矩形枠状の表面に、厚さが２５μｍ以上のメタライズ層を形成することにより、該メタライズ層の上面にロウ付けされた金属枠体の上に金属蓋をシーム溶接した際に、該溶接による熱応力を上記メタライズ層で吸収することにより、該メタライズ層が上記絶縁基体の表面から剥離する事態を防ぎ、半導体素子が実装される上記凹部内の気密封止の信頼性を高めた半導体素子収納用パッケージも提案されている（例えば、特許文献２参照）。

しかし、特許文献１に記載のセラミックパッケージの封止構造による場合、前記金属枠のロウ付け強度が向上する反面、該金属枠の上に載置した金属蓋をシーム溶接してキャビティを封止する際に、溶接時の抵抗発熱により、メタライズ層の熱膨張係数とパッケージ本体を構成するセラミックの熱膨張係数との差に起因して生じる応力がメタライズ層に働き、該メタライズ層が前記パッケージの表面から剥離し易くなる。そのため、上記金属蓋による封止ができなくなったり、気密封止性能が長期間にわたり維持できなくなる、という問題があった。
また、特許文献２に記載の半導体素子収納用パッケージによる場合、前記金属枠体の上に金属蓋をシーム溶接した際に、該溶接による熱応力を厚肉の前記メタライズ層で吸収するには不十分な場合が多く、且つパッケージ全体を小型化することも困難になる、という問題があった。

更に、前記のような問題点を解決するべく、前記パッケージなどのセラミックの表面上にメタライズ層を強固に被覆するため、セラミックの表面に焼き付ける添加物を含む金属ペーストを使用するに際し、該添加物を反応表面積の大きな高融点の微粒子のセラミック粉末で構成したアルミナセラミック上に付着力の強力な金属被覆を作る方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
しかし、特許文献３に記載の方法のように、セラミック上にセラミック粉末を含む金属ペーストを焼き付けると、該金属ペーストの添加物中に含まれるガラス成分が、焼き付け後のメタライズ層の表面にほぼ面状に析出する、いわゆる「ガラス浮き」を生じる場合がある。その結果、上記メタライズ層と、該メタライズ層の表面に被覆したメッキ層との密着強度が低下し、メッキ剥がれやメッキ膨れなどの不具合を生じるので、該メッキ層の上方に前記金属蓋や金属枠体をロウ付けしても、その接合強度が低下し易くなる、という問題があった。

特開平９−１３９４３９号公報（第１〜６頁、図１〜６） 特開平５−１６６９５８号公報（第１〜４頁、図１〜２） 特公昭３６−６５４２号公報（第１，２頁）

本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、セラミックからなり、電子部品などが実装される基板本体の表面と、該表面に形成したメタライズ層とを備え、例えば、上記メタライズ層の上にロウ付けする金属枠（金属部品）上に金属蓋などを溶接した際に、該溶接熱に起因する金属蓋の収縮応力により、上記メタライズ層が基板本体から剥離せず、且つ該メタライズ層と基板本体とが強固に密着するセラミック基板、およびその製造方法を提供する、ことを課題とする。

課題を解決するための手段やよび発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、セラミックからなる基板本体における何れかの表面と、該表面に形成すべきメタライズ層との間に、セラミック部と金属部とガラス部とからなる複合材層を形成し、且つ該複合材層の厚みを上記メタライズ層の厚みよりも薄くする、ことに着想して成されたものである。

即ち、本発明のセラミック基板（請求項１）は、セラミックからなり、平面視が矩形状である一対の表面を有する基板本体と、該基板本体における少なくとも一方の表面に形成され、金属部材を取り付けるためのメタライズ層と、を備え、上記基板本体の表面とメタライズ層との間に、セラミック部と、上記メタライズ層を構成する金属と同種の金属または上記メタライズ層を構成する金属と全率固溶体を成す金属からなる金属部と、ガラス部と、を混在させてなる複合材層を形成し、該複合材層は、３〜２０ｖｏｌ％の金属部と、残部がセラミック部およびガラス部とからなり、該複合材層の厚みは、上記メタライズ層の厚みよりも薄いと共に、上記メタライズ層の表面には、メッキ層が被覆されている、ことを特徴とする。

これによれば、以下の効果（１）〜（４）を奏することが可能となる。
（１）前記メタライズ層の厚みが複合材層の厚みよりも厚いので、該メタライズ層および複合材層を有するセラミックからなる基板本体を焼成しても、かかる焼成後においてメタライズ層の表面に複合材層に含まれていたガラス成分がほぼ面状に析出する、いわゆるガラス浮きが生じにくくなる。その結果、上記メタライズ層とその表面に被覆したメッキ層との密着強度が保てるので、メッキ剥がれやメッキ膨れなどの不具合を容易に防ぐことができる。
（２）前記セラミックからなる基板本体の表面とメタライズ層との間に、金属部とセラミック部とガラス部とからなる複合材層が位置しているので、例えば、前記メタライズ層の上方に金属枠（金属部材）をロウ付けした際や、更には、かかる金属枠の上面に金属製の蓋板などの金属部材を溶接した際に生じる加熱後における金属部材の収縮応力によっても、上記メタライズ層が基板本体のセラミックから剥離し難くなる。
（３）前記セラミックからなる基板本体の表面とメタライズ層との間に、金属部とセラミック部とガラス部とからなる複合材層が位置しているので、例えば、メタライズ層の上にリードピンや放熱板などの金属部材をロウ付けしても、これらの金属部材が上記メタライズ層から剥離せず、強固に接合することができる。
（４）上記（１）〜（３）によって、セラミックからなる基板本体の少なくとも一方の表面にメタライズ層を有し、且つ該メタライズ層の表面にメッキ層が強固に密着した信頼性の高いセラミック配線基板を提供することができる。
前記複合材層の厚みをメタライズ層の厚みよりも薄くしたのは、両者の厚みを同等、もしくは上記複合材層の厚みをメタライズ層の厚みよりも厚くすると、焼成後にメタライズ層の表面にガラス浮きを生じ易いためである。
更に、前記複合材層が、３〜２０ｖｏｌ％の金属部と、残部がセラミック部およびガラス部とからなるため、該複合材層の表面に通電可能な前記とは別のメッキ層が被覆される事態を確実に防止できるので、不用意な短絡やメッキに要するコストの増大を防止することが可能となる。
尚、金属部の上限値を２０ｖｏｌ％としたのは、該金属部が２０ｖｏｌ％を超えると、複合材層に電気メッキ用の電流が通電し始め、該複合材の表面に不用意なメッキ層を形成するおそれがあるためである。望ましい上限値は、１５ｖｏｌ％、より望ましくは、１０ｖｏｌ％である。一方、金属部の下限値を３ｖｏｌ％としたのは、該金属部が３ｖｏｌ％未満になると、メタライズ層が基板本体を構成するセラミックからの剥離を抑制することが不十分になり得るためである。

尚、前記セラミックは、例えば、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウムなどの高温焼成セラミック、またはガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックである。
また、前記一対の表面とは、相対的な表現であり、例えば、平板状である基板本体の表面と裏面とを指す。
更に、前記メタライズ層は、前記基板本体が高温焼成セラミックからなる場合には、ＷまたはＭｏなどを主成分とし、上記基板本体が低温焼成セラミックからなる場合には、ＣｕまたはＡｇなどを主成分とする導体層である。
また、前記複合材層は、セラミック部と金属部とガラス部とが混在して形成された平面状の層であり、かかるセラミック部と金属部とガラス部とが偏在することなく、ほぼ均一に混ざっている。
更に、前記複合材層に含まれるガラス部は、例えば、ＳｉＯ_２，ＭｇＣＯ_３，ＢａＣＯ_３，ＭｇＯ，ＢａＯ，ＣａＣＯ_３，ＣａＯなどのうち、少なくとも１つの成分で構成されるガラス成分からなり、予め前記セラミック部に含有されている形態と、金属部およびセラミック部に対して所要量を更に添加する形態とが含まれる。上記セラミック部に含有されている形態としては、例えば、セラミック部がアルミナとガラス部とからなる場合、該セラミック部の約２〜２０体積（ｖｏｌ）％のガラス部が含まれている。
また、前記複合材層は、前記基板本体の表面の全面に形成された形態でも良く、かかる形態によれば、前記メタライズ層が平面視で矩形枠状の場合には、該メタライズ層に囲まれた基板本体の表面にも当該複合材層が電子部品などの実装面として露出する。

更に、前記複合材層において、「前記メタライズ層を構成する金属と同種の金属(合金の場合を含む)、あるいは、上記メタライズ層を構成する金属と全率固溶体を成す金属」には、以下の形態（ａ）〜（ｄ）が含まれる。
（ａ）メタライズ層を構成する金属と同じ組成の金属からなる形態、例えば、メタライズ層と複合材層の金属部との双方がタングステン（Ｗ）からなる場合、あるいは、メタライズ層と複合材層の金属部との双方が同じタングステン（Ｗ）基合金からなる場合が挙げられる。
（ｂ）メタライズ層を構成する金属と同じ金属を、混在組織（複数種の金属粒子が混在している）の前記金属部において第１（最多含有量）に含む形態、例えば、メタライズ層が８０ｖｏｌ％の銅（Ｃｕ）粉粒子と２０ｖｏｌ％のタングステン（Ｗ）粉粒子との混在組織であり、且つ複合材層の金属部が９０ｖｏｌ％のタングステン（Ｗ）粉粒子と１０ｖｏｌ％のニッケル（Ｎｉ）粉粒子との混在組織からなる場合が挙げられる。
（ｃ）メタライズ層を構成する金属と、合金組成において第１(最多含有量)金属元素が共通している金属からなる形態、例えば、メタライズ層がＷ−Ｃｏ系合金からなり且つ複合材層の金属部がＷ−Ｎｉ系合金からなる場合が挙げられる。
（ｄ）メタライズ層を構成する金属と全率固溶体を成す金属には、例えば、メタライズ層がタングステン（Ｗ）からなり、複合材層の金属部がモリブデン（Ｍｏ）からなる形態が挙げられる。これ以外にも、メタライズ層がモリブデン（Ｍｏ）からなり、複合材層の金属部がバナジウム（Ｖ），クロム（Ｃｒ），またはニオブ（Ｎｂ）からなる形態、メタライズ層が銅（Ｃｕ）からなり、複合材層の金属部がニッケル（Ｎｉ）からなる形態、あるいは、メタライズ層が銀（Ａｇ）からなり、複合材層の金属部が金（Ａｕ）からなる形態などが挙げられる。更に、上記各形態とは逆の組み合わせとなる形態も可能であり、例えば、メタライズ層金（Ａｕ）からなり、複合材層の金属部が銀（Ａｇ）からな形態が挙げられる。
また、前記メッキ層には、例えば、Ｎｉメッキ層のみ、あるいは、下層側のＮｉメッキ膜と上層側のＡｕメッキ膜との２層からなる形態が含まれる。
加えて、前記金属部品には、例えば、前記メタライズ層の上にロウ付けなどで接合される金属枠やその上に溶接される金属蓋、リードピン、放熱板などが含まれる。

更に、本発明には、前記基板本体の表面には、該表面の中央部側に平面視で矩形状のキャビティが開口しており、前記メタライズ層と前記複合材層とは、該キャビティを除いた上記基板本体の表面に形成されている、セラミック基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記基板本体の表面において、該表面に開口するキャビティを除いた当該表面とメタライズ層との間に前記複合材層が形成されているので、前記効果（１），（４）に加えて、例えば、該複合材層の上面に配設されたメタライズ層に金属枠や放熱板などをロウ付けしても、該ロウ付け時の加熱後における収縮応力、若しくは、上記金属枠の表面上に金属製の蓋板を溶接した際の加熱後における収縮応力によりメタライズ層が剥離する事態を防止することができる。
尚、キャビティが表面に開口する基板本体は、平面視が矩形枠状である上層側のセラミック層と、上記キャビティの底面を形成する平板状である下層側のセラミック層との複数のセラミック層を積層した形態となる。
また、前記基板本体における一対の表面ごとに平面視が矩形状のキャビティが上下対称に形成し、各表面に複合材層とメタライズ層とが配設された形態のセラミック基板とすることも可能である。

また、本発明には、前記メッキ層の上には、ロウ材を介して平面視が矩形状の金属枠が接合されている、セラミック基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、前記効果（１），（３），（４）に加えて、前記金属枠の表面上に金属製の蓋板の周辺部をシーム溶接した際に、該溶接後の収縮応力によって、前記メッキ層が表面に被覆されたメタライズ層の外周側が、基板本体のセラミックから剥離する事態を防止することが可能となる。従って、基板本体の表面や該表面に開口するキャビティの底面に実装された電子部品を確実に外部から確実に封止することが可能となる。
尚、前記ロウ材は、例えば、Ａｇロウ（Ａｇ−１５ｗｔ％Ｃｕ）からなる。
また、前記金属枠は、例えば、４２アロイ（Ｆｅ−４２ｗｔ％Ｎｉ）、コバール（Ｆｅ−２９ｗｔ％Ｎｉ−１７ｗｔ％Ｃｏ）、１９４合金（Ｃｕ−２．３ｗｔ％−０．０３ｗｔ％Ｐ）などからなる。

更に、本発明には、前記複合材層は、前記セラミック部と金属部とガラス部との混在割合を相違させた１層以上の部分複合材層を積層したものである、セラミック基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、セラミック部と金属部とガラス部との配合割合が異なる２層あるいは３層の部分複合材層が基板本体の表面とメタライズ層が形成され、例えば、基板本体の表面側に７０ｖｏｌ％のセラミック粒子と２７ｖｏｌ％の金属粉末と３ｖｏｌ％のガラス粒子とを含む第１複合材層を形成し、メタライズ層側に５０ｖｏｌ％のセラミック粒子と４５ｖｏｌ％の金属粉末と５ｖｏｌ％のガラス粒子とを含む第２複合材層を形成できる。その結果、前記効果（１），（３），（４）に加えて、例えば、前記金属枠の上に金属蓋をシーム溶接する際に生じる抵抗熱による熱応力を、段階的に容易に緩和することが一層容易となる。従って、金属蓋による封止が安定して行い得るセラミック基板を提供することができる。

また、本発明には、前記複合材層は、前記基板本体の表面において、少なくともかかる表面または裏面の４隅のコーナ部に形成されている、セラミック基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、前記効果（１）〜（４）に加えて、例えば、金属枠上への金属蓋の溶着は、該金属枠の上に金属蓋を載置したセラミック基板をテーブル上で拘束した後、該テーブルの上方で対向する一対の平行な電極ローラを、基板本体の表面における一対の平行な辺ごとに沿って転動させるシーム溶接により行われる。そのため、金属蓋の四辺に沿って２回のシーム溶接を施す際に、各溶接時の軌跡が交差する四隅の各コーナ部付近には、抵抗発熱が集中するので、該コーナ部付近でのメタライズ層の剥離が各辺の中間部よりも生じ易くなる。従って、前記複合材層を少なくとも基板本体の表面における４隅のコーナ部に形成することで、最小限の複合材層および製造工程により、前記剥離を低減し得ると共に、当該セラミック基板の小型化にも寄与することが可能となる。
尚、前記コーナ部とは、平面視が矩形枠状を呈する基板本体の表面において、少なくとも平面視においてキャビティを構成し且つ隣接する一対の内側面の延長線と、基板本体において隣接する一対の外側面とに囲まれた矩形状の領域を指すが、更にこの領域を含み且つ該領域から隣接する２つの辺に沿って直角に延びた一対の延在部を含む平面視で全体がほぼＬ字形状を呈する領域としても良い。

更に、本発明には、前記メッキ層の上には、ロウ材を介して金属部材が被覆されている、セラミック基板（請求項６）も含まれる。
加えて、本発明には、前記複合材層は、前記セラミック部と金属部とガラス部との混在割合を相違させた１層以上の部分複合材層を積層したものである、セラミック基板（請求項７）も含まれる。

一方、本発明による第１のセラミック基板の製造方法（請求項８）は、前記セラミック基板の製造方法であって、平面視が矩形状である一対の表面を有するセラミックグリーンシートにおける少なくとも一方の表面の全面に、セラミック部と金属部とガラス部とからなる複合材層を形成する工程と、該複合材層の上面にメタライズ層を形成する工程と、該メタライズ層の表面にメッキ層を被覆する工程と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、前記グリーンシートにおける少なくとも一方の表面の全面に複合材層を形成し、該複合材層の上面にメタライズ層を形成し、且つ該メタライズ層の表面にメッキ層を被覆するので、以下の効果（５）〜（８）が得られる。
（５）前記メタライズ層と複合材層とを有する基板本体を焼成しても、かかる焼成後においてメタライズ層の表面に複合材層に含まれていたガラス成分がほぼ面状に析出する、いわゆる「ガラス浮き」が生じにくくなる。その結果、上記メタライズ層とその表面に被覆したメッキ層との密着強度が保たれ、メッキ剥がれやメッキ膨れなどの不具合を容易に防止できる。
（６）前記メタライズ層の印刷ズレによる影響を抑制できる。
（７）前記メタライズ層が形成されていない複合材層の露出した上面には、通電可能な程度のメッキ層が不用意に形成されなくなる。
（８）以上の（５）〜（７）によって、例えば、前記メタライズ層の上方に金属枠、放熱板、あるいはリードピンなどの金属部材をロウ付けした際や、前記金属枠の上面に金属製の蓋板をシーム溶接した際に生じる加熱後の収縮応力によっても、上記メタライズ層が基板本体のセラミックから剥離し難いセラミック基板を、確実且つ低コストにより効率良くに提供することが可能となる。
尚、前記メッキ工程の後には、前記グリーンシート、複合材層、およびメタライズ層を同時に焼成する工程が行われる。

また、本発明による第２のセラミック基板の製造方法（請求項９）は、前記セラミック基板の製造方法であって、平面視が矩形状である一対の表面を有する上層側のセラミックグリーンシートの前記表面の全面に、セラミック部と金属部とガラス部とからなる複合材層を形成する工程と、該複合材層の上面にメタライズ層を形成する工程と、該複合材層およびメタライズ層が形成された上記上層側のセラミックグリーンシートの中央側を厚み方向に沿って打ち抜いて、平面視で矩形状の貫通孔を形成する工程と、上記上層側のセラミックグリーンシートの裏面側に、上記貫通孔を塞ぐ平板状の下層側のセラミックグリーンシートを積層する工程と、上記貫通孔を形成する工程により平面視で矩形状となった上記メタライズ層の表面にメッキ層を被覆する工程と、を含む、ことを特徴とする。

これによれば、上層側のセラミックグリーンシートの表面には、複合材層が全面に形成され、該複合材層の上面にメタライズ層が形成された後で、上記グリーンシートの中央部側を厚み方向に沿って打ち抜き加工するので、平面視で矩形枠状となった複合材層およびメタライズ層との位置ズレが生じにくくなる。そのため、前記効果（５）〜（８）に加えて、上記メタライズ層の表面に所要のメッキ層を正確に被覆できると共に、複合材層において外部に露出する両側面には、通電可能なメッキ層の被覆を防ぐことができる。従って、上層側と下層側の前記グリーンシート同士を積層することで、中央部側にキャビティが開口する基板本体における平面視が矩形枠状の表面の全面に複合材層とメタライズ層とが２層で配設されたセラミック基板を確実に提供することができる。

尚、前記メタライズ層は、前記複合材層の上面に全面に形成するほか、複合材層の周辺側に沿って平面視で矩形枠状に形成するようにしても良い。かかる矩形枠状のメタライズ層の場合、該メタライズ層の外周に沿って幅の狭い複合材層の上面が露出するように形成しても良く、あるいは、前記打ち抜き工程で、メタライズ層の内周に沿って幅の狭い複合材層の上面が露出するようにしても良い。
また、前記下層側のグリーンシートの両面に前記貫通孔が打ち抜かれた上下一対の前記上層側のグリーンシートを個別に積層することで、基板本体における一対の表面ごとにキャビティが開口する形態のセラミック基板としても良い。

更に、本発明には、前記セラミックグリーンシートは、平面視でセラミック基板となる複数の基板領域を縦横に隣接させた製品領域と、該製品領域の外周側に位置する矩形枠状の耳部とから構成されており、前記メタライズ層は、上記基板領域ごとの前記複合材層の四辺に沿って形成される、第１のセラミック基板の製造方法（請求項１０）も含まれる。
これによれば、前記効果（５）〜（８）に加えて、前記のようなセラミック基板を多数個取りの形態によって、効率良く製造することができる。

また、本発明には、前記上層側および下層側のセラミックグリーンシートは、平面視でセラミック基板となる複数の基板領域を縦横に隣接させた製品領域と、該製品領域の外周側に位置する矩形枠状の耳部とから構成されており、前記貫通孔を形成する工程は、上記基板領域ごとの前記複合材層およびメタライズ層が形成された上記上層側のセラミックグリーンシートの中央部側に対して行われる、第２のセラミック基板の製造方法（請求項１１）も含まれる。
これによれば、前記効果（５）〜（８）に加えて、基板本体の表面にキャビティが開口した前記のようなセラミック基板を多数個取りの形態によって、効率良く製造することができる。

更に、本発明には、前記各工程の後に、前記メッキ層の上に、ロウ材を介して平面視が矩形枠状の金属枠を接合する工程を有する、セラミック基板の製造方法（請求項１２）も含まれる。
これによれば、前記効果（５）〜（７）に加えて、前記基板本体における少なくとも一方の表面に形成された複合材および前記メッキ層が被覆されたメタライズ層の表面上にロウ材を介して金属枠が強固に接合されたセラミック基板が得られる。従って、該金属枠の上面に沿って金属製の蓋板をシーム溶接した際に、収縮応力によってメタライズ層の外周側が基板本体のセラミックから剥離し難いセラミック基板を確実に提供することが可能となる。
加えて、本発明には、前記各工程の後に、前記メッキ層の上に、ロウ材を介して金属部材を接合する工程を有する、セラミック基板の製造方法（請求項１３）も含まれる。

本発明による一形態のセラミック基板を示す平面図。 図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図。 (Ａ)は図２中の一点鎖線部分Ａの拡大断面図、(Ｂ)は(Ａ)中一点鎖線部分Ｂの模式的な拡大断面図。 異なる形態のセラミック基板を示す平面図。 図４中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面図。 図５中の一点鎖線部分Ａの拡大断面図。 前記セラミック基板を製造する第１の製造方法の一工程を示す概略図。 図７に続く製造工程を示す概略図。 図８に続く製造工程を示す概略図。 図９に続く製造工程を示す概略図。 図１０の状態における多数個取りの概略を示す模式的平面図。 図１０，１１に続く製造工程を示す概略図。 以上の各工程により得られた一形態のセラミック基板を示す概略図。 前記セラミック基板を製造する第２の製造方法の一工程を示す概略図。 図１４に続く製造工程を示す概略図。 図１５に続く製造工程を示す概略図。 図１６に続く製造工程を示す概略図。 図１７に続く製造工程を示す概略図。 図１８に続く製造工程を示す概略図。 図１９の状態における多数個取りの概略を示す模式的平面図。 図１９，２０に続く製造工程を示す概略図。 以上の各工程により得られた異なる形態のセラミック基板を示す概略図。 図４〜６，図２０に示すセラミック基板の応用形態を示す概略図。 前記複合材層の異なる形態を示す前記同様の拡大断面図。 前記複合材層の更に異なる形態を示すセラミック基板の平面図。 更に異なる形態のセラミック基板を示す垂直断面図。 図２２中の一点鎖線部分Ｚの拡大断面図。 別異な形態のセラミック基板を示す垂直断面図。

以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態のセラミック基板１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図、図３（Ａ）は、図２中の一点鎖線部分Ａの拡大断面図、(Ｂ)は(Ａ)中一点鎖線部分Ｂの模式的な拡大断面図である。
セラミック基板１は、図１，図２に示すように、アルミナ（セラミック）などからなり、平面視が長方形（矩形）の表面３および裏面（表面）４を有する基板本体２と、該基板本体２の表面３の全面に形成された複合材層１０と、該複合材層１０の上面１１における周辺部側に沿って配設され、平面視が矩形枠状のメタライズ層１２とを備えている。該メタライズ層１２の厚みは、複合材層１０の厚みよりも厚く、Ｗ、Ｍｏ、あるいは、これらの何れか一方を主成分とする合金からなる。また、上記メタライズ層１２の上方には、図２，図３（Ａ）に示すように、ロウ材１６を介して平面視が矩形枠状で且つ垂直断面が矩形の金属枠１８が接合されている。

更に、上記メタライズ層１２に囲まれた複合材層１０の上面１１には、ＷまたはＭｏを主成分とする一対のパッド（電極）９が形成されており、追って実装される水晶振動子などの電子部品（図示せず）側の電極と個別に接続される。
尚、前記各パッド９は、基板本体２を貫通する図示しないビア導体と接続され、該ビア導体は、基板本体２の裏面４に形成された裏面電極（図示せず）に接続されている。また、前記ロウ材１６は、例えば、Ａｇロウからなり、前記金属枠１８は、例えば、コバールあるいは４２アロイからなる。
前記複合材１０は、図３（Ｂ）に示すように、アルミナなどからなるベース（生地）のセラミック部１０ｓと、該セラミック部１０ｓ内に混在し且つＷなどからなる金属部（金属粉末）１０ｍおよびガラス部（ガラス粒子）１０ｇとからなる。上記セラミック部１０ｓと基板本体２のアルミナなどとの間には、不明瞭な境界２ｖを位置している。一方、メタライズ層１２は、樹枝状ないしアンカー状にして上記セラミック部１０ｓの内部に進入している。

前記複合材１０は、３〜２０ｖｏｌ％の金属部１０ｍと、残部のセラミック部１０ｓおよびガラス部１０ｇとから構成されている。そのため、複合材１０の表面（上面１１）と内部では、電流が通電し難くなっているので、次述するメッキ層１４を電解メッキで被覆した際にも、該複合材１０の表面には、通電可能な大きさのメッキ層は被着されていない。
尚、金属部１０ｍのｖｏｌ％（体積率）は、図３（Ｂ）に示すように、複合材１０の中に任意の長さの線分（Ｌ）を引き、該線分（Ｌ）と交差する金属部１０ｍごとの交差した長さを合計し、該合計値の長さの上記線分（Ｌ）に対する割合を算出し、かかる操作を任意の３０箇所で行った後、これらにより得られた３０個の上記割合の平均値を金属部１０ｍのｖｏｌ％とした。
また、前記基板本体２を構成するセラミックの熱膨張係数は、約７．５×１０^-6／℃、メタライズ層１２の熱膨張係数は、約５．３×１０^-6／℃、複合材層１０の熱膨張係数は、約６．４×１０^-6／℃である。

ここで、前記複合材層１０における金属部１０ｍの体積率と、電解金属メッキを施した際に該複合材層１０の表面に付着するメッキ層の付着程度との関係を表１によって示す。
表１に示すように、金属部１０ｍの体積率が５０〜４０ｖｏｌ％では、複合材層１０の表面にメッキ層が広く付着していたが、２０ｖｏｌ％では、複合材層１０の表面にメッキ層が局部的に微少に付着しつつも通電可能な量の形態には至らず、１０ｖｏｌ％以下では、メッキ層の付着は皆無であった。

尚、前記複合材層１０における金属部１０ｍの体積率と、電気抵抗との関係をテスターを用いて同じ条件で調べた。その結果、金属部１０ｍの体積率が５０〜３０ｖｏｌ％では、抵抗が２〜３Ω／ｃｍ、金属部１０ｍの体積率が２０ｖｏｌ％では、抵抗が１２〜１３Ω／ｃｍ、金属部１０ｍの体積率が１０ｖｏｌ％以下では、抵抗が１．０〜１．２×１０¹²Ω／ｃｍとなったので、前記表１におけるメッキ層の付着程度の傾向が裏付けられた。
以上の結果より、複合材層１０の表面に不用意なメッキ層の付着を防ぐには、金属部１０ｍの含有量を３〜２０ｖｏｌ％にする必要性が判明した。

また、図３（Ａ）に示すように、メタライズ層１２の表面（上面と内・外両側面）には、Ｎｉメッキ膜からなるメッキ層１４が被覆されている。尚、該メッキ層１４は、上記Ｎｉメッキ膜の上層側にＡｕメッキ膜を更に被覆した上下２層からなる形態としても良い。
更に、追って前記一対のパッド９上に電子部品が実装された後で、該電子部品を外部から封止するため、図３（Ａ）に示すように、金属枠１８の上面には、平面視が長方形で且つ該金属枠１８の外形とほぼ相似形の蓋板３２の周辺部がシーム溶接により接合される。該蓋板３２は、例えば、コバール（金属）からなり、対向する一対の辺上ごとに一対のローラ形状の電極（図示せず）を個別に転動させることよって、上記金属枠１８の上面にシーム溶接される。

以上のようなセラミック基板１によれば、アルミナなどからなる基板本体２の表面３の全面に形成され、セラミック部１０ｓと金属部１０ｍとガラス部１０ｇとからなる複合材層１０と、該複合材層１０の上面１１に当該複合材層１０よりも厚く形成され、表面にメッキ層１４が形成されたメタライズ層１２とを併有している。その結果、複合材層１０とメタライズ層１２とを有する基板本体２を焼成しても、複合材層１０内のガラス成分がメタライズ層１２の表面に析出するいわゆる「ガラス浮き」を生じず、メッキ剥がれなどの不具合を防げる。
そのため、例えば、メタライズ層１２の上方にロウ材１６を介して金属枠１８をロウ付けした際や、該金属枠１８の上面に金属製の蓋板３２をシーム溶接した際に生じる加熱後の蓋板３２や金属枠１８の収縮応力を受けても、上記メタライズ層１２が基板本体２のセラミックから剥離し難くなっている。
更に、複合材層１０が基板本体２の表面３の全面に形成されているため、製造時において、複合材層１０の上面１１にメタライズ層１２を確実に設けられので、該メタライズ層１２の基板本体２のセラミックからの剥離を確実に抑制できる。
従って、メタライズ層１２および金属枠１８により囲まれた複合材層１０の上面１１に実装される電子部品を確実に外部から封止することができる。
尚、前記複合材層１０、メッキ層１４を表面に有するメタライズ層１２、ロウ材１６、および金属枠１８を、平板状の基板本体２の裏面４側にも上下対称に配置した形態のセラミック基板としても良い。

図４は、本発明による異なる形態のセラミック基板１ａを示す平面図、図５は、図４中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面図、図６は、図５中の一点鎖線部分Ａの拡大図である。
かかるセラミック基板１ａは、図４〜図６に示すように、前記同様のセラミックからなり、平面視が矩形（外形）の表面３および裏４を有する全体が箱形状の基板本体２ａと、該基板本体２ａにおいて平面視が矩形枠状の表面３に同じ形状で形成された前記同様の複合材層１０と、該複合材層１０の上面１１の全面に配設された前記同様のメタライズ層１２とを備えている。上記基板本体２ａは、図５に示すように、平板状である下層側のセラミック層２ｕと、平面視が矩形枠状である上層側のセラミック層５とを一体に積層したものであり、該基板本体２ａの中央部側には、平面視が矩形状のキャビティ６が開口している。

前記キャビティ６は、図４，図５に示すように、平面視が長方形の底面７と、該底面７の四辺ごとから表面３側に向かって垂直に立設した４つの側面８とからなり、上記底面７には、前記同様の一対のパッド９が形成されている。
更に、図５，図６に示すように、表面に前記同様のメッキ層１４が被覆されたメタライズ層１２の上方には、前記同様のロウ材１６を介して、前記同様の金属枠１８が接合されている。該金属枠１８の上面には、追って前記一対のパッド９に接続した電子部品がキャビティ６内に実装された後で、前記同様の蓋板３２をシーム溶接することにより、前記電子部品を含むキャビティ６が封止される。
尚、図６中の一点鎖線部分Ｂは、前記図３（Ｂ）で示したと同様なセラミック部１０ｓと金属部１０ｍとガラス部１０ｇとからなる複合材層１０となっている。

以上のようなセラミック基板１ａによっても、前記基板本体２ａにおける矩形枠状の表面３にキャビティ６が開口しているが、該表面３上に表面のメッキ層１４を含む前記複合材層１０が形成されているので、前記同様の効果を奏し得る。また、複合材層１０の上面１１に配設されたメタライズ層１２の上方にロウ材１６を介して金属枠１８をロウ付けた際に、該ロウ付け時の加熱後における収縮応力、更には、上記金属枠１８の上面に金属製の蓋板３２をシーム溶接した際の加熱後における収縮応力によって、メタライズ層１２の外周側が基板本体２ａのセラミックから剥離する事態を防止することができる。
しかも、後述する第２のセラミック基板の製造方法で示すように、追って上層側のセラミック層５となるセラミックグリーンシートの表面の全面に複合材層１０とメタライズ１２とを形成した後、前記キャビティ６を形成するための貫通孔を中央部側に打ち抜き加工により形成しているため、複合材層１０とメタライズ１２と位置ズレが皆無となっている。
尚、平板状のセラミック層２ｕの裏面４側にも、矩形枠形状のセラミック層５を更に積層し、該セラミック層５における矩形枠状の表面３に前記同様の複合材層１０、メッキ層１４を含むメタライズ層１２、ロウ材１６、および金属枠１８を前記同様に上下対称に配置し、且つキャビティ６も併設した形態としても良い。

ここで、前記セラミック基板１を得るための第１のセラミック基板の製造方法について説明する。
予め、アルミナ粉末、バインダ樹脂、および溶剤などを所要量ずつ配合してセラミックスラリを作成し、該セラミックスラリをドクターブレード法によってシート状に成形して、図７に示すように、多数個取り用のセラミックグリーンシート（以下、単にグリーンシートと称する）２０を製作した。
該グリーンシート２０は、図７に示すように、表面２３および裏面２４を有し、平面視で格子枠状に設定された仮想の境界面２１によって区分され、且つ追って前記基板本体２となる複数の基板領域２２を平面視で縦横に隣接して有する製品領域と、該製品領域の外周を囲む平面視が矩形枠状の耳部（図示せず）とから構成されている。
先ず、図８に示すように、グリーンシート２０の表面２３の全面に、前記セラミック部１０ｓと金属部１０ｍおよびガラス部１０ｇとからなるペースト状で且つ金属部１０ｍが２０ｖｏｌ％以下の複合材１０を、スクリーン印刷（図示せず）によって形成した。尚、かかる状態で、基板領域２２ごとにおける所定の位置に比較的小径の貫通孔（図示せず）を形成し、該貫通孔にＷ粉末またはＭｏ粉末を含む導電性ペーストを充填して、ビア導体（図示せず）を形成した。

次いで、図９に示すように、前記複合材１０の上面１１において、個々の基板領域２２ごとの四辺に沿って平面視が矩形枠状を呈するＷ粉末（またはＭｏ粉末）を含むペースト状のメタライズ層１２を、平面視で格子状のパターンとなり、且つ厚みが前記複合材層１０の厚みよりも厚くなるように、スクリーン印刷によって形成した。同時に、基板領域２２ごとの中央部側の上面１１には、上記同様のペースト状である一対のパッド９を形成した。
尚、グリーンシート２０の裏面２４における基板領域２２ごとには、前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、上記メタライズ層１２およびパッド９と前記ビア導体を介して接続する複数の裏面電極（図示せず）を形成した。
次に、図１０に示すように、グリーンシート２０の裏面２４における境界面２１に沿って、厚み方向に沿ってナイフ（図示せず）を挿入して、断面がほぼ逆Ｖ字形状の分割溝２９を平面視で格子状に形成した。
図１１は、図１０に示す状態において、前記グリーンシート２０の平面図を示し、追ってセラミック基板１となる複数の基板領域２２を縦横に隣接した製品領域３６と、その外周側に位置する矩形枠状の耳部３７とを示す多数個取り用のセラミック基板集合体３５を示したものである。

更に、複合材１０、メタライズ層１２、分割溝２９などが形成されたグリーンシート２０を上記メタライズ層１２などと共に同時焼成した。その結果、該グリーンシート２０は、セラミック層２０となった。この際、メタライズ層１２の表面には、複合材層１０中のガラス成分の析出（いわゆるガラス浮き）が生じていなかった。
次に、前記セラミック層２０の耳部３７に予め穿孔された貫通孔内に露出している前記メッキ電極ごとに、電極棒（何れも図示せず）を接触させた状態で、該セラミック層２０を電解メッキ槽内に浸漬して、電解Ｎｉメッキを施した。その結果、基板領域２２ごとで焼成された前記メタライズ層１２、一対のパッド９、および裏面電極の表面（露出面）に前記同様のメッキ層１４（図示せず）が被覆された。この際、複合材１０のうち、露出した上面１１には、該メッキ層１４が殆ど被覆されていなかった。尚、上記セラミック層２０の耳部３７に形成された複合材層１０の上面１１にも、上記メッキ層１４は、殆ど被覆されていなかった。

更に、前記メッキ工程後のセラミック層２０を、前記分割溝２９ごとに沿って剪断加工した。その結果、図１２に示すように、表面３の全面に形成された複合材層１０と、該複合材層１０の上面１１の周辺部側に沿って位置するメタライズ層１２と、該メタライズ層１２に囲まれた上面１１の中央部側に位置する一対のパッド９などを有する基板本体２が複数個得られた。
最後に、図１３に示すように、表面３および裏面４を有する基板本体２ごとにおけるメタライズ層１２の上方にロウ材１６を介して金属枠１８をロウ付けにより接合することよって、複数のセラミック基板１を得ることができた。
尚、前記実施形態では、セラミック層２０を剪断加工した後で、金属枠１８をロウ付けしたが、これらの工程の順番が逆となるような形態に変更しても良い。
また、前記金属枠１８をメタライズ層１２の上方にロウ付けした後において、メタライズ層１２、ロウ材１６、および金属枠１８の表面（露出面）に対し、更にＮｉメッキおよびＡｕメッキを順次施す工程を行うようにしても良い。

以上のようなセラミック基板１を得るための第１の製造方法によれば、グリーンシート２０の表面２３の全面に複合材層１０が形成され、該複合材層１０における基板領域２２ごとの上面１１にメタライズ層１２が矩形枠状に形成され、更に、該メタライズ層１２の表面にメッキ層１４が被覆されたので、メッキ層１４のメッキ剥がれなどが生じず、且つメタライズ層１２の印刷ズレによる影響を抑制することができた。更に、メタライズ層１２やパッド９が形成されていない複合材層１０の露出した上面１１には、通電可能な量の別のメッキ層が不用意に形成されていなかった。
従って、上記メタライズ層１２の上方に金属枠１８をロウ付けした際や、更には、該金属枠１８の上面に金属製の蓋板３２をシーム溶接した際に生じる加熱後の収縮応力によっても、上記メタライズ層１２が基板本体２のセラミックから剥離し難い複数のセラミック基板１を、確実に且つ効率良く提供することができた。しかも、複合材層１０の上面１１には、メッキ層１４が殆ど被覆されていないので、低コストで製造することができた。
尚、前記グリーンシート２０を上層側と下層側との上下２層のグリーンシートを積層する形態とし、これらの間に所定パターンの配線層を形成し、該配線層を耳部のメッキ電極に電気的に導通可能とした形態としても良い。

次に、前記セラミック基板１ａを得るための第２のセラミック基板の製造方法について説明する。
予め、前記同様の方法によって、図１４に示す上層側のグリーンシート２５と、後述する下層側のグリーンシート２８とを製作した。
上層側のグリーンシート２５は、図１４に示すように、表面２３および裏面２６を有し、平面視で格子枠状に設定された仮想の境界面２１によって区分され、且つ追って前記基板本体２となる複数の基板領域２２を平面視で縦横に隣接して有する製品領域と、該製品領域の外周を囲む耳部（図示せず）とからなる。
先ず、図１５に示すように、グリーンシート２５の表面２３の全面に、前記同様の複合材１０を、前記同様にして形成した。かかる状態で、基板領域２２ごとの周辺側の所定の位置に貫通孔を穿設し、且つその内側にビア導体（図示せず）を形成した。

次いで、図１６に示すように、前記複合材１０の上面１１の全面に、厚みが複合材層１０の厚みよりも厚い前記同様のメタライズ層１２を、前記同様の方法により形成した。この際、該メタライズ層１２は、前記ビア導体と接続されていた。
次に、上層側のグリーンシート２５における基板領域２２ごとの中央部側に対し、平面視が矩形状であるポンチとダイとを併用する打ち抜き加工を行った。その結果、図１７に示すように、上層側のグリーンシート２５は、基板領域２２ごとの中央部側に、表面２３と裏面２６との間を貫通する平面視が矩形状の貫通孔３４が形成され、且つ平面視が格子枠状のグリーンシート５に成形された。
更に、図１８に示すように、上層側のグリーンシート５の裏面２６側に、表面２７および裏面２４を有する平板状で、且つ予め表面２７の所定位置にペースト状のパッド９が形成された下層側のグリーンシート２８を、互いの境界面２１同士が連続するように積層することで、上記貫通孔３４の底面側を閉塞した。その結果、グリーンシート５の内側およびグリーンシート２８の上側に、表面２７の一部である底面２７と四辺の側面８とからなるキャビティ６が形成された。

尚、下層側のグリーンシート２８の裏面２４には、予め基板領域２２ごとに裏面電極（図示せず）が形成されており、該裏面電極は、該グリーンシート２８を貫通するビア導体（図示せず）を介して上記パッド９と接続され、且つ別のビア導体（図示せず）を介して、上層側のグリーンシート２５に設けた前記ビア導体と接続されていた。即ち、メタライズ層１２と各パッド９とは、裏面電極および各ビア導体を介して互いに導通可能とされていた。
次いで、図１９に示すように、下層側のグリーンシート２８の裏面２４における境界面２１に沿って厚み方向に沿ってナイフ（図示せず）を挿入して、断面がほぼ逆Ｖ字形状の分割溝３０を平面視で格子状に形成した。
尚、図２０は、図１９に示す状態において、前記グリーンシート５，２８の平面図を示し、追ってセラミック基板１ａとなる複数の基板領域２２を縦横に隣接した製品領域３６と、その外周側に位置する矩形枠状の耳部３７とを示す多数個取り用のセラミック基板集合体３８を示したものである。

次に、前記複合材１０、メタライズ層１２、分割溝３０などが形成されたグリーンシート５，２８の積層体をメタライズ層１２などと共に同時焼成した。
その結果、グリーンシート５，２８は、多層セラミック層５，２８となった。また、上記焼成後において、メタライズ層１２の表面には、複合材層１０中のガラス成分の析出（いわゆるガラス浮き）が生じていなかった。
更に、上記多層セラミック層５，２８の前記耳部３７に予め前記同様に形成された複数の貫通孔内ごとに露出している前記メッキ電極に、電極棒（何れも図示せず）を挿入して接触させた状態で、該多層セラミック層５，２８を電解メッキ槽内に浸漬して、電解Ｎｉメッキを施した。その結果、基板領域２２ごとで焼成された前記メタライズ層１２、キャビティ６内の一対のパッド９、および裏面電極の表面（露出面）に前記同様のメッキ層１４（図示せず）が被覆された。この際、複合材層１０の露出した両側面では、メッキ層１４の付着は皆無であった。
そして、上記メッキ工程後の多層セラミック層５，２８を、前記分割溝３０ごとに沿って剪断加工した。その結果、図２１に示すように、矩形枠状の表面３の全面に形成された複合材層１０と、該複合材層１０の上面１１の全面に位置する矩形枠状のメタライズ層１２と、キャビティ６の底面７に位置する一対のパッド９などを有し、且つ表面３および裏面４を有する基板本体２ａが複数個得られた。

最後に、図２２に示すように、表面３および裏面４を有する基板本体２ａごとにおけるメタライズ層１２の上方にロウ材１６を介して金属枠１８をロウ付けして接合することよって、複数のセラミック基板１ａを得ることができた。
以上のようなセラミック基板１ａを得るための第２の製造方法によれば、上層側のセラミックグリーンシート２５の表面２３には、複合材層１０とこれよりも厚いメタライズ層１２とが全面に順次形成できたので、前記同様の効果に加え、上記グリーンシート２５の中央部側を厚み方向に沿って打ち抜き加工した後に残る平面視で矩形枠状となった複合材層１０とメタライズ層１２との位置ズレを生じなかった。そのため、該メタライズ層１２の表面に所要のメッキ層１４を確実に被覆でき、且つ複合材層１０において外部に露出する両側面には、通電可能で不用意なメッキ層の被覆を防ぐことができた。
従って、上層側と下層側の前記グリーンシート５，２８同士を積層し、且つ焼成することで、中央部側にキャビティ６が開口する基板本体２ａにおける平面視が矩形枠状の表面３の全面に複合材層１０とメタライズ層１２とが２層で配設された複数のセラミック基板１ａを確実に製造することができた。

図２３は、前記セラミック基板１ａの応用形態であるセラミック基板１ｂを示す垂直断面図である。
かかるセラミック基板１ｂは、図２３に示すように、前記同様のセラミックからなり、平面視が矩形（外形）の表面３および裏４を有する全体が箱形状の基板本体２ｂと、該基板本体２ｂにおいて平面視が矩形枠状の表面３の全面に形成された前記同様の複合材層１０と、該複合材層１０の上面１１の全面に形成され且つ厚みが複合材層１０の厚みよりも厚い前記同様のメタライズ層１２とを備えている。該メタライズ層１２の表面にも、前記同様のメッキ層１４が被覆されている。また、メタライズ層１２の上方には、前記同様にしてロウ材１６を介して、金属枠１８が接合されている。

前記基板本体２ｂは、図２３に示すように、平板状である下層側のセラミック層２ｕと、平面視が矩形枠状である中層および上層側のセラミック層５ｕ，５とを一体に積層したものであ。該基板本体２ｂの中央部側には、平面視が矩形状のキャビティ６が開口すると共に、該キャビティ６は、セラミック層２ｕの表面からなる底面７と、セラミック層５ｕ，５に形成された四辺の側面８とからなる。
図２３中の左側に示すように、比較的薄肉である中層のセラミック層５ｕは、全体が平板状で且つ図示で前後一対の段部５ｂを併設しており、該段部５ｂごとの上面には、前記同様のパッド９が個別に形成されている。
以上のようなセラミック基板１ｂによれば、前記セラミック基板１，１ａと同様な効果を奏すると共に、垂直方向に沿って振動する水晶振動子を実装することも容易となる。尚、該セラミック基板１ｂは、前記セラミック基板１ａと同様な第２の製造方法によって製造することが可能である。

図２４は、異なる形態の複合材層１０ｘを含む前記図２と同様な断面図である。
図２４に示すように、複合材層１０ｘは、メタライズ層１２の直下に隣接する第１部分複合材層１０ａと、基板本体２ａ（２ｂ）の表面３側の第３部分複合材層１０ｃと、これらの間に挟まれた第２部分複合材層１０ｂとの３層からなり、それらの表面には、前記同様のメッキ層１４が被覆されている。
上記第１〜第３部分複合材層１０ａ〜１０ｃ全体の厚み１０ｔは、メタライズ層１２の厚み１２ｔよりも薄くなるように積層されている。例えば、上記第１部分複合材層１０ａは、セラミック部１０ｓと金属部１０ｍおよびガラス１０ｇとの配合を３０ｖｏｌ％：７０ｖｏｌ％とし、第２部分複合材層１０ｂは、セラミック部１０ｓと金属部１０ｍおよびガラス部１０ｇとの配合を５０ｖｏｌ％：５０ｖｏｌ％とし、第３部分複合材層１０ｃは、セラミック１０部ｓと金属部１０ｍおよびガラス部１０ｇとの配合を７０ｖｏｌ％：３０ｖｏｌ％というように段階的に配合すべき割合を変化させたものである。

前記のような第１、第２、および第３部分複合材層１０ａ〜１０ｃからなる複合材層１０ｘを用いることで、前記同様の効果に加え、メタライズ層１２の上にロウ材１６を介して金属枠１８上に金属蓋３２を、該金属蓋３２の上面の周辺部を転動するローラ電極１９により前記シーム溶接する際に、抵抗発熱に伴う熱膨張後の冷却時の熱収縮よる応力を確実に緩和できる。その結果、メタライズ層１２が基板本体２の表面３から剥離を一層確実に防止できると共に、キャビティ６内に封止される電子部品の正確な動作を保証することも可能となる。
尚、上記複合材層１０ｘは、第１、第２、および第３部分複合材層１０ａ，１０ｂ，１０ｃのうち、何れか１層以上を積層した形態としても良い。
また、図１６で示すように、前記ロウ材１６は、内周側に傾斜面１６ａと外周側に斜め下向き凹んだアール面１６ｂとを有している。

図２５は、異なる形態の複合材層１０を有するセラミック基板１ｃを示す平面図である。
かかるセラミック基板１ｃは、前記セラミック基板１と同様の基板本体２、表面にメッキ層１４が被覆されたメタライズ層１２、ロウ材１６、および金属枠１８を備えており、図２５に示すように、前記同様の複合材層１０を、基板本体２の表面３における四隅のコーナ部３Ｃにのみ形成したものである。
前述したように、金属枠１８上に金属蓋３２の周辺部をシーム溶接により溶着する工程は、図示しないテーブル上に、セラミック基板１ｃと金属蓋３２とを拘束し且つ金属蓋３２上にて一対の電極ローラ１９を転動させることで、例えば、平行な一対の長辺に沿って１回目のシーム溶接した後、残った一対の短辺に沿って２回目のシーム溶接が施される。その際、基板本体２の表面３において、長辺と短辺との２回のシーム溶接による抵抗発熱に伴う熱収縮による応力の影響を受ける四隅のコーナ部３Ｃに位置するメタライズ層１２が剥離する公算が高い。

そこで、図２５に示すように、平面視で隣接する長辺と短辺と交差する基板本体２の表面３における各コーナ部３Ｃのみに前記複合材層１０を形成したセラミック基板１ｃによって、前記セラミックパッケージ１と同様の効果を奏することが可能となる。
尚、図２５中の左側の各コーナ部３Ｃに示すように、複合材層１０を平面視でほぼ正方形（矩形）とするほか、図２５中の右側の各コーナ部３Ｃに示すように、複合材層１０を平面視でほぼ正方形で且つ各角部にアールを付けた形態としたり、面取りを施した形態としても良い。また、上記各複合材層１０は、前記第１、第２、および第３部分複合材層１０ａ，１０ｂ，１０ｃの３層、あるいは何れか２層を積層した形態としても良い。

以下において、本発明の前記セラミック基板１の具体的な実施例を説明する。
予め、主成分がアルミナからなる基板本体２の表面に厚みが約１２μｍのメタライズ層１２を形成し、更に、該メタライズ層１０の表面にＮｉメッキ層１４を被覆した後、焼成して比較例の基板本体２を１０個用意した。
上記と同じサイズを有し且つ上記と同じ主成分のアルミナからなる１０個の基板本体２の表面３に対し、厚みが約１０μｍの複合材層１０と厚みが約１２μｍのメタライズ層１２を順次積層し、かかるメタライズ層１０の表面にＮｉメッキ層１４を被覆した。次いで、これらを同時焼成して、実施例の基板本体２を１０個製作した。尚、実施例の上記複合材層１０において、アルミナ粒子（セラミック部）１０ｓとＷ粉末（金属部）１０ｍとガラス部（ガラス粒子）１０ｇとの体積比は、４５：５０：５であった。
一方、比較例の各基板本体２および実施例の各基板本体２のメタライズ層１２ごとの上に、同じ組成および寸法からなるＡｇロウ１６、および同じコバールからなり且つ同じ寸法からなる金属枠１８をロウ付けなどによりそれぞれ接合した。
更に、上記によって得られた実施例および比較例の各セラミック基板（１）ごとの金属枠１８上に、同じコバールおよび寸法からなる金属蓋３２を載置し、各例のセラミック基板（１）ごとに順次テーブル上で拘束した後、各金属蓋３２において平行する二辺に沿って前記一対のローラ電極１９を転動させることで、縦横方向で２回のシーム溶接を同じ溶接条件に従って行った。
そして、各例ごとのセラミック基板（１）を外部から目視することにより、各メタライズ層１２が基板本体２の表面３から一部でも剥離が生じていたか否かを観察し、その結果を表２に示した。

表２によれば、実施例のセラミック基板１は、１０個の全てにおいてメタライズ層１２の剥離が観察されなかった。一方、比較例のセラミック基板では、１０個のうち、３個においてメタライズ層１２の剥離が確認された。
かかる結果は、実施例では、基板本体２の表面３と、メタライズ層１２との間に、アルミナ粒子（セラミック部）１０ｓとＷ粉末（金属部）１０ｍとガラス粒子（ガラス部）１０ｇが４５：５０：５の体積比で配合された複合材層１０が上記メタライズ層１２よりも厚く形成されていたので、該メタライズ層１２の表面に被覆されたメッキ層１４がガラス浮きによるメッキ剥がれなどの不具合を生じていなかった。その結果、前記金属蓋３２をシーム溶接した際に生じた抵抗熱による応力が緩和されたものと推定される。
一方、比較例中の３個では、前記複合材層１０を欠いていたので、上記応力によりメタライズ層１２が基板本体２の表面３から剥離した、ことによるものと推定される。以上のような実施例により、本発明の優位性が裏付けられた。

次に、本発明の前記セラミック基板１の具体的な実施例について説明する。
予め、主成分がアルミナからなる基板本体２と、その表面３の全面に厚みが約１０μｍの複合材層１０と、その四辺に沿って厚みが約１３μｍで且つ同じ幅のメタライズ層１２とを積層し、該メタライズ層１２の表面に同じ厚みのＮｉメッキ膜（メッキ層）１４を被覆した後、これらを同時焼成した実施例および比較例となる基板本体２を、合計９０個で製作した。
上記複合材層１０の組成は、Ｗ粉末（金属部）１０ｍと、アルミナ粒子（セラミック部）１０ｓおよびガラス成分（ガラス部）１０ｇとの体積率（ｖｏｌ％）は、表３に示すように、上記Ｗ粉末の体積率を１４〜８５ｖｏｌ％の範囲において、９段階で変化し、各段階ごとに１０個ずつのセラミック基板１を用意した。
次いで、上記メタライズ層１２の上面に、同じ組成および寸法からなるＡｇロウ（ロウ材）１６を介しておよび同じコバールで且つ同じ寸法からなる金属枠１８をロウ付けによってそれぞれ接合した。
更に、以上により得られた各例セラミック基板（１）の９０個の金属枠１８上に、同じコバールおよび寸法からなる金属蓋３２を載置し、各例のセラミック基板（１）ごとに順次テーブル上で拘束した後、各金属蓋３２において平行する二辺に沿って前記一対のローラ電極１９を転動させることで、縦横方向で２回のシーム溶接を同じ溶接条件に従って行った。

そして、各例ごとのセラミック基板（１）の金属枠１８を同じ力（Ｎ）で且つ同じ方向に引っ張ることで、メタライズ層１２および複合材層１０が基板本体２の表面３から剥離した際の引張強度を測定し、各例１０個ずつの平均値を表３に示した。その結果、複合材層１０における金属部１０ｍの体積率が８０〜２０．５ｖｏｌ％の範囲であった参考例のセラミック基板１では、金属枠１８の引張強度が何れも９．８Ｎであったのに対し、金属部１０ｍの体積率が８５ｖｏｌ％あるいは２０，１４ｖｏｌ％の比較例の各セラミック基板１では、７．８Ｎと上記参考例の引張強度よりも低くなっていた。
従って、前記複合材層１０に含まれる金属部１０ｍの体積率が２０超〜８０ｖｏｌ％である参考例のセラミック基板１によれば、前記複合材層１によって、そのメタライズ層１２が十分な強度を有していることが判明した。

図２６は、更に異なる形態のセラミック基板４０の概略を示す垂直断面図、図２７は、図２６中の一点鎖線部分Ｚの拡大図である。
かかるセラミック基板４０は、図２６，２７に示すように、前記同様のセラミック層４４，４５を積層してなり、平面視が矩形（正方形または長方形）の表面４３および裏面４４を有する基板本体４２と、該基板本体４２の裏面（表面）４４の全面に形成された前記同様の複合材層１０と、該複合材層１０の下面（上面）１１における所定の位置に形成された複数のパッド（メタライズ層）５２とを備えている。複合材層１０の下面１１には、前記同様のメッキ層１４が被覆されている。また、上記パッド５２の厚みは、複合材層１０の厚みよりも厚い。
前記基板本体４２のセラミック層４４，４５間には、所定パターンの配線層４６が形成され、該配線層４６は、セラミック層４４，４５を貫通するビア導体４７，４８と個別に接続されている。また、下層側のビア導体４８は、複合材層１０をも貫通して、上記パッド５２と個別に接続されている。更に、基板本体４２の表面４３の中央部側には、複数の電極４９が形成され、該電極４９は、上層側のビア導体４７と接続され、且つ表面４３上に追って実装される半導体素子などの電子部品５０と接続される。

尚、前記配線層４６、ビア導体４７，４８、電極４９、およびパッド５２は、ＷあるいはＭｏなどからなる。
図２６，２７に示すように、複合材層１０の下面１１に形成されたパッド５２ごとの表面には、ＮｉおよびＡｕメッキ膜を順次したメッキ層５４が被覆され、該メッキ層５４および前記同様のロウ材５６を介して、垂直姿勢のリードピン（金属部材）５８の頭部５９が接合されている。該リードピン５８は、例えば、１９４合金などのＣｕ合金からなる。
尚、上記セラミック基板４０も、前記製造方法に準じて製造することができる。
以上のようなセラミック基板４０によれば、下層側のセラミック層４５と複数のパッド５２との間に、前記セラミック部１０ｓと金属部１０ｍおよびガラス部１０ｇとからなり且つパッド５２の厚みよりも薄い複合材層１０が介在している。その結果、焼成後においてパッド５２の表面に被覆したメッキ層５４がメッキ剥がれなどの不具合を生じていない。また、各パッド５２ごとの下方にロウ材５６を介してリードピン５８の頭部５９をロウ付けした際に、各パッド５２が冷却に伴った生じた収縮応力を受けても、該パッド５２が真上付近に位置するセラミック層４５から剥離する事態を確実に防止できる。
更に、リードピン５８が径方向に沿った外力を受けても、前記パッド５２が不用意にセラミック層４５から剥離しにくくなっている。従って、リードピン５８と接続可能な実装部を有するプリント基板などのマザーボードに、良好な電気的導通を確保しつつ精度良く実装することが可能となる。

図２８は、別異な形態のセラミック基板６０の概略を示す垂直断面図である。
かかるセラミック基板６０は、図２８に示すように、前記同様のセラミックからなり、平面視が矩形の表面６３および裏面６４を有する基板本体６２と、該基板本体６２の裏面（表面）６４の全面に形成された前記同様の複合材層１０と、該複合材層１０の下面（上面）１１の中央部側に比較的広域に形成され、厚みが上記複合材層１０の厚みよりも厚く且つ平面視が円形状の導体層（メタライズ層）７２とを備えている。
前記基板本体６２には、その表面６３と裏面６４との間および複合材層１０を貫通する比較的大径の貫通孔（ビアホール）６５内に放熱用のビア導体（サーマルビア）６６が形成され、該ビア導体６６は、前記導体層７２と接続されている。該導体層７２の表面（底面および周面）には、前記同様のメッキ層５４が被覆されており、該メッキ層５４および前記同様のロウ材７６を介して、平面視が円形状の放熱板（金属部材）７８がロウ付けされている。

また、図２８に示すように、前記基板本体６２の表面６３に露出するビア導体６６の上面６８には、発熱量が比較的大きなＬＥＤなどの発光素子７０あるいはパワー半導体素子などの電子部品が追って実装される。
尚、前記ビア導体６６および導体層７２は、ＷあるいはＭｏからなり、前記放熱板７８は、例えば、Ｃｕ合金あるいはアルミニウム合金などからなる。また、前記基板本体６２の表面６３におけるビア導体６６の上面６８の周辺部には、上記発光素子７０とワイヤを介して導通される図示しない電極が形成されている。
上記セラミック基板６０も、前記製造方法に準じて製造することができる。

以上のようなセラミック基板６０によれば、基板本体６２と導体層７２との間に、前記同様の複合材層１０が介在しているので、焼成後において導体層７２の表面に被覆したメッキ層１４がメッキ剥がれなどの不具合を生じていない。また、導体層７２にロウ材７６を介して放熱板７８をロウ付けした際に、導体層７２が冷却に伴った生じた収縮応力を受けても、該導体層７２がその周辺付近に位置する基板本体６２のセラミックから剥離する事態を確実に防止できる。更に、放熱板７８が放熱時に膨張および収縮した際にも、導体層７２が基板本体６２のセラミックから剥離しにくくなる。
従って、基板本体６２の表面６３側に実装されるＬＥＤなどの発光素子７０が発する熱を、ビア導体６６、導体層７２、鋼材７６、および放熱板７８を介して、外部に効果的に放出させることが可能となる。
尚、前記貫通孔６５、ビア導体６６、導体層７２、および放熱板７８は、平面視で矩形、矩形状、あるいは五角形以上の多角形を呈するものであっても良い。

本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記基板本体を構成するセラミックは、アルミナ以外の高温焼成セラミック、あるいはガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックとしても良い。
また、前記セラミック基板１の基板本体２は、複数のセラミック層を積層した形態とし、該セラミック層同士の間に、前記製造方法における前記メッキ工程で用いるための配線層を所定パターンで形成しても良い。
更に、前記セラミック基板１ａ，１ｂ（１ｃ）の基板本体２ａ，２ｂにおける下層側のセラミック層２ｕも上記と同様に上下２層のセラミック層としても良い。

また、前記基板本体２などの表面３および裏面４などは、平面視で正方形としたり、該正方形あるいは前記長方形の各コーナに円弧形状に凹んだ凹溝を有する形態とし、該凹溝の内壁面に沿って導体層を設けた形態としても良い
更に、前記メタライズ層１２、パッド９，５２、導体層７２などの導体は、前記基板本体２などがガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる場合には、主成分がＡｇあるいはＣｕなどからなる金属や合金が適用される。
また、前記セラミック基板４０は、基板本体４２の表面４３の全面にも、更に複合材層１０を形成し、該複合材層１０の上面１１における周辺部側に配設した前記パッド（メタライズ層）５２の上方にロウ材５６を介して、前記リードピン５８を垂直姿勢で接合しても良い。
加えて、前記第１および第２のセラミック基板の製造方法は、前述した多数個取りの形態に限らず、個別のセラミック基板を製造する際にも使用し得る。

本発明によれば、セラミックからなり、電子部品などが実装される基板本体の表面と、該表面に配設した複合材層とメタライズ層とを備え、焼成後でも該メタライズ層の表面に被覆したメッキ層が剥離などしないと共に、上記メタライズ層上にロウ付けする金属枠（金属部品）上に金属蓋などを溶接した際に、該溶接熱に起因する金属蓋の収縮応力により、上記メタライズ層が基板本体から剥離せず、且つ該メタライズ層と上記ロウ材とが強固に密着するセラミック基板を確実に提供することが可能となる。

１，１ａ〜１ｃ，４０，６０…セラミック基板
２，２ａ，２ｂ，４２，６２…基板本体
３，４３，６３…………………表面
３ｃ………………………………コーナ部
４，４４，６４…………………裏面（表面）
６…………………………………キャビティ
１０，１０ｘ……………………複合材層
１０ａ〜１０ｃ…………………部分複合材層
１０ｓ……………………………セラミック部
１０ｍ……………………………金属部
１０ｇ……………………………ガラス部
１０ｔ……………………………複合材層の厚み
１１………………………………上面
１２………………………………メタライズ層
１２ｔ……………………………メタライズ層の厚み
１４………………………………メッキ層
１６，５６，７６………………ロウ材
１８………………………………金属枠
２０，２５，２８………………セラミックグリーンシート
２２………………………………基板領域
２３，２４，２６グリーンシートの表面
３４………………………………貫通孔
３６………………………………製品領域
３７………………………………耳部
５２………………………………パッド（メタライズ層）
５８………………………………リードピン（金属部材）
７２………………………………導体層（メタライズ層）
７８………………………………放熱板（金属部材）

Claims (13)

1. セラミックからなり、平面視が矩形状である一対の表面を有する基板本体と、
   上記基板本体における少なくとも一方の表面に形成され、金属部材を取り付けるためのメタライズ層と、を備え、
   上記基板本体の表面とメタライズ層との間に、セラミック部と、上記メタライズ層を構成する金属と同種の金属または上記メタライズ層を構成する金属と全率固溶体を成す金属からなる金属部と、ガラス部と、を混在させてなる複合材層を形成し、
   上記複合材層は、３〜２０ｖｏｌ％の金属部と、残部がセラミック部およびガラス部とからなり、該複合材層の厚みは、上記メタライズ層の厚みよりも薄いと共に、
   上記メタライズ層の表面には、メッキ層が被覆されている、
   ことを特徴とするセラミック基板。
2. 前記基板本体の表面には、該表面の中央部側に平面視で矩形状のキャビティが開口しており、前記メタライズ層と前記複合材層とは、該キャビティを除いた上記基板本体の表面に形成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板。
3. 前記メッキ層の上には、ロウ材を介して平面視が矩形状の金属枠が接合されている、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック基板。
4. 前記複合材層は、前記セラミック部と金属部とガラス部との混在割合を相違させた１層以上の部分複合材層を積層したものである、
   ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のセラミック基板。
5. 前記複合材層は、前記基板本体の表面において、少なくともかかる表面または裏面の４隅のコーナ部に形成されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載のセラミック基板。
6. 前記メッキ層の上には、ロウ材を介して金属部材が被覆されている、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック基板。
7. 前記複合材層は、前記セラミック部と金属部とガラス部との混在割合を相違させた１層以上の部分複合材層を積層したものである、
   ことを特徴とする請求項６に記載のセラミック基板。
8. 請求項１乃至７の何れか一項に記載のセラミック基板の製造方法であって、
   平面視が矩形状である一対の表面を有するセラミックグリーンシートにおける少なくとも一方の表面の全面に、セラミック部と金属部とガラス部とからなる複合材層を形成する工程と、
   上記複合材層の上面にメタライズ層を形成する工程と、
   上記メタライズ層の表面にメッキ層を被覆する工程と、を含む、
   ことを特徴とするセラミック基板の製造方法。
9. 請求項２乃至７の何れか一項に記載のセラミック基板の製造方法であって、
   平面視が矩形状である一対の表面を有する上層側のセラミックグリーンシートの前記表面の全面に、セラミック部と金属部とガラス部とからなる複合材層を形成する工程と、
   上記複合材層の上面にメタライズ層を形成する工程と、
   上記複合材層およびメタライズ層が形成された上記上層側のセラミックグリーンシートの中央側を厚み方向に沿って打ち抜いて、平面視で矩形状の貫通孔を形成する工程と、
   上記上層側のセラミックグリーンシートの裏面側に、上記貫通孔を塞ぐ平板状の下層側のセラミックグリーンシートを積層する工程と、
   上記貫通孔を形成する工程により平面視で矩形状となった上記メタライズ層の表面にメッキ層を被覆する工程と、を含む、
   ことを特徴とするセラミック基板の製造方法。
10. 前記セラミックグリーンシートは、平面視でセラミック基板となる複数の基板領域を縦横に隣接させた製品領域と、該製品領域の外周側に位置する矩形枠状の耳部とから構成されており、
    前記メタライズ層は、上記基板領域ごとの前記複合材層の四辺に沿って形成される、
    ことを特徴とする請求項８に記載のセラミック基板の製造方法。
11. 前記上層側および下層側のセラミックグリーンシートは、平面視でセラミック基板となる複数の基板領域を縦横に隣接させた製品領域と、該製品領域の外周側に位置する矩形枠状の耳部とから構成されており、
    前記貫通孔を形成する工程は、上記基板領域ごとの前記複合材層およびメタライズ層が形成された上記上層側のセラミックグリーンシートの中央部側に対して行われる、
    ことを特徴とする請求項９に記載のセラミック基板の製造方法。
12. 前記各工程の後に、前記メッキ層の上に、ロウ材を介して平面視が矩形枠状の金属枠を接合する工程を有する、
    ことを特徴とする請求項８乃至１１の何れか一項に記載のセラミック基板の製造方法。
13. 前記各工程の後に、前記メッキ層の上に、ロウ材を介して金属部材を接合する工程を有する、
    ことを特徴とする請求項８乃至１１の何れか一項に記載のセラミック基板の製造方法。

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