JP3937993B2 - 配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線板の製造方法に関し、特に、絶縁基板の両面に形成された配線がブラインドビアで接続された配線板に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、絶縁基板の表面に配線を設けた配線板には、前記絶縁基板の第1主面に第1配線が設けられ、前記絶縁基板の第1主面の裏面(以下、第2主面と称する)に第2配線が設けられた両面配線板がある。
【0003】
前記両面配線板は、例えば、図9及び図10、ならびに図11に示すように、絶縁基板1の第1主面1Aに第1配線2Aが設けられ、第2主面1Bに第2配線2Bが設けられている。ここで、図10は図9の領域AR3の拡大図、図11は図10のB−B’線での断面図である。
【0004】
また、前記両面配線板は、前記第1配線2Aと前記第2配線2Bとは、図11に示したように、前記第1配線2A及び前記絶縁基板1を貫通して前記第2配線2Bに達する開口部(ブラインドビアホール;Blind Via Hole)BVHに設けられた配線接続導体3により電気的に接続されている。前記配線接続導体3は、例えば、電気銅めっきでなり、図11に示したように、前記第1配線2A上にも前記配線接続導体(電気銅めっき)3の薄い層が設けられている。以下、前記配線接続導体3のうち、前記ブラインドビアホールBVH内に設けられた部分を、ブラインドビアと称する。
【0005】
また、前記第1配線2A(配線接続導体3)及び前記第2配線2Bの表面には、例えば、金めっき、錫めっき、錫銀合金めっきなどの機能めっき4が設けられている。
【0006】
また、前記絶縁基板1は、例えば、ポリイミドテープのように一方向に長尺なテープ状であり、図9に示したような、配線板として用いる領域AR4が繰り返し設けられている。
【0007】
前記両面配線板を製造するときには、まず、図12(a)に示すように、絶縁基板1の第1主面1Aに第1導体膜2A’を接着し、前記絶縁基板1の第2主面1Bに第2導体膜2B’を接着するとともに、前記第1導体膜2A’及び前記絶縁基板1を貫通して前記第2導体膜2B’に達する開口部(ブラインドビアホール)BVHを形成する。
【0008】
このとき、前記ブラインドビアホールBVHは、例えば、前記絶縁基板1の第1主面1Aに銅箔などの第1導体膜2A’を接着し、前記絶縁基板1の第2主面1Bに第2導体膜2B’を接着した後、前記第1導体膜2A’上から炭酸ガスレーザなどのレーザ光を照射して形成する。
【0009】
また、前記ブラインドビアホールBVHは、例えば、前記絶縁基板1の第1主面1Aに前記第1導体膜2A’を接着し、金型(抜き型)を用いた打ち抜き加工で貫通穴を形成した後、前記絶縁基板1の第2主面1Bに前記第2導体膜2B’を接着してもよい。このとき、前記第2導体膜2B’を接着することにより前記絶縁基板1の貫通穴の開口端がふさがれた状態になり、ブラインドビアホールBVHとなる。
【0010】
次に、図12(b)に示すように、前記ブラインドビアホールBVH内及び前記第1導体膜2A’上に配線接続導体3を形成する。このとき、前記配線接続導体3は、例えば、電気銅めっきにより形成する(例えば、特許文献1参照)。
なお、BVH内壁には無電解銅めっきやパラジウム系触媒による導通処理が前処理工程で必要である。
【0011】
またこのとき、前記電気銅めっきは、前記ブラインドビアホールBVH内に選択的に形成され、且つ前記第1導体膜2A’上に形成されるめっきの平坦性をよくするために、専用のめっき液(めっき浴)を用い、電流密度を2A/dm2程度で行う。
【0012】
またこのとき、例えば、前記ブラインドビアホールBVHの開口径が60μmであり、深さが50μmであるときに、前記めっき条件により、前記ブラインドビアホールBVH内を前記配線接続導体3で完全に埋め込むには約40分かかる。またこのとき、前記第1導体膜2A’上に成膜されるめっきは10μm程度増加する。
【0013】
次に、図12(c)に示すように、前記第1導体膜2A’及び前記第1導体膜2A’上の配線接続導体3の不要な部分を除去して第1配線2Aを形成するとともに、前記第2導体膜2B’の不要な部分を除去して第2配線2Bを形成する。
【0014】
その後、前記第1配線2A(配線接続導体3)及び前記第2配線2Bの表面に、例えば、金めっき、錫めっき、錫銀合金めっきなどの機能めっき4を形成すると、図11に示したような配線板が得られる。
【0015】
前記両面配線板は、例えば、LGA型の半導体装置に用いられ、例えば、図13に示すように、前記配線板の第1配線2Aが設けられた面に半導体チップ5を設け、前記第1配線2Aと前記半導体チップ5の外部電極501と接続導体(バンプ)6により電気的に接続する。また、前記配線板と前記半導体チップ5の間には、絶縁体7を設け、前記第1配線2Aと前記半導体チップ5の外部電極501との接続部を封止する。またこのとき、前記第2配線2Bは、電子装置(電子モジュール)を形成するための実装基板などに設けられた配線(端子)と接続される外部接続端子(ランド)として用いられる。
【0016】
【特許文献】
特開平11−102937号公報(第3〜5頁、第1図)
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術では、前記配線接続導体3を形成するための電気銅めっきを行うときに、電流密度が小さいので、前記ブラインドビアホールBVH内に前記銅めっきを充填させる時間が長くなり、生産性が悪いという問題があった。また、前記配線板の生産性が悪いため、前記配線板の製造コストが高くなるという問題があった。
【0018】
また、前記ブラインドビアホールBVH内の配線接続導体(ブラインドビア)3は、前記絶縁基板1の熱膨張などによりはがれやクラックが発生して断線するのを防ぐために、なるべく厚く形成したほうがよい。しかしながら、従来の方法で形成した場合、電流密度が低く、めっきの成長速度が遅いので、前記ブラインドビアホール内の銅めっきを厚くすると、図14に示すように、前記第1導体膜2A’上のめっきも厚くなる。前記第1導体膜2A’上のめっきが厚くなり、前記第1導体膜2A’と前記第1導体膜2A’上のめっきの厚さとの和T2が大きくなると、エッチングしたときに、エッチング残りや配線の形状不良が起こりやすい。そのため、前記第1配線2Aの微細化が難しくなるという問題があった。
【0019】
また、前記第1導体膜2A’上のめっきが厚くなると、前記第1導体膜2A’と前記第1導体膜2A’上のめっきの厚さとの和T2と、前記第2導体膜2B’の厚さT3の差が大きくなるので、前記第1導体膜2A’及び前記めっきと、前記第2導体膜2B’を同時にエッチングすると、前記第1配線2Aもしくは前記第2配線2Bに形状不良が起こりやすい。そのため、前記第1導体膜2A’上のめっきを研磨して薄くしたり、前記第1配線2Aと前記第2配線2Bを個別に形成したりする必要があり、配線板の生産性が低下するという問題があった。
【0020】
本発明の目的は、絶縁基板の第1主面に設けられた第1配線と前記絶縁基板の第2主面に設けられた第2配線がブラインドビアで接続されている配線板の生産性を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【0021】
本発明の他の目的は、絶縁基板の第1主面に設けられた第1配線と前記絶縁基板の第2主面に設けられた第2配線がブラインドビアで接続されている配線板において、ブラインドビアの接続性を向上させるとともに、配線の微細化を容易にすることが可能な技術を提供することにある。
【0022】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0023】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明の概要を説明すれば、以下の通りである。
【0024】
絶縁基板の第1主面に第1導体膜を接着し、前記絶縁基板の第1主面の裏面(第2主面)に第2導体膜を接着するとともに、前記第1導体膜及び前記絶縁基板を貫通して前記第2導体膜に達する開口部(以下、ブラインドビアホールと称する)を形成するブラインドビアホール形成工程と、前記ブラインドビアホール内および前記第1導体膜の表面に配線接続導体を形成して前記第1導体膜と前記第2導体膜を電気的に接続する配線接続導体形成工程と、前記第1導体膜及び前記配線接続導体の不要な部分を除去して第1配線を形成し、前記第2導体膜の不要な部分を除去して第2配線を形成する配線形成工程とを備える配線板の製造方法であって、前記配線接続導体形成工程は、前記第2導体膜を電極(陰極)とした電気めっきにより、前記ブラインドビアホール内に、前記絶縁基板の厚さよりも薄い第1めっきを形成する第1めっき形成工程と、前記第1導体膜、あるいは前記第1導体膜及び前記第2導体膜を電極(陰極)とした電気めっきにより、前記第1導体膜及び前記第1めっき上に第2めっきを形成する第2めっき形成工程とを備え、前記第1めっき形成工程は、電気めっきの電流密度を、前記第2めっき形成工程の電気めっきの電流密度よりも高くして行う配線板の製造方法である。
【0025】
前記の手段において、前記配線接続導体形成工程を、前記第1めっき形成工程と前記第2めっき形成工程に分けることにより、途中までは電流密度が大きい状態で電気めっきを行う。一般に、電気めっきの厚さは電流密度に比例するので、前記の手段を用いることにより、従来の配線板の製造方法のように最初から電流密度が小さい状態で電気めっきを行う場合に比べて、短時間で前記配線接続導体を形成することができる。そのため、前記配線板の生産性が向上し、前記配線板の製造コストを低減することができる。
【0026】
また、前記第1めっき形成工程において、電流密度が高い状態で前記第1めっきを形成した後、前記第2めっき形成工程で前記第2めっきを形成することにより、前記ブラインドビアホール内の配線接続導体(ブラインドビア)を厚くすることができる一方で、前記第1導体膜上の配線接続導体(第2めっき)が厚くなるのを防ぐことができる。そのため、前記ブラインドビアの接続性を向上させるとともに、前記第1配線の微細化を容易にすることができる。
【0027】
またこのとき、前記第1めっきは、電流密度が大きい状態で形成しているので、前記第1めっきと前記第1導体膜とが電気的に接続されると、電流密度が不安定になり、前記第1導体膜上のめっきの平坦性が悪くなる可能性がある。そのため、前記第1めっきの厚さは、前記第1導体膜と電気的に接続されないように、前記絶縁基板の厚さよりも薄くする。特に、前記ブラインドビアホールの深さの3分の1から2分の1程度の厚さに形成する。
【0034】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態(実施例)とともに詳細に説明する。
【0035】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0036】
【発明の実施の形態】
(実施例)
図1乃至図3は、本発明による一実施例で作製された配線板の概略構成を示す模式図であり、図1は配線板の平面図、図2は図1の領域AR1の拡大平面図、図3は図2のA−A’線での断面図である。
【0037】
図1において、1は絶縁基板、1Aは絶縁基板の第1主面、1Bは絶縁基板の第2主面、2Aは第1配線(第1導体パターン)、2Bは第2配線(第2導体パターン)、3Aは第1めっき、3Bは第2めっき、4は機能めっき、BVHはブラインドビアホール(Blind Via Hole)である。
【0038】
本実施例の配線板は、図1及び図2、ならびに図3に示すように、絶縁基板1の第1主面1Aに第1配線(第1導体パターン)2Aが設けられ、前記絶縁基板1の第1主面1Aの裏面(以下、第2主面と称する)1Bに第2配線(第2導体パターン)2Bが設けられている両面配線板である。
【0039】
また、前記第1配線2Aと前記第2配線2Bとは、図3に示すように、前記第1配線2A及び前記絶縁基板1を貫通して前記第2配線2Bに達する開口部(以下、ブラインドビアホールと称する)BVHに設けられた配線接続導体(以下、ブラインドビアと称する)により電気的に接続されている。このとき、前記ブラインドビアは、図3に示したように、前記ブラインドビアホールBVHの底面、すなわち前記第2配線2B上に設けられた第1めっき3Aと、前記第1めっき3A上及び前記第1配線2A上に設けられた第2めっき3Bからなる。前記第1めっき3A及び前記第2めっき3Bは、例えば、電気銅めっきでなる。
【0040】
また、前記第1配線2A(第2めっき3B)及び前記第2配線2Bの表面には、図3に示したように、機能めっき4が設けられている。前記機能めっき4は、例えば、半導体チップを実装するときの接合材としての機能を有するめっきであり、金めっき、錫めっき、錫銀合金めっきなどでなる。
【0041】
また、本実施例の配線板は、例えば、LGA(Land Grid Array)などの半導体装置のインターポーザとして用いられる配線板であって、一般に、ポリイミドテープなどの一方向に長尺なテープ状の絶縁基板1に、図1に示したような、配線板として用いる領域AR2が繰り返し設けられている。
【0042】
図4及び図5は、本実施例の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図4(a)はブラインドビアホールを形成する工程の断面図、図4(b)は第1めっきを形成する工程の断面図、図4(c)は第2めっきを形成する工程の断面図、図5は第1配線及び第2配線を形成する工程の断面図である。また、図4(a)及び図4(b)、ならびに図4(c)において、2A’は第1導体膜、2B’は第2導体膜である。
【0043】
以下、図4及び図5に沿って、本実施例の配線板の製造方法について説明する。
【0044】
まず、図4(a)に示すように、絶縁基板1の第1主面1Aに第1導体膜2A’を接着し、前記絶縁基板1の第2主面1Bに第2導体膜2Bを接着するとともに、前記第1導体膜2A’及び前記絶縁基板1を貫通して前記第2導体膜2B’に達する開口部(ブラインドビアホール)BVHを形成する。
【0045】
このとき、前記ブラインドビアホールBVHは、例えば、前記絶縁基板1に前記第1導体膜2A’及び前記第2導体膜2B’を接着した後、前記第1導体膜2A’上から炭酸ガスレーザなどのレーザ光を照射して形成する。また、例えば、前記絶縁基板1に前記第1導体膜2A’を接着し、金型(抜き型)を用いた打ち抜き加工で貫通穴をあけた後、前記絶縁基板1の第2主面1Bに前記第2導体膜2B’を接着して、前記貫通穴の一方の開口端をふさぐように形成してもよい。
【0046】
次に、図4(b)に示すように、前記ブラインドビアホールBVH内に、第1めっき3Aを形成する。前記第1めっき3Aは、例えば、前記第2導体膜2B’を電極(陰極)とした電気銅めっきで形成する。
【0047】
このとき、前記第2導体膜2B’を電極とすることにより、前記第1導体膜2A’上にはめっきが成長しないので、前記第1めっき3Aは、電流密度が大きい状態で形成することができ、例えば、電流密度を20A/dm2程度にすることができる。
【0048】
またこのとき、前記第1めっき3Aが成長して前記第1導体膜2A’と接触してしまうと、前記第1導体膜2A’も電極となり、電流密度が不安定な状態で前記第1導体膜2A’上にめっきが形成され、前記第1導体膜2A’の平坦性が悪くなってしまう。そのため、前記第1めっき3Aは、前記絶縁基板1の厚さT1よりも薄く形成することが好ましく、例えば、前記ブラインドビアホールBVHの深さ、すなわち前記絶縁基板1と前記第1導体膜2A’の厚さとの和の3分の1から2分の1程度の厚さになるようにする。
【0049】
以上のようなことから、例えば、前記ブラインドビアホールBVHの開口径が60μmであり、深さ、言い換えると前記絶縁基板1及び前記第1導体膜2A’の厚さの和が50μmであるとすると、前記第1めっき3Aは、35μm程度の厚さするのが好ましく、電流密度を20A/dm2にした場合、前記第1めっき3Aは、約8分で形成することができる。
【0050】
次に、図4(c)に示すように、前記ブラインドビアホールBVH内の第1めっき3A上及び前記第1導体膜2A’上に、第2めっき3Bを形成する。前記第2めっき3Bは、前記第1めっき3Aと同様に、電気銅めっきで形成するが、前記第1導体膜2A’上に形成されるめっきの平坦性をよくするために、電流密度は、例えば、2A/dm2程度にして行う。
【0051】
このとき、前記ブラインドビアホールBVH内には、すでに前記第1めっき3Aが形成されているため、前記第1めっき3A上の第2めっき3Bの厚さは5μm程度あれば十分であるが、図4(c)に示したように、前記ブラインドビアホールBVHを完全に埋め込むまで形成した場合でも、約12分で形成することができる。
【0052】
またこのとき、前記第2めっき3Bの形成するために必要な時間が短いので、前記第1導体膜2A’上に形成されるめっき(第2めっき3B)が厚くなるのを防げる。そのため、前記第1導体膜2A’と前記第1導体膜2A’上の第2めっき3Bの厚さとの和T2と、前記第2導体膜2B’の厚さT3の差を小さくすることができる。
【0053】
本実施例の配線板の製造方法を用いた場合、前記配線接続導体(ブラインドビア)を形成する工程には、前記第1めっき3Aを形成する工程と前記第2めっき3Bを形成する工程の他に、例えば、洗浄工程などの工程が必要となるが、それらの工程でかかる時間を含めても、25分から30分程度で前記第1めっき3A及び前記第2めっき3Bを形成することができる。一方、従来の配線板の製造方法のように、最初から電流密度が小さい状態で配線接続導体(ビア)3を形成した場合、前記ブラインドビアホールBVHの開口径が60μmであり、深さが50μmであるとし、前記ブラインドビアホールBVH内の配線接続導体3の厚さが15μm程度になるようにするには、電気銅めっきを行う工程だけで約40分かかり、洗浄工程などを含めると50分から1時間かかる。つまり、本実施例の配線板の製造方法を適用することで、前記ブラインドビアホールBVH内に配線接続導体を形成する工程に要する時間が約半分になり、配線板の製造にかかる時間を短縮することができる。
【0054】
次に、図5に示すように、前記第1導体膜2A’及び前記第1導体膜2A’上の第2めっき3Bの不要な部分を除去して第1配線2Aを形成し、前記第2導体膜2B’の不要な部分を除去して第2配線2Bを形成する。このとき、前記第1配線2Aは、エッチングで不要な部分を除去して形成するが、前記第1導体膜201上の第2めっき3Bが薄いので、前記第1配線2Aの微細化が容易になる。
【0055】
その後、前記第1配線2Aの表面及び前記第2配線2Bの表面に、機能めっき4を形成すると、図3に示したような配線板が得られる。前記機能めっき4は、例えば、金めっき、ニッケルめっきを下地とした金めっき、錫めっき、錫銀合金めっきなどで形成する。
【0056】
図6は、本実施例で作製された配線板を用いた半導体装置の概略構成を示す模式断面図である。また、図6において、5は半導体チップ、501は半導体チップの外部電極、6は接続導体(バンプ)、7は絶縁体である。
【0057】
本実施例の配線板は、例えば、LGA型の半導体装置のインターポーザとして用いられ、図6に示すように、前記配線板の第1配線2Aが設けられた面に半導体チップ5を設け、前記第1配線2Aと前記半導体チップ5の外部電極501と接続導体(バンプ)6により電気的に接続する。また、前記配線板と前記半導体チップ5の間には、絶縁体7を設け、前記第1配線2Aと前記半導体チップ5の外部電極501との接続部を封止する。またこのとき、前記第2配線2Bは、電子装置(電子モジュール)を形成するための実装基板などに設けられた配線(端子)と接続される外部接続端子(ランド)として用いられる。
【0058】
以上説明したように、本実施例の配線板の製造方法によれば、電流密度が大きい状態で前記第1めっき3Aを形成した後、電流密度を小さくして前記第2めっき3Bを薄く形成することにより、従来のように始めから電流密度が小さい状態で前記配線接続導体(ブラインドビア)3を形成する場合に比べて、短時間で配線板を形成することができる。そのため、前記配線板の生産性が向上し、前記配線板の製造コストを低減することができる。
【0059】
また、前記ブラインドビアホールBVH内に、前記絶縁基板の厚さT1よりも薄く、且つ、前記ブラインドビアホールBVHの深さの3分の1から2分の1程度の厚さの前記第1めっき3Aを形成することにより、前記第1めっき3A上の第2めっき3Bが薄くても、前記第1配線2Aと前記第2配線2Bの接続信頼性を確保することができる。また、前記第1めっき3A上の第2めっき3Bが薄い場合、前記第1配線2A(第1導体膜2A’)上のめっきも薄くすることができるので、前記第1配線2Aの微細化が容易である。すなわち、本実施例の配線板の製造方法によれば、前記第1配線2Aと前記第2配線2Bの接続信頼性を向上させるとともに、前記第1配線2Aの微細化を容易にすることができる。
また、従来のビアフィリング法では、BVH内壁に無電解銅めっき膜やパラジウム系触媒などの導通皮膜の形成が必要で、そのために複雑な前処理工程が必要であったが、本発明を用いることにより、導通皮膜の形成が必要となるので、前処理工程の大幅な簡略化を図ることができる。
【0060】
図7及び図8は、前記実施例で作製された配線板の応用例を説明するための模式図であり、図7は前記配線板を用いた半導体装置の概略構成を示す断面図、図8は前記配線板の拡大断面図である。
【0061】
前記実施例で説明した配線板のように、前記絶縁基板1の第1主面1Aに第1配線2Aが設けられ、前記絶縁基板1の第2主面1Bに第2配線2Bが設けられた両面配線板は、図6に示したように、前記第2配線2Bを外部接続端子として用いるLGA型の半導体装置に用いることが多い。しかしながら、前記実施例で説明した配線板は、前記LGA型の半導体装置に限らず、例えば、BGA(Ball Grid Array)、CSP(Chip Size/Scale Package)などの半導体装置のインターポーザとして用いることもできる。前記BGA型の半導体装置のインターポーザとして用いた場合には、図7に示すように、前記第2配線2B上に、錫鉛合金(はんだ)などのボール状の外部接続端子8を設ければよい。
【0062】
またこのとき、前記絶縁基板1の第2主面1B側には、図8に示したように、前記外部接続端子8を形成する領域を除く領域に、はんだ保護膜(ソルダレジスト)などの保護膜9を設ける。
【0063】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【0064】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【0065】
(1)絶縁基板の第1主面に設けられた第1配線と前記絶縁基板の第2主面に設けられた第2配線がブラインドビアで接続されている配線板の生産性を向上させることができる。
【0066】
(2)絶縁基板の第1主面に設けられた第1配線と前記絶縁基板の第2主面に設けられた第2配線がブラインドビアで接続されている配線板において、ブラインドビアの接続性を向上させるとともに、配線の微細化を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による一実施例で作製された配線板の概略構成を示す模式平面図である。
【図2】 本実施例で作製された配線板の概略構成を示す模式図であり、図1の領域AR1の拡大平面図である。
【図3】 本実施例で作製された配線板の概略構成を示す模式図であり、図2のA−A’線での断面図である。
【図4】 本実施例の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図4(a)はブラインドビアホールを形成する工程の断面図、図4(b)は第1めっきを形成する工程の断面図、図4(c)は第2めっきを形成する工程の断面図である。
【図5】 本実施例の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、第1配線及び第2配線を形成する工程の断面図である。
【図6】 本実施例で作製された配線板を用いた半導体装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図7】 前記実施例で作製された配線板の応用例を説明するための模式図であり、前記配線板を用いた半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図8】 前記実施例で作製された配線板の応用例を説明するための模式図であり、前記配線板の拡大断面図である。
【図9】 従来の配線板の概略構成を示す模式平面図である。
【図10】 従来の半導体装置に用いられる配線板の概略構成を示す模式図であり、図9の領域AR3の拡大平面図である。
【図11】 従来の半導体装置に用いられる配線板の概略構成を示す模式図であり、図10のB−B’線での断面図である。
【図12】 従来の配線板の製造方法を説明するための模式図であり、図12(a)はブラインドビアホールを形成する工程の断面図、図12(b)は配線接続導体(ブラインドビア)を形成する工程の断面図、図12(c)は第1配線及び第2配線を形成する工程の断面図である。
【図13】 従来の半導体装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図14】 従来の配線板の課題を説明するための模式断面図である。
【符号の説明】
1 絶縁基板
1A 絶縁基板の第1主面
1B 絶縁基板の第2主面
2 第1配線
2A 第1配線
2A’ 第1導体膜
2B 第2配線
2B’ 第2導体膜
3 配線接続導体(ブラインドビア)
3A 第1めっき
3B 第2めっき
4 機能めっき
5 半導体チップ
501 半導体チップの外部電極
6 接続導体(バンプ)
7 絶縁体
8 外部接続端子
9 保護膜
BVH ブラインドビアホール
Claims (1)
- 絶縁基板の第1主面に第1導体膜を接着し、前記絶縁基板の第1主面の裏面である第2主面に第2導体膜を接着するとともに、前記第1導体膜及び前記絶縁基板を貫通して前記第2導体膜に達する開口部であるブラインドビアホールを形成するブラインドビアホール形成工程と、前記ブラインドビアホール内および前記第1導体膜の表面に配線接続導体を形成して前記第1導体膜と前記第2導体膜を電気的に接続する配線接続導体形成工程と、前記第1導体膜及び前記配線接続導体の不要な部分を除去して第1配線を形成し、前記第2導体膜の不要な部分を除去して第2配線を形成する配線形成工程とを備える配線板の製造方法であって、
前記配線接続導体形成工程は、
前記第2導体膜を陰極とした電気めっきにより、前記ブラインドビアホール内の前記第2導体膜上に、前記絶縁基板の厚さよりも薄く、且つ、前記ブラインドビアホールの深さの3分の1から2分の1の厚さを有する第1めっきを形成する第1めっき形成工程と、
前記第1導体膜、あるいは前記第1導体膜及び前記第2導体膜を陰極とした電気めっきにより、前記第1導体膜及び前記第1めっき上に第2めっきを形成する第2めっき形成工程とを備え、
前記第1めっき形成工程は、電気めっきの電流密度を、前記第2めっき形成工程の電気めっきの電流密度よりも高くして行うことを特徴とする配線板の製造方法。
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