JPH1070211A - テープキャリア及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、多ピン化の際に、めっきリードを
原因とする短絡、絶縁性低下、静電容量の発生等を無く
し、信頼性の向上と共に、配線パターンの設計自由度の
向上を図る。 【解決手段】 略中央に半導体チップ搭載用の開口部
(5) が形成された絶縁テープ(1) と、絶縁テープの片面
上に選択的に形成された第１配線層(3b)と、絶縁テープ
の他の片面上に選択的に形成された第２配線層(6b)と、
第１配線層と第２配線層とを接続する層間接続部材(8)
と、第１配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっ
き層(9) を有し、外部要素と電気的に接続するための複
数のランド(3a)と、第２配線層から櫛歯状に形成され、
先端が開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用
電極(6b)と、半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに
電気的に接続する先端接続部材(21)とを備えたテープキ
ャリア及びその製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップのパ
ッケージに用いられるテープキャリア及びその製造方法
に係わり、特に、電解めっきのための配線を低減して集
積度を向上し得るテープキャリア及びその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】最近、ノートブック型パソコン、ハンデ
ィビデオ機器及び携帯電話などの携帯可能な電子機器が
広く販売されている。このため、これら電子機器内に半
導体装置を実装する際のパッケージに対して小形化、高
機能化の要求が高まりつつある。

【０００３】この種のパッケージには、ＬＳＩ等の半導
体チップを搭載可能なＢＧＡ(BallGrid Array) 型ある
いはＱＦＰ(Quad Flat Package) 型などのチップキャリ
アが用いられている。この種のチップキャリアとして
は、例えばＢＧＡ型が特開平７−２２５３８号公報に開
示され、特に、薄型化のためにテープを用いたものが知
られているため、以下、チップキャリアをテープキャリ
アと称して説明する。なお、テープキャリアに半導体チ
ップが搭載されて樹脂封止されることにより、外部要素
のマザーボード等に実装可能な半導体装置が製造され
る。

【０００４】図１５及び図１６はこの種のＢＧＡ型のテ
ープキャリアの製造方法を模式的に示す工程断面図であ
る。図１５（ａ）に示すように、２５μｍ厚のポリイミ
ドテープ１の片面に接着剤２が塗布され、図１５（ｂ）
に示すように、この接着剤２上にＧＮＤ配線層となる３
５μｍ厚の第１銅箔３が貼付けられる。また、図７
（ｃ）に示すように、ポリイミドテープ１の他の片面に
も接着剤４が塗布され、しかる後、図１５（ｄ）に示す
ように、半導体チップを搭載するための開口部５（以
下、デバイスホールという）が金型を用いて打抜きによ
り形成される。

【０００５】続いて、図１５（ｅ）に示すように、この
接着剤４上に配線層となる１８μｍ厚の第２銅箔６が貼
付けられ、図１５（ｆ）に示すように、１回目に貼付け
た銅箔３がエッチングされて複数のランド３ａを有する
ＧＮＤ（第１）配線層３ｂが形成される。

【０００６】また、図１５（ｇ）に示すように、エキシ
マレーザ（又は金型による打抜き）により、ポリイミド
テープ１に第２銅箔６に達する深さの穴７（ブラインド
ホール）が形成され、レーザ加工後の酸化を阻止するた
め、洗浄工程により洗浄される。

【０００７】この洗浄の後、乾燥されると、この穴７は
導電性金属のめっき（又は導電性ペーストの印刷）によ
り充填され、図１６（ｈ）に示すように、第２銅箔６と
ＧＮＤ配線層３ｂとが電気的に接続されてバイアホール
８が形成される。

【０００８】また、この第２銅箔６が図１６（ｉ）に示
すようにエッチングされ、デバイスホール５近傍に複数
の半導体接続用電極６ａを有する第２配線層６ｂが形成
される。さらに、図１６（ｊ）に示すように、この第２
配線層６ｂ及びＧＮＤ配線層３ｂの表面が金等のめっき
処理によりめっき層９等で被覆される。

【０００９】また、これらの各配線層３ｂ，６ｂを後工
程にて用いられるハンダ等から保護するため、図１６
（ｋ）に示すように、ソルダーレジスト（ＳＲ）からな
る表面保護層１０が各半導体接続用電極６ａ及び各ラン
ド３ａ以外の各配線層３ｂ，６ｂの表面に選択的に形成
される。

【００１０】しかる後、図１６（ｌ）に示すように、各
ランド３ａに夫々ハンダボール１１がマウントされ、テ
ープキャリアが完成される。続いて、以上のような製造
工程において、図１６（ｊ）のめっき工程について詳述
する。

【００１１】通常、各ランド３ａをめっきする際には、
電解めっきが用いられる。この電解めっきは、導通部の
みをめっき可能な特長を有し、また、無電解めっきに比
べ、安価でめっき速度の早い利点をもっている。

【００１２】具体的には、電解めっきでは、各ランド３
ａ及び各半導体接続用電極６ａを互いに等電位とする必
要上、図１７に示すように、各スプロケットホール１２
列の内側で且つ、最終製品となる部分を囲む梯子形状に
形成された主めっきリード１３と、最終製品における各
ランド（外部接続用電極）３ａとの間を導通させるよう
にめっきリード１４が形成されている。

【００１３】ところで、ＱＦＰ型のテープキャリアの場
合、ランド３ａが無く、外部接続用電極がアウターリー
ドとなるため、各アウターリードを相互に接続すること
により、外部接続用電極相互の導通を容易に確保可能と
なっている。

【００１４】これに対し、上述したＢＧＡ型のテープキ
ャリアの場合、外部接続用電極がランド３ａとなり、各
ランド３ａが半導体接続用電極６ａを始端とする電気的
導通の終端であってマトリックス状に配置されるため、
ＱＦＰ型と比べ、外部接続用電極相互の導通を確保しに
くくなっている。

【００１５】例えば、ＢＧＡ型のテープキャリアでは、
半導体接続用電極６ａと各ランド１３との間に種々のパ
ターンの回路用の配線層３ｂ，６ｂが形成されている
が、デバイスホール５側の各ランド３ａについては、こ
れらの配線層３ｂ，６ｂの間を通るようにめっきリード
１４を形成する必要があるからである。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】以上述べたようにＢＧ
Ａ型のテープキャリアでは、デバイスホール５側の各ラ
ンド３ａについては、めっきリード１４を回路用の各配
線層３ｂ，６ｂの間を通して形成する必要があるが、半
導体チップの多ピン化に伴い、デバイスホール５側の各
ランド３ａの全てを外周側の主めっきリード１３に接続
することが困難となる問題がある。

【００１７】また、めっきリード１４は、最終製品では
電気的に不要であるにも関わらず、多ピン化に伴い、隣
接するめっきリード１４又はランド３ａと短絡する可能
性を増大させる問題があり、信頼性を低下させる原因と
もなっている。

【００１８】さらに、多数のめっきリード１４の存在に
より、回路の配線パターンの設計における自由度が制約
され、基板設計の難易度を高めるという問題がある。す
なわち、図１７では、デバイスホール５の周囲にランド
３ａが２重に囲うように形成されているが、内周側のラ
ンドから、外周側のランドの間を通って、めっきリード
１４が主メッキリード１３に接続されている。

【００１９】多ピン化と共にランド３ａはデバイスホー
ル５の周囲を３重、４重に囲うように形成され、外周側
のランドの間を通るめっきリードの本数は増加し、３重
以上になると、外周側のランドと接続される回路用の配
線ともさらに交錯することになる。

【００２０】つまり、多ピン化につれて設計の自由度が
飛躍的に低下し、難易度が飛躍的に高くなっていくとい
う問題がある。さらに、めっきリード１４は、最終製品
では不要であるにも関わらず、正規の回路の配線パター
ンとの間で静電容量を形成することにより、電気的ノイ
ズの原因となり、電気的信頼性を低下させる問題があ
る。

【００２１】本発明は上記実情を考慮してなされたもの
で、多ピン化の際に、めっきリードを原因とする短絡、
絶縁性低下、静電容量の発生等を無くし、電気的信頼性
を向上し得るテープキャリア及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。また、本発明の他の目的は、配線
パターンの設計の自由度を向上し得るテープキャリア及
びその製造方法を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】請求項１に対応する発明
は、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形
成された絶縁テープと、前記絶縁テープの片面上に選択
的に形成された配線層と、前記配線層から連続的に形成
され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に
接続するための複数のランドと、前記配線層から連続的
に櫛歯状に形成され、先端が前記開口部の周縁よりも内
側に位置する半導体接続用電極と、前記半導体接続用電
極から連続的に形成され、前記半導体接続用電極の櫛歯
状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材とを備
えたテープキャリアである。

【００２３】また、請求項２に対応する発明は、略中央
に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶
縁テープと、前記絶縁テープの片面上に選択的に形成さ
れた第１配線層と、前記絶縁テープの他の片面上に選択
的に形成された第２配線層と、前記第１配線層と前記第
２配線層とを電気的に接続する層間接続部材と、前記第
１配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を
有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランド
と、前記第２配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先
端が前記開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続
用電極と、前記半導体接続用電極から連続的に形成さ
れ、前記半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気
的に接続する先端接続部材とを備えたテープキャリアで
ある。

【００２４】さらに、請求項３に対応する発明は、請求
項１又は請求項２に対応するテープキャリアにおいて、
前記絶縁テープとしては、前記開口部の周縁から内側に
延長して形成され、前記先端接続部材を支持する支持部
材を備えたテープキャリアである。

【００２５】また、請求項４に対応する発明は、略中央
に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶
縁テープと、前記絶縁テープの片面上に選択的に形成さ
れた配線層と、前記配線層から連続的に形成され、且つ
表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するた
めの複数のランドと、前記配線層から連続的に櫛歯状に
形成され、先端が前記開口部の周縁よりも内側に位置す
る半導体接続用電極と、前記絶縁テープから連続的に形
成され、前記半導体接続用電極の先端よりも前記開口部
の内側に位置する支持部を有し、前記支持部で前記半導
体チップを支持する支持手段と、前記支持部に支持さ
れ、前記半導体接続用電極に電気的に接続された半導体
チップとを備えた半導体装置である。

【００２６】さらに、請求項５に対応する発明は、請求
項１に対応するテープキャリアを製造するためのテープ
キャリア製造方法において、前記絶縁テープの略中央に
前記開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部の
形成された絶縁テープの片面に導電箔を貼着する導電箔
貼着工程と、前記貼着された導電箔をパターニングして
前記配線層、前記各ランド、前記半導体接続用電極及び
前記先端接続部材を形成するパターニング工程と、前記
パターニング工程の後、電解めっきにより、前記各ラン
ドの表面に前記めっき層を形成する電解めっき工程とを
含んでいるテープキャリア製造方法である。

【００２７】また、請求項６に対応する発明は、請求項
２に対応するテープキャリアを製造するためのテープキ
ャリア製造方法において、前記開口部の形成される絶縁
テープの片面に第１導電箔を貼着する第１貼着工程と、
前記貼着された絶縁テープと前記第１導電箔との略中央
に、前記開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口
部の形成された絶縁テープの他の片面に第２導電箔を貼
着する第２貼着工程と、前記第１導電箔をパターニング
して前記第１配線層及び前記各ランドを形成する第１パ
ターニング工程と、前記各ランドと前記第２導電箔とを
電気的に接続するように複数の層間接続部材を選択的に
形成する層間部材形成工程と、前記各層間接続部材を露
出させないように前記第２導電箔をパターニングして前
記第２配線層、前記半導体接続用電極及び前記先端接続
部材を形成する第２パターニング工程と、前記第２パタ
ーニング工程の後、電解めっきにより、前記各ランドの
表面に前記めっき層を形成する電解めっき工程とを含ん
でいるテープキャリア製造方法である。 （作用）従って、請求項１に対応する発明は以上のよう
な手段を講じたことにより、略中央に半導体チップを搭
載するための開口部が形成された絶縁テープと、絶縁テ
ープの片面上に選択的に形成された配線層と、配線層か
ら連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部
要素と電気的に接続するための複数のランドと、配線層
から連続的に櫛歯状に形成され、先端が開口部の周縁よ
りも内側に位置する半導体接続用電極と、半導体接続用
電極から連続的に形成され、半導体接続用電極の櫛歯状
の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材とを備え
たので、半導体接続用電極相互を電気的に接続する先端
接続部材を設けたことにより、半導体接続用電極に接続
された各ランドを互いに導通させるので、従来の主めっ
きリードと各ランドとを接続するめっきリードの本数を
低減させ、配線パターン間の絶縁層の面積を増加させる
ので、多ピン化の際に、めっきリードを原因とする短
絡、絶縁性低下、静電容量の発生等を無くし、電気的信
頼性を向上させることができると共に、配線パターンの
設計の自由度を向上させることができる。

【００２８】また、請求項２に対応する発明は、略中央
に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶
縁テープと、絶縁テープの片面上に選択的に形成された
第１配線層と、絶縁テープの他の片面上に選択的に形成
された第２配線層と、第１配線層と第２配線層とを電気
的に接続する層間接続部材と、第１配線層から連続的に
形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気
的に接続するための複数のランドと、第２配線層から連
続的に櫛歯状に形成され、先端が開口部の周縁よりも内
側に位置する半導体接続用電極と、半導体接続用電極か
ら連続的に形成され、半導体接続用電極の櫛歯状の先端
を互いに電気的に接続する先端接続部材とを備えたの
で、請求項１に対応する作用と同様の作用を奏する２層
構造のテープキャリアを実現することができる。

【００２９】さらに、請求項３に対応する発明は、請求
項１又は請求項２に対応する絶縁テープとしては、開口
部の周縁から内側に延長して形成され、先端接続部材を
支持する支持部材を備えたので、請求項１又は請求項２
に対応する作用と同様の作用に加え、テープキャリアの
取扱上で先端接続部材に力が加わったとしても、支持部
材が先端接続部材を支持するので、先端接続部材の変形
を阻止することができる。

【００３０】さらに、請求項４に対応する発明は、略中
央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された
絶縁テープと、絶縁テープの片面上に選択的に形成され
た配線層と、配線層から連続的に形成され、且つ表面に
めっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複
数のランドと、配線層から連続的に櫛歯状に形成され、
先端が開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用
電極と、絶縁テープから連続的に形成され、半導体接続
用電極の先端よりも開口部の内側に位置する支持部を有
し、支持部で半導体チップを支持する支持手段と、支持
部に支持され、半導体接続用電極に電気的に接続された
半導体チップとを備えているので、支持手段が、半導体
チップの搭載時には半導体チップを安定させて製造工程
の信頼性を向上でき、また、支持部材が、絶縁テープか
ら延長されて形成されているので、半導体チップの下に
位置しても電気特性に影響を与えず、もって、製品特性
の安定性を確保することができる。

【００３１】さらに、請求項５に対応する発明は、開口
部形成工程では、絶縁テープの略中央に開口部が形成さ
れ、導電箔貼着工程では、開口部の形成された絶縁テー
プの片面に導電箔が貼着され、パターニング工程では、
貼着された導電箔をパターニングして配線層、各ラン
ド、半導体接続用電極及び先端接続部材が形成され、電
解めっき工程では、パターニング工程の後、電解めっき
により、各ランドの表面にめっき層が形成されるので、
請求項１に対応する作用と同様の作用を奏するテープキ
ャリアを容易且つ確実に製造することができる。

【００３２】また、請求項６に対応する発明は、第１貼
着工程では、開口部の形成される絶縁テープの片面に第
１導電箔が貼着され、開口部形成工程では、貼着された
絶縁テープと第１導電箔との略中央に、開口部が形成さ
れ、第２貼着工程では、開口部の形成された絶縁テープ
の他の片面に第２導電箔が貼着され、第１パターニング
工程では、第１導電箔がパターニングされて第１配線層
及び各ランドが形成され、層間部材形成工程では、各ラ
ンドと第２導電箔とを電気的に接続するように複数の層
間接続部材が選択的に形成され、第２パターニング工程
では、各層間接続部材を露出させないように第２導電箔
がパターニングされて第２配線層、半導体接続用電極及
び先端接続部材が形成され、電解めっき工程では、第２
パターニング工程の後、電解めっきにより、各ランドの
表面にめっき層が形成されるので、請求項２に対応する
作用と同様の作用を奏するテープキャリアを容易且つ確
実に製造することができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態
に係るテープキャリアの概略構成を示す平面図であり、
図２はこのテープキャリアにおけるデバイスホール周辺
の構成を模式的に示す平面図であり、図３はこのテープ
キャリアの構成を模式的に示す断面図であって、図７乃
至図９と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明
は省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。

【００３４】すなわち、本実施の形態に係るテープキャ
リアは、主めっきリードと半導体接続用電極との間の導
通を確保しつつ、配線パターン間のめっきリードの減少
を図るものであり、具体的には、図１乃至図３に示すよ
うに、半導体接続用電極６ａの先端を互いに接続する先
端接続部材２１を備えている。

【００３５】ここで、先端接続部材２１は、図２に示す
ように、半導体接続用電極６ａから連続的に形成され、
半導体接続用電極６ａの櫛歯状の先端を互いに電気的に
接続する四角枠状のものであり、ある主めっきリード１
３から半導体接続用電極６ａに至る導通を他の全ての半
導体接続用電極６ａに拡張する機能を有し、さらに他の
半導体接続用電極６ａを介して他の各ランド３ａにまで
当該導通を拡張する機能をもっている。

【００３６】一方、各めっきリード１４は、各ランド３
ａを主めっきリード１３に導通させるための配線であ
り、図１に示すように、従来よりも本数が低減されてい
る。なお、この低減分は、半導体接続用電極６ａに導通
した各ランド３ａの個数に対応している。すなわち、半
導体接続用電極６ａに導通した各ランド３ａでは、離間
した位置の主めっきリード１３に対して先端接続部材２
１を介して導通がとられるため、めっきリード１４が省
略可能となるからである。

【００３７】但し、本実施の形態では、半導体接続用電
極６ａに導通した各ランド３ａに対しても、主めっきリ
ード１３との導通を直接とるためのめっきリード１４を
テープキャリアの各辺毎に１本づつ形成している。これ
は、省略可能なめっきリードを全て省略するよりも、テ
ープキャリアの各辺毎に１本程度めっきリード１４を残
した方が、電解めっき時の電流密度がより均一化される
ため、めっき層９の品質向上の観点から好ましいからで
ある。

【００３８】次に、以上のようなテープキャリアの製造
方法及び作用を説明する。 （製造方法）始めに、前述同様に、２５μｍ厚のポリイ
ミド（絶縁）テープ１の片面上に接着剤２を介して３５
μｍ厚の第１銅箔３が貼着され、この貼着されたポリイ
ミドテープ１と第１銅箔３との略中央が金型で打ち抜か
れることにより、図４（ａ）に示すように、半導体チッ
プ搭載用のデバイスホール５が形成される。

【００３９】続いて、ポリイミドテープの他の片面上に
第２銅箔６が貼着され、しかる後、第１銅箔３がパター
ニングされてＧＮＤ（第１）配線層３ｂ及び各ランド３
ａが形成される。また前述同様に、図４（ｂ）に示すよ
うに、ＧＮＤ配線層３ｂ又は各ランド３ａと第２銅箔６
とを電気的に接続するように各ランド３ａ側からポリイ
ミドテープ１を貫通するように各バイアホール（層間接
続部材）８が選択的に形成される。

【００４０】次に、各バイアホール８を露出させないよ
うに第２銅箔６がパターニングされて第２配線層６ｂ、
半導体接続用電極６ａ及び先端接続部材２１が形成さ
れ、しかる後、図４（ｃ）に示すように、電解めっきに
より、各ランド３ａの表面にめっき層９が形成される。

【００４１】ここで、めっき層９の形成工程において
は、まず、主めっきリード１３及び先端接続部材２１の
両方にめっき電極（図示せず）が接続される。次に、電
解めっきにより、ＧＮＤ配線層３ｂ、第２配線層６ｂ、
半導体接続用電極６ａ及び各ランド３ａの表面に、５μ
ｍ厚のニッケルめっき層が形成され、同様に電解めっき
により、このニッケルめっき層上に０．３μｍ厚の金め
っき層が形成される。

【００４２】また、ニッケル及び金のめっき層９の形成
の後、エポキシ樹脂からなるソルダレジストが表面保護
層１０として形成され、図３に示した構造の出荷可能な
テープキャリアが完成する。

【００４３】次いで、先端接続部材２１を露出させるよ
うに、表面保護層１０上にレジスト層が選択的に形成さ
れ、テープキャリア全体がエッチングされることによ
り、先端接続部材２１が半導体接続用電極６ａから除去
され、もって、半導体接続用電極６ａの先端が相互に分
離される。しかる後、レジスト層が除去され、最終的に
テープキャリアが完成される。

【００４４】このテープキャリアは、図５に示すよう
に、デバイスホール５の周縁よりも内側に位置するよう
に、半導体チップ２２が半導体接続用電極６ａに電気的
に接続され、しかる後、各ランド３ａを露出させるよう
にしつつ全体が絶縁樹脂２３にて封止され、これら各ラ
ンド３ａにハンダボール１１が形成される。また、この
チップキャリアは、各ハンダボール１１が形成される
と、各ハンダボール１１を介してマザーボード等の外部
要素と接続可能な半導体装置となる。 （作用）テープキャリアの製造工程において、半導体接
続用電極６ａ相互を電気的に接続する先端接続部材２１
を設けたことにより、半導体接続用電極６ａに接続され
た各ランド３ａを互いに導通させるので、従来の主めっ
きリード１３と各ランド３ａとを接続するめっきリード
１４の本数を低減させ、配線パターン間の絶縁層の面積
を増加させるので、多ピン化の際に、めっきリード１４
を原因とする短絡、絶縁性低下、静電容量の発生等を無
くし、電気的信頼性を向上させることができると共に、
配線パターンの設計の自由度を向上させることができ
る。

【００４５】また、半導体チップ２２の搭載前には先端
接続部材２１が除去されるので、半導体チップ２２の搭
載から樹脂封止まで等の半導体装置の製造工程や完成し
た半導体装置の電気特性に対して影響を与えず、もっ
て、製品特性の安定性を確保することができる。

【００４６】上述したように第１の実施の形態によれ
ば、めっきリード１４の本数を低減できるため、多ピン
化の際に、めっきリードを原因とする短絡、絶縁性低
下、静電容量の発生等を無くし、電気的信頼性を向上さ
せることができると共に、配線パターンの設計の自由度
を向上させることができる。

【００４７】また、半導体チップ２２の搭載前には先端
接続部材２１が除去されるので、製造工程や完成品の電
気特性に影響を与えず、製品特性の安定性を確保するこ
とができる。

【００４８】さらに、最終製品の半導体装置の製造まで
を含む全工程を評価しても、先端接続部材２１が半導体
接続用電極６ａと同時に形成されるため、従来と比べて
先端接続部材２１の除去工程が付加されただけであるの
で、本発明に係るテープキャリア及び半導体装置を容易
且つ確実に製造することができる。

【００４９】また、本発明に係るテープキャリアは、先
端接続部材２１の除去前又は除去後のいずれでも出荷可
能な物品であるため、例えば先端接続部材２１の除去前
の状態で出荷される場合、実質的に工程数を増加させず
に製造することができる。

【００５０】また、本発明に係る先端接続部材は、２層
の配線層３ｂ，６ｂをもつ２層構造のチップキャリアに
容易に適用できるが、同様の製造工程により製造できる
３層以上の配線層をもつチップキャリアにも、容易に適
用させることができる。 （第２の実施の形態）次に、本発明の第２の実施の形態
に係るテープキャリアについて説明する。

【００５１】図６はこのテープキャリアにおけるデバイ
スホールの周辺構成を模式的に示す平面図であり、図１
乃至図５と同一部分には同一符号を付してその詳しい説
明は省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。

【００５２】すなわち、本実施の形態に係るテープキャ
リアは、第１の実施の形態における先端接続部材２１の
保護を図るものであり、具体的には、図６に示すよう
に、ポリイミドテープ１において、デバイスホール５の
周縁から内側に延長して形成され、先端接続部材２１を
支持する支持部材３０を備えている。

【００５３】ここで、支持部材３０は、デバイスホール
５の四隅から内側に延長して形成されるアーム部３１
と、アーム部３１先端に保持され、先端接続部材２１と
同一形状を有する支持枠部３２とを備えており、前述し
た製造工程におけるデバイスホール５を打ち抜く際に、
用いる金型の形状を支持部材３０の形状と同一形状にす
ることにより、形成可能となっている。

【００５４】また、支持部材３０は、前述した製造工程
における先端接続部材２１の除去後、デバイスホール５
の四隅に位置するアーム部３１の基端３１ａが切断され
ることにより、テープキャリアから除去可能となってい
る。

【００５５】以上のような構成としても、第１の実施の
形態と同様にめっきリード１４の本数の低減に伴う効果
を得ることができ、さらに、テープキャリアの取扱上で
先端接続部材２１に力が加わったとしても、支持部材３
０が先端接続部材２１を支持するので、先端接続部材２
１の変形を阻止することができる。

【００５６】また、この支持部材３０は、先端接続部材
２１の除去後、テープキャリアから除去されるので、第
１の実施の形態と同様に、製造工程や完成品の電気特性
に影響を与えず、製品特性の安定性を確保することがで
きる。

【００５７】さらに、最終製品の半導体装置の製造まで
を含む全工程を評価しても、支持部材３０がデバイスホ
ール５と同時に形成され、且つ先端接続部材２１が半導
体接続用電極６ａと同時に形成されるため、従来と比べ
て先端接続部材２１及び支持部材３０の除去工程が付加
されただけであるので、本発明に係るチップキャリア及
び半導体装置を容易且つ確実に製造することができる。

【００５８】また同様に、本発明に係るテープキャリア
は、先端接続部材２１の除去前又は除去後及び支持部材
３０の除去前又は除去後のいずれでも出荷可能な物品で
あるため、例えば、先端接続部材２１の除去前の状態で
出荷される場合、実質的に工程数を増加させずに製造す
ることができる。 （第３の実施の形態）次に、本発明の第３の実施の形態
に係るテープキャリアについて説明する。

【００５９】図７はこのテープキャリアの概略構成を示
す平面図であり、図８はこのテープキャリアの構成を模
式的に示す断面図であって、第１の実施の形態とは異な
り、１層の配線層を有する１層構造のテープキャリアを
示している。

【００６０】このテープキャリアは、略中央に半導体チ
ップを搭載するためのデバイスホール４０が形成された
絶縁性のポリイミドテープ４１と、ポリイミドテープ４
１の片面上に選択的に形成された配線層４２と、配線層
４２から連続的に形成され、且つ表面にめっき層４３ａ
を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のラン
ド４３と、配線層４２から連続的に櫛歯状に形成され、
先端４４ａがデバイスホールの周縁よりも内側に位置す
る半導体接続用電極４４と、半導体接続用電極４４から
連続的に形成され、半導体接続用電極４４の櫛歯状の先
端４４ａを互いに電気的に接続する先端接続部材４５と
を備えている。

【００６１】なお、先端接続部材４５は、図２に示した
部材２１と同一形状の四角枠状に形成されている。ま
た、各ランド４３は、各めっきリード４６を個別に介し
て主めっきリード４７と導通されており、各めっきリー
ド４６は、第１の実施の形態と同様に、従来よりも本数
が低減されている。

【００６２】次に、以上のようなテープキャリアの製造
方法及び作用を説明する。 （製造方法）前述同様に、２５μｍ厚のポリイミドテー
プ４１の略中央が金型で打ち抜かれることにより、半導
体チップ搭載用のデバイスホール４０が形成され、図９
（ａ）に示すように、このデバイスホール４０を有する
ポリイミドテープ４１の片面に接着剤４８を介して導電
箔４２ａが貼着される。

【００６３】続いて、図９（ｂ）に示すように、貼着さ
れた導電箔４２ａがパターニングされて配線層４２、各
ランド４３、半導体接続用電極４４及び先端接続部材４
５が形成される。

【００６４】また、電解めっきにより、前述同様に、配
線層４２、各ランド４３、半導体接続用電極４４及び先
端接続部材４５の表面に、５μｍ厚のニッケルめっき層
及び０．３μｍ厚の金めっき層からなるめっき層４３ａ
が順次形成される。

【００６５】しかる後、表面保護層４９が形成され、図
１０に示す構造の出荷可能なテープキャリアが完成され
る。また、前述同様に、選択エッチングにて先端接続部
材４５が除去されると、最終的にテープキャリアが完成
される。なお、この最終的な完成品を出荷しても良いの
は言うまでもない。

【００６６】このテープキャリアは、前述同様に、図１
１に示すように、半導体チップ５１が半導体接続用電極
４４に電気的に接続され、各ランド４３を露出させつつ
全体が絶縁樹脂５２にて封止され、各ランド４３にハン
ダボール５３が形成されると、各ハンダボール５３を介
してマザーボード等の外部要素と接続可能な半導体装置
となる。 （作用）前述同様にめっきリードの本数を低減しつつ、
１層構造のテープキャリアを容易且つ確実に形成するこ
とができる。

【００６７】また、テープキャリアを１層構造としたこ
とにより、製造に手間のかかるバイアホールを無くして
回路構成並びに製造工程を簡略化でき、もって、信頼性
を向上させることができる。

【００６８】上述したように第３の実施の形態によれ
ば、第１の実施の形態の効果を奏する１層構造のテープ
キャリアを実現することができる。 （第４の実施の形態）次に、本発明の第４の実施の形態
に係るテープキャリアについて説明する。

【００６９】図１２はこのテープキャリアの構成を模式
的に示す断面図であり、図１３はデバイスホール周辺の
構成を模式的に示す平面図であって、図７乃至図１１と
同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略
し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。

【００７０】すなわち、本実施の形態に係るテープキャ
リアは、第３の実施の形態の構成に加え、電解めっき前
の先端接続部材４５の保護を図るため、ポリイミドテー
プ４１において、デバイスホール４０の周縁から内側に
延長して形成され、先端接続部材４５を支持する支持部
材６０を備えている。

【００７１】ここで、支持部材６０は、前述同様に、デ
バイスホール４０の四隅を基端６１ａとしてデバイスホ
ール内側に延長して形成されるアーム部６１と、アーム
部先端に保持され、先端接続部材４５と同一形状を有す
る支持部６２とを備えている。

【００７２】但し、本実施の形態に係るテープキャリア
は、最終工程まで支持部材６０を有している。すなわ
ち、半導体チップ５１を搭載して半導体装置を製造して
もアーム部基端６１ａから切断されない。なお、完成品
の半導体装置は、図１４に示す構造となる。

【００７３】以上のような構成により、電解めっき前で
は、前述同様に、支持部材６０が先端接続部材４５を支
持するため、先端接続部材４５の変形を阻止することが
できる。

【００７４】また、電解めっき後で半導体チップ５１を
搭載するときには、支持部材６０が半導体チップ５１を
支持し、半導体チップ５１と半導体接続用電極４４とを
電気的に接続する際に半導体チップ５１を安定させるの
で、半導体装置の製造工程の信頼性を向上させることが
できる。

【００７５】さらに、支持部材６０は、ポリイミドテー
プ４１が延長されて形成されているので、完成品の半導
体装置にて半導体チップ５１の下に位置したとしても、
半導体装置の電気特性には影響を与えず、製品特性の安
定性を確保することができる。

【００７６】上述したように第４の実施の形態によれ
ば、第３の実施の形態の効果に加え、さらに、電解めっ
き前には先端接続部材４５の変形を防止できると共に、
電解めっき後の搭載時には半導体チップ５１を安定させ
ることができ、もって、製造工程の信頼性を向上させる
ことができる。 （他の実施の形態）なお、上記第１の実施の形態では、
２層の配線層３ｂ，６ｂをもつ２層構造のチップキャリ
アを例に挙げて説明したが、これに限らず、同様の製造
工程により製造できる３層以上の配線層をもつ多層構造
のチップキャリアとしても、本発明を同様に実施して同
様の効果を得ることができる。

【００７７】上記第１乃至第４の実施の形態では、表面
のめっき層９，４３ａを金とした場合について説明した
が、これに限らず、外部接続用のハンダボール１１，５
３に対して良好な親和性をもつ材料をめっき層９，４３
ａとしても、本発明を同様に実施して同様の効果を得る
ことができる。具体的には、例えば、すず、ニッケル、
銀、パラジウム、ハンダ等の材料をめっき層とすること
が親和性や導電性の観点から好ましい。

【００７８】また、上記第１及び第２（あるいは第３及
び第４）の実施の形態では、めっき電極が主めっきリー
ド１３（，４７）と先端接続部材２１（，４５）との両
方に接続された場合を説明したが、これに限らず、半導
体接続用電極６ａ（，４４）に導通する各ランド３
ａ（，４３）のうちの少なくとも１つが主めっきリード
１３（，４７）に接続されることにより、めっき電極が
主めっきリード１３（，４７）又は先端接続部材２
１（，４５）のいずれか一方に接続されて電解めっきが
行なわれても、本発明を同様に実施して同様の効果を得
ることができる。

【００７９】さらに、上記第１乃至第４の実施の形態で
は、先端接続部材２１，４５を半導体接続用電極６ａ，
４４から除去するためにエッチングを用いた場合を説明
したが、これに限らず、金型を用いた打ち抜きにより先
端接続部材２１，４５を切り離すようにしても、本発明
を同様に実施して同様の効果を得ることができる。

【００８０】また、第２の実施の形態では、先端接続部
材２１の除去後、支持部材３０をテープキャリアから除
去する場合を説明したが、これに限らず、支持部材３０
をテープキャリアから除去せずに半導体チップ２２の支
持体として用いる構成としても、本発明を同様に実施し
て同様の効果を得ることができ、さらに、テープキャリ
アの取扱上で半導体チップ２２に力が加わっても、半導
体チップ２２並びに半導体接続用電極６ａを変形や歪み
等から保護することができる。また、この場合、支持部
材３０の除去工程を省略することができ、さらに容易に
製造することができる。

【００８１】また一方、第４の実施の形態では、支持部
材６０をテープキャリアから除去せずに半導体チップ５
１の支持体として用いる場合を説明したが、これに限ら
ず、先端接続部材４５の除去後、支持部材６０をテープ
キャリアから除去した構成としても、半導体チップ搭載
時の支持体としての効果を除き、本発明を同様に実施し
て同様の効果を得ることができる。その他、本発明はそ
の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。

【００８２】

【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明によ
れば、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が
形成された絶縁テープと、絶縁テープの片面上に選択的
に形成された配線層と、配線層から連続的に形成され、
且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続す
るための複数のランドと、配線層から連続的に櫛歯状に
形成され、先端が開口部の周縁よりも内側に位置する半
導体接続用電極と、半導体接続用電極から連続的に形成
され、半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的
に接続する先端接続部材とを備えたので、半導体接続用
電極相互を電気的に接続する先端接続部材を設けたこと
により、半導体接続用電極に接続された各ランドを互い
に導通させるので、従来の主めっきリードと各ランドと
を接続するめっきリードの本数を低減させ、配線パター
ン間の絶縁層の面積を増加させるので、多ピン化の際
に、めっきリードを原因とする短絡、絶縁性低下、静電
容量の発生等を無くし、電気的信頼性を向上させること
ができると共に、配線パターンの設計の自由度を向上で
きるテープキャリアを提供できる。

【００８３】従来は特に多ピン化につれて設計の自由度
が飛躍的に低下していたため、このような本発明の効果
は、開口部の周囲を、外部要素と電気的に接続するラン
ドが３重以上に囲うような多ピンのテープキャリアには
特に顕著なものとなっている。

【００８４】また、請求項２の発明によれば、略中央に
半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁
テープと、絶縁テープの片面上に選択的に形成された第
１配線層と、絶縁テープの他の片面上に選択的に形成さ
れた第２配線層と、第１配線層と第２配線層とを電気的
に接続する層間接続部材と、第１配線層から連続的に形
成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的
に接続するための複数のランドと、第２配線層から連続
的に櫛歯状に形成され、先端が開口部の周縁よりも内側
に位置する半導体接続用電極と、半導体接続用電極から
連続的に形成され、半導体接続用電極の櫛歯状の先端を
互いに電気的に接続する先端接続部材とを備えたので、
請求項１の効果を奏する２層構造のテープキャリアを提
供できる。

【００８５】さらに、請求項３の発明によれば、請求項
１又は請求項２の絶縁テープとしては、開口部の周縁か
ら内側に延長して形成され、先端接続部材を支持する支
持部材を備えたので、請求項１又は請求項２の効果に加
え、テープキャリアの取扱上で先端接続部材に力が加わ
ったとしても、支持部材が先端接続部材を支持するの
で、先端接続部材の変形を阻止できるテープキャリアを
提供できる。

【００８６】さらに、請求項４の発明によれば、略中央
に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶
縁テープと、絶縁テープの片面上に選択的に形成された
配線層と、配線層から連続的に形成され、且つ表面にめ
っき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数
のランドと、配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先
端が開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電
極と、絶縁テープから連続的に形成され、半導体接続用
電極の先端よりも開口部の内側に位置する支持部を有
し、支持部で半導体チップを支持する支持手段と、支持
部に支持され、半導体接続用電極に電気的に接続された
半導体チップとを備えているので、支持手段が、半導体
チップの搭載時には半導体チップを安定させて製造工程
の信頼性を向上でき、また、支持部材が、絶縁テープか
ら延長されて形成されているので、半導体チップの下に
位置しても電気特性に影響を与えず、もって、製品特性
の安定性を確保できる半導体装置を提供できる。

【００８７】さらに、請求項５の発明によれば、開口部
形成工程では、絶縁テープの略中央に開口部が形成さ
れ、導電箔貼着工程では、開口部の形成された絶縁テー
プの片面に導電箔が貼着され、パターニング工程では、
貼着された導電箔をパターニングして配線層、各ラン
ド、半導体接続用電極及び先端接続部材が形成され、電
解めっき工程では、パターニング工程の後、電解めっき
により、各ランドの表面にめっき層が形成されるので、
請求項１の効果を奏するテープキャリアを容易且つ確実
に製造できるテープキャリア製造方法を提供できる。

【００８８】また、請求項６の発明によれば、第１貼着
工程では、開口部の形成される絶縁テープの片面に第１
導電箔が貼着され、開口部形成工程では、貼着された絶
縁テープと第１導電箔との略中央に、開口部が形成さ
れ、第２貼着工程では、開口部の形成された絶縁テープ
の他の片面に第２導電箔が貼着され、第１パターニング
工程では、第１導電箔がパターニングされて第１配線層
及び各ランドが形成され、層間部材形成工程では、各ラ
ンドと第２導電箔とを電気的に接続するように複数の層
間接続部材が選択的に形成され、第２パターニング工程
では、各層間接続部材を露出させないように第２導電箔
がパターニングされて第２配線層、半導体接続用電極及
び先端接続部材が形成され、電解めっき工程では、第２
パターニング工程の後、電解めっきにより、各ランドの
表面にめっき層が形成されるので、請求項２の効果を奏
するテープキャリアを容易且つ確実に製造できるテープ
キャリア製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るテープキャリ
アの概略構成を示す平面図

【図２】同実施の形態におけるテープキャリアのデバイ
スホール周辺の構成を模式的に示す平面図

【図３】同実施の形態におけるテープキャリアの構成を
模式的に示す断面図

【図４】同実施の形態におけるテープキャリアの製造方
法を模式的に示す工程断面図

【図５】同実施の形態における半導体装置の構成を模式
的に示す断面図

【図６】本発明の第２の実施の形態におけるデバイスホ
ール周辺の構成を模式的に示す平面図

【図７】本発明の第３の実施の形態に係るテープキャリ
アの概略構成を示す平面図

【図８】同実施の形態におけるテープキャリアの構成を
模式的に示す断面図

【図９】同実施の形態におけるテープキャリアの製造方
法を模式的に示す工程断面図

【図１０】同実施の形態におけるテープキャリアの構成
を模式的に示す断面図

【図１１】同実施の形態における半導体装置の構成を模
式的に示す断面図

【図１２】本発明の第４の実施の形態に係るテープキャ
リアの構成を模式的に示す断面図

【図１３】同実施の形態におけるデバイスホール周辺の
構成を模式的に示す平面図

【図１４】同実施の形態における半導体装置の構成を模
式的に示す断面図

【図１５】従来のテープキャリアの製造方法を模式的に
示す工程断面図

【図１６】従来のテープキャリアの製造方法を模式的に
示す工程断面図

【図１７】従来のテープキャリアの概略構成を示す平面
図

【符号の説明】

１，４１…ポリイミドテープ ２，４，４８…接着剤 ３…第１銅箔 ３ａ，４３…ランド ３ｂ…ＧＮＤ配線層 ５，４０…デバイスホール ６…第２銅箔 ６ａ，４４…半導体接続用電極 ６ｂ…第２配線層 ７…穴 ８…バイアホール ９…めっき層 １０…表面保護層 １１，５３…ハンダボール １２…スプロケットホール １３、４７…主めっきリード １４、４６…めっきリード ２１，４５…先端接続部材 ２２，５１…半導体チップ ２３，５２…絶縁樹脂 ３０，６０…支持部材 ３１…アーム部 ３１ａ，６１ａ…基端（アーム部） ３２，６２…支持部 ４２ａ…導電箔。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 略中央に半導体チップを搭載するための
   開口部が形成された絶縁テープと、 前記絶縁テープの片面上に選択的に形成された配線層
   と、 前記配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層
   を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のラン
   ドと、 前記配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が前記
   開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極
   と、 前記半導体接続用電極から連続的に形成され、前記半導
   体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する
   先端接続部材とを備えたことを特徴とするテープキャリ
   ア。
2. 【請求項２】 略中央に半導体チップを搭載するための
   開口部が形成された絶縁テープと、 前記絶縁テープの片面上に選択的に形成された第１配線
   層と、 前記絶縁テープの他の片面上に選択的に形成された第２
   配線層と、 前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続する
   層間接続部材と、 前記第１配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっ
   き層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数の
   ランドと、 前記第２配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が
   前記開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電
   極と、 前記半導体接続用電極から連続的に形成され、前記半導
   体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する
   先端接続部材とを備えたことを特徴とするテープキャリ
   ア。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載のテープキ
   ャリアにおいて、 前記絶縁テープは、前記開口部の周縁から内側に延長し
   て形成され、前記先端接続部材を支持する支持部材を備
   えたことを特徴とするテープキャリア。
4. 【請求項４】 略中央に半導体チップを搭載するための
   開口部が形成された絶縁テープと、 前記絶縁テープの片面上に選択的に形成された配線層
   と、 前記配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層
   を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のラン
   ドと、 前記配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が前記
   開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極
   と、 前記絶縁テープから連続的に形成され、前記半導体接続
   用電極の先端よりも前記開口部の内側に位置する支持部
   を有し、前記支持部で前記半導体チップを支持する支持
   手段と、 前記支持部に支持され、前記半導体接続用電極に電気的
   に接続された半導体チップとを備えたことを特徴とする
   半導体装置。
5. 【請求項５】 請求項１に記載のテープキャリアを製造
   するためのテープキャリア製造方法において、 前記絶縁テープの略中央に前記開口部を形成する開口部
   形成工程と、 前記開口部の形成された絶縁テープの片面に導電箔を貼
   着する導電箔貼着工程と、 前記貼着された導電箔をパターニングして前記配線層、
   前記各ランド、前記半導体接続用電極及び前記先端接続
   部材を形成するパターニング工程と、 前記パターニング工程の後、電解めっきにより、前記各
   ランドの表面に前記めっき層を形成する電解めっき工程
   とを含んでいることを特徴とするテープキャリア製造方
   法。
6. 【請求項６】 請求項２に記載のテープキャリアを製造
   するためのテープキャリア製造方法において、 前記開口部の形成される絶縁テープの片面に第１導電箔
   を貼着する第１貼着工程と、 前記貼着された絶縁テープと前記第１導電箔との略中央
   に、前記開口部を形成する開口部形成工程と、 前記開口部の形成された絶縁テープの他の片面に第２導
   電箔を貼着する第２貼着工程と、 前記第１導電箔をパターニングして前記第１配線層及び
   前記各ランドを形成する第１パターニング工程と、 前記各ランドと前記第２導電箔とを電気的に接続するよ
   うに複数の層間接続部材を選択的に形成する層間部材形
   成工程と、 前記各層間接続部材を露出させないように前記第２導電
   箔をパターニングして前記第２配線層、前記半導体接続
   用電極及び前記先端接続部材を形成する第２パターニン
   グ工程と、 前記第２パターニング工程の後、電解めっきにより、前
   記各ランドの表面に前記めっき層を形成する電解めっき
   工程とを含んでいることを特徴とするテープキャリア製
   造方法。